DE2855925C2 - Logikschaltkreis - Google Patents
LogikschaltkreisInfo
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Description
3. Logikschallkreis nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Treiber·Feldeffekttransistoren
(Qu Qi) des ersten und des zweiten Inverters
(16,41) voneinander verschiedene Verstärkerkennlinien
besii/en.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen
Logikschaltkreis nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Bei einem derartigen aus der US-PS 39 46 369 bekannten Lögikschaltkreis ist der Eingang des zweiten
inverters mit dem Ausgang des ersten Inverters verbunden, d. h, die beiden Inverter sind miteinander in
Reihe geschaltet. Dies bedeutet, daß das Zeitverhalten des zweiten Inverters notwendigerweise um das des
ersten Inverters der vorderen Stufe verzögert ist. Eine Verzögerungszeit zwischen dem Ausgangssignal des
ersten und des zweiten Inverters kann somit innerhalb dieser einen Verzögerungsstufe nicht auf einen geeigneten
Wert eingestellt werden. Darüber hinaus ist der Ausgang des ersten Inverters nicht nur mit dem Eingang
ίο des zweiten Inverters, sondern auch mit dem Eingang sowohl des ersten als auch des zweiten Pufferschaltkreises
verbunden. Dadurch ist die Lastkapazität für den ersten Inverter sehr groß, und demzufolge wird die
Verzögerungszeit im ersten Inverter sehr groß, was sich is auf die Operationsgeschwindigkeit des gesamten
Logikschaltkreises auswirkt, denn die Ansprech- bzw. Reaktionszeit, in der sowohl das wahre als auch das
komplementäre Ausgangssignal erhalten wird, wird notwendigerweise groß. Wenn andererseits die Ansteuerbarkeit
des ersten Inverters groß gemacht wird, um den o. g. Nachteil zu vermeiden, so müssen die
Abmessungen der im ersten inverter verwendeten Transistoren vergrößert werden. Dies wiederum verhindert
einen Aufbau hoher Integration des Schaltkreises.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, einen Logikschaltkreis der eingangs genannten Art zu
schaffen, mit dem eine hohe Operationsgeschwindigkeit
möglich und eine bestimmte Verzögerungszeit erreichbar ist.
Diese Aufgabe wird bei einem Logikschaltkreis der genannten Art durch die im Kennzeichen des Anspruchs
1 angegebenen Merkmale gelöst.
Beim erfindungsgemäßen Logikschaltkreis erhalten der erste und der zweite Inverter dasselbe Eingangssignal
und sie arbeiten mit unterschiedlichen Reaktionszeiten, so daß man zwischen deren beiden Ausgangssignalen
eine bestimmte gewünschte Zeitverzögerung innerhalb einer einzigen Stufe erreichen kann. Da auf
diese Weise keine überflüssige Zeitverzögerung z*isehen
dem ersten und dern zweite-« Inverter zugelassen
wird, wird eine Betriebsweise hoher Geschwindigkeit erreicht. Da der Ausgang sowohl des ersten als auch des
zweiten Inverters mit jeweils einem Pufferschaltkreis
verbunden ist. sind die Lastkapazitäten des ersten und des zweiten Inverters klein. Dies trägt nicht nur ebenso
zu einer Betriebsweise hoher Geschwindigkeit, sondern darüber hinaus auch dazu bei. daß der Schaltkreisaufbau
mit einem hohen Maß an Integration möglich ist.
Aus der US-PS 37 75 693 ist zwar ein Logikschaltkreis
bekannt, bei dem der ein/ige Pufferschaltkreis eingangsseitig nicht nur mit dem Ausgang des ein/igen
Inverters, sondern auch mit der Eingangsklemme des Logikschaltkreises selbst verbunden ist. jedoch besitzt
er nur einen einzigen Ausgang an dem nur das komplementäre Ausgangssignal ansteht
Gemäß bevorzugter Ausführungsbeispiele vorliegen
der Erfindung werden die Unicrschieilo in der
Reaktionszeit des ersten untl des /wc\ni Inverters
dadurch erreicht, daß das Verhältnis der Verstärker
kennlinien des Lasttransistors /um hinpangstransistnr
des ersten Inverters m dem <lc5 /geilen Inverters
unterschiedlich gemacht wird.
