DE2621920A1 - Verfahren zur herstellung von photoelementen - Google Patents

Verfahren zur herstellung von photoelementen

Info

Publication number
DE2621920A1
DE2621920A1 DE19762621920 DE2621920A DE2621920A1 DE 2621920 A1 DE2621920 A1 DE 2621920A1 DE 19762621920 DE19762621920 DE 19762621920 DE 2621920 A DE2621920 A DE 2621920A DE 2621920 A1 DE2621920 A1 DE 2621920A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
solution
aluminum
cds
thin layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19762621920
Other languages
English (en)
Inventor
John F Jordan
Curtis M Lampkin
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DH Baldwin Co
Original Assignee
DH Baldwin Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US05/631,815 external-priority patent/US4086101A/en
Application filed by DH Baldwin Co filed Critical DH Baldwin Co
Publication of DE2621920A1 publication Critical patent/DE2621920A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/0328—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L31/0272 - H01L31/032
    • H01L31/0336—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L31/0272 - H01L31/032 in different semiconductor regions, e.g. Cu2X/CdX hetero- junctions, X being an element of Group VI of the Periodic Table
    • H01L31/03365—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L31/0272 - H01L31/032 in different semiconductor regions, e.g. Cu2X/CdX hetero- junctions, X being an element of Group VI of the Periodic Table comprising only Cu2X / CdX heterojunctions, X being an element of Group VI of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Description

