DE2646161A1 - Analoger spannungsspeicher - Google Patents

Analoger spannungsspeicher

Info

Publication number
DE2646161A1
DE2646161A1 DE19762646161 DE2646161A DE2646161A1 DE 2646161 A1 DE2646161 A1 DE 2646161A1 DE 19762646161 DE19762646161 DE 19762646161 DE 2646161 A DE2646161 A DE 2646161A DE 2646161 A1 DE2646161 A1 DE 2646161A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
analog
operational amplifier
output
resistor
analog voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19762646161
Other languages
English (en)
Inventor
Shunji Minami
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP50123556A external-priority patent/JPS5247354A/ja
Priority claimed from JP15938975A external-priority patent/JPS5280762A/ja
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of DE2646161A1 publication Critical patent/DE2646161A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C27/00Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
    • G11C27/02Sample-and-hold arrangements
    • G11C27/024Sample-and-hold arrangements using a capacitive memory element

Landscapes

  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

DR. BERG DIFL. ING. SIaPF DIPL.-ING. SCHWABE DR. DR. SANDMAIR 2646161
PATENTANWÄLTE
8 MÜNCHEN 86, POSTFACH 86 02 45
Anwaltakte: 2?
Matsushita Electric Industrial Co.Ltd. Kadoma-shi Osaka-fu/Japan
Analoger Spannungsspeicher
Die Erfindung betrifft einen analogen Spannungsspeicher, mittels welchem der Unterschied zwischen zwei analogen Eingangsspannungen oder deren Summe gehalten werden kann.
Bisher sind verschiedene Arten von analogen Spannungsspeichern erdacht und geschaffen worden, um den genauen Unterschied zwischen zwei analogen Eingangsspannungen oder deren Summe zu erhalten und das Ergebnis lange Zeit zu halten; bis jetzt haben sie jedoch in der Praxis noch nicht den Erwartungen entsprochen, da ihre Schaltungen sehr kompliziert und ihrer Operationen nicht zuverlässig und betriebssicher sind.
VII/B/Kt. 7098 15/09*1 _2_
Ϊ (089) 98 8272 8 München 80, Mauerkircherstraße 45 Banken: Bayerische Vereinsbank München 453 HXI
987043 Telegramme: BERGSTAPFPATENT München Hyno-Bank München 3890002624
983310 TELEX: 0524560 BERG d Postscheck München 65343-8118
Gemäß der Erfindung soll daher ein analoger Spannungsspeicher geschaffen werden, mit welchem der genaue Unterschied oder die Summe von zwei analogen Eingangsspannungen zu einem beliebigen Zeitpunkt erhalten und das Ergebnis für eine ziemlich lange Zeit genau gehalten werden kann, welcher im Aufbau sehr einfach, preiswert herzustellen und im Betrieb hochzuverlässig und betriebssicher ist.
Gemäß der Erfindung weist ein analoger Spannungsspeicher daher folgende Einrichtungen auf: einen Differenzverstärker, um den Unterschied zwischen zwei analogen Eingängen zu erhalten, einen Operationsverstärker mit einem nichtinvertierenden Eingang, der mit dem Ausgang des Differenzverstärkers verbunden ist, eine analoge Schalteinrichtung, von der eine Seite mit der Ausgangsschaltung des Operationsverstärkers verbunden ist, einen MOS-FeIdeffekttransistor, dessen Steuerelektrode mit der anderen Seite der analogen Schaltanordnung verbunden ist und dessen Quellenelektrode mit dem nichtinvertierenden Eingang des Operationsverstärkers verbunden ist, einen nichtpolarisierten Kondensator, der zwischen die Steuerelektrode des MOS-Feldeffekttransistors und eine negative Energiequelle oder Erde geschaltet ist und einen Ausgangswiderstand, der zwischen die Quellenelektrode des MOS-Feldeffekttransistors und die negative Energiequelle oder Erde geschaltet ist, wodurch der Ausgang des Differenzverstärkers als eine Quellenelektroden-Folgespannung des Feldeffekttransistors erhalten und für eine ziemlich lange Zeit gehalten werden kann.
