JPH0791670B2 - 非導電体へのめっき方法 - Google Patents
非導電体へのめっき方法Info
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- JPH0791670B2 JPH0791670B2 JP7064690A JP7064690A JPH0791670B2 JP H0791670 B2 JPH0791670 B2 JP H0791670B2 JP 7064690 A JP7064690 A JP 7064690A JP 7064690 A JP7064690 A JP 7064690A JP H0791670 B2 JPH0791670 B2 JP H0791670B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- copper
- electroless
- nickel
- plating bath
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電磁波シールド層をプラスチック等の非導電体
に形成する場合などに好適に採用される非導電体へのめ
っき方法に関する。
に形成する場合などに好適に採用される非導電体へのめ
っき方法に関する。
従来、プラスチック等の非導電体に電磁波シールド層と
して銅めっき層やニッケルめっき層を形成することが知
られている。この場合、銅めっき層、ニッケルめっき層
の形成は、プラスチック等の非導電体へのめっき方法の
常法に従い、脱脂、エッチング等を適宜行なった後、非
導電体表面に金属パラジウム核や金属銀核を形成する活
性化処理を行ない、次いで無電解銅めっき、無電解ニッ
ケルめっきを施すという方法が採用されている。
して銅めっき層やニッケルめっき層を形成することが知
られている。この場合、銅めっき層、ニッケルめっき層
の形成は、プラスチック等の非導電体へのめっき方法の
常法に従い、脱脂、エッチング等を適宜行なった後、非
導電体表面に金属パラジウム核や金属銀核を形成する活
性化処理を行ない、次いで無電解銅めっき、無電解ニッ
ケルめっきを施すという方法が採用されている。
また、電磁波シールド層として、銅めっき層上に更にニ
ッケルめっき層を形成することも知られている（特許公
表62−500344号公報又は米国特許第4,663,240号公
報）。これは、使用雰囲気中で銅めっき層が酸化され、
シールド効果が劣化するのをニッケルめっき層により防
止するようにしたものであり、かかる銅−ニッケルめっ
き層を形成する方法として、非導電体上に金属粒子を分
散させた有機バインダー層を形成し、その上に無電解銅
めっき層を形成し、更にその上に無電解ニッケルめっき
層を形成する方法を採用している。
ッケルめっき層を形成することも知られている（特許公
表62−500344号公報又は米国特許第4,663,240号公
報）。これは、使用雰囲気中で銅めっき層が酸化され、
シールド効果が劣化するのをニッケルめっき層により防
止するようにしたものであり、かかる銅−ニッケルめっ
き層を形成する方法として、非導電体上に金属粒子を分
散させた有機バインダー層を形成し、その上に無電解銅
めっき層を形成し、更にその上に無電解ニッケルめっき
層を形成する方法を採用している。
このように、従来は銅−ニッケルめっき層の二層からな
る電磁波シールド層を形成する場合、活性金属核を形成
した後、無電解銅めっき、無電解ニッケルめっきを施す
ことが行なわれているが、これらの工程は当然それぞれ
別個の槽で行なわれ、しかもこれら各工程間には水洗、
酸洗活性化、水洗等の工程が必要であり、工程が長くな
る。このため、特に被めっき物が大型のプラスチックで
あるような場合、搬送に細心な注意を要求され、にもか
かわらず品物の落下機会も増大する。また、銅めっき槽
上に無電解ニッケルめっきを施す場合、銅は無電解ニッ
ケルめっき浴に対し本質的に触媒活性でないので、無電
解ニッケルめっきが析出し難いという問題がある。この
場合、無電解ニッケルめっきのスタートを早めるため、
還元剤量を増やしたり、錯化剤量を減らすと、めっき浴
が不安定化する。
る電磁波シールド層を形成する場合、活性金属核を形成
した後、無電解銅めっき、無電解ニッケルめっきを施す
ことが行なわれているが、これらの工程は当然それぞれ
別個の槽で行なわれ、しかもこれら各工程間には水洗、
