DE2522527A1

DE2522527A1 - Transistorverstaerker

Info

Publication number: DE2522527A1
Application number: DE19752522527
Authority: DE
Inventors: Kazuhiko Kamimura; Tadao Yoshida
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1974-05-21
Filing date: 1975-05-21
Publication date: 1975-12-04
Also published as: GB1496177A; FR2272525B1; US3968451A; JPS5720723B2; FR2272525A1; DE2522527C2; IT1038350B; NL7505983A; CA1046596A; JPS50150345A

Description

It 3246

SONY CORPORATION

Tokyo, Japan

Transistorverstärker

Die Erfindung "betrifft einen Transistorverstärker und bezieht sich insbesondere auf einen Transistorverstärker mit einem Feldeffekttransistor, der Triodeneigenschaften auf v/ei st.

In der US-Patentanmeldung Serial-No. 508 836 ist ein Transistorverstärker vorgeschlagen, der wenigstens einen Feldeffekttransistor mit Triodeneigenschaften enthält, welcher zur Verstärkung insbesondere in der Ausgangsstufe vorgesehen ist; dieser Feldeffekttransistor weist Drain- und Source-Elektroden auf, die über eine Last zwischen die Anschlüsse einer Arbeitsspannungsquelle bzw. Betriebsspannung squelle geschaltet sind, wobei diese Betriebsspannungsquelle Schwankungen unterliegt; ein Eingangssignal wird hierbei an die Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors mit Triodeneigenschaften angelegt. Zur Gewährleistung, daß Spannungsänderungen in der Betriebsspannungsquelle keine Änderungen bezüglich des Vorspannungsgleichstroms des Feldeffekttransistors und entsprechende Verzerrungen im Ver-

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stärkerausgangssignal hervorrufen, ist eine Vorspannungsschaltung vorgesehen, die eine Gate-Vorspannung an die Gate-Elektrode jedes Feldeffekttransistors anlegt; die Vorspannungsschaltung umfasst eine Kompensationsanordnung zur Änderung der Gate-Vorspannung in Abhängigkeit zu den Änderungen der Betriebsspannungsquelle, wobei das Verhältnis zwischen der Spannungsänderung dieser Spannungsquelle und der resultierenden Änderung der Gate-Vorspannung im wesentlichen der Verstärkungskonstanten des Feldeffekttransistors proportional ist, wodurch der Vorspannungsgleichstrom stabilisiert wird.

Die vorliegende Erfindung ist eine Verbesserung eines derartigen Verstärkers im Hinblick darauf, daß die Kompensationsanordnung vereinfacht ist und ein Paar von Feldeffekttransistoren mit Trioden-Kennlinien in einer Ausführungsform in Drain-Folger-Konfiguration vorgesehen ist.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen verbesserten Transistorverstärker zu schaffen, der wenigstens einen Feldeffekttransistor mit Trioden-Kennlinien in seiner Ausgangsstufe verwendet und bei dem Verzerrungen aufgrund der Schwankungen der Arbeitsspannung durch eine einfache Kompensationsschaltung verhindert werden.

Diese· Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß erste und zweite Spannungsquellen mit jeweils einem Anschluß paar vorgesehen sind, daß ein Transistor erste, zweite und dritte Elektroden aufweist, daß die erste Elektrode ein zu verstärkendes Eingangssignal erhält, daß die zweite Elektrode über eine erste Impedanz an einen Anschluß der ersten Spannungsquelle angeschlossen ist, daß die dritte Elektrode

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mit einem Bezugspunkt verbunden ist, daß ein Feldeffekttransistor mit Gate-, Source- und Drain-Elektroden vorgesehen ist, dessen Gate-Elektrode mit der zweiten Elektrode des Transistors in Verbindung steht, daß die Source- und Drain-Elektroden jeweils zwischen einen Anschluß der zweiten Spannungsquelle und über eine Last an einen Bezugspunkt angeschlossen sind, daß eine Spannungssteuereinrichtung zwischen jeweils den ersten Anschlüssen der ersten und zweiten Spannungsquellen zur Steuerung der Gate-Spannung in Abhängigkeit von der Spannungsänderung der zweiten Spannungsquelle angeordnet ist, wodurch ein Vorspannungsgleichstrom des Feldeffekttransistors unabhängig von der Spannungsänderung bzw. SpannungsSchwankung der zweiten Spannungsquelle stabilisiert wird.