709815/0941
Gemäß der Erfindung kann die Summe von zwei analogen Eingängen oder deren Differenz mittels einer Schaltung erhalten werden, welche im Aufbau einfach ist und welche für eine ziemlich lange Zeit genau gehalten wird. Infolgedessen kann ein analoger Spannungsspeicher gemäß der Erfindung vorteilhaft in Verbindung mit einem Meßinstrument verwendet werden, um die Summe von zwei analogen Eingängen oder deren Differenz abzutasten und um das Ergebnis zu erhalten. Außerdem findet die Erfindung in großem Umfang Anwendung bei medizinischen Geräten und Einrichtungen.
Die Erfindung schafft somit einen analogen Spannungsspeicher mit einem Differenzverstärker, um die Differenz zwischen zwei analogen Eingängen zu erhalten, mit einem Operationsverstärker, an welchen der Ausgang des Differenzverstärkers und die Quellenelektroden-Folgespannung eines MOS-Feldeffekttransistors angelegt werden, mit einer Schalteinrichtung, die mit dem Ausgangsanschluß des Operationsverstärkers und der Steuerelektrode des Feldeffekttransistors verbunden ist, mit einem Ausgangswiderstand, der zwischen die Quellenelektrode des Feldeffekttransistors und eine negative Energiequelle oder Erde geschaltet ist, und mit einen nichtpolarisierten Kondensator, der zwischen die Steuerelektrode des Feldeffekttransistors und eine negative Energiequelle oder Erde geschaltet ist, wodurch die Ausgangsspannung von dem Differenzverstärker als .Ausgangsspannung erhalten werden kann, welche die Quellenelektroden-Folgespannung des Feldeffekttransistors ist und gehalten wird· Mit dem analogen Spannungsspeicher kann somit der Unterschied zwischen zwei beliebigen analogen Eingängen für
709815/0941
lange Zeit auf eine sehr einfache Weise erhalten und gehalten werden^und infolgedessen hat er eine doppelte Funktion als Addier- oder Subtrahiereinrichtung und als analoger Speicher, ist sehr brauchbar und findet in großem Umfang Anwendung bei Meßinstrumenten und medizinischen Geräten oder Einrichtungen.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von drei bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die anliegenden Zeichnungen im einzelnen erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Schaltung einer ersten Ausführungsform eines analogen Spannungsspeichers gemäß der Erfindung;
Fig. 2 Wellenformen von zwei Eingangsspannungen, eines Steuersignals und einer Ausgangsspannung;
Fig. 3 eine Schaltung einer zweiten Ausführungsform gemäß der Erfindung;
Fig. 4 Wellenformen von zwei Eingangsspannungen, eines Steuersignals und einer Ausgangsspannung;
Fig. 5 eine Schaltung einer dritten Ausführungsform gemäß der Erfindung; und
Fig. 6 eine schematische Darstellung einer MOS-Feldeffekttransistüranordnung, die in der dritten, in Fig. 5
dargestellten Ausführungsform verwendet ist. 709815/0941