In der folgenden Beschreibung" ist die Erfindung
anhand des in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher beschrieben Und erläutert Es zeigt
Fig, 1 einen Schaltkreis eines Adfessetiinverters
gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel vorliegender Erfindung und
Fig.2 die Gleichspannungs-Übertragungskennlinien
des Adresseninverters nach F i g. I.
In Fig. 1 ist ein Adress(en)inverter gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel vorliegender Erfindung
dargestellt Zusätzlich zu dem Inverter 16 zum Speisen der Inverter-Ausgangsklemme 17 mit dem
invertierten Signal I\ besitzt der erfindungsgemäße Adresseninverter einen zweiten Inverter 41, der auf das
Eingangsadressensignal Am reagiert und ein zweites
invertiertes Signal h an die zweite Inverter-Ausgangsklemme
42 liefert Der erste Puffer-Schaltkreis 21 wird mit dem ersten invertierten Signal /| über eine erste
Verbihdung 46 gespeist, wodurch das gegenphasige Ausgangssignal Ao erzeugt wird; der zweite Pufferschaltkreis
22 wird mit dem zweiten invertierten Signal h über eine zweite Verbindung 47 gespeist, wodurch das
gleichphasige Ausgangssignal Au erzeugt wird. Wie weiter unten noch beschrieben werden wird, nehmen
das erste und das zweite Ausgangssignal ~Äo und Ao
niemals gleichzeitig ein Niveau ein, das unter dem vorbestimmten Niveau V1n liegt, wenn Vorsorge
getroffen ist, daß sich das erste oder das zweite invertierte Signal /1, h schneller als das ander·, mit aem
Eingangssignal A1n ändert. Wenn die Dekodierer, die mit
solchen Adresseninvertem verbunden werden sollen, als
negative Logik ausgebildet sind, wie beispielsweise nach Art einer NOR-Logik, und ein Dekodierer-Ausgangssignal
erzeugen, das sich vom niedrigen zum hohen Niveau ändert, wenn sich das Dekodierer-Eingangssignal
vom hohen zum niedrigen Niveau ändert, sollte zumindest eine Änderung vom hohen zum niedrigen
Niveau im zweiten invertierten Signal /2 schneller gemacht werden als die Änderung, die gleichzeitig im
ersten invertierten Signal /1 auftritt. Sind die Dekodierer als positive Logik ausgebildet, wie beispielsweise nach
Art einer UND-Logik, und erzeugen ein Dekodierer-Ausgangssignal,
das sich vom niedrigen zum hohen Niveau in Reaktion auf eine Änderung im Dekodierer-Eingangssignal
vom niedrigen zum hohen Niveau ändert, dann sollte zumindest die Änderung vom niedrigen z..m hohen Niveau im ersten invertierten
Signal /1 schneller sein als die gleichzeitige Änderung im zweiten invertierten Signal /j.
Gemäß F 1 g. 1 enthält der erste Inverter 16 einen ersten Feldeffekttransistor Q\ vom Anreicherungstyp
und einen zweiten Feldeffekttransistor Qi vom Verar
mungstyp. Der zweite Inverter 41 besitzt einen entsprechenden Aufbau und enthält dritte und vierte
Feldeffekttransistoren Qi und Qi vom Anreicherungs
bzw. Verarmungstyp. Der erste Puffer-Schaltkreis 21 enthält fünfte und sechstt Feldeffekttransistoren Qs und
Qf, vom Anreicherungs- bzw. Verarmungstyp. Der
zweite Puf.'er Schaltkreis 22 enthält in ähnlicher Weise
siebte und achie Feldeffekttransistoren Q? und Q*. Die
Inverter 16 und 41 können auch anderer Art sein, vorausgesetzt, daß der erste und der zweite Inverter 16
und 41 in der Lage sind, in Reaktion auf cm Eingangsadressensignal A1n ein erstes und ein /weiten
invertiertes Signal l< bzw. /? zu erzeugen, von denen sich
eines mit dem Eingangssignal A,„ schneller ändert al«.
