JP3286744B2 - 非導電性材料表面に電気めっき層を直接形成する方法 - Google Patents
非導電性材料表面に電気めっき層を直接形成する方法Info
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/423—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/54—Electroplating of non-metallic surfaces
- C25D5/56—Electroplating of non-metallic surfaces of plastics
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非導電性材料表面に直
接電気めっき層を形成する方法に関する。該方法は、例
えば、プリント配線板のスルーホールに直接電気めっき
層を形成する方法として好適に用いられるものである。
接電気めっき層を形成する方法に関する。該方法は、例
えば、プリント配線板のスルーホールに直接電気めっき
層を形成する方法として好適に用いられるものである。
【０００２】本明細書において、“％”とあるのは、
“重量％”を意味するものとする。
“重量％”を意味するものとする。
【０００３】
【従来技術とその問題点】プリント配線板に対してスル
ーホールめっきを行なう方法としては、主としてサブト
ラクティブ法が採用されている。この方法では、絶縁性
基材からなる表面および内面に銅箔を接着した基板を穴
開けし、穴内部の絶縁性部分に薄い無電解銅めっきを析
出させることにより絶縁性部分を導通化した後、電気銅
めっきにより厚い銅皮膜を形成して、銅箔間の導通を確
保し、電気回路を作製する。
ーホールめっきを行なう方法としては、主としてサブト
ラクティブ法が採用されている。この方法では、絶縁性
基材からなる表面および内面に銅箔を接着した基板を穴
開けし、穴内部の絶縁性部分に薄い無電解銅めっきを析
出させることにより絶縁性部分を導通化した後、電気銅
めっきにより厚い銅皮膜を形成して、銅箔間の導通を確
保し、電気回路を作製する。
【０００４】この方法は、すでに技術的に確立された信
頼性の高い方法であり、約２０年使用され続けてきた実
績を有している。しかしながら、この方法は、絶縁性部
分の導通化を図るために、複雑な前処理工程を必要とす
る無電解めっき工程を必須とする。この無電解めっき工
程で使用するめっき液は、自己分解性が強くいので、厳
密な浴管理を必要とし、また銅を析出させる還元剤とし
て毒性の高いホルマリンを使用する必要があり、さらに
極く薄い銅皮膜を得るにも長時間を要するなどの種々の
欠点を有している。
頼性の高い方法であり、約２０年使用され続けてきた実
績を有している。しかしながら、この方法は、絶縁性部
分の導通化を図るために、複雑な前処理工程を必要とす
る無電解めっき工程を必須とする。この無電解めっき工
程で使用するめっき液は、自己分解性が強くいので、厳
密な浴管理を必要とし、また銅を析出させる還元剤とし
て毒性の高いホルマリンを使用する必要があり、さらに
極く薄い銅皮膜を得るにも長時間を要するなどの種々の
欠点を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、従
来法における大きな技術的制約となっていた無電解銅め
っき工程を必要とすることなく、電気銅めっき工程のみ
によって絶縁性部分の導通化を可能とし、処理工程の簡
略化、処理時間の短縮、作業環境の改善などにより、生
産性の向上を図ることを主な目的とする。
来法における大きな技術的制約となっていた無電解銅め
っき工程を必要とすることなく、電気銅めっき工程のみ
によって絶縁性部分の導通化を可能とし、処理工程の簡
略化、処理時間の短縮、作業環境の改善などにより、生
産性の向上を図ることを主な目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の様な
技術の現状に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、特定の工程
を組合わせて採用する場合には、上記の目的を達成し得
ることを見出した。また、この特定工程の組合せは、一
般の非導電性材料に直接電気銅めっき層を形成させる場
合にも、有用であることを見出した。
技術の現状に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、特定の工程
を組合わせて採用する場合には、上記の目的を達成し得
ることを見出した。また、この特定工程の組合せは、一
般の非導電性材料に直接電気銅めっき層を形成させる場
合にも、有用であることを見出した。
【０００７】即ち、本発明は、下記の方法を提供するも
のである； １ 非導電性材料を下記の工程で処理することを特徴と
する非導電性材料のめっき方法： （１）非導電性材料をシランカップリング剤を含有する
溶液で処理する工程、（２）上記（１）工程からの非導
電性材料をアニオン性界面活性剤を含有する溶液で処理
する工程、（３）上記（２）工程からの非導電性材料
を、チオ尿素及びその誘導体からなる含窒素硫黄化合物
の少なくとも一種とパラジウム化合物とを含有する溶液
で処理する工程、（４）上記（３）工程からの非導電性
材料を水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸ナトリウ
ム、ヒドラジン、ジメチルアミンボラン、ヒドロキシル
アミン及びグリオキシル酸の少なくとも１種を含有する
還元性溶液により還元処理する工程、（５）上記（４）
工程からの非導電性材料に電気めっき層を形成させる工
程。
のである； １ 非導電性材料を下記の工程で処理することを特徴と
する非導電性材料のめっき方法： （１）非導電性材料をシランカップリング剤を含有する
溶液で処理する工程、（２）上記（１）工程からの非導
電性材料をアニオン性界面活性剤を含有する溶液で処理
する工程、（３）上記（２）工程からの非導電性材料
を、チオ尿素及びその誘導体からなる含窒素硫黄化合物
の少なくとも一種とパラジウム化合物とを含有する溶液
で処理する工程、（４）上記（３）工程からの非導電性
材料を水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸ナトリウ
ム、ヒドラジン、ジメチルアミンボラン、ヒドロキシル
アミン及びグリオキシル酸の少なくとも１種を含有する
還元性溶液により還元処理する工程、（５）上記（４）
工程からの非導電性材料に電気めっき層を形成させる工
程。
【０００８】２ 上記項１に記載のめっき方法におい
て、（３）工程における処理液中のパラジウムイオン濃
度が、０．１〜１０ｇ／ｌの範囲内にあり、含窒素硫黄
化合物濃度が、パラジウムイオン１モルに対し１〜５０
モルの範囲内にあるめっき方法。
て、（３）工程における処理液中のパラジウムイオン濃
度が、０．１〜１０ｇ／ｌの範囲内にあり、含窒素硫黄
化合物濃度が、パラジウムイオン１モルに対し１〜５０
モルの範囲内にあるめっき方法。
【０００９】３ 上記項２に記載のめっき方法におい
て、含窒素硫黄化合物がチオ尿素、チオアセトアミド、
チオセミカルバジド及びジメチルチオ尿素のいずれかで
あるめっき方法。
て、含窒素硫黄化合物がチオ尿素、チオアセトアミド、
チオセミカルバジド及びジメチルチオ尿素のいずれかで
あるめっき方法。
【００１０】４ 両面プリント配線板或いは多層プリン
ト配線板を下記の工程で処理することを特徴とするプリ
ント配線板のスルーホールめっき方法： （１）穴開けして整面研磨し、洗浄したプリント配線板
を、シランカップリング剤を含有する溶液で処理する工
程、（２）上記（１）工程からのプリント配線板を、ア
ニオン性界面活性剤を含有する溶液で処理する工程、
（３）上記（２）工程からのプリント配線板を、チオ尿
