DE2947771C2 - Direkt gekoppelte Verstärkeranordnung mit Stabilisierung des Ausgangsgleichstroms - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine direkt gekoppelte Verstärkeranordnung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs I und gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs

Bei solch bekannten Verstärkern, wie sie nachfolgend noch näher beschrieben werden, werden verschiedene Maßnahmen zur Reduzierung der Ausgangs-Spannungsabweichung verwendet. Die einfachste Annäherung an dieses Problem wird dadurch erreicht, daß ein Kondensator zwischen dem rückgekoppelten Eingangsanschluß einer ersten Stufe eines Differentialverstärkerkreises ur.d der Schaltkreis-Masse vorgesehen wird. Solch eine Annäherung hat jedoch einen nachteiligen Einfluß auf die niederfrequente Antwort des Verstärkers. Die Beibehaltung einer befriedigenden Niederfrequenzantwort würde die Verwendung eines Kondensators mit großer Kapazität erforderlich machen, welcher

jedoch eine instabile Schaltkreisfunktion verursachen würde.

Mit der Schaffung thermisch gekoppelter Transistoren, wie beispielsweise aus der DF.-AS 21 63 749 bekannt, ist es möglich geworden, thermische Einflußgroßen direkt elektrisch zu erfassen.

Nachfolgend wird auf den aus US-PS 40 42 886 und 40 72 907 bekannten Stand der Technik näher eingegangen, wobei die in der Zeichnung dargestellte F i g. 1 diesen Stand der Technik vereinfacht darstellt. Schaitkreise für die Abweichungsregulierung des Ausgangs unter Verwendung einer thermischen Kopplung zwischen Halbleiteranordnungen, wie in F i g. 1 dargestellt, wurden jüngst in einem allstufen-direkt-gekoppelten Verstärker verwendet. In dem allstufen-direkt-gekoppel ten Verstärker von Fig. 1 ist ein die erste Stufe bildender Differentialverstärker aus Feldeffekttransistoren I und 2 zusammengesetzt, um einem Leistungsverstärker eine hohe Eingangs-Impedanz-Charakteristik zu verleihen. Das Ausgangssignal des die erste Stufe bildenden Differentialverstärkers wird durch einen die zweite Stufe bildenden Verstärker 3 verstärkt, welcher Treiber und Ausgangs-Leistungsstufen umfaßt und zu einem Ausgangsanschluß 4 führt, welcher mit einer Last (nicht dargestellt) wie beispielsweise einem Lautspreeher verbunden ist. Der Ausgangsanschluß 4 ist an einen Rückkopplungseingangsanschiuß des die erste Stufe bildenden Differentialverstärkers direkt gekoppelt, d. h. an das Gate des Feldeffekttransistors 2. Die Last des Differentialverstärkers ist ein aus bipolaren Transistoren 5 und 6 bestehender Strom-Spiegel-Kreis. Die Transistoren 5 und 6 sind mit den Transistoren 7 und 8 thermisch gekoppelt. Die jeweilige Basis der Transistoren 7 und 8 ist mit einem der beiden Ausgänge eines Komparator oder Operationsverstärkers 9 verbunden. Ein Eingang des Operationsverstärkers 9 ist an den Ausgangsanschluß 4 gekoppelt und der andere Eingang ist mit der Schaltkreismasse verbunden, wobei die Kollektorströine oder Kristalltemperaturen der Transistoren 7 und 8 in Abhängigkeit von der Größe und Polarität einer Abweichungsfehler-Spannung gesteuert werden, die an dem Ausgangsanschluß 4 erscheint. Auf diese Weise werden die Kollektorströme der Transistoren 5 und 6, welche mit den Transistoren 7 und 8 thermisch gekoppelt sind, so gesteuert, daß die Abweichfehler-Spannung vermindert wird. Dieser Schaltkeis kann wirksam zur Verkleinerung der Abweichspannnng verwendet werden, da die Abweichspannung als eine eingangsbezogene Abweichspannung des Komparators 9 betrachtet werden kann.

Wenn jedoch bei dem soeben beschriebenen Schaltkeis die Kollektorströme der Transistoren 5 und 6 geändert werden, dann bewirken die Drainströme der Feldeffekttransistoren t und 2 bei diesen eine Änderung ihrer Arbeitspunkte. Dies führt aber zu einer Änderung der Steilheit grn der Feldeffekttransistoren und damit wird eine Zerstörung herbeigeführt.

