DE3122771A1 - "verfahren zur herstellung von sonnenzellen" - Google Patents
"verfahren zur herstellung von sonnenzellen"Info
- Publication number
- DE3122771A1 DE3122771A1 DE19813122771 DE3122771A DE3122771A1 DE 3122771 A1 DE3122771 A1 DE 3122771A1 DE 19813122771 DE19813122771 DE 19813122771 DE 3122771 A DE3122771 A DE 3122771A DE 3122771 A1 DE3122771 A1 DE 3122771A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- glass layer
- main surface
- semiconductor wafer
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 20
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 19
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 16
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001553 barium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Description
·" ·— ·-, π -7 Λ
PHF 80546 >" 29.3.1981
Verfahren zur Herstellung von Sonnenzellen.
Die Erfindung bezieht sich, auf ein Verfahren zur Herstellung einer Sonnenzelle mit einer Halbleiterscheibe,
die ein Gebiet von einem ersten Leitungstyp enthält, und die auf der für Strahlungseinfall bestimmten Vorderseite
eine erste Hauptoberfläche md auf der Hinterseite eine
zweite Hauptoberfläche mit einer an die erste Hauptoberfläche grenzenden ersten Oberflächenschicht vom zweiten'
Leitungstyp, die mit dem genannten Gebiet den wirksamen pn-Ubergang der Sonnenzelle bildet, und einer an die zweite
^ Hauptoberfläche grenzenden zweiten Oberflächenschicht vom
ersten Leitungstyp mit einer die des genannten Gebietes überschreitenden Dotierungskonzentration aufweist, wobei zur
Bildung der zweiten Oberflächenschicht auf der zweiten Haup1>oberfläche
nacheinander eine erste einen den ersten Leitungstyp bestimmenden Dotierungsstoff enthaltende Glasschicht
und darauf eine zweite undotierte Glasschicht angebracht
werden.
Ein derartiges Verfahren ist aus der französischen
Patentanmeldung Nr. 2424635 bekannt.
Es ist bekannt, dass durch das Vorhandensein einer
hochdotierten Schicht auf der Hinterfläche einer Scheibe einer Sonnenzelle, wobei diese Schicht den fj1.oich.en Leitunfjs—
typ wie das Ausgangsmaterial dor genannten Scheibe aufweist, eine erhebliche Verbesserung der Wirkung dieser Zelle
erhalten werden kann.
Die Bildung der genannten hochdotierten Schicht ergibt jedoch dagegen die Nachteile, dass der Vorgang zur
Herstellung der Zelle verwickelt wird, einerseits durch die Bearbeitung selber der genannten Schicht und andererseits
dadurch, dass es erforderlich ist, die Scheibe über ihre Dicke, mit anderen Wo rl-on, auf dor Sr« i fcenfl ä<*1io, χ\ι
reinigen, um jede Gefahr eines elektrischen Leckstrorns
zwischen den beiden auf der Vorder- sowie auf der Hinterfläche der genannten Scheibe erzeugten Schichten entgegen-
fs
PHF. 805^6 Z n . 28.3.1981.
gesetzter Leitungstypen zu beseitigen.
Ein bekanntes Verfahren zur Reinigung der Seitenfläche einer Halbleiterscheibe besteht darin, dass eine
Plasmaätzung durchgeführt wird. Ein Anwendungsbeispiel dieser Technik bei einer Scheibe einer Sonnenzelle ist
in der genannten französischen Patentanmeldung Nr. 2424635
beschrieben. Nach diesem Beispiel werden die Scheiben oder "Platten", die einen parasitären pn-Ubergang auf ihrer
Seitenfläche aufweisen, aufeinander gestapelt und in den Behandlungsraum eines Kohlenstofffluoridplasmareaktors
eingeführt, in dem sie während einiger Minuten verweilen.
