DE2646513B1 - Waermereflektierende Scheibe sowie Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Waermereflektierende Scheibe sowie Verfahren zu ihrer Herstellung

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Description

Die Erfindung betrifft eine wärmereflektierende Scheibe nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 sowie ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Scheibe nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 6.
Wärmereflektierende Scheiben dieser Art, bei denen durch Aufdampfen einer Titanschicht im Vakuum und anschließende Oxidation dieser Schicht bei höheren Temperaturen in Luft eine wärmereflektierende T1O2-Schicht aufgebracht wird, sind bekannt und beispielsweise in einer Veröffentlichung von G. Hass mit dem Titel »Preparation, Properties and Optical Applications of Thin Films of Titanium Dioxide« beschrieben (G. Hass, Vacuum, Vol.11, Nr.4, Seiten 331-345 [1952]). Je nach den Bedingungen, unter denen die Ti-Schicht im Vakuum aufgedampft wird, entstehen bei der anschließenden Oxidation der Ti-Schicht in Luft zwei TKVModifikationen. Wird das Titan bei gutem Vakuum, also bei einem Vakuum von =* 10~5 Torr oder besser, rasch aufgedampft, kommt es zur Ausbildung der Rutil-Modifikation, während bei verhältnismäßig langsamer Verdampfung bei schlechterem Vakuum, beispielsweise etwa ΙΟ-4 Torr, die Anatas-Modifikation entsteht. So hergestellte TiO2-Schichten haben zur Beschichtung von Glasscheiben verschiedene optische Anwendungen gefunden, beispielsweise als Lichtteiler sowie als Sonnenstrahlung reflektierende Beschichtung, wobei die Schichtdicke zur Erzielung möglichst hoher Reflexion als Viertelwellenlängen-Interferenzschicht — bezogen auf denjenigen Spektralbereich, in dem eine Modifikation der Reflexionseigenschaften des Substrats erwünscht ist — ausgebildet ist.
Ein spezieller Anwendungszweck für wärmereflektierende Scheiben der eingangs genannten Art besteht zeichnet, daß auf die Glasscheibe vor dem Aufdampfen der Ti-Schicht eine keine Interferenzen bewirkende Siliziumoxidschicht aufgedampft wird; und daß die beschichtete Glasscheibe zum Oxidieren der Ti-Schicht auf eine Temperatur von mindestens 550° C, vorzugsweise 570 bis 620° C, erwärmt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine Siliziumoxidschicht mit einer Dicke von 30 bis 200 Ä aufgedampft wird.
8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Glasscheibe nach dem Erwärmen auf die Temperatur von mindestens 5500C, vorzugsweise 570 bis 6200C, zum thermischen Vorspannen abgeschreckt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die beschichtete Glasscheibe zunächst auf eine zum Oxidieren der Ti-Schicht zu T1O2 in Rutil-Modifikation ausreichende Temperatur erwärmt, dann gegebenenfalls weiterverarbeitet und erst in einem weiteren Aufheizschritt zum thermischen Vorspannen auf die Temperatur von mindestens 5500C, vorzugsweise 570 bis 6200C, erwärmt und dann abgeschreckt wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliziumoxidschicht mit einer Dicke von 100 Ä aufgedampft wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliziumoxidschicht durch reaktive Verdampfung von Siliziumoxid bei einem Vakuum in einer Größenordnung von 10~4 Torr mit einer S12O3 entsprechenden Zusammensetzung hergestellt wird.
darin, daß derartige Scheiben in Fassadenelementen oder Brüstungsplatten verwendet werden können. Erwünscht sind bei derartigen Brüstungsplatten T1O2-beschichtete Glasscheiben, die sich durch eine hohe, farbneutrale Reflexion — gegebenenfalls mit leichtem Blau- oder Gelbton «- im sichtbaren Spektralbereich auszeichnen. Bei derartigen Brüstungsplatten ist die TKVInterferenzschicht im allgemeinen an der Gebäudeaußenseite angeordnet, während die Rückseite der Glasscheibe mit einer undurchsichtigen Emaille oder einem Lack versehen ist, um den Durchblick auf hinter der Brüstungsplatte liegende Gebäudeteile zu verhindern.
