DE3000526A1 - Bad zur stromlosen abscheidung von palladium, autokatalytisches palladium- abscheidungsverfahren und palladium-legierung - Google Patents
Bad zur stromlosen abscheidung von palladium, autokatalytisches palladium- abscheidungsverfahren und palladium-legierungInfo
- Publication number
- DE3000526A1 DE3000526A1 DE19803000526 DE3000526A DE3000526A1 DE 3000526 A1 DE3000526 A1 DE 3000526A1 DE 19803000526 DE19803000526 DE 19803000526 DE 3000526 A DE3000526 A DE 3000526A DE 3000526 A1 DE3000526 A1 DE 3000526A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- palladium
- bath
- bath according
- mol
- ammonia
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical group [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 93
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 title claims description 44
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 21
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 31
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 23
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 claims description 13
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 12
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims description 9
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 8
- WVMHLYQJPRXKLC-UHFFFAOYSA-N borane;n,n-dimethylmethanamine Chemical group B.CN(C)C WVMHLYQJPRXKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Chemical class 0.000 claims description 5
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 2
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-M bromate Chemical class [O-]Br(=O)=O SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 150000002171 ethylene diamines Chemical class 0.000 claims description 2
- ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-N iodic acid Chemical class OI(=O)=O ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 claims description 2
- YODZTKMDCQEPHD-UHFFFAOYSA-N thiodiglycol Chemical compound OCCSCCO YODZTKMDCQEPHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NDVLTZFQVDXFAN-UHFFFAOYSA-N 3-(2-cyanoethylsulfanyl)propanenitrile Chemical compound N#CCCSCCC#N NDVLTZFQVDXFAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical compound C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- -1 hypophosphite ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 150000002940 palladium Chemical class 0.000 description 3
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVVXZOOGOGPDRZ-SLFFLAALSA-N [(1R,4aS,10aR)-1,4a-dimethyl-7-propan-2-yl-2,3,4,9,10,10a-hexahydrophenanthren-1-yl]methanamine Chemical compound NC[C@]1(C)CCC[C@]2(C)C3=CC=C(C(C)C)C=C3CC[C@H]21 JVVXZOOGOGPDRZ-SLFFLAALSA-N 0.000 description 2
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000009954 braiding Methods 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M phosphinate Chemical compound [O-][PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002574 poison Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- RHUYHJGZWVXEHW-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dimethyhydrazine Chemical compound CN(C)N RHUYHJGZWVXEHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBAJRGRUGUQKAF-UHFFFAOYSA-N 3-(2-cyanoethylamino)propanenitrile Chemical compound N#CCCNCCC#N SBAJRGRUGUQKAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBAZINRZQSAIAY-UHFFFAOYSA-N 4-aminobenzonitrile Chemical compound NC1=CC=C(C#N)C=C1 YBAZINRZQSAIAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OESNBVMBLLARPP-UHFFFAOYSA-N B.CN1CCOCC1 Chemical compound B.CN1CCOCC1 OESNBVMBLLARPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- MNOILHPDHOHILI-UHFFFAOYSA-N Tetramethylthiourea Chemical compound CN(C)C(=S)N(C)C MNOILHPDHOHILI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M Thiocyanate anion Chemical compound [S-]C#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PEVFLMOPITULJD-UHFFFAOYSA-N [P].[Au].[Ni] Chemical compound [P].[Au].[Ni] PEVFLMOPITULJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003287 bathing Methods 0.000 description 1
- FTDUHBOCJSQEKS-UHFFFAOYSA-N borane;n-methylmethanamine Chemical class B.CNC FTDUHBOCJSQEKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEWFZHAHZPVQES-UHFFFAOYSA-N boron;n,n-diethylethanamine Chemical compound [B].CCN(CC)CC VEWFZHAHZPVQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N boron;n-methylmethanamine Chemical compound [B].CNC RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 125000004177 diethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N hydrogen thiocyanate Natural products SC#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- PMRYVIKBURPHAH-UHFFFAOYSA-N methimazole Chemical compound CN1C=CNC1=S PMRYVIKBURPHAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 150000002941 palladium compounds Chemical class 0.000 description 1
- DPBLXKKOBLCELK-UHFFFAOYSA-N pentan-1-amine Chemical compound CCCCCN DPBLXKKOBLCELK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000007096 poisonous effect Effects 0.000 description 1
- 230000001007 puffing effect Effects 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003585 thioureas Chemical class 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/42—Coating with noble metals
- C23C18/44—Coating with noble metals using reducing agents
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
HOEGER, STELLRECHT & PARTNER
PATENTANWÄLTE
UHLANOSTRASSE 14C-D 7000 STUTT6ART 1 ^ Π Π Π C 9
"Ks -*~f ν./ v-<
%■■ 4
A 43 918 u
U.S. Ser. No. 3351 21. Dezember 1979
15. Januar 1979 . Le C/sb
Mine Safety Appliances Company
Pittsburgh, Pennsylvania, V. St. A.
Bad zur stromlosen Abscheidung von Palladium, autok'atalytisches
Palladium-Abscheidungsverfahren und Palladium-Legierung
Die Erfindung betrifft die stromlose Abscheidung von Palladium einschliesslich von Palladium-Legierungen, insbesondere ein Bad
zur stromlosen Abscheidung von Palladium auf Basis einer wässrigen Lösung von zweiwertigem' Palladium,, einer Base, einem Stabilisator
und einem Reduktionsmittel, ein autokatalytisches Verfahren zum stromlosen Abscheiden von Palladium auf einem katalytisch
aktiven Träger sowie eine Plattierung aus Palladium-Legierung beziehungsweise eine plattierte Palladium-Legierung.