In Fig. 1 ist eine erste Ausführungsform der Erfindung dargestellt, welche einen Operationsverstärker A^ mit einem invertierenden Eingang a^ und einem nichtinvertierenden Eingang b. aufweist, welche über Widerstände R. bzw. R^ mit den Eingangsanschlussen T. und T2 verbunden sind, an welchen Eingänge e. bzw. e2 angelegt werden. Der invertierende Eingang a. ist mit dem Ausgang des Operationsverstärkers A^1 über einen V/iderstand Rp verbunden, während der nichtinvertieren.de Eingang b. über einen V/iderstand R^, geerdet ist. Auf diese V/eise stellen der Operationsverstärker A. und die Widerstände R. bis R^, einen Differenzverstärker A. mit einer Verstärkung von eins dar.
Der Ausgang des Operationsverstärkers A^. ist über einen Widerstand Rg mit einem nichtinvertierenden Eingang b2 des zweiten Operationsverstärkers Ap verbunden, dessen Ausgang über einen Widerstand R7 und ein Schutzgas- oder Reedrelais RL mit der Steuerelektrode eines MOS-Feldeffekttransistors verbunden ist. (Im folgenden wird in diesem Zusammenhang von "FET" gesprochen.) Die Quellenelektrode des FET1SQ2 ist über einen Widerstand R1-mit einem invertierenden Eingang des zweiten Operationsverstärkers Ap, mit einem Ausgangsanschluß T^, an welchem ein Ausgang Vq erhalten wird, undnit einer Seite eines Ausgangswiderstands R0 verbunden. Die Steuerelektrode des FET's Qp ist mit einem Anschluß eines nichtpolarisierten Kondensators G. verbunden, dessen anderer Anschluß zusammen mit der anderen Seite des Ausgangswiderstands Rq mit einer negativen Energiequelle (-) verbunden ist. Die Senkenelektrode des FET's ist mit einer positiven Energiequelle (+) und mit einem Ende einer Spule eines Schutzgas- oder Reed-
709815/09 4 1
— b —
relais RL verbunden, deren anderes Ende mit dem Kollektor eines Schalttransistors Q. verbunden ist. Dessen Basis ist über einen Widerstand Rg mit einem Steueranschluß T^ verbunden, während sein Emitter geerdet ist.
Die positive Energiequelle (+) ist auch mit den positiven Anschlüssen des ersten und zweiten Operationsverstärkers A,, und Ap und über das Schutzgas- oder Reedrelais RL mit einer Seite des Kondensators G, verbunden, während die negative Energiequelle (-) mit den negativen Anschlüssen des ersten und zweiten Operationsverstärkers A. und Ap verbunden ist.
Als nächstes wird die Arbeitsweise der ersten Ausführungsform mit dem vorbeschriebenen Aufbau anhand von Fig. 2 beschrieben. Wenn die zwei Eingänge e^ und e2» wie in Mg. 2 (a) dargestellt ist, an den ersten Operationsverstärker A. angelegt werden, wird der nachstehend wiedergegebene Ausgang eQ erhalten:
r V2 >, R4 R2
eo " (ΐζϊϊζ; > iq · e2 -
Wenn R. = R2 = R^ =R^ ist, wird: eQ = e2 - e^. Der Ausgang an dem ersten Verstärker A,. ist infolgedessen die Differenz zwischen den zwei Eingängen.
Wenn die Steuerspannung V .,wie in Fig. 2(b) dargestellt, an den Steueranschluß T1. angelegt ist, fließt ein Strom über den Widerstand Rg, so daß der Schalttransistor CL· angeschaltet wird, und
709815/0941 " 7 ~
folglich die Spule des Schutzgas-oder Reedrelais EL erregt, um den Schutzrohrkontakt zu schließen. Wenn Vq > eQ ist, ist der Ausgang des zweiten Operationsverstärkers Ap negativ, und der Kondensator C- wird über den Widerstand R7 entladen. Als Folge hiervon nimmt der Strom an der Senkenelektrode des FET's Q2 mit der Spannungsabnähme an dem Kondensator Gy. ab und folglich nimmt die Ausgangsspannung Vq an dem Ausgangswiderstand Rq ab und wird schließlich gleich e0. Der Ausgang an dem zweiten Operationsverstärker Ap ist dann ausgeglichen, und die Entladung des Kondensators C- wird unterbrochen.