酸洗活性化、水洗等の工程が必要であり、工程が長くな
る。このため、特に被めっき物が大型のプラスチックで
あるような場合、搬送に細心な注意を要求され、にもか
かわらず品物の落下機会も増大する。また、銅めっき槽
上に無電解ニッケルめっきを施す場合、銅は無電解ニッ
ケルめっき浴に対し本質的に触媒活性でないので、無電
解ニッケルめっきが析出し難いという問題がある。この
場合、無電解ニッケルめっきのスタートを早めるため、
還元剤量を増やしたり、錯化剤量を減らすと、めっき浴
が不安定化する。
本発明は上記事情を改善するためになされたもので、一
つのめっき浴中で銅めっき皮膜からなる高電導層と銅−
ニッケル合金めっき皮膜からなる耐食層との二層を形成
でき、工程が簡略化されると共に、めっき時間も短縮す
ることができ、しかも大型部品に対してもむらづきなく
良好なめっき皮膜を形成することができる非導電体上へ
のめっき方法を提供する。
つのめっき浴中で銅めっき皮膜からなる高電導層と銅−
ニッケル合金めっき皮膜からなる耐食層との二層を形成
でき、工程が簡略化されると共に、めっき時間も短縮す
ることができ、しかも大型部品に対してもむらづきなく
良好なめっき皮膜を形成することができる非導電体上へ
のめっき方法を提供する。
本発明は上記目的を達成するため、非導電体の表面に金
属パラジウム核を付着させた後、該非導電体を銅塩とニ
ッケル塩とを含有しかつ還元剤を含有する無電解めっき
浴中に浸漬し、まずこの無電解めっき浴の無電解めっき
析出電位よりも貴な電位、好ましくは該析出電位より、
0.2〜0.7V貴な電位の定電位に保持して電気めっきを行
なうことにより、銅めっき皮膜を形成し、次いで、この
めっき浴中でそのまま無電解銅−ニッケル合金めっきを
行なって銅−ニッケル合金めっき皮膜を形成するように
したものである。
属パラジウム核を付着させた後、該非導電体を銅塩とニ
ッケル塩とを含有しかつ還元剤を含有する無電解めっき
浴中に浸漬し、まずこの無電解めっき浴の無電解めっき
析出電位よりも貴な電位、好ましくは該析出電位より、
0.2〜0.7V貴な電位の定電位に保持して電気めっきを行
なうことにより、銅めっき皮膜を形成し、次いで、この
めっき浴中でそのまま無電解銅−ニッケル合金めっきを
行なって銅−ニッケル合金めっき皮膜を形成するように
したものである。
即ち、本発明は、常法に従って金属パラジウム核を非導
電体上に付着させた後、まず銅塩とニッケル塩と還元剤
とを含む無電解めっき浴で上記定電位において電気めっ
きを施し、銅めっき皮膜を形成するものである。この場
合、金属パラジウム核が非導電体上に極めて薄く形成さ
れており、この金属パラジウム核は無電解めっき浴に対
する反応性が高く、直ちに該金属パラジウム核上に無電
解めっき皮膜が形成されて非導電体が導電化され、以後
上記定電圧下に電気めっきが施されるものである。ま
た、この電気めっきにおいては、上述したように無電解
めっき浴の無電解めっき析出電位（例えば、ニッケル塩
0.001〜0.2モル／で銅塩とニッケル塩とのモル比が1:
3〜1:10であり、かつ還元剤として次亜リン酸塩を0.1〜
１モル／含むアルカリ性浴では−0.8〜−1.2V（vs.Ag
/AgCl電極）程度である）よりも貴な電位、好ましくは
0.2〜0.7V貴な電位に保持していることにより、めっき
浴中に銅塩とニッケル塩とが共存していても、銅が優先
的に析出し、この電気銅めっきは電位保持の作用によっ
て実質的には無電解銅めっきと同様の膜厚分布を示すめ
っき層を形成する。
電体上に付着させた後、まず銅塩とニッケル塩と還元剤
とを含む無電解めっき浴で上記定電位において電気めっ
きを施し、銅めっき皮膜を形成するものである。この場
合、金属パラジウム核が非導電体上に極めて薄く形成さ
れており、この金属パラジウム核は無電解めっき浴に対
する反応性が高く、直ちに該金属パラジウム核上に無電
解めっき皮膜が形成されて非導電体が導電化され、以後
上記定電圧下に電気めっきが施されるものである。ま
た、この電気めっきにおいては、上述したように無電解
めっき浴の無電解めっき析出電位（例えば、ニッケル塩
0.001〜0.2モル／で銅塩とニッケル塩とのモル比が1:
3〜1:10であり、かつ還元剤として次亜リン酸塩を0.1〜
１モル／含むアルカリ性浴では−0.8〜−1.2V（vs.Ag
/AgCl電極）程度である）よりも貴な電位、好ましくは
0.2〜0.7V貴な電位に保持していることにより、めっき