Eine stromlose Abscheidung ist pin Verfahren, in dem ein Metall
mittels autokatalytischer chemischer Reduktion aus einer Lösung, die Metallionen und ein Reduktionsmittel enthält, auf einer katalytischen
Fläche abgeschieden wird. Die stromlose Abscheidung von Palladium wurde beschrieben unter Verwendung von Hydrazin
als Reduktionsmittel in der U.S.P.S. 2 915 406, unter Verwendung
030029/0843
_^__ 3UU0526
won unsymmetrischem Dimethylhydrazin in der LJ.S.P.S. 3 274
sowie unter der Verwendung von Hypophosphit-Ionen in den U.S.P.S.
3 418 143 und 3 754 939. Diese Bäder haben jedoch keine wirtrschaftliche
Bedeutung erlangt, da sie sich zum Plattieren in der Praxis offensichtlich als nicht genügend stabil gezeigt haben.
Ziel der Erfindung ist ein Bad zum stromlosen Abscheiden uon Palladium, das diesen Nachteil nicht aufweist und ein autokatalytisches
Verfahren zum Abscheiden von Palladium sowie eine plattierte Palladium-Legierung uon aussergewöhnlicher Härte und
eine Schichtplattierung, in der eine Schicht der harten Palladium-Legierung fest an einer Schicht aus stromlos plattiertem
Nickel haftet. Weitere Ziele sind aus der folgenden Beschreibung und den Patentansprüchen ersichtlich.
Die gemäss der Erfindung vorgeschlagenen Bäder enthalten stabile
wässrige Lösungen uon
a) zwischen etwa 0,002 und 0,12 Γ'ΊοΙ/l zweiwertigem Palladium,
b) zwischen etwa 0,05 und 10 ΓΠοΙ/l einer Base, ausgewählt aus
Ammoniak, primären Alkylaminen mit bis zu fünf Kohlenstoffatomen, Äthanolamin, Äthylendiamin, N-methylierten Äthylendiaminen
oder Mischungen derselben,
c) zwischen etwa 0,005 bis 0,21 Mol/l eines tertiären Aminborans
als Reduktionsmittel.
Die Bäder haben die Tendenz, sich bei höheren Konzentrationen an Palladium und an Reduktionsmittel oder bei geringeren Basenkonzentrationen
^spontan zu zersetzen. Bei geringeren Konzentrationen an Palladium und an Reduktionsmittel sinkt die Plattierungsgeschwindigkeit
auf einen praktisch nicht mehr brauchbaren Wert, und bei einer höheren Basenkonzentration wird die
Plattierung unzureichend und neigt zum Blättern oder Flocken.
Als Lieferant für das zweiwertige Palladium kann im wesentlichen jedes Salz oder jede Komplexverbindung des zweiwertigen Palladiums
verwendet werden, wie zum Beispiel (NH , )„PdCl,, K^PdCl.,
PdCl2, PdBr2, Pd(N03)2, PdSO4^H2O, (NH3)^dCl2, (NH3) 2Pd(N03)
030029/0843
und Pd(NH,)-C12*H2O. Palladiumsalze, die Cyanid-, Thiocyanat-
oder andere für das Platüerungsverfahren giftige Anionen enthalten,
sollen vermieden werden. Der bevorzugte Bereich der. Konzentration an zweiwertigem Palladium, um einen günstigen
Ausgleich zwischen Stabilität und Platüerungsgeschuindigkeit
zu erzielen, reicht von O,C1 bis 0,03 Mol/l.
Das Bad enthält Ammoniak oder ein Amin, um den pH-Uiert einzustellen
und die Palladium-Verbindung zu stabilisieren oder einen in situ Komplex zu bilden. Ammoniak ist die als Komplexbildner
bevorzugt angewandte Base und wird vorzugsweise in einer Menge von etwa 0,3 bis 1,0 Mol Ammoniak/l verwendet. Der Ammoniak
kann gänzlich oder teilweise durch Amin ersetzt werden bis zu der Grenze, die durch die Löslichkeit des Amins gegeben ist.
Ein pH-Bereich von etwa 8 bis 15 ist geeignet, wobei ein pH-Wert von 10 bis 12 bevorzugt ist. Bei den geringeren pH-Ulerten zeigen
die Bäder eine gewisse Instabilität, während bei sehr hohen pH-üJerten die Platti-erungsgeschwindigkeiten sehr langsam werden.
Die gemäss der Erfindung als reduzierende Badkomponente angewandten
tertiären Aminborane müssen ausreichend löslich sein, um eine wirksame Konzentration zu gestatten, zweckmässig über
etwa 0,005 Mol/l. Bei Konzentrationen von üoer etwa 0,21 Mol/l vorausgesetzt, die Löslichkeit des Aminborans lässt solche Konzentrationen
überhaupt zu - werden die Bäder verhältnismässig instabil. Die bevorzugte Konzentration an Aminboran liegt bei
0,01 bis 0,0 7 Plol/1, wobei ein vorteilhafter Ausgleich
zwischen Plattierungsgeschwindigkeit und Badstabilität erzielt wird. Zu geeigneten Reduktionsmitteln gehören Trialkylaminborane,
R-R2R3NBH-7» worin R.., R2 und R-, Diethyl- oder Äthylgruppen bedeuten;
geradkettige, fflethoxy-substituierte Dimethylaminborane, CH3(OCH2CH2) N(CH3J2BH3, worin η eine ganze Zahl von 1 bis 4
bedeutet; und K-Alkyl-substituierte fflorpholinborane,
9/0843
3 O O η 5 2 6
worin R eine Alkylgruppe mit nicht mehr als drei Kohlenstoffatomen
ist.
