JPH0633499B2 - 非導電体へのめっき方法 - Google Patents
非導電体へのめっき方法Info
- Publication number
- JPH0633499B2 JPH0633499B2 JP63330683A JP33068388A JPH0633499B2 JP H0633499 B2 JPH0633499 B2 JP H0633499B2 JP 63330683 A JP63330683 A JP 63330683A JP 33068388 A JP33068388 A JP 33068388A JP H0633499 B2 JPH0633499 B2 JP H0633499B2
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- JP
- Japan
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- plating
- copper
- nickel
- electroplating
- current density
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電磁波シールド層をプラスチック等の非導電体
に形成する場合などに好適に採用される非導電体へのめ
っき方法に関する。
に形成する場合などに好適に採用される非導電体へのめ
っき方法に関する。
従来、プラスチック等の非導電体に電磁波シールド層と
して銅めっき層やニッケルめっき層を形成することが知
られている。この場合、銅めっき層、ニッケルめっき層
の形成は、プラスチック等の非導電体へのめっき方法の
常法に従がい、脱脂、エッチング等を適宜行なった後、
非導電体表面に金属パラジウム核や金属銀核を形成する
活性化処理を行ない、次いで無電解銅めっき、無電解ニ
ッケルめっきを施すという方法が採用されている。
して銅めっき層やニッケルめっき層を形成することが知
られている。この場合、銅めっき層、ニッケルめっき層
の形成は、プラスチック等の非導電体へのめっき方法の
常法に従がい、脱脂、エッチング等を適宜行なった後、
非導電体表面に金属パラジウム核や金属銀核を形成する
活性化処理を行ない、次いで無電解銅めっき、無電解ニ
ッケルめっきを施すという方法が採用されている。
また、電磁波シールド層として、銅めっき層上に更にニ
ッケルめっき層を形成することも知られている（特許公
表６２−５００３４４号公報又は米国特許第４，６６
３，２４０号公報）。これは、使用雰囲気中で銅めっき
層が酸化され、シールド効果が劣化するのをニッケルめ
っき層により防止するようにしたものであり、かかる銅
−ニッケルめっき層を形成する方法として、非導電体上
に金属粒子を分散させた有機バインダー層を形成し、そ
の上に無電解銅めっき層を形成し、更にその上に無電解
ニッケルめっき層を形成する方法を採用している。
ッケルめっき層を形成することも知られている（特許公
表６２−５００３４４号公報又は米国特許第４，６６
３，２４０号公報）。これは、使用雰囲気中で銅めっき
層が酸化され、シールド効果が劣化するのをニッケルめ
っき層により防止するようにしたものであり、かかる銅
−ニッケルめっき層を形成する方法として、非導電体上
に金属粒子を分散させた有機バインダー層を形成し、そ
の上に無電解銅めっき層を形成し、更にその上に無電解
ニッケルめっき層を形成する方法を採用している。
このように、従来は銅−ニッケルめっき層の二層からな
る電磁波シールド層を形成する場合、活性金属核を形成
した後、無電解銅めっき、無電解ニッケルめっきを施す
ことが行なわれているが、これらの工程は当然それぞれ
別個の槽で行なわれ、しかもこれら各工程間には水洗、
酸洗活性化、水洗等の工程が必要であり、工程が長くな
る。このため、特に被めっき物が大型のプラスチックで
あるような場合、搬送に細心な注意を要求され、にもか
かわらず品物の落下機会も増大する。また、銅めっき層
上に無電解ニッケルめっきを施す場合、銅は無電解ニッ
ケルめっき液に対し本質的に触媒活性でないので、無電
解ニッケルめっきが析出し難いという問題がある。この
場合、無電解ニッケルめっきのスタートを早めるため、
還元剤量を増やしたり、錯化剤量を減らすと、めっき液
