JPH0797719B2 - 電磁波シールド層の形成方法 - Google Patents
電磁波シールド層の形成方法Info
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- JPH0797719B2 JPH0797719B2 JP2070647A JP7064790A JPH0797719B2 JP H0797719 B2 JPH0797719 B2 JP H0797719B2 JP 2070647 A JP2070647 A JP 2070647A JP 7064790 A JP7064790 A JP 7064790A JP H0797719 B2 JPH0797719 B2 JP H0797719B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電磁波シールド層をプラスチック等の非導電体
に形成する方法に関する。
に形成する方法に関する。
従来、プラスチック等の非導電体に電磁波シールド層と
して銅めっき層やニッケルめっき層を形成することが知
られている。この場合、銅めっき層、ニッケルめっき層
の形成は、プラスチック等の非導電体へのめっき方法の
常法に従がい、脱脂、エッチング等を適宜行なった後、
非導電体表面に金属パラジウム核や金属銀核を形成する
活性化処理を行ない、次いで無電解銅めっき、無電解ニ
ッケルめっきを施すという方法が採用されている。
して銅めっき層やニッケルめっき層を形成することが知
られている。この場合、銅めっき層、ニッケルめっき層
の形成は、プラスチック等の非導電体へのめっき方法の
常法に従がい、脱脂、エッチング等を適宜行なった後、
非導電体表面に金属パラジウム核や金属銀核を形成する
活性化処理を行ない、次いで無電解銅めっき、無電解ニ
ッケルめっきを施すという方法が採用されている。
また、電磁波シールド層として、銅めっき層上に更にニ
ッケルめっき層を形成することも知られている（特許公
表62−500344号公報又は米国特許第4,663,240）。これ
は、使用雰囲気中で銅めっき層が酸化され、シールド効
果が劣化するのをニッケルめっき層により防止するよう
にしたものであり、かかる銅−ニッケルめっき層を形成
する方法として、非導電体上に金属粒子を分散させた有
機バインダー層を形成し、その上に無電解銅めっき層を
形成し、更にその上に無電解ニッケルめっき層を形成す
る方法を採用している。
ッケルめっき層を形成することも知られている（特許公
表62−500344号公報又は米国特許第4,663,240）。これ
は、使用雰囲気中で銅めっき層が酸化され、シールド効
果が劣化するのをニッケルめっき層により防止するよう
にしたものであり、かかる銅−ニッケルめっき層を形成
する方法として、非導電体上に金属粒子を分散させた有
機バインダー層を形成し、その上に無電解銅めっき層を
形成し、更にその上に無電解ニッケルめっき層を形成す
る方法を採用している。
このように、従来は銅−ニッケルめっき層の二層からな
る電磁波シールド層を形成する場合、活性金属核を形成
した後、無電解銅めっき、無電解ニッケルめっきを施す
ことが行なわれているが、これらの工程は無電解めっき
であるため生産性が低く、効率よく電磁波シールド層を
形成する点で問題がある。
る電磁波シールド層を形成する場合、活性金属核を形成
した後、無電解銅めっき、無電解ニッケルめっきを施す
ことが行なわれているが、これらの工程は無電解めっき
であるため生産性が低く、効率よく電磁波シールド層を
形成する点で問題がある。
この場合、非導電体へのめっき工程の常法から最初の無
電解銅めっき工程は採用せざるを得ないが、次のニッケ