Das Platiieren gemäss der Erfindung erfolgt durch Eintauchen
oder Kontaktieren eines katalytisch aktiven Trägers in das oder mit dem Bad. Es bildet sich eine glatte Palladium-Plattierung,
die schwarz, grau oder hell sein kann und geringe Mengen an Bor oder Wasserstoff enthalten kann, was von den Badkomponenten
und Plattierungsbedingungen abhängt. Bei Anwendung geradkettiger Methoxy-substituierter Dimethylaminborane wird die Platzierung
schwammig und kann als Katalysator verwendet werden. Die Plattierungsgeschwindigkeiten
liegen in der Grössenordnung von 12 mg/cm /h und sind temperaturabhängig von etwa 20° C bis
70° C.
Katalysatorgiftstabilisatoren, die eine spontane Zersetzung des
Bades verhindern, werden vorzugsweise bei Temperaturen über 45 C angewandt, können aber auch mit Vorteil bei geringeren
Temperaturen verwendet werden. Als geeignete Verbindungen zur Stabilisierung der Bäder haben sich thioorganische Verbindungen
erwiesen, wie zum Beispiel 2,2'-Thiodiäthanol oder 3,3-Thio-
dipropionitril; Mercaptane, wie zum Beispiel 2-Mercaptobenzothiazol
(MBT) oder 2-Mercapto-i-Methylimidazol; Iminonitrile,
wie zum Beispiel 3,31—Iminodipropionitril; organische Cyanide
wie 4-Aminobenzonitril; Salze von Cadmium, Quecksilber, Blei
oder Thallium; Thioharnstoffe wie zum Beispiel 1,1,3,3-Tetramethylthioharnstoff
und Alkalijodate oder -bromate. Es können auch andere Stabilisatoren für stromlose Bäder, wie sie dem
Fachmann bekannt sind, verwendet werden. Um wirksam zu sein, sind nur geringe Mengen erforderlich, im allgemeinen D - 100 mg/ί
Die bevorzugten Verbindungen 2-Mercaptobenzothiazol (MBT) und 3,3!-Thiodipropionitril 'erzielen hellere Placierungen sowie eine
Stabilisierung der Bäder.
Bei der Abscheidung aus den erfindungsgemässen Plaitierungsbädern,
insbesondere aus den bevorzugten Bädern, die PdCl-,
030029/0843
ORlGiNAL
Q Γ Π η r ; ο
oder Pd(NH,) aC^'H^O als Metallquelle und Trimethylaminboran als
Reduktionsmittel enthalten, wird eine helle Palladiumlegierung von ausserordentlicher Härte plattiert.Die Legierung enthält
etwa 1 - 3 % amorphes Bor und etwa 1 - 3 % kristallines
PdHn 7QC* der Rest ist amorphes Palladium. Beim Erhitzen auf
n 7Q
etwa 149° C (300° F) zersetzt sich die Palladium-üJasserstoff- .
Verbindung in kristallines Palladium. Das Palladium-liiasserstoff-Verhältnis
der kristallinen intermetallischen Palladium-Wasserstoff-Verbindungen
kann je nach der "Geschichte" (history) der jeweiligen Probe variieren. Amorph, wie es hier gebraucht wird,
bezeichnet ein strukturell nicht organisiertes und nicht kristallines Palladium oder Bor, soweit die Kristallinität durch
Röntgenstrahlenprüfung unter Verwendung von FeK«*. -Strahlen feststellbar
ist.
Die plattierte Palladium-Legierung bildet eine ausserordentlich
feste Bindung mit stromlos erhaltenem Nickel, eine Bindung, die fester ist als die Zugfestigkeit der Palladiumplattierung selbst.
Es gibt einen grossen technologischen Bereich für die stromlose Platüerung von Nickel auf eine grosse Vielzahl metallischer und
nichtmetallischer Träger, was bedeutet, dass die plattierte Palladium-Legierung dadurch, dass sie auf eine stromlos abgeschiedene
Nickelschicht aufgebracht wird, auf jeden Träger aufgebracht werden kann, der mit Nickel stromlos plattiert werden
kann. Dabei ist jedes stromlose Nickel beziehungsweise stromlos aufgebrachte Nickel geeignet, einschliesslich dem aus Hypophosphit-
oder Aminboran-Bädern erhaltenen Nickel.
Die Bäder können durch die Zugabe von Badkomponenten, entweder als solche oder in Lösung, regeneriert werden, wobei die gewünschte
Badzusammensetzung wiederhergestellt wird. Bevorzugte Bäder sind dreimal ohne Verlust der Platüerungsqualität oder
-geschwindigkeit regeneriert worden, wobei das verbrauchte Palladium vollständig ersetzt wurde. Diese Bäder sind bei 55° C
mehrere Tage stabil und unbegrenzt bei 45° C oder darunter. Es wurden Bäder bei Zimmertemperatur etwa ein Jahr ohne nennenswerte
Zersetzung gelagert.
030029/0843
300Π525
Im folgenden und in den Beispielen wird die Erfindung im einzelnen
beschrieben.