Es ist daher Aufgabe der Erfindung, einen direkt gekoppelten Verstärker mit einer Abweichregulierung des Ausgangs gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 derart zu schaffen, daß ein gegenüber bekannten Schaltkreisen verringerter Einfluß auf die Schaltkreischarakteristik besteht.

Diese Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Insbesondere wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß in Übereinstimmung mit den Ausgangsabweichungen eine Steuerung derjenigen Spannungen erfolgt, welche an den Verbindungen eines Paares von Halbleiterverstarkereiementen anliegen und einen Eingangsstufendifferentialverstärker eines direkt gekoppelten Verstärkers bilden, wobei diese Spannungen Gate-zu-Source-Spannungen bei Feldeffekttransistoren und Basis-zu-Emitter-Spannu.igtn bei bipolaren Transistoren sind. Entsprechend einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung werden die Kristalltemperaturen der Halbleiterverstärkerelemente entsprechend den Ausgangsabweichungen gesteuert, um die Spannungen über den Verbindungen der Verstärkerelemente zu variieren.

Nachfolgend sind Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnung näher beschrieben. Darin zeigt

Fig. 1 in schematischer Schaltkreisdarstellung einen bekannten, direkt gekoppelten Verstärker mit der Fähigkeit zur Regulierung einer Ausgangsabweichung, Fig. 2 in schematischer Schaltkreisdarstellnng einen

direkt gekoppelten Verstärker mit der Fähigkeit zur Regulierung einer Ausgangsabweichung entsprechend einer Ausführungsform der Erfindung,

Fig. 3 in schematicher Schaltkreisdarstellung einen direkt gekoppelten Verstärker entsprechend einer anderen Ausführungsform der Erfindung und
Fig.4 eine praktische bzw. detaillierte Schaltkreisdarstellung entsprechend der Ausführungsform von Fig.2.

Diese Erfindung resultiert aus der Überlegung der Tatsache, daß solange als ein konstanter Drain-Vor-3d Spannungsstrom durch Feldeffekttransistoren fließt, die Steilheit gm der Feldeffekttransistoren sich kaum ändert, ungeachtet der Veränderungen zwischen den Übertragungscharakteristiken der Feldeffekttransistoren, d. h. sogar wenn die Gate-Zu-Source-Spannung Vgs j5 für das Fließen einer bestimmten Größe des Drain-Stromes durch den Feldeffekttransistor erforderlich ist. variiert dies zwischen den Feldeffekttransistoren. Entsprechend dem Prinzip dieser Erfindung werden die Gate-Zu-Source-Spannungen Vgs der verschiedenen Feldeffekttransistoren von einem eine erste Stufe bildenden Differentialverstärker eines Allstufen direkt gekoppelten Verstärkerschaltkrcises durch Änderung der Verbindungstemperaturen der verschiedenen Feldeffekttransistoren variiert, während der Drain- Vorspannungsstrom der Differentialfeldeffekttransistoren konstant gehalten wird, wodurch eine Ausgangsabweichung korrigiert wird.

Gemäß F i g. 2 ist ein Eingangsanschluß 10 über einen Widerstand 24 mit der Schaltkreis-Masse verbunden und damit auch das Gate eines mit einem N-Kanal-Zonenübergang versehenen Feldeffekttransistors 11. Die Source des Feldeffekttransistors 11 ist mit der Source eines mit einem N-Kanal-Zonenübergang versehenen Feldeffekttransistors 12 über ein Potentiometer 13 verbunden, dessen Gleitkontakt über eine konstante Stromquelle 14 mit einem negativen Energieversorgungsanschluß bzw. mit dem Minuspol - Vcc der Spannungsquelle ist. Die Drain-Anschlüsse der Feldeffekttransistoren 11 und 12 sind über konstante M) Stromquellen 25 bzw. 26 mit einem positiven Energieversorgungsanschluß + Vcc bzw. mit dem Pluspol einer Spannungsquelle verbunden. Die Drain-Anschlüsse der Feldeffekttransistoren 11 und 12 sind ebenfalls mit den E'ngangsanschlüssen eines Verstärkers 27 verbunden, h5 dessen Ausgang zu einem Ausgangsanschluß 28 führt. Der Ausgangsanschluß 28 ist über einen Widerstand 29 auch auf das Gate des Feldeffekttransistors 12 geführt. Das Gate des Feldeffekttransistors 12 ist auch über