das andere Wenn jeder Inverter 16, 41 einen Treibertransistor Q\ oder Qi und einen Lasttransistor Qi
öder Qa enthält, kann, man erreichen, daß die
Geschwindigkeiten der Änderung der betreffenden invertierten Signale /| und /2 die obengenannte
Differenz erhalten, indem man einen Unterschied zwischen den Verstärkerkennlinien der Treibertransistoren
Oi und Qi des ersten und des zweiten Inverters 16
und 41 oder zwischen denen der Lasttransistoren Q> und
Qi, der betreffenden Inverter 16 und 41 vorgibt. Es ist
auch möglich, die obengenannte Differenz in den Geschwindigkeiten dadurch vorzusehen, daß man die
Unterschiede sowohl in den Verstärkerkennlinien der Treibertransistoren Q\ und Qi der betreffenden Inverter
16 und 41 als auch in denen der Lasttransistoren Q2 und
Qa der Inverter 16 und 41 gibt.
Im Zusammenhang mit Fig. 1 sei nun gemäß Fig.2
angenommen, daß die Verstärkerkennlinien der ersten bis vierten Transistoren Qi bis Q* des ersten und des
zweiten Inverters 16 und 41 durch folgende Formel gegeben sind:
wobei /J(Qi) das Verhältnis Ids/Vg des Source-Drain-Stroms
Ids des /-ten Transistors Q1 (/=1. 2, 3 oder 4) zu
dessen Gatespannung Vg darstellt Wenn sich das Eingangsadressensignal A,»vom Niveau der logischen 1
zu dem der logischen 0 ändert, wird dem ersten invertierten Signal /1 ein höheres Niveau als dem
zweiten invertierten Signal h gegeben. Mit anderen
Worten, das zweite invertierte Signal /2 ändert sich
schneller als das erste invertierte Signal /|. Es ist deshalb mit dem anhand der F i g. 1 dargestellten Adress(en)inverter
möglich, zu verhindern, daß das erste und das zweite Ausgangssignal A0 und A0 gleichzeitig Niveaus
besitzen, die unterhalb dem vorbestimmten Niveau V1n
liegen. Dies macht es möglich, ein irrtümliches Dekodieren des Eingangsadressensignals A,„zu vermeiden,
wenn der Adresseninverter zum Dekodieren des Eingangssignals A n in Kombination mit Dekodierern
verwendet wird, die einen logischen Schwellenwert
besitzen, der gle-ch dem vorbestimmten Niveau V,h ist.
Der erfindungsgemäße Logikschaitkreis enthält also einen ersten und einen zweiten Inverter zum Erzeugen
eines ersten und eines zweiten invertierten Signais, von
denen sich eines schneller mit einem gemeinsamen veränderlichen Eingangssignal ändert als das andere. In
Reaktion auf das erste invertierte Signal erzeugt der erste Puffer-Schaltkreis ein erstes Ausganpssignal, das
eine gegenläufige Phase zum Eingangssignal besitzt. Indem er mit dem zweiten invertierten Signal gespeist
wird, erzeugt der zweite Puffer-Schaltkreis ein zweites
Ausgangssignal, das dieselbe Phase wie das Eingangssignal
besit/i. Der erste Puffer-Schaltkreis enthält einen Verarmungs- Feldeffekttransistor, der durch das erste
invertierte Signal gesteuert wird, und einen Anreicherungs-
\ eldeffekttransistor. der vom Eingangssignal gesteuert wird. Der zweite Puffer-Schaltkreis enthält
einen Anreicherungs-Feldeffekttransistor. der vom zweiten invertierten Signal gesteuert wird, und einen
Verarmungs-Feldeffekttransistor, der vom Eingangssignal gesteuert wird leder Inverter enthält einer.