Eine derartige Behandlung macht, obwohl sie verhältnismässig kurz dauert, eine genaue Ausführung notwendig
und ist eine aufwendige Bearbeitung, die das Verfahren zur Herstellung der Zelle erschwert und den Selbstkostenpreis
dieser Zelle erhöht. Es könnten andere ebenfalls bekannte mechanische oder mechanochemische Verfahren
angewandt werden, um dieselbe Bearbeitung durchzuführen. Ungeachtet des angewandten Verfahrens wäre bei diesem
Verfahren immer ein besonderer Bearbeitungszyklus erforderlich.
Die vorliegende Erfindung hat die Aufgabe, eine Verbesserung in der Herstellung einer Sonnenzelle anzugeben,
durch die vermieden werden kann, dass eine besondere Bearbeitung der Ränder der Scheibe durchgeführt werden muss.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass die sonst erforderliche Atzung der Seitenfläche der
Zelle am besten dadurch vermieden werden kann, dass dafür gesorgt wird, dass diese Fläche nicht durch parasitäre
Übergänge "verunreinigt" ist.
Nach der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Sonnenzelle der in der Einleitung der vorliegenden
Anmeldung beschriebenen Art dadurch gekennzeichnet, dass die erste Glasschicht auf Abstand von dem Rand
der Halbleiterscheibe angebracht wird, und dass die zweite
Glasschicht den nicht von der ersten Glasschicht bedeckten Rand der zweiten Hauptoberfläche und die Randfläche der
Halbleiterscheibe bedeckt.
PHF. 805^6 # O 28.3.1981.
Durch die Positionierung der ersten Glasschicht kann erreicht werden, dass der genannte Dotierungsstoff
vom ersten Leitungstyp die Seitenfläche.während der folgenden
Diffusionsbehandlung(en) nicht erreichen kann.
Andererseits bildet die aus der zweiten Schicht bestehende Maske aus nicht—dotiertem Glas eine Sperre für die Diffusion
über die Seitenfläche des für die Erzeugung der Oberflächenschicht
vom zweiten Leitungstyp verwendeten Dotierungsstoffes; dieser Dotierungsstoff kann die Seiten—
fläche nur durch innere Wanderung von der Vorderflache
her und nur über einen kleinen Teil der Dicke der Scheibe erreichen. Durch die beiden kombinierten Massnahmen nach
der Erfindung wird jede Wechselwirkung zwischen den diffun—
" dierten p- und n—leitenden Schichten an den Rändern der Scheibe vermieden. Eine folgende Ätzbehandlung der Seitenfläche
dieser Scheibe ist denn auch nicht notwendig und dadurch wird der Vorteil der Erfindung erhalten, dass eine
überdotierte Schicht auf der Seite der Hinterfläche der Zelle erzeugt werden kann, ohne dass dabei eine zusätzliche
Bearbeitung erforderlich ist.
Es ist günstig, wenn sich die erste Schicht nur bis zu einem Abstand zwischen 1 und 2 mm von dem Rande1 der
Scheibe erstreckt.
Nach einer ersten Ausführungsform einer Soiinenzelle,
bei der das Verfahren nach der Erfindung angewandt wird, wird die Oberflächenschicht vom zweiten Leitungstyp,
an deren Unterseite sich der Übergang befindet, auf übliche Weise durch Diffusion aus der Gasphase erhalten. In diesem
Falle werden also auf der Hinterfläche der Scheibe die genannte erste und die genannte zweite Schicht erzeugt;
dann wird diese Scheibe in einem Ofen angebracht, in dem gleichzeitig die Oberfläclicmschicht vom ersten Leitutigs —
typ durch Diffusion des in der ersten Schicht vorhandenen Dotierungsstoffes und die Oberflächenschicht vom zweiten
Leitungstyp durch Diffusion eines geeigneten in der Atmosphäre des Ofens vorhandenen Do tierungss fco ITe.s fsrzeufjt
werden.