Die Erfindung schafft vorteilhafterweise einen Transistorverstärker, der einen oder mehrere Feldeffekttransistoren mit Triodeneigenschaften verwendet, die in Drain-Folger-Schaltung geschaltet sind. Der erfindungsgemäße Transistorverstärker eignet sich vorteilhafterweise als Audio-Leistungsverstärker hoher Qualität.

Im folgenden werden bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung zur Erläuterung weiterer Merkmale anhand von Zeichnungen veranschaulicht. Es zeigen:

Fig. 1 eine Schnittansicht einer Ausführungsform eines Feldeffekttransistors mit Triodeneigenschaften, der in dem erfindungsgemäßen Transistorverstärker verwendet werden kann,

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Pig. 2 eine Schnittansicht einer weiteren Ausführungsform eines Feldeffekttransistors mit Triodeneigenschaften, der in dem erfindungsgemäßen Transistorverstärker verwendbar ist,

Pig. 3 eine grafische Darstellung zur Veranschaulichung der typischen Ausgangssignaleigenschaften eines Feldeffekttransistors entsprechend den Fig. 1 und 2,

Pig. 4 und 5 grafische Darstellungen zur Erläuterung der Erfindung,

Fig. 6 eine Schaltungsdarstellung eines Transistorverstärkers gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, und

Fig. 7 und 8 Schaltungen von bevorzugten Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Transistorverstärkers.

Ein Feldeffekttransistor mit Trioden-Eigenschaften, der sich zur Verwendung in einem Transistorverstärker nach der Erfindung eignet, wird nachstehend unter Bezugnahme auf Fig. 1 erläutert.

Aus Fig. 1 geht hervor, daß ein Feldeffekttransistor mit Trioden-Eigenschaften einen Intrinsic-Halbleiterbereich niedriger Störstellenkonzentration und hohen Widerstands aufweist, auf welchem ein ringförmiger P-Halbleiterbereich durch eine selektive Diffusionsmethode od. dgl. gebildet wurde. Ein U-Halbleiterbereich 3 hoher Störstellenkonzentration, der sich über dem Intrinsic-Bereich 1 und dem P-Halbleiterbereich 2 ausbreitet, ist durch ein Epitaxial-Verfahren od. dgl.

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erzeugt. Eine Drain-Elektrode D befindet sich am Boden des Intrinsic-Bereichs 1, eine Gate-Elektrode G auf dem P-Bereich 2 und eine Source-Elektrode S auf der oberen Fläche des H-Halbleiterbereichs 3.

In Fig. 2 sind diejenigen Elemente, die Elementen in Fig. 1 entsprechen, mit gleichen Bezugsziffern versehen. Aus Fig. 2 ist ersichtlich, daß bei einer bevorzugten Ausführungsform eines Feldeffekttransistors mit Trioden-Kennlinien gemäß der Erfindung der P-Halbleiterbereich in netzartiger Konfiguration vorgesehen ist und der N-Halbleiterbereich 4 hoher Störstellenkonzentration unter der unteren Fläche des Intrinsio-Bereichs 1 angeordnet ist, um die Durchbruchspannung zwischen der Drain- und Source-Elektrode zu erhöhen.

Bei den Feldeffekttransistoren gemäß den Fig. 1 und 2 ruft eine Erhöhung der negativen Gate-Spannung eine Vergrößerung der Sperrschichten hervor, die sich von Teilen der Gate-Bereiche 2 zwischen den Bereichen 1 und 3 und dem Kanal erstrecken, der im Bereich 3 zwischen diesen Gate-Abschnitten gebildet wird. Da der Bereich 3 N-Leitung besitzt, handelt es sich bei den Feldeffekttransistoren nach den Fig. 1 und um N-Kanal-Transistoren; ersichtlicherweise können ähnliche Feldeffekttransistoren mit Bereichen 2 bzw. 3 versehen werden, die IT- bzw. P-Leitung aufweisen, so daß P-Kanal-Feldeffekttransistoren resultieren.