Wenn das Steuersignal V- weggenommen, d.h. nicht mehr angelegt wird, wird das Schutzgas- oder Reedrelais RL abgeschaltet, so daß die Spannung an dem Kondensator C- unverändert bleibt. Auf diese Weise wird, während das Steuersignal V- angelegt wird, die Ausgangsspannung Vq = eQ (Vq = eQ), um den Spannungsunterschied zwischen den zwei Eingängen e. und βρ zu halten.
Wenn eQ > VQ ist, und wenn das Steuersignal V^ an den Steueranschluß T^, angelegt wird, ist der Ausgang des zweiten Operationsverstärkers Ap positiv, und das Schutzgas- oder Reedrelais RL wird in der vorbeschriebenen Weise geschlossen, so daß mit dem Laden des Kondensators G, begonnen wird, wodurch die Spannung an diesem zunimmt, bis die Quellenelektroden-Folgespannung oder die Ausgangsspannung Vq gleich eQ wird. Der zweite Operationsverstärker Ao ist dann in den Gleichgewichtszustand gebracht, und selbst wenn das Steuersignal V- entfernt, d.h. nicht mehr ange-
- 8 709815/09 41
legt wird, bleibt die Ausgangsspannung Vq gleich eQ, wie in S1Ig. 2(c) dargestellt ist.
Aus der vorstehenden Beschreibung ist zu ersehen, daß mit einer ausreichend kleinen Zeitkonstanten einer Schaltung aus dem Widerstand R7 und dem Kondensator C. die analoge Operation oder Berechnung, um Vq = e2 - e. zu erhalten, sehr vereinfacht werden kann. In ähnlicher V/eise kann eine analoge Addition und Speicherung bewirkt werden, wenn der Eingang e, in die Größe -e. invertiert wird und an den invertierenden Eingang a^, des ersten Operationsverstärkers A^, angelegt wird.
In Fig. 3 ist eine zweite Ausführungsform der Erfindung dargestellt, in welcher ein Differenzverstärker A.q mit einer Verstärkung von eins einen ersten Operationsverstärker A^ sowie Widerstände R^^ bis R^7, aufweist, und Eingänge e^ und e^p an einen invertierenden Eingang a^y, bzw. einen nichtinvertierenden Eingang 'by.y, angelegt werden. Der Ausgang des ersten Operationsverstärkers ky.y, ist mit einem nichtinvertierenden Eingang b,p eines zweiten Operationsverstärkers a^p verbunden, dessen negativer Anschluß über eine Zenerdiode D mit einer negativen Energiequelle (-) verbunden ist. Der Ausgang des zweiten Operationsverstärkers A. ρ ist mit der Senkenelektrode eines ersten FET's Q.. verbunden, dessen Quellenelektrode mit der Steuerelektrode eines zweiten FET's Q,p verbunden ist. Ein nichtpolarisierter Kondensator CL,. ist zwischen die Steuerelektrode des zweiten FET's CLp und Erde geschaltet, und die Quellenelektrode des zweiten FET1S Q^2 ist über einen Widerstand R^ mit der negativen Energiequelle, mit
- 9 -709815/0941
einem Ausgangsanschluß T und mit einem invertierenden Eingang a.g cLes zweiten Operationsverstärkers A.p verbunden. Die Steuerelektrode des ersten FET's CL·. ist über einen Widerstand R.g mit der negativen Energiequelle und über einen Widerstand R.,- mit einem Steueranschluß T.^ verbunden. Die positiven Anschlüsse des ersten und zweiten Operationsverstärkers A^~ und A-? und die Senkenelektrode des zweiten IET's Q^o sind mit einer positiven Energiequelle (+) verbunden, und die negativen Anschlüsse des ersten Opei'ationsverstarkers A^y. sind mit der negativen Energiequelle (-) verbunden. Auf diese Weise wird die Quellenelektroden-Folgespannung des zweiten FET's Qx.- als Ausgangsspannung V^0 an dem Ausgangswiderstand R^ erhalten.
