JPH079078B2 - 非導電体表面に直接電気メッキする方法 - Google Patents

非導電体表面に直接電気メッキする方法

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JPH079078B2
JPH079078B2 JP6741990A JP6741990A JPH079078B2 JP H079078 B2 JPH079078 B2 JP H079078B2 JP 6741990 A JP6741990 A JP 6741990A JP 6741990 A JP6741990 A JP 6741990A JP H079078 B2 JPH079078 B2 JP H079078B2
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electroplating
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palladium
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conductive surface
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JP6741990A
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大二 小林
澄夫 桂
敏之 芳片
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Okuno Chemical Industries Co Ltd
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Okuno Chemical Industries Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、非導電体に直接電気メッキする方法に関する
ものである。
従来技術 エポキシ樹脂表面などの非導電体表面に、メッキ法でプ
リント回路を製造する場合、一般に、予め複雑な工程
で、非導電体表面に無電解メッキし、その後に析出した
無電解金属表面上に電気メッキをすることが必要とされ
ていた。この方法は、非常に作業性が悪く、高価につく
だけでなく、無電解メッキ浴の操作を注意深く監視しな
いと、精度の良い製品が得難いという欠点があった。
そこで、特公昭64−8078号公報には、非導電体表面に直
接電気メッキを実施しようとする試みが開示される。こ
の方法は、電気メッキすべき非導電体表面に隣接して導
電性のコネクター部分を備えた非導電体表面に、貴金属
の金属座席−特公昭52−44540号公報に記載されるよう
な所謂シーディング剤により形成される不連続な金属核
からなる吸着座席−を形成した後に、該非導電体表面を
電気メッキ浴に浸漬し、このコネクター部分を電極とし
て使用して電気メッキするものであるが、電気メッキ浴
には、上記金属座席を形成する金属と電気メッキされる
金属との間で、電気メッキに析出速度が生ずるように、
特殊な成分(例えばメチレンブルーなど)を添加使用す
ることが必須とされるものであり、通常の電気メッキ浴
で容易に実用的なメッキが可能とされるものではなかっ
た。
発明が解決しようとする課題 本発明は、通常の電気メッキ浴を使用して、直接、非導
電体表面に均一な金属皮膜を形成する方法を提供するこ
とを課題とする。
課題を解決するための手段 本発明では、メッキすべき非導電体表面に隣接してコネ
クター部分を有する物品の上記非導電体表面にパラジウ
ム錯体を吸着させ、その後に上記コネクター部分を電極
として電気メッキ浴中で上記非導電体表面に直接電気メ
ッキするという方法において、上記パラジウム錯体とし
て特定の比率で錫とパラジウムを含有する塩化錫と塩化
パラジウムの錯体を使用し、かつ非導電体表面に吸着さ
れる錫及びパラジウムの量を特定の範囲に制御すること
によって、上記課題を効果的に解決したものである。
即ち、本発明の方法は、非導電体表面に錫とパラジウム
を重量比率で50:1〜200:1の割合で含む塩化錫と塩化パ
ラジウムの錯体を吸着させ、しかも電気メッキする時に
上記非導電体表面に吸着されている錫の量が0.06mg/dm2
以上で、パラジウムの量が0.1mg/dm2以上であり、かつ
錫とパラジウムの重量比率が0.2〜3:1であるように制御
した後に、上記非導電体表面に隣接して位置するコネク
ター部分を電極として使用し、通常の電気メッキ浴にお
いて、上記非道電体表面に直接電気メッキすることを特
徴とする。
本発明では、前述の如く、メッキされるべき非導電体表
面に吸着される錫とパラジウムを下記の範囲 Sn:0.06mg/dm2以上 Pd:0.1mg/dm2以上 Sn/Pd=0.2〜3/1 に制御することが重要であるが、この制御は、非導電体
表面に錯体を吸着させるのに使用する錯体溶液の製造条
件(塩化錫と塩化パラジウムの使用量や処理温度・時間
等)を適当に選ぶことによって、ある程度可能である
が、非導電体表面を塩化錫と塩化パラジウムの錯体溶液
(触媒化溶液)で処理した後、更に、該表面にアクセレ
レータ処理等の酸処理を適用し、吸着された錫とパラジ
ウムの量を所望の範囲に制御するのがよい。なお、錯体
溶液処理前に、非導電体表面に、該表面を均質化し、触
媒化処理し易いように、常法に従って、コンディショニ
ング処理、ソフトエッチング、プレディップ処理などを
実施してもよい。
本発明の代表的な方法は、次の工程で実施される。
1)基材表面の洗浄 弱アルカリ液で50〜70℃で約1〜5分間洗浄処理後、水
洗する。
2)コンディショニング処理 界面活性剤を含む液を用いて、常温(15〜40℃)で約2
〜5分間処理後、水洗する。
3)ソフトエッチング 過硫酸アンモン溶液を用いて、常温で約1〜2分間エッ
チング処理後、水洗する。
4)プレディップ処理 例えば、塩化ナトリウムとアミノ化合物を含む塩酸酸性
浴で、常温2〜5分間処理後、水洗する。
5)触媒処理 塩化パラジウムと塩化錫を含む液を用いて、常温で、2
〜30分間処理後、水洗する。この処理は2浴で実施され
てもよい。
6)促進剤処理 硫酸又は硫酸塩溶液を用いて、常温で1〜10分間処理
後、水洗する。この処理は、一般的なアクセレレータ処
理及び硫酸処理の片方又は両方で実施されてもよい。
7)電気メッキ 通常の電気メッキ浴を使用して、常温、1.5〜6A/dm
2で、約3〜80分間実施する。
なお、本発明では、触媒処理における錫とパラジウムの
重量比率が50:1〜200:1と規定されるが、この下限は電
気メッキを可能とする限界であり、上限は作業性の面か
ら規定されるものである。即ち、錫とパラジウムの量が
200:1以上となっても、良好な電気メッキは可能である
が、メッキさるべき非導電体表面への錫及びパラジウム
の量を規定の範囲に制御(活性化処理による錫の除去)
するのが、困難となる。
次に、本発明を実施例に従って、更に詳しく説明する。
実施例1 第1図及び第2図に示す如く、エポキシ樹脂基板(1)
の一端にコネクター部分(2)として銅箔を取りつけ、
該コネクター部分(2)を金属製のクリップ(3)で挟
み、このクリップ(3)が電極となるように、電気メッ
キ浴に浸漬し、定法に従って電気メッキした。
その方法の詳細は下記の通りである。なお、触媒処理液
中のPdCl2及びSnCl2H2Oの濃度を変化させて、Pd及びSn
の濃度による電気メッキ特性を比較した。
1)洗浄工程 奥野製薬株式会社製のクリーナーOPC-250Mの50g/溶液
を用いて、65℃で3分間処理した後、湯洗し、水洗す
る。
2)コンディショニング処理 奥野製薬株式会社製のコンディショナーOPC-350を40ml/
に希釈した液を用いて、25℃で2分間処理した後、水
洗する。
3)ソフトエッチング 過硫酸アンモンの180g/溶液を用いて、25℃で2分間
エッチング処理後、水洗する。
4)プレディップ処理 奥野製薬株式会社製のOPC-SAL140〜200g/と濃塩酸10
〜40ml/を含む液を用いて、25℃で3分間処理後、水
洗する。
5)触媒処理 第1表に示す如き濃度でPdCl2、SnCl2-H2O及び塩化ナト
リウム170〜210gを含む濃塩酸20ml/溶液で、25℃、15
分間処理後、水洗する。
6)促進剤処理 奥野製薬工業株式会社製のOPC-500M(ハロゲンを含む混
酸系アクセレレータ)100ml/を用いて、40℃で5分間
処理後、水洗する。
7)電気メッキ 硫酸銅60〜75g/、硫酸180〜200g/、塩素50〜100ppm
を含むメッキ浴を使用して、20〜30℃、2.5A/dm2で、3
〜80分間メッキする。電気メッキ(2A/dm2×3min)後の
表面の状態を、下記の5段階評価によって、第1表に示
す。
◎ 非常に良好なメッキ層が形成される。
○ 良好なメッキ層が形成される。
△ 電気メッキされるが、幾分不均一。
× 電気メッキされない。
第1表の結果から、触媒処理液におけるSn/Pdが50より
少ない場合には、均一な電気メッキが得られないことが
分かる。
実施例2 PdCl2を28g/、SnCl2H2Oを27g/含む触媒処理液(Sn/
Pd=91)を使用して、実施例1と同様の方法を実施し
た。
ただし、コンディショニング処理及び促進剤処理条件を
変化させて、電気メッキ直前のエポキシ樹脂表面におけ
る触媒析出量と電気メッキ特性の関係、及び上記処理条
件の電気メッキ特性に及ぼす影響を試験した。
試験結果を第2表に示す。促進剤処理は、奥野製薬工業
化株式会社製のOPC-500M(ハロゲンを含む混酸系アクセ
レレータ)100ml/溶液によるアクセレレータ処理と濃
度50%の濃硫酸の100ml/による希硫酸処理を使用し
た。
電気メッキ特性の評価方法は実施例1と同様である。
発明の効果 本発明では、特別な設備を要することなく、非導電体表
面に効率よく直接電気メッキすることができるものであ
り、本発明の方法は、プリント回路の製造などに非常に
安価に精度よく使用できるものである。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の実施例におけるメッキ用基板の使用状
態を示す平面図、第2図は第1図の側面図である。 (1)……基板 (2)……コネクター部分 (3)……クリップ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】メッキすべき非導電体表面に隣接してコネ
    クター部分を有する物品の上記非導電体表面にパラジウ
    ム錯体を吸着させ、その後に上記コネクター部分を電極
    として電気メッキ浴中で上記非導電体表面に直接電気メ
    ッキするものであって、上記パラジウム錯体が塩化錫と
    塩化パラジウムの錯体であり、かつ錫とパラジウムを重
    量比率で50:1〜200:1の割合で含むこと、及び電気メッ
    キする時に上記非導電体表面に吸着されている錫の量が
    0.06mg/dm2以上で、パラジウムの量が0.1mg/dm2以上で
    あり、しかも錫とパラジウムの重量比率が0.2〜3:1であ
    ることを特徴とする非導電体表面に直接電気メッキする
    方法。
JP6741990A 1990-03-16 1990-03-16 非導電体表面に直接電気メッキする方法 Expired - Lifetime JPH079078B2 (ja)

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