DE2344216C3 - Differentialverstärker - Google Patents

Differentialverstärker

Info

Publication number
DE2344216C3
DE2344216C3 DE2344216A DE2344216A DE2344216C3 DE 2344216 C3 DE2344216 C3 DE 2344216C3 DE 2344216 A DE2344216 A DE 2344216A DE 2344216 A DE2344216 A DE 2344216A DE 2344216 C3 DE2344216 C3 DE 2344216C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
field effect
effect transistor
transistor
source
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2344216A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2344216B2 (de
DE2344216A1 (de
Inventor
Sadao Tokio Muramatsu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yashica Co Ltd
Original Assignee
Yashica Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yashica Co Ltd filed Critical Yashica Co Ltd
Publication of DE2344216A1 publication Critical patent/DE2344216A1/de
Publication of DE2344216B2 publication Critical patent/DE2344216B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2344216C3 publication Critical patent/DE2344216C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45278Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using BiFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45282Long tailed pairs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

Die Erfindung befaßt sich mit der Verbesserung von Differentialverstärkern. Insbesondere betrifft die Erfindunu einen Differentialverstärker mit zwei Feldeffekttransistoren, dessen Ausgangsanschlüsse mit den Drain-Elektroden und dessen Eingangsanschlüsse mit den Gate-Elektroden der Feldeffekttransistoren verbunden sind, und mit einem zwischen die Source-EIektroden der Feldeffekttransistoren eingeschalteten veränderlichen Widerstand, der mit einem Zwischenabgriff an eine Konstantstromquelle angeschaltet ist.
Feldeffekttransistoren werden auf Grund ihres
ίο hohen Eingangswiderstandes gegenwärtig in weitem Umfang als Gleichstromverstärker, Wechselstromverstärker und dergleichen eingesetzt. Da solche Verstärker jedoch in der Regel Driftfehler haben, wurde bereits ein Differentialverstärker vorgeschlagen, bei dem dieser Drifteffekt beseitigt ist.
Es sind verschiedene Arten solcher Differentialverstärker vorgeschlagen worden, und typische Ausführungsbeispiele sind in den F i g. 1 und 2 der Zeichnung dargestellt. Bei der Schaltung gemäß Fig. 1 sind die Source-EIektroden eines Paares von Feldeffekttransistoren mit einer Konstantstromquelle verbunden und von dieser angesteuert. Die Gate-Elektroden G1 und C, der Feldeffekttransistoren Tr1 und Tr., sind mit Eingangsanschlüssen verbunden, die
»5 Source-EIektroden S1 und 5., liegen über eine gemeinsame Konstantstromquelle / an Erde, und die Drain-Elektroden D1 und D., sind über einen Widerstand R1 und einen einstellbaren Widerstand VR1 mit einer Spannungscjuelle Vn verbunden. Die Ausgangsan-Schlüsse O1 und O2 der Differentialverstärkcr sind mit den Drain-Elektroden D1 und D2 verbunden.
Der in der F i g. 1 gezeigte Differentialverstärker arbeitet wie folgt:
Den Gate-Elektroden C1 und G., aufgedrückte Ein-