素及びその誘導体からなる含窒素硫黄化合物の少なくと
も一種とパラジウム化合物とを含有する溶液で処理する
工程、（４）上記（３）工程からのプリント配線板を、
水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、ヒド
ラジン、ジメチルアミンボラン、ヒドロキシルアミン及
びグリオキシル酸の少なくとも１種を含む還元性溶液に
より還元処理する工程、（５）上記（４）工程からのプ
リント配線板に電気めっき層を直接形成する工程。
ト配線板を下記の工程で処理することを特徴とするプリ
ント配線板のスルーホールめっき方法： （１）穴開けして整面研磨し、洗浄したプリント配線板
を、シランカップリング剤を含有する溶液で処理する工
程、（２）上記（１）工程からのプリント配線板を、ア
ニオン性界面活性剤を含有する溶液で処理する工程、
（３）上記（２）工程からのプリント配線板を、チオ尿
素及びその誘導体からなる含窒素硫黄化合物の少なくと
も一種とパラジウム化合物とを含有する溶液で処理する
工程、（４）上記（３）工程からのプリント配線板を、
水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、ヒド
ラジン、ジメチルアミンボラン、ヒドロキシルアミン及
びグリオキシル酸の少なくとも１種を含む還元性溶液に
より還元処理する工程、（５）上記（４）工程からのプ
リント配線板に電気めっき層を直接形成する工程。
【００１１】５ 上記項４に記載のめっき方法におい
て、（３）工程における処理液中のパラジウムイオン濃
度が、０．１〜１０ｇ／ｌの範囲内にあり、含窒素硫黄
化合物濃度が、パラジウムイオン１モルに対し１〜５０
モルの範囲内にあるめっき方法。 ６ 上記項５に記載のめっき方法において、含窒素硫黄
化合物がチオ尿素、チオアセトアミド、チオセミカルバ
ジドおよびジメチルチオ尿素のいずれかであるめっき方
法。
て、（３）工程における処理液中のパラジウムイオン濃
度が、０．１〜１０ｇ／ｌの範囲内にあり、含窒素硫黄
化合物濃度が、パラジウムイオン１モルに対し１〜５０
モルの範囲内にあるめっき方法。 ６ 上記項５に記載のめっき方法において、含窒素硫黄
化合物がチオ尿素、チオアセトアミド、チオセミカルバ
ジドおよびジメチルチオ尿素のいずれかであるめっき方
法。
【００１２】本発明方法によれば、両面プリント配線基
板および多層プリント配線基板のスルーホールの絶縁性
部分の他に、プラスチックス、セラミックス、ガラス、
これらの複合材料等の一般の非導電性材料表面などに直
接電気銅めっき層を形成させることができる。但し、以
下においては、両面プリント配線基板或いは多層プリン
ト配線基板のスルーホール絶縁性部分への直接電気銅め
っき層の形成を例として、各工程毎に順次説明を行な
う。
板および多層プリント配線基板のスルーホールの絶縁性
部分の他に、プラスチックス、セラミックス、ガラス、
これらの複合材料等の一般の非導電性材料表面などに直
接電気銅めっき層を形成させることができる。但し、以
下においては、両面プリント配線基板或いは多層プリン
ト配線基板のスルーホール絶縁性部分への直接電気銅め
っき層の形成を例として、各工程毎に順次説明を行な
う。
【００１３】シランカップリング剤処理 本発明方法においては、まず、穴開けし、整面研磨し、
洗浄したプリント配線基板（以下供試材という）を、シ
ランカップリング剤を含有する溶液で処理して、供試材
の表面にシランカップリング剤の分子膜を形成する。シ
ランカップリング剤としては、例えば、３−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−
３−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ基を
有する水溶性シラン化合物、ビニルトリメトキシシラ
ン、３−グリシドキシトリメトキシシラン等の有機溶剤
可溶性シラン化合物等を用いることができる。本発明で
は、特にアミノ基を有する水溶性シラン化合物が好まし
い。
洗浄したプリント配線基板（以下供試材という）を、シ
ランカップリング剤を含有する溶液で処理して、供試材
の表面にシランカップリング剤の分子膜を形成する。シ
ランカップリング剤としては、例えば、３−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−
３−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ基を
有する水溶性シラン化合物、ビニルトリメトキシシラ
ン、３−グリシドキシトリメトキシシラン等の有機溶剤
可溶性シラン化合物等を用いることができる。本発明で
は、特にアミノ基を有する水溶性シラン化合物が好まし
い。
【００１４】処理液中のシランカップリング剤の濃度
は、特に限定的ではないが、０．５〜５０ｇ／ｌ程度が
適当であり、１〜１０ｇ／ｌ程度が好ましい。溶媒とし
ては、水溶性シラン化合物については水を用い、有機溶
剤可溶性シラン化合物については、メタノール、エタノ
ール、プロパノール、ブタノール等のアルコール化合物
を用いればよい。
は、特に限定的ではないが、０．５〜５０ｇ／ｌ程度が
適当であり、１〜１０ｇ／ｌ程度が好ましい。溶媒とし
ては、水溶性シラン化合物については水を用い、有機溶
剤可溶性シラン化合物については、メタノール、エタノ
ール、プロパノール、ブタノール等のアルコール化合物
を用いればよい。
【００１５】シランカップリング剤含有溶液には、必要
に応じて、界面活性剤を配合することができる。界面活
性剤を配合することによって、処理液の表面張力を低下
させて供試材に対するヌレ性、浸透性を高め、シランカ
ップリング剤の効果を向上させることができる。また、
供試材の洗浄性を高めることもできる。界面活性剤の種
類は特に限定されず、非イオン性、アニオン性、カチオ
ン性、両性のいずれのタイプの界面活性剤も使用でき
る。界面活性剤の添加量は特に限定的ではないが、通
常、１０ｇ／ｌ程度まで配合できる。有効な界面活性剤
の一例を挙げると次の通りである。
に応じて、界面活性剤を配合することができる。界面活
性剤を配合することによって、処理液の表面張力を低下
させて供試材に対するヌレ性、浸透性を高め、シランカ
ップリング剤の効果を向上させることができる。また、
供試材の洗浄性を高めることもできる。界面活性剤の種
類は特に限定されず、非イオン性、アニオン性、カチオ
ン性、両性のいずれのタイプの界面活性剤も使用でき
る。界面活性剤の添加量は特に限定的ではないが、通
常、１０ｇ／ｌ程度まで配合できる。有効な界面活性剤
の一例を挙げると次の通りである。
【００１６】・非イオン性界面活性剤：ポリオキシエチ
レンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェ
ニルエーテル等、 ・アニオン性界面活性剤：ドデシルベンゼンスルホン酸
ナトリウム、エチルヘキシルアルキル硫酸エステルナト
リウム等、 ・カチオン性界面活性剤：アルキルジメチルベンジルア
ンモニウムクロライド、アルキルトリメチルアンモニウ
ムクロライド等、 ・両性界面活性剤：ジメチルアルキルベタイン、ジメチ
ルアルキルラウリルベタイン等。
レンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェ
ニルエーテル等、 ・アニオン性界面活性剤：ドデシルベンゼンスルホン酸
ナトリウム、エチルヘキシルアルキル硫酸エステルナト
リウム等、 ・カチオン性界面活性剤：アルキルジメチルベンジルア
ンモニウムクロライド、アルキルトリメチルアンモニウ
ムクロライド等、 ・両性界面活性剤：ジメチルアルキルベタイン、ジメチ
ルアルキルラウリルベタイン等。
【００１７】シランカップリング剤含有溶液による処理
方法は、特に限定的ではないが、通常、シランカップリ
ング剤含有溶液中に供試材を浸漬すればよい。処理条件
