DE3136798C2 - Verfahren und Vorrichtung zur Abscheidung dünner Oxidfilmschichten unter Verwendung der reaktiven Verdampfung - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Abscheidung dünner Oxidfilmschichten unter Verwendung der reaktiven VerdampfungInfo
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Abstract
Zur Bildung von hochqualitativen dünnen Oxydfilmschichten auf einem Substrat durch reaktives Verdampfen werden ein Verfahren und eine Vorrichtung verwendet, die eine Sauerstoffplasmaaktivierungsquelle in Form eines zylindrischen Behälters aus Isoliermaterial verwenden, der von einer Hochfrequenzspule zur Erzeugung eines hochfrequenten elektromagnetischen Feldes in dem Behälter umgeben ist, dessen Stärke ausreicht, um ein Selbstzünden des Sauerstoffplasmas in dem Behälter zu erzeugen, ohne daß Material von den Behälterwänden verdampft.
Description
Die Erfindung bet!illt eine Vorrichtung und ein Verfahren
der in den Oberbegriffen der Patentansprüche 1 bzw. 7 genannten, aus der DE-OS 22 20 086 bekannten
Art.
Dünne Oxidfilmschichten sind von besonderem Interesse für optisch transparente, elektrisch leitende
Beschichtungen. Dünne Filme aus Zinn-dotiertem Indlumoxid
und aus Indiumoxid eignen sich besonders für transparentes Elektrodenmaterial an optoelektronischen
Einrichtungen, wie Flüssigkristall- und elektrochrome Anzeigeeinhüten. Diese opto-elektronischen Einrichtungen
erfordern im allgemeinen eine Beschichtung mit
w hoher Transparenz (z. B. 80% bei 500 nm) und einem
geringen Schichtwiderstand (z.B. unter 3OOJ2/D). Eine
andere Anwendung für transparente leitende Beschichtungen sind Wärmespiegel, die infrarote Strahlung rellektieren,
während sie sichtbares Licht durchlassen. Für der-
!<· artige Anwendungen eignen sich beispielsweise Filme
aus Kadmiumstannat oder Antimon-dotiertem Zinnoxid. Weitere Verwendungsmöglichkeiten für transparente leitende
Beschichtungen sind antistatische Überzüge auf Instrumentenpaneelen. Der Schichtwiderstand kann
dabei relativ groß sein, so daß Zinnoxid oder geringe Mengen an Indium enthaltendem Zinnoxid dafür eingesetzt
werden kann.
Nach der DE-OS 22 20 086 wird zur Erhöhung der Reaktivität des Metalldampfes mit dem Reaktionsgas
Sauerstoff in einer Plasmakammer durch ein Induziertes
Hochfrequenzfeld ein Plasma erzeugt. Die Plasmaentladung bewirkt eine starke Erhöhung der Temperatur der
Innenwand des Hohlraums, die mit dem zu verdampfenden Stoff beschichtet Ist oder aus diesem besteht.
>n Diese bekannte Vorrichtung bzw. das Verfahren hat
den Nachteil, daß die Temperatur der zu beschichtenden Substrate auf einem relativ hohen Wert, etwa 350° C,
gehalten werden muß, um eine gute optische Qualität der abgeschiedenen Schichten zu erhalten.
Damit Ist die Verwendung von Kunststoffsubstraten nicht möglich, da die meisten Kunststoffe nicht über
200° C, auch nicht kurzzeitig, erhitzt werden können, ohne Ihre Eigenschaften zu ändern. Kunststoffsubslrate
sind wegen der guten Anpassungsmöglichkeit der opti-
sehen Parameter besonders für Flüssigkristallanzeigen
von Interesse.
Die Beschlchtungskosten für starre Substrate können
in Beschlchtungsanlagen mit Fördereinrichtung und kontinuierlichem
Beschlchtungsprozeß wesentlich verringert
h) werden. Voraussetzung Ist jedoch, daß die Substrattemperaturen
nicht wesentlich über 1000C liegen und die
Abscheidegeschwindigkeit nicht zu gering ist. Wegen der zu hohen Substrattemperatur können Metalloxidüberzüge
Tür optoelektronische Einrichtungen und andere Produkte
nicht in diesen Anlagen hergestellt werden, sondern nur sehr zeltaufwendig in Beschickungsanlagen mit
Chargenbeschickung.