Ersichtlicherweise enthält jeder der dargestellten Feldeffekttransistoren einen vertikalen Kanal anstelle eines lateralen Kanals bei einem konventionellen Feldeffekttransistor. Wegen eines derartigen vertikalen Kanals ist so-

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wohl der Abstand zwischen der Source-Elektrode und dem Kanal und die Lange des Kanals selbst klein und das Verhältnis zwischen Kanalbreite und Kanallänge ist größer als bei einem lateralen Feldeffekttransistor, so daß der Feldeffekttransistor einen sehr niedrigen Ausgangswiderstand bzw. eine sehr niedrige Ausgangsimpedanz aufweist, die beispielsweise in der Größenordnung von etwa 10 Ohm liegt. Ein Merkmal der in den Fig. 1,und 2 veranschaulichten Feldeffekttransistoren ist darin zu sehen, daß deren Drain-Strom nicht aufgrund einer Erhöhung der Spannung zwiechen der Drain und der Source gesättigt wird. In Fig. 3 bezeichnet die Abszisse die Drain-Spannung · Vjj in YoIt und die Ordinate den Drain-Strom Iy. in Ampere, wobei die Gate-Spannung V„ in Volt als Parameter verwendet wird. Aus dem Beispiel nach Fig. 3 geht hervor, daß die Drain-Spannungs-Drain-Strom-Kennlinien des Feldeffekttransistors mit vertikalem Kanal, wie dies beispielsweise in den Fig. und 2 der Fall ist, denjenigen einer Triode ähnlich sind, so daß man sagen kann, daß die dargestellten Feldeffekttransistoren Trioden-Eigenschaften aufweisen. Insbesondere ergibt sich, daß die Drainspannung-Drainstrom-Kennlinien nach Fig. 3 denjenigen einer Triode sehr ähnlich sind und über erhebliche Teile ihrer Länge gerade verlaufen, wobei diese geraden Abschnitte steil ansteigen und im wesentlichen parallel liegen, woraus hervorgeht, daß eine niedrige Ausgangsimpedanz und ein großes Ausgangssignal mit ausgezeichneter Linearität und vergleichsweise gringer Verzerrung vorliegen.

Ein Feldeffekttransistor mit den Eigenschaften einer Triode, wie er in Fig. 1 oder Fig. 2 dargestellt ist, läßt sich wirksam in einem Verstärker mit einem Tonausgangssignal ver-

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wenden; die Vorteile dieses Verstärkers sind nachstehend aufgeführt:

1. Es kann ein höherer Drain-Strom durch den vertikalen Kanal fließen, der zwischen dem Drain- und Source-Bereich liegt, weil das Verhältnis zwischen Kanalbreite und Kanallänge größer als "bei einem konventionellen Feldeffekttransistor mit einem Laterial-Kanal ist.

2. Die Verzerrung durch ungradzahlige Harmonische wird ähnlich einer Triode wegen der ausgezeichneten Linearität der Drain-Strom-Gate-Spannung-Kennlinien reduziert.

3. Die Schaltverzerrung wird reduziert, da der Feldeffekttransistor ähnlich einem Bipolartransistor keinen Speicher-Ladungsträger (storage carrier) aufweist.

4. Die Eingangsimpedanz ist sehr groß.

Aus diesem Grund wird keine nichtlineare Verzerrung entsprechend der Impedanz einer Signalquelle erzeugt.

5. Ein Verstärker, der einen Feldeffekttransistor mit den Eigenschaften einer Triode enthält, kann leicht eine Last aussteuern, die einen höheren Dämpfungsfaktor erfordert, weil er einen niedrigen Ausgangswiderstand "bzw. eine niedrige Ausgangsimpedanz "besitzt.

6. Im Falle eines Gegentaktverstärkers läßt sich eine komplementäre Gegentaktschaltung mit einfachem Aufbau erstellen.

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Gegenüber Vorstehendem sind bei einem konventionellen Junction-Feldeffekttransistor mit einem Querkanal der Widerstand zwischen der Source-Elektrode und dem Kanal, der Kanalwiderstand selbst und der Widerstand zwischen dem Kanal und der Drain-Elektrode groß und das Verhältnis zwischen Kanalbreite und Kanallänge ist kleiner als bei einem Feldeffekttransistor mit einem Vertikalkanal, infolgedessen der Ausgangswiderstand bzw. die Ausgangsimpedanz bei einem konventionellen Feldeffekttransistor sehr hoch ist und beispielsweise in der Größenordnung von mehreren Mega-Ohm liegt, so daß ein derartiger Transistor die sogenannten Pentoden-Eigenschaften aufweist. Bei einem konventionellen Feldeffekttransistor mit Pentoden-Eigenschaften tendiert die Drain-Spannung-Drain-Strom-Kennlinie dieses Transistors dazu, die Sättigung des Drain-Stroms bei einem vorbestimmten Wert der Drain-Spannung hervorzurufen, da die an dessen Drain-Elektrode angelegte Spannung ansteigt.