Als η ächstes wird die Arbeitsweise dieser Schaltung anhand der Fig. M- beschrieben. Wenn das Steuersignal V χ.., wie in Fig. 4-(b) dargestellt, an den Steueranschluß T.^ und somit an die Steuerelektrode des ersten FET's Q^. angelegt wird, und die zwei Eingänge e^y, und e.p an <3-en invertierenden Eingang a.. bzw. den nichtinvertierenden Eingang b.. des ersten Operationsverstärkers A^ angelegt werden, wie in Fig. 4-(a) dargestellt ist, wird der erste FET Q.. für eine Zeitdauer angeschaltet gehalten, welche gleich der Impulsbreite ? des Steuersignals V ,»,. ist. (Siehe Fig. 4-(b)). (Der Widerstand Rx,^ hat einen Wert, der erheblich kleiner ist als der des Widerstands R^6; das heißt, R-1,- « R^ig·) Der Ausgang e.Qdes Differenzverstärkers A^q, welcher den ersten Operationsverstärker L^ und die V/iderstände R.. bis R.. aufweist, läßt sich dann ausdrucken durch:
e10 = e12 " e11
- 10 709815/0941
Wenn e.Q > V^0 ist, dann ist der Ausgang des Operationsverstärkers A^2 positiv, und der Kondensator C.. wird über einen Innenwiderstand r des ersten FET's Q.. geladen. Aufgrund der Wirkung des zweiten Operationsverstärkers A^2 steigt dann der Ausgang des zweiten FET1S Q^2 an, bis
V10 = e10 ist.
Bei Verschwinden des Steuersignals V ., wird der erste FET Q.,. abgeschaltet, und die an sich vorhandene Spannung an dem Kondensator C^1 bleibt erhalten, so daß die Beziehung V^q = e^Q gehalten wird.
V/enn dann das nächste Steuersignal Ϊ >. an den Steueranschluß T.^ angelegt wird, wird eine entsprechende Operation wiederholt, so daß der analoge Spannungsspeicher die Ausgangsspannung hält, welche gleich e^A = β/ιό ~ ei<i is*· Auf diese Weise ändert sich dann die Ausgangsspannung V^0 mit der Zeit, wie in Fig. 4(c) dargestellt ist.
Die dritte in Fig. 5 dargestellte Ausführungsform der Erfindung entspricht im wesentlichen dem Aufbau der zweiten in Fig. 3 dargestellten Ausführungsform, außer daß statt des ersten FET's Q^1 zwei FET'en verwendet sind. Insbesondere weist eine FET-Anordnung Q ' zwei FET'en auf, deren Masseanschlüsse und Quellenelektroden jeweils mechanisch miteinander verbunden sind, und deren Quellenelektroden elektrisch miteinander verbunden sind, so daß der Sperrzustand der FET-Anordnung Q^1 äquivalent dem Zustand ist, der durch zwei Dioden geschaffen ist, die gegenpolige geschaltet sind, wie in Fig. 6 dargestellt ist. Infolgedessen arbeitet die
- 11 709815/0941
«Η
ΕΈΤ-Anordnung Q-' wie ein Schalter mit einem erheblich höheren Isolierungsgrad. Die Arbeitsweise der dritten Ausführungsform entspricht im wesentlichen der der zweiten Ausführungsform.
Sowohl die zweite als auch die dritte Ausführungsform arbeiten jeweils als ein analoger Addier-Speicher wie im Fall derersten Aus führungsform.
In der ersten Ausführungsform ist der andere Anschluß des Kondensators G mit der negativen Energiequelle verbunden, während in der zweiten und der dritten Ausführungsform der Kondensator C--an dem anderen Anschluß geerdet ist; ihre Wirkungsweisen sind jedoch abgesehen von dem Unterschied bei dem Bezugsspannungspegel für den Kondensator C- im wesentlichen ähnlich. Die Wahl hängt davon ab, ob der negative Ausgang der Quellenelektroden-Folgestufe, welcher als Ausgangsspannung gehalten wird, gefordert wird oder nicht.
Wenn einer der Eingänge e* oder e^ bzw. e.^, oder e^ 3^ Differenzverstärker Aq oder A-q als Bezugs spannung gewählt wird, kann die Erfindung in sehr vorteilhafter Weise in Verbindung mit einem Instrument zum Messen des Gehalts an giftigen Gasen in der Atmosphäre bzw. der Umgebungsluft, eines Flüssigkeitspegels oder des Blutdrucks verwendet werden.
Patentansprüche - 12 -
709815/0941
Leerseite