Die der Erfindung zugrundeliegende Auigabe besteht darin, ein Verfahren und eine Vorrichtung zu schallen,
mit denen dünne Oxidfilmschichten hoher optischer Qualität bei niedrigen Substrattemperaturen abgeschieden
werden können.
Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen der Patentansprüche 1 bL A-. 7 gelöst.
Überraschenderweise hat sich gezeigt, daß die Verwendung der bekannten Sauerstoff-Plasmaaktivierungsquelle
mit einer HF-Energie, die unter dem Wert liegt, bei dem Material von den Wänden der Plasmakammer verdampft,
eine wirksame Abscheidung von Oxidfilmen hoher optischer Qualität bei Substrattemperaturen um
100° C ermöglicht.
Damit kann die Metalloxidbeschichtung mittels reaktiver Verdampfung in kontinuierlich arbeitenden
Beschichtungsanlagen kostengünstig hergestellt werden.
Außerdem ist es möglich, als Substratmaterial temperaiurempfindliche
Kunststoffe in beliebigen starren oder llexiblen Formen zu verwenden.
Die Unteransprüche beinhalten bevorzugte Ausführungsformen der Vorrichtung bzw. Maßnahmen des Verfahrens.
Anhand der Zeichnung wird die Ertindung beispielsweise näher erläutert. Es zeigt:
Fig. 1 schematisch eine Reaktionsbeschichtungsanlage
mit einer Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens,
Fig. 2 im Schnitt eine modifizierte Ausführung einer
Plasmaaktivierungsquelle für die Vorrichtung und
Fig. 3 im Schnitt den Aulbau eines bekannten Behälters
für eine Plasmaaktivierungsquelle, wie sie auch bei einigen Ausführungen der erfindungsgemäßen Vorrichtung
verwendet werden kann.
Die in Fig. 1 gezeigte Ausführungslorm einer Vorrichtung
zur Durchführung des Verfahrens zum reaktiven Abscheiden einer Oxidbeschichtung auf einem Substrat
hat eine Vakuumkammer 10 mit einer ersten Öffnung HA. die mit einer nicht gezeigten Vakuumpumpe in
Verbindung steht, um den Innenraum der Kammer 10 zu evakuieren, gewöhnlich auf einen Druck im Bereich von
0.1 bis 0,01 Pa. Im Boden der Kammer 10 ist eine zweite
Öflnung llö für die Zuführung von aktivierten Sauerstoffmolekülen
aus einer Plasmaaklivierungsquelle 16 in den Innenraum der Vakuumkammer 10 vorgesehen.
Zum Einsetzen und Entnehmen von Substratmaterial aus der Vakuumkammer 10 dienen weitere nicht gezeigte
Öffnungen.
In der Vakuumkammer 10 befindet sich ein Subtrathalter
12, derein Substrat 13 bezüglich einer Verdampiungsqueile
15 und einer Plasmaaktivierungsqueüe 16 positioniert hält. Im Innern der Kammer 10 ist eine Substratheizung
14 angeordnet, die. falls dies erwünscht ist, ein Beheizen des Substrats 13 auf eine Ausgangstemperatur
vor dem Abscheiden des Materials aus der Verdaniplungsquelle 15 ermöglicht. Mit der Substratheizung 14
kann eine Steuerung 14.4 verbunden sein, um die Beheizung
des Substrats 13 zu steuern.
Die Verdampfungsquelle 15 ist von herkömmlicher Art,
iKispieNweisc die gezeigte Hlektronenkanonenanord-ρ,υημ.