浴中に銅塩とニッケル塩とが共存していても、銅が優先
的に析出し、この電気銅めっきは電位保持の作用によっ
て実質的には無電解銅めっきと同様の膜厚分布を示すめ
っき層を形成する。
次いで、本発明は、このようにして銅めっき層を所定厚
さに形成した後、被めっき物をめっき浴から引き上げて
別のめっき浴に移送することなく、そのまま同一のめっ
き浴中で無電解めっき（即ち、無電解銅−ニッケル合金
めっき）を行なう。この場合、一般に無電解銅−ニッケ
ル合金めっき浴から得られる皮膜はニッケルが40％以上
の割合で含有されているもので、耐食性の良好なめっき
層が形成されるものである。しかも、この銅−ニッケル
合金めっき皮膜は無電解めっきによって形成されるた
め、電流密度のばらつきによるむらもなく、大型部品に
対しても均一なめっきがなされるものである。
さに形成した後、被めっき物をめっき浴から引き上げて
別のめっき浴に移送することなく、そのまま同一のめっ
き浴中で無電解めっき（即ち、無電解銅−ニッケル合金
めっき）を行なう。この場合、一般に無電解銅−ニッケ
ル合金めっき浴から得られる皮膜はニッケルが40％以上
の割合で含有されているもので、耐食性の良好なめっき
層が形成されるものである。しかも、この銅−ニッケル
合金めっき皮膜は無電解めっきによって形成されるた
め、電流密度のばらつきによるむらもなく、大型部品に
対しても均一なめっきがなされるものである。
従って、本発明によれば、銅を主体とした高電導のめっ
き層とニッケルを40％以上含む高耐食性のめっき層とが
同一めっき浴から連続して形成されて、工程が短縮さ
れ、両層がスムーズにかつ確実に形成できると共に、大
型部品に対しても良好なめっきが行なわれる。
き層とニッケルを40％以上含む高耐食性のめっき層とが
同一めっき浴から連続して形成されて、工程が短縮さ
れ、両層がスムーズにかつ確実に形成できると共に、大
型部品に対しても良好なめっきが行なわれる。
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明で被めっき物となる被導電体としては、プラスチ
ック、セラミック等であり、これらに本発明に従ってめ
っきを施す場合は、必要により脱脂、エッチング等の前
処理を行なった後、表面に金属パラジウムを形成する活
性化処理を行なう。この活性化処理は常法によって行な
うことができ、例えばパラジウム核を形成する場合は、
センシタイジング−アクチベイティング法、キヤタライ
ジング−アクセレレイティング法等の方法が採用でき、
その他公知の方法を用いることができる。
ック、セラミック等であり、これらに本発明に従ってめ
っきを施す場合は、必要により脱脂、エッチング等の前
処理を行なった後、表面に金属パラジウムを形成する活
性化処理を行なう。この活性化処理は常法によって行な
うことができ、例えばパラジウム核を形成する場合は、
センシタイジング−アクチベイティング法、キヤタライ
ジング−アクセレレイティング法等の方法が採用でき、
その他公知の方法を用いることができる。
次いで、本発明はこのように活性化処理した非導電体を
銅塩とニッケル塩とを含み、かつ還元剤を含む無電解め
っき浴で電気めっきする。
銅塩とニッケル塩とを含み、かつ還元剤を含む無電解め
っき浴で電気めっきする。
ここで、めっき浴としては、銅の水溶性塩、ニッケルの
水溶性塩及び錯化剤を含有するものが好適に用いられる
が、銅塩としては硫酸銅、塩化第二銅等が使用され、ニ
ッケル塩としては硫酸ニッケル、塩化ニッケル等が使用
される。この場合、ニッケル塩の濃度は0.001〜0.2モル
／、特に0.01〜0.2モル／とすることができ、銅塩
とニッケル塩との割合はモル比で1:3〜1:10程度とする
ことが好ましい。また、錯化剤としては、０−配位のも
の（例えば、酢酸，乳酸，クエン酸，酒石酸等の各種有
機酸やその塩）,S−配位のもの（例えば、チオグリコー
ル酸，システィン）、Ｎ−配位のもの（例えば、アンモ
ニア，グリシン，エチレンジアミン）などが適宜使用さ
れるが、特に好ましい錯化剤としては、クエン酸，酒石
酸，チオグリコール酸，グリシンやこれらの塩等が挙げ
られる。
水溶性塩及び錯化剤を含有するものが好適に用いられる
が、銅塩としては硫酸銅、塩化第二銅等が使用され、ニ
ッケル塩としては硫酸ニッケル、塩化ニッケル等が使用
される。この場合、ニッケル塩の濃度は0.001〜0.2モル