gangssignale V1n und - V1n werden von den Feldeffekttransistoren Tr1 bzw. Tr2 verstärkt, wobei ein Ausgangssignal an den Ausgangsanschlüssen O1 und O., entwickelt wird. Der einstellbare Widerstand VR1 ist so eingestellt, daß die Transistoren Tr1 und Tr., bei gleichen Eingangssignalen an ihren Gate-Elektroden gleiche Ausgangssignale erzeugen. Unter diesen Bedingungen sind die Gate-Source-Spannungen der beiden Feldeffekttransistoren gleich, während ihre Drain-Ströme nicht regelmäßig gleich sind. Da die Drain-Ströme auch bei übereinstimmenden Eingangsspannungen von der Charakteristik der Feldeffekttransistoren abhängig sind, sind sie nicht immer gleich. Aus diesem Grunde ist die Vorwiirtsübertragungsadmittanz des Feldeffekttransistorpaares nicht gleich, wodurch das Verhältnis der gleichen Phasenkomponente zur umgekehrten Phasenkomponente des Ausgangs, d. h. der Rejektionsfaktor verschlechtert wird. Damit ist eine Verminderung der Stabilität des Verstärkerbetriebs verbunden. Aus diesem Grunde ist es notwendig, Feldeffekttransistoren mit übereinstimmenden Betriebscharakteristiken auszuwählen. Anderenfalls ist es unmöglich, Driftänderungen auf Grund von Temperaturänderungen perfekt zu kompensieren. Daher wird die Drift auf Grund der Unterschiede in den Temperaturcharakteristiken der beiden Feldeffekttransistoren so weit erhöht, daß selbst bei vergrößertem Verstärkungsfaktor des Verstärkers die Eingangsdrift beachtlich wird.
in der in Fig. 2 gezeigten Schaltung ist ein ver änderlicher Widerstand VR., zwischen die Source-EIektroden .V1 und S., der beiden Feldeffekttransistoren Trx und Tr., derart eingeschaltet, daß ihre Vorwärtsübertragungswidersta'nde abgeglichen sind, und
der verschiebbare Abgriff des Widerstandes VR., ist an eine gemeinsame Konstantstromquelle / angeschaltet. Die Schaltungskomponenten entsprechen denjenigen gemäß F i g. 1 und sind mit den gleichen Bezugszeichen versehen. In der Schaltung gemäß F i g. 2 ist an Stelle des einstellbaren Widerstandes VR1 zwischen der Drain-Elektrode D., des Feldeffekuransistors Tr., und der Quelle VB ein fester Widerstand R., eingeschaltet.
Bei der Schaltung gemäß Fig. 2 ist es durch entsprechende Einstellung des veränderlichen Widerstandes VR., möglich, die Vorwärtsübertragungsadmittanzen der beiden Feldeffekttransistoren im wesentlichen gleich zu machen, wodurch der Rejektionsfaktor gegenüber demjenigen der Schaltung gemäß F i g. 1 verbessert werden kann. Außerdem kann die Temperaturdrift verbessert werden, da es möglich ist, die Temperaturkoeffizienten der beiden Feldeffekttransistoren im wesentlichen gleich zu machen. Die durch die Änderung der Quellenspannung hervorgerufene Spannungsdrift ist jedoch nahezu gleich derjenigen der Schaltung gemäß Fig. 1, so daß die Verstärkung der Verstärkerschaltung um einen Betrag abnimmt, der der über den veränderlichen Widerstand zwischen den Source-Elektroden S1 und S., hervorgerufenen Rückkopplung entspricht. Dadurch ist die Spannungsdrift, bezogen auf die Eingangsspannung, wesentlich größer als diejenige bei der Schaltung gemäß Fig. 1.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, die bisher bekannten Differentialverstärker in Bezug auf Verstärkung, Rejektionsfaktor und Drift zu verbessern. Außerdem sollen die Verstärker-Abgleichsbedingungen unabhängig von den Betriebscharakteristiken der Feldeffekttransistoren ohne Schwierigkeit herstellbar sein.
Ausgehend von einem Differentialverstärker der eingangs angegebenen Art, wird erfindungsgemäß zur Lösung dieser Aufgabe vorgeschlagen, daß jedem Feldeffekttransistor ein Transistor zugeordnet ist, dessen Basis mit der Drain-Elektrode des zugehörigen Feldeffekttransistors und dessen Kollektor mit der Source-Elektrode des anderen Feldeffekttransistors gekoppelt ist.