についても、特に限定されるものではないが、一例を挙
げると、処理液温度２０〜９０℃程度、好ましくは５０
〜８０℃程度で、処理時間を１〜１０分間程度、好まし
くは３〜５分間程度とすればよい。
方法は、特に限定的ではないが、通常、シランカップリ
ング剤含有溶液中に供試材を浸漬すればよい。処理条件
についても、特に限定されるものではないが、一例を挙
げると、処理液温度２０〜９０℃程度、好ましくは５０
〜８０℃程度で、処理時間を１〜１０分間程度、好まし
くは３〜５分間程度とすればよい。
【００１８】本発明方法では、シランカップリング剤含
有溶液による処理を行なった後、必要に応じて、強酸性
溶液による処理を行なうことができる。強酸性溶液によ
る処理を行なうことによって、シランカップリング剤を
加水分解して固着性を高めることができる。また次工程
におけるアニオン性界面活性剤の供試材表面への吸着性
を高めることができ、更に、後工程におけるパラジウム
金属の付着力を向上させることもできる。強酸性溶液と
しては、シランカップリング剤の加水分解に使用し得る
ものであればいずれも用いることができる。その一例を
挙げれば、硫酸（９８％） ２０〜２００ｇ／ｌ、好ま
しくは１００〜２００ｇ／ｌ水溶液、塩酸（３６％）
１０〜１００ｇ／ｌ、好ましくは５０〜１００ｇ／ｌ水
溶液等を挙げることができる。処理方法は、特に限定的
ではないが、通常、供試材を溶液中に浸漬すればよい。
処理条件についても、特に限定されるものではないが、
一例を挙げると、処理液温度２０〜５０℃程度、好まし
くは２０〜４０℃程度で、処理時間は、１〜１０分間程
度、好ましくは３〜５分間程度とすればよい。
有溶液による処理を行なった後、必要に応じて、強酸性
溶液による処理を行なうことができる。強酸性溶液によ
る処理を行なうことによって、シランカップリング剤を
加水分解して固着性を高めることができる。また次工程
におけるアニオン性界面活性剤の供試材表面への吸着性
を高めることができ、更に、後工程におけるパラジウム
金属の付着力を向上させることもできる。強酸性溶液と
しては、シランカップリング剤の加水分解に使用し得る
ものであればいずれも用いることができる。その一例を
挙げれば、硫酸（９８％） ２０〜２００ｇ／ｌ、好ま
しくは１００〜２００ｇ／ｌ水溶液、塩酸（３６％）
１０〜１００ｇ／ｌ、好ましくは５０〜１００ｇ／ｌ水
溶液等を挙げることができる。処理方法は、特に限定的
ではないが、通常、供試材を溶液中に浸漬すればよい。
処理条件についても、特に限定されるものではないが、
一例を挙げると、処理液温度２０〜５０℃程度、好まし
くは２０〜４０℃程度で、処理時間は、１〜１０分間程
度、好ましくは３〜５分間程度とすればよい。
【００１９】アニオン性界面活性剤処理 次いで、アニオン性界面活性剤を含有する溶液で供試材
を処理し、供試材表面に界面活性剤を吸着させて表面を
アニオン性にする。アニオン性界面活性剤としては、ス
ルホン酸型、リン酸エステル型、アルキル硫酸塩型、ア
ルキルエーテル硫酸塩型、スルホコハク酸塩型等各種の
ものを使用できる。アニオン性界面活性剤含有溶液の溶
媒としては、通常、水を用いればよい。
を処理し、供試材表面に界面活性剤を吸着させて表面を
アニオン性にする。アニオン性界面活性剤としては、ス
ルホン酸型、リン酸エステル型、アルキル硫酸塩型、ア
ルキルエーテル硫酸塩型、スルホコハク酸塩型等各種の
ものを使用できる。アニオン性界面活性剤含有溶液の溶
媒としては、通常、水を用いればよい。
【００２０】処理方法は、特に限定的ではないが、通
常、供試材を溶液中に浸漬すればよい。処理液組成及び
処理条件も特に限定されるものではないが、一例を挙げ
ると下記の通りである。
常、供試材を溶液中に浸漬すればよい。処理液組成及び
処理条件も特に限定されるものではないが、一例を挙げ
ると下記の通りである。
【００２１】アニオン性界面活性剤 ０．１〜５０ｇ／
ｌ，好ましくは０．５〜１０ｇ／ｌ 処理温度 ２０〜５０℃、好ましくは２０
〜４０℃ 処理時間 １〜１０分、好ましくは３〜５
分パラジウム塩付与処理 次いで、チオ尿素及びその誘導体からなる含窒素硫黄化
合物の少なくとも一種とパラジウム化合物とを含有する
溶液で供試材を処理する。
ｌ，好ましくは０．５〜１０ｇ／ｌ 処理温度 ２０〜５０℃、好ましくは２０
〜４０℃ 処理時間 １〜１０分、好ましくは３〜５
分パラジウム塩付与処理 次いで、チオ尿素及びその誘導体からなる含窒素硫黄化
合物の少なくとも一種とパラジウム化合物とを含有する
溶液で供試材を処理する。
【００２２】チオ尿素誘導体としては、チオアセトアミ
ド、チオセミカルバジッド、ジメチルチオ尿素、ジエチ
ルチオ尿素、エチレンチオ尿素等を使用できる。パラジ
ウム化合物としては、塩化物、硫酸塩、酢酸塩等の水溶
性塩を使用できる。溶媒としては、通常、水を用いれば
よい。
ド、チオセミカルバジッド、ジメチルチオ尿素、ジエチ
ルチオ尿素、エチレンチオ尿素等を使用できる。パラジ
ウム化合物としては、塩化物、硫酸塩、酢酸塩等の水溶
性塩を使用できる。溶媒としては、通常、水を用いれば
よい。
【００２３】処理方法は、特に限定的ではないが、通
常、供試材を溶液中に浸漬すればよい。処理液組成及び
処理条件も特に限定されるものではないが、一例を挙げ
ると下記の通りである。
常、供試材を溶液中に浸漬すればよい。処理液組成及び
処理条件も特に限定されるものではないが、一例を挙げ
ると下記の通りである。
【００２４】パラジウムイオン ０．１〜１０ｇ／
ｌ、好ましくは０．２〜５ｇ／ｌ、 含窒素硫黄化合物 パラジウムイオン１モルに対し
て、１〜１００モル、好ましくは１〜５０モル、 浴ｐＨ １〜１２、好ましくは４〜１０、 処理温度 １０〜５０℃、好ましくは２０〜
４０℃、 処理時間 １〜１０分間、好ましくは３〜５
分間 処理液の調製方法は、特に限定されるものではないが、
パラジウム化合物が溶解し難い場合には、酸を用いてパ
ラジウム化合物を溶解させた後、含窒素硫黄化合物を添
加し、その後、アルカリ塩を添加してｐＨを調製すれば
よい。例えば、パラジウム化合物として塩化パラジウム
を用いる場合には、これを溶解するために、塩化パラジ
ウム１ｇに対して通常３６％塩酸を０．５ｍｌ以上用い
て、塩化パラジウムを溶解し、その後含窒素硫黄化合物
を添加すればよい。ｐＨ調整に用いるアルカリ塩の種類
は、特に限定的ではなく、各種の水溶性アルカリ塩を使
用できる。また、処理液のｐＨが６以上になるとパラジ
ウム塩が沈殿しやすくなるので，このような場合には、
処理液にキレート剤を添加することが好ましい。キレー
ト剤の種類は、特に限定されず、パラジウム塩とキレー
トを形成する公知の化合物を用いればよく、その配合量
はパラジウム塩の沈殿を防止できる量であればよい。
ｌ、好ましくは０．２〜５ｇ／ｌ、 含窒素硫黄化合物 パラジウムイオン１モルに対し
て、１〜１００モル、好ましくは１〜５０モル、 浴ｐＨ １〜１２、好ましくは４〜１０、 処理温度 １０〜５０℃、好ましくは２０〜
４０℃、 処理時間 １〜１０分間、好ましくは３〜５
分間 処理液の調製方法は、特に限定されるものではないが、
パラジウム化合物が溶解し難い場合には、酸を用いてパ
ラジウム化合物を溶解させた後、含窒素硫黄化合物を添
加し、その後、アルカリ塩を添加してｐＨを調製すれば
よい。例えば、パラジウム化合物として塩化パラジウム
を用いる場合には、これを溶解するために、塩化パラジ
ウム１ｇに対して通常３６％塩酸を０．５ｍｌ以上用い
て、塩化パラジウムを溶解し、その後含窒素硫黄化合物
を添加すればよい。ｐＨ調整に用いるアルカリ塩の種類
は、特に限定的ではなく、各種の水溶性アルカリ塩を使
用できる。また、処理液のｐＨが６以上になるとパラジ
ウム塩が沈殿しやすくなるので，このような場合には、
処理液にキレート剤を添加することが好ましい。キレー
ト剤の種類は、特に限定されず、パラジウム塩とキレー
トを形成する公知の化合物を用いればよく、その配合量