36203
D. H. BAIiDWIN COMPANY Cincinnati, Ohio (V. St. A.).
Verfahren zur Herstellung von Photoelementen
Zur Herstellung von Photoelementen ist es bekannt, auf einer heißen Nesa-Glasscheibe oder einer vorher mit SnO überzogenen Glasscheibe eine dünne CdS-Schicht zu bilden, indem eine wäßrige Lösung von Verbindungen aufgesprüht wird, die auf dem SnO eine Schicht aus CdS-Mikro— kristallen bilden, worauf auf der CdS-Schicht unter Bildung eines HeteroÜberganges eine CUpS-Schicht gebildet und auf dieser Elektroden gebildet werden. Gemäß der Patentanmeldung P 25 00 398.9 vom 7« Januar 1975 der Anmelderin wird zur Bildung der Cu S-Schicht auf die CdS-Schicht eine zur Bildung von OuS führende Lösung gesprüht, während das Substrat heiß ist. Gemäß der vorliegenden Erfindung kann das Cu S anstattdessen in einem Tauchverfahren oder einem Galvanisierverfahren oder in einer Kombination beider Verfahren bei oder annähernd bei Zimmertemperatur gebildet werden.
CdS-Schichten sind im allgemeinen für Cu_S und Cu durchlässig. Wenn daher die Cu^S-Schicht in einem Tauchoder Galvanisierverfahren, d. h. durch einen Ionenaustausch, gebildet wird, können zwischen der Cu S-Schicht und der die negative Elektrode des Photoelements bildenden SnO -Schicht Kurzschlüsse auftreten, welche das Photoelement unbrauchbar
709820/0828
machen. Zur Vermeidung dieser Schwierigkeit sind verschiedene Maßnahmen vorgeschlagen worden, beispielsweise die Verwendung von relativ dicken CdS-Schichten. Zur Umwandlung von Sonnenenergie in elektrische Energie in großem Maßstab sind unter Umständen Sonnenzellen in Flächen von mehreren Quadratkilometern erforderlich. Da das GdS ein seltenes und teures Metall ist, müssen Photoelemente hergestellt werden, die das CdS in nur minimalen Mengen, d. h. in Form von sehr dünnen Schichten, enthalten. Dabei sollen diese Photoelemente aber leicht herstellbar sein und eine lange Lebensdauer haben.
Die Anmelderin hat CdS-Photoelemente hergestellt, in denen die CdS-Schicht nur etwa 2 oder 4 jum dick ist, ohne daß durch sie hindurch Kurzschlüsse auftreten. Dies ist darauf zurückzuführen, daß diese Schichten für eine Cu S oder Cu enthaltende Lösung, die in einem Ionenaustauschverfahren verwendet wird, äußerst wenig durchlässig sind. Bisher ist die Anmelderin so vorgegangen, daß ein mit SnO überzogenes Glas mit der zur Bildung von CdS führenden Lösung intermittierend besprüht wurde, wobei in jedem Zeitpunkt nur ein kleiner Teil des Glases bedeckt und die Oberfläche des Glases auf einer einheitlichen, konstanten Temperatur im Bereich von 260 - 593 0C gehalten wurde. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind zur Bildung der CdS-Schicht mehrere Sprühvorgänge erforderlich, in denen Lösungen verwendet werden, die eine Cadmiumverbindung und eine schwefelhaltige Verbindung enthalten. Zu einer der Sprühlösungen wird jedoch AlCl3.6H2O in einer solchen Menge zugesetzt, daß der Al-Gehalt der Lösung 10 bis 50 Molprozent des Gesamtmetallionengehalts der Lösung beträgt. Dabei wird der Anteil der schwefelhaltigen Verbindung auf den zum Binden des Al erforderlichen Wert erhöht. Danach wird eine Lösung aufgesprüht, die
709820/0628
gegebenenfalls kein AlCIy 6H2O oder sehr viel weniger AlCl3.6H2O enthält, so daß die aus dieser Lösung gebildete Schicht nur wenig oder kein eingelagertes Al enthält. Anstatt zwei diskrete Schichten aufzutragen, von denen die eine aus einer Sprühlösung mit einem ho hen Gehalt einer Aluminiumverbindung gebildet ist, während die andere nur wenig oder kein Aluminium enthält, kann man auch nur eine einzige Schicht bilden und während des Aufbaus derselben den Anteil der Aluminiumverbindung in der Sprühlösung von dem der SnO__-Schicht benachbarten Bereich zu dem der freiliegenden Oberfläche der CdS-Schicht benachbarten Bereich der Schicht allmählich verringern. Man erhält auf diese Weise eine OdS-Schicht, die in ihrem der SnO -Schicht benachbar-
JL
ten Bereich wesentlich größere Mengen eingelagertes Al enthält als in dem ihrer freiliegenden Oberfläche benachbarten Bereich. Die Menge der schwefelhaltigen Verbindung wird entsprechend der verwendeten Menge der Aluminiumverbindung bemessen.
Nach einer Wärmebehandlung bei einer Temperatur im Bereich von 450 ° bis 550 0C zeigt es sich, daß der eingelagertes Al enthaltende Bereich der CdS-Schicht sehr hart ist und fest an der SnO -Schicht haftet, so daß er mit HiI-
■n.
fe von Säure oder durch Schaben nur schwer entfernt werden kann, daß er ferner sehr wenig durchlässig ist für Chemikalien, die zur Bildung einer CuxS-Schicht in einem Ionenaustauschverfahren verwendet werden, und für Ou. S, und daß er die Diffusion von Kupfer durch die CdS-Schicht verhindert. Die auf die Verwendung von Lösungen mit einem Al-Gehalt von 10 bis 50 Molprozent des Gesamtmetallionengehalts der Lösung zurückzuführende Einlagerung von Al in der CdS-Schicht stellt keine Dotierung dar, wie sie in der US-PS 3 4II 050 (Middleton und Mitarbeiter) angegeben ist, sondern führt
709820/0626
zu einer neuen Verbindung oder Substanz oder einer neuen Form von Kristallen mit physikalischen Eigenschaften, insbesondere einer Härte, Zähigkeit und Uhdurchlässigkeit, die sich, stark unterscheiden von denen des GdS oder des OdS mit kleinen eingelagerten Aluminiummengen. Es wurde festgestellt, daß das Photoelement selbst dann arbeitsfähig bleibt, wenn auch mit einem niedrigeren Wirkungsgrad, wenn die ganze CdS-Schicht stark mit Al imprägniert ist.
Die Erfindung schafft nun ein Verfahren zur Herstellung eines Photoelements, in dem eine Lösung aus einem Lösungsmittel, einem Gadmiumsalz, einer schwefelhaltigen Verbindung und einer aluminiumhaltigen, löslichen Verbindung in hoher Konzentration auf ein mit einer durchsichtigen leitenden Schicht überzogenes, heißes, durchsichtiges, isolierendes Substrat gesprüht wird. Danach kann man auf das Substrat eine weitere Lösung aufsprühen, die ein Gadmiumsalz und eine schwefelhaltige Verbindung, aber kein oder nur wenig Aluminium enthält· Das Aluminium kann in dem unteren Teil der CdS-Schicht am stärksten konzentriert sein, d. h., daß es in der ganzen GdS-Schicht dispergiert ist, aber an der Unterseite der Schicht viel stärker konzentriert ist als an ihrer Oberseite, an der u. U. kein oder nur sehr wenig Al vorhanden sein kann. Während des Sprühverfahrens kann man die zu besprühende Fläche des Substrats auf einer konstanten Temperatur im Bereich von etwa 260 ° bis 593 0C halten und danach das überzogene Substrat in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre auf etwa 525 0C erhitzen und dann annähernd auf Zimmertemperatur abkühlen. Danach wird die GdS-Schicht an ihrer freiliegenden Oberfläche durch ein Tauchverfahren oder ein Galvanisierverfahren oder eine Kombination beider