Bei dieser Anordnung Is; ein Schiffchen oder ein liege! 15.-1 für die Aufnahme des zu verdampfenden
Materials vorgesehen. Line Elektronenkanone ISC
erzeugt einen l.lektronensirahl 15/λ der in den Behäller
1* I L-eriehiei wird und das Quellenmaterial 15ß erhitzt.
so daß es verdampft. Es können auch andere herkömmliche Verdampfungsquellen verwendet werden, beispielsweise
Widerstandsheizungsquellen.
Die verwendete Sauerstoffplasmaaktivierungsquelle 16
entspricht im Autbau im wesentlichen der aus der DE-OS 22 20 086 bekannten Vorrichtung. Die Quelle 16
ist an der Unterseite der Vakuumkammer 10 angeordnet und erzeugt ein aktiviertes Sauerstolfplasma, welches ins
Innere der Vakuumkammer 10 und insbesondere auf die Oberfläche des Substrats 13 gelangt. Die Plasmaaktivierungsquelle
16 weist einen Behälter 17, eine sogenannte Boule, mit einem Hohlraum 17ß auf, dem Sauerstoffgas
über das Rohr 20 zugeführt wird. Der Behälter 17 wird von einer Spulenanordnung 18 umschlossen, die zur
Erzeugung eines hochfrequenten elektromagnetischen Feldes im Hohlraum 17ß des Behälters 17 mit einer HF-Spannungsquelle
19 verbunden ist. Bei der bekannten Vorrichtung wird dem Hohlraum des Behälters soviel
hochfrequente elektromagnetische Energie zugeführt, daß das Material, aus dem dessen Innenwände hergestellt
sind, verdampft. Dieses verdampfte Material wird der Vakuumkammer für die Abscheidung auf einem darin
angeordneten Substrat zugeführt. Im Gegensatz dazu wird erfindungsgemäß die hochfrequente elektromagnetische
Energie auf einem Wert gehalten, der zwar ausreicht, um ein Sauerstoffplasma in dem Hohlraum 17ß zu
zünden und zu erhalten, der jedoch unter dem Wert liegt, das tür das Verdampfen von Materialien aus den
Wänden des Behälters 17 erforderlich ist. Der Behäller 17 besteht vorzugsweise aus geschmolzenem Siliziumdioxidmaterial
bzw. Quarzglasmaterial, es können jedoch auch andere Isoliermaterialien verwendet werden, beispielsweise
Bornitrid oder Aluminiumoxid. Die Wände des in Fig. 1 gezeigten Behälters 17 enden unter dem Boden
der Vakuumkammer. Es ist jedoch möglich und in manchen Fällen auch vorteilhaft, daß sich die Wände des
Behälters in die Vakuumkammer er; trecken. Darüber hinaus kann die Plasmaaktivierungsquelle 16 auch vollständig
in der Kammer angeordnet werden.
Durch die Verwendung der bekannten Plasmaaktivierungsquelle
in Kombination mit einer herkömmlichen Verdampfungsquelle 15, wobei die bekannte Plasmaquelle
nur als Sauerstoifplasmaaktivator, nicht jedoch als Verdampfunesquelle selbst arbeitet, ist überraschenderweiseein
Oxidfiim mit hoher Q lalität bei ziemlich hohen Abscheidungsgeschwindlgkeiten zu erzielen, ohne daß
ein wesentliches Erhitzen des Substrats 13 durch die Substratheizung 14 erforderlich ist. Offensichtlich erzeugt
aus bisher noch nicht bekannten Gründen die bekannte Vorrichtung, wenn sie als Plasmaaktivierungsquelle
betrieben wird, einen Strahl von Sauerstoffmolekülen, die tür ein Verbinden mit den von der Verdamplungsquelle
15 abströmenden Dampfmolekülen wirksam aktiviert sind. Der Oxidfilm auf dem Substrat 13 bildet sich bei
einer niedrigeren Stubstrattemperatur als bei anderen Arten von Plasmaquellen.
