JP5969221B2 - ボルテージレギュレータ - Google Patents
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Description
逆流電流防止機能を備えたボルテージレギュレータは、基準電圧回路401と、エラー・アンプ402と、Nchトランジスタ400と、Pchトランジスタ403、404、405、406と、分圧抵抗407,408と、比較回路430と、を備えている。
電源電圧(VBAT1)は、VDD端子とVSS端子の間に印加される。出力端子OUTにバックアップ電池412と負荷413(例えば、半導体記憶装置)が接続されている。
電源電圧が出力電圧VOUTよりも下がると、Pchトランジスタ101のゲート−ソース間電圧がPchトランジスタ102のゲート−ソース間電圧よりも低く。従って、Pchトランジスタ102のドレインの電位は、“H”レベル(出力電圧VOUT)となる。波形整形用のインバータ105及び106によって、インバータ106の出力であるCONT端子111の電圧は“H”レベル(出力電圧VOUT)になる。CONTX端子110の電圧は、レベルシフタ107とインバータ108を介するので“L”レベルになる。従って、Pchトランジスタ405がOFFし、Pchトランジスタ406がONするので、Pchトランジスタ403の基板の電圧は出力電圧VOUTになる。
本発明の逆流電流防止機能を備えたボルテージレギュレータは、図3に示すように、基準電圧回路401と、エラー・アンプ402と、Nchトランジスタ400と、Pchトランジスタ403、404、405、406と、分圧抵抗407,408と、比較回路430と、を備えている。
先ず、VDD端子とVSS端子の間に電源電圧が供給されているときの、ボルテージレギュレータの動作を説明する。電源電圧とバックアップ電池412の電圧(VBAT2)の関係は、VBAT1>VBAT2である。
また、Pchトランジスタ405がONし、Pchトランジスタ406がOFFするので、Pchトランジスタ403の基板の電圧は電源電圧になる。
電源電圧が出力電圧VOUTよりも下がると、Pchトランジスタ101のゲート−ソース間電圧がPchトランジスタ102のゲート−ソース間電圧よりも低く。従って、Pchトランジスタ102のドレインの電位は、“H”レベル(出力電圧VOUT)となる。波形整形用のインバータ105及び106によって、インバータ106の出力であるCONT端子111の電圧は“H”レベル(出力電圧VOUT)になる。CONTX端子110の電圧は、レベルシフタ107とインバータ108を介するので“L”レベルになる。従って、Nchトランジスタ400はOFFして、Pchトランジスタ404はONする。電源電圧が低下して、エラー・アンプ402の出力が不定になったとしても、Pchトランジスタ403は、Pchトランジスタ404によってゲートに“H”レベルの電圧が印加されるので、OFFしていることが出来る。
Pchトランジスタ102のドレインの電位は“L”レベル(VSS端子の電位)となるが、その切り替わりに要する時間は定電流回路104によって制限される。電源電圧変動検出回路109は、電源電圧の変動を検出して、その変動に応じて定電流回路103と定電流回路104に流れる電流を制御する。すなわち、VDD端子の電圧が急峻に高くなった場合、定電流回路103と定電流回路104に流れる電流を一時的に増加させ、Pchトランジスタ102のドレインの電位が“L”レベルに切り替わる時間を短縮する。
電源電圧変動検出回路109は、VDD端子とVSS端子の間に直列に接続された、容量201と、抵抗素子であるディプレッション型Nchトランジスタ301と、Nchトランジスタ203及び204で構成されている。定電流回路103と定電流回路104は、夫々ディプレッション型Nchトランジスタ302及び303と、ディプレッション型Nchトランジスタ304及び305と、で構成されている。
なお、インバータ105以降の回路については、波形整形及びレベル変換された信号を出力できれば、この回路に限定されるものではない。
107 レベルシフタ
109 電源電圧変動検出回路
401 基準電圧回路
402 エラー・アンプ
413 負荷
430 比較回路
Claims (1)
- 電源端子と出力端子の間に設けられた出力トランジスタと、
基準電圧と前記出力端子の電圧に基づく電圧とを比較し、前記出力端子の電圧が一定になるように前記出力トランジスタのゲート電圧を制御するエラー・アンプと、
前記出力トランジスタの基板を前記電源端子に接続するための第1トランジスタと、
前記出力トランジスタの基板を前記出力端子に接続するための第2トランジスタと、
前記電源端子と前記出力端子の電圧を比較した結果によって、前記第1トランジスタと前記第2トランジスタを切替え制御する比較回路と、
を備えたボルテージレギュレータであって、
前記比較回路は、
ソースが前記電源端子に接続され、ゲートがドレインに接続され、ドレインが第1定電流回路に接続された第3トランジスタと、
ソースが前記出力端子に接続され、ゲートが前記第3トランジスタのゲートに接続され、ドレインが第2定電流回路と接続された第4トランジスタと、
入力端子が前記電源端子に接続され、前記電源端子の電圧を検出した結果によって、前記第1定電流回路と前記第2定電流回路の電流を制御する電源電圧変動検出回路と、を備え、
前記電源電圧変動検出回路は、前記電源端子と接地端子の間に直列に接続された容量素子と抵抗素子と、
前記抵抗素子の電圧でゲートが制御され、前記第1定電流回路と前記第2定電流回路の電流を制御する第5トランジスタと第6トランジスタと、を備え
前記抵抗素子は、前記第1定電流回路と前記第2定電流回路を構成する素子と同一の素子で構成され、
前記第4トランジスタと前記第2定電流回路の接続点の電圧によって、前記第1トランジスタと前記第2トランジスタのゲートを制御し、前記出力トランジスタの基板の電圧を前記電源端子と前記出力端子の電圧のどちらか高いほうに切替えることを特徴とするボルテージレギュレータ。
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