Nach einer anderen Ausführungsform, .bei der
PHP. 8O1JZK) X fe 28.3.1981.
ebenfalls das Verfahren nach der Erfindung angewandt wird, werden die beiden Oberflächenschichten durch Diffusion von
Dotierungsstoffen, die in Schichten aus einem glasartigen
Werkstoff vorhanden sind, erzeugt. Der Herstellungsvorgang umfasst dann insbesondere die folgenden Schritte: Die
Bildung der genannten ersten und der genannten zweiten Schicht, dann die Bildung einer dritten Schicht auf der
Vorderfläche der Scheibe aus einem mindestens einen Do — tierungsstoff vom zweiten Leitungstyp enthaltenden glas —
artigen Werkstoff und anschliessend die Bildung einer
vierten Schicht auf der genannten dritten Schicht aus einem keinen DotierungHStoff enthaltenden glasartigen Werkstoff.
Danacli wird die Scheibe, die nacheinander die vier Schichten aufgenommen hat, einer einzigen Wärmediffusionsbehandlung
unterworfen, während deren gleichzeitig die η - und ρ -Oberflächenschichten erzeugt werden.
Eine Ausführungsform der Erfindung ist in der
Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
Figuren 1 bis 5 schematisch im Schnitt fünf Stufen der Herstellung einer Sonnenzelle unter Verwendung
des Verfahrens nach der Erfindung.
Die Zelle wird auf einer Scheibe 10 aus einem Halbleitermaterial von einem ersten Leitungstyp aufgebaut.
Im vorliegenden Beispiel wird davon ausgegangen, dass die
Scheibe 10 aus Silicium besteht und anfänglich über ihre ganze Dicke p-dotiert ist.
In einer ersten Stufe des Bearbeitungsvorgangs, die der Herstellungsstufe nach der Erfindung entspricht,
wird die auf geeignete Weise in bezug auf die üblichen Oberflächenbehandlungen vorbereitete und auf einer Plattform
11 angebrachte Scheibe 10 mit einer Deckschicht 12 versehen, die von Hand oder auf mechanischem Wege angebracht
wird. Diese Deckschicht 12, die ebenfalls auf der Plattform 11 ruht, bedeckt genau entlang des Randes der
Scheibe 10 einen Randteil 100 der Fläche 101 (Hinterfläche)
der genannten Scheibe; sie bedeckt ausserdem die Seiten-I'litclie
10.2 clLu.ser Sehe ihn.
PHF. 805^6 Sr ~\ 28.3-1981.
Auf dem unbedeckten Teil der Fläche 101 wird
eine pyrolytische Siliciumoxidschicht bei niedriger Temperatur
erzeugt. Diese Schicht (die erste Schicht 1) wird durch eine dem Fachmann bekannte Technik erhalten, wobei
die Scheibe 10 zwischen 420 und h^Q C erhitzt wird in
einem Gasstrom aus Silan (SiH.) und Sauerstoff, mit erforderlichenfalls
als Zusatz einem Dotierungsstoff (oder
einer einen derartigen Dotierungsstoff enthaltenden gasförmigen
Zusammensetzung). Im Falle der Schicht 1 wird
-[Q zweckmässigerweise ein Dotierungsstoff vom ersten Leitungstyp,
z.B. Borhydrid (B_H^), verwendet. Die Dicke
der Schicht 1 liegt zwischen 0,2 und 0,5 /um. Die Scheibe 10, deren Fläche 101 mit der Schicht 1 versehen ist, ist
in Fig. 1 dargestellt.
Der zweite Verfahrensschritt besteht darin, dass
nach Entfernung der Deckschicht 12 eine zweite pyrolytische Schicht 2 aus Siliciumoxid ohne Dotierungsstoff unter Verwendung
der obenbeschriebenen Technik erzeugt wird. Diese Schicht 2 bedeckt nach der Erfindung ausser der Schicht
die Randfläche 100, die nicht von der ersten Schicht 1 bedeckt ist, sowie die Seitenfläche 102 der Scheibe 10;
ihre Dicke liegt zwischen 0,3 und 1 mm. Die Scheibe in dieser Stufe der Herstellung der Zelle ist in Fig. 2
dargestellt.