einen Widerstand 30 an die Schaltkreis-Masse angeschlossen. Des weiteren ist der Ausgangsanschluß 28 über einen Widerstand 31 an die Basis eines Transistors 32 angeschlossen, dessen Emitter mit dem Emitter eines Transistors 33 über einen Potentiometer 34 verbunden ist. Die Kollektoren der Transistoren 32 und 33 sind über Widerstände 36 bzw. 37 mit dem negativen Energieversorgungsanscliluß - VVc verbunden. Der Schiebekontakt des Potentiometers 34 ist über eine konstante Stromquelle 38 mit dem positiven Energieversorgungsanschluß + V'c( verbunden. Gegenseitig entgegengesetzt gepolte Dioden 39 und 40 sind parallel zwischen die Basis des Transistors 32 und die Basis des Transistors 33 angeschlossen. Die Kollektoren der Differentialtransistoren 32 und 33 sind mit den Eingängen eines Komparators 41 verbunden.

Der durch eine gestrichelte Linie dargestellte Ausschniti des Schaltkreises von Fig. 2 bildet einen Abweichungs-Detektorschaltkreis 42. Die Ausgänge 22 und 23 des Komparators 41 sind mit dem Source-Anschluß des Feldeffekttransistors 20 bzw. 21 verbunden, wobei die Feldeffekttransistoren 20 und 21 mit den Feldeffekttransistoren 11 bzw. 12 thermisch gekoppelt sind, so daß die Ausgangsspannungen an den Ausgängen 22 und 23 in entgegengesetzter Richtung variieren. Die Feldeffekttransistoren 20 und 21 sind mit ihren Drain- und Gate-Anschlüssen an den positiven Pol der Energiequelle + VVr bzw. an die Schaltkreis-Masse angeschlossen. Die thermisch gekoppelten Paare der Transistoren 11 und 20 bzw. 12 und 21 sind vorzugsweise Ein-Chip-Dualtransistoren, d. h. ein Paar von Transistoren, welche auf einem gemeinsamen Halbleitersubstrat hergestellt sind.

Bei der eben beschriebenen Schaltkreisanordnung ist das Potentiometer 13 zur Anpassung der Ausgangsabweichung vorgesehen, welche durch Veränderung der Transfercharakteristik zwischen den Feldeffekttransistoren 11 und 12 gegenüber der Null-zu-Null Eingangssignalbedingung verursacht werden kann. Das Potentiometer 34 dient zur Angleichung der Zonenübergangstemperaturen der Feldeffekttransistoren 20 und 21 an den normalen Temperaturpegel.

Mit der Signalverstärkerfunktion des Schaltkreises gemäß F i g. 2 wird ein Eingangssignal, das an den Eingangsanschluß 10 angelegt wird, durch die Differentialfeldeffekttransistoren 11 und 12 verstärkt und weiterverstärkt durch den Verstärker 27 und dann zum Ausgangsanschluß 28 geführt. Das Ausgangssignal des Verstärkers 27 ist auf den Gate-Anschluß des Feldeffekttransistors 12 über den Widerstand 29 rückgekoppelt.

beschrieben. Wenn an dem Ausgangsanschluß 28 ein Potential zu dem Massenpegel mit dem Potentiometer 13 angepaßt wird, um eine Null-Signalbedingung zu schaffen, ist eine Spannung Vl zwischen dem Gate des Feldeffekttransistors 11 und dem Gleitanschluß des Potentiometers 13 gleich einer Spannung V2 zwischen dem Gate des Feldeffekttransistors 12 und dem Gleitanschluß des Potentiometers 13. Wenn nunmehr eine Abweichspannung am Ausgangsanschluß 28 durch einen Temperaturwechsel erzeugt wird, dann ist V2 verschieden von Vl. Diese Abweichspannung wird als Differenz zwischen dem Basispotential des Transistors

32 und dem Basispotential (Massepotential) des Transistors 33 durch die Differentialtransistoren 32 und