Insbesondere für den letztgenannten Anwendungszweck sind TiCh-Schichten mit Rutil-Struktur von erheblichem Vorteil, weil TKVSchichten der Rutil-Modifikation einen höheren Brechungsindex als Anatas-Schichten aufweisen, wodurch sich höhere, bei Fassadenelementen oder Brüstungsplatten sehr erwünschte Reflexionswerte erreichen lassen. Außerdem hat sich gezeigt, daß Rutil-Schichten wesentlich höhere Härte und Abriebfestigkeit als Anatas-Schichten besitzen. Daher können Scheiben, bei denen die an der Gebäudeaußenseite angeordnete TKVInterferenzschicht eine Rutil-Modifikation aufweist, unmittelbar ohne Schaden auch für lange Zeit der Außenatmosphäre ausgesetzt werden. Außerdem können zur Reinigung derartiger Scheiben bzw. Brüstungsplatten die für Glasaußenflächen allgemein üblichen Reinigungsmittel
h5 eingesetzt werden.
Bei verschiedenen Anwendungen von mit T1O2 beschichteten Scheiben der eingangs genannten Art, insbesondere bei Verwendung als Fassadenelement
bzw. Brüstungsplatte, ist es erforderlich, das Glas zur Einhaltung der Sicherheitsvorschriften vorzuspannen. Ein derartiges Vorspannen ist notwendig, wenn mit Rutil-Schichten versehene Brüstungsplatten rückseitig emailliert sind: Durch die strahlungsundurchlässige Emailleschicht kann sich das Glas in diesem Fall bei Sonneneinstrahlung so stark aufheizen, daß ohne Vorspannung des Glassubstrates Hitzesprünge auftreten. Das Vorspannen des Glases erfolgt dann in bekannter Weise durch Erwärmen des Glases über die Transformationstemperatur auf Temperaturen beginnender Erweichung und anschließende schockartige Abkühlung. Bei Natron-Kalk-Silikatgläsern mit der chemischen Zusammensetzung üblicher Flachgläser sind hierfür Temperaturen von etwa 570 bis 62O0C erforderlich.
Das Vorspannen kann bei Herstellung von wärmereflektierenden Scheiben der eingangs genannten Art prinzipiell auf zwei verschiedene Arten erfolgen. Einmal ist es möglich, den Vorspannprozeß in vorteilhafter Weise mit der Oxidation der im Vakuum aufgedampften Ti-Schicht zu kombinieren. Natürlich ist es aber auch möglich, zunächst die aufgedampfte Ti-Schicht bei den hierfür ausreichenden Temperaturen von beispielsweise 400 bis 500° C zu oxidieren, daraufhin die mit der TiCVSchicht versehene Glasscheibe abzukühlen und schließlich erst in einem weiteren Verfahrensschritt in einem weiteren Ofen die Erwärmung auf die für das Vorspannen erforderliche Temperatur von — im Falle von Natron-Kalk-Silikatgläsern — etwa 570 bis 6200C durchzuführen.