Der folgende VerJ'ahrensschritt besteht, wie aus Fig. 3 ersichtlich ist, darin, dass die Scheibe 10 wieder
auf der Plattform 11 angebracht wird, damit die Vorderfläche 103 sichtbar wird, auf der eine Schicht 3» und
zwar die dritte pyrolytische Siliciumoxidschicht, erzeugt wird, die nun mit Phosphorhydrid (PH ) dotiert wird. Diese
Schicht erstreckt sich über die ganze Fläche 103 und reicht bis- an die zweite Schicht 2, was nicht wesentlich
ist. Ihre Dicke ließt zwischen 0, 2 und 0, r>
,um.
Die Schicht 3 wird da.1111 mit einer Schicht; Ί, und
zwar der vierten pyrolytischen Siliciumoxidschicht, überzogen, die sich bis an den Rand der Schicht 2 erstreckt
und gar keinen Dotierungsstoff enthält, wobei die Dicke
dieser Schicht k zwischen 0,3 und 1 /um eingestellt ist.
3/Ϊ *~\ -*"*. Γ" f7
i J-L ι I
PHF. 805^6 >
g 28.3.1981.
Die mit den vier Glasschichten versehene Scheibe nach
einer der zwei Ausführungsformen des Verfahrens nach der
Erfindung ist in Fig* k dargestellt.
Die so vorbereitete Scheibe wird einer Wärmebehandlung
bei einer Temperatur zwischen 85Ο und 950 C
während 30 bis 90 Minuten unterworfen, während deren das
Bor der ersten Schicht und der Phosphor der dritten Schicht zugleich in das Silicium eindiffundieren. Auf diese Weise
wird einerseits die Oberflächenschicht I3 vom η -Leitungstyp
auf der Seite der Vorderfläche I03 erzeugt, wobei an
der Unterseite■dieser Schicht 13 sich der pn-übergang 14
befindet, während andererseits die Oberflächenschicht I5
auf der Seite der Hinterfläche 101 erzeugt wird, wobei diese Schicht den ρ —Leitungstyp aufweist und sich auf
Abstand von dem Rand der Scheibe befindet.
Nach Beendigung der Diffusionsbehandlung werden die Schichten 1,2,3 und h durch Eintauchen in eine
Flusssäurelösung (FE) gelöst.
Nun ist die Scheibe erhalten, wie sie in Fig.
dargestellt ist, aus der ersichtlich ist, dass, weil die Seitenfläche 102 durch die aus reinem pyrolytischen
Siliciumoxid bestehende Schicht 2 geschützt ist, von ihrer Oberfläche her gar keine parasitäre Diffusion auftreten
konnte, übrigens wird, um jede Gefahr einer Wechselwirkung
zwischen den Schichten I3 und 15 in der Nähe der Fläche
102 zu verhindern und so zu vermeiden, dass die genannte Fläche einer Atzbehandlung unterworfen werden muss, vor—
teilhafterwei.se sichergestellt, dass die Breite der Randfläche
100 (siehe Fig. i) zwischen 1 und 2 mm liegt; bei dieser Breite wird die Tiefe der seitlichen Diffusion des
p-Dotierungsstoffes berücksichtigt.
Ausgehend von einer Scheibe nach Fig. 5> kann die Herstellung der Zelle bekanntlich insbesondere durch
die Anbringung der Kontaktflächen und einer Antireflexschicht
fortgesetzt werden.