Fig. 2 zeigt den Aulbau einer modifizierten Ausführung
einer Plasmaquelle 16. Die Bauelemente der Plasmaaktivierungsquelle
16 sind ein zylindrisches Gehäuse 2! aus einem Isoliermaterial, aas an der Unterseite des
Bodens der Vakuumkammer 10 an der Stelle der Öffnung llß angeordnet ist. Eine an der Unterseite des Gehäuses
21 angebrachte Stirnwand 22 bildet einen Träger 32 für
den Behälter 17 an der gezeigten Stelle sowie für einen llulikxnzentnitor 25 der im wesentlichen In Fig. 2
gezeigten Ausgestaltung. Der Träger 32 hat einen in Ihm ausgebildeten zentralen Kanal tür die Aufnahme eines
Rohres 29. welches mit der Sauerslolf/ulührung 30 über
ein variables Drosselventil 31 in Verbindung steht, das
zum Steuern des Sauerstoffstroms zum Hohlraum 17/i im
Behalter 17 verwendet werden kann. Die Spulenanordnung Ist mit der in Flg. 2 nicht dargestellten llochfrcquenzspannungsquellc
verbunden und besteht aus einem ϊ spulenförmigcn Leiter 18, der an einem den Behälter 21
umgebenden Ringstab ISA angebracht Ist. Um den FIuH-konzentrator
25 sind Kühlschlangen 13 vorgesehen, die
mit einer Versorgung 24 für Wasser oder ein anderes Kühlmittel verbunden sind, um den Flußkonzentrator 25 in
zu kühlen.
Der Behälter 17 von Fig. 2 besteht aus einem hohlen,
zylindrischen Abschnitt 26 mit einem Boden 27 mit einer Öffnung 28, durch die Sauerstoff in den Hohlraum 17/5
geleitet wird. Bei der in Fig. 2 gezeigten Ausführungsform ist keine obere Stirnwand vorhanden. Die Ausgestaltung
des Behälters 17 nach Fig. 2 Ist dann vorteilhaft, wenn die Plasmaaktivierungsquelle 16· zum Abscheiden
von Material an einer großen Substratfläche verwendet wird. Es ergibt sich so eine große Fläche mit einer gleichförmlgen
Verteilung der aktivierten Sauerstoffmoleküle aus der Quelle, so daß über die Oberfläche einer großen
Substratfläche gleichmäßige Dünnfilme erzeugt werden.
Fig. 3 zeigt die Ausgestaltung eine:; typischen bekannten
Behälters 17' mit einem hohien zylindrischen ?~>
Abschnitt 26', einem unteren Boden 27' und einer oberen Stirnwand 35. Die obere Stirnwand 35 ist mit einer Öffnung
36 versehen, die eine Verbindung für die aktivierten Sauerstoffmoleküle mit dem Innenraum der Abscheidungskammer
10 herstellt. Die Behälterform nach Fig. 3 ^o
eignet sich in Verbindung mit kleinflächigen Substraten.
Das erfindungsgemäße Verfahren und die entsprechende Vorrichtung lassen sich für die aktivierte reaktive
Verdampfung von Indium und Zinn sowohl jeweils allein als auch miteinander zur Bildung von transparenten leitendon
Indiumoxid-, Zinnoxid- und Zinn-dotierten Indiumoxidbeschichtungen verwenden. In den nachstehenden
Tabellen I und II sind die Ergebnisse aufgezeigt, die bei der Durchführung des Verfahrens unter
Einsatz der Vorrichtung bei der Abscheidung von mit Zinn dotierten Indiumoxidfilmen aus Glassubstraten
erhalten werden. Bei den in der Tabelle I angeführten Daten ist das Substrat etwa 25 cm von der Oberseite der
Plasmauklivicrungsqulle entfernt. Die Verdampfung von Indium und Zinn wird unter Verwendung einer
herkömmlichen Verdampfungseinheit mit Widerstandsbeheizung ausgeführt. Die Daten von Tabelle 1 gelten für
Oxidfilme auf Glassubstraten, die bei einer Temperatur
von 550° C eine Stunde lang eingebrannt wurden, um eine Stabilitätsprüfung der abgeschiedenen Filme zu
erhalten. Wie aus den. Daten von Tabelle ! zu sehen ist,
sind die abgeschiedenen Oxidfilme stabil, da sich die maximale optische Gesamtdurchlässigkeit OAT und der
Schichtwiderstand Rs der Filme nach dem Brennen bzw.