Grundsätzlich ist es natürlich erwünscht, die Oxidation der Ti-Schicht zu TiO2 in Rutil-Modifikation in möglichst kurzer Zeit durchführen zu können. Es ist bekannt — G. Hass, Vacuum, Vol. 11, Nr. 4, Seite 335, Fig. 3 —, daß die Oxidation um so rascher vor sich geht, je höher die Oxidationstemperatur gewählt wird. Steigert man aber die Oxidationstemperatur bei dem bekannten Verfahren auf die an sich für einen schnellen Oxidationsvorgang erforderlichen Werte, nämlich oberhalb von etwa 55O0C, so treten in den Rutil-Schichten Schichtveränderungen auf. Die Schichten werden matt und trüb und streuen sowohl in Transmission als auch in Reflexion Licht in einem derart erheblichen Maße, daß so hergestellte Scheiben für die genannten Anwendungsfälle, insbesondere also als Brüstungsplatten bzw. als Fassadenelemente, nicht mehr eingesetzt werden können. Eigenartigerweise treten die genannten Schichtveränderungen nur bei Rutilschichten auf. Werden andere Vakuum-Aufdampfbedingungen verwendet, insbesondere also schlechteres Vakuum und/oder langsamere Aufdampfgeschwindigkeit, wobei die Oxidation in der bereits beschriebenen Weise zu TiO2-Schichten mit Anatas-Struktur führt, so lassen sich derart beschichtete Scheiben auch auf höhere Temperatüren, wie 5500C und mehr, erwärmen, ohne daß es zu den beschriebenen Schichtveränderungen kommt. Dieselben Schwierigkeiten, daß nämlich die Rutil-Schichten Schichtenveränderungen erleiden, treten naturgemäß auch immer dann auf, wenn in der weiter oben beschriebenen Weise ein thermisches Vorspannen der Scheiben erfolgen soll, da hierfür in der oben angegebenen Weise Temperaturen oberhalb von etwa 5500C, im Falle von Natron-Kalk-Silikatgläsern vorzugsweise etwa 570 bis 6200C, erforderlich sind. Diese tr> nachteiligen Schichtveränderungen treten bei dem Erwärmen der Scheiben auf die zum thermischen Vorspannen erforderlichen Temperaturen unabhängig davon auf, ob die Oxidation der Ti-Schichten zu TiO2-Schichten und die Erwärmung auf die Vorspanntemperatur in einem Schritt erfolgen oder aber die Ti-Schichten zunächst bei einer verhältnismäßig niedrigen, unterhalb 5500C liegenden Temperatur oxidiert und erst anschließend, gegebenenfalls nach Weiterverarbeitung, die Scheiben auf die für das thermische Vorspannen erforderlichen Temperaturen erhitzt werden.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, wärmereflektierende, insbesondere als Brüstungsplatten oder Fassadenelemente geeignete Scheiben der eingangs genannten Art sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung zu schaffen, bei denen die TiO2-Schichten zumindest überwiegend Rutil-Struktur haben und bei denen das Auftreten der störenden Schichtveränderungen beim Erwärmen auf Temperaturen von oberhalb 5500C, wie sie für eine schnelle Oxidation der Ti-Schicht notwendig, insbesondere für das thermische Vorspannen zwingend erforderlich sind, wirkungsvoll unterbunden wird.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe bei einer wärmereflektierenden Scheibe der eingangs genannten Art durch die im Kennzeichen des Patentanspruchs 1 genannten Merkmale gelöst. Dementsprechend zeichnet sich ein erfindungsgemäßes Verfahren zum Herstellen einer wärmereflektierenden Scheibe der erfindungsgemäßen Art durch die im Kennzeichnen des Patentanspruchs 6 genannten Maßnahmen aus.
Besonders bevorzugte Ausführungsformen der wärmereflektierenden Scheibe sowie das Verfahren nach der Erfindung ergeben sich aus den entsprechenden Unteransprüchen.