Die bevorzugte Weise zur Herstellung der Bäder besteht darin, eine Lösung mit dem Palladiumsalz und Ammoniak oder Amin und
eine zweite Lösung des Aminborans in UJasser anzusetzen und dann
die Lösungen zu v/ermischen. Stabilisatoren können jeder der Lösungen
zugegeben werden. Dass Bäder auf verschiedene Weise hergestellt werden können, ist an sich bekannt. Zur Herstellung
der Bäder der folgenden Beispiele wird das Palladiumsalz in einen Becher gegeben und destilliertes, entionisiertes UJasser
zugesetzt. Nach Zugabe einer gleichen Volummenge konzentrierter Ammoniaklösung wird die Mischung bis zur vollständigen Lösung
gerührt. Manchmal ist zur Erzielung der Lösung ein gelindes Erwärmen notwendig. In diesem Stadium werden die Katalysatorgiftstabilisatoren,
falls sie verwendet werden, zugegeben. Dann wird die Lösung mit Wasser bis zur Hälfte des Volumens des Plattierungsbades
verdünnt. Das als Reduktionsmittel verwendete Aminboran wird in einer Volummenge Wasser gelöst, die der Hälfte
des Volumens des Plattierungsbades gleich ist. Die beiden Lösungen
werden miteinander vermischt. Zur Beseitigung der Trübung, wie sie durch Staub oder unlösliche Verunreinigungen hervorgerufen
werden kann, wird das Bad durch ein Papier mittlerer Porösität (Whatman 2V) filtriert.
Die Vorbereitung des Trägers hängt von der Art desselben ab. Es sind eine ganze'Reihe von Sensibilisierungsweisen bekannt. Stromlos
abgeschiedenes Palladium, Nickel oder Gold benötigen keine andere Präparierung als Entfetten, was die Anfangsstufe bei der
Vorbereitung jedes Trägers ist. Nickel und rostfreier Stahl können durch Behandlung mit konzentrierter Chlorwasserstoffsäure
zur Entfernung aller Gxidschichten, anschliessendes Eintauchen in verdünnte Palladiumdichloridlösung und schliesslich Eintauchen
in verdünnte Dimethylaminboranlösung vorbereitet werden. Kupfer wird zuerst mit verdünnter Salpetersäure und dann mit
Palladiumchloridlösung behandelt. Glas wird mechanisch abgerie-
0 3-0 029/0843
ben und dann mit SnCl^-Lösung behandelt. ABS-Kunststoff wird
eine halbe Stunde lang mit verdünnter Natronlauge behandelt, eine halbe Stunde mit Chromsäure und schliesslich in SnCl2-.
Lösung eingetaucht. Keramik iuird mit SnCl-,-Lösung behandelt.
Andere Träger können mittels entsprechender Sensibilisierung plattiert werden. Der Träger kann auch durch Plattierung oder Beschlagen
mit stromlosem Nickel (electroless nickel) sensibilisiert werden.
Gemäss dem oben beschriebenen Verfahren wurce ein Bad mit den im
folgenden angegebenen Bestandteilen und Konzentrationen hergestellt: Pd(l\!H3)4Cl2'H20, 3,75 g/l; NH3, 0,3 Mol/1; Trimethylaminboran
(TMAB), 3,0 g/l. Der pH ist etwa 11,4. Es wurde ein mit Palladiumchlorid sensibilisierter Nickelträger in das Bad
eingetaucht, das bei 50° C gehalten wurde, wobei die "Platfcierungsbeanspruchung
oder Platüerungsbelastung" (plating load) 61,5 cm /l war. Es wurde mit einer Platfcierungsgeschwindigkeit
von 3,6bis3,8 mg/cm /h eine hellgraue, glatte, haftende Plaiüerung
erhalten.
Es wurde ein Bad hergestellt wie in Beispiel 1, dessen Bestandteile
und Konzentrationen wie folgt waren: PdCl-, 4,00 g/l; NH3, 0,80 Mol/1; N-Methylrnorpholinboran, 1,00 g/l und MBT-Stabilisator,
30 mg/1. Der pH des Bades war etwa 11 und die Betriebstemperatur 45 C· Es wurde auf eine mit PdCl-, sensibilisierte
haftende ^
Nickelfolie eineVaurchscheinende Plaifcierung mit einer Geschwindigkeit
uon etwa 1,0 mg/cm /h abgeschieden.
Es wurd3 ein Bad hergestellt wie in Beispiel 1 mit folgenden Bestandteilen
und Konzentrationen: PdCl2, 4,05 g/l; NH3, 0,70
Mol/l und TMAB,2,56 g/l. Der pH war etwa 11, der Träger Kupferfolie
und die PlattLerungsbelastung oder zu plattierende Fläche/l
030029/0843
j υ ·ν ι b _'_ ο
80 cm /l. Bei einer Badtemperatur von 45° C wurde eine PlatfcLerungsgeschwindigkeit
uon 1,1bis1,3 mg/cm /h beobachtet. Die
Platüerung mar glatt, leicht grau und durchscheinend.
Es wurde ein Bad hergestellt ωΐε in Beispiel 1 mit folgenden
Bestandteilen: PdCl2, 2,00 g/l; NH3, 0,30 Plol/1; KOH, 32 g/l;
2-riethoxyäthyldimethylaminboran, 3,30 g/l und MBT, 30 mg/1. Der
pH war etwa 13,3, der Träger ein mit SnCl9 sensibilisiertes
2 Pyrex-Glasätück (slide), die Plattierungsbelastung 164 cm /1. Die
Badtemperatur wurde bei 25° C gehalten, wobei eine Platüerungsgeschiuindigkeit
von 3,1 bds3,3 mg/cm /h resultierte. Die chemische Analyse der schwarzen, schwammigen Palladiumplatüerung,
die sich leicht vom Glas abschälen Hess, zeigte einen Gehalt von 2,7 bis2,9 % Bor.