33 erkannt und verstärkt Die verstärkte Abweichung wird dann als Differenz zwischen dem Kollektorpotential der Differentialtransistoren 32 und 33 an den Komparator 41 angelegt. Der Komparator 41 steuert die Source-Potentiale der Feldeffekttransistoren 20 und 21, welche mit den Differentialfeldeffekttransistoren 11 ■i bzw. 12 thermisch gekoppelt sind in Antwort auf die Größe und Polarität der Ausgangsspannung der Differentialtransistoren 32 und 33. Als ein Ergebnis daraus werden die Zonenübergangstemperaturen der Feldeffekttransistoren 20 und 21 so gesteuert, daß eine

ίο Differenz in den dazwischenliegenden Temperaturen entsprechend der Größe und Polarität der Ausgangsabweichspannungen vorliegt und dadurch werden die Gate-Zu-Source-Spannungen Vgs der Feldeffekttransistoren 11 und 12 in entgegengesetzten Richtungen verändert.

Bei dem Abweichsteuersystem gemäß dieser Erfindung werden die Spannungen Vgs der Feldeffekttransistoren 11 und 12 so gesteuert, daß V2 gleich groß Vl gemacht wird. Wenn beispielsweise die Abweichspannung positiv ist, dann wird Vgsdes Feldeffekttransistors 12 verringert, während Vgs des Feldeffekttransistors 11 erhöht wird. Wenn die Abweichspannung negativ ist, dann wird Vgs der Feldeffekttransistoren 11 und 12 in einer zu einer positiven Abweichspannung entgegenge-

2> setzten Richtung gesteuert. Die Spannung Vgs des Feldeffekttransistors wird entweder positiv oder negativ in Abhängigkeit von dem Temperaturkoeffizienten im Funktions- bzw. Übergangsbereich. Die Verbindungen zwischen den Source-Anschlüsse der Feldeffekt-

jo transistoren 20 und 21 und den Ausgängen 22 und 23 des Komparators 41 sind daher in Übereinstimmung mit den Vorzeichen der Temperaturkoeffizienten der Differentialfeldeffekttransistoren 11 und 12 bestimmt.

In Fig.3 ist die Schaltung einer anderen Ausführungsform der Erfindung dargestellt. Diese Ausführungsform basiert auf der Erkenntnis, daß die Ausgangs-Abweichspannung wesentlich von der Zonenübergangstemperatur des Eingangsdifferentialtransistors oder Umgebungstemperatur abhängt, so daß die

-to Ausgangsabweichung dadurch beseitigt werden kann, daß eine solche Temperatur erkannt wird und als Kontrollparameter dem Differentialtransistor rückgekoppelt wird. Der Deutlichkeit halber sind in F i g. 3 jene Teile mit gleichen Bezugszeichen versehen, welchen

•ti denen in F i g. 2 gleich sind oder diesen entsprechen und daher kann die Beschreibung dieser Teile unterbleiben. Im Unterschied zur Schaltung von Fig.2, welche die Ausgangsabweichung am Ausgangsanschluß 28 direkt erfaßt, wird in dem Schaltkreis gemäß Fig.3 die

vi Ausgangsabweichung an der Basis eines temperaturabhängigen Widerstandes entsprechend der Änderung eines ternperaturenipfindüchen Elements 5! erfaßt Auf diese Weise wird die Basis des Transistors 32 mit der Schaltkreis-Masse über ein temperaturempfindliches Element 51 wie beispielsweise einen Thermistor verbunden. Ferner ist die Basis des Transistors 32 über einen Widerstand 52 mit dem positiven Pol eines Energieversorgungsanschlusses verbunden. Der Transistor 33 ist auf der anderen Seite mit seiner Basis über

b'i einen Widerstand 54 an den positiven Pol des Energieversorgungsanschlusses angeschlossen und außerdem ist die Basis des Transistors 33 über eine Zehnerdiode 53 an die Schaltkreis-Masse angeschlossen.

h5 In dem Schaltkreis gemäß Fig.3 variiert der Widerstandswert des temperaturempfindlichen Elements 51 mit den Änderungen der umgebenden Temperaturen, was Ausgangsabweichungen verursacht.