が不安定化する。
る電磁波シールド層を形成する場合、活性金属核を形成
した後、無電解銅めっき、無電解ニッケルめっきを施す
ことが行なわれているが、これらの工程は当然それぞれ
別個の槽で行なわれ、しかもこれら各工程間には水洗、
酸洗活性化、水洗等の工程が必要であり、工程が長くな
る。このため、特に被めっき物が大型のプラスチックで
あるような場合、搬送に細心な注意を要求され、にもか
かわらず品物の落下機会も増大する。また、銅めっき層
上に無電解ニッケルめっきを施す場合、銅は無電解ニッ
ケルめっき液に対し本質的に触媒活性でないので、無電
解ニッケルめっきが析出し難いという問題がある。この
場合、無電解ニッケルめっきのスタートを早めるため、
還元剤量を増やしたり、錯化剤量を減らすと、めっき液
が不安定化する。
本発明は上記事情を改善するためになされたもので、一
つのめっき浴中で銅を主体とする高電導層とニッケルを
３０％（重量％、以下同じ）以上含有する耐食層との二
層を形成でき、工程が簡略化されると共に、めっき時間
も短縮することができる非導電体上へのめっき方法を提
供する。
つのめっき浴中で銅を主体とする高電導層とニッケルを
３０％（重量％、以下同じ）以上含有する耐食層との二
層を形成でき、工程が簡略化されると共に、めっき時間
も短縮することができる非導電体上へのめっき方法を提
供する。
本発明は上記目的を達成するため、非導電体の表面に金
属パラジウム核又は金属銀核を付着させた後、該非導電
体を銅塩とニッケル塩とを含有しかつ還元剤を含有する
めっき浴中に浸漬しまず０．５Ａ／ｄm2以下の低電流密
度で電気めっきを行なって銅を８０％以上、特に８５％
以上含有する銅を主体とするめっき被膜を形成し、次い
で１Ａ／ｄm2以上の高電流密度で電気めっきを行なって
ニッケルを３０％以上含有するめっき被膜を形成するよ
うにしたものである。
属パラジウム核又は金属銀核を付着させた後、該非導電
体を銅塩とニッケル塩とを含有しかつ還元剤を含有する
めっき浴中に浸漬しまず０．５Ａ／ｄm2以下の低電流密
度で電気めっきを行なって銅を８０％以上、特に８５％
以上含有する銅を主体とするめっき被膜を形成し、次い
で１Ａ／ｄm2以上の高電流密度で電気めっきを行なって
ニッケルを３０％以上含有するめっき被膜を形成するよ
うにしたものである。
即ち、本発明は、常法に従って金属パラジウム核又は金
属銀核を非導電体上に付着させた後、まず銅塩とニッケ
ル塩と還元剤とを含むめっき浴で０．５Ａ／ｄm2以下の
低電流密度において電気めっきを施し、銅を主体とする
めっき被膜を形成するものである。この場合、金属パラ
ジウム核又は金属銀核は非導電体上に極めて薄く形成さ
れており、従来はこのためまず無電解めっきを行ない、
電気めっきを行なう場合は無電解めっき後に行なってい
たものであるが、本発明によれば、最初の電気めっきは
低電流密度で行なわれ、しかもめっき浴中に次亜リン酸
塩等の還元剤が添加されているので、電気めっきと同時
に無電解めっきも行なわれ、金属パラジウム核、金属銀
核が補強され、このため薄層の金属パラジウム核や金属
銀核に直接電気めっきを施しても支障がなく、しかも、
このように低電流密度で電気めっきを行なうため、めっ
き浴中に銅塩とニッケル塩とが共存していても、銅が優
先的に析出し、銅を主体とした、例えば銅の割合が８０
％以上のめっき層が形成される。次いで、本発明は、こ
のように銅を主体とするめっき層を所定厚さに形成した
後、被めっき物をめっき浴から引き上げて別のめっき浴
に移送することなく、そのまま同一のめっき浴中で電流
密度を１Ａ／ｄm2以上に上げて電気めっきを行なう。こ
の場合、このような高電流密度でめっきを行なっても、
既にその下地膜として銅めっき膜が形成されているので
支障はなく、しかもこのように高電流密度でめっきを行
なうことにより、ニッケルを３０％以上の割合で含む耐
食性の良好なめっき層が形成されるものである。
属銀核を非導電体上に付着させた後、まず銅塩とニッケ
ル塩と還元剤とを含むめっき浴で０．５Ａ／ｄm2以下の
低電流密度において電気めっきを施し、銅を主体とする
めっき被膜を形成するものである。この場合、金属パラ
ジウム核又は金属銀核は非導電体上に極めて薄く形成さ
れており、従来はこのためまず無電解めっきを行ない、