Treiber- und einen Last-Feldeffekttransistor. Die
Verstärkerkennlinien der Treibertransistoren des ersten
und des zweiten ' iverters und/nder der Lasttransistoren
der betreffenden Inverter werden voneinander verschieden gemächt, um auf diese Weise zu erreichen,
daß das erste invertierte Signal während der Änderung des Eingangssignals ein Niveau besitzt, das höher ist als
das des zweiten invertierten Signals.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Logikschaltkreis mit einer Einiiangsklemme (10)
für das Eingangssignal (A,„), einer einen ersten und
einen zweiten Inverter (16, 41) aufweisenden Inverterschaltung und einem ersten und einem
zweiten Pufferschaltkreis (21, 22), von denen dem ersten das invertierte Signal des ersten Inverters (16)
und dem zweiten das des zweiten Inverters (41) zugeführt ist und die ein erstes bzw. ein dazu
komplementäres zweites Ausgangssignal (Ao, Ao)
erzeugen, dadurch gekennzeichnet, daß einerseits der erste und der zweite Inverter (16, 41)
und andererseits der erste und der zweite Pufferschaltkreis (21, 22) mit der Eingangsklemme (10)
unmittelbar und parallel verbunden sind, und daß die Reaktionszeit zwischen einer Eingangssignaländerung
und der Ausgangssignaländerung des ersten Inverters (16) unterschiedlich zu der des zweiten
lnverters(41)ist.
2. Logikscnaiikieis nach Anspruch 1, bei dem der
erste und der zweite Inverter (16, 41) und der erste und der zweite Pufferschaltkreis (21, 22) mit einem
ersten und zweiten bzw. dritten und vierten bzw. fünften und sechsten bzw. siebten und achten
Feldeffekttransistor (<?,, C>: Qi. Qi: (?■» Qt: Qi. Qi)
versehen sind, von denen jeweils die Source- Elektrode des einen mit einem ersten Potential und die
Drain-Elektrode des anderen mit einem zweiten Potential und die Drain-Elektrode des einen mit der
Source-F' Strode des anderen an Knotenpunkten
verbunden sind, von den^n diejenigen der Pufferschaltkreise
(21, 22) jeweils die Ausgangsklemmen (11,12) des Logikschalifcreivs bilden, und wobei die
Gale-Elektroue des einen Feldeffekttransistors (Q)
des zweiten Pufferschaltkreises (22) mit dem Knotenpunkt (42) des zweiten Inverters (41)
verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Gate-Elektrode des einen Feldeffekttransistors (Qi,
Qi, Qi) der beiden Inverter (16, 41) und des ersten
Pufferschaltkreises (21) und die des anderen Feldeffekttransistors (Qs) des zweiten Puffersrtaltkreises
(22) mit der F.ingangsklemme (10) des Logikschaltkreises und die Gate-Elektrode des
anderen Feldeffekttransistors (Qb) des ersten Pufferschaltkreises (21) mit dem Knotenpunkt (17) des
ersten Inverters (16) verbunden sind, und daß die Verstärkerkennlinien β (Q1), β (Q2). β (ζ>,). β «?<) der
Feldeffekttransistoren (Q,, Q2, Qi, Qt) der beiden
Inverter (21,22) folgender Gleichung genügen:
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52158839A JPS6035756B2 (ja) | 1977-12-27 | 1977-12-27 | 論理回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2855925A1 DE2855925A1 (de) | 1979-07-05 |
DE2855925C2 true DE2855925C2 (de) | 1982-04-29 |
Family
ID=15680518
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2855925A Expired DE2855925C2 (de) | 1977-12-27 | 1978-12-23 | Logikschaltkreis |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4296339A (de) |
JP (1) | JPS6035756B2 (de) |