Nach einer anderen bevorzugten Ausführungsform
des Verfahrens gemäss der Erfindung wird, nachdem die Struktur nach Fig. 2 erhalten ist, die Halbleiterscheibe
PHF. 805^6 J? 9 28.3.1981.
mit den Glasschichten 1 und 2 und der freiliegenden ersten Hauptoberfläche 103 in einem Gas erhitzt, das einen Dotierungsstoff
vom zweiten Leitungstyp, in dieser Ausführungsform, z.B. eine Bariumverbindung, enthält. Dabei
werden auch durch Diffusion gleichzeitig die erste Oberflächenschicht
13 und die zweite Oberflächenschicht I5 erzeugt.
Es dürfte einleuchten, dass das Verfahren nach der Erfindung, das in der obenbeschriebenen Ausführungsform
bei einer anfänglich den p-Leitungstyp aufweisenden Scheibe verwendet wird, ohne Abänderung, ausgenommen der
Reihenfolge der dotierten Schichten, auch bei der Behandlung einer anfänglich den n-Leitungstyp aufweisenden
Scheibe angewandt werden kann.
-40-
Leerseite
Claims (4)
- PHF 80546 *" ~φ ' "' 29-3.1981PATENTANSPRÜCHE:Verfahren zur Herstellung einer Sonnenzelle mit ^einer Halbleiterscheibe, die ein Gebiet vom ersten Leitungstyp enthält und die auf der für Strahlungseinfall bestimmten Vorderseite eine erste Hauptoberfläche und auf der Hinterseite eine zweite Hauptoberfläche mit einer an die erste Hauptoberfläche grenzenden ersten Oberflächenschicht vom zweiten Leitungstyp, die mit dem genannten Gebiet den wirksamen pn-übergang der Sonnenzelle bildet, und einer an die zweite Hauptoberflache grenzenden zweiten Oberflächenschicht vom ersten Leitungstyp mit einer die des genannten Gebietes überschreitenden Dotierungskonzentration aufweist, wobei zur Bildung der zweiten Oberflächenschicht auf der zweiten Hauptoberfläche nacheinander eine erste einen den ersten Leitungstyp bestimmenden Dotierungsstoff enthaltende Glasschicht und darauf eine zweite undotierte Glasschicht angebracht werden, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Glasschichfcauf Abstand von dem Rand der Halbleiterscheibe angebracht wird, und dass die zweite Glasschicht den nicht von der ersten Glasschicht bedeckten Rand der zweiten Hauptoberfläche und die Randfläche der Halbleiterscheibe bedeckt.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die genannten Oberflächenschichten durch Diffusion erhalten werden, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Anbringen der ersten und der zweiten Glasschicht die Halbleiterscheibe erhitzt wird, wobei gleichzeitig durch Diffusion aus der Gasphase in der ersten Hauptoberfläche die erste Oberflächenschicht und durch Diffusion von der ersten Glasschicht her die zweite Oberflächenschicht erzeugt werden.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich-net, dass nach dem Anbringen der ersten und der zweiten Glasschicht nacheinander auf wenigstens der ganzen ersten Hauptoberfläche eine dritte einen den zweiten Leitungstyp bestimmenden Dotierungsstoff enthaltende Glasschicht undPHF. 80546 X «) 28.3. 1981.auf wenigstens der dritten Glasschicht eine vierte undo-I-ie rl. ο O La.sscli i.cht orzotifft worden, wonach gleichzeitig (JIu Uo L i .or u η/.? a .s Lol'l'e eindiiTundiei't werden.