Es wurde ein Bad wie in Beispiel 1 mit den folgenden Bestandteilen
hergestellt: PdCl2, 4,1 g/l; NH3, 0,75 Mol/l; TMAB,
2,62 g/l und 2,2!-Thiodiäthanol-Stabilisator, 3,23 mg/1. Der
pH des Bades war etwa 11,6, die Badtemperatur 50° C, die Plattierungsgeschwindigkeit
3,7bis 3,9 mg/cm /h. Es wurde auf eine Nickelfolie eine dunkelgraue, haftende Palladiumplattierung abgeschieden.
Die Plattierungsbelastung war 91,7 cm /1.
Es wurde ein Bad hergestellt wie in Beispiel 1 mit den folgenden Bestandteilen: PdCl2, 3,0 g/l; Äthylendiamin, 1,1 Mol/l;
Trimethylaminboran, 3,0 g/l und 3,3'-Iminodipropionitril, 6 mg/1,
Der pH des Bades war etwa 12,2. Bei 45° C wurde Palladium auf eine mit PdCl9 sensibilisierte Nickelfolie in einer Geschwindigkeit
von 3,6bis 3,8 mg/cm /h plattiert. Die Plattierungsbelastung war 110 cm2/!·
030029/0843
BAD ORIGINAL
? Π Π Γ; C ">
R
-jsr-
Beispiel 7
*^
Mit den folgenden Bestandteilen wurde ein Bad wie in Beispiel 1
hergestellt: PdCl2, 2,DD g/l; Methylamin, 0,60 Mol/l und Trimethylaminboran,
2,50 g/l. Auf eine mit PdCl- sensibilisierte Nickelfolie wurde Palladium bei 45° C mit einer Geschwindigkeit
von 3,6bis3,8 mg/cm /h abgeschieden. Die Plaitierungsbelastung war 90 cm /1, der Bad-pH betrug etwa 12,3.
Mit den folgenden Bestandteilen wurde ein Bad wie in Beispiel 1 hergestellt: PdCl-, 2,0 g/l; n-Amylamin, 0,40 Mol/l und Trimethylaminboran,
2,55 g/l. Der Bad-pH war etwa 12. Bei 45° C wurde Palladium auf eine mit PdCl9 sensibilisierte Nickelfolie
2 mit einer Geschwindigkeit von 3,5bis3,7 mg/cm /h abgeschieden.
Die PlatfcLerungsbelastung war 73,8 cm /l.
Mit den folgenden Bestandteilen wurde ein Bad wie in Beispiel 1 hergestellt: PdCl-, 2,00 g/l; gesättigte Lösung (etwa 1 g/l)
uon Triäthylaminboran; und NHT, 0,65 Mol/l. Der pH war etwa
11,5. Bei einer Platüerungsbelastung von 79 cm /1 wurde auf einer Nickelfolie eine PlattLerungsgeschwindigkeit von 2,3bis2,5
mg/cm /h
haftend.
haftend.
2
mg/cm /h beobachtet. Die PlatfcLerung war dunkelgrau und sehr
mg/cm /h beobachtet. Die PlatfcLerung war dunkelgrau und sehr
Wie in Beispiel 1 wurde ein Bad hergestellt mit folgenden Bestandteilen:
PdCl2, 4,00 g/l; NH3, 0,6 Mol/l; Trimethylaminboran,
2,50 g/l und MBT, 3,5 mg/1. Bei einer Badtemperatur von 45 C wurde auf stromlos abgeschiedenem Nickel-Phosphor eine
Geschwindigkeit von 1,Bus 2,0 mg/cm /h beobachtet. Das stromlos
abgeschiedene Nickel war. auf eine Nickelfolie plattiert, die elektrogereinigt und elektropoliert war.
Um die Zusammensetzung und die physikalischen Eigenschaften der
stromlos abgeschiedenen Plattierungen zu bestimmen, wurden einige Proben getestet und analysiert, die unter Verwendung der Bäder
0300 29/0843
3 ü ü O h : ο
uon Beispiel 10 erhalten worden waren.
Mit einer stromlos plattierten Palladium-Legierung einer Mindestdicke
von 1,27 · 10*" cm (0,5 mil) auf stromlos abgeschiedenem
Nickel, welches auf einem Nickelträger aus einem Hypophosphitbad abgeschieden war, wurden Mikrohärtemessungen mit einer
Belastung von 25 g durchgeführt. Die Palladium-Legierung wurde
aus dem Platüerungsbad von Beispiel 10 abgeschieden. Die Härte der frischen Palladium-Legierung war 718 Knoop. Eine ähnliche
PlatfcLerung auf einem mit PdCl2 sensibilisierten Nickelträger
zeigte nach einer Alterung von 3 Monaten eine Härte von 764 Knoop. Die Härte der gealterten Probe wurde durch Erhitzen auf
180 C (356 F) während 16 Stunden nicht nennenswert geändert.
Die plattierten Legierungen mit einer Knoop-Härte von über etwa 700 sind wesentlich härter als - Palladium selbst, welches eine
Knoop-Härte von 70 bis etwa 250 aufweisen kann. Die neue Legierungsplatü-erung
ist viel härter als das härteste elektroplat&erte Gold (300 bis 350 Knoop) oder sogar stromlos abgeschiedenes
Nickel-Phosphor (500 Knoop).