ルめっき工程を無電解ニッケルめっきに代えて電気ニッ
ケルめっきとすることで生産性を向上させることが考え
られる。しかし、通常、電磁波シールド層を形成するこ
とが要求される部品は比較的大型であり、かかる大型部
品に対して電気ニッケルめっきを施すとめっき膜厚にか
なりのばらつきが生じ、均一にめっき皮膜が形成されな
いという問題が起る。また、最初の工程はいずれにして
も無電解銅めっきであるため、生産性の点でなお問題が
ある。
電解銅めっき工程は採用せざるを得ないが、次のニッケ
ルめっき工程を無電解ニッケルめっきに代えて電気ニッ
ケルめっきとすることで生産性を向上させることが考え
られる。しかし、通常、電磁波シールド層を形成するこ
とが要求される部品は比較的大型であり、かかる大型部
品に対して電気ニッケルめっきを施すとめっき膜厚にか
なりのばらつきが生じ、均一にめっき皮膜が形成されな
いという問題が起る。また、最初の工程はいずれにして
も無電解銅めっきであるため、生産性の点でなお問題が
ある。
本発明は、上記事情を改善するためになされたもので、
銅めっき皮膜とニッケルめっき皮膜とからなる電磁波シ
ールド層を大型部品に対してそれぞれ均一に形成し得、
また皮膜外観、耐食性の問題も解消され、しかも該電磁
波シールド層を非常に効率よく高生産性をもって形成す
る方法を提供することを目的とする。
銅めっき皮膜とニッケルめっき皮膜とからなる電磁波シ
ールド層を大型部品に対してそれぞれ均一に形成し得、
また皮膜外観、耐食性の問題も解消され、しかも該電磁
波シールド層を非常に効率よく高生産性をもって形成す
る方法を提供することを目的とする。
本発明は上記目的を達成するため、非導電体上に銅めっ
き皮膜とニッケルめっき皮膜とからなる電磁波シールド
層を形成する方法において、電磁波シールド層を形成す
べき非導電体の表面に金属パラジウム核又は金属銀核を
付着させた後、該非導電体を無電解銅めっき浴中に浸漬
し、該非導電体を陰極として陽極との間に初期の電流密
度を0.01〜0.1A/dm2とする電流を流し、その後0.1〜1A/
dm2の電流密度に上げて所定の電流を流して、非導電体
に無電解銅めっきと同時に電気銅めっきを連続的に施
し、次いで銅めっき皮膜が形成された非導電体を金属パ
ラジウム核又は金属銀核を付着させず、無電解ニッケル
めっき浴中に浸漬し、該非導電体を陰極として陰極との
間に所定の電流を流して、非導電体に無電解ニッケルめ
っきと同時に電気ニッケルめっきを連続的に施し、上記
銅めっき皮膜上にニッケルめっき皮膜を形成するように
したものである。
き皮膜とニッケルめっき皮膜とからなる電磁波シールド
層を形成する方法において、電磁波シールド層を形成す
べき非導電体の表面に金属パラジウム核又は金属銀核を
付着させた後、該非導電体を無電解銅めっき浴中に浸漬
し、該非導電体を陰極として陽極との間に初期の電流密
度を0.01〜0.1A/dm2とする電流を流し、その後0.1〜1A/
dm2の電流密度に上げて所定の電流を流して、非導電体
に無電解銅めっきと同時に電気銅めっきを連続的に施
し、次いで銅めっき皮膜が形成された非導電体を金属パ
ラジウム核又は金属銀核を付着させず、無電解ニッケル
めっき浴中に浸漬し、該非導電体を陰極として陰極との
間に所定の電流を流して、非導電体に無電解ニッケルめ
っきと同時に電気ニッケルめっきを連続的に施し、上記
銅めっき皮膜上にニッケルめっき皮膜を形成するように
したものである。
本発明によれば、まず金属パラジウム核又は金属銀核を
非導電体上に付着させた後、無電解銅めっき浴で無電解
銅めっきを行なうと同時に好ましくは0.01〜1A/dm2程度