はパラジウム塩の沈殿を防止できる量であればよい。
【００２５】本発明においては、上記処理液中に含有さ
せた含窒素硫黄化合物の少なくとも１種が、パラジウム
とカチオン性の錯体を形成し、これが前記工程でアニオ
ン性を呈した供試材表面に強く吸着する一方で、供試材
の銅箔上にパラジウム金属が置換することが防止され
る。
せた含窒素硫黄化合物の少なくとも１種が、パラジウム
とカチオン性の錯体を形成し、これが前記工程でアニオ
ン性を呈した供試材表面に強く吸着する一方で、供試材
の銅箔上にパラジウム金属が置換することが防止され
る。
【００２６】上記したパラジウム塩含有処理液は、本発
明の処理方法において、非導電性材料にパラジウム塩を
吸着させ、その後導電性金属層を形成するために好適に
用いることができるが、その他に、各種の方法でアニオ
ン性とした非導電性材料の表面に、パラジウム塩を吸着
させるために用いることもできる。この様な非導電性材
料の表面をアニオン性にする方法としては、例えば、過
マンガン酸塩溶液によりエッチング処理を行ない、非導
電性材料の表面にマンガン酸化物層を形成する方法を例
示できる。この場合、過マンガン酸塩溶液としては、通
常のエッチング処理に用いるものと同様のものを使用で
きる。また、非導電性材料の種類によっては、常法にし
たがって、過マンガン酸塩溶液によりエッチング処理を
行ない、その後中和処理してマンガン酸化物層を除去し
た場合や、樹脂めっきの前処理として一般に用いられる
クロム酸−硫酸（無水クロム酸３５０〜４５０ｇ／ｌ、
硫酸３５０〜４５０ｇ／ｌ，６５〜７０℃、８〜１５
分）によるエッチング処理を行なった場合にも、表面が
アニオン性となるものもあり、これにも上記処理液を用
いてパラジウム塩を吸着させることができる。これらの
方法で、非導電性材料の表面にパラジウム塩を吸着させ
た後は、以下に示す処理工程と同様にして、還元処理及
び電気めっき処理を行なえばよい。
明の処理方法において、非導電性材料にパラジウム塩を
吸着させ、その後導電性金属層を形成するために好適に
用いることができるが、その他に、各種の方法でアニオ
ン性とした非導電性材料の表面に、パラジウム塩を吸着
させるために用いることもできる。この様な非導電性材
料の表面をアニオン性にする方法としては、例えば、過
マンガン酸塩溶液によりエッチング処理を行ない、非導
電性材料の表面にマンガン酸化物層を形成する方法を例
示できる。この場合、過マンガン酸塩溶液としては、通
常のエッチング処理に用いるものと同様のものを使用で
きる。また、非導電性材料の種類によっては、常法にし
たがって、過マンガン酸塩溶液によりエッチング処理を
行ない、その後中和処理してマンガン酸化物層を除去し
た場合や、樹脂めっきの前処理として一般に用いられる
クロム酸−硫酸（無水クロム酸３５０〜４５０ｇ／ｌ、
硫酸３５０〜４５０ｇ／ｌ，６５〜７０℃、８〜１５
分）によるエッチング処理を行なった場合にも、表面が
アニオン性となるものもあり、これにも上記処理液を用
いてパラジウム塩を吸着させることができる。これらの
方法で、非導電性材料の表面にパラジウム塩を吸着させ
た後は、以下に示す処理工程と同様にして、還元処理及
び電気めっき処理を行なえばよい。
【００２７】還元処理 次いで、供試材を、水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン
酸ナトリウム、ヒドラジン、ヒドロキシルアミン及びグ
リオキシル酸の少なくとも１種からなる還元剤を含む還
元性水溶液により還元処理する。還元性水溶液は、ｐＨ
１０程度以上が好ましく、ｐＨ１１〜１３程度がより好
ましい。還元剤のみで上記ｐＨ範囲とならない場合に
は、アルカリ塩を添加して上記ｐＨ範囲に調整すればよ
い。使用するアルカリ性塩としては、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、リン酸ナトリウ
ムなどがあげられる。処理方法は、特に限定的ではない
が、通常、供試材を溶液中に浸漬すればよい。還元処理
に際しての具体的な液組成および条件は、大要以下の通
りである。
酸ナトリウム、ヒドラジン、ヒドロキシルアミン及びグ
リオキシル酸の少なくとも１種からなる還元剤を含む還
元性水溶液により還元処理する。還元性水溶液は、ｐＨ
１０程度以上が好ましく、ｐＨ１１〜１３程度がより好
ましい。還元剤のみで上記ｐＨ範囲とならない場合に
は、アルカリ塩を添加して上記ｐＨ範囲に調整すればよ
い。使用するアルカリ性塩としては、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、リン酸ナトリウ
ムなどがあげられる。処理方法は、特に限定的ではない
が、通常、供試材を溶液中に浸漬すればよい。還元処理
に際しての具体的な液組成および条件は、大要以下の通
りである。
【００２８】還元剤 ０．５〜２０ｇ／
ｌ、好ましくは１〜１０ｇ／ｌ アルカリ性塩 ０〜１０ｇ／ｌ、好ましくは１
〜５ｇ／ｌ 処理温度 ２０〜６０℃、好ましくは３０
〜４０℃、 処理時間 ０．５〜１０分、好ましくは１
〜５分 前記の工程で吸着されたパラジウムイオンは、この工程
において、純粋な導電性金属に還元されるので、無電解
めっきを行なうことなく、非導電性材料に、直接電気め
っきを行なうことが可能となる。
ｌ、好ましくは１〜１０ｇ／ｌ アルカリ性塩 ０〜１０ｇ／ｌ、好ましくは１
〜５ｇ／ｌ 処理温度 ２０〜６０℃、好ましくは３０
〜４０℃、 処理時間 ０．５〜１０分、好ましくは１
〜５分 前記の工程で吸着されたパラジウムイオンは、この工程
において、純粋な導電性金属に還元されるので、無電解
めっきを行なうことなく、非導電性材料に、直接電気め
っきを行なうことが可能となる。
【００２９】電気めっき処理 次いで、供試材を常法に従って電気めっき処理に供す
る。電気めっき処理浴および処理条件は、特に限定され
るものではなく、従来公知のいずれの電気めっき処理も
可能である。電気めっき処理浴および処理条件の一例を
挙げれば、下記の通りである。
る。電気めっき処理浴および処理条件は、特に限定され
るものではなく、従来公知のいずれの電気めっき処理も
可能である。電気めっき処理浴および処理条件の一例を
挙げれば、下記の通りである。
【００３０】硫酸銅めっき浴 硫酸銅 ４０〜１００ｇ／ｌ、好ましくは６０〜
８０ｇ／ｌ 硫酸 １００〜３００ｇ／ｌ、好ましくは１５
０〜２５０ｇ／ｌ 塩素イオン ３０〜１００ｍｇ／ｌ、好ましくは４０
〜８０ｍｇ／ｌ 光沢剤 適量 処理温度 １０〜４０℃、好ましくは１５〜３０℃ 陰極電流密度 ０．５〜１０Ａ／ｄｍ2 、好ましくは１
〜５Ａ／ｄｍ2 ピロリン酸銅めっき浴 ピロリン酸銅 ５０〜１５０ｇ／ｌ、好ましくは
７０〜１１０ｇ／ｌ ピロリン酸カリウム ２００〜５００ｇ／ｌ、好ましく
は２５０〜４００ｇ／ｌ アンモニア水（28%) １〜７ｍｌ／ｌ、好ましくは２〜
４ｍｌ／ｌ 光沢剤 適量 処理温度 ４０〜７０℃、好ましくは５０〜
６０℃ 陰極電流密度 ０．５〜８Ａ／ｄｍ2 、好ましく
は１〜５Ａ／ｄｍ2 一般に、上記電気めっき処理に先立って、活性化処理を
行なう。活性化処理は、使用するめっき処理浴の種類に
応じて、通常行なわれている処理方法を採用すればよ
い。その具体例を挙げれば、下記の通りである。
８０ｇ／ｌ 硫酸 １００〜３００ｇ／ｌ、好ましくは１５
０〜２５０ｇ／ｌ 塩素イオン ３０〜１００ｍｇ／ｌ、好ましくは４０
〜８０ｍｇ／ｌ 光沢剤 適量 処理温度 １０〜４０℃、好ましくは１５〜３０℃ 陰極電流密度 ０．５〜１０Ａ／ｄｍ2 、好ましくは１
〜５Ａ／ｄｍ2 ピロリン酸銅めっき浴 ピロリン酸銅 ５０〜１５０ｇ／ｌ、好ましくは
７０〜１１０ｇ／ｌ ピロリン酸カリウム ２００〜５００ｇ／ｌ、好ましく
は２５０〜４００ｇ／ｌ アンモニア水（28%) １〜７ｍｌ／ｌ、好ましくは２〜
４ｍｌ／ｌ 光沢剤 適量 処理温度 ４０〜７０℃、好ましくは５０〜