Backen nicht wesentlich verschlechtern. Zusätzlich zeigen die Daten von Tabelle I. daß hochwertige Oxidlilme
bei Beschichtungstemperaturen erhalten werden können, die weit unter 200° C liegen. Die Abscheidegeschwindigkeiten
von etwa 5 bis 10 nm/s sind etwa um das Hundertfache schneller als die maximale Abscheidungsgeschwindlgkeit,
wie sie mit einem reaktiven Verdampfungsverfahren ohne plasmaaktivierte Quelle erreicht
werden kann. Zusätzlich zur Abscheidung von Zinndotierten Indiumoxidbeschichtungen auf Glassubstraten
werden ähnliche Versuche für entsprechende Oxidbeschichlungen auf flexiblen Kunststoffsubstraten ausgeführt.
So wird eine Polyesterfolie mit einer Zinn-dotierten Indiumoxidbeschichtung versehen, ohne daß das
Foliensubstrat irgendwelche thermischen Schäden erleidet.
Probe Beschichtet
OAT in % R, in ΩΙΌ
Nach 1 h bei 550° C OAT in % R1 in Ω/Ο
Dicke in mm
Abscheidungsgeschwindigkeit
in nm/s
in nm/s
Beschichtungs-Temperatur in °C
Anfang Ende
Anfang Ende
| 35-5 | 92,5 | 850 | 51,5 | 500 | 165 | 5,3 | 79 | 106 |
| 32-6 | 91,5 | 190 | - | - | 187 | 15,3 | 80 | 100 |
| 36-9 | 90,5 | 80 | 86,0 | 60 | 125 | 6,3 | 102 | 142 |
| 37-5 | 92,0 | 250 | - | - | 140 | 7,0 | 102 | 139 |
| 37-6 | 73,0 | 100 | 89,5 | 150 | 295 | 9,8 | 139 | 168 |
Die in Tabelle II 3ii!°eführten Daten beziehen sich 2u!
Zinn-dotierte Indlumoxldbeschlchtungsn auf Glassubstraten,
bei denen der Abstand zwischen dem Substrat und der Plasmaaktivierungsquelle wie auch der Verdampfungsquelle
etwa 100 cm beträgt. Die Anf'angstemperatur TA des Substrats wird auf etwa 95° C angehoben.
Die Endtemperatur TE zeigt einen geringfügigen Anstieg aufgrund der Strahlung von der WiderstandsverdampfungsQueüe.
Eine Elektronenstrahlverdampfungsquelle
würde einen wesentlich höheren Anstieg der Substrattemperatur verursachen. Die Daten in Tabelle II
gelten für Oxidfilme, die eine Dicke von etwa 30 bis 40 nm haben, was im wesentlichen einer Beschichtungsstärke
entspricht, wie sie gewöhnlich bei optoelektronischen Anzeigen verwendet wird, beispielsweise bei
Flüssigkristallanzeigen.
| Tabelle II | T^ in 0C |
Tf in 0C |
in QlU | OAT bei 550 nm in % |
Absorption bei 550 nm in % |
|
Versuch
Nr. |
95
95 |
133
132 |
326
196 |
83
85.5 |
1 |
|
369
370 |
|||||
| Fortsetzung | T, | T/ | in β/Π | OAT bei | Absorption |
| Versuch | in 0C | in 0C | 245 | 550 nm in % | bei 550 nm in |
| Nr. | 95 | 138 | 211 | 85 | 1,5 |
| 372 | 95 | 130 | 263 | 86 | 1 |
| 373 | 95 | 126 | 383 | 86,5 | 1 |
| 374 | 95 | 132 | 230 | 87,5 | 0,5 |
| 375 | 95 | 129 | 262 | 86 | 0 |
| 377 | 95 | 130 | 286 | 86,5 | 0,5 |
| 379 | 95 | 120 | 190 | 84 | 1,5 |
| 380 | 95 | 127 | 85 | 1,5 | |
| 381 | |||||
Die in Tabelle III aufgeführten Daten gelten für Messun- Typ 424, Dicke 92 = 0,23 mm) abgeschieden sind. Die
gen, die an Zlnn-dotlerten Indiumoxidfilmen durchge- 2ü Daten In Tabelle III zeigen, daß insgesamt vergleichbare
führt sind, die gleichzeitig auf Glassubstraten und auf Ergebnisse für die Beschichtungen auf dem Glassubstrat
flexiblen Folien aus Polyethylenterephthalat PETP (ICI, und auf dem tlexiblen Kunststolfsubstrat erzielt werden.