Bei einem Gleichstromverstärker mit einem Feldeffekttransistor, dessen Gate-Elektrode mit einem Eingangsanschluß dessen Source-Elektrode über einen Widerstand nut Erde und dessen Drain-Elektrode über einen Widerstand mit einer Spannungsqucile verbunden sind, und mit einem Transistor, dessen Basis an die Drain-Elektrode, dessen Emitter an die Source-Elektrode des Feldeffekttransistors und dessen Kollektor an die Spannungsquelle angeschaltet sind, wird zur Lösung der obengenannten Aufgabe erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß im Verbindungsweg zwischen dem Emitter des Transistors und der Source-Elektrode des Feldeffekttransistors ein Widerstand angeordnet ist und ein Ausgangsanschluß des Verstärkers von dem Verbindungspunkt zwischen der Basis des Transistors und der Drain-Elektrode des 6u Feldeffekttransistors abgeleitet ist.
Bei einer aus der Zeitschrift »radio, fernsehen, elcktronik«, 18, Heft 2, 1969, Seite 53 und 54, bekannten Spannungsdiskriminatorschaltung sowie einer Kondensatormikrophon-Verstärkerschaltung entsprechender Gattung wird zwar die dem Feldeffekttransistor innewohnende, gegenüber Normaltransistorcn verbesserte Temperaturcharakteristik ausgenutzt, ohne daß jedoch die Temperaturcharakteristik lies Feldeffekttransistors selbst durch Schaltungsmaßnahmen verbessert wird. Die Verbesserung dieser Betriebscharakteristik des Feldeffekttransistors erfolgt jedoch erfindungsgemäß durch eine Gegenkopplung zum Transistor über den im Verbindungsweg zwischen dem Emitter des Transistors und der Source-Elektrode des Feldeffekuransistors liegenden Widerstand, der eine temperaturbedingte Änderung des Drain-Stroms im Feldeffekttransistor unterdrückt.
Im folgenden wird die Erfindung an Hand von in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Es zeigen
F i g. 1 und 2 die Schaltbilder von zwei bekannten, Feldeffekttransistoren verwendeten Differsntialverstärkern,
F i g. 3 und 4 Schaubilder der Betriebscharakteristiken des bei dem erfindungsgemäßen Differentialverstärker verwendeten Feldeffekttransistors.
F i g. 5 ein Schaltbild eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Differentialverstärkers,
F i g. 6 ein Schaubild zur Erläuterung der Betriebsweise des in Fig. 5 gezeigten Differentialverstärkers, und
Fig. 7 ein Schaltbild eines abgewandelten Ausführungsbeispiels der Erfindung.
Zum besseren Verständnis der Erfindung werden zunächst die Charakteristiken des verwendeten Feldeffekttransistors an Hand der Schaubilder gemäß F i g. 3 und 4 beschrieben. In dem Schaubild gemäß F i g. 3 ist die Beziehung zwischen dem Drain-Strom In und der Vorwärtsübertragungsadniittanz G11, gezeigt. Bei den nach den gleichen Kenndaten hergestellten Feldeffekttransistoren ist es generell möglich, deren Vorwärtsübertragungsadmittanz durch Einstellung gleicher Drain-Ströme In im wesentlichen gleich zu machen.
F i g. 4 zeigt die Beziehung zwischen der Umgebungstemperatur Ta und dem Drain-Strom In, wobei Vas die Spannung zwischen den Gate- und Source-Elektroden des Feldeffekttransistors darstellt. Wie durch die Kurve b gezeigt ist, ist es bei geeigneter Wahl des Drain-Stroms /„ (0,5 mA in diesem Falle) möglich, den Drain-Strom /„ unabhängig von Änderungen der Umgebungstemperatur im wesentlichen konstant zu halten.
Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 5 ist die Gate-Elektrode G1 eines ersten Feldeffekttransistors Tr1 mit einem Eingangsanschluß verbunden, während dessen Source-Elektrode 5, über einen veränderlichen Widerstand VR3 mit der Source-Elektrode S1 eines zweiten Feldeffekttransistors Tr., gekoppelt ist, dessen Gate-Elektrode C, mit dem anderen Eingangsanschluß verbunden ist. Der bewegliche Abgriff des veränderlichen Widerstands VR:i ist über eine Konstantstromquelle / geerdet. Die Drain-Elektrode D1 des ersten Feldeffekttransistors Trx ist über einen Widerstand R1 mit einer Spannungsquelle V11 sowie direkt mit der Basis eines Transistors Tr3 verbunden. Der Kollektor des Transistors Tr1 ist mit der Source-Elektrode S2 des zweiten Feldeffekttransistors Tr1 gekoppelt, während der Fmittei jes Transistors 7Y.< über einen Wider'and /?., un die Spannungsi]uel!e VH angeschaltet ist. Die Drain-Elektrode D., des zweiten Feldeffekttransistors Tr., ist über einen Widerstand R2 mit der Spannungsquelle V11 und direkt mit der Basis eines Tran-
sistors 7>4 gekoppelt. Der Kollektor des Transistors Tr4 liegt an der Source-Elcktrode Sx des ersten Feldeffekttransistors Trv und sein Emitter ist über einen Widerstand R4 mit der Spannungsquelle VH verbunden.
Der in F i g. 5 gezeigte DifTerentialverstärker arbeitet wie folgt: Zunächst wird der einstellbare Widerstand Fß, so eingestellt, daß der Diffcrentialverstärker seine Abgleichspannungen erreicht. Da die Drain-Ströme der ersten und zweiten Feldeffekttransistoren Trx und Tr., wie die Kollektorströme durch die Transistoren Trx und Tf4 gleichgemacht werden können, wenn gleiche Eingangssignale an den Gate-Elektroden G1 und G2 der Feldeffekttransistoren Trx und Tr1, anstehen, ist es möglich, die Vorwärtsübertragungsadmittanzen dieser Feldeffekttransistoren durch Einstellung des veränderlichen Widerstandes VR., im wesentlichen gleichzumachen.
Nach Anlegen eines Eingangssignals +.1K1n an die Gate-Elektrode G1 des ersten Feldeffekttransistors Tr1 sowie eines Eingangssignals —AVin an die Gate-Elektrode G2 des zweiten Feldeffekttransistors Tr2 nimmt der Drain-Strom des ersten Feldeffekttransistors Trx in Abhängigkeit von diesen Eingangssignalen /.u, während der Drain-Strom des zweiten Feldeffekttransistors Tr., um einer, der Zunahme des Drain-Stroms des ersten Feldeffekttransistors Trx gleichen Betrag abnimmt. Wenn Transistoren mit einem grofkn Stromverstärkungsfaktor hIF als Transistoren Tr., und TrA verwendet werden, arbeiten diese als Emitterfolger mit vollen Gegenkopplungen, so daß ihre Spannungsverstärkungsfaktoren im wesentlichen gleich 1 sind. Demzufolge nimmt der Kollektorstrom des Transistors Tr., um einen Wert gleich dem Drain-Stromananstieg des ersten Feldeffekttransistors Trx zu. während der Kollektorstrom des Transistors Tr11 um denselben Wert abnimmt. Da der Drain-Strom des ersten Feldeffekttransistors Trx und der Kollektorstrom des Transistors Trt durch den mit der Source-Eleklrode Sx des ersten Feldeffekttransistors Trx verbundenen linken Teil des veränderlichen Widerstandes VR., fließen, wird der durch den linken Teil des veränderlichen Widerstandes VR., fließenden Gesamtstrom von den Eingangssignalen nicht verändert. Da der Drain-Strom des zweiten Feldeffekttransistors Tr., und der Kollektorstrom des Transistors Tr., durch den mit der Source-Elektrode 5., des zweiten Feldeffekttransistors Tr., verbundenen rechten Teil des veränderlichen Widerstandes VR., fließen, wird auch der durch den rechten Teil des veränderlichen Widerstandes VR., fließende Gesamtstrom nicht von der Größe der Eingangssignale beeinflußt. Demgemäß ist es möglich. Ausgangssignale bei hohen Verstärkungen an den Ausgangsanschlüssen zu entwickeln, ohne die Verstärkung der Schaltung über den veränderlichen Widerstand VR3 in irgendeiner Weise zu beeinträchtigen.