６０℃ 陰極電流密度 ０．５〜８Ａ／ｄｍ2 、好ましく
は１〜５Ａ／ｄｍ2 一般に、上記電気めっき処理に先立って、活性化処理を
行なう。活性化処理は、使用するめっき処理浴の種類に
応じて、通常行なわれている処理方法を採用すればよ
い。その具体例を挙げれば、下記の通りである。
【００３１】硫酸（98%) １０〜１５０ｍｌ／ｌ、好
ましくは５０〜１００ｍｌ／ｌ 処理温度 １０〜３０℃、好ましくは１５〜２５℃ 処理時間 ０．１〜３分、好ましくは０．５〜１分 また、本発明方法では、プリント配線基板を被処理物と
する場合には、電気めっき処理に先立って、ソフトエッ
チング処理を行なうことが好ましい。ソフトエッチング
処理により、供試材表面の銅箔上の異物を除去して清浄
化することができ、後工程の電気めっきの密着性をより
確実にすることができる。上記工程で形成されるパラジ
ウム金属層は、電気めっきの密着性に悪影響を与えない
ので、ソフトエッチング処理は、電気めっき処理の前で
あれば、どの段階で行なってもよく、上記した各処理工
程の前後の任意の時期に行えばよい。ソフトエッチング
処理液およびその条件も、特に限定されるものではない
が、その具体例を挙げれば、下記の通りである。
ましくは５０〜１００ｍｌ／ｌ 処理温度 １０〜３０℃、好ましくは１５〜２５℃ 処理時間 ０．１〜３分、好ましくは０．５〜１分 また、本発明方法では、プリント配線基板を被処理物と
する場合には、電気めっき処理に先立って、ソフトエッ
チング処理を行なうことが好ましい。ソフトエッチング
処理により、供試材表面の銅箔上の異物を除去して清浄
化することができ、後工程の電気めっきの密着性をより
確実にすることができる。上記工程で形成されるパラジ
ウム金属層は、電気めっきの密着性に悪影響を与えない
ので、ソフトエッチング処理は、電気めっき処理の前で
あれば、どの段階で行なってもよく、上記した各処理工
程の前後の任意の時期に行えばよい。ソフトエッチング
処理液およびその条件も、特に限定されるものではない
が、その具体例を挙げれば、下記の通りである。
【００３２】過硫酸塩タイプ 過硫酸ナトリウム または過硫酸アンモニウム ５０〜３００ｇ／ｌ、好ま
しくは１００〜２００ｇ／ｌ 硫酸（98%) ０〜５００ｍｌ／ｌ、好ま
しくは５〜２０ｍｌ／ｌ 処理温度 １０〜４０℃、好ましくは
２０〜３０℃ 処理時間 ０．５〜３分、好ましくは
１〜２分 硫酸−過酸化水素タイプ 硫酸（98%) １０〜１５０ｍｌ／ｌ、好
ましくは３０〜１００ｍｌ／ｌ 過酸化水素（35%) ３０〜２００ｍｌ／ｌ、好
ましくは５０〜１５０ｍｌ／ｌ 安定剤 適量 処理温度 １０〜５０℃、好ましくは
２０〜４０℃ 処理時間 ０．５〜５分、好ましくは
１〜３分 また、本発明では、被処理物が多層プリント配線基板で
ある場合には、上記したシランカップリング剤処理に先
立って、デスミア処理を行うことが好ましい。デスミア
処理とは、多層基板をスルーホールめっきする際に通常
行われる処理であり、基板を穴開けした際に生じるスミ
ア（熱変質物）が、内層銅箔上に付着して導通信頼性を
阻害するのを防止するために行なう処理である。デスミ
ア処理法としては、プラズマ法、クロム酸法、硫酸法、
過マンガン酸塩法等があるが、環境汚染等の問題から、
過マンガン酸塩法が主流となっている。以下に過マンガ
ン酸塩法によるデスミア処理の概略を説明する。
しくは１００〜２００ｇ／ｌ 硫酸（98%) ０〜５００ｍｌ／ｌ、好ま
しくは５〜２０ｍｌ／ｌ 処理温度 １０〜４０℃、好ましくは
２０〜３０℃ 処理時間 ０．５〜３分、好ましくは
１〜２分 硫酸−過酸化水素タイプ 硫酸（98%) １０〜１５０ｍｌ／ｌ、好
ましくは３０〜１００ｍｌ／ｌ 過酸化水素（35%) ３０〜２００ｍｌ／ｌ、好
ましくは５０〜１５０ｍｌ／ｌ 安定剤 適量 処理温度 １０〜５０℃、好ましくは
２０〜４０℃ 処理時間 ０．５〜５分、好ましくは
１〜３分 また、本発明では、被処理物が多層プリント配線基板で
ある場合には、上記したシランカップリング剤処理に先
立って、デスミア処理を行うことが好ましい。デスミア
処理とは、多層基板をスルーホールめっきする際に通常
行われる処理であり、基板を穴開けした際に生じるスミ
ア（熱変質物）が、内層銅箔上に付着して導通信頼性を
阻害するのを防止するために行なう処理である。デスミ
ア処理法としては、プラズマ法、クロム酸法、硫酸法、
過マンガン酸塩法等があるが、環境汚染等の問題から、
過マンガン酸塩法が主流となっている。以下に過マンガ
ン酸塩法によるデスミア処理の概略を説明する。
【００３３】過マンガン酸塩法の工程 （１）膨潤：グリコールエーテル系溶剤を含むアルカリ
性溶液で処理することにより、スミアを膨潤させ、後工
程での酸化分解を促す。処理液及び処理条件の具体例を
挙げると次の通りである。
性溶液で処理することにより、スミアを膨潤させ、後工
程での酸化分解を促す。処理液及び処理条件の具体例を
挙げると次の通りである。
【００３４】グリコールエーテル系溶剤 ５０〜９００
ｍｌ／ｌ、好ましくは１００〜３００ｍｌ／ｌ 水酸化ナトリウム １〜５０ｇ／ｌ、好ましく
は５〜３０ｇ／ｌ 界面活性剤 適量 処理温度 ２０〜８０℃、好ましくは
４０〜７０℃ （２）エッチング：アルカリ性の過マンガン酸塩溶液
で、スミアを分解して除去する。処理液及び処理条件の
具体例を挙げると次の通りである。
ｍｌ／ｌ、好ましくは１００〜３００ｍｌ／ｌ 水酸化ナトリウム １〜５０ｇ／ｌ、好ましく
は５〜３０ｇ／ｌ 界面活性剤 適量 処理温度 ２０〜８０℃、好ましくは
４０〜７０℃ （２）エッチング：アルカリ性の過マンガン酸塩溶液
で、スミアを分解して除去する。処理液及び処理条件の
具体例を挙げると次の通りである。
【００３５】過マンガン酸カリウム又はナトリウム
２０〜１００ｇ／ｌ、好ましくは４０〜６０ｇ／ｌ 水酸化カリウム又はナトリウム ５〜５０ｇ／
ｌ、好ましくは２０〜４０ｇ／ｌ 界面活性剤 適量 処理温度 ５０〜９５
℃、好ましくは７０〜９０℃ 処理時間 １〜１５分、
好ましくは３〜１０分 （３）中和：過マンガン酸塩による処理において生じた
マンガン酸化物（主として二酸化マンガン）を溶解して
基板から除去する。処理液及び処理条件の具体例を挙げ
ると次の通りである。
２０〜１００ｇ／ｌ、好ましくは４０〜６０ｇ／ｌ 水酸化カリウム又はナトリウム ５〜５０ｇ／
ｌ、好ましくは２０〜４０ｇ／ｌ 界面活性剤 適量 処理温度 ５０〜９５
℃、好ましくは７０〜９０℃ 処理時間 １〜１５分、
好ましくは３〜１０分 （３）中和：過マンガン酸塩による処理において生じた
マンガン酸化物（主として二酸化マンガン）を溶解して
基板から除去する。処理液及び処理条件の具体例を挙げ
ると次の通りである。
【００３６】硫酸（98%) １０〜１００
ｇ／ｌ、好ましくは３０〜６０ｇ／ｌ 還元剤 適量 界面活性剤 適量 処理温度 ２０〜６０℃、好ましくは
３０〜５０℃ 処理時間 １〜１０分、好ましくは２
〜５分
ｇ／ｌ、好ましくは３０〜６０ｇ／ｌ 還元剤 適量 界面活性剤 適量 処理温度 ２０〜６０℃、好ましくは
３０〜５０℃ 処理時間 １〜１０分、好ましくは２
〜５分
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、無電解銅めっき工程を
経ることなく、非導電性材料表面に直接電気めっき層を
形成することができる。従って、電気めっき層の形成に
至るまでの時間が、無電解めっき工程を必須とする従来
法に比して、約１／２程度に短縮されるので、産業上の
利益は極めて大きい。
経ることなく、非導電性材料表面に直接電気めっき層を
形成することができる。従って、電気めっき層の形成に
至るまでの時間が、無電解めっき工程を必須とする従来
法に比して、約１／２程度に短縮されるので、産業上の
利益は極めて大きい。
【００３８】
【実施例】以下に実施例を示し、本発明の特徴とすると