709820/0 6 26
Verfahren unter Bildung eines HeteroÜberganges in umgewandelt. Zum Umwandeln der CdS-Schicht an ihrer freiliegenden Oberfläche in Ou S kann man auch eine geeignete kupferhaltige Lösung aufsprühen. Danach wird über der Ou S-Schicht eine Elektrode gebildet.
In dem Verfahren gemäß der Patentanmeldung P 25 00 398.9 wird ein Glassubstrat längs einer Wanne bewegt, die eine Salz- oder Metallschmelze enthält. Das Flachglas kann ausschließlich von der Schmelze getragen werden oder teilweise von der Schmelze und teilweise von außen angeordneten Stützeinrichtungen. Die Unterseite des Flachglases taucht in die Flüssigkeit ein, die ständig Wärme an das Substrat abgibt. Wenn das Substrat mit Lösungen besprüht wird, kühlen diese die freiliegende obere Fläche des Substrats. Dabei muß das Besprühen intermittierend durchgeführt werden und darf in jedem Augenblick nur ein so kleiner Teil der Substratoberfläche besprüht werden, daß diese von der Schmelze so viel Wärme aufnehmen kann, daß zwischen den Sprühvorgängen, denen jede Teilfläche ausgesetzt wird, diese wieder die Temperatur der freiliegenden Fläche des Substrats annimmt. Auf diese Weise erhält man eine einheitlich dicke Schicht und wird die Aufrechterhaltung einer konstanten Temperatur erleichtert oder die Temperatur besser konstantgehalten, als es sonst möglich wäre.
Man kann annehmen, daß sich bei Einhaltung der in dem unmittelbar vorhergehenden Absatz angegebenen Bedingungen das Glas auf oder annähernd auf der Temperatur der heißen Flüssigkeit befindet. Deren Temperatur wird so gewählt, daß die freiliegende Fläche des Glases auf einer Temperatur im Bereich von 260 ° bis
709820/0826
gehalten wird· Im Rahmen der Erfindung wird ein Glas verwendet, das beispielsweise in der in der älteren Anmeldung angegebenen Weise mit einer dünnen, durchsichtigen Schicht aus SnO überzogen worden ist. Das Besprühen erfolgt vorteilhafterweise unter intensivem Ultraviolettlicht, welches von dem CdS absorbiert wird und die innere Energie der CdS-Kristalle erhöht.
Beispiel I
In einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung werden zwei Lösungen hergestellt. Die erste Lösung kann folgende Zusammensetzung haben:
2 1 Wasser
60 cm^ 1-molare GdClo-Lösung 74 em-^ 1-molare Thioharnstoff lösung 1,95 g AlCl3.H2O
Die zweite Lösung ist wie folgt zusammengesetzt :
5 1 Wasser
150 cm 1-n?olare Thioharnstoff lösung
150 cm-* 1-molare CdCl9-Lösung
■3, ^
2,5 craJ Salzsäure
Der verwendete Thioharnstoff wird zur Abgabe von Schwefel verwendet. Er kann durch andere wasserlösliche Verbindungen ersetzt werden, die Schwefel abgeben. Insbesondere ist auch NN-Dimethylthioharnstoff verwendet worden. Thioharnstoff ist aber die billigste Verbindung, die sich als befriedigend erwiesen hat. Man kann die Menge des verwendeten AlCl...6H3O in einem weiten Bereich wählen, wenn auch die Menge des vorhandenen
709820/0626
Schwefels proportional verändert wird. Das Al wird verwendet, damit das aus dem CdCIp und dem Thioharnstoff gebildete CdS mindestens in einer Teilschicht stark mit einer Aluminiumverbindung imprägniert ist, deren Beschaffenheit nicht genau bekannt ist. Der Aluminiumgehalt der Lösung kann zwischen 10 und 50 Molprozent des Gesamtmetallionen— gehalts der Lösung betragen. Man kann das Aluminium sogar in noch höheren Molprozentsätzen verwenden, doch hat es sich gezeigt, daß dies nicht zu besseren Ergebnissen führt. Die eingelagertes Aluminium enthaltende CdS-Schicht, die aus einer Lösung gebildet wurde, die einen Al-G-ehalt von 10 bis 50 Molprozent des Gresamtmetallionengehalts der Lösung besitzt, hat ganz andere physikalische Eigenschaften als CdS, das kein oder nur relativ wenig Aluminium enthält. Diese Schicht ist sehr hart und für Cu S und Cu undurchlässig und haftet sehr fest an dem Sn0„. Die Ursache dieser physikalischen Eigenschaften ist nicht bekannt.
In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel enthält die zweite Lösung kein Aluminium, doch kann man auch in ihr etwas Aluminium in Form von AlCl^.6H2O verwenden. Das HCl kann wahlweise verwendet werden. Aus nicht bekannten Ursachen bewirkt es eine geringe Erhöhung der Leistung des Photoelements. Soweit bekannt ist, hat es keinen anderen Einfluß auf die Arbeitsweise des Photoelements.
Beispiel I A
Dieses Beispiel wird ähnlich durchgeführt wie das Beispiel I, doch sind die Lösungen anders zusammengesetzt. Die erste Lösung kann folgende Zusammensetzung haben:
0 9 8 2 0/0626
8 1 Wasser
18,63 g CdCl2.2 1/2 H2O
8,77 g Thioharnstoff
6,96 g AlCl..6H9O
-j J C-
2 cmJ Salzsäure
Die zweite Lösung kann wie folgt zusammengesetzt sein:
4 1 Wasser
24,70 g CdCl2.2 1/2 H
10,96 g Thioharnstoff
Beispiel II
Eine Lösung aus Wasser, CdCl2, Thioharnstoff und AlCl-,. 6Ho0 wird auf mit SnO überzogenes Glas gesprüht. Wäh- rend des Besprühens wird das Verhältnis des AlCl0,6H2O zu dem CdCl2 allmählich, beispielsweise logarithmisch, verringert, so daß die den untersten Teil der Schicht bildende Lösung beispielsweise 50 Molprozent Aluminium und die die Oberfläche der Schicht bildende Lösung null oder im wesentlichen null Molprozent Aluminium enthält· Mit der AIpCl ..-Menge wird auch die Thioharnstoff menge proportional verändert, so daß das Cd und das Cl in den Mengen vorhanden sind, die für die Bildung der gewünschten Verbindungen erforderlich sind·
In allen Fällen wird vorzugsweise in direkter Berührung mit der SnO -Schicht eine CdS-Schicht erhalten, die stark mit Aluminium imprägniert ist, gewöhnlich mit etwa 30 # Aluminium, bezogen auf das CdS, während die CdS-Schicht an ihrer oberen Fläche, auf der unter Bildung eines HeteroÜberganges eine Cu S-Schicht gebildet werden soll, kein oder nur sehr wenig Aluminium
70982 0/062 6
enthält· Man kann entweder zwei getrennte Teilschichten verwenden oder den Prozentsatz des Aluminiums von der Unterseite zur Oberseite der Schicht fortschreitend herabsetzen.
Die Lösungen werden auf das Glas langsam und intermittierend gesprüht, in aufeinanderfolgenden Arbeitsvorgängen, die während eines beträchtlichen Zeitraums durchgeführt werden, der gewöhnlich im Beispiel I und I A etwa 10-40 min für die Bildung der ersten Teilschicht und etwa 10-40 min. für die Bildung der zweiten Teilschicht und bei der Bildung der Schicht mit allmählich abnehmendem Aluminiumgehalt (Beispiel II) etwa 20 - 60 min. beträgt. Im allgemeinen wird das Aufsprühen so langsam durchgeführt, daß das Flachglas während seines Besprühens stets dieselbe Durchschnittstemperatur beibehält, obwohl dem Glas während des Besprühens Wärme entzogen wird. Die auf diese Weise gebildete Schicht hat eine Gesamtdicke von etwa 2,0 bis 4»0 um oder weniger. Die vollständig besprühte Platte wird 15 min. lang auf eine Temperatur von etwa 450 ° bis 550 0O erhitzt.