の陰極電流密度で電気めっきを行ない、銅めっき皮膜を
形成する。この場合、金属パラジウム核又は金属銀核は
非導電体上に極めて薄く形成されており、従来はこのた
めまず無電解めっき行ない、電気めっきを行なう場合は
無電解めっき後に行なっていたものであるが、本発明に
よれば、無電解銅めっきにより金属パラジウム核、金属
銀核が補強されて、無電解銅めっき皮膜で覆われるた
め、薄膜の金属パラジウム核や金属銀核に直接電気めっ
きを施しても支障がなく、しかもこのように無電解銅め
っきと電気銅めっきとが同時に行なわれるため、後述す
る実施例からも明らかなようにこれらが相乗的に作用
し、均一にかつ高析出速度で銅めっき皮膜が形成され
る。
非導電体上に付着させた後、無電解銅めっき浴で無電解
銅めっきを行なうと同時に好ましくは0.01〜1A/dm2程度
の陰極電流密度で電気めっきを行ない、銅めっき皮膜を
形成する。この場合、金属パラジウム核又は金属銀核は
非導電体上に極めて薄く形成されており、従来はこのた
めまず無電解めっき行ない、電気めっきを行なう場合は
無電解めっき後に行なっていたものであるが、本発明に
よれば、無電解銅めっきにより金属パラジウム核、金属
銀核が補強されて、無電解銅めっき皮膜で覆われるた
め、薄膜の金属パラジウム核や金属銀核に直接電気めっ
きを施しても支障がなく、しかもこのように無電解銅め
っきと電気銅めっきとが同時に行なわれるため、後述す
る実施例からも明らかなようにこれらが相乗的に作用
し、均一にかつ高析出速度で銅めっき皮膜が形成され
る。
また、本発明によれば、このように銅めっき皮膜を形成
した後、無電解ニッケルめっき浴を用いて無電解ニッケ
ルめっきと同時に電気ニッケルめっきを行なうもので、
この場合も相乗作用が生じ、電磁波シールド層を形成す
べき非導電体が大型であっても上記銅めっき皮膜上にニ
ッケルめっき皮膜が均一にかつ高析出速度で形成され
る。しかもこの場合、銅上に無電解ニッケルめっきを施
す場合は、銅表面をパラジウム等により活性化する必要
があるが、本発明では無電解ニッケルめっきと同時に電
気めっきが行なわれるので、かかる銅活性の必要がなく
無電解ニッケルめっきがスタートすると共に、上記無電
解銅めっき浴が汲み出しにより無電解ニッケルめっき浴
に持ち込まれても、ニッケルめっき皮膜の耐食性を損な
うことなくめっきが可能である。
した後、無電解ニッケルめっき浴を用いて無電解ニッケ
ルめっきと同時に電気ニッケルめっきを行なうもので、
この場合も相乗作用が生じ、電磁波シールド層を形成す
べき非導電体が大型であっても上記銅めっき皮膜上にニ
ッケルめっき皮膜が均一にかつ高析出速度で形成され
る。しかもこの場合、銅上に無電解ニッケルめっきを施
す場合は、銅表面をパラジウム等により活性化する必要
があるが、本発明では無電解ニッケルめっきと同時に電
気めっきが行なわれるので、かかる銅活性の必要がなく
無電解ニッケルめっきがスタートすると共に、上記無電
解銅めっき浴が汲み出しにより無電解ニッケルめっき浴
に持ち込まれても、ニッケルめっき皮膜の耐食性を損な
うことなくめっきが可能である。
即ち、無電解銅めっき浴が無電解ニッケルめっき浴に混
入した場合、単に無電解ニッケルめっきを行なう場合は
ピットが生じるものであるが、無電解ニッケルめっきと
同時に連続的に電気めっきを行なうと、意外にもピット
が生じず、外観の良好なめっき皮膜が得られ、ピットが
ないため、ニッケルめっき皮膜本来の耐食性を発揮す
る。
入した場合、単に無電解ニッケルめっきを行なう場合は
ピットが生じるものであるが、無電解ニッケルめっきと
同時に連続的に電気めっきを行なうと、意外にもピット
が生じず、外観の良好なめっき皮膜が得られ、ピットが