ころをより一層明確にする。
ころをより一層明確にする。
【００３９】実施例１ 穴開けして整面研摩した両面銅張り基板を、３−アミノ
プロピルトリエトキシシラン５ｇ／ｌ及び非イオン性界
面活性剤５ｇ／ｌを含有する水溶液にて７０℃で５分間
処理した後、水洗して１００ｇ／ｌ硫酸水溶液に２５℃
で３分間浸漬した。次いで基板を水洗し、ドデシルベン
ゼンスルホン酸ナトリウム１０ｇ／ｌを含有する水溶液
に、２５℃で３分間浸漬した。その後、基板を充分に水
洗して、下記のパラジウム塩含有水溶液に２５℃で５分
間浸漬した。
プロピルトリエトキシシラン５ｇ／ｌ及び非イオン性界
面活性剤５ｇ／ｌを含有する水溶液にて７０℃で５分間
処理した後、水洗して１００ｇ／ｌ硫酸水溶液に２５℃
で３分間浸漬した。次いで基板を水洗し、ドデシルベン
ゼンスルホン酸ナトリウム１０ｇ／ｌを含有する水溶液
に、２５℃で３分間浸漬した。その後、基板を充分に水
洗して、下記のパラジウム塩含有水溶液に２５℃で５分
間浸漬した。
【００４０】塩化パラジウム １ｇ／ｌ 塩酸 １ｍｌ／ｌ チオ尿素 １．５ｇ／ｌ 酢酸ナトリウムにてｐＨ４に調整 次いで、基板を水洗したのち、ジメチルアミンボラン２
ｇ／ｌ及び水酸化ナトリウム１ｇ／ｌを含有する還元性
水溶液に３５℃で３分間浸漬した。次いで、基板を水洗
し、過硫酸ナトリウム２００ｇ／ｌ及び硫酸（９８％）
１０ｍｌ／ｌを含有するソフトエッチング液にて、銅箔
部分を２５℃で１分間エッチング洗浄した。
ｇ／ｌ及び水酸化ナトリウム１ｇ／ｌを含有する還元性
水溶液に３５℃で３分間浸漬した。次いで、基板を水洗
し、過硫酸ナトリウム２００ｇ／ｌ及び硫酸（９８％）
１０ｍｌ／ｌを含有するソフトエッチング液にて、銅箔
部分を２５℃で１分間エッチング洗浄した。
【００４１】上記工程にて処理した基板を、常法に従
い、１００ｇ／ｌ硫酸水溶液にて活性化した後、以下に
示す硫酸銅めっき液で、２３℃、２Ａ／ｄｍ2 の条件下
に５分間電気銅めっきを行った。
い、１００ｇ／ｌ硫酸水溶液にて活性化した後、以下に
示す硫酸銅めっき液で、２３℃、２Ａ／ｄｍ2 の条件下
に５分間電気銅めっきを行った。
【００４２】硫酸銅 ７０ｇ／ｌ 硫酸 ２００ｇ／ｌ 塩素イオン ５０ｍｇ／ｌ 光沢剤 ２．５ｍｌ／ｌ（商標「トップルチナ
８１−ＨＬ」、奥野製薬工業（株）製） めっき完了後に、基板のスルーホール内壁は完全に銅め
っき皮膜で覆われていた。
８１−ＨＬ」、奥野製薬工業（株）製） めっき完了後に、基板のスルーホール内壁は完全に銅め
っき皮膜で覆われていた。
【００４３】実施例２ 穴開けして整面研摩した両面銅張り基板を、イソプロピ
ルアルコールに３−グリシドキシトリメトキシシラン１
０ｇ／ｌを溶解した処理液にて２５℃で３分間処理した
後、水洗して１００ｇ／ｌ硫酸水溶液に２５℃で５分間
浸漬した。次いで、基板を水洗し、ポリオキシエチレン
ラウリルエーテルリン酸５ｇ／ｌを含有する水溶液に２
５℃で３分間浸漬した。その後、基板を充分に水洗し
て、下記のパラジウム塩含有水溶液に２５℃で３分間浸
漬した。
ルアルコールに３−グリシドキシトリメトキシシラン１
０ｇ／ｌを溶解した処理液にて２５℃で３分間処理した
後、水洗して１００ｇ／ｌ硫酸水溶液に２５℃で５分間
浸漬した。次いで、基板を水洗し、ポリオキシエチレン
ラウリルエーテルリン酸５ｇ／ｌを含有する水溶液に２
５℃で３分間浸漬した。その後、基板を充分に水洗し
て、下記のパラジウム塩含有水溶液に２５℃で３分間浸
漬した。
【００４４】塩化パラジウム １ｇ／ｌ 塩酸 １ｍｌ／ｌ チオアセトアミド ２ｇ／ｌ グルコン酸ナトリウムおよび水酸化ナトリウムにてｐＨ
７に調整。
７に調整。
【００４５】次いで、基板を水洗した後、ヒドラジン１
０ｇ／ｌ及び水酸化ナトリウム２ｇ／ｌを含有する還元
性水溶液に４０℃で５分間浸漬した。次いで基板を水洗
し、硫酸（９８％）７０ｍｌ／ｌ、過酸化水素（３５
％）５０ｍｌ／ｌ及び安定剤（商標「ＯＰＣ−４５０
ソフトエッチ」奥野製薬工業（株）製）５０ｍｌ／ｌを
含有するソフトエッチング液にて、銅箔部分を２５℃で
１分間エッチング洗浄した。以下、実施例１と同条件に
て電気銅めっきを行った。
０ｇ／ｌ及び水酸化ナトリウム２ｇ／ｌを含有する還元
性水溶液に４０℃で５分間浸漬した。次いで基板を水洗
し、硫酸（９８％）７０ｍｌ／ｌ、過酸化水素（３５
％）５０ｍｌ／ｌ及び安定剤（商標「ＯＰＣ−４５０
ソフトエッチ」奥野製薬工業（株）製）５０ｍｌ／ｌを
含有するソフトエッチング液にて、銅箔部分を２５℃で
１分間エッチング洗浄した。以下、実施例１と同条件に
て電気銅めっきを行った。
【００４６】めっき時間３分経過後には、基板のスルー
ホール内壁は完全に銅めっき皮膜で覆われていた。
ホール内壁は完全に銅めっき皮膜で覆われていた。
【００４７】実施例３ 穴開けして整面研摩した両面銅張り基板を、Ｎ−２−
（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン７ｇ／ｌ及び非イオン性界面活性剤２ｇ／ｌを含有
する水溶液にて７５℃で３分間処理した後、基板を水洗
し、過硫酸ナトリウム２００ｇ／ｌ及び硫酸（９８％）
１０ｍｌ／ｌを含有するソフトエッチング液にて、銅箔
部分を２５℃で１分間エッチング洗浄した。次いで、１
００ｇ／ｌ硫酸水溶液に２５℃で２分間浸漬した後水洗
し、スルホコハク酸ジオクチルナトリウム５ｇ／ｌを含
有する水溶液に２５℃で２分間浸漬した。その後、基板
を充分に水洗して、下記のパラジウム塩含有水溶液に２
５℃で３分間浸漬した。
（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン７ｇ／ｌ及び非イオン性界面活性剤２ｇ／ｌを含有
する水溶液にて７５℃で３分間処理した後、基板を水洗
し、過硫酸ナトリウム２００ｇ／ｌ及び硫酸（９８％）
１０ｍｌ／ｌを含有するソフトエッチング液にて、銅箔
部分を２５℃で１分間エッチング洗浄した。次いで、１
００ｇ／ｌ硫酸水溶液に２５℃で２分間浸漬した後水洗
し、スルホコハク酸ジオクチルナトリウム５ｇ／ｌを含
有する水溶液に２５℃で２分間浸漬した。その後、基板
を充分に水洗して、下記のパラジウム塩含有水溶液に２
５℃で３分間浸漬した。
【００４８】塩化パラジウム ０．５ｇ／ｌ 塩酸 ０．３ｍｌ／ｌ チオセミカルバジッド ２ｇ／ｌ グルコン酸ナトリウムおよび酢酸ナトリウムにてｐＨ６
に調整。
に調整。
【００４９】次いで、基板を水洗した後、次亜リン酸ナ
トリウム１０ｇ／ｌ及び水酸化ナトリウム５ｇ／ｌを含
有する還元性水溶液に３５℃で３分間浸漬した。次い
で、常法に従い、１００ｇ／ｌ硫酸水溶液にて活性化し
た後、実施例１に示した硫酸銅めっき液にて、２５℃、
１Ａ／ｄｍ2 の条件下に５分間電気銅めっきを行なっ
た。
トリウム１０ｇ／ｌ及び水酸化ナトリウム５ｇ／ｌを含
有する還元性水溶液に３５℃で３分間浸漬した。次い
で、常法に従い、１００ｇ／ｌ硫酸水溶液にて活性化し
た後、実施例１に示した硫酸銅めっき液にて、２５℃、
１Ａ／ｄｍ2 の条件下に５分間電気銅めっきを行なっ
た。
【００５０】めっき完了後に、基板のスルーノール内壁
は完全に銅めっき皮膜で覆われていた。
は完全に銅めっき皮膜で覆われていた。
【００５１】実施例４ 穴開けして整面研摩した両面銅張り基板を、３−アミノ
プロピルトリエトキシシラン５ｇ／ｌ及び非イオン性界
面活性剤３ｇ／ｌを含有する水溶液にて７５℃で５分間
処理した後、水洗して１００ｇ／ｌ硫酸水溶液に２５℃
で３分間浸漬した。次いで基板を水洗し、ポリオキシエ
チレンラウリルエーテル硫酸ナトリウム５ｇ／ｌを含有
する水溶液に２５℃で１分間浸漬した。その後、基板を
水洗し、硫酸（９８％）１００ｍｌ／ｌ、過酸化水素
（３５％）１００ｍｌ／ｌ及び安定剤（商標「ＯＰＣ−
４５０ ソフトエッチ」奥野製薬工業（株）製）５０ｍ
ｌ／ｌを含有するソフトエッチング液にて、銅箔部分を
２５℃で１分間エッチング洗浄した。次いで基板を水洗