- 4. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sich die erste Giasschicht bis zu einem Abstand von mindestens 1 mm und höchstens 2 mm von dem Rande der Halbleiterscheibe erstreckt.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8013321A FR2484709A1 (fr) | 1980-06-16 | 1980-06-16 | Perfectionnement a la realisation d'une cellule solaire en vue de neutraliser les risques de mauvais isolement a l'endroit des bords |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3122771A1 true DE3122771A1 (de) | 1982-05-06 |
Family
ID=9243131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19813122771 Ceased DE3122771A1 (de) | 1980-06-16 | 1981-06-09 | "verfahren zur herstellung von sonnenzellen" |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4377901A (de) |
| JP (1) | JPS5727076A (de) |
| CA (1) | CA1176739A (de) |
| DE (1) | DE3122771A1 (de) |
| FR (1) | FR2484709A1 (de) |
| GB (1) | GB2077996B (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4202455C1 (de) * | 1992-01-29 | 1993-08-19 | Siemens Ag, 8000 Muenchen, De |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3340874A1 (de) * | 1983-11-11 | 1985-05-23 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Verfahren zum herstellen einer solarzelle |
| IT1272665B (it) * | 1993-09-23 | 1997-06-26 | Eurosolare Spa | Procedimento per la preparazione di moduli fotovoltaici a base di silicio cristallino |
| JP3722326B2 (ja) * | 1996-12-20 | 2005-11-30 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| US6552414B1 (en) * | 1996-12-24 | 2003-04-22 | Imec Vzw | Semiconductor device with selectively diffused regions |
| AUPP437598A0 (en) * | 1998-06-29 | 1998-07-23 | Unisearch Limited | A self aligning method for forming a selective emitter and metallization in a solar cell |
| US7790574B2 (en) | 2004-12-20 | 2010-09-07 | Georgia Tech Research Corporation | Boron diffusion in silicon devices |
| DE602006002249D1 (de) * | 2006-04-04 | 2008-09-25 | Solarworld Ind Deutschland Gmb | Verfahren zur Dotierung mit Hilfe von Diffusion, Oberflächenoxidation und Rückätzung sowie Verfahren zur Herstellung von Solarzellen |
| NL2003511C2 (en) * | 2009-09-18 | 2011-03-22 | Solar Cell Company Holding B V | Method for fabricating a photovoltaic cell and a photovoltaic cell obtained using such a method. |
| FR2959351B1 (fr) * | 2010-04-26 | 2013-11-08 | Photowatt Int | Procede de preparation d’une structure de type n+pp+ ou de type p+nn+ sur plaques de silicium |
| CN101882651A (zh) * | 2010-07-16 | 2010-11-10 | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 | 一种掩膜阻挡边缘扩散的太阳能电池制作工艺 |
| CN102487106A (zh) * | 2010-12-02 | 2012-06-06 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 晶体硅太阳能电池及其制造方法 |
| CN102263159A (zh) * | 2011-05-31 | 2011-11-30 | 江阴鑫辉太阳能有限公司 | 一种利用硼磷共扩散制备n型太阳电池的工艺 |
| CN104157740B (zh) * | 2014-09-03 | 2017-02-08 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种n型双面太阳能电池的制备方法 |
| CN104538485A (zh) * | 2014-11-06 | 2015-04-22 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种双面电池的制备方法 |
| CN107425091A (zh) * | 2016-05-24 | 2017-12-01 | 上海凯世通半导体股份有限公司 | 双面电池的掺杂方法 |
| CN107425092A (zh) * | 2016-05-24 | 2017-12-01 | 上海凯世通半导体股份有限公司 | 双面电池的掺杂方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3958262A (en) * | 1971-03-09 | 1976-05-18 | Innotech Corporation | Electrostatic image reproducing element employing an insulating ion impermeable glass |
| US4158591A (en) * | 1978-04-24 | 1979-06-19 | Atlantic Richfield Company | Solar cell manufacture |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5363993A (en) * | 1976-11-19 | 1978-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of semiconductor device |
| US4104091A (en) * | 1977-05-20 | 1978-08-01 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Application of semiconductor diffusants to solar cells by screen printing |
| US4141811A (en) * | 1978-04-24 | 1979-02-27 | Atlantic Richfield Company | Plasma etching process for the manufacture of solar cells |