／、特に0.01〜0.2モル／とすることができ、銅塩
とニッケル塩との割合はモル比で1:3〜1:10程度とする
ことが好ましい。また、錯化剤としては、０−配位のも
の（例えば、酢酸，乳酸，クエン酸，酒石酸等の各種有
機酸やその塩）,S−配位のもの（例えば、チオグリコー
ル酸，システィン）、Ｎ−配位のもの（例えば、アンモ
ニア，グリシン，エチレンジアミン）などが適宜使用さ
れるが、特に好ましい錯化剤としては、クエン酸，酒石
酸，チオグリコール酸，グリシンやこれらの塩等が挙げ
られる。
これら錯化剤はその１種を単独で又は２種以上を組み合
わせて使用することができるが、その濃度は全金属塩濃
度に対し等モル以上であることが好ましく、更に好まし
くは２倍モル程度である。
わせて使用することができるが、その濃度は全金属塩濃
度に対し等モル以上であることが好ましく、更に好まし
くは２倍モル程度である。
また、上記めっき浴中には、更に還元剤を添加するもの
で、還元剤としてはNaHPO2・H2O等の次亜リン酸塩、ジ
メチルアミンボラン等のホウ素系還元剤などが用いられ
るが、特に次亜リン酸塩が好ましく、その濃度は１モル
／以下、特に0.1〜0.5モル／とすることが好まし
い。更に、めっき浴中には、pH調整剤、緩衝剤、安定
剤、その他の添加剤を必要に応じて添加し得る。
で、還元剤としてはNaHPO2・H2O等の次亜リン酸塩、ジ
メチルアミンボラン等のホウ素系還元剤などが用いられ
るが、特に次亜リン酸塩が好ましく、その濃度は１モル
／以下、特に0.1〜0.5モル／とすることが好まし
い。更に、めっき浴中には、pH調整剤、緩衝剤、安定
剤、その他の添加剤を必要に応じて添加し得る。
なお、めっき浴のpHは５〜13、特に８〜12とすることが
望ましい。
望ましい。
本発明においては、上述したように金属パラジウム核を
付着させた非導電体を上記めっき浴中に浸漬し、まずこ
のめっき浴の無電解めっき析出電位より貴な電位で電気
銅めっきを施す。この場合、無電解めっき析出電位はめ
っき浴組成によって相違するが、先に述べた次亜リン酸
塩を還元剤とするアルカリ性無電解めっき浴では通常Ag
/AgCl電極に対して−0.8〜−1.2Vであり、電気めっき
は、この無電解めっきの析出電位より0.2〜0.7V程度貴
な電位の一定電位に保持して行なうことが、銅めっき皮
膜を析出させる点から好ましい。電位が貴すぎると金属
析出が起こらず、また無電解めっき析出電位と殆んど差
がない場合は銅−ニッケル合金の析出が生じる場合があ
る。なお、陰極電流密度は上記電位において通常0.01〜
0.5A/dm2である。
付着させた非導電体を上記めっき浴中に浸漬し、まずこ
のめっき浴の無電解めっき析出電位より貴な電位で電気
銅めっきを施す。この場合、無電解めっき析出電位はめ
っき浴組成によって相違するが、先に述べた次亜リン酸
塩を還元剤とするアルカリ性無電解めっき浴では通常Ag
/AgCl電極に対して−0.8〜−1.2Vであり、電気めっき
は、この無電解めっきの析出電位より0.2〜0.7V程度貴
な電位の一定電位に保持して行なうことが、銅めっき皮
膜を析出させる点から好ましい。電位が貴すぎると金属
析出が起こらず、また無電解めっき析出電位と殆んど差
がない場合は銅−ニッケル合金の析出が生じる場合があ
る。なお、陰極電流密度は上記電位において通常0.01〜
0.5A/dm2である。
なお、この電気銅めっきの初期において、上記金属パラ
ジウム核上に無電解めっき皮膜がまず析出し、次いで金
属パラジウム核を無電解めっき皮膜が覆った以後、電気
銅めっき皮膜が析出する。この場合、電気めっきのため
の電位付与を停止すると十数秒乃至数十秒のうちにめっ
き反応が停止するとはいえ、無電解めっきと殆んど同じ
膜厚の分布を示す。
ジウム核上に無電解めっき皮膜がまず析出し、次いで金
属パラジウム核を無電解めっき皮膜が覆った以後、電気
銅めっき皮膜が析出する。この場合、電気めっきのため
の電位付与を停止すると十数秒乃至数十秒のうちにめっ
き反応が停止するとはいえ、無電解めっきと殆んど同じ
膜厚の分布を示す。
この電気銅めっきによるめっき皮膜の厚さは適宜選定さ
れ、特に限定されるものではないが、電磁波シールド層
を形成する場合であれば、通常0.5〜10μｍである。
れ、特に限定されるものではないが、電磁波シールド層
を形成する場合であれば、通常0.5〜10μｍである。