In Fig. 4 gibt die Abszisse die Drain-Spannung V-^, die Ordinate den Drain-Strom L₀ an und die Gate-Spajinung V_ß wird wiederum als Parameter entsprechend Fig. 3 benützt. Aus Fig. 4 ergibt sich, daß die Drainspannung-Drainstrom-Kennlinien eines Feldeffekttransistors mit den Kennlinien einer Triode Fig. 3 ähnlich sind, wenn der Transistor in einem Verstärker als Verstärkungselement verwendet wird. Wenn die Gate-Spannung Yn mit V~q bezeichnet wird und eine Belastungslinie mit einem Gradienten 1/R an der Basis- oder Normalspannung V^ eingezeichnet wird, wobei diese Spannung V^ von einer geeigneten Quelle an die Drain angelegt wird, und diese Belastungslinie die Drainspannung-Drainstrom-Kennlinie für die Gate-Spannung V^q

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am Punkt O sohneidet, läßt sich dieser Punkt 0 als normaler Arbeitspunkt "betrachten, der dem vorspannenden Drain-Gleichstrom Iq entspricht. Wenn jedoch die von der Spannungsquelle an die Dr"ain angelegte Spannung vom Grund- oder Normalwert V^ beispielsweise zum relativ niedrigeren Wert V¹W₀ oder zum höheren Wert V¹^ schwankt, verschiebt sich die Belastungslinie mit dem Gradienten 1/R in der dargestellten Weise derart, daß die Belastungslinie durch den Basispunkt V'jyn bzw. Y¹ '-^j. verläuft und die Kennlinie für die Gate-Spannung V„q am Punkt A oder B schneidet, wodurch sich der vorspannende Drain-Gleichstrom auf den Wert I^ bzw. I^ ändert.

Die vorstehenden Eigenschaften der Peldeffekttransistoren mit Eigenschaften einer Triode sind offensichtlich bei einem Verstärker mit einem Tonausgangssignal dahingehend nachteilig, daß er in dem verstärkten Ausgangssignal abhängig von den Schwankungen der Betriebsspannungsquelle Verzerrungen erzeugt. Dieser Nachteil der Feldeffekttransistoren mit Dioden-Charakteristik tritt verstärkt auf, wenn N- und P-Kanal-Transistoren in einem Tonausgangssignal-Verstärker eines rein komplementären Gegentakt-Typs oder von AB-Klasse verwendet werden. In diesem Pail werden N- und P-Kanal-Transistoren mit den Eigenschaften einer Triode gewählt, deren Gate-Spannungs-Drainstrom-Kennlinien regelbare bzw. steuerbare Eigenschaften aufweisen.

Beispielsweise können ein N- und P-Kanal-Transistor, die in einem derartigen Tonäusgangssignal-Verstärker verwendet werden, die GatespannungsCV^-DrainstromCljJ-Kennlinien zeigen, die in Pig. 5 durch S-^ bzw. Sp dargestellt sind. Wenn die an die N- und P-Kanal-Transistoren angelegten

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- ίο -

Gate-Spannungen den Wert -V^n bzw. Vg₀ annehmen, ergibt sich die daraus resultierende Kennlinie, wie sie "beispielsweise in Fig. 5 gestrichelt dargestellt und mit Sq bezeichnet ist. Wenn jedoch der vorspannende Drain-Gleichstrom jedes Transistors von I_Q auf I^ aufgrund der Schwankung der an die Drain-Elektroden von der Spannungsquelle her angelegten Spannungen absinkt, wie dies oben unter Bezugnahme auf Fig. 4 beschrieben wurde, ergibt sich in der resultierenden Kennlinie Sq am ITuIl-Drainstrom eine Stufe, infolgedessen eine Crossover-Yerzerrung eingeführt wird.