Die aus den Bädern von Beispiel 10 stromlos abgeschiedenen Palladium-Legierungen wurden einer Röntgenstrahlenbeugungsanalyse
(X-Ray defraction analysis) unter Verwendung von FeK«l-Strahien
unterzogen. Die Analyse ergab eine kristalline Phase von PdHj-J γηο» mit nicht mehr als Spuren an kristallinem Palladium
und Bor. Der PdHn 7(-.R-Gehalt der plaitierten Legierung bewegt
sich in dem'Bereich von 1 bis 3 Gewichtsprozent, was bestimmt
wurde durch Messung des Ulasserstoffs, der beim Erhitzen der
Probe auf 300 C unter Zersetzung von PdHn 7nR freigesetzt wurde,
Der durch chemische Analyse bestimmte Gehalt der Legierung an amorphem Bor lag zwischen 1 und 3 Gewichtsprozent. Der Rest ist
amorphes Palladium.
Die Bindung zwischen der Palladium-Legierung, wie sie gemäss
Beispiel 10 plattiert wird, und stromlos abgeschiedenem Nickel
030029/0843
BAD ORIGINAL
ist fester als die Palladiumschicht selbst. Es wurde ein Nickelstreifen
auf die O fcerfläche der Palladium-Legierung eines Schichtstoffs aus Palladium-Legierung auf stromlosem Nickel, auf
einem Nickelträger elektroplatüert. Als der Streifen von dem
Schichtstoff während eines üblichen Abschältests abgerissen wurde, waren 9,53 kg (21 pounds) Kraft beziehungsweise Gewicht
erforderlich, um die Schichten einer 1,27 cm (Q,5 inch) breiten
Probe zu trennen. Tatsächlich erfolgte der Bruch im Palladium und nicht an der Zwischenflächenbindung. Die effektive Bindungsfestigkeit uon 19,1 kg pro 2,54 cm (42 pounds per inch)
Breite liegt wesentlich über der für dekorative oder elektronische Plat&erungsverwendungen annehmbaren Bindefestigkeit.
Die Porösität der Plat&erung hängt von der Glätte des Trägers
und der Dicke der Plattierung ab. Bei einer 76,2 · 1D- bis
102 · 1 G~ cm (30 - 40 microinch) dicken Plattierung auf einem
elektrogereinigten und elektropolieren stromlos abgeschiedenen Nickelträger waren im wesentlichen alle Poren (weniger als etwa
1 Pore pro cm ) geschlossen. Wenn der stromlose Nickelträger beziehungsweise der Träger mit stromlos abgeschiedenem Nickel
chemisch gereinigt wurde, mußte mehr als 127 · 10 cm (50 microinches)
Palladium-Legierung aufgebracht werden, um die Poren zu schliessen.
Die Palladiumplatüerungen gemäss der Erfindung sind wertvoll
zur Herstellung von gedruckten Schaltungen, elektronischen Schalterkontakten, dekorativen Beschichtungen und für andere
Zwecke.
030029/08A3
Claims (14)
1.) Bad zur stromlosen Abscheidung uon Palladium auf Basis einer
wässrigen Lösung uon zweiwertigem Palladium, einer Base, einem Stabilisator und 'einem Reduktionsmittel, ge kennzeichnet
durch die wässrige Lösung uon
a) zwischen etwa 0,002 und 0,12 Mol/l zweiwertigem Palladium,
b) zwischen·."etwa 0,05 und 10 Mol/l einer Base, ausgewählt
aus Ammoniak, primären Alkylaminen mit bis zu fünf Kohlenstoffatomen,
Äthanolamin, Äthylendiamin, N-methylierten
Äthylendiaminen oder Mischungen derselben,
c) zwischen etwa 0,005 bis 0,21 Mol/l eines tertiären Aminborans
als Reduktionsmittel.
2.) Bad nach Anspruch 1, gekennzeichnet
durch eine wirksame Menge bis zu etwa 0,1 g/l eines
Stabilisierungsmittels, ausgewählt aus 2-Mercaptobenzo-
./•••13
030029/0843
thiazol, 3,3!-Iminodipropionitril, 3,3'-Thiodipropionitril,
2,2' -Thiodiäthanol souiie Alkali-Jodaten oder -Bromaten.
3.) Bad nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, dass das zweiwertige Palladium als Palladiumchlorid
oder als Ammoniak-Komplex desselben vorliegt und dass die Base Ammoniak ist.
4.) Bad nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Aminboran der Formel R.. R-R-iNBH-,
entspricht, wobei R., R_ und R3 Methyl- oder Äthylgruppen
sind.
5.) Bad nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass das Aminboran Trimethylaminboran ist.
6.) Bad nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass es zwischen etwa G,Ü1 bis 0,03 Mol/l zweiwertiges
Palladium enthält.
7.) Bad nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass es zwischen etuia 0,3 bis 1 Mol/l Ammoniak enthält.
8.) Bad nach Anspruch 1,· dadurch gekennzeichnet,
dass es zwischen etwa 0,1 und 0,7 Hol/l Aminboran enthält.
9.) Bad nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine wässrige Lösung υοη 4 g/l PdCln, 0,6 fflol/l
Ammoniak, 2,5 g/l Trimethylaminboran und 3,5 mg/1 2-benzothiazol.
030029/0343
10.) Bad nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass das Aminboran der Formel CH3(OCH2CH2) N(ChU)2BH-, entspricht, wobei η eine ganze Zahl
von 1 bis 4 bedeutet.