次に、本発明においては、上記電気めっき後、そのまま
同じめっき浴中で無電解銅−ニッケル合金めっきを行な
う。なお、無電解銅−ニッケル合金めっき浴は、通常銅
に対して非活性で、そのままでは無電解めっきがスター
トしないので、無電解めっきをスタートさせる目的で該
めっき浴の無電解めっき析出電位又はこれより若干卑な
電位に短時間（例えば−Ｖ（vs.Ag/AgCl電極）に５〜60
秒程度）保持するガルバニックイニシエーションを行な
うことが推奨される。これにより、上述しためっき浴
は、特に次亜リン酸塩を還元剤とした場合は通常銅が40
〜60％、ニッケルが60〜40％、リンが１〜10％（いずれ
も重量％、以下同じ）の皮膜を形成するため、今度は耐
食性の良いめっき皮膜を銅を主体としためっき皮膜上に
形成することができる。このめっき皮膜の厚さも適宜選
定されるが、電磁波シールド層を形成する場合であれ
ば、通常0.2〜５μｍである。
同じめっき浴中で無電解銅−ニッケル合金めっきを行な
う。なお、無電解銅−ニッケル合金めっき浴は、通常銅
に対して非活性で、そのままでは無電解めっきがスター
トしないので、無電解めっきをスタートさせる目的で該
めっき浴の無電解めっき析出電位又はこれより若干卑な
電位に短時間（例えば−Ｖ（vs.Ag/AgCl電極）に５〜60
秒程度）保持するガルバニックイニシエーションを行な
うことが推奨される。これにより、上述しためっき浴
は、特に次亜リン酸塩を還元剤とした場合は通常銅が40
〜60％、ニッケルが60〜40％、リンが１〜10％（いずれ
も重量％、以下同じ）の皮膜を形成するため、今度は耐
食性の良いめっき皮膜を銅を主体としためっき皮膜上に
形成することができる。このめっき皮膜の厚さも適宜選
定されるが、電磁波シールド層を形成する場合であれ
ば、通常0.2〜５μｍである。
なお、上述しためっきにおいて、めっき温度は15〜90℃
とすることができるが、無電解めっきを行なう点から50
〜90℃とすることが好適である。また必要により攪拌を
行なうことができる。更に、電気めっきに際して用いる
陽極としては、銅、ニッケル、銅−ニッケル合金を使用
することができ、また場合によっては不溶性陽極を用い
ることもできる。
とすることができるが、無電解めっきを行なう点から50
〜90℃とすることが好適である。また必要により攪拌を
行なうことができる。更に、電気めっきに際して用いる
陽極としては、銅、ニッケル、銅−ニッケル合金を使用
することができ、また場合によっては不溶性陽極を用い
ることもできる。
次に、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、
本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
ABS樹脂製筐体（30cm×30cm×45cm）を常法により脱
脂、エッチングした後、下記の活性化液を用いて表面に
金属パラジウム核を形成した。
脂、エッチングした後、下記の活性化液を用いて表面に
金属パラジウム核を形成した。
次に、水洗後、下記めっき浴を用いて下記の条件で10分
間電気めっきを行なった。
間電気めっきを行なった。
めっき浴 硫酸銅 0.01モル／ 硫酸ニッケル 0.05 〃 次亜リン酸ナトリウム 0.3 〃 クエン酸ナトリウム 0.2 〃 ほう砂 0.05 〃 安定剤 5ppm pH 9.0 めっき条件 めっき温度 60℃ 攪 拌 あ り 陽 極 白金めっきチタン 定電位電解 −0.7V（vs.Ag/AgCl電極） 陰極電流密度 0.01→0.2A/dm2 めっき膜厚 １μｍ めっき皮膜 銅ほぼ100％ なお、このめっき浴の無電解めっき析出電位はAg/AgCl
電極に対し−0.98Vであり、−0.3〜−0.7Vの電位で銅め
っき皮膜が優先して析出する。
電極に対し−0.98Vであり、−0.3〜−0.7Vの電位で銅め
っき皮膜が優先して析出する。
次いで、上記めっき浴中で−1V（vs.Ag/AgCl電極）に該
めっき物の電位を30秒間保持した後、無電解めっきを４
分間行なった。
めっき物の電位を30秒間保持した後、無電解めっきを４
分間行なった。
その結果、上記めっき皮膜上に銅42％、ニッケル52％、
リン６％の無電解めっき皮膜が0.4μｍ形成された。そ
の外観は均一であり、むらのないものであった。
リン６％の無電解めっき皮膜が0.4μｍ形成された。そ
の外観は均一であり、むらのないものであった。