| Tabelle | III | Ta in 0C |
Tt in 0C |
Dicke in nm |
Rv in PETP |
Ω/α auf Glas |
OAT bei in % auf PETP |
550 nm Glas |
| Versuch Nr. |
100 | 121 | 25 bis 33 | 285 | 326 | 83,5 | 83 | |
| 423 | 70 | 102 | 30 bis 35 | 292 | 280 | 82 | 83 | |
| 419 | 70 | 95 | 30 bis 35 | 262 | - | 82 | - | |
| 420 | 120 | 135 | 30 bis 35 | 436 | 200 | 84 | 87 | |
| 428 | 70 | 121 | 150 | 65 | 69 | 79 | 78 | |
| 416 |
Die in den Tabellen II und III gezeigten Daten zeigen, daß das Verfahren und die Vorrichtung in Verbindung
mit einer Beschlchtungsanlage mit Fördereinrichtung verwendet werden können, um eine automatische
Beschichtung von Glassubstraten zu erreichen. Die hergestellten transparenten leitenden Elektrodenfilme haben
optische und elektrische Eigenschaften, die mit denen vergleichbar sind, welche in einer Chargenbeschichtungsanlage
hergestellt werden.
Die aktivierte Reaktionsverdampfung von Indium allein wird zur Bildung einer Indiumoxidbeschichtung
auf einem Glassubstrat verwendet. Es wird eine Indiumoxidbeschichtung von etwa 40 nm Dicke bei einer
Anfangstemperatur des Substrats von 108° C und einer Endtemperatur von etwa 1200C abgeschieden. Die bei
550 nm gemessene Gesamtdurchlässigkeit beträgt 85%, der Bahnwiderstand 250 Ω/α. Bei einem zweiten Versuch
wird eine Beschichtung mit einer Dicke von 35 nm bei einem Prozeß erreicht, der bei einer Substrattemperatur von etwa 107° C beginnt und bei einer Substrattemperatur von etwa 115° C endet. Die gesamte optische
Durchlässigkeit bei 550 nm für diesen Film beträgt etwa 8796, der Schichtwiderstand etwa 200 Ω/α. Die aktivierte
Reaktionsverdampfung von Zinn allein zur Bildung eines Zinnoxidüberzugs auf einem Glassubstrat ergibt eine
Beschichtung mit etwa 30 nm Dicke bei einer Substratanlangstemperatur von 140° C, die auf etwa 155" C am
Ende der Verdampfung ansteigt. Die Gesamtdurchlässigkeit des Zinnoxidfilms bei 550 nm beträgt etwa 84V der
Schichtwiderstand liegt bei etwa 10 M£2/D. Obwohl dieser
Schichtwiderstand für eine Verwendung in optoelektronlschen Anzeigeeinrichtungen zu hoch 1st, kann er in
Statikentladungssteuereinrichtungen verwendet werden, welche keinen niedrigen Widerstand erfordern. Da die
Kosten von Zinn etwa 1% der Kosten von Indium betragen, können Zlnnoxldbeschichtungen besonders günstig
für Statikentladungseinrichtungen sein, welche Walzenbeschichtungsverfahren
auf flexiblen Polymersubstraten, wie Polyäthylenterephthalat, verwenden. Wenn ein etwa
niedrigerer Schichtwiderstand benötigt wird, kann die Zlnnoxldbeschlchtung in größerer Dicke ausgebildet werden. Zwar verringert dies die Gesamtlichtdurchlässigkeit,
der Schichtwiderstand wird jedoch wesentlich reduziert.