ないため、ニッケルめっき皮膜本来の耐食性を発揮す
る。
従って、本発明によれば、外観、耐食性の良好な電磁波
シールド層を大型部品に対して均一にかつ高生産性をも
って形成し得るものである。
シールド層を大型部品に対して均一にかつ高生産性をも
って形成し得るものである。
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明で電磁波シールド層が形成される非導電体は、プ
ラスチック、セラミック等であり、比較的大型な部品が
有効に用いられる。これらに本発明に従って電磁波シー
ルド層を形成する場合は、必要により脱脂、エッチング
等を行なった後、表面に金属パラジウム核又は金属銀核
を形成する活性化処理を行なう、この活性化処理は常法
によって行なうことができ、例えば金属パラジウム核を
形成する場合は、センシタイジング−アクチベイティン
グ法、キヤタライジング−アクチベイティング法等の方
法が採用でき、また銀核を形成する場合は銀鏡反応を利
用した方法が採用し得るなど、公知の方法を用いること
ができる。
ラスチック、セラミック等であり、比較的大型な部品が
有効に用いられる。これらに本発明に従って電磁波シー
ルド層を形成する場合は、必要により脱脂、エッチング
等を行なった後、表面に金属パラジウム核又は金属銀核
を形成する活性化処理を行なう、この活性化処理は常法
によって行なうことができ、例えば金属パラジウム核を
形成する場合は、センシタイジング−アクチベイティン
グ法、キヤタライジング−アクチベイティング法等の方
法が採用でき、また銀核を形成する場合は銀鏡反応を利
用した方法が採用し得るなど、公知の方法を用いること
ができる。
次いで、本発明はこのように活性化処理した非導電体を
無電解銅めっき浴で無電解めっきすると同時に電気めっ
きをする。
無電解銅めっき浴で無電解めっきすると同時に電気めっ
きをする。
ここで、無電解銅めっき浴としては、通常のホルマリン
を還元剤とする市販のものが使用可能であり、更に次亜
リン酸塩を還元剤とする無電解タイプのものも使用可能
である。一般には、めっき浴として、銅の水溶性塩、錯
化剤、還元剤を含有するものが使用される。この場合、
銅塩としては硫酸銅、塩化第二銅等が使用され、銅塩の
濃度は0.001〜0.2モル／、特に0.01〜0.2モル／と
することができる。また、錯化剤としては、公知の無電
解銅めっき用の錯化剤が使用でき、例示するとエチレン
ジアミン、EDTA、酒石酸、トリエタノールアミン、トリ
ニトロ酢酸、及びこれらの塩などが適宜使用される。
を還元剤とする市販のものが使用可能であり、更に次亜
リン酸塩を還元剤とする無電解タイプのものも使用可能
である。一般には、めっき浴として、銅の水溶性塩、錯
化剤、還元剤を含有するものが使用される。この場合、
銅塩としては硫酸銅、塩化第二銅等が使用され、銅塩の
濃度は0.001〜0.2モル／、特に0.01〜0.2モル／と
することができる。また、錯化剤としては、公知の無電
解銅めっき用の錯化剤が使用でき、例示するとエチレン
ジアミン、EDTA、酒石酸、トリエタノールアミン、トリ
ニトロ酢酸、及びこれらの塩などが適宜使用される。
これら錯化剤はその１種を単独で又は２種以上を組み合
わせて使用することができるが、その濃度は銅塩濃度に
対し等モル以上であることが好ましく、更に好ましくは
２〜10倍モル程度である。
わせて使用することができるが、その濃度は銅塩濃度に
対し等モル以上であることが好ましく、更に好ましくは
２〜10倍モル程度である。
また、上記めっき浴中には、更に還元剤を添加するが、
還元剤としてはホルマリンが好適に用いられ、その濃度