本発明によれば、銅を主体とした高電導のめっき皮膜、
銅−ニッケル合金めっき皮膜からなる高耐食のめっき皮
膜の二層を一つのめっき浴から被めっき物を取り出すこ
となく連続的に形成でき、このため工程が簡略化される
と共に、めっき時間も短縮され、しかも薄い金属パラジ
ウム核上に予め無電解めっきを別途施すことなくそのま
ま電気めっき皮膜を形成でき、従ってこの点でも工程の
簡略化が達成できる。また、大型部品に対してもむらづ
きなく均一なめっき皮膜を形成し得る。このため、本発
明はプラスチック等に電磁波シールド層を形成する場合
などに好適に採用される。
銅−ニッケル合金めっき皮膜からなる高耐食のめっき皮
膜の二層を一つのめっき浴から被めっき物を取り出すこ
となく連続的に形成でき、このため工程が簡略化される
と共に、めっき時間も短縮され、しかも薄い金属パラジ
ウム核上に予め無電解めっきを別途施すことなくそのま
ま電気めっき皮膜を形成でき、従ってこの点でも工程の
簡略化が達成できる。また、大型部品に対してもむらづ
きなく均一なめっき皮膜を形成し得る。このため、本発
明はプラスチック等に電磁波シールド層を形成する場合
などに好適に採用される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−170998（ＪＰ，Ａ) 特公 昭46−642（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭45−9996（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (1)
- 【請求項１】非導電体の表面に金属パラジウム核を付着
させた後、該非導電体を銅塩とニッケル塩とを含有しか
つ還元剤を含有する無電解めっき浴中に浸漬し、この無
電解めっき浴の無電解めっき析出電位よりも貴な電位の
定電位に保持して電気めっきを行なって、銅めっき皮膜
を形成し、次いで、このめっき浴中でそのまま無電解銅
−ニッケル合金めっきを行なって、銅−ニッケル合金め
っき皮膜を形成することを特徴とする非導電体へのめっ
き方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7064690A JPH0791670B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 非導電体へのめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7064690A JPH0791670B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 非導電体へのめっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03271393A JPH03271393A (ja) | 1991-12-03 |
| JPH0791670B2 true JPH0791670B2 (ja) | 1995-10-04 |
Family
ID=13437625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7064690A Expired - Lifetime JPH0791670B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 非導電体へのめっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0791670B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5759231B2 (ja) * | 2011-04-04 | 2015-08-05 | 日東電工株式会社 | めっき装置、めっき方法および配線回路基板の製造方法 |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP7064690A patent/JPH0791670B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03271393A (ja) | 1991-12-03 |
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