F i g. 6 zeigt die Beziehung zwischen der Eingangssignalspannung Vin und dem Drain-Strom In und dem Kollektorstrom /o wobei die Kurve α den Drain-Strom des ersten Feldeffekttransistors Trx und den Kollektorstrom des Transistors Tr^ die Kurve b den Drain-Strom des zweiten Feldeffekttransistors Tr2 und den Kollektorstrom des Transistors Trt und die Kurve c den durch den veränderlichen Widerstand VR.t zwischen den Source-Elektroden der ersten und zweiten Feldeffekttransistoren Tr1 und Tr2 fließenden Strom zeigen.
Bezeichnet man die Vorwärlsübertragungsadmittanz der ersten und zweiten Feldeffekttransistoren mit g,„, die Last mit R und den zwischen den Source-Elektroden liegenden veränderlichen Abgleichswidcrstand mit V1., so ergibt sich eine Verstärkung für die Schaltung gemäß Fig. 2 von g„RI(\ + gmVH). während diejenige der Schaltung nach F i g. 5 #„,W ist. Das bedeutet, daß der veränderliche Widerstand VR., allein /um Abgleich der Charakteristiken der beiden ίο Feldeffekttransistoren beiträgt, aber niemals als Gegenkopplung auf das Eingangssignal rückwirkt.
Die den Differentialverstärker bildenden Feldeffekttransistoren arbeiten mit ihren geerdeten Source-Elektroden in Abhängigkeit von an ihren Gate-Elek-(roden anstehenden Eingangssignalcn. Gleichzeitig damit werden durch die Kollektorströme der dem Feldeffekttransistoren zugeordneten Transistoren Signale an die Source-Elektroden derart angelegt, daß die Feldeffekttransistoren so arbeiten, als wären ihre Gate-Elektroden geerdet. Demzufolge entspricht die Funktion jedes Feldeffekttransistors einer Kaskadenschaltung von zwei Feldeffekttransistoren. Im Vergleich zu dem bekannten Differentialvcrstärker gemäß F i g. 2 ist es daher möglich, den Rejektionsfaktor geeignet zu verbessern und die Drift in Bezug auf das Eingangssignal durch Erhöhung der Verstärkung zu verringern. Bei der bekannten Schaltung schwankt der Drain-Strom/„j,-,,; (der Drain-Strom bei K0S = O entsprechend Kurve λ in Fi g. 4) von nach denselben Richtwerten hergestellten Feldeffekttransistoren um einen Faktor von zwei oder drei, so daß es unmöglich war. den Differentialverstärker zum Zwecke der Erhöhung seiner Verstärkung genau abzugleichen, sofern nicht ein veränderlicher Widerstand mit einem großen Widerstandswert unter Schaffung einer hohen Gegenkopplung an die Source-Liektroden der Feldeffekttransistoren angeschaltet wurde. Demgegenüber ermöglicht die Erfindung nicht nur die mehrfache Verbesserung der Verstärkung, sondern verbessert auch wesentlich dun Rejektionsfaktor und die Drift. Darüber hinaus macht es die Erfindung möglich, die Schaltungskonstanten so zu wählen, daß die Kollektorströme der Transistoren viel größer als die Drain-Ströme der Feldeffekttransistoren sind, wodurch die Verstärkung weiter verbessert wird.
Obwohl in dem zuvor erläuterten Ausführungsbeispiel ein doppelseitiger Differentialverstärker mit zwei Eingangsanschlüssen und zwei Ausgangsanschlüssen behandelt wurde, ist die Erfindung auf diesen Differentialverstärkertyp nicht beschränkt, sondern kann auch auf einen Eintaktdifferentialverstärker mit einem Eingang und einem Ausgang angewandt werden.