Der Erfindung liegt die überraschende Erkenntnis zugrunde, daß es gelingt, die nachteiligen Schichtveränderungen der TiO2-Schicht mit Rutil-Struktur beim Erwärmen auf Temperaturen von oberhalb 5500C, wie sie insbesondere zum thermischen Vorspannen erforderlich sind, zu vermeiden, wenn zwischen der Scheibe und der Rutil-Schicht eine Siliziumoxidschicht angeordnet ist, welche natürlich vor dem Aufdampfen der Ti-Schicht aufgebracht werden muß. Die Siliziumoxidschicht kann natürlich ebenfalls durch Vakuumbedampfung hergestellt werden. Es lassen sich aber auch andere bekannte Verfahren, beispielsweise die pyrolytische Abscheidung, also die Umwandlung geeigneter Siliziumausgangsverbindungen, insbesondere organischer Natur, bei höheren Temperaturen in eine Siliziumoxidschicht, anwenden. Besonders vorteilhaft ist natürlich das Aufdampfverfahren, weil in diesem Fall die Herstellung der Siliziumoxidschicht mit dem Aufdampfen der Titanschicht kombiniert werden kann. Das Aufdampfen der Siliziumoxidschicht kann hierbei nach bekannten Verfahren erfolgen. Beispielsweise eignen sich hierfür die Elektronenstrahlverdampfung von Siliziumdioxid oder die Verdampfung von Siliziummonoxid aus widerstandsgeheizten Verdampfervorrichtungen. Beim letztgenannten Verfahren entstehen je nach den Vakuumbedingungen während des Aufdampfprozesses Siliziumoxidschichten unterschiedlichen Sauerstoffgehaltes. Erfolgt die Verdampfung des Siliziummonoxides reaktiv bei einem relativ schlechten Vakuum in der Größenordnung von 10~4 Torr, so ergeben sich Schichten, die etwa der Zusammensetzung S12O3 entsprechen (vgl. E. Cremer, Th. Kraus und E. Ritter, »Über das Absorptionsvermögen dünner Siliziumoxidschichten in Abhängigkeit vom Oxidationsgrad«, Zeitschrift für Elektrochemie, Band 62, Seiten
939-941 [1958]). Erfolgt dagegen die Verdampfung des Siliziummonoxids bei einem relativ guten Vakuum von etwa 10~5 Torr, so entstehen Schichten, die weitgehend der Zusammensetzung SiO entsprechen. Prinzipiell haben sich alle vorstehend beschriebenen Siliziumoxidschichten unterschiedlichen Sauerstoffgehaltes als geeignet erwiesen, die eingangs beschriebenen Schichtenveränderungen der Rutil-Schicht beim Aufheizen auf Temperaturen von 5500C und mehr zu unterbinden. In der Praxis sind allerdings Schichten, welche der Zusammensetzung S12O3 oder S1O2 entsprechen, besser geeignet Der Brechungsindex dieser Schichten stimmt nämlich sehr gut mit dem von normalen Natron-Kalk-Silikatgläsern überein, so daß sich derartige Schichten bei Natron-Kalk-Silikatgläsern besonders gut eignen. Durch diese Schichten werden dann nämlich keine zusätzlichen Interferenzeffekte hervorgerufen, welche bei Schichtdickenschwankungen zu störenden lokalen Farbveränderungen führen könnten. An die Gleichmäßigkeit der S12O3- bzw. SiCVSchichten werden dabei keine hohen Anforderungen gestellt, worin ein verfahrensmäßiger Vorteil zu sehen ist Bei SiO-Schichten mit einem Brechungsindex von etwa 1,9 treten zusätzlich Interferenzeffekte auf. Allerdings sind auch diese Interferenzeffekte noch ziemlich schwach, so daß sich grundsätzlich auch SiO-Schichten für den erfindungsgemäßen Anwendungszweck eignen. Dies ist darauf zurückzuführen, daß die benötigten Schichtdicken in der Größenordnung von lOOÄ im Vergleich zu den Wellenlängen des sichtbaren Spektralbereiches noch sehr klein sind. Besonders bewährt haben sich für die Schichtdicke der Siliziumoxid-Zwischenschicht Werte im Bereich von etwa 30 bis 200 Ä.
Es hat sich gezeigt, daß die Lehre der Erfindung, zwischen der Glasscheibe und der Ti-Schicht vor deren Oxidation eine Siliziumoxidschicht anzuordnen, bei Verwendung von Natron-Kalk-Silikatgläsern als Glasscheibe von besonderem Vorteil ist. Anzumerken ist noch, daß die Lehre der Erfindung sich auf solche wärmereflektierenden Scheiben bzw. deren Herstellung beschränkt, bei denen die TKVSchichten durch Aufdampfen bei gutem Vakuum und anschließende Oxidation hergestellt werden. Nur durch Vakuumbedampfung bei gutem Vakuum nämlich ist es möglich, TiO2-Schichten mit Rutil-Struktur zu erhalten.