は１モル／以下、特に0.1〜0.5モル／とすることが
好ましい。
還元剤としてはホルマリンが好適に用いられ、その濃度
は１モル／以下、特に0.1〜0.5モル／とすることが
好ましい。
更に、めっき浴中には、pH調整剤、緩衝剤、安定剤、そ
の他の添加剤を必要に応じて添加し得る。
の他の添加剤を必要に応じて添加し得る。
なお、めっき浴のpHは８〜13、特に10〜13とすることが
望ましい。
望ましい。
本発明においては、上述したように金属パラジウム核又
は金属銀核を付着させた非導電体を上記無電解銅めっき
浴中に浸漬し、無電解銅めっきと電気銅めっきとを同時
に行なう。
は金属銀核を付着させた非導電体を上記無電解銅めっき
浴中に浸漬し、無電解銅めっきと電気銅めっきとを同時
に行なう。
これにより金属パラジウム核又は金属銀核の薄層（通常
0.1μｍ以下）が無電解銅めっきによる銅析出で補強さ
れると同時に、この上に直接電気めっきが施され、無電
解銅めっきと電気銅めっきとの同時進行により銅めっき
皮膜が均一にかつ高析出速度で形成される。この場合、
電流密度の好適な範囲は0.01〜1A/dm2であるが、めっき
初期の電流密度を0.1A/dm2以下とし、その後定電圧制御
等で0.1〜1A/dm2に上げることが好適である。まためっ
き温度は特に制限されないが、15〜70℃、好ましくは30
〜60℃である。
0.1μｍ以下）が無電解銅めっきによる銅析出で補強さ
れると同時に、この上に直接電気めっきが施され、無電
解銅めっきと電気銅めっきとの同時進行により銅めっき
皮膜が均一にかつ高析出速度で形成される。この場合、
電流密度の好適な範囲は0.01〜1A/dm2であるが、めっき
初期の電流密度を0.1A/dm2以下とし、その後定電圧制御
等で0.1〜1A/dm2に上げることが好適である。まためっ
き温度は特に制限されないが、15〜70℃、好ましくは30
〜60℃である。
なお、銅めっき皮膜の厚さは適宜選定され、特に限定さ
れるものではないが、通常0.5〜10μｍである。
れるものではないが、通常0.5〜10μｍである。
次に、本発明においては、上記銅めっき後、無電解ニッ
ケルめっき浴を用いて無電解ニッケルめっきと電気ニッ
ケルめっきとを同時に行なう。
ケルめっき浴を用いて無電解ニッケルめっきと電気ニッ
ケルめっきとを同時に行なう。
ここで、無電解ニッケルめっき浴は市販のものを使用す
ることができるが、一般に、硫酸ニッケル、塩化ニッケ
ル等の水溶性ニッケル塩と、錯化剤と、還元剤とを含む
ものである。この場合、錯化剤としては、公知のものが
使用でき、例示すると酢酸、乳酸、クエン酸、酒石酸等
の有機酸やその塩、チオグリコール酸、アンモニア、グ
リシンやその塩等の１種が単独で又は２種以上を組み合
わせて用いられる。なお、還元剤としては次亜リン酸ナ
トリウム等の次亜リン酸塩が好適に用いられる。また、
ニッケル塩の濃度は0.001〜0.5モル／、特に0.01〜0.
2モル／とすることができ、錯化剤の濃度はニッケル
塩の濃度に対し等モル以上、特に２倍モル程度である。
更に、還元剤濃度は0.01〜１モル／、特に0.1〜0.5モ
ル／とすることが好ましい。
ることができるが、一般に、硫酸ニッケル、塩化ニッケ
ル等の水溶性ニッケル塩と、錯化剤と、還元剤とを含む
ものである。この場合、錯化剤としては、公知のものが
使用でき、例示すると酢酸、乳酸、クエン酸、酒石酸等
の有機酸やその塩、チオグリコール酸、アンモニア、グ
リシンやその塩等の１種が単独で又は２種以上を組み合
わせて用いられる。なお、還元剤としては次亜リン酸ナ
トリウム等の次亜リン酸塩が好適に用いられる。また、
ニッケル塩の濃度は0.001〜0.5モル／、特に0.01〜0.