F i g. 7 zeigt ein derartiges Ausführungsbeispiel mit einem Feldeffekttransistor Tr., dessen Gate-Elektrode G mit einem Eingangsanschluß verbunden ist, dessen Source-Elektrode S über einen Widerstand RR geerdet ist und dessen Drain-Elektrode D über einen Widerstand Rr> mit einer Spannungsquelle V1. verbunden ist. Außerdem ist ein npn-Transistor TrK vorgesehen, dessen Basis mit der Drain-Elektrode des Feldeffekttransistors Tr-, dessen Kollektor mit der Spannungsquelle Vn und dessen Emitter über einen Widerstand R. mit der Source-Elektrode S des FeIdeffekttransistors verbunden ist. Wenn eine Eingangsspannung Vin an der Gate-Elektrode G des in der zuvor beschriebenen Weise aufgebauten Eintaktverslärkers ansteht, wird das Eingangssignal von dem Feld-
efTekltransistor Tr5 verstärkt und am Ausgangsanschluß eine entsprechende Ausgangsspannung entwickelt.
Der neue Dilierentialverstärkci ermöglicht bei einfachem Aufbau eine Verbesserung des Diskrimina-
tionsverhältnisses, der Temperatur- und Spannungsdrifte und kann mit hohen Verstärkungen selbst dann stabil betrieben werden, wenn die Umgebungstemperatur und die Quellenspannung über weite Bereiche schwanken.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Differentialverstärker mit zwei Feldeffekttransistoren, dessen Ausgangsanschlüsse mit den Drain-Elektroden und dessen Eingangsanschlüsse mit den Gate-Elektroden der Feldeffekttransistoren verbunden sind, und mit einem zwischen die Source-EIektroden der Feldeffekttransistoren eingeschalteten veränderlichen Widerstand, der mit einem Zwischenabgriff an eine Konstantstromquelle angeschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, daß jedem Feldeffekttransistor (Tr1, Tr2) ein Transistor [Tr3, TrA) zugeordnet ist, dessen Basis mit der Drain-Elektrode (D1, D.,) des zugehörigen Feldeffekttransistors und dessen Kollektor mit der Source-Elektrode (S.,, S1) des jeweils anderen Feldeffekttransistor:. (Tr.,, Tr1) gekoppelt sind.
2. Differentialverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein mit der Source-Elektrode (S1) des einen Feldeffekttransistors (Tr1) verbundener Anschluß des veränderlichen Widerstands (VR.t) mit dem Kollektor des dem anderen Feldeffekttransistors (Tr2) zugeordneten Transistors (Tr4) gekoppelt ist und der andere, mit der Source-Elektrode (S.,) des anderen Feldeffekttransistors (Tr2) verbundene Anschluß des veränderlichen Widerstandes mit dem Kollektor des dem einen Feldeffekttransistor (Tr1) zugeordneten Transistors (Trx) gekoppelt ist.
3. Differentialverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Drain-Elektroden (D1, D2) der Feldeffekttransistoren (Trv Tr1) und die Emitter der beiden Transistoren (Tr:l, Trt) jeweils über Widerstände (R1 ... S4) mit einer Spannungsquelle (VB) verbunden sind.
4. Gleichstromverstärker mit einem Feldeffekttransistor, dessen Gate-Elektrode mit einem Eingangsanschluß, dessen Source-Elektrode über einen Widerstand mit Erde und dessen Drain-Elektrode über einen Widerstand mit einer Spannungsquelle verbunden sind, und mit einem Transistor, dessen Basis an die Drain-Elektrode, dessen Emitter an die Source-Elektrode des Feldeffekttransistors und dessen Kollektor an die Spannungsquelle angeschaltet sind, dadurch gekennzeichnet, daß im Verbindungsweg zwischen dem Emitter des Transistors (Tr1.) und der Source-Elektrode (S) des Feldeffekttransistors (TrJ ein Widerstand (R7) angeordnet ist und ein Ausgangsanschluß (Vo) des Verstärkers von dem Verbindungspunkt zwischen der Basis des Transistors und der Drain-Elektrode (D) des Feldeffekttransistors abgeleitet ist (F i g. 7).
DE2344216A 1972-09-18 1973-09-01 Differentialverstärker Expired DE2344216C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9349672A JPS5532044B2 (de) 1972-09-18 1972-09-18