し、下記のパラジウム塩含有水溶液に２５℃で３分間浸
漬した。
プロピルトリエトキシシラン５ｇ／ｌ及び非イオン性界
面活性剤３ｇ／ｌを含有する水溶液にて７５℃で５分間
処理した後、水洗して１００ｇ／ｌ硫酸水溶液に２５℃
で３分間浸漬した。次いで基板を水洗し、ポリオキシエ
チレンラウリルエーテル硫酸ナトリウム５ｇ／ｌを含有
する水溶液に２５℃で１分間浸漬した。その後、基板を
水洗し、硫酸（９８％）１００ｍｌ／ｌ、過酸化水素
（３５％）１００ｍｌ／ｌ及び安定剤（商標「ＯＰＣ−
４５０ ソフトエッチ」奥野製薬工業（株）製）５０ｍ
ｌ／ｌを含有するソフトエッチング液にて、銅箔部分を
２５℃で１分間エッチング洗浄した。次いで基板を水洗
し、下記のパラジウム塩含有水溶液に２５℃で３分間浸
漬した。
【００５２】塩化パラジウム ０．５ｇ／ｌ 塩酸 ０．５ｍｌ／ｌ ジメチルチオ尿素 １．５ｇ／ｌ 酢酸ナトリウムにてｐＨ５に調整 次いで、基板を水洗した後、水素化ホウ素ナトリウム５
ｇ／ｌ及び水酸化ナトリウム３ｇ／ｌを含有する還元性
水溶液に３０℃で３分間浸漬した。
ｇ／ｌ及び水酸化ナトリウム３ｇ／ｌを含有する還元性
水溶液に３０℃で３分間浸漬した。
【００５３】以下、常法に従い、水洗して活性化した
後、実施例１に示した硫酸銅めっき液にて、２５℃、３
Ａ／ｄｍ2 の条件下に２分間電気めっきした。
後、実施例１に示した硫酸銅めっき液にて、２５℃、３
Ａ／ｄｍ2 の条件下に２分間電気めっきした。
【００５４】めっき完了後に、基板のスルーホール内壁
は完全に銅めっき皮膜で覆われていた。
は完全に銅めっき皮膜で覆われていた。
【００５５】実施例５ 穴開けして整面研摩した両面銅張り基板を、Ｎ−２−
（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン７ｇ／ｌ及び非イオン性界面活性剤２ｇ／ｌを含有
する水溶液にて７５℃で３分間処理した後水洗し、硫酸
（９８％）７０ｍｌ／ｌ、過酸化水素（３５％）５０ｍ
ｌ／ｌ及び安定剤（商標「ＯＰＣ−４５０ソフトエッ
チ」奥野製薬工業（株）製）５０ｍｌ／ｌを含有するソ
フトエッチング液にて、銅箔部分を２５℃で２分間エッ
チング洗浄した。次いで基板を水洗した後、ポリオキシ
エチレンアルキルフェニルエーテルリン酸５ｇ／ｌを含
有する水溶液に２５℃で２分間浸漬した。その後、基板
を充分水洗して、下記のパラジウム塩含有水溶液に２０
℃で２分間浸漬した。
（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン７ｇ／ｌ及び非イオン性界面活性剤２ｇ／ｌを含有
する水溶液にて７５℃で３分間処理した後水洗し、硫酸
（９８％）７０ｍｌ／ｌ、過酸化水素（３５％）５０ｍ
ｌ／ｌ及び安定剤（商標「ＯＰＣ−４５０ソフトエッ
チ」奥野製薬工業（株）製）５０ｍｌ／ｌを含有するソ
フトエッチング液にて、銅箔部分を２５℃で２分間エッ
チング洗浄した。次いで基板を水洗した後、ポリオキシ
エチレンアルキルフェニルエーテルリン酸５ｇ／ｌを含
有する水溶液に２５℃で２分間浸漬した。その後、基板
を充分水洗して、下記のパラジウム塩含有水溶液に２０
℃で２分間浸漬した。
【００５６】塩化パラジウム ０．７５ｇ／ｌ 塩酸 １ｍｌ／ｌ チオ尿素 ５ｇ／ｌ Ｎ−ヒドロキシエチルエチレンジアミンにてｐＨ９に調
整 次いで、基板を水洗した後、グリオキシル酸１０ｇ／ｌ
及び水酸化ナトリウム１０ｇ／ｌを含有する還元性水溶
液に３５℃で３分間浸漬した。
整 次いで、基板を水洗した後、グリオキシル酸１０ｇ／ｌ
及び水酸化ナトリウム１０ｇ／ｌを含有する還元性水溶
液に３５℃で３分間浸漬した。
【００５７】以下、常法に従い、水洗して活性化した
後、実施例１に示した硫酸銅めっき液にて、２５℃、
２．５Ａ／ｄｍ2 の条件下に２分間電気めっきした。
後、実施例１に示した硫酸銅めっき液にて、２５℃、
２．５Ａ／ｄｍ2 の条件下に２分間電気めっきした。
【００５８】めっき完了後に、基板のスルーホール内壁
は完全に銅めっき皮膜で覆われていた。
は完全に銅めっき皮膜で覆われていた。
【００５９】実施例６ 常法に従い過マンガン酸塩でデスミア処理を行なった４
層多層基板を用いた以外は、実施例１と同一条件にて処
理した。
層多層基板を用いた以外は、実施例１と同一条件にて処
理した。
【００６０】めっき完了後に、基板のスルーホール内壁
は完全に銅めっき皮膜で覆われていた。
は完全に銅めっき皮膜で覆われていた。
【００６１】実施例７ 常法に従い過マンガン酸塩でデスミア処理を行った４層
多層基板を、実施例２の方法に従って処理した。
多層基板を、実施例２の方法に従って処理した。
【００６２】但し、還元性水溶液に浸漬した後、基板を
十分に水洗して乾燥し、めっきレジストにより回路パタ
ーン描いた。次いで、常法に従って、基板に対して酸脱
脂、ソフトエッチングを行なった後、実施例１に示した
硫酸銅めっき液にて、２５℃、２．５Ａ／ｄｍ2 で５０
分間のパターンめっきを施した。次いで、常法に従っ
て、ハンダめっき、レジスト剥離、エッチングの各処理
を経て、回路パターンを形成した。
十分に水洗して乾燥し、めっきレジストにより回路パタ
ーン描いた。次いで、常法に従って、基板に対して酸脱
脂、ソフトエッチングを行なった後、実施例１に示した
硫酸銅めっき液にて、２５℃、２．５Ａ／ｄｍ2 で５０
分間のパターンめっきを施した。次いで、常法に従っ
て、ハンダめっき、レジスト剥離、エッチングの各処理
を経て、回路パターンを形成した。
【００６３】この様して作製した回路パターンを、２６
０℃、５秒と２０℃、２０秒からなるサイクルのホット
オイル試験に供した。その結果、１００サイクル後にお
いても回路の抵抗値変化は２％以内であり、本発明プロ
セスの高い信頼性が実証された。
０℃、５秒と２０℃、２０秒からなるサイクルのホット
オイル試験に供した。その結果、１００サイクル後にお
いても回路の抵抗値変化は２％以内であり、本発明プロ
セスの高い信頼性が実証された。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−112453（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−52078（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−20495（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−181294（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−70961（ＪＰ，Ａ) 特表 平５−504167（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C25D 5/54 C25D 5/56 H05K 3/18 H05K 3/42
Claims (6)
- 【請求項１】非導電性材料を下記の工程で処理すること
を特徴とする非導電性材料のめっき方法： （１）非導電性材料をシランカップリング剤を含有する
溶液で処理する工程、（２）上記（１）工程からの非導
電性材料をアニオン性界面活性剤を含有する溶液で処理
する工程、（３）上記（２）工程からの非導電性材料
を、チオ尿素及びその誘導体からなる含窒素硫黄化合物
の少なくとも一種とパラジウム化合物とを含有する溶液
で処理する工程、（４）上記（３）工程からの非導電性
材料を水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸ナトリウ
ム、ヒドラジン、ジメチルアミンボラン、ヒドロキシル
アミン及びグリオキシル酸の少なくとも１種を含有する
還元性溶液により還元処理する工程、（５）上記（４）
工程からの非導電性材料に電気めっき層を直接形成する
工程。 - 【請求項２】請求項１に記載のめっき方法において、