電気めっきを行なう場合は無電解めっき後に行なってい
たものであるが、本発明によれば、最初の電気めっきは
低電流密度で行なわれ、しかもめっき浴中に次亜リン酸
塩等の還元剤が添加されているので、電気めっきと同時
に無電解めっきも行なわれ、金属パラジウム核、金属銀
核が補強され、このため薄層の金属パラジウム核や金属
銀核に直接電気めっきを施しても支障がなく、しかも、
このように低電流密度で電気めっきを行なうため、めっ
き浴中に銅塩とニッケル塩とが共存していても、銅が優
先的に析出し、銅を主体とした、例えば銅の割合が８０
％以上のめっき層が形成される。次いで、本発明は、こ
のように銅を主体とするめっき層を所定厚さに形成した
後、被めっき物をめっき浴から引き上げて別のめっき浴
に移送することなく、そのまま同一のめっき浴中で電流
密度を１Ａ／ｄm2以上に上げて電気めっきを行なう。こ
の場合、このような高電流密度でめっきを行なっても、
既にその下地膜として銅めっき膜が形成されているので
支障はなく、しかもこのように高電流密度でめっきを行
なうことにより、ニッケルを３０％以上の割合で含む耐
食性の良好なめっき層が形成されるものである。
従って、本発明によれば、銅を主体とした高電導のめっ
き層とニッケルを３０％以上含む高耐食性のめっき層と
が同一めっき浴から単に電流密度を変えるだけで連続し
て形成され、工程が短縮され、しかも電気めっきにより
両層が形成されるので、めっき時間も短縮し得、両層が
スムーズにかつ確実に形成できる。
き層とニッケルを３０％以上含む高耐食性のめっき層と
が同一めっき浴から単に電流密度を変えるだけで連続し
て形成され、工程が短縮され、しかも電気めっきにより
両層が形成されるので、めっき時間も短縮し得、両層が
スムーズにかつ確実に形成できる。
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明で被めっき物となる非導電体としては、プラスチ
ック、セラミック等であり、これらに本発明に従ってめ
っきを施す場合は、必要により脱脂、エッチング等の前
処理を行なった後、表面に金属パラジウム核又は金属銀
核を形成する活性化処理を行なう。この活性化処理は常
法によって行なうことができ、例えばパラジウム核を形
成する場合は、センシタイジング−アクチベイティング
法、キヤタライジング−アクセレレイティング法等の方
法が採用でき、また銀核を形成する場合は銀鏡反応を利
用した方法が採用し得るなど、公知の方法を用いること
ができる。
ック、セラミック等であり、これらに本発明に従ってめ
っきを施す場合は、必要により脱脂、エッチング等の前
処理を行なった後、表面に金属パラジウム核又は金属銀
核を形成する活性化処理を行なう。この活性化処理は常
法によって行なうことができ、例えばパラジウム核を形
成する場合は、センシタイジング−アクチベイティング
法、キヤタライジング−アクセレレイティング法等の方
法が採用でき、また銀核を形成する場合は銀鏡反応を利
用した方法が採用し得るなど、公知の方法を用いること
ができる。
次いで、本発明はこのように活性化処理した非導電体を
銅塩とニッケル塩とを含み、かつ還元剤を含むめっき浴
で電気めっきする。
銅塩とニッケル塩とを含み、かつ還元剤を含むめっき浴
で電気めっきする。
ここで、めっき浴としては、銅の水溶性塩、ニッケルの
水溶性塩及び錯化剤を含有するものが好適に用いられる
が、銅塩としては硫酸銅、塩化第二銅等が使用され、ニ
ッケル塩としては硫酸ニッケル、塩化ニッケル等が使用
される。この場合、銅塩の濃度は０．００１〜０．２モ
ル／、特に０．０１〜０．２モル／、ニッケル塩の
濃度は０．００１〜０．２モル／、特に０．０１〜
０．２モル／とすることができる。また、錯化剤とし
ては、０−配位のもの（例えば、酢酸，乳酸，クエン
酸，酒石酸等の各種有機酸やその塩），Ｓ−配位のもの
（例えば、チオグリコール酸，システィン）、Ｎ−配位
のもの（例えば、アンモニア，グリシン，エチレンジア
ミン）などが適宜使用されるが、特に好ましい錯化剤と
しては、クエン酸，酒石酸，チオグリコール酸，グリシ
ンやこれらの塩等が挙げられる。
水溶性塩及び錯化剤を含有するものが好適に用いられる
が、銅塩としては硫酸銅、塩化第二銅等が使用され、ニ