11.) Bad nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass das Aminboran der Formel
entspricht, wobei R eine Alkylgruppe mit nicht mehr als drei Kohlenstoffatomen ist.
12.) Autokatalytisches Verfahren zum stromlosen Abscheiden von
Palladium auf einem katalytisch aktiven Träger durch Kontaktieren desselben mit einem Abscheidungsbad, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger
bei einer Badtemperatur zwischen etwa 20 und 70 C mit einem Bad gemäss den vorhergehenden Ansprüchen kontaktiert
wird.
13.) Plattierung aus Palladiumlegierung oder plattierte Palladiumlegierung,
gekennzeichnet durch etwa 1 bis 3 Gewichtsprozent amorphes Bor und etwa 1 bis 3 Gewichtsprozent kristallines Palladium oder intermetallischen
Verbindungen von Palladium und Wasserstoff, wobei
der Rest amorphes Palladium ist.
14.) Geschichtete Plattierung, gekennzeichnet durch eine Schicht aus stromlos plattiertem Nickel
und eine heran gebundene Schicht einer plattierten Palladiumlegierung
gemäss Anspruch 13.
0 3 0 0 2 9/08 4 3
ORlGfNAL
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/003,351 US4255194A (en) | 1979-01-15 | 1979-01-15 | Palladium alloy baths for the electroless deposition |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3000526A1 true DE3000526A1 (de) | 1980-07-17 |
DE3000526C2 DE3000526C2 (de) | 1982-12-02 |
Family
ID=21705442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3000526A Expired DE3000526C2 (de) | 1979-01-15 | 1980-01-09 | Bad zur stromlosen Abscheidung von Palladium und autokatalytisches Palladium-Abscheidungsverfahren |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4255194A (de) |
KR (1) | KR840001725B1 (de) |
CA (1) | CA1122753A (de) |
DE (1) | DE3000526C2 (de) |
GB (2) | GB2053284B (de) |
IT (1) | IT1193885B (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3790128C2 (de) * | 1986-03-04 | 1995-07-27 | Ishihara Chemical Co Ltd | Wässrige Lösung zur stromlosen Beschichtung auf Palladium-Basis |
US5882736A (en) * | 1993-05-13 | 1999-03-16 | Atotech Deutschland Gmbh | palladium layers deposition process |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5264288A (en) * | 1992-10-01 | 1993-11-23 | Ppg Industries, Inc. | Electroless process using silylated polyamine-noble metal complexes |
JP3286744B2 (ja) * | 1993-05-24 | 2002-05-27 | 奥野製薬工業株式会社 | 非導電性材料表面に電気めっき層を直接形成する方法 |
US6042889A (en) * | 1994-02-28 | 2000-03-28 | International Business Machines Corporation | Method for electrolessly depositing a metal onto a substrate using mediator ions |
KR960005765A (ko) * | 1994-07-14 | 1996-02-23 | 모리시다 요이치 | 반도체 장치의 배선형성에 이용하는 무전해 도금욕 및 반도체 장치의 배선성형방법 |
EP0697805A1 (de) | 1994-08-05 | 1996-02-21 | LeaRonal, Inc. | Herstellung von Leiterplatten unter Verwendung stromloser Palladiumplattierung |
US5480477A (en) * | 1995-06-02 | 1996-01-02 | Surface Technology, Inc. | Cobalt as a stabilizer in electroless plating formulations |
US5900186A (en) * | 1995-12-19 | 1999-05-04 | Morton International, Inc. | Composition and method for reducing copper oxide to metallic copper |
US5721014A (en) * | 1995-12-19 | 1998-02-24 | Surface Tek Specialty Products, Inc. | Composition and method for reducing copper oxide to metallic copper |
US6156413A (en) * | 1996-10-25 | 2000-12-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Glass circuit substrate and fabrication method thereof |
JP3431170B2 (ja) * | 1997-07-10 | 2003-07-28 | モートン インターナショナル,インコーポレイティド | 銅酸化物を金属銅に還元するための組成物および方法 |
EP2469992B1 (de) | 2010-12-23 | 2015-02-11 | Atotech Deutschland GmbH | Verfahren zum Erhalten eines Palladiumflächenabschluss für die Kupferverdrahtung auf Druckleiterplatten und IC-Substraten |
EP2535929A1 (de) | 2011-06-14 | 2012-12-19 | Atotech Deutschland GmbH | Mit Draht verbindbare Oberfläche für mikroelektronische Vorrichtungen |
EP2887779A1 (de) | 2013-12-20 | 2015-06-24 | ATOTECH Deutschland GmbH | Silberdrahtbonden auf Druckleiterplatten und IC-Substraten |
EP3129526B1 (de) * | 2014-04-10 | 2019-08-07 | ATOTECH Deutschland GmbH | Plattierbadzusammensetzung und verfahren zum stromlosen plattieren von palladium |
US9603258B2 (en) | 2015-08-05 | 2017-03-21 | Uyemura International Corporation | Composition and method for electroless plating of palladium phosphorus on copper, and a coated component therefrom |
TWI707061B (zh) * | 2015-11-27 | 2020-10-11 | 德商德國艾托特克公司 | 鈀之電鍍浴組合物及無電電鍍方法 |
TWI649449B (zh) * | 2015-11-27 | 2019-02-01 | 德國艾托特克公司 | 鈀之電鍍浴組合物及無電電鍍方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3406019A (en) * | 1966-02-28 | 1968-10-15 | Du Pont | Salts of b11h112- and their preparation |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2915406A (en) * | 1958-03-03 | 1959-12-01 | Int Nickel Co | Palladium plating by chemical reduction |