Claims (7)

  1. Patentansprüche
    Analoger Spannungsspeicher, gekennzeichnet durch einen Differenzverstärker(Aq-, A.q), um die Differenz zwischen zwei analogen Eingängen (e^., e2; e.., e^) zu erhalten; durch einen Operationsverstärker (A2; A^2) m^ einem nichtinvertierenden Eingang (b2; b/i?)» ^-er m^-* ^em Ausgang des Differenzverstärkers (Aq; A^q) verbunden ist; durch eine analoge Schalteinrichtung (RL; Q/1-1; Q/iJi)» die mit einer Seite mit der Ausgangsschaltung des Operationsverstärkers (A2; A^2) verbunden ist; durch einen MOS-Feldeffekttransistor (Q2; Qz12)» dessen Steuerelektrode mit der anderen Seite der analogen Schalteinrichtung (RL; Q/1Z1; Q/i-i) verbunden ist, und dessen Quellenelektrode mit einem invertierenden Eingang (a2; a^2) des Operationsverstärkers (A2; A^12) verbunden ist; durch einen nichtpolarisierten Kondensator (G^; C..), der zwischen die Steuerelektrode des MOS-Peldeffekttransistors (Q2; Q/ip) un<3· eine negative Energiequelle (-) oder Erde geschaltet ist; und durch einen Ausgangswiderstand (Rq; R-*in)» der zwischen die Quellenelektrode des MOS-Feldeffekttransistors (Q2; Qzip) und· ä-i-e negative Energiequelle (-) oder Erde geschaltet ist.
  2. 2. Analoger Spannungspeicher nach Anspruch 1, dadurch g e k e η nz e i ohne t, daß die analoge Schalteinrichtung ein Schutzgas- oder Reedrelais (RL) ist·
  3. 3. Analoger Spannungsspeicher nach Anspruch 1, dadurch g ekennzeichnet, daß die analoge Schalteinrichtung einen
    7098 15/0941 - 13 -
    zweiten MOS-Feldeffekttransistor (Q11) aufweist, und daß eine Zenerdiode (D) zwischen die negative Energiequelle (-) und einen negativen Anschluß des Operationsverstärkers (Α,^) geschaltet ist.
  4. 4·. Analoger Spannungssepeicher nach Anspruch 2, dadurch g ekennzeichnet, daß der Eingangswiderstand (Rr7) zwischen den Ausgang des Operationsverstärkers (Aq) und einen Anschluß des Schutzgas- oder Reedrelais (RL) geschaltet ist, dessen anderer Anschluß mit der Steuerelektrode des MOS-Feldeffekttransistors (Q2) verbunden ist, und daß eine Seite der Spule des Schutzgas- oder Reedrelais (RL) über einen Schalttransistor (Gh) mit einem Steueranschluß (T^.) verbunden ist, an welchem ein Steuersignal (V ^) angelegt wird.
  5. 5. Analoger Spannungsspeicher nach Anspruch 3, dadurch g ekennz eichnet, daß die Steuerelektrode des zweiten MOS-Feldeffekttransistors (Q1X,) über einen Widerstand (R16) mit der negativen Energiequelle (-) und über einen Widerstand (R1I=) mit einem Steueranschluß (T1^.) verbunden ist, an welchen das Steuersignal (? .,) angelegt wird.
  6. 6. Analoger Spannungsspeicher nach Anspruch 1, dadurch g ekennz eichnet, daß die analoge Schalteinrichtung zwei MOS-Feldeffekttransistoren aufweist, bei welchen die Masse und Quellenelektroden Jeweils mechanisch miteinander verbunden sind, und deren Quellenelektroden elektrisch miteinander ver-
    - 14 -
    709816/0941
    bunden sind, und daß eine Zenerdiode (D) zwischen einen negativen Anschluß des Operationsverstärkers (A^p) und die negative Energiequelle (-) geschaltet ist.
  7. 7. Analoger Spannungsspeicher nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektroden der zwei MOS-Feldeffekttransistoren (Q^i) über einen Widerstand(E-g) mit der negativen
    Energiequelle (-) und über einen Widerstand (-Bvin) mit einem
    Steueranschluß (^W) verbunden sind, an welchen das Steuersignal
    angelegt wird.
    709815/0941
DE19762646161 1975-10-13 1976-10-13 Analoger spannungsspeicher Pending DE2646161A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP50123556A JPS5247354A (en) 1975-10-13 1975-10-13 Analog voltage memory
JP15938975A JPS5280762A (en) 1975-12-26 1975-12-26 Analog subtraction memory unit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2646161A1 true DE2646161A1 (de) 1977-04-14