DE (1) | DE2855925C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3837080A1 (de) * | 1987-11-02 | 1989-05-11 | Mitsubishi Electric Corp | Inverterschaltung |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4365172A (en) * | 1980-01-11 | 1982-12-21 | Texas Instruments Incorporated | High current static MOS driver circuit with low DC power dissipation |
DE3026951A1 (de) * | 1980-07-16 | 1982-02-04 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Treiberstufe in integrierter mos-schaltkreistechnik mit grossem ausgangssignalverhaeltnis |
US4489246A (en) * | 1980-12-24 | 1984-12-18 | Fujitsu Limited | Field effect transistor logic circuit having high operating speed and low power consumption |
JPS57172586A (en) * | 1981-04-16 | 1982-10-23 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit |
JPS58170120A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-06 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
US4525640A (en) * | 1983-03-31 | 1985-06-25 | Ibm Corporation | High performance and gate having an "natural" or zero threshold transistor for providing a faster rise time for the output |
US4625126A (en) * | 1984-06-29 | 1986-11-25 | Zilog, Inc. | Clock generator for providing non-overlapping clock signals |
US4617477A (en) * | 1985-05-21 | 1986-10-14 | At&T Bell Laboratories | Symmetrical output complementary buffer |
JPS635553A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-11 | Fujitsu Ltd | バツフア回路 |
IT1201859B (it) * | 1986-12-10 | 1989-02-02 | Sgs Microelettronica Spa | Circuito logico cmos |
US5896047A (en) * | 1997-02-05 | 1999-04-20 | Xilinx, Inc. | Balanced truth-and-complement circuit |
JP2001127616A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | バッファ回路 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3775693A (en) * | 1971-11-29 | 1973-11-27 | Moskek Co | Mosfet logic inverter for integrated circuits |
US3851189A (en) * | 1973-06-25 | 1974-11-26 | Hughes Aircraft Co | Bisitable digital circuitry |
US4087704A (en) * | 1974-11-04 | 1978-05-02 | Intel Corporation | Sequential timing circuitry for a semiconductor memory |
US3969633A (en) * | 1975-01-08 | 1976-07-13 | Mostek Corporation | Self-biased trinary input circuit for MOSFET integrated circuit |
US3938108A (en) * | 1975-02-03 | 1976-02-10 | Intel Corporation | Erasable programmable read-only memory |
US3946369A (en) * | 1975-04-21 | 1976-03-23 | Intel Corporation | High speed MOS RAM employing depletion loads |
JPS592996B2 (ja) * | 1976-05-24 | 1984-01-21 | 株式会社日立製作所 | 半導体記憶回路 |
US4077031A (en) * | 1976-08-23 | 1978-02-28 | Texas Instruments Incorporated | High speed address buffer for semiconductor memory |
US4110842A (en) * | 1976-11-15 | 1978-08-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Random access memory with memory status for improved access and cycle times |
US4129793A (en) * | 1977-06-16 | 1978-12-12 | International Business Machines Corporation | High speed true/complement driver |
-
1977
- 1977-12-27 JP JP52158839A patent/JPS6035756B2/ja not_active Expired
-
1978
- 1978-12-23 DE DE2855925A patent/DE2855925C2/de not_active Expired
- 1978-12-27 US US05/973,776 patent/US4296339A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3837080A1 (de) * | 1987-11-02 | 1989-05-11 | Mitsubishi Electric Corp | Inverterschaltung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2855925A1 (de) | 1979-07-05 |
US4296339A (en) | 1981-10-20 |
JPS6035756B2 (ja) | 1985-08-16 |
JPS5489533A (en) | 1979-07-16 |
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