Gemäß der Erfindung wird das vorstehende Problem bei · einem AB-Gegentaktverstärker wie auch in jedem anderen Verstärker vermieden, der einen oder mehrere Feldeffekttransistoren mit Dioden-Eigenschaften zur Verstärkung verwendet, indem in geeigneter Weise die an die Gateelektrode jedes Feldeffekttransistors angelegte Gleich-Vorspannung durch einen Steuertransistor in Abhängigkeit zu den Änderungen oder Schwankungen der Drain-Spannung, d.h. der Arbeitsspannung für den Feldeffekttransistor variiert'wird, wodurch der Gleich-Vorspannungsdrainstrom trotz derartiger Schwankungen konstant gehalten wird. Wenn die Arbeite spannung sich von ihrem iTormalwert V^ auf den reduzierten Wert Vpj) ändert, wie dies beispielsweise in Fig. 4 veranschaulicht ist, so daß sich der Drainstrom vom Wert I-q auf den Wert I. ändert, wird der Drainstrom durch Verringerung der Gate-Spannung vom Wert V_&q auf den Wert Vq. wieder auf den Wert Iq gebracht, wobei der Wert V„_A der Gate-Spannung dem Wert der Drainspannungs-Drainstrom-Kennlinie entspricht, der sich dadurch ergibt, daß der Drainstrom-Wert Iq durch die Belastungslinie geschnitten wird, die von dem Spannungswert V ¹J)₁) ausgeht. Aus Fig. 4 geht ebenfalls hervor, daß demgegenüber bei

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einer Schwankung der Arbeitsspannung von ihrem Normalwert zu einem erhöhten Wert V '-p-p, wodurch sich der Drain-Strom vom Wert Iq auf den Wert I-g ändert, der Drain-Strom auf seinen Wert Iq zurückverbracht wird, indem die Gate-Spannung vom Wert V„q auf den Wert V^ erhöht wird, wobei dieser Wert dem Punkt der Drainspannung s-Drains tr om-Kennlinie entspricht, an welchem diese Kennlinie für den Drainstromwert Iq durch diejenige Lastlinie geschnitten wird, die von dem Spannungswert "V¹¹ weg führt.

Der Grundgedanke der Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf Pig. 6 erläutert. In Fig. 6 ist ein Eingang mit dem Bezugszeichen 8 versehen, der an die Basis-Elektrode des Transistors 9 angeschlossen ist. Der Emitter dieses Transistors 9 liegt an Masse und der Kollektor steht über einen Widerstand 10 mit einer Speisequelle +B- in Verbindung. Der vorgenannte Feldeffekttransistor mit Trioden-Eigenschaften ist mit 11 bezeichnet; seine Gate-Elektrode liegt am Kollektor des Transistors 9 an. Die Drain-Elektrode des Feldeffekttransistors 11· liegt über eine Last 12 an Masse. Die Source-Elektrode des Feldeffekttransistors 11 ist sowohl an eine Speisequelle +Bg wie auch über eine Spannungssteuerschaltung 13 an die Spannungsquelle +B.. angeschlossen. Die Erfindung verwendet hinsichtlioher der vorerwähnten Anordnung wegen der Änderung des Gleich-Yorspannungsstroms des Feldeffekttransistors aufgrund der Spannungsschwankung der Spannungsquelle +Bg eine Spannungssteuerschaltung 13, welche die Spannung der Speisequelle +B- in Abhängigkeit zu der SpannungsSchwankung der Speisequelle +Bg steuert. Wenn die Ausgangsspannung Vg der Speisequelle +Bg beispielsweise um + Vg ansteigt,

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arbeitet die Spannungssteuerschaltung 13 in der nachstehend erläuterten Weise. Die Spannungserhöhung +AY₂ der Speisequelle läßt den vorspannenden Gleichstrom des "Feldeffekttransistors 11 umAIj) ansteigen, wie dies im einzelnen unter Bezugnahme auf Fig. 4 erläutert wurde. Dies ist deshalb notwendig, um die Gate-Spannung V_& des Feldeffekttransistors 11 um einen vorbestimmten Wert ΔΤρ zu erhöhen, so daß die Änderung des vorspannenden Gleichstroms AL₀ Null ist. Aus diesem Grunde verwendet die Erfindung eine Spannungssteuerschaltung zwischen dem Netzanschluß +B₂ und dem Netzanschluß +B₁, damit dieser Teil der Sp annungs Schwankung, d.h. + AV₂ ä-^es Netzgeräts +B₂ an die Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors 11 angelegt wird.