Dies ändert auch das Basispotential des Transistors 32. In der Folge daraus erzeugen die Differentialtransistoren 32 und 33 eine Ausgangsspannung, deren Größe und Polarität entsprechend jener der Ausgangsabweichspannung ist. Daraufhin wird die Ausgangsabweichung in gleicher Weise wie in F i g. 2 korrigiert.

In Fig. 4 ist ein Detailschaltbild entsprechend der Ausführungsform nach Fig. 2 dargestellt, in welchem gleiche Teile von F i g. 2 mit gleichen Bezugszeichen versehen sind. In diesem Schaltkreis sind die Lasten der Differentialtransistoren 11 und 12 aus einem Paar von Stromspiegelschaltkreisen mit Transistoren 60 bis 63 gebildet. Die Ausgangssignale der Differentialtransistoren 11 und 12 werden durch einen Treiberschaltkreis verstärkt, welcher Feldeffekttransistoren 64 und 65 in differentialer Schaltkonfiguration umfassen. Das Ausgangssignal des Treiberschaltkreises wird verstärkt und über einen Ausgangsschaltkreis zu dem Ausgangsanschluß 28 geführt. Der Ausgangsschaltkreis umfaßt komplementäre Transistoren 66 und 67, welche in einer Schaltkonfiguration mit einer SEPP (single-ended push-pull-)Funktion bzw. einer transformatorlosen Gegentaktfunktion verbunden sind. Ein Komparator, welcher Transistoren 68 und 69 umfaßt, wird mit den Ausgangssignalen der Differentialtransistoren 32 und 33 versorgt, um die Ausgangsabweichung festzustellen.

Obwohl diese Erfindung auch bei einem Allstufen direkt gekoppelten Verstärkerschaltkreis verwendet werden kann, dessen erste Stufe von einem Differentialverstärker mit bipolaren Transistoren gebildet wird, kann diese Schaltung im einzelnen auch an einen direkt gekoppelten Verstärkerschaltkreis angepaßt werden, dessen die erste Stufe bildender Differentialverstärker aus Feldeffekttransistoren gebildet ist, die eine niedrigere Verstärkung als bipolare Transistoren haben.

Zusammenfassend kann somit festgestellt werden, daß mit der vorliegenden Erfindung ein direkt gekoppelter Verstärkerschaltkreis geschaffen wird, welcher einen Diffcrcntialverstärker in der ersten Stufe aufweist und dessen Zonenübergangstemperaturen oder Spannungen über den Zonenübergängen der Differentialtransistoren in den Differentialverstärker gesteuert werden, wobei die Steuerung entsprechend der Größe und Polarität einer Ausgangsabweichungsspannung erfolgt, so daß dadurch die Ausgangsabweichungsspannung reduziert wird.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (6)

Patentansprüche:

1. Direkt gekoppelte Verstärkeranordnung mit Stabilisierung des Ausgleichstroms, bei welcher für den Empfang eines Eingangssignals ein Eingangsanschluß und für die Ankopplung der Last ehr Ausgangsanschluß vorgesehen sind, die einen Differenzverstärker mit einem ersten und zweiten Verstärkerelement aufweist, welche zwischen Energieversorgungsanschlüsse geschaltet sind, wobei eine Steuerelektrode des ersten Verstärkerelements mit dem Eingangsanschluß gekoppelt ist und eine Steuerelektrode des zweiten Verstärkerelements mit dem Ausgangsanschluß über ein negatives Rückkopplungsnetzwerk gekoppelt ist und wobei ein Ausgangssignal des Differenzvei stärkers durch einen zweiten Treiber- und Leistungsstufen umfassenden Verstärker verstärkt und dem Ausgangsanschluß zugeführt wird, welche ferner einen an den Ausgangsanschluß angeschlossenen Detektorschaltkeis aufweist, der ein Signal am Ausgangsanschluß mit einem festen Referenzsignal vergleicht und beim Vorliegen einer Abweichung ein Ausgangssignal erzeugt, welches über ein thermisches Koppelglied die Ströme des ersten und zweiten Verstärkerelements im Sinne einer Verminderung der Abweichung beeinflußt, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und zweiten Verstärkerelemente (11 und 12) zwischen die Energieversorgungsanschlüsse (+ Vco — V<rc) jeweils über Konstantstromquellen (25, 26, 14) geschaltet sind und daß der Detektorschaltkreis (42) erste und zweite Ausgangsanschlüsse (23 und 22) aufweist, welche mit entsprechenden Steuerelektroden von ersten und zweiten Heizelementen (20 und 21) verbunden sind, die mit den zugehörigen ersten bzw. zweiten Verstärkerelementen (11 bzw. 12) thermisch derart gekoppelt sind, daß die Spannungen an den ersten und zweiten Ausgangsanschlüssen (23 und 22) des Detektorschaltkreises (42J in einer Richtung verändert werden, die zu den Änderungen der Spannung zwischen den entsprechenden Steuerelektroden und den zweiten Elektroden der ersten und zweiten Verstärkerelemente (1! und 12) des Differenzverstärkers entgegengesetzt sind.