（３）工程における処理液中のパラジウムイオン濃度
が、０．１〜１０ｇ／ｌの範囲内にあり、含窒素硫黄化
合物濃度が、パラジウムイオン１モルに対し１〜５０モ
ルの範囲内にあるめっき方法。 - 【請求項３】請求項２に記載のめっき方法において、含
窒素硫黄化合物がチオ尿素、チオアセトアミド、チオセ
ミカルバジド及びジメチルチオ尿素のいずれかであるめ
っき方法。 - 【請求項４】両面プリント配線板或いは多層プリント配
線板を下記の工程で処理することを特徴とするプリント
配線板のスルーホールめっき方法： （１）穴開けして整面研磨し、洗浄したプリント配線板
を、シランカップリング剤を含有する溶液で処理する工
程、（２）上記（１）工程からのプリント配線板を、ア
ニオン性界面活性剤を含有する溶液で処理する工程、
（３）上記（２）工程からのプリント配線板を、チオ尿
素及びその誘導体からなる含窒素硫黄化合物の少なくと
も一種とパラジウム化合物とを含有する溶液で処理する
工程、（４）上記（３）工程からのプリント配線板を、
水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、ヒド
ラジン、ジメチルアミンボラン、ヒドロキシルアミン及
びグリオキシル酸の少なくとも１種を含有する還元性溶
液により還元処理する工程、（５）上記（４）工程から
のプリント配線板に電気めっき層を直接形成する工程。 - 【請求項５】請求項４に記載のめっき方法において、
（３）工程における処理液中のパラジウムイオン濃度
が、０．１〜１０ｇ／ｌの範囲内にあり、含窒素硫黄化
合物濃度が、パラジウムイオン１モルに対し１〜５０モ
ルの範囲内にあるめっき方法。 - 【請求項６】請求項５に記載のめっき方法において、含
窒素硫黄化合物がチオ尿素、チオアセトアミド、チオセ
ミカルバジドおよびジメチルチオ尿素のいずれかである
めっき方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12131193A JP3286744B2 (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | 非導電性材料表面に電気めっき層を直接形成する方法 |
| PCT/JP1994/000826 WO2004092451A1 (ja) | 1993-05-24 | 1994-05-04 | 非導電性材料表面に電気めっき層を直接形成する方法 |
| US08/374,576 US5616230A (en) | 1993-05-24 | 1994-05-24 | Method for direct-electroplating an electrically nonconductive substrate |
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|---|---|---|---|
| JP12131193A JP3286744B2 (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | 非導電性材料表面に電気めっき層を直接形成する方法 |
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| JPH06330378A JPH06330378A (ja) | 1994-11-29 |
| JP3286744B2 true JP3286744B2 (ja) | 2002-05-27 |
Family
ID=14808105
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP12131193A Expired - Lifetime JP3286744B2 (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | 非導電性材料表面に電気めっき層を直接形成する方法 |
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| US5902475A (en) * | 1997-04-08 | 1999-05-11 | Interventional Technologies, Inc. | Method for manufacturing a stent |
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|---|---|---|---|---|
| US4255194A (en) * | 1979-01-15 | 1981-03-10 | Mine Safety Appliances Company | Palladium alloy baths for the electroless deposition |
| US4316779A (en) * | 1980-09-26 | 1982-02-23 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Process for electroplating palladium on articles comprising copper |
| JPS63227784A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-22 | Toyobo Co Ltd | 無電解めつき触媒の付与方法 |
| US4810333A (en) * | 1987-12-14 | 1989-03-07 | Shipley Company Inc. | Electroplating process |
| US4873136A (en) * | 1988-06-16 | 1989-10-10 | General Electric Company | Method for preparing polymer surfaces for subsequent plating thereon, and improved metal-plated plastic articles made therefrom |
| JPH02153077A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-12 | Kuraray Co Ltd | 電気絶縁体のメッキ方法 |
| JPH0633499B2 (ja) * | 1988-12-27 | 1994-05-02 | 上村工業株式会社 | 非導電体へのめっき方法 |
| US4988413A (en) * | 1989-02-17 | 1991-01-29 | The Boeing Company | Reducing plating anomalies in electroplated fine geometry conductive features |
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1993
- 1993-05-24 JP JP12131193A patent/JP3286744B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-05-04 WO PCT/JP1994/000826 patent/WO2004092451A1/ja active Application Filing
- 1994-05-24 US US08/374,576 patent/US5616230A/en not_active Expired - Fee Related
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| US5616230A (en) | 1997-04-01 |
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