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2344216A1 DE2344216A1 (de) 1974-04-04
DE2344216B2 DE2344216B2 (de) 1974-08-22
DE2344216C3 true DE2344216C3 (de) 1978-11-30

Family

ID=14083941

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2344216A Expired DE2344216C3 (de) 1972-09-18 1973-09-01 Differentialverstärker

Country Status (3)

Country Link
US (1) US3854101A (de)
JP (1) JPS5532044B2 (de)
DE (1) DE2344216C3 (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4004245A (en) * 1976-05-03 1977-01-18 National Semiconductor Corporation Wide common mode range differential amplifier
JPS5342633A (en) * 1976-09-30 1978-04-18 Toshiba Corp Voltage sense circuit of semiconductor memory device
JPS53112047A (en) * 1977-03-11 1978-09-30 Kenkichi Tsukamoto Audio amplifier
JP2944398B2 (ja) * 1993-07-05 1999-09-06 日本電気株式会社 Mos差動電圧電流変換回路
US6411132B2 (en) * 1999-12-30 2002-06-25 Intel Corporation Matched current differential amplifier
US7642816B2 (en) * 2007-10-10 2010-01-05 Industrial Technology Research Institute Transconductor

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US27668A (en) * 1860-03-27 Improvement in seeding-harrows

Also Published As

Publication number Publication date
DE2344216B2 (de) 1974-08-22
JPS4950853A (de) 1974-05-17
DE2344216A1 (de) 1974-04-04
US3854101A (en) 1974-12-10
JPS5532044B2 (de) 1980-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69130801T2 (de) Verstärker mit hoher dynamik und veränderlicher verstärkung, gesteuert durch ein analoges signal
DE3422716C2 (de)
DE2059933C3 (de) Digital-Analog-Umsetzer
DE3143159A1 (de) Stromverstaerker
DE3432510C2 (de)
DE2542403A1 (de) Komparatorschaltung
DE2425918B2 (de) Komplementaertransistorverstaerker mit automatischer vorspannung
DE3017669A1 (de) Regelverstaerker
DE2344216C3 (de) Differentialverstärker
DE2435606C3 (de) Reihenschaltung aus Feldeffekttransistoren zur Realisierung eines hxxochohmigen linearen Widerstandes
DE2531603B2 (de) Mit komplementären Feldeffekttransistoren aufgebaute Verstärkerschaltung
DE2061943C3 (de) Differenzverstärker
DE2650483A1 (de) Differenzverstaerker mit konstanter verstaerkung
DE2314015B2 (de) Signalverstärker
DE3310978A1 (de) Verstaerkerschaltung
DE2635574C3 (de) Stromspiegelschaltung
DE3007715A1 (de) Verstaerkerschaltung mit durch eine steuerspannung steuerbarer gesamtverstaerkung
DE3113824C2 (de) Verstärker mit Mitteln zum Unterdrücken von Gleichspannungssprüngen am Verstärkerausgang
DE2405757A1 (de) Schaltungsanordnung zur automatischen verstaerkungsregelung im audiofrequenzbereich
EP0541164A1 (de) Verstärker
DE2139328C3 (de) Einrichtung zum Betreiben einer kapazitiven Last
DE3901560C2 (de)
DE3721221A1 (de) Spannungsverstaerkerschaltung geringer klirrverzerrung fuer widerstandsbehaftete lasten
DE2521387B2 (de) Eingangs-schaltungsanordnung fuer einen vhf- oder uhf-kanalwaehler eines fernsehgeraetes
DE2704483A1 (de) Schaltungsanordnung zum zeitselektiven abtasten und speichern

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
EF Willingness to grant licences
8339 Ceased/non-payment of the annual fee