Family

ID=26460447

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19762646161 Pending DE2646161A1 (de) 1975-10-13 1976-10-13 Analoger spannungsspeicher

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4068136A (de)
CA (1) CA1086426A (de)
DE (1) DE2646161A1 (de)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2740771C3 (de) * 1977-09-09 1982-04-29 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Schaltungsanordnung zur Bildung eines drehzahlproportionalen Ausgangssignals aus einer Impulsfolge mit drehzahlproportionaler Frequenz
JPS55163694A (en) * 1979-06-01 1980-12-19 Fujitsu Ltd Sample holding circuit
JPH0775047B2 (ja) * 1987-02-25 1995-08-09 株式会社東芝 信号処理回路
US5164616A (en) * 1989-12-29 1992-11-17 Xerox Corporation Integrated sample and hold circuit with feedback circuit to increase storage time
JP2690624B2 (ja) * 1991-01-30 1997-12-10 日本電気株式会社 バッファ回路
FR2682505B1 (fr) * 1991-10-11 1996-09-27 Sgs Thomson Microelectronics Dispositif pour detecter le contenu de cellules au sein d'une memoire, notamment une memoire eprom, procede mis en óoeuvre dans ce dispositif, et memoire munie de ce dispositif.
JP2901434B2 (ja) * 1992-09-30 1999-06-07 シャープ株式会社 直流安定化電源装置
US6436869B1 (en) 1996-05-29 2002-08-20 Exxonmobil Chemical Patents Inc. Iron, cobalt and/or nickel containing ALPO bound SAPO molecular sieve catalyst for producing olefins
EP1783778A1 (de) * 1998-06-30 2007-05-09 SanDisk Corporation Halbleiterspeicherschaltung mit interner Spannungserzeugung in Abhängigkeit von .der extern angelegten Versorgungsspannung
US6437208B1 (en) 1999-09-29 2002-08-20 Exxonmobil Chemical Patents Inc. Making an olefin product from an oxygenate
AU2001236985A1 (en) * 2000-02-16 2001-08-27 Exxonmobil Chemical Patents Inc Treatment of molecular sieves with silicon containing compounds
US6743747B1 (en) 2000-02-24 2004-06-01 Exxonmobil Chemical Patents Inc. Catalyst pretreatment in an oxgenate to olefins reaction system
US6444712B1 (en) 2000-09-28 2002-09-03 Exxonmobil Chemical Patents, Inc. Methanol, olefin, and hydrocarbon synthesis process
US6593506B1 (en) 2000-10-12 2003-07-15 Exxonmobil Chemical Patents Inc. Olefin recovery in a polyolefin production process
US6495609B1 (en) 2000-11-03 2002-12-17 Exxonmobil Chemical Patents Inc. Carbon dioxide recovery in an ethylene to ethylene oxide production process
US6580010B2 (en) 2001-01-03 2003-06-17 Exxonmobil Chemical Patents, Inc. Olefin recovery in an olefin production process
US6812372B2 (en) 2001-03-01 2004-11-02 Exxonmobil Chemical Patents Inc. Silicoaluminophosphate molecular sieve
US6953767B2 (en) * 2001-03-01 2005-10-11 Exxonmobil Chemical Patents Inc. Silicoaluminophosphate molecular sieve
US20050096214A1 (en) * 2001-03-01 2005-05-05 Janssen Marcel J. Silicoaluminophosphate molecular sieve
US6759360B2 (en) * 2002-03-29 2004-07-06 Exxonmobil Chemical Patent Inc. Interior surface modifications of molecular sieves with organometallic reagents and the use thereof for the conversion of oxygenates to olefins
US7199277B2 (en) * 2004-07-01 2007-04-03 Exxonmobil Chemical Patents Inc. Pretreating a catalyst containing molecular sieve and active metal oxide
US7785554B2 (en) 2005-06-27 2010-08-31 Exxonmobil Chemical Patents Inc. Process for manufacture of silicoaluminophosphate molecular sieves
TWI331445B (en) * 2007-03-01 2010-10-01 Novatek Microelectronics Corp Sample-and-hold apparatus and operating method thereof