Die Änderung -AVg der Spannungsquelle und die Änderung q der Gate-Spannung des Feldeffekttransistors 11 gemäß Fig. 6 führt zu der Beziehung = 1 + - . Die Änderung

α v_s px

A Vg der Spannungsquelle ist in diesem Fall gleich der Spannungsänderung Vp der Spannungsquelle +Bp. Wenn die Spannungssteuerschaltung 13 somit die Ausgangsspannung +V. der Spannungsversorgung +B₁ steuert, wird die Beziehung AVq = (1 + - ) AVp zwischen der Spannungsänderung ^V₂ der Spannungsquelle +B_? und der Gate-Spannungsänderung AV« eingehalten. Der vorspannende Gleichstrom des Feldeffekttransistors 11 wird durch die Spannungssteuerschaltung 13 unabhängig von der Zunahme + AV₂ der Ausgangsspannung +V₂ der Spannungsquelle +B₂ stabilisiert. Wenn die Ausgangsspannung +V₂ der Speisequelle +B₂ abnimmt, ■wirkt die Spannungssteuerschaltung 13 derart, daß die Gate-Spannung des Feldeffekttransistors 11 um den Wert

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_G = (1 + I)AVp reduziert und der Torspannende Gleichstrom des Feldeffekttransistors 11 stabilisiert wird.

Im folgenden wird eine Ausführungsform der Erfindung unter Bezugnahme auf Fig. 7 näher erläutert.

Gemäß Pig. 7 sind ein P-Kanal-Feldeffökttransistor Q₁ und ein N-Kanal-Feldeffekttransistor Qp mit gegenüber dem Feldeffekttransistor Q- komplementärer Eigenschaft in einer Drain-Folger-Schaltung zusammengeschaltet, um eine komplementäre Gegentaktschaltung der Klasse B oder AB zu bilden. Die erwähnten Feldeffekttransistoren haben Trioden-Eigenschaften und können als Feldeffekttransistoren Q-, Qp verwendet werden. Die Drain-Elektroden der Feldeffekttransistoren Q- und Q₂ sind über Widerstände R-, R^ ^m^ einem Ohm zur Stromerfassung oder derart geschaltet, daß eine Schaltung gebildet wird, die hier nicht näher dargestellt ist. Die Source-Elektroden der Feldeffekttransistoren Q-, Qp sind an zweite Spannungsquellen +Bp angeschlossen, die den gleichen Absolutwert der Ausgangsspannung und entgegengesetzte Polaritäten aufweisen.

Die Gate-Elektroden der Feldeffekttransistoren Q-, Qp sind jeweils und in Gleichstromschaltung an Kollektoren der Signal-Verstärkertransistoren Q,, Q. der vorhergehenden Stufe angeschlossen. Diese Transistoren Q,, Q. können komplementäre NPIi- und ΡϊίΡ-Bipolartransistoren sein, deren Kollektoren über Kollektorlastwiderstände R, . R. und

y 4

Spannungssteuerschaltungen X^, X₂, welche durch gestrichelte linien dargestellt sind, an die ersten Spannungsquellen +B.J angeschlossen sind, welche den gleichen Absolutwert der Ausgangsspannung bei entgegengesetzter

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-H-

Polarität liefern. Der Absolutwert der Ausgangsspannung +V- der ersten Spannungsquellen +B₁ ist derart eingestellt, daß er größer als der Absolutwert der Ausgangsspannung +V₂ der zweiten Spannungsquellen +B₂ ist.

Die Basis des Transistors Q~ ist an den Ausgang einer A-Klasse-Stufe angeschlossen, die insgesamt durch die Bezugsziffer 5 bezeichnet ist. Die Basis des Transistors Q, wird somit mit einem Eingangssignal gespeist, welches an den SignaleingangsanSchluß 6 angelegt wird; das Eingangssignal wird durch den NPIT-Transistor Qg oder den PNP-Transistor Q₇ verstärkt, welche zusammen mit dem NPIT-Transistor 5 eine Differentialverstärkerschaltung bilden; das Eingangssignal gelangt weiterhin über einen Widerstand R₅, bevor es die Basis des Transistors Q- erreicht. An die Basis des Transistors Q. wird ferner ein Eingangssignal angelegt, welches auf den Signaleingang 6 gelangt; dieses Eingangssignal wird durch den PNP-Transistor Qq und den HPIi-Transistor Q-q verstärkt, welche zusammen mit dem PNP-Transistor Q_Q eine Differentialverstärker schaltung bilden; das Eingangssignal gelangt über einen Widerstand Rg, bevor es die Basis des Transistors Q- erreicht. Die Kollektoren der Transistoren Q₇, Q-_Q sind über mehrere Dioden D- zur Spannungskonstanthaltung miteinander verbunden, wobei diese Dioden in Serienschaltung zueinander liegen. Eine an der Diode D- zur Spannungskonstanthaltung erzeugte konstante Spannung V,, die durch die Kollektorströme der Transistoren Q₇ , Q-q erzeugt wird, wird durch die Widerstände R₁-, Rg und den variablen Widerstand VR^ dividiert und an die Basen der Transistoren Q, , Q- angelegt. .Die erwähnte A-Klassen-Stufe kann sich auf eine konventionelle Schaltung beziehen und ist hier nicht näher erläutert. Wenn