Der Fachmann konnte aus dem Stand der Technik keine Anregung zur Lehre der Erfindung gewinnen. So sind zwar in der DT-OS 15 96 816 kombinierte Titanoxid- und Siliziumoxidschichten beschrieben, jedoch liegt die Siliziumoxidschicht nicht zwischen der Glasscheibe und der Titanoxidschicht, vielmehr liegt die Titanoxidschicht direkt an der Glasscheibe an. Weiterhin ist in dieser Druckschrift eine Schichtanordnung beschrieben, bei der an der Glasscheibe eine Mischschicht aus Siliziumoxid und Titanoxid anliegt, woraufhin dann erst eine Titanoxidschicht und schließlich eine Siliziumdioxidschicht folgen. In ähnlicher Weise zeigt auch die CA-PS 4 64 446 Schichtanordnungen, bei denen auf einer Glasscheibe aufeinanderfolgend eine Mischschicht aus Titanoxid und Siliziumoxid sowie (eine) reine Titanoxid- bzw. Siliziumdioxidschicht(en) angeordnet sind, jedoch ist dieser Druckschrift, bei der die Aufbringung der Schicht durch Zersetzung erfolgt, ebensowenig wie der obengenannten DT-OS 15 96 816 ein Hinweis auf die Lehre der Erfindung zu entnehmen, zum Vermeiden von Schichtveränderungen bei Scheiben der eingangs genannten Art, bei denen also die Herstellung der TKVSchicht durch Vakuumbedampfung und anschließende Oxidation erfolgt, zwischen Glasscheibe und Ti-Schicht eine sehr dünne Siliziumoxidschicht vorzusehen.
Weiterhin ist es durch die DT-AS 17 71 575 bereits bekannt, auf einer Germaniumplatte, die bereits einen dünnen Siliziumdioxidfilm aufweist, einen Titandioxidfilm zu bilden. Dabei entsteht dann zwar eine Struktur, bei der zwischen dem Substrat und dem TKVFiIm ein Siliziumdioxidfilm vorliegt, jedoch ergibt sich auch hieraus nicht die planmäßige Lehre zum technischen Handeln, in der erfindungsgemäß vorgesehenen Weise auf die Oberfläche der Glasscheibe vor der Vakuumaufdampfung der Ti-Schicht eine Zwischenschicht aus Siliziumoxid aufzubringen. Weiterhin zeigt die US-PS 24 78 817 bereits allgemein die Herstellung von TiO2-Schichten im Tauchverfahren, jedoch ist auch hieraus keinerlei Hinweis auf die erfindungsgemäß vorgesehene Anordnung der Siliziumoxidschicht zwischen der Glasscheibe und der vakuumaufgedampften Ti-Schicht zu entnehmen. Schichtanordnungen mit der Schichtfolge Glas—Aluminium—S1O2—T1O2 bzw. Glas—T1O2—S1O2 sind im übrigen auch noch in den tschechoslowakischen Patentschriften 5051/66 bzw. PV 4393-65, auszugsweise veröffentlicht in Glastechnische Berichte P40, Juni 1968, bzw. Pll, Februar 1968, beschrieben, ohne daß sich auch hier ein Hinweis auf die erfindungsgemäße Lehre fände, zwischen der Glasscheibe und der Ti-Schicht vor der Oxidation bei hohen Temperaturen, wie sie für das Vorspannen der Scheibe erforderlich sind, eine dünne Siliziumoxidschicht vorzusehen.
Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung an Hand der schematischen ,Zeichnung im einzelnen erläutert.
Die aus einer einzigen Figur bestehende Zeichnung zeigt den Aufbau einer wärmereflektierenden Scheibe nach der Erfindung im Schnitt.
Wie in der Zeichnung zu erkennen ist, weist eine wärmereflektierende Scheibe nach der Erfindung eine Glasscheibe 10, insbesondere aus Natron-Kalk-Silikatglas, auf, auf der aufeinanderfolgend eine Siliziumoxidschicht 12 und eine TKVSchicht 10 angeordnet sind. Die Herstellung dieser Schichtanordnung kann in der Weise erfolgen, daß auf die Glasscheibe 10 zunächst die Siliziumoxidschicht 12 und anschließend eine Ti-Schicht aufgebracht werden, welch letztere dann durch Oxidation bei einer hierfür ausreichenden Temperatur zu T1O2 in Rutil-Modifikation oxidiert wird. Die in der Zeichnung gezeigte Schichtanordnung besteht aus thermisch vorgespanntem Glas, mit anderen Worten, die Glasscheibe ist nach der Beschichtung auf eine Temperatur im Bereich von 570 bis 6200C erhitzt und dann abgeschreckt worden. Vorzugsweise wird dabei so vorgegangen, daß die mit der Siliziumoxidschicht 12 und der Ti-Schicht versehene Glasscheibe sogleich auf eine Temperatur im Bereich von 570 bis 6200C — im Falle von Natron-Silikatglas — aufgeheizt wird, wobei dann sowohl die Umwandlung der aufgedampften Ti-Schicht in T1O2 als auch das Erwärmen der Glasscheibe 10 auf
on die für das thermische Vorspannen erforderliche Temperatur erfolgen, so daß sich sofort das Abschrekken anschließen kann. Nachteilige Schichtänderungen der auf diese Weise in Rutil-Modifikation vorliegenden TiO2-Schicht 14 ließen sich nicht beobachten.
· Im folgenden werden noch zwei Beispiele beschrieben, bei denen einmal (Beispiel 1) nach dem Stand der Technik und zum anderen (Beispiel 2) nach der Lehre der Erfindung vorgegangen wurde.
Beispiel 1
In einer Vakuumbedampfungsanlage wurde eine Floatglasscheibe mit einer Dicke von 8 mm und Außenabmessungen von 300 cm · 245 cm zunächst bei einem Druck von 3 - 10-2 Torr in üblicher Weise durch Glimmentladung gereinigt Anschließend wurde bei einem Druck von 3 - 10-5 Torr eine Ti-Schicht aufgedampft. Die beschichtete Scheibe wurde dann in einem üblichen thermischen Vorspannofen auf 620° C aufgeheizt und anschließend abgeschreckt Während des Aufheizprozesses war die Titan-Schicht zu einer TiOrSchicht von 520 Ä Dicke mit Rutil-Struktur oxidiert worden. Die Schicht war aber trübe und matt, so daß die Scheibe nicht verwendet werden konnte, da derartige Scheiben insbesondere bei der Verwendung
als Brüstungsplatte oder Fassadenelement aus architektonischen Gründen nicht toleriert werden.
Beispiel 2
Es wurde wie in Beispiel 1 verfahren, mit dem Unterschied, daß nach der Glimmreinigung und vor dem Aufdampfen der Titan-Schicht bei einem Druck von 1,3 · 10-4 Torr durch reaktive Verdampfung von Siliziummonoxid eine 130 Ä dicke Si2O3-Zwischen-
,0 schicht aufgebracht wurde. Die beschichtete Scheibe wurde in gleicher Weise wie in Beispiel 1 vorgespannt. Die TiO2-Schicht wies ebenfalls Rutil-Struktur auf. Sie war aber im Gegensatz zu der nach Beispiel 1 hergestellten Scheibe vollkommen klar, so daß sich die so hergestellte Scheibe ausgezeichnet als Brüstungsplatte bzw. Fassadenelement verwenden ließ.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
809 518/491

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Wärmereflektierende Scheibe, bestehend aus einer Glasscheibe, insbesondere aus Natron-Kalk-Silikatglas, mit einer TiCVSchicht in Rutilmodifikation, die durch Aufdampfen einer Ti-Schicht im Vakuum und anschließende Oxidation hergestellt ist, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Glasscheibe (10) und der TiO2-Schicht (14) eine keine Interferenzen bewirkende aufgedampfte SiIi- ι ο ziumoxidschichtiO) angeordnet ist.
2. Wärmereflektierende Scheibe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliziumoxidschicht (12) eine Dicke von 30 bis 200 Ä hat.
3. Wärmereflektierende Scheibe nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliziumoxidschicht (12) eine Dicke von 100 A hat.
4. Wärmereflektierende Scheibe nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliziumoxidschicht (12) in Si2O3-Form vorliegt.
5. Wärmereflektierende Scheibe nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Glasscheibe (10) durch Erwärmen auf eine Temperatur von mindestens 5500C, Vorzugsweise 570 bis 6200C, und anschließendes Abschrekken thermisch vorgespannt ist.
6. Verfahren zum Herstellen einer wärmereflektierenden Scheibe nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem auf eine Glasscheibe, insbesondere aus Natron-Kalk-Silikatglas, durch Aufdampfen im Vakuum eine Ti-Schicht aufgebracht und diese dann bei erhöhter Temperatur zu T1O2 in Rutil-Modifikation oxidiert wird, dadurch gekenn-
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