2モル／とすることができ、錯化剤の濃度はニッケル
塩の濃度に対し等モル以上、特に２倍モル程度である。
更に、還元剤濃度は0.01〜１モル／、特に0.1〜0.5モ
ル／とすることが好ましい。
上記無電解ニッケルめっき浴には，更に必要に応じてpH
調整剤、緩衝剤、安定剤等の添加剤を添加することがで
きるが、めっき浴のpHは3.5〜12、特に４〜11とするこ
とが好ましいが、とりわけ酸性浴が好適である。
調整剤、緩衝剤、安定剤等の添加剤を添加することがで
きるが、めっき浴のpHは3.5〜12、特に４〜11とするこ
とが好ましいが、とりわけ酸性浴が好適である。
上記無電解ニッケルめっき浴を用いて無電解ニッケルめ
っきと電気めっきとを同時に行なう場合は、めっき温度
は15〜90℃、特に30〜70℃とすることが好ましい。また
電気めっきにおける陰極電流密度は0.01〜1A/dm2とする
ことが好ましく、これにより上記銅めっき皮膜上に均一
にかつ高析出速度でニッケルめっき皮膜が形成する。な
お、ニッケルめっき皮膜の厚さも適宜選定することがで
きるが、通常0.2〜５μｍである。
っきと電気めっきとを同時に行なう場合は、めっき温度
は15〜90℃、特に30〜70℃とすることが好ましい。また
電気めっきにおける陰極電流密度は0.01〜1A/dm2とする
ことが好ましく、これにより上記銅めっき皮膜上に均一
にかつ高析出速度でニッケルめっき皮膜が形成する。な
お、ニッケルめっき皮膜の厚さも適宜選定することがで
きるが、通常0.2〜５μｍである。
上述した銅めっき、ニッケルめっきにおいて、その陽極
はそれぞれ銅、ニッケルとされるが、場合によっては不
溶性陽極を用いることができる。また、これらのめっき
において、攪拌は任意であるが、銅めっきの場合は攪拌
することが好ましく、ニッケルめっきの場合は通常無攪
拌である。
はそれぞれ銅、ニッケルとされるが、場合によっては不
溶性陽極を用いることができる。また、これらのめっき
において、攪拌は任意であるが、銅めっきの場合は攪拌
することが好ましく、ニッケルめっきの場合は通常無攪
拌である。
またなお、銅めっき後にニッケルめっきを行なうに際
し、通常水洗を行なうが、場合によっては水洗なしに銅
めっきから直接ニッケルめっきに移行することができ
る。この場合、銅めっき浴がニッケルめっき浴に組み込
まれるが、上述したようにニッケルめっきにおいて連続
電解が行なわれるので、ニッケルめっき浴に混入された
銅分は電解析出により除去される。また、酸性の無電解
ニッケルめっき浴に無電解銅めっき浴が混入した場合に
発生する外観の劣化（ピット発生）はこの電解操作によ
って抑制される。
し、通常水洗を行なうが、場合によっては水洗なしに銅
めっきから直接ニッケルめっきに移行することができ
る。この場合、銅めっき浴がニッケルめっき浴に組み込
まれるが、上述したようにニッケルめっきにおいて連続
電解が行なわれるので、ニッケルめっき浴に混入された
銅分は電解析出により除去される。また、酸性の無電解
ニッケルめっき浴に無電解銅めっき浴が混入した場合に
発生する外観の劣化（ピット発生）はこの電解操作によ
って抑制される。
次に、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、
本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
ABC樹脂板（30cm×30cm×3mm）を常法により脱脂、エッ
チングした後、下記の活性化液を用いて表面に金属パラ
ジウム核を形成した。
チングした後、下記の活性化液を用いて表面に金属パラ
ジウム核を形成した。
工程及び条件 次に、水洗後、下記めっき浴を用いて下記の条件で15分
間銅めっきを行なった。
間銅めっきを行なった。
無電解銅めっき浴 硫酸銅 0.03モル／ EDTA・4H 0.25モル／ ホルマリン 0.2 モル／ 2,2′−ビピリジル 10 mg/ ポリエチレングリコール−1000 100 mg/ pH 12.5 めっき条件 時間 15分 温度 60℃ 撹拌 あり 陽極 白金めっきチタン 陰極電流密度（Dk） 0.01→0.2A/dm2（０→５分） 0.5A/dm2（５→15分） めっき膜厚 2.2μｍ なお、上記浴で15分間無電解銅めっきのみを行なった場
合のめっき膜厚は0.75μｍである。また、電気銅めっき
として一般的な硫酸銅めっき浴を使って、同一形状のス
テンレススチール板に銅めっきした際の膜厚分布は第１