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die Spannung zwischen den Basen der Transistoren Q~, Q. (d.h.. die Spannung an den Enden des variablen Widerstands VR-) mit V. bezeichnet wird, läßt sich der Emitterstrom der Transistoren Q,, Q, näherungsweise zu (V. - 2V-gjj) / ^7 ⁺ %) bestimmen, wobei dieser Wert nahezu gleioh ihren jeweiligen Kollektorströmen ist. Mit R„, Rg sind Widerstände bezeichnet, die emitterseitig der Transistoren Q^, Q. angeschlossen sind; V-g_E bezeichnet die Basis-Emitter-Itarchlaßspannung der Transistoren Q,, Q..

Der Anschluß 7 ist vom Verbindungspunkt zwischen den Widerständen R₁, Rp und vom Verbindungspunkt zwischen den Widerständen R^, Eg an die Drainseite der Feldeffekttransistoren Q-., Qp und eine Rückkopplung über den Widerstand Rq an die Basen der Transistoren Qj-, Q₈ der vorhergehenden Stufe angelegt. Der Kondensator CL, der parallel zur Diode D- zur Spannungskonstanthaltung geschaltet ist, beseitigt auch das externe oder interne Rauschen der Diode D- zur Spannungskonstanthaltung.

Die vorerwähnten Schaltungen X-, X„ zur Spannungssteuerung steuern deren Ausgangsspannungen +V- abhängig zur Ausgangsspannung sand e rung der zweiten Speisequellen +B₀. Dies be-

deutet, daß die Schaltungen X-, Xp die Ausgangsspannungen -V, der ersten Speisequellen +Bi äquivalent steuern und die Verschiebung der Arbeitspunkte der Feldeffekttransistoren Q-, Q„ korrigieren, die durch eine Änderung der Ausgangsspannung der zweiten Spannungsquellen +Bp hervorgerufen wird. Bei der oben erläuterten Ausführungsform bestehen die Schaltungen X-, Xp zur Spannungssteuerung jeweils aus dem Widerstand R-q bzw. R-t-i» die in Serie zwischen die ersten

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Spannungsquellen +B- und den Kollektorlastwiderstand R, "bzw. R. geschaltet sind, aus dem Transistor CL.. bzw. Q_{1 2}> welche jeweils die Steuerung bewirken und parallel zwischen die ersten Spannungsquellen +IL und die zweiten Spannungsquellen +Bp geschaltet sind, aus einer Serienschaltung von Widerständen R₁₂» ^13» einer Diode Dp zur Spannungskonstanthaltung, welche die Basispotentiale der Transistoren Q^, Q₁₂ bestimmt bzw. aus der Serienschaltung der Widerstände R-., R- ^ und der Diode D, zur Spannungskonstanthaltung. Obgleich bei dieser Ausführungsform die Spannungssteuerschaltungen X-, X₂ in Serie zwischen die ersten Spannungsquellen +B- und die Kollektorlastwiderstände R,, R. geschaltet sind, damit die Ausgangsspannungen +V- der ersten Spannungsquellen +B- indirekt geändert werden, ist zu beachten, daß die Spannungssteuerschaltungen X-, X₂ auch so aufgebaut sein können, daß sie die Ausgangsspannungen +V- der ersten Spannungsquellen +B- direkt steuern.