Die eingelagertes Al enthaltende, dünne CdS-Schicht wird vorzugsweise mit Hilfe des vorstehend beschriebenen Sprühverfahrens gebildet, kann aber auch durch andere Verfahren gebildet werden, beispielsweise durch Aufdampfen, Tauchen, galvanisches Überziehen oder auf jede andere geeignete bekannte Weise, die zur Bildung einer dünnen Schicht auf einem Substrat führt. Die Anmelderin glaubt, daß das Sprühverfahren zu den besten dünnen Schichten führt, doch können die genannten anderen bekannten Verfahren zur Bildung einer dünnen Schicht ebenfalls angewendet werden.
9820/0626
Nach der Bildung der CdS-Schicht wird das Bad langsam abgekühltj danach kann das überzogene Produkt von dem Bade entfernt werden. Die verwendete SnO„.-Schicht ist etwa 0,4 pm dick und hat einen spezifischen elektrischen Widerstand von etwa 11-17 Ohm/Quadrat.
Zum Fertigstellen eines Photoelements wird die CdS-Schicht an ihrer oberen Fläche in Cu S umgewandelt, indem das beschichtete Substrat, das vorher abgekühlt wurde, in eine geeignete Lösung bei Zimmertemperatur getaucht oder galvanisch überzogen oder einem kombinierten Tauch— und Galvanisierverfahren unterworfen und mit einer geeigneten kupferhaltigen Lösung besprüht wird.
Die zur Bildung einer Cu S-Schicht in einem Tauchverfahren verwendete Lösung kann folgende Zusammensetzung haben:
Beispiel I
100 cnr* Wasser
7 cm-* HNO-, (Konzentration: 5 Teile Wasser auf
1 Teil konzentrierte Salpetersäure) 1,5 g (L+)-Weinsteinsäure 1,5 g CuCl
1,5 g H4Ce(SO4J4
1,5 g NaCl
Weinsteinsäure ist eine typische organische Säure und kann durch Citronensäure oder Milchsäure ersetzt werden. Durch die Verwendung des H4Ce(SO4)4 wird die Spannung des fertigen Photoelements anscheinend um etwa 50,0 mV erhöht, doch ist seine Wirkungsweise in dem Verfahren nicht
7 0 9820/0826
bekannt. Anstelle des NaCl kann ein anderes Halogenid, beispielsweise NH.Gl, verwendet werden. Das HN(K wird wahlweise verwendet·
Eine andere geeignete Tauchlösung hat folgende Zusammensetzung:
Beispiel II
700 cm^ Wasser
7 g Citronensäuremonohydrat 30 g NH4Gl
3,5 g CuGl
Wie bei der im Beispiel I verwendeten Lösung, kann das NH.Cl durch ein anderes Halogenid ersetzt werden.
Für ein Galvanisierverfahren kann man vorzugsweise eine Lösung von folgender Zusammensetzung verwenden:
Beispiel I
700 cm3 H2O
3,9 g Citronensäuremonohydrat 2,0 g NH4Cl
7,5 g Kupfer(ll)-acetatpentahydrat
Das NH4Cl verbessert etwas die Qualität der Elemente; man kann es aber auch weglassen. Das Galvanisierverfahren wird während eines Zeitraums von 2 — 5 min. bei einer Stromdichte von 0,5 mA durchgeführt, wobei die CdS-Schicht gegenüber einer Kupferanode negativ war.
709820/0626
Beispiel II
700 cmJ Wasser
10 g Kupfer(Il)-acetatpentahydrat 15 cm^ 20f°lge Essigsäure
Beispiel III
700 cnr Wasser
7 g Citronensäuremonohydrat 1,2g NH.Cl
5 g Kupfer(II)-acetatpentahydrat
Wie vorstehend angegeben wurde, kann man die CuS-Schicht auch durch ein kombiniertes Tauch- und Galvanisierverfahren herstellen oder durch Aufsprühen einer geeigneten Lösung auf die CdS-Schicht.
Nach der Bildung des CuS kann auf dieses eine Kupferschicht in einer Dicke von etwa 7000 nm aufgetragen werden. Auf die Kupferschicht wird dann eine Schicht aus Aluminium oder einem anderen geeigneten Metall aufgetragen, welche die Kupferschicht vor einer Oxidation und vor der Einwirkung der Feuchtigkeit und Luftverunreinigungen schützt.
Man kann in dem vorliegenden Verfahren als Aus— gangsmaterial auch Nesa-Glas verwenden, so daß kein SnO-Überzug gebildet zu werden braucht. Nesa-Glas hat aber einen spezifischen elektrischen Flächenwiderstand von etwa 50 bis 75 Ohm/Quadrat. Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren kann man dagegen Überzüge mit einem sehr niedrigen spezifischen elektrischen Widerstand von etwa 1 bis 20 Ohm/Quadrat erzielen. Durch die Verwendung von
709820/0626
SnO -Überzügen mit niedrigem spezifischem elektrischem Widerstand wird der in dem SnOx auftretende Energieverlust herabgesetzt und dadurch der Wirkungsgrad des Photoelements erhöht·
Vorstehend wurde erwähnt, daß die zur Bildung von Cadmiumsulfid führende Lösung unter sehr intensivem Ultraviolettlicht aufgesprüht wird· Die Intensität dieser Bestrahlung ist nicht genau gemessen worden. Es wur den vier UV—Lampen von je 150 W in einem Abstand von etwa 10 cm von einer kleinen zu besprühenden Fläche angeordnet. Das Ultraviolettlicht ist vorteilhaft. Wenn man ohne Bestrahlung aufsprüht, haben die Elemente manchmal etwas niedrigere Leistungen als Elemente, bei deren Herstellung das Aufsprühen in intensivem Ultraviolettlicht erfolgte.
Anscheinend ist es in dem Verfahren ferner wichtig, daß die aufgesprühten Tröpfchen möglichst einheitlich sind. Wenn viele kleine und viele große Tröpfchen aufgesprüht werden, verdampfen die sehr kleinen Tröpfchen infolge der sehr hohen Temperatur, wenn sie in die Nähe der freiliegenden Fläche des Substrats kommen, und wird dieses nur von den größeren Tröpfchen erreicht. Infolgedessen geht etwas OdS verloren und muß bei der Wahl der pro Zeiteinheit versprühten Menge die Uneinheitlichkeit der Tröpfchen berücksichtigt werden. Man kann bei der erfindungsgemäßen Herstellung von Photoelementen auch mit Hilfe von Druckluft sprühen, doch wird ein elektrostatisches Sprühverfahren bevorzugt, weil man mit ihm einheitlichere Tröpfchen erzeugen kann als beim Sprühen mit Druckluft. In dem Verfahren gemäß der Patentanmeldung P 25 00 398.9 wird das Glassubstrat in der Längsrichtung längs einer Rinne oder Wanne bewegt,
709820/0626
die eine Schmelze enthält, und werden die .S-priihgutstraiilen. quer über des sich bewegende Glas substrat bewegt, εο daß auf jede kloine Teilfläche des Substrats dieselbe Menge aufgesprüht wird. Dabei wird beriiclcoicntigt* &&ß das Sprühgut aus einer Druckluft-SprühpiEtole oder einer elektrostatischen Sprühpistole nicht in einem einheitliehen Muster austritt·
Nach der Fertigetellung cinoe Photoolemente, bJ
erhitzt·
einschließlich der Elektroden, wird es auf 204 - 260 0G
Das er£indun£js£oiuäße Phot oelcment wird dor Sonnenstrahlung durch sein Glacaubstrat hindurc-i auo^esetst. Das in der CdS-Schicht vorhandene Al beeinträchtigt die DurchoichtiglcGit der CdS—Al-SchicIit is& ^esonilicLioa nicht, so daß die Sonnenstrahlung durch diese Schicht hindurch von der Sonne zu dem Heteroübergang gelangt.
Eb versteht sich, daß im Bahmen dec Erfinäungegedankens verschiedene Varianten möglich sind.
709820/0626 BAD ORIGINAL