2. Direkt gekoppelte Verstärkeranordnung mit Stabilisierung des Ausgangsgleichstroms, bei welcher für den Empfang eines Eingangssignals ein Eingangsanschluß und für die Ankopplung der Last ein Ausgangsanschluß vorgesehen sind, die einen Differenzverstärker mit einem ersten und zweiten Verstärkerelement aufweist, welche zwischen Energieversorgungsanschlüsse geschaltet sind, wobei eine Steuerelektrode des ersten Verstärkerelements mit dem Eingangsanschluß gekoppelt ist und eine Steuerelektrode des zweiten Verstärkerelements mit dem Ausgangsanschluß über ein negatives Rückkopplungsnetzv/erk gekoppelt ist, welche ferner einen Detektorschaltkreis zur Erfassung einer Änderung in der Umgebungstemperatur aufweist, um Größe und Polarität einer Ausgangsabweichung an dem Ausgangsanschluß zu erfassen und beim Vorliegen einer Abweichung ein Eingangssignal zu erzeugen, welches über ein thermisches Koppelglied des ersten und zweiten Verstärkerelements im Sinne einer Verminderung der Abweichung beeinflußt, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und zweiten

Verstärkerelemente (11 und 12) zwischen die Energieversorgungsanschlüsse (+ Vco — Vcc) jeweils über Konstantstromquellen (25, 26, !4) geschaltet sind und daß der Detektorschaltkreis (42) erste und zweite Ausgangsanschlüsse (23 und 22) aufweist, welche mit entsprechenden Steuerelektroden von ersten und zweiten Heizelementen (20 und 21) verbunden sind, die mit den zugehörigen ersten bzw. zweiten Verstärkerelementen (11 bzw. 12) thermisch derart gekoppelt sind, daß die Spannungen an den ersten und zweiten Ausgangsanschlüssen (23 und 22) des Detektorschaltkreises (42) in einer Richtung verändert werden, die zu den Änderungen der Spannung zwischen den entsprechenden Steuerelektroden und den zweiten Elektroden der ersten und zweiten Verstärkerelemente (11 und 12) des Differenzverstärkers entgegengesetzt sind.

3. Direkt gekoppelte Verstärkeranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl die ersten und zweiten Verstärkerelemente (11 und 12) als auch die ersten und zweiten Heizelemente (20 und 21) jeweils Feldeffekttransistoren sind.

4. Direkt gekoppelte Verstärkeranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Verstärkerelement (11) und das erste Heizelement (20) als EIN-CHIP-Dualtransistoren und das zweite Verstärkerelement (12) und das zweite Heizelement (21) als EIN-CHIP-Dualtransistoren ausgebildet sind.

5. Direkt gekoppelte Verstärkeranordnung nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß der Detektorschaltkreis (42) erste und zweite Differential-Bipolar-Transistoren (32 und 33) umfaßt und daß der erste Bipolar-Transistor (32) an seiner Basiselektrode mit dem Ausgangsanschluß (28) und der zweite Bipolar-Transistor (33) an seiner Basiselektrode mit einer Bezugsspannungsquelle verbunden ist.

6. Direkt gekoppelter Verstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Detektorschaltkeris (42) erste und zweite Diflerential-Bipolar-Transistorcn (32 und 33) umfaßt, und daß der erste Bipolar-Transistor (32) an seiner Basiselektrode mit einer temperaturabhängigen Spannungsquelle (51) und der zweite Bipolar-Transistor (33) an seiner Basiselektrode mit einer Bezugsspannungsquelle verbunden ist.