表に示した通りである。
合のめっき膜厚は0.75μｍである。また、電気銅めっき
として一般的な硫酸銅めっき浴を使って、同一形状のス
テンレススチール板に銅めっきした際の膜厚分布は第１
表に示した通りである。
次に、下記めっき浴を用いて下記の条件で15分間ニッケ
ルめっきを行なった。
ルめっきを行なった。
無電解ニッケルめっき浴 硫酸ニッケル 0.01モル／ 酢酸＋乳酸 0.2 モル／ 次亜リン酸ナトリウム 0.2 モル／ 安定剤 1ppm pH 4.5 めっき条件 時間 15分 温度 60℃ 攪拌 なし 陽極 白金めっきチタン 陰極電流密度 0.1A/dm2 めっき膜厚 3.1μｍ なお、上記浴で15分間無電解ニッケルめっきのみを行な
った場合のめっき膜厚は1.1μｍである。また、電解ニ
ッケルめっきとして一般的なワット浴を使って、同一形
状のステンレススチール板にめっきした際の膜厚分布は
第１表に示した通りである。
った場合のめっき膜厚は1.1μｍである。また、電解ニ
ッケルめっきとして一般的なワット浴を使って、同一形
状のステンレススチール板にめっきした際の膜厚分布は
第１表に示した通りである。
なお、膜厚測定箇所は第１図の試料（30cm×30cm×3mm
の被めっき物）の陽極と対面する表側の面においてＡ〜
Ｅで示す箇所であり、Ｃ′はＣに対応する試料の裏側位
置を示す。
の被めっき物）の陽極と対面する表側の面においてＡ〜
Ｅで示す箇所であり、Ｃ′はＣに対応する試料の裏側位
置を示す。
また、この試料をめっきした場合の状態を第２図に示
す。第２図中１はめっき層（50×50×20cm）、２は陽
極、３は試料（陰極）である。
す。第２図中１はめっき層（50×50×20cm）、２は陽
極、３は試料（陰極）である。
第１表の結果より、無電解めっきは試料に均一な膜厚で
めっきすることができるが、析出速度が遅く、一方電気
めっきは試料の縁部は高速度でめっきすることができる
が、試料中央部ではめっき膜厚が薄く、膜厚に大きなば
らつきがある。これに対し、無電解めっきと同時に電気
めっきを行なった場合は、高析出速度でかつ試料に均一
膜厚でめっきし得ることが認められた。
めっきすることができるが、析出速度が遅く、一方電気
めっきは試料の縁部は高速度でめっきすることができる
が、試料中央部ではめっき膜厚が薄く、膜厚に大きなば
らつきがある。これに対し、無電解めっきと同時に電気
めっきを行なった場合は、高析出速度でかつ試料に均一
膜厚でめっきし得ることが認められた。
また、上記無電解ニッケルめっき浴に上記無電解銅めっ
き浴を銅イオン濃度10,20ppmになる量添加後、試料とし
て約１μｍの無電解銅めっき皮膜を形成したABS樹脂素
材を使用して60℃で15分間めっきした際の外観変化（ピ
ット発生状況）を調べた。その結果を第２表に示す。
き浴を銅イオン濃度10,20ppmになる量添加後、試料とし
て約１μｍの無電解銅めっき皮膜を形成したABS樹脂素
材を使用して60℃で15分間めっきした際の外観変化（ピ
ット発生状況）を調べた。その結果を第２表に示す。
第２表の結果より、無電解ニッケルめっき浴に無電解銅
めっき浴が混入すると、単に無電解ニッケルめっきだけ
ではピットが生じるが、無電解ニッケルめっきと同時に
電気ニッケルめっきを行なうとピットが生成しないこと
が認められた。
めっき浴が混入すると、単に無電解ニッケルめっきだけ
ではピットが生じるが、無電解ニッケルめっきと同時に
電気ニッケルめっきを行なうとピットが生成しないこと
が認められた。
以上説明したように、本発明によれば、無電解銅めっき
浴と無電解ニッケルめっき浴とを使用し、それぞれ無電
解めっきと電気めっきとを同時にかつ連続的に行なった
ことにより、銅めっき皮膜とニッケルめっき皮膜とから
なる電磁波シールド層を大型部品に対して均一にしかも
高速で形成でき、生産性が高いものであり、また外観、
耐食性も良好である。
浴と無電解ニッケルめっき浴とを使用し、それぞれ無電
解めっきと電気めっきとを同時にかつ連続的に行なった
ことにより、銅めっき皮膜とニッケルめっき皮膜とから
なる電磁波シールド層を大型部品に対して均一にしかも
高速で形成でき、生産性が高いものであり、また外観、
耐食性も良好である。
第１図は膜厚の分布を調べるためにめっき皮膜の膜厚を
測定した箇所を示す試料の平面図、第２図は同試料をめ
っきする場合の状態を示す概略断面図である。 １……めっき槽、２……陽極、３……陰極
測定した箇所を示す試料の平面図、第２図は同試料をめ