ッケル塩としては硫酸ニッケル、塩化ニッケル等が使用
される。この場合、銅塩の濃度は０．００１〜０．２モ
ル／、特に０．０１〜０．２モル／、ニッケル塩の
濃度は０．００１〜０．２モル／、特に０．０１〜
０．２モル／とすることができる。また、錯化剤とし
ては、０−配位のもの（例えば、酢酸，乳酸，クエン
酸，酒石酸等の各種有機酸やその塩），Ｓ−配位のもの
（例えば、チオグリコール酸，システィン）、Ｎ−配位
のもの（例えば、アンモニア，グリシン，エチレンジア
ミン）などが適宜使用されるが、特に好ましい錯化剤と
しては、クエン酸，酒石酸，チオグリコール酸，グリシ
ンやこれらの塩等が挙げられる。
これら錯化剤はその１種を単独で又は２種以上を組み合
わせて使用することができるが、その濃度は全金属塩濃
度に対し等モル以上であることが好ましく、更に好まし
くは２倍モル程度である。
わせて使用することができるが、その濃度は全金属塩濃
度に対し等モル以上であることが好ましく、更に好まし
くは２倍モル程度である。
また、上記めっき浴中には、更に還元剤を添加するもの
で、還元剤としてはＮａＨＰＯ２・Ｈ２Ｏ等の次亜リン
酸塩、ジメチルアミンボラン等のホウ素系還元剤などが
用いられ、その濃度は１モル／以下、特に０．１〜
０．５モル／とすることが好ましい。更に、めっき浴
中には、pH調整剤、緩衝剤、安定剤、その他の添加剤を
必要に応じて添加し得る。
で、還元剤としてはＮａＨＰＯ２・Ｈ２Ｏ等の次亜リン
酸塩、ジメチルアミンボラン等のホウ素系還元剤などが
用いられ、その濃度は１モル／以下、特に０．１〜
０．５モル／とすることが好ましい。更に、めっき浴
中には、pH調整剤、緩衝剤、安定剤、その他の添加剤を
必要に応じて添加し得る。
なお、めっき浴のpHは５〜１３、特に８〜１２とするこ
とが望ましい。
とが望ましい。
本発明においては、上述したように金属パラジウム核又
は金属銀核を付着させた非導電体を上記めっき浴中に浸
漬し、まずDk０．５Ａ／ｄm2以下の低電流密度で電気め
っきする。これにより金属パラジウム核又は金属銀核の
薄層（通常０．１μｍ以下）が形成された非導電体上に
直接電気めっきが施され、しかも銅を８０％以上、特に
８５％以上の銅を主体とするめっき被膜が形成される。
銅分の多いめっき被膜を得る点からこの場合、電流密度
のより好適な範囲は０．０１〜０．５Ａ／ｄm2である
が、めっき初期の電流密度を０．１Ａ／ｄm2以下とし、
その後定電圧制御等で０．１〜０．５Ａ／ｄm2に上げる
ことが好適である。
は金属銀核を付着させた非導電体を上記めっき浴中に浸
漬し、まずDk０．５Ａ／ｄm2以下の低電流密度で電気め
っきする。これにより金属パラジウム核又は金属銀核の
薄層（通常０．１μｍ以下）が形成された非導電体上に
直接電気めっきが施され、しかも銅を８０％以上、特に
８５％以上の銅を主体とするめっき被膜が形成される。
銅分の多いめっき被膜を得る点からこの場合、電流密度
のより好適な範囲は０．０１〜０．５Ａ／ｄm2である
が、めっき初期の電流密度を０．１Ａ／ｄm2以下とし、
その後定電圧制御等で０．１〜０．５Ａ／ｄm2に上げる
ことが好適である。
このDk０．５Ａ／ｄm2以下での電気めっきによる銅を主
体としためっき被膜の厚さは適宜選定され、特に限定さ
れるものではないが、電磁波シールド層を形成する場合
であれば、通常１〜１０μｍである。
体としためっき被膜の厚さは適宜選定され、特に限定さ
れるものではないが、電磁波シールド層を形成する場合
であれば、通常１〜１０μｍである。
次に、本発明においては、上記０．５Ａ／ｄm2以下での
電気めっき後、そのまま同じめっき浴中で電流密度を１
Ａ／ｄm2以上、好ましくは１〜５Ａ／ｄm2に上げ、電気
めっきを行なう。これにより、今度はニッケルを３０％
以上含む耐食性の良いめっき被膜が銅と主体としためっ
き被膜上に形成される。このニッケルを３０％以上含む
めっき被膜の厚さも適宜選定されるが、電磁波シールド
層を形成する場合であれば、通常０．２〜５μｍであ
る。
電気めっき後、そのまま同じめっき浴中で電流密度を１
Ａ／ｄm2以上、好ましくは１〜５Ａ／ｄm2に上げ、電気
めっきを行なう。これにより、今度はニッケルを３０％
以上含む耐食性の良いめっき被膜が銅と主体としためっ
き被膜上に形成される。このニッケルを３０％以上含む