Claims (1)

  1. Patentansprüche:
    1. Verfahren zum Herstellen eines Photoelements mit einem isolierenden Substrat, einer ersten leitenden Schicht, einer CdS enthaltenden zweiten Schicht (CdS-Schicht) und einer dritten Schicht, die mit der zweiten Schicht einen HeteroÜbergang bildet, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung der CdS-Schicht eine Stoffzusammensetzung verwendet wird, die ein Cadmiumsalz, eine schwefelhaltige Verbindung und eine aluminiumhaltige Verbindung enthält und deren Aluminiumgehalt 10 bis 50 Molprozent des Gesamtmetallgehalts der Stoffzusammensetzung beträgt.
    2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das beschichtete Substrat in einer säuerst off haltigen Atmosphäre bei einer Temperatur im Bereich von 450 ° bis 550 0C wärmebehandelt wird,
    3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die aluminiumhaltige Verbindung AlCl,.6HpO ist.
    4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schicht durch Aufsprühen gebildet wird und eine Dicke von etwa 2 bis 4 pn hat.
    5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Stoffzusammensetzung eine wäßrige Lösung ist·
    6· Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Cadmiumsalz CdCl2 ist·
    709820/0626
    7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die schwefelhaltige Verbindung Thioharnstoff ist.
    8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die CdS-Schicht während ihrer Bildung mit Ultraviolettlicht bestrahlt wird·
    9. Verfahren zum Herstellen eines Photoelements, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung einer eingelagertes Aluminium enthaltenden CdS-Schicht eine Lösung verwendet wird, die ein Cadmiumsalz, eine schwefelhaltige Verbindung, eine aluminiumhaltige Verbindung und ein Lösungsmittel enthält und deren Aluminiumgehalt 10 bis 50 Molprozent des Gesamtmetallionengehalts beträgt .
    10. Verfahren zum Herstellen eines Photoele— ments, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung einer eingelagertes Aluminium enthaltenden CdS-Schicht eine Stoffzusammensetzung verwendet wird, die ein Cadmiumsalz, eine schwefelhaltige Verbindung und eine alurainiumhaltige Verbindung enthält und deren Aluminiumgehalt 10 bis 50 Molprozent des Gesamtmetallgehalts der Stoffzusammensetzung beträgt·
    11. Verfahren zum Herstellen eines Photoelements mit einem vorhandenen Substrat, einer leitenden ersten Schicht, einer zweiten Schicht, die eine oder mehrere CdS-Teilschichten aufweist, und einer dritten Schicht, die mit der zweiten Schicht einen Heteroüber- gang bildet, dadurch gekennzeichnet, daß das mit der ersten Schicht versehene Substrat auf einer Temperatur im Bereich von 260 ° bis 593 0C gehalten wird, daß zur
    098 2 0/0626
    Bildung einer ersten Teilschicht der zweiten Schicht auf die erste Schicht eine Lösung gesprüht wird, die ein Cadmiumsalz, eine schwefelhaltige Verbindung, eine aluminiumhalt ige Verbindung und ein Lösungsmittel enthält und deren Aluminiumgehalt 10 bis 50 Molprozent des G-esamtmetallionengehalts der Lösung beträgt, und daß zur Bildung einer zweiten Teilschicht der zweiten Schicht auf deren erste Teilschicht eine Lösung gesprüht wird, die ein Cadmiumsalz, eine schwefelhaltige Verbindung und ein Lösungsmittel enthält.
    12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die freiliegende Oberfläche der zweiten Schicht in Cu S umgewandelt wird.
    13· Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schicht während des Sprühvorganges mit Ultraviolett bestrahlt wird.
    14· Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß das beschichtete Substrat in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre bei einer Temperatur im Bereich von 450 ° bis 550 0C wärmebehandelt wird.
    15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die aluminiumhaltige Verbindung AlGl-.6H?0 ist.
    16. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schicht eine Dicke von etwa 2 bis 4 pm hat.
    17. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Lösungsmittel Wasser ist.
    703820/0626
    18. Verfahren nacli Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Gadmiumsalz CdCl2 ist.
    19. Verfahren nach Anspruch 14» dadurch gekennzeichnet, daß die schwefelhaltige Verbindung Thioharnstoff ist.
    20. Verfahren zum Herstellen eines Photoelements, in dem auf einer SnO -Schicht, die sich auf Flachglas befindet, eine dünne Schicht aus CdS-Mikrokristallen gebildet wird, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung der dünnen Schicht aus CdS-Mikrokristallen auf die SnO -Schicht zur Bildung von CdS führende Lösungen gesprüht werden, während das Flachglas auf einer einheitlichen Temperatur im Bereich von 260 ° bis 593 0C gehalten wird, und daß die erste Lösung eine Zusammensetzung von
    2 1 Wasser
    60 cnr 1-molare CdClo-Lösung 68 cm·3 1-molare Thioharnstoff lösung 1,95 g AlCl3.6H2O
    und die zweite Lösung eine Zusammensetzung von
    5 1 Wasser
    150 CBT* 1—molare CdCI9-LoSUiIg
    besitzt.
    •5
    150 cmJ 1-molare Thioharnstofflösung
    21. Verfahren zum Herstellen eines Photoelements, in dem auf einer SnO -Schicht, die sich auf Flachglas befindet, eine dünne Schicht aus CdS-Mikrokristallen gebildet wird, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung der dünnen Schicht aus CdS-Mikrokristallen auf die 3nO_-Schicht
    709820/0826
    eine wässerige Lösung gesprüht wird, die OdGIg und Thioharnstoff enthält, sowie ein lösliches aluminiumhaltiges Salz und deren Aluminiumgehalt 10 bis 50 Molprozent des Gesamtmetallionengehalts der Lösung beträgt, und daß das Flachglas während des Besprühens auf einer konstanten !Temperatur im Bereich von 260 ° bis 593 0O gehalten wird.
    22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß das aluminiumhalt ige Salz AlCl.,. 6HpO ist.
    23. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne Schicht eine Dicke von etwa 2 bis 4 um hat.
    24. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß auf die dünne Schicht eine weitere dünne Schicht aufgetragen wird, die im wesentlichen aus GdS besteht.
    25. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß auf die genannte dünne Schicht zur Bildung einer weiteren dünnen Schicht aus GdS eine Lösung gesprüht wird, die im wesentlichen aus GdGl2 und Thioharnstoff besteht.
    26. Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß nach der Bildung der weiteren dünnen Schicht aus GdS das Substrat auf eine Temperatur im Bereich von 450 ° bis 550 0G erhitzt wird.
    27. Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß nach der Erhitzung die weitere dünne Schicht aus GdS mit Cu S überzogen wird.
    709820/0626
    23. Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß auf die weitere dünne Schicht aus GdS eine öuCl-haltige Lösung aufgetragen wird.
    29. Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß auf die weitere Schicht aus CdS zur Bildung eines Überzuges eine Lösung aufgetragen wird, die im wesentlichen aus
    ' 700 cm^ Wasser
    1.4 cm^ HNO,, (Konzentration 1 : 5)
    1.5 g GuGl
    1,5 g H2Ge(SO4)4
    1,5 g NaGl
    1,5 g (L+)—Weinsteinsäure
    zusammengesetzt ist.
    30. Verfahren nach Anspruch 29» dadurch gekennzeichnet, daß das beschichtete Substrat mit einer Elektrode versehen wird.
    31. Verfahren zum Herstellen eines Photoelements, dadurch gekennzeichnet, daß auf Flachglas eine SnO -Schicht mit einem spezifischen elektrischen Flächenwiderstand von etwa 1 bis 20 Ohm/Quadrat gebildet wird, daß auf der SnO-Schicht eine Schicht aus mikrokristallinem CdS gebildet wird, die mindestens in einer Teilschicht Aluminium enthält und unter Verwendung einer Stoffzusammensetzung gebildet wird, deren Aluminiumgehalt 10 bis 50 Molprozent des Gresamtmetallgehalts der Stoff zusammensetzung beträgt, daß auf der Al-haltigen Schicht aus mikrokristallinem CdS eine weitere dünne CdS-Schicht gebildet wird, die im wesentlichen Al-frei ist, und daß auf der weiteren CdS-Schicht gebildet wird.
    709820/0626
    32. Verfahren nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, daß die Cu^S-Schicht die stoichiometrische Zusammensetzung CUpS hat·
    33· Verfahren nach Anspruch 31» dadurch gekennzeichnet, daß die Cu^S-Schieht durch Ionenaustausch gebildet wird,
    34. Verfahren zum Herstellen eines Photoelements, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem mit einer durchsichtigen dünnen SnO -Schicht überzogenen, durchsichtigen isolierenden Substrat eine dünne GdS-Schicht gebildet wird, die in einem unteren Teil ihres Querschnitts Aluminium und in ihrem übrigen Querschnitt im wesentlichen kein Aluminium enthält und zu deren Bildung zunächst eine Stoffzusammensetzung verwendet wird, deren Aluminiumgehalt 10 bis 50 Molprozent des Gesamtmetallgehalts der Lösung beträgt, und danach eine Stoff zusammensetzung, die wenig oder kein Aluminium enthält·
    35. Verfahren zur Herstellung eines GdS-Cu S-Photoelements, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer alu— miniumhaltigen CdS-Schicht, die eine Dicke von etwa 2 bis 4 pn besitzt und unter Verwendung einer Stoffzusammensetzung, deren Aluminiumgehalt mindestens 10 Molgewichtsprozent des Gesamtmetallgehalts der Stoffzusammensetzung beträgt, gebildet worden ist, durch Ionenaustausch eine Schicht aus CuS gebildet wird.
    36. Verfahren zur Herstellung eines Photoelements, dadurch gekennzeichnet, daß eine stark mit Al imprägnierte CdS-Schicht gebildet wird.
    709820/0626
    37· Verfahren zur Herstellung eines Photoelements, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem mit einer leitenden Schicht überzogenen Substrat eine stark mit Aluminium imprägnierte CdS-Schicht gebildet und zur Bildung einer Cu S-Schicht über der CdS-Schicht auf diese eine zur Bildung von Cu S befähigte Lösung aufgetragen wird.
    38. Verfahren nach Anspruch 37» dadurch gekennzeichnet, daß zum Auftragen der Cu S-Schieht das Substrat in eine Lösung getaucht wird, die eine kupferhaltige Verbindung enthält, so daß ein Ionenaustausch von Cu und Cd
    erfolgt·
    39. Verfahren zum Herstellen eines Photoele ments, in dem über einem auf einer Glasplatte vorhandenen SnO -Überzug eine dünne Schicht aus CdS-Mikrokristallen gebildet wird, dadurch gekennzeichnet, daß die SnO-Schicht nacheinander mit Lösungen besprüht wird, die zur Bildung von CdS befähigt sind, wobei die erste Lösung aus
    8 1 Wasser
    18,63 g CdCl2.2 1/2 H2O
    8,77 g Thioharnstoff
    6,96 g AlCl3.6H2O
    2 cnr Salzsäure
    und die zweite Lösung aus
    4 1 Wasser
    24170 g CdCl2.2 1/2 H2O
    10,96 g Thioharnstoff
    zusammengesetzt ist und die Glasplatte während des Besprühens auf einer Temperatur im Bereich von 260 ° bis 593 0C gehalten wird.
    709820/0626
    40. Dünne OdS-Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß sie eingelagertes Aluminium enthält und unter Verwendung einer Stoffzusammensetzung gebildet worden ist, deren Aluminiumgehalt 10 bis 50 Molprozent des G-esamtmetallgehalts der Stoffzusammensetzung beträgt.
    41. Dünne CdS-Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine eingelagertes Aluminium enthaltende Teilschicht besitzt, die unter Verwendung einer Stoffzusammensetzung gebildet worden ist, deren Aluminiumgehalt mindestens 10 Molprozent des Gesamtmetallgehalts der Stoffzusammensetzung beträgt.
    42. Dünne GdS-Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß sie einen Aluminiumgehalt von mindestens 5 Molprozent des Gesamtraetallgehalts der dünnen Schicht besitzt.
    43. Stoffzus.ammensetzung zur Bildung einer dünnen Schicht bei der Herstellung eines Photoelements, dadurch gekennzeichnet, daß die Stoffzusammensetzung ein Oadmiumsalz, eine schwefelhaltige Verbindung und eine aluminiumhaltige Verbindung enthält und ihr Aluminiumgehalt 10 bis 50 Molprozent des Gresamtmetallgehalts der Stoffzusammensetzung beträgt.
    44. Lösung zur Bildung einer dünnen Schicht bei der Herstellung eines Photοelements, dadurch gekennzeichnet, daß die Stoffzusammensetzung ein Cadmiumsalz, eine schwefelhaltige Verbindung und eine aluminiumhaltige Verbindung enthält und ihr Aluminiumgehalt 10 bis 50 Molprozent des Gesamtmetallgehalts der Lösung beträgt.
    709820/0626
    45« Verfahren zur Herstellung eines Pnotoelements mit einer stark mit Aluminium imprägnierten CdS-Schicht, dadurch, gekennzeichnet, daß auf der GdS-Schicht durch, galvanische Abscheidung aus einer kupferhaltigen Lösung eine Cujä— Schicht gebildet wird, wobei ein Ionenaustausch von Cu und Cd stattfindet.
    46. Verfahren nach Anspruch. 45» da&iirch gekennzeichnet, daß die Bildung einer Cu S-Schicht durch Ionen— austauschin einem Elektrolyten erfolgt, der infolge der Verwendung einer Kupferanode Kupfer(.Il)-acetat enthält.
    47· Verfahren nach Anspruch 45» dadurch, gekennzeichnet, daß die genannte Lösung aus
    700 ein3 H2O
    10 g Kupfer(ll)-acetatpentahydrat
    15 em3 20£ige Essigsäure
    zusammengesetzt ist.
    48. Verfahren nach. Anspruch. 45» dadurch gekennzeichnet, daß die genannte Lösung aus
    700 cm3 H2O
    3,9 g Citronensäuremonohydrat 2,0 g KH4Cl
    7,5 g Kupfer(II)-acetatpentahydrat
    zusammengesetzt ist.
    49. Verfahren nach. Anspruch. 45» dadurch gekennzeichnet, daß die genannte Lösung aus
    709820/0626
    AA
    700 cm3 H2O
    3,9 g Gitronensäuremonohydrat 7,5 g Kupfer(II)-acetatpentahydrat
    zusammengesetzt ist.
    50, Verfahren nach Anspruch 45, dadurch, gekennzeichnet, daß die genannte Lösung aus
    700 cm3 H2O
    7 g Oitronensäuremonohydrat 1,2 g NH4Ol
    5 g Kupfer(H)-aeetatpentahydrat
    zusammengesetzt ist·
    51· Verfahren nach Anspruch 45, dadurch gekennzeichnet, daß der Ionenaustausch während eines Zeitraums von 2-5 min bei einer Stromdichte von 0,5 mA/cm durchgeführt wird.
    52, Verfahren zur Herstellung eines Photoelements mit einer GdS-Schicht, die mindestens in einer Teilschicht stark mit Aluminium imprägniert ist, dadurch gekennzeichnet, daß in einem kombinierten Verfahren, in dem das Photoelement in eine kupferhalt ige Lösung getaucht und in einer kupferhaltigen Lösung galvanisch überzogen wird, auf der GdS-Schicht durch einen Ionenaustausch von Gu und Cd eine Gu S-Schient gebildet wird.
    53· Photoelement, gekennzeichnet durch ein durchsichtiges Substrat, eine auf dem Substrat vorgesehene, erste dünne Schicht, die aus einem durchsichtigen leitenden Material besteht, eine auf der ersten dünnen Schicht vorgesehene, zweite dünne Schicht, die aus GdS-Mikrokristallen besteht
    70982Ö/Q626
    262192Q - Al
    und deren Aruminiumgehalt mindestens in einem Teil ihrer Dicke mindestens 5 Molprozent des Gesamtmetallgehalts der zweiten dünnen Schicht beträgt, eine auf der zweiten dünnen Schicht vorgesehene, dritte dünne Schicht, die aus besteht und mit der zweiten dünnen Schicht einen HeteroÜbergang bildet, und eine auf der dritten dünnen Schicht vorgesehene Elektrode.
    54· Photoelement nach Anspruch 53» dadurch gekennzeichnet, daß die zweite dünne Schicht eine Dicke von etwa 2 bis 4 pn hat.
    55. Photoelement nach Anspruch 53» dadurch gekennzeichnet, daß die erste dünne Schicht einen spezifischen elektrischen Flächenwxderstand von etwa 1 bis 20 Ohm/Quadrat besitzt.
    56. Photoelement nach Anspruch 53, dadurch gekennzeichnet, daß die erste dünne Schicht aus SnO und das Substrat aus Glas besteht.
    57. Photoelement nach Anspruch 53, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrode aus Kupfer besteht.
    58. Photoelement nach Anspruch 53» dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrode aus Kupfer besteht, das mit einem Schutzüberzug versehen ist.
    59· Photoelement nach Anspruch 53, dadurch gekennzeichnet, daß der Al-Gehalt der zweiten dünnen Schicht mit zunehmendem Abstand von der ersten dünnen Schicht kontinuierlich fortschreitend abnimmt.
    709820/0626
    60. Photoelement nach Anspruch 59, dadurch gekennzeichnet, daß der Al-G-ehalt nach einer Exponentialfunktion fortschreitend abnimmt.
    61. Photoelement nach Anspriich 60, dadurch gekennzeichnet, daß der Al-Gehalt über die ganze Dicke der zweiten dünnen Schicht abnimmt.
    62. Photoelement, dadurch gekennzeichnet, daß es nach einem Verfahren nach Anspruch 1 hergestellt worden ist.
    63. Verfahren zur Herstellung eines Photoelements, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung einer dünnen Schicht aus CdS eine Lösung verwendet wird, die ein Cadmiumsalz, eine schwefelhaltige Verbindung, Salzsäure und ein Lösungsmittel enthält.
    64. Verfahren zur Herstellung eines Photoelements, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung einer dünnen Schicht aus CdS eine Stoffzusammensetzung verwendet wird, die ein Cadmiumsalz, eine schwefelhaltige Verbindung und Salzsäure enthält.
    65. Verfahren zur Herstellung eines Photoelements mit einem durchsichtigen Substrat, einer auf dem Substrat vorgesehenen, ersten dünnen Schicht, die aus einem durchsichtigen leitenden Material besteht, einer zweiten dünnen Schicht, und einer dritten dünnen Schicht, die mit der zweiten dünnen Schicht einen HeteroÜbergang bildet, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der dünnen Schichten durch Aufsprühen von Tröpfchen von im wesentlichen einheitlicher Größe aufgetragen wird.
    709 8 20/0626
    66« Photoeleraent, dadurch gekennzeichnet, daß es nach dem Verfahren nach Anspruch 65 hergestellt worden ist.
    709820/0626
DE19762621920 1975-11-14 1976-05-17 Verfahren zur herstellung von photoelementen Ceased DE2621920A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/631,815 US4086101A (en) 1974-09-23 1975-11-14 Photovoltaic cells

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2621920A1 true DE2621920A1 (de) 1977-05-18

Family

ID=24532864

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19762621920 Ceased DE2621920A1 (de) 1975-11-14 1976-05-17 Verfahren zur herstellung von photoelementen

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4159914A (de)
JP (1) JPS5261485A (de)
BE (1) BE848290R (de)
CH (1) CH613813A5 (de)
DE (1) DE2621920A1 (de)
DK (1) DK126876A (de)
GB (1) GB1562230A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0050925A2 (de) * 1980-10-28 1982-05-05 Photon Power Inc. Lichtelektrische Zelle
EP0098225A1 (de) * 1982-06-30 1984-01-11 Saint-Gobain Recherche Verfahren zur Herstellung von Cadmiumsulfid-Kupfersulfid-fotovoltaischen Zellen

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4304607A (en) * 1978-03-31 1981-12-08 Photon Power, Inc. Photovoltaic cell
US4207119A (en) 1978-06-02 1980-06-10 Eastman Kodak Company Polycrystalline thin film CdS/CdTe photovoltaic cell
US4313022A (en) * 1978-09-25 1982-01-26 Photon Power, Inc. Solar cell array
US4234353A (en) * 1979-04-09 1980-11-18 Chevron Research Company Process for preparing photovoltaic cells having increased adhesion of the semi-conducting layer and produced thereby to the conducting layer
US4251286A (en) * 1979-09-18 1981-02-17 The University Of Delaware Thin film photovoltaic cells having blocking layers
US4287383A (en) * 1979-12-26 1981-09-01 Chevron Research Company Cadmium sulfide photovoltaic cell of improved efficiency
US4404734A (en) * 1980-10-28 1983-09-20 Photon Power, Inc. Method of making a CdS/Cux S photovoltaic cell
US4595791A (en) * 1985-01-29 1986-06-17 The Standard Oil Company Thin-film photovoltaic devices incorporating current collector grid and method of making
US4675468A (en) * 1985-12-20 1987-06-23 The Standard Oil Company Stable contact between current collector grid and transparent conductive layer
US5041306A (en) * 1986-11-28 1991-08-20 Rockwell International Corporation Method of forming electrically conductive nickel sulfide coatings on dielectric substrates
US20080205076A1 (en) * 2005-04-05 2008-08-28 Alphamirror Inc. Automatic Dimming Liquid Crystal Mirror System
US20100300352A1 (en) * 2007-10-17 2010-12-02 Yann Roussillon Solution deposition assembly
US8119513B1 (en) 2010-11-22 2012-02-21 General Electric Company Method for making cadmium sulfide layer
WO2013116460A1 (en) 2012-01-31 2013-08-08 Alphamicron Incorporated Electronically dimmable optical device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2912370A (en) * 1957-10-07 1959-11-10 Allied Res Products Inc Addition agent for cadmium plating solution
DE2214055A1 (de) * 1972-03-23 1973-09-27 Agfa Gevaert Ag Sensibilisierte elektrophotographische schichten
US3880633A (en) * 1974-01-08 1975-04-29 Baldwin Co D H Method of coating a glass ribbon on a liquid float bath
ZA755836B (en) * 1974-09-23 1976-10-27 Dh Baldwin Co Photovoltaic cell
US3975211A (en) * 1975-03-28 1976-08-17 Westinghouse Electric Corporation Solar cells and method for making same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0050925A2 (de) * 1980-10-28 1982-05-05 Photon Power Inc. Lichtelektrische Zelle
EP0050925A3 (de) * 1980-10-28 1983-01-26 Photon Power Inc. Lichtelektrische Zelle
EP0098225A1 (de) * 1982-06-30 1984-01-11 Saint-Gobain Recherche Verfahren zur Herstellung von Cadmiumsulfid-Kupfersulfid-fotovoltaischen Zellen

Also Published As

Publication number Publication date
CH613813A5 (de) 1979-10-15
GB1562230A (en) 1980-03-05
BE848290R (fr) 1977-03-01
DK126876A (da) 1977-05-15
US4159914A (en) 1979-07-03
JPS5261485A (en) 1977-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2542194A1 (de) Verfahren zur herstellung von photoelementen
DE2621920A1 (de) Verfahren zur herstellung von photoelementen
EP1261990A1 (de) Flexibles metallisches substrat für cis-solarzellen und verfahren zu seiner herstellung
DE2500398A1 (de) Verfahren zum ueberziehen eines auf einem fluessigkeitsbad schwimmenden glasbandes
DE2052424C3 (de) Verfahren zum Herstellen elektrischer Leitungsverbindungen
DE1490927A1 (de) Widerstand aus einer Tantalnitrid-Schicht
CH639294A5 (de) Verfahren zur herstellung einer durchsichtigen, leitenden schicht auf einem substrat.
DE1923825B2 (de) Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial und elektrographisches aufzeichnungsmaterial sowie verfahren zur herstellung solcher aufzeichnungsmaterialien
DE1066267B (de)
DE3113130A1 (de) Cadmiumsulfidphotoelement und verfahren zu seiner herstellung
DE1935160A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Glas mit einer bestimmten Konzentration an elementarem Metall in seiner Oberflaechenschicht
DE2944788A1 (de) Sonnenwaermeabsorber und verfahren zu seiner herstellung
DE3631632A1 (de) Verfahren zur schaffung elektrisch leitfaehiger schaltkreise auf einer grundplatte
DE2705337A1 (de) Selektiv solarabsorbierende oberflaechenschicht
DE2162312C3 (de) Verfahren zum Aufwachsen einer Schicht aus Halbleitermaterial auf vorbestimmte Stellen der Oberfläche eines halbleitenden Substrats und Anwendung des Verfahrens bei der Herstellung von Gunn-Dioden
DE2362896A1 (de) Verfahren zur herstellung von metallmustern auf glas und quarzglas
DE3542116A1 (de) Photovoltaische zelle
DE2445548A1 (de) Photoelement
DE971697C (de) Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
DE2532971B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines' Trocken-Elektrolytkondensators
DE2447066A1 (de) Photozelle und verfahren zu ihrer herstellung
DE1521010B2 (de) Verfahren zum elektrolytischen Verkupfern von Niob
DE739904C (de) Verfahren zur Herstellung der Sperrschicht eines Selengleichrichters
DE2128121C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines durch Gleichspannung anregbaren Elektrolumineszenzstoffes
DE1958166A1 (de) Aluminiumkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
OGA New person/name/address of the applicant
OGA New person/name/address of the applicant
OI Miscellaneous see part 1
8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: HENKEL, G., DR.PHIL. FEILER, L., DR.RER.NAT. HAENZ

8110 Request for examination paragraph 44
8131 Rejection