oder für die Herstellung anderer hochwertiger Oxldbe-
Schichtungen verwendbar, wie z. B. für dünne Filme aus
Slltzlumdioxid, Titandioxid und Vanadinoxid.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (11)
1. Vorrichtung zum reaktiven Abscheiden einer Oxidschicht auf einem Substrat, mit einer Vakuumkammer
(10), einer Plasmaaktivierungsquelle (16), die an der Vakuumkammer angebracht ist und einen
Behälter aus isolierendem Material enthalt, der eine
im wesentlichen geschlossene Plasmakammer bildet, die mit dem Inneren der Vakuumkammer verbunden
ist und die von zu aktivierendem Sauerstoff durchströmt wird und von einer an einer HF-Spannungsquelle
angeschlossenen Spulenanordnung umschlossen wird, dadurch gekennzeichnet, daß die HF-Spannungsquelle
die Plasmakammer mit HF-Energie versorgt, mit einem Pegel, der ausreicht inn ein sich
selbst erhaltendes Sauerstoffplasmi zu erzeugen ohne
dabei Material von Wänden (17) der Plasmakammer zu verdampfen, und daß in der Vakuumkammer (10)
eine Verdampfung eines ausgewählten Materials vorgesehen ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das Isoliermaterial, aus dem die Innenwandung der Plasmakammer (17) besteht, geschmolzenes
Siliziumdioxid ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Innenwandung der Plasrnakammer
(17) ein hohles, insgesamt zylindrisches Element (26) mit einem im wesentlichen geschlossenen
Boden (27) und einer öffnung (28) für die Zuführung von Sauerstoff Ins Innere des zylindrischen Elementes
(26) bildet, und eine Im wesentlichen offene Oberseite aufweist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine Substratheizung (14) und
eine Einrichtung (UA) zum Steuern der Substratheizung (14) vorgesehen sind.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß sich in dem Tiegel (15ß)
der Verdampfungsquelle (15) Indium, Zinn, oder eine Mischung von Indium und Zinn, befindet.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß sich in dem Tiegel (15ß)
der Verdampfungsquelle (15) Indiumoxid, Zinnoxid, oder eine Mischung von Zinnoxid und Indiumoxid
befindet.
7. Verfahren zum reaktiven Abscheiden einer Oxidbeschlchtung aul einem Substrat in einem Vakuumabscheidungssystem,
welches eine Vakuumkammer (10) und eine Verdamplungsquelle (15) aufweist,
weiche in der Kammer angeordnet ist, unter Verwendung der Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß dem Hohlraum ein kontinuierlicher Sauerstoffstrom mit einer gewählten Strömungsgeschwindigkeit
zugeführt wird, so daß zwar keine Verdampfung des Materials von den Wänden der Plasmakammer erfolgt, jedoch ein Selbstzünden des
Sauerstoffplasmas In dem Hohlraum gewährleistet Ist,
daß das Substrat In der Vakuumkammer auf dem Weg der aktivierten Sauerstoffmoleküle angeordnet
wird und ein ausgewähltes Material von der Verdampfungsquelle aus aufgedampft wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß unter Verwendung einer Plasmakammer aus geschmolzenem Siliziumdioxid auf das Substrat
Indium, Zinn oder eine Mischung von Indium und Zinn aufgedampft werden.
9. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß unter Verwendung einer Plasmakammer aus geschmolzenem Siliziumdioxid auf das Substrat
Indiumoxid, Zinnoxid oder eine Mischung von Zinnoxid und Indiumoxid aufgedamplt werden.
10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß auf Glassubstrate, die auf eine
Anfangstemperatur von etwa 1000C erhitzt werden, ein mit Zinn dotierter Indiumoxidfilm mit einer Dicke
von etwa 30 nm aufgedampft wird.
11. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß als Substrat Kunststoff, der während des Verdampfens auf einer Temperatur von unter 1250C
gehalten wird, ausgewählt wird.
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