めっき被膜の厚さも適宜選定されるが、電磁波シールド
層を形成する場合であれば、通常０．２〜５μｍであ
る。
なお、上述した電気めっきにおいて、めっき温度は１５
〜９０℃とすることができ、また必要により攪拌を行な
うことができる。この場合、攪拌を行なうことによって
めっき被膜中の銅含有量を高めることができ、攪拌を止
めることによりニッケル含有量を高めることができる。
更に、陽極としては、銅、ニッケル、銅−ニッケル合金
を使用することができ、また場合によっては不溶性陽極
を用いることもできる。
〜９０℃とすることができ、また必要により攪拌を行な
うことができる。この場合、攪拌を行なうことによって
めっき被膜中の銅含有量を高めることができ、攪拌を止
めることによりニッケル含有量を高めることができる。
更に、陽極としては、銅、ニッケル、銅−ニッケル合金
を使用することができ、また場合によっては不溶性陽極
を用いることもできる。
次に、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、
本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
ＡＢＳ樹脂板（５０mm×１５mm×３mm）を常法により脱
脂、エッチングした後、下記の活性化液を用いて表面に
金属パラジウム核を形成した。
脂、エッチングした後、下記の活性化液を用いて表面に
金属パラジウム核を形成した。
次に、水洗後、下記めっき浴を用いて下記の条件でめっ
きを行なった。
きを行なった。
めっき浴 硫酸銅 ０．０５モル／ 硫酸ニッケル ０．０５ 〃 次亜リン酸ナトリウム ０．３ 〃 クエン酸ナトリウム ０．２ 〃 ほう砂 ０．０５ 〃 安定剤 ５ ｐｐｍ pH ８．３ めっき条件 めっき温度 ８０℃ 攪拌 なし 陽極 白金めっきチタン 陰極電流密度（Ｄｋ） ０→６分 ０．０５→０．５Ａ／ｄm2 ６→７分 ５ Ａ／ｄm2 めっき膜厚（総計） ３．７ μｍ 以上の結果、電気めっきを最初の０分から６分の間０．
０５〜０．５Ａ／ｄm2で行なった場合のめっき被膜中の
銅分は約８５％であり、次の６分から７分の間５Ａ／ｄ
m2でめっきを行なった場合のめっき被膜中のニッケル分
は約３５％であった。また、得られためっき被膜の外観
は良好であった。
０５〜０．５Ａ／ｄm2で行なった場合のめっき被膜中の
銅分は約８５％であり、次の６分から７分の間５Ａ／ｄ
m2でめっきを行なった場合のめっき被膜中のニッケル分
は約３５％であった。また、得られためっき被膜の外観
は良好であった。
なお、上記めっき浴を用いて種々の電流密度でめっきを
行なった場合のめっき被膜中のニッケル分と電流密度と
の関係を図面に示す。
行なった場合のめっき被膜中のニッケル分と電流密度と
の関係を図面に示す。
本発明によれば、銅を主体とした高電導のめっき被膜、
ニッケルを３０％以上含む高耐食のめっき被膜の二層を
一つめっき浴から被めっき物を取り出すことなく連続的
に形成でき、このため工程が簡略化されると共に、めっ
き時間も短縮され、しかも薄い金属パラジウム核や金属
銀核上に予め無電解めっきを施すことなく直接電気めっ
き皮膜を形成でき、従ってこの点でも工程の簡略化が達
成できる。このため、本発明はプラスチック等に電磁波
シールド層を形成する場合などに好適に採用される。
ニッケルを３０％以上含む高耐食のめっき被膜の二層を
一つめっき浴から被めっき物を取り出すことなく連続的
に形成でき、このため工程が簡略化されると共に、めっ
き時間も短縮され、しかも薄い金属パラジウム核や金属
銀核上に予め無電解めっきを施すことなく直接電気めっ
き皮膜を形成でき、従ってこの点でも工程の簡略化が達
成できる。このため、本発明はプラスチック等に電磁波
シールド層を形成する場合などに好適に採用される。
【図面の簡単な説明】 図面は実施例のめっき浴を用いた場合における種々の電
流密度とめっき被膜中のニッケル分量との関係を示すグ
ラフである。
流密度とめっき被膜中のニッケル分量との関係を示すグ
ラフである。
Claims (1)
- 【請求項１】非導電体の表面に金属パラジウム核又は金
属銀核を付着させた後、該非導電体を銅塩とニッケル塩
とを含有しかつ還元剤を含有するめっき浴中に浸漬し、
０．５Ａ／ｄm2以下の低電流密度で電気めっきを行なっ