| US4199377A (en) * | 1979-02-28 | 1980-04-22 | The Boeing Company | Solar cell |
-
1980
- 1980-06-16 FR FR8013321A patent/FR2484709A1/fr active Granted
-
1981
- 1981-05-29 US US06/268,454 patent/US4377901A/en not_active Expired - Fee Related
- 1981-06-09 DE DE19813122771 patent/DE3122771A1/de not_active Ceased
- 1981-06-11 CA CA000379586A patent/CA1176739A/en not_active Expired
- 1981-06-12 GB GB8118082A patent/GB2077996B/en not_active Expired
- 1981-06-15 JP JP9100981A patent/JPS5727076A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3958262A (en) * | 1971-03-09 | 1976-05-18 | Innotech Corporation | Electrostatic image reproducing element employing an insulating ion impermeable glass |
| US4158591A (en) * | 1978-04-24 | 1979-06-19 | Atlantic Richfield Company | Solar cell manufacture |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| J. Electrochem. Soc. Bd. 112, No. 8(1975) S. 1092-1103 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4202455C1 (de) * | 1992-01-29 | 1993-08-19 | Siemens Ag, 8000 Muenchen, De | |
| US5306647A (en) * | 1992-01-29 | 1994-04-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for manufacturing a solar cell from a substrate wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2077996B (en) | 1984-03-14 |
| JPS5727076A (en) | 1982-02-13 |
| FR2484709B1 (de) | 1982-07-16 |
| US4377901A (en) | 1983-03-29 |
| CA1176739A (en) | 1984-10-23 |
| GB2077996A (en) | 1981-12-23 |
| FR2484709A1 (fr) | 1981-12-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0813753B1 (de) | Solarzelle mit back-surface-field und verfahren zur herstellung | |
| DE3122771A1 (de) | "verfahren zur herstellung von sonnenzellen" | |
| DE2752439C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Silicium-Halbleiteranordnung durch Ionenimplantation | |
| DE102004049160B4 (de) | Silicium-Solarzelle mit gitterförmigen Elektroden auf beiden Seiten des Siliciumsubstrats und Herstellverfahren für diese Silicium-Solarzelle | |
| DE2628087C2 (de) | ||
| DE2650511C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
| DE2618445C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines bipolaren Transistors | |
| DE3490007T1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Solarzellen | |
| DE19634617B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Siliziumsolarzelle mit verringerter Rekombination nahe der Solarzellenoberfläche | |
| DE2823967C2 (de) | ||
| DE2755500A1 (de) | Solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung | |
| DE2917564A1 (de) | Verfahren zum herstellen von solarzellen und dadurch hergestellte gegenstaende | |
| CH615781A5 (de) | ||
| DE2728985A1 (de) | Halbleiterbauelemente mit minimaler anzahl von kristallgitterstoerungsgaengen | |
| DE2917455A1 (de) | Verfahren zur vollstaendigen ausheilung von gitterdefekten in durch ionenimplantation von phosphor erzeugten n-leitenden zonen einer siliciumhalbleitervorrichtung und zugehoerige siliciumhalbleitervorrichtung | |
| DE3208259C2 (de) | ||
| EP0142114B1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle | |
| DE2718449C2 (de) | ||
| DE2103468C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
| DE2926334C2 (de) | ||
| DE2640981A1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen unter verwendung einer schutzschicht aus oxid | |
| DE2643016A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines integrierten halbleiterkreises | |
| DE1589899A1 (de) | Halbleiteranordnung mit isolierender Oberflaechenschicht auf einem Halbleitersubstrat und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| EP0003330B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von hochintegrierten Halbleiteranordnungen mit aneinandergrenzenden, hochdotierten Halbleiterzonen entgegengesetzten Leitungstyps | |
| DE2162219A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistors |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| 8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: KUNZE, K., DIPL.-ING. DR.-ING., PAT.-ASS., 2000 HA |
|
| 8131 | Rejection |