US3274022A (en) * | 1963-03-26 | 1966-09-20 | Int Nickel Co | Palladium deposition |
US3418143A (en) * | 1967-08-15 | 1968-12-24 | Burroughs Corp | Bath for the electroless deposition of palladium |
US3754939A (en) * | 1972-05-23 | 1973-08-28 | Us Army | Electroless deposition of palladium alloys |
US3814696A (en) * | 1972-06-19 | 1974-06-04 | Eastman Kodak Co | Colloidal metal in non-aqueous media |
US4004051A (en) * | 1974-02-15 | 1977-01-18 | Crown City Plating Company | Aqueous noble metal suspensions for one stage activation of nonconductors for electroless plating |
-
1979
- 1979-01-15 US US06/003,351 patent/US4255194A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-12-05 CA CA341,302A patent/CA1122753A/en not_active Expired
- 1979-12-11 GB GB8028808A patent/GB2053284B/en not_active Expired
- 1979-12-11 GB GB7942704A patent/GB2040316B/en not_active Expired
- 1979-12-29 KR KR7904680A patent/KR840001725B1/ko active
-
1980
- 1980-01-09 DE DE3000526A patent/DE3000526C2/de not_active Expired
- 1980-01-09 IT IT19097/80A patent/IT1193885B/it active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3406019A (en) * | 1966-02-28 | 1968-10-15 | Du Pont | Salts of b11h112- and their preparation |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3790128C2 (de) * | 1986-03-04 | 1995-07-27 | Ishihara Chemical Co Ltd | Wässrige Lösung zur stromlosen Beschichtung auf Palladium-Basis |
US5882736A (en) * | 1993-05-13 | 1999-03-16 | Atotech Deutschland Gmbh | palladium layers deposition process |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR840001725B1 (ko) | 1984-10-17 |
DE3000526C2 (de) | 1982-12-02 |
GB2040316A (en) | 1980-08-28 |
CA1122753A (en) | 1982-05-04 |
GB2040316B (en) | 1983-02-16 |
KR830001404A (ko) | 1983-04-30 |
IT1193885B (it) | 1988-08-31 |
GB2053284A (en) | 1981-02-04 |
GB2053284B (en) | 1982-12-22 |
US4255194A (en) | 1981-03-10 |
IT8019097A0 (it) | 1980-01-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3000526C2 (de) | Bad zur stromlosen Abscheidung von Palladium und autokatalytisches Palladium-Abscheidungsverfahren | |
DE69219645T2 (de) | Verfahren zur stromlosen Plattierung von Zinn, Blei oder Zinn-Blei-Legierung | |
EP0003977B1 (de) | Verfahren zum stromlosen Abscheiden von Kupfer | |
DE69224914T2 (de) | Stromloses goldbeschichtungsbad | |
DE3210268C2 (de) | Wäßriges alkalisches Bad zur stromlosen Abscheidung von Goldüberzügen | |
CH647269A5 (de) | Plattierungsloesung fuer die ablagerung einer palladium/nickel-legierung. | |
CH647264A5 (de) | Verfahren und bad zum stromlosen abscheiden eines kupferueberzugs auf einem werkstueck. | |
DE2518559A1 (de) | Stromloses plattierungsverfahren und plattierungsbad | |
DE3447813C2 (de) | ||
DE3875227T2 (de) | Verfahren zur herstellung eines bades fuer die elektroplattierung einer binaeren zinn-kobalt-, zinn-nickel- oder zinn-blei- legierung und damit hergestelltes elektroplattierungsbad. | |
DE69011604T2 (de) | Lösung zur stromlosen Goldplattierung und Verfahren zur Goldplattierung mit dieser Lösung. | |
DE2231298A1 (de) | Verfahren zur aktivierung der oberflaeche eines polyimidsubstrats | |
DE1112814B (de) | Verfahren zum Metallisieren von Gegenstaenden aus Glas oder glasierter Keramik | |
CH655132A5 (de) | Waessriges bad fuer stromlose goldplattierung. | |
DE2750932C3 (de) | Cyanidfreies Bad zur stromlosen Goldabscheidung und seine Verwendung | |
DE1247804B (de) | Alkalisches Bad zum chemischen Abscheiden von festhaftenden Palladiumueberzuegen | |
DE2300748A1 (de) | Stromfreies plattieren mit kupfer | |
EP1763594B1 (de) | Verfahren zur verbesserung der lötbarkeit von nickelüberzügen | |
DE3622090C1 (de) | ||
DE3938653A1 (de) | Bad fuer die stromlose goldplattierung und verfahren zur verwendung desselben | |
DE3247144C2 (de) | Wäßriges alkalisches Bad für das stromlose Vergolden und Verfahren zu seiner Herstellung sowie Verwendung | |
DE2112417C3 (de) | Wässeriges Bad zur chemischen Abscheidung duktiler Kupferüberzüge und seine Verwendung | |
DE2807564C2 (de) | Verfahren zur stromlosen Abscheidung einer Gold-Nickel-Legierung | |
DE1521512B1 (de) | Alkalisches Bad zur stromlosen Kupferabscheidung | |
DE69726752T2 (de) | Verfahren zur Reduktion von Kupferoxid zu metallischem Kupfer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OAP | Request for examination filed | ||
OD | Request for examination | ||
D2 | Grant after examination | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |