DE2548906A1

DE2548906A1 - Transistorverstaerker

Info

Publication number: DE2548906A1
Application number: DE19752548906
Authority: DE
Inventors: Toshihiko Miyata
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1974-10-31
Filing date: 1975-10-31
Publication date: 1976-05-13
Also published as: CA1034216A; DE2548906C2; FR2290086B1; JPS5151274A; JPS5838965B2; AU8603475A; AU499482B2; US4015212A; GB1494054A; FR2290086A1; NL7512679A

Description

25A890C

It 3462

Sony Corporation, Tokyo / Japan

Transistorverstärker

Die Erfindung betrifft einen Verstärker, der wenigstens eine Treiberstufe und eine Ausgangsstufe enthält, insbesondere einen Verstärker, dessen Ausgangsstufe einen Feldeffekttransistor aufweist.

Ein typischer Verstärker, wie er zur Verstärkung von Tonfrequenzsignalen benutzt wird, enthält eine Treiberstufe und eine hiermit direkt gekoppelte Ausgangsstufe. Die Kopplung zwischen der Treiberstufe und der Ausgangsstufe ist also nicht frequenzempfindlich; sie kann beispielsweise nur aus einem Leiter, einem Widerntand oder ein^r Vorspannungsquelle bestehen. Demgemäß können über diese direkte Kopplung sowohl Gleichspannungssignale als auch Wechselspannungssignale übertragen werden. Bei derartigen Verstärkern ist am Ende der Treiberstufe eine Emitterfolge-Transistoranordnung vorgesehen, die beispielsweise direkt mit der Gate-Elektrode eines Feldeffekttransistors (FET) verbunden ist, der sich in der Ausgangsstufe befindet und der üblicherweise an die Last angeschlossen ist. Bei einer bekannten Ausführung wird die Last durch eine Gegentakt-Ausgangsstufe gespeist, die von zwei komplementären FET gespeist wird; diese FET werden ihrerseits von komplementären Emitterfolge-Transistoren gesteuert. Die FET können somit komplementär-symmetrisch gespeist werden, was vorteilhaft - ohne Verwendung eines Transformators - eine

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Gegentaktverstärkung ermöglicht.

Während die Emitterfolge-Anordnungen in der Treiberstufe durch komplementäre Transistoren gebildet werden können, sodaß die FET richtig ausgesteuert v/erden, besteht die Emitterlast dieser Emitterfolge-Anordnungen im allgemeinen aus einem Lastwiderstand. Da die FET komplementärsymmetrisch ausgesteuert v/erden, sodaß zuerst der eine und dann der andere FET leitend gemacht wird, bildet diese Widerstandslast einen Strompfad für den Gate-Reststrom desjenigen FET, der gerade nicht leitend ist. Dieser Reststrom liegt in der Größenordnung von einigen bis lOytLA. Fließt dieser Strom durch den Emitter-Lastwiderstand, so wird an diesem eine entsprechende Spannung erzeugt, die als Gate-Vorspannung wirkt. In einigen Fällen reicht diese Vorspannung aus, um den nicht leitenden FET in den leitenden Schallzustand zu bringen. Wird jedoch der FET, der an sich nicht leitend sein sollte, statt dessen leitend, so wird die Komplementär-Symmetrie zerstört, was eine unerwünschte Verzerrung des der Last zugeführten Ausgangssignales mit sich bringt. Es besteht dann ferner die Möglichkeit, daß die Gate-Vorspannung eine solche Größe erreicht, daß der FET hierdurch erheblich beschädigt oder gar zerstört wird. Diese Gefahr-ist besonders dann vorhanden, wenn ein Signal großer Amplitude der Ausgangsstufe zugeführt wird.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Verstärker, dessen in der Ausgangsstufe enthaltener Feldeffekttransistor direkt mit der Treiberstufe gekoppelt ist, so auszubilden, daß der Gate-Reststrom auf einen vorbestimmten Wert begrenzt wird, wenn der Feldeffekttransistor sich im nicht leitenden Schallzustand befindet. Durch die Erfindung sollen damit insbesondere die Probleme einer Verzerrung des Ausgangssignales sowie einer Beschädigung von Schaltungselementen des Verstärkers gelöst werden.

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Weiterhin wird erfindungsgemäß angestrebt, die Gate-Spannung des' in der Aur-Rangsstufe vorhandenen Feldeffekttransistors zu. steuern. Wenn der Feldeffekttransistor die Last in Source-IOlgesehaltung oder in Drain-Folgeschaltung speist, so soll erfindungsgemäß eine im wesentlichen stabilisierte Gate-Spannung erreicht werden. Schließlich ist es Aufgabe der Erfindung, den Transistorverstärker mit den vorstehend genannten Eigenschaften so auszubilden, daß er einen einfachen schaltungstechnischen Aufbau besitzt und sich besondere als Tonfrequenz-Leistungsverstärker hoher Qualität eignet.

Die Erfindung geht aus.von einem Verstärker mit einer Treiberstufe .und einer Ausgangsstufe, wobei die Ausgangsstufe einen Feldeffekttransistor enthält, der ein verstärktes Signal einer Last zuführt; die Treiberstufe enthält hierbei einen Transistor, dem das zu verstärkende Signal zugeführt wird und der direkt mit der Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors in Emitter-Folgeschaltung gekoppelt

Erfindungsgemäß ist an den Transistor ein Konstantstromkreis als Emitterlast angeschlossen, wodurch ein Strom vorbestimmter Größe erzeugt und der Gate-Reststrom des Feldeffekttransistors begrenzt wird, wenn sich dieser Feldeffekttransistor im nicht leitenden Schallzustand befindet. ..-·...·

Für die Zwecke dieser Erfindung kann als "Transistor" im vorstehend genannten Sinn beispielsweise ein npn- oder pnp-Trancistor Verv;endung finden, ein Feldeffekttransistor oder ein äquivalentes Element. Solche äquivalente Transistorelemente sind beispielsweise gesteuerte Siliziumgleichrichter, Gate-gesteuerte Schalter, zwei Richtungsschalter usw. Als "Transistor" in diesem Sinne kann ferner ein aktives Element Verwendung finden, das eine Funktion er-

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füllen kann, die der der beschriebenen Elemente ähnlich int. Zu solchen aktiven Elementen gehören beispielsweise Festkörperelemente, wie Vakuumröhren, Gas^ntladungssysteme und dergleichen. Es sei deshalb darauf hingewiesen, daß dann, wenn in der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele eine bestimmte Elektrode eines Transistors erwähnt ist, bei Verwendung äquivalenter Elemente Jeweils die entsprechenden Elektroden in Betracht kommen.

Einige Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung veranschaulicht. Es zeigen

Fig. 1 ein schematisches Schaltbild eines ersten Äüsführungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Transistorverstärkers,

Fig. 2 einen Querschnitt durch ein Ausführungsbeispiel eines im Rahmen der Erfindung verwendbaren Feldeffekttransistors mit dynamischer Triodenkennlinie ;

Fig. 3 einen Querschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel eines im Rahmen der Erfindung verwendbaren Feldeffekttransistors;

Fig. 4 ein Diagramm der typischen dynamischen Kennlinien eines Feldeffekttransistors (mit Trioden-^ kennlinie);

Fig. 5 ein schematisches Schaltbild eines weiteren Ausführungsbeispieles des erfindungsgemäßen Transistorverstärkers.

Der in Fig. 1 schematisch dargestellt erfindungsgemäße Verstärker enthält eine Eingangsstufe 1 (bestehend aus einem

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A-Klasse-Verstärker), eine Treiberstufe (Steuerstufe) 2 und eine Ausgangsstufe 3 (bestehend aus einem B-Klasseoder AB-Klasse-Verstnrker). Dieser Verstärker eignet sich beispielsweise zur Tonfrenuenzverstarlcung, wobei ein zugeführtes Tonfrequenzsignal nach Verstärkung zum Ausgarigsanschluß 5 gelangt und dort eine Last 6, beispielsweise ein Lautsprechersystem, speist.

Bei B-Klasse- oder AP-Klasse-Ausbildung findet als Ausgangsstufe 5 ein Kornplementär-B-Klasse- oder AB-Klasse-Gepentaktverstärker Verwendung, enthaltend einen N-Kanal FiCT POa und einen P-Kanal FET 20b. Diese FET werden komplementär-symmetrisch gesteuert, sodaß ,jeweils der eine leitend int, .während der andere nicht leitend ist. In der dargestellten Schaltung sind die FET 20a und 20b über den Ausgangsanschluß 5 mit der Last 6 in Kathoden-Polgerschaltung verbunden. Demgemäß ist die Drain- Elektrode des FET 20a mit einem Gleichstromanschluß verbunden, vorzugsweise mit dem positiven Anschluß +B-, einer Gleichspannungsquelle. In entsprechender Weise ist die Drain-Elektrode des FET 20 b mit dem negativen Anschluß -B-, der Gleichspannungsquelle verbunden. Die Source-Elektroden der J¹ET 20a, 20b sind über die Source-Lastwiderstände 21a, 21b mit dem Verstärkerausgangsanschluß 5 verbunden. Die Gate-Elektroden dieser FET sind direkt an die Treiberstufe 2 angeschlossen,

Die Treiberstufe 2 enthält komplementäre Transistoren 18a, 18b, die mit den jeweiligen FET 20a, 20b direkt in Emitter-Folgerschaltung verbunden sind, sodaß sie die FET im Gegentakt steuern. Der Transistor 18a kann ein npn-Transistor sein, dessen Steuerelektrode (Basis) ein zu verstärkendes Signal zugeführt wird und dessen Kollektor über einen Begrenzungswiderstand 19a mit dem positiven Anschluß +B, der Gleichspannungsquelle verbunden ist. Entsprechend kann der Transistor 18b ein pnp-Transistor sein, dessen Steuerelektrode (Basis) das zu

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verstärkende Signal zugeführt wird und dessen Kollektor über einen Begrenzungswiderstand 19b mit dem negativen Anschluß -B, der Gleichspannungsquelle verbunden ist. Da die Transistoren 18a, 18b als Emitterfolger geschaltet sind, sind ihre Emitter direkt an die Gate-Elektroden der FET 20a bzw. 20b angeschlossen.

Erfindungsgemäß wird der Gate-Reststrom der jeweiligen FET begrenzt, wenn der FET zur Sperrung durch Konstantstromkreise ausgesteuert wird, die als Emitterlast mit den Transistoren 18a, 18b verbunden sind. Ein Konstantstromkreis 23a ist an den Emitter des Transistors 18a und ein Konstantstromkreis 23b an den Emitter des Transistors 18b angeschlossen. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel enthält jeder dieser Konstantstromkreise einen Transistor, dessen Basis von einer geeigneten Konstantspannungsquelle eine konstante Vorspannung erhält. Der Konstantstromkreis 23a weist einen pnp-Transistor 24a auf, dessen Emitter über einen Widerstand 25a mit dem Emitter des Transistors 18a (und auf diese Weise mit der Gate-Elektrode des FET 20a) verbunden ist und dessen Kollektor über einen Kollektorwiderstand 26a an eine Beiriebsspannungsquelle angeschlossen ist. Das dem Transistor 24a zugeführte Betriebspotential wird vorzugsweise vom negativen Anschluß -B~ einer zweiten Gleichspannungsquelle abgenommen. Der Kollektorwiderstand 26a wirkt als Schutzbegrenzungswiderstand und weist somit einen verhältnismäßig geringen Widerstandswert auf. Gewünschtenfalls kann der Widerstand 26a auch weggelassen werden.

Die Konstantspannungsschältung, die vorgesehen wird, um dem Transistor 24a eine konstante Basisvorspannung zuzuführen, enthält die in Reihe geschalteten Dioden 28a, 29a, die mit der Basis des Transistors 24a verbunden und so gepolt sind, daß sie für einen Emitterstrom des Transistors 18a leitend sind. Die Dioden können auch durch Varisto-

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ren ersetzt werden. Die Schaltung für die Basisvorspannung enthält ferner noch einen Widerstand 27a, der in Reihe zwischen den Dioden 2Ra, 29a und dem negativen Anschluß -Bp der zweiten Gleichnpannungsquelle liegt. Auf diese Weise besitzen die Dioden eine Vorspannung in Durchlaßrichtung, sodaß sie einen Stromfluß von dem Emitter des Transistors 18a über die Dioden und über den Widerstand 27a zur zweiten Gleichspannungsquelle gestatten. Der in Durchlaßrichtung auftretende »Spannungsabfall an den Dioden, der im wesentlichen knnstant ist, wird als konstante Basisvorspannung dem Transistor 25a zugeführt.

Der Konstantstromkreis 23b ist gleichartig ausgebildet. Er enthält sonit einen Transistor 24-b, dessen Kollektor-Emitterstrecke in Reihe zwischen dem Emitter des Transistors 18b und dem positiven Anschluß +Bq der zweiten Gleichspannungsquelle liegt, wobei noch ein Emitterwiderstand 25b sowie gegebenenfalls ein Kollektorwiderstand 26b von kleinem Wide^standswert zwischengeschaltet sind. Die dem Transistor 24-b zugeführte, im wesentlichen konstante Basisvorspannung wird durch eine Schaltung erzeugt, die die Dioden 28b und 29b enthält, die in Reihe mit einem Widerstand 27b liegen; in diese Reihenschaltung ist zwischen der zweiten Gleichspannungsquelle und dem Emitter des Transistors 18b angeordnet, sodaß die Dioden eine Vorspannung in Durchlaßrichtung erhalten. Außer der Verbindung mit dem Emitter des Transistors 18b weist der Konstantstromkreis 23b noch eine Verbindung mit der Gate-Elektrode des FET 20b auf und dient zur Begrenzung des Gate-Reststromes dieses FET, wenn er sich im nicht leitenden Zustand befindet.

Nimmt man an, daß der Spannungsabfall (d.h.die Durchlaß-Vorspannung) an jeder der Dioden 28a, 29a, 28b und 29b beispielsweise 0.6 V beträgt, daß ferner der Basis-Emitter-Spannungsabfall an jedem der Transistoren 24a, 24b gleich

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falls 0.6 V beträgt, so leuchtet ein, daß der Konatantstrom, der durch jeden der Konstantstromkreise 23a, 23h bestimmt wird,_; gegeben ist durch die Division von O.6 V (d.h. der Spannung an jedem der Emitterwiderstände 25a, 25b) durch den Widerstandswert des betreffenden Emitter-Widerstandes. Dieser Konstantstrom wird so eingestellt, daß er größer ist als des? Gate-Reststrom des zugehörigen FET 20a bzw, 20b.

Die als A-Klasse-Verstärker geschaltete Eingangsstufe 1 enthält einen ersten Differentialverstärker 7 und einen zweiten Differentialverstärker 8, wobei letzterer so geschaltet ist, daß er differential durch den Differentialverstärker 7 ausgesteuert wird. Der Differentialverstärker 7 besitzt einen üblichen Aufbau und erhält am .Eingangsanschluß 4 ein Eingangssignal. Der Differentialverstärker 8 besteht vorzugsweise aus zwei in Differentialschaltung verbundenen Transistoren 9 und 10, deren miteinander verbundene Emitter über einen gemeinsamen Lastwiderstand 11 an den negativen Anschluß -Bq der zweiten Gleichspannungsquelle angeschlossen sind. Der Kollektor des Transistors 9 ist über einen Lastwiderstand 12 sowie über eine Vorspannungsschaltung, bestehend aus einer Diode 15 und einem hiermit in Reihe liegenden Widerstand 16, an den positiven Anschluß +B~ der zweiten Gleichspannungsquelle angeschlossen. Die genannte Vorspannungsschaltung führt dem Transistor 14 eine Basisvorspannung zu; die Kollektor-Emitter-Strecke dieses Transistors 14 liegt in Reihe mit dem Kollektor des Transistors 10. Der Emitter des beispielsweise als pnp-Transistor ausgebildeten Transistors 14 ist über einen Widerstand 17 mit der zweiten Gleichspannungsquelle verbunden; sein Kollektor ist über einen Widerstand 13 an den Kollektor des Transistors 10 angeschlossen. Es leuchtet ein, daß der Transistor 14 als Konstantstromquelle wirkt.

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Die am Widerstand 13 erzeugten Spannungen werden in komplementären Transistoren 18a, IRb über Leiter I^ und Ip zugeführt. Die komplementären Transistoren 18a, 18b v/erden somit mit vom Difforentialverstärker 8 durch die am Widerstand 13 erzeugte SOannung komplementär-rrnnmetrisch ausgesteuert. Sie werdm somit abwechselnd leitend gemacht, erhalten somit eine abwechselnd gegenphasige Aussteuerung.

Vor Erläuterung der Funktion des schematisch in Fig. 1 dargestellton Verstärkers sei zunächst anhand von Fig. ein Schnitt durch ein Ausführungsbeispiel eines RET beschrieben, dor in dem Verstärker gemäß Fig. 1 verwendet werden kann und der eine dynamische Charakteristik des Trioden-Typs'aufweist. Der FET besitzt eine vertikale Sperrschichtstruktur mit einem eigenleitenden Halbleiterbereich 100 mit niedriger Störstoffkonzentration und hohem Widerstand ,. ferner mit einem ringförmigen P-Typ-Halbleiterbereich 102, der auf der Oberseite des eifrenleitenden Bereiches 100 vorgesehen ist, ferner mit einem N-Typ-Helbleiterbereich 103 nit hoher Störstoffkonzentration, der sich sowohl über dem ringförmigen P-Typ-Bereich 102 als auch über dem eigenleitenden Bereich 100 befindet (vergleiche Fig. 2). Der P-Typ-Bereich 102 kann mittels einer üblichen selektiven Diffusionstechnik und der N-Typ-Bereich 103 mittels einer üblichen Epitaxialtechnik erzeugt werden. Selbstverständlich können auch andere Methoden zur Herstellung dieser beiden Bereiche Verwendung finden. Drain-Elektrode D, Gate-Elektrode G und Source-Elektrode S v/erden an der Unterseite des eigenleitenden Bereiches 100, am freiliegenden Teil des P-TYp-Bereiches 102 bzw. an der Oberseite des N-Typ-Bereiches 103 vorgesehen.

Der in Fig. 2 dargestellte FET mit vertikalem Sperrschichtaufbau besitzt eine dynamische Charakteristik des Triodentyps. Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel eines

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solchen FET ist in Fig. 3 dargestellt, wobei die selben Bezugszeichen für entsprechende Elemente vorgesehen sind. Man kann sich das Aunführungsbeicpiel gemäß Fig. 3 als Kombination mehrerer FET des in Fig. 2 dargestellten Typs vorstellen; hieraus ergibt sich eine weitgehende. Ähnlichkeit mit der Ausführung gemäß Fig. 2, allerdings mit der Abweichung, daß der ringförmige P-Typenbereich 102 im Innern eine gitterartige Struktur auf v/eist. Der N-Typ-Bereich 103 mit hoher Störstoffkonzentration liegt über dem ringförmigen und gitterartigen P-Typ-Bereich 102 sowie über dem eigenleitenden Bereich 100; dabei bestimmt die Gitterform eine Grenze zwischen dem eigenleitenden Bereich und dem darüber befindlichen N-Typ-Bereich hoher Störstoffkonzentration. Ein zusätzlicher N-Typ-Halbleiterbereich 104 mit hoher Störstoffkonzentration ist an der Unterseite des eigenleitenden Halbleiterbereiches 100 ausgebildet; auf diesem Bereich 104 ist die Drain-Elektrode D vorgesehen. Dieser zusätzliche N-Typ-Bereich dient zur Vergrößerung der Durchbruchsspannung zwischen Drain- und Source-Elektrode.

Der innere Ersatzwiderstand zwischen Source-Elektrode und Drain-Elektrode ist ein zusammengesetzter Widerstand, bestehend aus dem Widerstand zwischen Source-Elektrode und dem Kanal innerhalb des FET, ferner dem Widerstand des Kanales selbst und dem Widerstand zwischen Kanal und Drain-Elektrode. Bei bekannten Sperrschicht-FET ist der Kanal ein seitlicher Kanal, der wegen seiner schmalen und langen Ausbildung einen hohen Widerstand besitzt. Demgemäß sind der Source-Kanal-Widerstand und der Kanal-Drain-Widerstand groß. Als Konsequenz hiervon ist der Widerstand des bekannten Sperrschicht-FET sehr hoch. Infolgedessen besitzt der bekannte Sperrschicht-FET eine dynamische Charakteristik des Pentöden-Typs, woraus sich ergibt, daß bei einer Vergrößerung der Drain-Spannung der Drain-Strom eine Sättigung erfährt.

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Gegenüber diesem bekannten Sperrschicht-FET charakterisiert sich der in den Fig. 2 und 3 dargestellte FET durch eine verhältnismäßig kleine Trennung zwischen Source-Elektrode S und der vertikalen Sperrschicht; ferner ist"die Kanallänge selbst verhältnismäßig klein, sodaß das Verhältnis von Kanalbreite zu Kanallänge großer ist als bei dem bekannten FET mit seitlichem Kanal. Der Ausgangswiderstand des in den Fig. 2 und 3 dargestellten Vertikalsperrschicht-FET ist infolge dessen viel kleiner als der Widerstand des bekannten FET; er liegt in der Größenordnung von beispielsweise etwa IO Ohm. Der Drain-Strom den dargestellten FET erfährt daher bei Verg-rößerung der Drainspannung keine Sättigung. Die Spannungs-Strom-Charakteristik bezüglich der Drain-Elektrode weist somit bei dem erfindungsgemäßen FET eine verbesserte Linearität gegenüber dem bekannten Stand der Technik auf; dies ermöglicht eine vorteilhafte Verwendung dieses FET in einem Verstärker mit hoher Signal-Widergabegüte.

Fig. 4- veranschaulicht die dynamische Charakteristik des FET gemäß der Fig. 2 und 3. In Fig. 4- ist in der Ordinate der Drain-Strom 1^ und in der Abszisse die Drain-SpannungV_D aufgetragen. Die einzelnen Kurven stellen die Strom-rSpannungs-BeZiehung für unterschiedliche Gate-Spannungen Yn dar, wobei diese Gate-Spannung beispielsweise zwischen Ound -24- V variiert wird. Man erkennt, daß die Kennlinien in Fig. 4- den dynamischen Kennlinien einer üblichen Triode entsprechen. Da somit der FET eine typische dynamische Triodenkennlinie aufweist, ist sein Ausgangswi derstand im wesentlichen konstant; der FET kann damit ein großes •'hisgangssignal mit geringer Verzerrung erzeugen.

Einer der Vorteile, die durch Verwendung des dargestellten FET mit der dynamischen Triodenkennlinie erreicht werden, besteht darin, daß das größere Verhältnis von vertikaler Kanalbreite zur Kanallänge zwischen Drain-

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und Source-ßere'ichen einen größeren ''"Drain—Strom fluß ermöglicht. Ein v/eiterer Vorteil ist, daß die Kennlinien, die die Beziehung zv/ischen Drain-Strom und Gate-Spannung wiedergeben, linear sind, sodaß eine Verzerrung durch ungeradzahlige Harmonischevermieden wird. Ein weiterer Vorzug besteht in der Verringerung der Schaltverzerrung; was darauf zurückzuführen ist, daß der FET -'anders als bipolare Transistoren - keine Speicherladungs'träger besitzt. Vorteilhaft ist ferner, die hohe Eingangsimpedanz des FET, die bewirkt, daß eine durch eine Eingangsquolle gebildete Last keine nichtlineare Verzerrung bewirkt. Vorteilhaft ist weiterhin, daß der dargestellte FET wegen seines geringen Ausgaiigswider stände s ohne Weiteres eine-Lsst speisen kanriy die einen Verhältnismäßig höhen Dämpfungsfaktor benötigt. Günstig ist schließlich auch, daß bei Verwendung des dargestellten FET in einem Gegentaktverstärker ein Konplementär-Gegeritakt-Kreis mit einem einfachen Schaltungsaufbau hergestellt werden kann.

Anhand von Fig. i"wird nun die Funktion des dargestellten Verstärkers näher erläutert. Das dem Eingangsschaiter -4- zugeführte Eingangssignal, beispielsweise ein Tonfrequenzsignal, wird durch die in der Eingangsstufe 1 vorgesehenen Differentialverstar'ker 7 und- 8 versträkt. Das am Widerstand 13 abgenommene, verstärkte Signal wird komplementär den Transistoren 18a und 18b zugeführt, sodaß diese abwechselnd leitend und nicht leitend gemacht werden. Nimmt man ein sinusförmiges Signal an, so wird der Transistor 18a während der einen Halbwelle leitend gemacht und der Transistor 19 b in dieser Halbwelle gesperrt* In der folgenden Halbwelle ist dann der Transistor 18a gesperrt und der Transistor 18b leitend. Die Transistoren werden somit gegenphasig ausgesteuert.

Nach Verstärkung werden die Signale über die Transistoren 18a, 18b den FET 20a bzw. 20b zugeführt. Da die FET in B-Klasse- oder AB-Klasse-Kor.ipleiiientc.r-Gegentaktanordnung geschaltet sind und die Transistoren 18a, 16b abwechselnd ausgesteuert werden, erfolgt auch eine komplementärsymmetrische Aussteuerung der FET, sodaß diese abwechselnd leitend und nicht leitend werden. Das dem Anschluß 4- zugeführte Eingangssignal erfährt somit eine hohe Leistungsverstärkung und wird der Last 6 praktisch ohne Verzerrung zugeführt.

Da die FET 20a, 20b abwechselnd in den leitenden und nicht leitenden Zustand gebracht werden, ist während jeder Halbwelle eines sinusförmigen Eingangssignales jeweils der eine oder der andere FET nicht leitend. Im nicht leitenden Schaltzustand fließt nur noch ein Gate-Reststrom. Wep;en der Konstantstromkreise 23a, 23b, die als Emitterlast der zugehörigen Transistoren 18a, 18b geschaltet sind, ist jedoch der Gate-Reststrom begrenzt. Die Konstantstromkreise begrenzen also den Gate-Reststrom auf einen vorbestimmten Wert. Da nämlich die Transistoren 18a, 18b als Emitterfolger geschaltet sind, ist deren Gate-Reststrom für jeden der FET 20a, 20b so begrenzt, daß er den durch die Konstantstromkreise 23a, 23 b vorbestimmten Wert des Konstantströmes nicht überschreiten kann. Wegen dieser Begrenzung des Gate-Reststromes ist auch die Gate-Spannung jedes FET während des nicht leitenden Schaltzustandes begrenzt und wird konstant gehalten. Es leuchtet somit ein, daß sich weder der Gate-Reststrom vergrößern kann, noch daß die Gate-Spannung auf einen Wert steigen kann, der eine Beschädigung oder gar eine Zerstörung des FET verursachen könnte, wie dies bei bekannten Verstärkern der Fall' ist.

Anhand von Fig. 5 wird ein weiteres Ausführungsbei-

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spiel der Erfindung erläutert. Es enthält eine Eingangsstufe 1, eine Treiberr.tufe 2 und eine direkt gekoppelte Au r-r^ngs stufe 3. Wie beim Ausführunnsbeispiel der Firr. I besteht die Ausgangsstufe 3 aus komplementären PET 20a, 20b, die nach Art eines B -Klasse- oder AB-Klasse-Kornplementär-Geg entaktverstärkers über einen Ausgangsanschluß 5 an eine Last 6 angeschlossen sind. Während die FET bei Pig. 1 in Source-Polgerschaltung angeordnet sind, ist in Fig. 5 eine gemeinsame Source-Anordnung bzw. eine Drain-Folgerschaltung vorgesehen.

Die Treiberstufe 2 gemäß Fig. 5 enthält komplementäre Transistoren 18a, 18b, die in Emitterfolgeschaltung direkt mit dön FET 20a bzw. 20b gekoppelt sind. Wie beim Ausführungsbeispiel der Fig. 1 ist jeder dieser Transistoren 18a, 18b mit einem Konstandstromkreis 23a,23b als Emitterlast versehen. Die Treiberstufe 2 enthält ferner eine zusätzliche Verstärkerstufe mit den komplementären Ver.starkertransxstoren 31a, 31b. Der Transistor 31a ist so geschaltet, daß seiner Basis das Eingangssignal zugeführt wird; nach Verstärkung wird dieses Signal über den Kollektor des Transistors 31a dem Transistor 18a zugeführt. Dem Transistor 31a wird e.ine Betriebsspannung zugeführt, indem der Kollektor dieses Transistors über einen Lastwiderstand 32a mit dem positiven Anschluß +B~ der zweiten Gleichspannungsquelle verbunden ist. Der Emitter ißt über einen Emitterwiderstand 33a mit dem Ausgangsanschluß 5 verbunden; die an diesem Ausgangsanschluß entwickelte Spannung wird zur Eingangsstufe 1 rückgekoppelt.

In entsprechender Weise erhält der Verstärkungstransistor 31b das von der Eingangsstufe 1 zugeführte Eingangssignal, das nach Verstärkung vom Kollektor des Transistors 31b dem Transistor 18b zugeführt wird. Das Betriebspotential wird dem Transistor 31b durch Anschluß seines Kollektors über einen Kollektor-Lastwiderstand 32b

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an den ,negativen Anschluß -Bp der zweiten Gleichspannungsquelle zugeführt. Der Emitter des Transistors 31b ist über einen Emitterwiderstand 33b mit dem Ausgangsanschluß 5 verbunden. -,_..--■. ■-...,..,-... .,,.I." ■■-.-■

Die Eingangsstufe 1 ist ein A-KIasse^Verstärker und enthält einen Differentialverstärker 8', der aus in Differentialschaltung miteinander verbundenen Transistoren 37» 38 besteht. Ein dem Eingangsanschluß 4- zugeführtes Signal wird über einen aus den Widerständen 35» 36 bestehenden Spannungsteiler dem Transistor 37 zugeführt* Der Transistor 33 erhält einen Teil der Ausgangsspannung,.der über eine negative Rückkopplungsschaltung (bestehend aus den, in

Reihe geschalteten Widerständen 54-* 4-9) rückgekoppelt wird. Diese Widerstände bilden einen Spannungsteiler; weiterhin , ist noch ein Kondensator 4-8 in der Schaltung vorgesehen. Die Transistoren 37» 38 erhalten ein Betriebspotential von der "ersten Gleichspannungsquelle; der Kollektor des Transistors 37 ist über einen Widerstand 39 mit dem negativen Anschluß -B, der ersten Gleichspannungsquelle verbunden, während der Kollektor des Transistors 38 unmittelbar an diesen negativen Anschluß angeschlossen ist. Die zusammengeschalteten Emitter der in pifferentialschaltung verbundenen Transistoren 37, 38 sind an einen Konstantstromkreis angeschlossen, der einen Transistor 4-3 enthält, dessesn Basis eine konstante Vorspannung zugeführt wird, die von einer yorspannungsschaltung gewonnen wird, welche die Dioden 4-5, 4-6 und einen Widerstand 4-7 aufweist. Diese Vorspannungsschaltung ist an den positiven Anschluß +B^ der ersten Gleichspannungsquelle angeschlossen; die Dioden sind sq. gepolt,, daß Strom von .der Gleichspannungsquelle über die. Dioden und den Widerstand 4-7 zu einem Bezugspotentiaj,,; beispie-lsweise iMass«, fließt. Der Emitter des Konstantst3>om^Txiptnsi:Stor_:sι ^3, isfe über einen Widerstand 4-4-"mi1?; ct-enfc^^-pp^sXtiiVen^nschlu^ i+B^.. vepb^inden* Diie, im ,wesent-

lichen konstante Spannung, die als Vorspannungsabfall (in Durchlaßrichtung) an den in Reihe geschalteten Dioden 45, 46, anfällt, wird als Basisvorspannung dem Konstantstrom-Transistor 43 zugeleitet.

Die vom Differentialverstärker 8¹ erzeugte Ausgangsspannung wird vom Kollektor des Transistors 37 abgenommen und über einen Transistor 41 den in_der Treiberstufe 2 vorgesehenen Komplementär-Verstärkungstransistoren 31a, 31b zugeführt. Der Transistor 41 nimmt das vom Differentialverstarker 8¹ erzeugte, verstärkte Signal auf; sein Emitter ist über einen Widerstand 42 mit dem negativen Anschluß -B-. der ersten Gleichspannungsquelle verbunden. Der Kollektor des Transistors 41 ist über einen Vorspannungskreis mit den komplementären Verstärkungstransistoren 31a, 31 b verbunden.

Die Vorspannungsschaltung enthält eine Gruppe von in Reihe geschalteten Dioden 55, 56, 57, die den Kollektor des Transistors 41 über einen Widerstand 40 mit dem positiven Anschluß +B-, der ersten Gleichspannungsquelle verbinden. Diese Dioden sind so gepolt, daß an ihnen eine Bezugs spannung abgenommen wird. Parallel zu den Dioden 55 bis 57 ist ein Kondensator 50 geschaltet, der einen Wechselstrom-Nebenschluß bildet. Ein Widerstand 51 verbindet das eine Ende der Vorspannungs-Schaltung mit der Basis des Transistors 31a; ein Widerstand 58 verbindet das andere Ende der Vorspannungs-Schaltung mit der Basis des Transistors 31b. Ein veränderlicher Widerstand 53, beispielsweise ein Potentiometer, ein Rheostat oder dergleichen, der in Reihe mit dem Widerstand 52 geschaltet ist, verbindet die Basis der Transistoren 31a, 31b und gestattet eine Einstellung der der Treiberstufe 2 zugeführten Eingangs-Vorspannungen.

Ein weiterer Unterschied zwischen den Ausführungsbei-

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spielen der Fir;. 5 und 1 besteht darin, daß im Falle rle? i*¹!^. 5 die den Tran π in boren lfta, 18b züge führt: en Hetriebspotentiale von der zweiten Gleichspannungsquelle abgenommen werden. Der Kollektor des Transistors IBa ist demgemnß mit dem positiven Anschluß +Bp der zweiten Gleichsnannungsquelle verbunden, x^ährend der Kollektor den Transistors 18b mit dem negativen Anschluß -B- eier zeiten Gleichspannungnquolle verbunden ist. Die von der ersten Gleichspannungsquelle erzeugte Spannung besitzt den Wert V", , der kleiner ist als der Wert Vp der von der zweiten Gleichspannunp-squelle erzeugten Spannung. Die an den positiven und negativen Anschlüssen der ersten Gleichsnannungsouelle erzeugten Spannungen bz>/. Potentiale sind somit gleich, besitzen jedoch entgegengesetzte Polarität. In entsprechender Weise sind die an den positiven und negativen Anschlüssen der zweiten Gleichstjannungsquelle erzeugten Spannungen bzv/. Potentiale gleich, jedoch von entgegengesetzter Polarität; sie sind darüber hinaus größer als die Spannung V-. . Wenngleich nicht dargestellt, ist ferner eine Stabilisierung der Spannungen +V-, , -V-, , +Vg und -Vo vorgesehen. Zu diesem Zweck können in den einzelnen Gleichspannungs-Versorgungskreisen übliche Spannungsregelungsschaltungen vorgesehen sein.

Wird angenommen, daß die in der Vorspannungsschaltung vorgesehenen Dioden 55, 56 und 57 eine Bezugsspannung derart erzeugen, daß die der Basis der Transistoren 31a, 31b zugeführte Vorspannung gleich V. ist und wird die

3.

Basis-Emitter-Spannung jedes dieser Transistoren, wenn er sich in leitendem Schaltzustand befindet, mit V-g-g angenommen, sind ferner die Werte der Emitterwiderstände 33a,-33d gleich R bzw. R, , so ist der Emitterstrom des Transistors 31a gleich dem Emitterstrom des Transistors 31b und läßt sich als ^V _a-2V_BE / Ro+R-u, ausdrücken. Wenn

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diese Transistoren einen vernachlässigbaren Basisstrom beistzen, so ist der Emitterstrom im wesentlichen gleich dom Kollektorstrom des Transistors. Dieser Kollektor— Emitter-Strom der Transistoren 31a, $lb wird der Vorspannung zugeschrieben, die der jeweiligen Basiselektrode über den beschriebenen Vorspannungskreis zugeführt wird; dieser Strom entspricht dem Kollektor-Emitter-Strom, wenn an den Eingangsanschluß 4- kein Eingangssignal gelegt wird. Es leuchtet ein, daß dieser Vorspannungsstrom von der Bezugsspannung V_Q abhängt, die auf einfache Weise mittels des Widerstandes 53 eingestellt werden kann. Hierdurch wird selbstverständlich die Vorspannung für die Treiberstufe 2 und für die Ausgangsstufe 3 des dargestellten Verstärkers entsprechend geändert.

Da die Treiberstufe 2 komplementär-symmetrisch geschaltet ist und die FET 20a, 20b in einer Kompfementär-GeFentakt-Schaltung speist, leuchtet ein, daß ein Eingangssignal, das dem Eingangsanschluß 4- zugeführt wird, über dio in Differentialr.chaltunp; angeordneten Transistoren 37 und 3-tt r.owie durch den Transistor 4-1 verstärkt wird und daß eine weitere Verstärkung durch die Transistoren 31a, 18a und 31b, 18b erhält, die FET derart speist, daß sie abv.rechselnd leitend und nicht leitend sind, in Takt der einzelnen Halbwellen eines beispielsv/eise sinusförmigen Eingangssignales. Wie bereits in Verbindung mit dem Ausführungsbeispiel der Fig. 1 erläutert wurde, dienen die Konstantstromkreise 23a, 23b dazu, den Gate-Reststrom des nicht leitenden FET auf einen vorbestimmten Höchstwert zu begrenzen.

Im folgenden sei nun erläutert, warum die Betriebspotentiale für die Treiberstufe 2 und die Ausgangsstufe von gesonderten Gleichspannungsquellen abgenommen werden. Bei der in Fig. 5 dargestellten Drain-Folgerschaltung

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(bzw. Schaltung mit pen-einsamor Source-Elektrode) ist der Drain-Strom für -jede der FET 20a, 20b verhältnismäßig groß, um eine Leistungsverstärkung des Einrangssignales zu erzielen. Werden nun die Treiberstufe und die Aiisgangsstufe von einer einzigen, gemeinsamen Gleichspannungsquelle versorgt, so ergibt sich ein hoher Leistungsbedarf für diese Gleichspannungsquelle. Dies würde eino außerordentlich aufwendige und damit unwirtschaftliche Konstruktion erfordern. Sind ferner die FET gemäß den Fig. 2 und 3 ausgebildet, d.h. als FET mit vertikaler Sperrschicht und einer dynamischen Triodenkennlinie, so erfordern solche FET eine außerordentlich stabile Betriebsspannung, was eine noch aufwendigere Ausbildung einer einzigen Gleichspannungsquelle erfordert.

Aun diesen Gründen ist die Verwendung von zwei gesonderten Gleichspannungsquellen zweckmäßig. Jede dieser Gleichspannungsquellen besitzt eine,vernünftige Leistungskapazität und einen verhältnismäßig einfachen und wirtschaftlichen Aufbau. Es ist also, mit anderen Worten, weniger aufwendig, gesonderte Spannungsquellen für die Treiberstufe und für die Ausgangsstufe vorzusehen, als eine einzige Gleichspannungsquelle zu verwenden, die beide Stufen in der erforderlichen Weise versorgen kann.

Ein weiterer Grund für die Verwendung gesonderter Gleichspannungsquellen für die Treiberstufe und für die Ausgangsstufe besteht darin, daß die maximale Gate-Source-Spannung auf einen verhältnismäßig niedrigen Wert begrenzt werden kann, während die Gleichspannungen V. und Vp genügend hoch sein können. Dabei ist zu berücksichtigen, daß die maximale Gate-Source-Spannung vorhanden ist, wenn die Versorgungs-Stromquellen zunächst eingeschaltet werden. Zu diesem Zeitpunkt kann eine der FET nicht leitend sein; gleiches gilt auch für einen der komplementären Transistoren 18a, 18b. Betrachtet man den FET 20 a, so kann es

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Bein, daß seine Gate-Spannunp gleich Vp und seine Source-Snennung gleich V^ int. Die maximale Gate-Source-Spnnnung knnn daher V^-Vp nicht übersteigen. Bei dieser Begrenzung kann die am positiven oder negativen Anschluß der ersten Gleichspannungsquelle vorhandene Spannung V^, leicht von hinreichender Größe sein, sodaß der Verstärkungsgrad der Treiberstufe 2 vergrößert wird. Es wird ferner nicht nur der Verstärkungsgrad den ganzen dargestellten Verstärkers erhöht, sondern es kann gewünschtenfalls auch eine ausreichende negative Rückkopplung vorgesehen v/erden. Demgemäß kann die Verzerrung der Signale, die der Last 6 zugeführt werden, praktisch bis auf Null reduziert werden.

Es liegt auf der Hand, daß zahlreiche Änderungen und Abwandlungen der beschriebenen Ausführungsbeispiele im Rahmen der Erfindung möglich sind. Wenngleich es beispielsweise zv/eckmäßig ist, als FET 20a, 20b Vertikalsperrschicht-Feldeffekt-Transistoren mit dynamischer Triodenkennlinie zu verwenden, so können im Rahmen der Erfindung mit zufriedenstellendem Erfolg auch übliche Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren mit dynamischer Pentodenkennlinie eingesetzt werden. Auch die Verwendung von MOSFET (Metalloxydhalbleiter-Feldeffekttransistoren) ist möglich.

Auch bei Verwendung eines einzelnen FET kann man einen Konstantstromkreis als Last des Transistors vorsehen, der mit dem FET direkt gekoppelt ist, sodaß der Gate-Reststrom des FET während des nicht leitenden Schaltzustandes begrenzt und verhindert wird, daß der FET in den leitenden Schaltzustand übergeht. Die Komplementär-Gegentakt-Schaltung kann demgemäß auch durch andere übliche Verstärkerschaltungen ersetzt werden. Einer der komplementären FET in der Ausgangsstufe der dargestellten Ausführungsbeispiele sowie einer der komplementären Transistoren in der Treiberstufe kann somit entfallen.

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Claims

Patentansprüche

Verstärker mit einer Treiberstufe und einer Au r, g stufe, wobei in der Ausgangsstufe ein Feldeffekttransistor vorgesehen int, von dessen Source- und Drain-Elektroden die eine mit einer Last verbunden ist und die andere mit einor Betriebsspannunp gespeist wird, wobei ferner in der Treiberstufe ein Transistor vorgesehen ist, dessen Steuerelektrode das zu verstärken de Signal zugeführt wird und der eine erste und eine zweite Ausgangselektrode aufweist, von denen die eine Ausgangselektrode direkt mit der Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors verbunden ist, während der anderen Ausgangselektrode eine Betriebsspannung zugeführt wird, dadurch gekennzeichnet , daß ein Konstantstromkreis mit der einen Ausgangselektrode des Transistors verbunden ist und einen Strom vorbestimmter Größe liefert.
2. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Konstantstronkreis einen zusätzlichen Transistor enthält, dessen Steuerelektrode eine konstante Vorspannung zugeführt wird und der eine erste und

. eine zweite Ausgangselektrode aufweist, die in Seihe mit der ersten und zweiten Ausgangselektrode des Transistors geschaltet sind, wobei eine Vorspannungsschaltung mit der Steuerelektrode des zusätzlichen Transistors verbunden ist und ihr eine konstante Vorspannung zuführt.
3. Verstärker nach Anspruch I₁ dadurch gekennzeichnet, daß Schaltungselemente vorgesehen sind, die dem Feldeffekttransistor und dem in der Treiberstufe vorgesehenen Transistor die selbe Betriebsspannung zuführen.

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4. Verstärker nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß zu diesen Schaltungselementen ein Widerstand gehört, der die Betriebsspannung der genannten anderen Elektrode des in der Treiberstufe vorgesehenen Transistors zuführt.
5. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der in der Treiberstufe vorgesehene Transistor direkt mit der Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors in Ernitterfolgeschaltung gekoppelt ist, wobei der Konstantstromkreis als Last an diesen Transistor angeschlossen ist.
6. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dem in der Treiberstufe vorgesehenen Transistor zugeführte Betriebsspannung größer als die dem Feldeffekttransistor zugeführte Betriebsspannung ist.
7. Verstärker nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß in der Treiberstufe ein erster Transistor vorgesehen ist, dessen Basis das zu verstärkende Signal empfängt und von dem Kollektor bzw. Emitter direkt an die Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors angeschlossen ist, ferner ein zweiter Transistor, der das Eingangssignal empfängt und es der Basis des ersten Transistors zuführt.
8. Verstärker nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, daß der erste Transistor mit dem Feldeffekttransistor direkt in Emitterfolgeschaltung gekoppelt ist und das der Feldeffekttransistor an die Last in Drain-Folgerschaltung angeschlossen ist.
9. Verstärker nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, daß mit dem zweiten Transistor Schaltungselemente verbunden

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sind, die diesem Transistor eine vorbestimmte Basis-Vorspannung zuführen.
10.Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Feldeffekttransistor ein Vertikalsparrschicht-Feldeffekttransistor mit dynamischerTriodenkennlinie ist.
11.Verstärker nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Feldeffekttransistor einen eigenleitenden Halbleiterbereich mit einem darüber liegenden, ringförmigen Halbleiterbereich eines Leitfähigkeitstyps," den Gate-Bereich bildend, enthält, ferner darüber liegend einen zweiten Halbleiterbereich des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps, der den Source-Bereich bildet.
12.Verstärker nach Anspruch 1, daurch gekennzeichnet, daß die Ausgangsstufe einen zweiten Feldeffekttransistor enthält, der zusammen mit dem ersten Feldeffekttransistor in Gegentaktschaltung an die Last angeschlossen ist, daß ferner die Treiberstufe einen zweiten Transistor enthält, dessen Steuerelektrode das zu verstärkende Signal zugeführt wird und der eine erste und eine zweite Ausgangselektrode aufweist, wobei eine dieser Ausgangselektrode direkt mit der Gate-Elektrode des zweiten Feldeffekttransistors und zusätzlich mit einem zweiten Konstantstromkreis verbunden ist.
13.Verstärker nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und zweite Feldeffekttransistor komplementär ausgebildet sind, daß ferner mit diesem ersten und zweiten Feldeffekttransistor ein erster und ein zweiter Transistor, die komplementär zueinander ausgebildet sind, in Emitterfolgeschaltung verbunden sind, wobei diese Transistoren komplementär durch ein Eingangssignal ausgesteuert werden.

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14. Verstärker mit einer Eingangsstufe zum Empfang eines Eingangssignales sowie zur Erzeugung komplementärer Ausgangssignale in Abhängigkeit vom Eingangssignal, ferner mit einer an die Eingangsstufe angeschlossenen Treiberstufe zur Aufnahme der komplementären Ausgangssignale, enthaltend einen ersten Transistor, dessen Eingangselektrode eines der komplementären Ausgangssignale zugeführt wird, enthaltend ferner einen zweiten Transistor, dessen Eingangselektrode das andere komplementäre Ausgangssignal zugeführt wird, weiterhin mit einer Ausgangsstufe, die einen ersten und zweiten Feldeffekttransistor enthält, wobei die Gate-Elektrode des ersten Feldeffekttransistors direkt mit einer der beide'n Ausgangselektroden des ersten Transistors und die Gate-Elektrode des zweiten Feldeffekttransistors direkt mit einer der beiden Ausgangselektroden des zweiten Transistors verbunden ist, und wobei ferner eine der Source- und Drain-Elektroden jedes Feldeffekttransistors mit einer Last gekoppelt ist, dadurch gekennzeichnet, daß eine erste und eine zweite Konstantstromquelle als Last mit der einen Ausgangselektrode des ersten bzw. zweiten Transistors verbunden sind.
15. Verstärker nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Feldeffekttransistor in komplementärer Gegentaktanordnung an die Last angeschlossen sind.
16. Verstärker nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Transistor in Emitterfolgeschaltung direkt mit dem.ersten und zweiten Feld effekttransistor verbunden sind.
17. Verstärker nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet,

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daß die Eingangsstufe Differentialverstärker enthält zur Erzeugung komplementärer Ausgangssignale zur abwechselnden Aussteuerung des ersten und zweiten Transistors.
18. Verstärker nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß Stromquellen vorgesehen sind, die dem ersten und zweiten Felleffekttransistor sowie dem ersten und zweiten Transistor die erforderlichen Betriebsspannungen zuführen.
19. Verstärker nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und zweite Feldeffekttransistor in Source-FoIgeschaltung mit der Last verbunden sind und daß die Stromquellen die selben Betriebsspannungen dem ersten und zweiten Feldeffekttransistor sowie dem ersten und zweiten Transistor zuführen.
20. Verstärker nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und zweite Feldeffekttransistor mit der Last nach Art einer Schaltungsanordnung mit gemeinsamer Source-Elektrode verbunden sind und daß die Stromquellen dem ersten und zweiten Transistor eine höhere Betriebsspannung als 'dem ersten und zweiten Feldeffekttransistor zuführen.
21. Verstärker nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß dem ersten Transistor noch ein erster Zusatztransistor zugeordnet ist, der eines der komplementären Ausgangssignale empfängt und es dem ersten Transistor zuführt, und daß dem zweiten Transistor ein zweiter Zusatztransistor zugeordnet ist, der das andere komplementäre Ausgangssignal aufnimmt und es dem zweiten Tran-« sistor zuführt.
22. Verstärker nach Anspruch 21, dadurch, gekennzeichnet,

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daß ein Vorspannungskreis zwischen die Basis des ersten

und zweiten zusätzlichen Transistors geschaltet ist, um diesen Transistoren eine einstellbare Vorspannung zuzuführen.
23. Verstärker nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite Konstantstromquelle die jeweiligen Gate-Restströme des ersten und zweiten Feldeffekttransistors während der Zeitperioden auf einen vorbestimmten Wert begrenzen, in denen der betreffende Feldeffekttransistor nicht leitend ist, daß ferner jede dieser Konstantstromquellen einen weiteren Transistor enthält, dessen Basfe eine konstante Vorspannung zugeführt wird und dessen Kollektor-Emitter-Strecke in Reihe mit der Emitterelektrode des zugehöri-* gen ersten bzw. zweiten Transistors geschaltet ist und daß eine konstante Vorspannungsquelle an die Basis des weiteren Transistors angeschlossen ist und dieser eine konstante Vorspannung zuführt.

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