っきする場合の状態を示す概略断面図である。 １……めっき槽、２……陽極、３……陰極
Claims (1)
- 【請求項１】非導電体上に銅めっき皮膜とニッケルめっ
き皮膜とからなる電磁波シールド層を形成する方法にお
いて、電磁波シールド層を形成すべき非導電体の表面に
金属パラジウム核又は金属銀核を付着させた後、該非導
電体を無電解銅めっき浴中に浸漬し、該非導電体を陰極
として陽極との間に初期の電流密度を0.01〜0.1A/dm2と
する電流を流し、その後0.1〜1A/dm2の電流密度に上げ
て非導電体に無電解銅めっきと同時に電気銅めっきを連
続的に施し、次いで銅めっき皮膜が形成された非導電体
を金属パラジウム核又は金属銀核を付着させずに無電解
ニッケルめっき浴中に浸漬し、該非導電体を陰極として
陽極との間に所定の電流を流して、非導電体に無電解ニ
ッケルめっきと同時に電気ニッケルめっきを連続的に施
し、上記銅めっき皮膜上にニッケルめっき皮膜を形成す
ることを特徴とする電磁波シールド層の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2070647A JPH0797719B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 電磁波シールド層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2070647A JPH0797719B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 電磁波シールド層の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03270099A JPH03270099A (ja) | 1991-12-02 |
| JPH0797719B2 true JPH0797719B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=13437654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2070647A Expired - Fee Related JPH0797719B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 電磁波シールド層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797719B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001329394A (ja) * | 2000-05-16 | 2001-11-27 | Inoac Corp | 金属・プラスチック複合品およびその製造方法 |
| JP3456473B2 (ja) | 2000-11-16 | 2003-10-14 | 日本電気株式会社 | 携帯電話機筐体 |
| JP6426067B2 (ja) | 2015-08-06 | 2018-11-21 | 日本メクトロン株式会社 | 多層フレキシブルプリント配線板およびその製造方法 |
| CN109306459A (zh) * | 2017-07-28 | 2019-02-05 | 苏州思锐达新材料有限公司 | 一种耐高温双面导电电磁屏蔽材料及其制备方法与应用 |
| JP7017781B2 (ja) * | 2018-03-31 | 2022-02-09 | 名古屋メッキ工業株式会社 | 繊維の銅めっき方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57145969A (en) * | 1981-03-04 | 1982-09-09 | Agency Of Ind Science & Technol | Chemical plating method |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP2070647A patent/JPH0797719B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03270099A (ja) | 1991-12-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |