DE1065689B - Verfahren und Vorrichtung zum Her stellen von Interferenzschichten auf optisch wirksamen Flachen - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Her stellen von Interferenzschichten auf optisch wirksamen FlachenInfo
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Classifications
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Description
DEUTSCHES
Gegenstand vorliegender Erfindung ist ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Herstellen von Interferenz
schichten auf optisch wirksamen Flächen durch
Aufdampfen im Hochvakuum.
Es ist bekannt, daß bei der Herstellung von interferenzfähig'en,
dünnen Schichten auf optisch wirksamen Flächen; der Brechungsindex und die Dicke der
Schichten dem Brechungsindex des Glases bzw. bei Mebrfachschichten auch die Brechungsindizes der
Schichten aufeinander abgestimmt sein müssen. Es ist andererseits bekannt, daß die Zahl der aufdampffähigen
Substanzen, die für Interferenzschichten in. Frage, kommen, relativ gering ist. Insbesondere besteht bei
vielen Substanzen, die an sich geeignet wären, der Nachteil, daß sie sich beim Aufdampfen zersetzen.
Das trifft besonders für verschiedene: Oxyde, wie beispielsweise Titandioxyd, zu. Da die Zersetzungsprodukte
im allgemeinen nicht die gewünschten Eigenschaften aufweisen, hat man versucht, die ursprünglichen
Substanzen, beispielsweise durch nachträgliche Oxydation, wiederherzustellen. Dabei verfuhr man
entweder so, daß die Schichten in einer Sauerstoffatmosphäre nachträglich getempert wurden, oder daß
man das Aufdampfen in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre durchführte.
Bei dem zuerst genannten Verfahren werden jedoch
häufig die tieferen Schichten, nicht mehr aufoxydiert, bei dem zweitgenannten, Verfahren ist im allgemeinen
der relativ hohe erforderliche Sauerstoffpartialdruck bei der Herstellung von harten. Schichten schädlich.
Wollte man bei diesen Drucken beispielsweise Titandioxyd oder Zinksulfid zu technischen, absorptionsfreien
Schichten aufdampfen, so müßten allein die notwendigen Sauerstoff- bzw. Schwefclpartialdrücke
zwischen 3· 10~4 und 1O-1 Torr liegen.
Das Verfahren nach der Erfindung vermeidet die genannten Nachteile und gestattet es, bei einem technisch
vertretbaren Aufwand unter geringsten Drucken ausgezeichnete interferenzfähige Schichten aufzudampfen.
Es ist dadurch gekennzeichnet, daß während des Verdampfens der Substanzen ein Ionenstrahl jenes
Anteils der Substanzen auf die optisch wirksame Fläche gerichtet wird, der bei der Verdampfung der
Substanzen durch Zersetzung verlorengeht. Die Menge der auftreffenden Ionen wird dabei gerade so hoch gewählt,
daß die Umsetzung — als Reaktion an Oberflächen fester Körper — in einem solchen Maße erfolgt,
daß die Lichtabsorption der erzeugten Schicht den gewünschten Anforderungen entspricht.
Durch diese Maßnahme ist einerseits gewährleistet, daß die Oberflächenschicht tatsächlich aus der gewünschten
Verbindung besteht. Andererseits kann der Gesamtdruck in der Vakuumapparatur an der unteren
Grenze des technisch erreichbaren gehalten werden, Verfahren und Vorrichtung
zum Herstellen von Interferenzschichten
auf optisch wirksamen Flächen
Anmelder:
Ernst Leitz G.m.b.H.,
Wetzlar/Lahn, Laufdorfer Weg
Wetzlar/Lahn, Laufdorfer Weg
da nur der Überschuß an Ionen, der nicht an der Reaktion teilnimmt, einen zusätzlichen Druck ergibt.
Es ist auf diese Weise möglich, technisch absorptionsfreie Schichten herzustellen durch Aufdampfen
von z. B. Kieselsäure und Titandioxyd bei Drücken von weniger als 10—5 Torr. Zur Durchführung des
Verfahrens ist bei den bekannten Aufdampfapparaturen lediglich zusätzlich eine Ionenquelle, ζ. B. in der
Form einer Ionenquelle nach Heyl, derart anzubringen,
daß der aus der Ionenquelle austretende Ionenstrahl auf die zu bedampfenden Flächen gerichtet ist.
Die Menge der aufzudampfenden Ionen kann dabei beispielsweise durch geeignete Blenden oder durch
elektrische Steuerung eines vo-r der Ionenquelle angebrachten Stcucrgitters geregelt werden. Es ist zweckmäßig,
die Beschleunigungsspannung für die Ionen nicht zu niedrig zu wählen, da dadurch der Ionenstrahl
versteift und die Richtwirkung gewährleistet wird. Vorteilhaft ist es, zwischen der-Beschleunigungsanode
und der Ionenoptik der Ionenquelle einen Anschluß an die Vakuumpumpe vorzusehen. Dadurch wird verhindert,
daß nicht ionisierte Gasmoleküle in den Aufdampfungsraum gelangen und den Gesamtdruck verschlechtern.
In der Zeichnung ist ein Beispiel für eine derartige Auf dampf apparatur dargestellt.
Auf der Grundplatte 2 ist die Aufdampfglocke 1 angebracht, in der eine Palette 3 für die zu bedampfenden
Linsen 4 angeordnet ist. Auf der Grundplatte 2 ist ein Elektromotor 5 angeordnet, der eine Blende 6 antreibt.
Am Boden der Aufdampfapparatur sind die Aufdampföfen 7 angeordnet, 'die als im thermodynamischen
Gleichgewicht arbeitende öfen ausgebildet sind. Weiterhin ist im Boden der Aufdampfapparatur
eine Ionenquelle 8 angeordnet, in die beispielsweise
909 628/253 a
mittels des Rohranschlusses 9 Sauerstoffmoleküle eingeleitet werden können. Die Ionenquelle ist durch den
Rohrstutzen 10 mit dem zur Vakuumpumpe führenden Absaugkanal 11 verbunden.
Durch Anordnung von mehreren Auf dampf öfen
und gegebenenfalls mehrerer Ionenquellen unter derselben Glocke ist es möglich, in kontinuierlichem
Betrieb Mehrfachschichten aus verschiedenen Substanzen, z. B. Oxyden, Fluoriden und Sulfiden, nacheinander
aufzudampfen. Selbstverständlich kann die Aufdampfapparatur auch mit werteren an, sich bekannten
Vorrichtungen zum Glimmen oder Beheizen der zu bedampfenden Flächen versehen sein.
Claims (5)
- Patentansprüche: j5. 1. Verfahren zum Berstellen von Interferenzschichten auf optisch wirksamen Flächen durch Aufdampfen von Substanzen im Hochvakuum, dadurch gekennzeichnet, daß während des Verdampfens der Substanzen ein Ionenstrahl jenes Anteils der Substanzen auf die optisch wirksame Fläche gerichtet wird, der bei der Verdampfung der Substanzen durch Zersetzung verlorengeht, wobei die Menge der auftreffenden Ionen so groß gewählt wird, daß die Umsetzung — als Reaktion an Oberflächen fester Körper — in einem solchen Maße erfolgt, daß die Lichtabsorption der erzeugten Schicht den gewünschten Anforderungen entspricht.
- 2. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in einer an sich bekannten Aufdampfapparatur zusätzlich eine Ionenquelle derart angeordnet ist, daß der austretende Ionenstrahl auf die zu bedampfenden Flächen gerichtet ist.
- 3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine beispielsweise drehbare Blende zwischen der Ionenquelle und den zu bedampfenden Flächen vorgesehen ist.
- 4. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Ionenquelle ein elektrisch steuerbares Gitter angeordnet ist.
- 5. Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Beschleunigungsanode und der Ionenoptik der Ionenquelle ein Pumpanschluß vorgesehen ist.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen© 909 628/253a 9.59
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1065689B true DE1065689B (de) | 1959-09-17 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DENDAT1065689D Pending DE1065689B (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Her stellen von Interferenzschichten auf optisch wirksamen Flachen |
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DE (1) | DE1065689B (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1923645A1 (de) * | 1968-05-10 | 1970-08-27 | Commw Of Australia | Beschichtungsverfahren fuer optische Linsen u.dgl. |
DE2646513C2 (de) * | 1976-10-15 | 1984-10-04 | Bfg Glassgroup, Paris | Verfahren zur Herstellung einer wärmereflektierenden Natron-Kalk-Silikatglasscheibe |
WO1986002386A1 (fr) * | 1984-10-09 | 1986-04-24 | Centre National De La Recherche Scientifique | Procede de formation par depot sous basse pression d'une couche de materiau isolant sur un substrat et produit obtenu |
-
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- DE DENDAT1065689D patent/DE1065689B/de active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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DK154497B (da) * | 1976-10-15 | 1988-11-21 | Bfg Glassgroup | Fremgangsmaade til fremstilling af en varmereflekterende natron-kalk-silikatrude |
WO1986002386A1 (fr) * | 1984-10-09 | 1986-04-24 | Centre National De La Recherche Scientifique | Procede de formation par depot sous basse pression d'une couche de materiau isolant sur un substrat et produit obtenu |
FR2575766A1 (fr) * | 1984-10-09 | 1986-07-11 | Centre Nat Rech Scient | Procede de formation, sous basse pression, d'une couche de materiau isolant de qualite electronique sur un substrat |
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