て銅を８０重量％以上含有する銅を主体とするめっき被
膜を形成し、次いで１Ａ／ｄm2以上の高電流密度で電気
めっきを行なってニッケルを３０重量％以上含有するめ
っき被膜を形成することを特徴とする非導電体へのめっ
き方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63330683A JPH0633499B2 (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 非導電体へのめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63330683A JPH0633499B2 (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 非導電体へのめっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02175895A JPH02175895A (ja) | 1990-07-09 |
| JPH0633499B2 true JPH0633499B2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=18235411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63330683A Expired - Lifetime JPH0633499B2 (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 非導電体へのめっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0633499B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2567537B2 (ja) * | 1992-01-24 | 1996-12-25 | ペルメレック電極株式会社 | 金属箔電解製造装置 |
| JP3286744B2 (ja) * | 1993-05-24 | 2002-05-27 | 奥野製薬工業株式会社 | 非導電性材料表面に電気めっき層を直接形成する方法 |
| JP3456473B2 (ja) | 2000-11-16 | 2003-10-14 | 日本電気株式会社 | 携帯電話機筐体 |
| JP4856921B2 (ja) * | 2005-09-22 | 2012-01-18 | 富士フイルム株式会社 | めっき処理方法、導電性膜、透光性電磁波シールド膜および光学フィルター |
| JP2007131875A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Fujifilm Corp | 金属膜形成方法及び金属パターン形成方法 |
| JP5358145B2 (ja) | 2007-09-28 | 2013-12-04 | 富士フイルム株式会社 | 導電性材料の製造方法及び導電性材料の製造装置 |
| EP2305856A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-06 | ATOTECH Deutschland GmbH | Process for applying a metal coating to a non-conductive substrate |
| EP2803756A1 (en) * | 2013-05-13 | 2014-11-19 | Atotech Deutschland GmbH | Method for depositing thick copper layers onto sintered materials |
-
1988
- 1988-12-27 JP JP63330683A patent/JPH0633499B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02175895A (ja) | 1990-07-09 |
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