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3701909A (en) * 1970-08-17 1972-10-31 Computer Test Corp Peak and hold system
JPS5134753B2 (de) * 1971-11-29 1976-09-28
CH577761A5 (de) * 1974-10-01 1976-07-15 Sprecher & Schuh Ag

Also Published As

Publication number Publication date
US4068136A (en) 1978-01-10
CA1086426A (en) 1980-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2646161A1 (de) Analoger spannungsspeicher
DE69727485T2 (de) Elektrochemischer sensor
AT383223B (de) Schaltung zur abtastung eines eingangssignals
EP0507728B1 (de) Ladungsverstärkerschaltung
DE2556683B2 (de) Negativ-Widerstandsnetzwerk
DE60129778T2 (de) Elektronischer schalter mit zwei anschlüssen
DE2936286A1 (de) Breitbandverstaerker
DE2558298C2 (de) Schaltungsanordnung zum Erzeugen einer zur absoluten Temperatur proportionalen, gegen Schwankungen einer Versorgungsspannung stabilisierten Gleichspannung
DE2363314A1 (de) Einrichtung zum erzeugen einer veraenderlichen ausgangsspannung
EP0131060A1 (de) Gerät zur partiellen Feststellung von Spannungen oder Ladungen am menschlichen Körper sowie zum Ableiten derartiger Spannungen oder Ladungen vom menschlichen Körper
DE2655211A1 (de) Temperatur-kompensierte analoge spannungsspeichereinrichtung
DE2344216C3 (de) Differentialverstärker
DE1904827A1 (de) Analogspeicher-Verstaerkersystem
DE2518676C3 (de) Motorische Stellschaltung
DE2213281A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Stabilisierung der Ladung eines Energiespeichers
DE2704483A1 (de) Schaltungsanordnung zum zeitselektiven abtasten und speichern
DE2809025B2 (de) Schaltungsanordnung für den elektrischen Verschluß einer Kamera
DE2827972A1 (de) Gleichrichter
DE4312289A1 (de) Verfahren und Schaltungsanordnung zur Temperaturregelung einer Widerstandsheizung
DE2443026C2 (de) Demodulatorschaltung für AM-Signale
DE2153191C3 (de) Phasenabhängiger Gleichrichter mit einer Schaltvorrichtung
DE1437088C (de) Vierpol zur Invertierung einer Eingangs spannung mit einem Spannungsteiler
DE2326109C3 (de) Schaltungsanordnung zur Quotientenbildung aus zwei voneinander unabhängigen Variablen
DE2041121A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum UEberpruefen einer Metallflaeche auf das Vorhandensein einer Korrosionsschutzschicht
DE2831520A1 (de) Elektronische verschlussteuereinrichtung fuer eine kamera

Legal Events

Date Code Title Description
OHW Rejection