Die Arbeitsweise der vorstehenden Ausführungsform wird nachfolgend erläutert. Wenn kein Eingangssignal em Eingangsanschluß 6 vorliegt, fließt zuerst ein dem Nichtvorliegen eines Signals entsprechender Kollektorstrom, der nahezu gleich (V. - 2V^)Z(Rr, + R₈) entspricht und bereits erwähnt wurde, zu den Transistoren Q,, Q.. Die Spannung V. oder der dem N.ichtvorliegen des Signals entsprechende Kollektorstrom kann durch den Widerstandswert des variablen Widerstands VR- ohne weiteres geändert werden. Wenn demzufolge die Spannung V. so eingestellt ist, daß z.B. die Transistoren Q,, Q. im Α-Betrieb arbeiten, sind die Kollektorlastwiderstände R,, R., die Ausgangs-

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spannungen +V₂ der zweiten Spannungsquellen +B₂ und die Ausgangsspannungen +V₁ der Spannungssteuerschaltungen X₁, Xp so "bestimmt, daß die Gate-Source der Feldeffekttransistoren Q₁, Q₂ im AB- oder B-Betrieb arbeiten. Die Einstellung des Arbeitspunkts der Transistoren Q,, Q,, d.h. die Einstellung der Basisvorspannung und die Einstellung der Gate-Source-Vorspannung der Feldeffekttransistoren Q₁, Q₂, wird gleichzeitig durch den variablen Widerstand VR₁ bewirkt.

Sofort, nachdem die ersten und zweiten Speisequellen +B₁, +B₂ eingeschaltet wurden, steigt die Spannung V~ an der Diode D₁ entsprechend der Zeitkonstanten des Kondensators G₁ an; der Kollektorstrom der Transistoren Q-Z, Q., d.h. der Spannungsabfall der Kollektor-Lastwiderstände IU, R. ist klein. Die Gate-Potentiale der Feldeffekttransistoren Q₁, Q_? werden demzufolge höher als die jeweiligen Ausgangsspannungen +V₂ sein. Die Gate-Potentiale ändern sich hierbei in Richtung auf das Abschalten bzw. den Sperrzustand der Feldeffekttransistoren Q₁, Q₂, d.h. in Richtung auf die Zunahme der Vorspannung an der Gate und Source. Die Feldeffekttransistoren mit Trioden-Eigenschaften,bei denen sich der Drainstrom nicht sättigt, werden nicht durch einen Überstrom zerstört. Auch wenn die Transistoren Q-, Q. an dem Zeitpunkt des Einschaltens der Spannungsquellen abgeechaltet bzw. gesperrt sind , wird nur die Spannung (+V₁) - (+Vp) an bzw. zwischen die Gate und Source der Feldeffekttransistoren Q₁, Q₂ angelegt; die Feldeffekttransistoren Q₁, Q₂ erfordern eine relativ kleine Durchbruchspannung zwischen Gate und Source.

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Die Änderung der Drain-Source-Spannung der Feldeffekttransistoren (L, Q₂ resultiert in äquivalenter Weise in einer Änderung der Gate-Vorspannung, in einerÄnderung oder VerscMeliung der Arbeitspunkte und gegebenenfalls in einer Erzeugung der Crossover-Verzerrung "bzw. Übergangs-Verzerrung, wie dies "bereits unter Bezugnahme auf die Fig. 4 und 5 erläutert wurde. Um die Änderung oder Verschiebung der Ar "be it spunkte zu verhindern, ist diese Ausführungsform mit den Spannungssteuersohaltungen X-, Xp versehen, die in äquivalenter Weise die Ausgangsspannungen +V-j der ersten Spannungsquellen +B- steuern.

lachfolgend wird eine Spannungssteuerschaltung X- erläutert. Wird angenommen, daß die Spannung +Vp nur der zweiten Spannungsquelle variiert wird, wobei die Gate-Source-Spannung des Feldeffekttransistors CL durch V^g und die Gate-Drain-Spannung durch V^ bezeichnet ist, verhindert folgende Beziehung die statische bzw. ruhende Funktion der Feldeffekttransistoren mit Trioden-Eigenschaften.

Unter Zugrundelegung der Gleichstromtheorie wird angenommen, daß

V₁ = V₂ + 2Vp (1)

Vp gibt dabei die Pinch-off-Spannung des Feldeffekttransistors CL an.

Bei Feldeffekttransistoren findet folgende Beziehung im allgemeinen Anwendung

dV,

GS 1 'DS

(2)

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η. gibt hierbei den Spannungs-Verstärkungsfaktor des Feldeffekttransistors, Yqo die zwischen Gate und Source liegende Spannung und V™ die zwischen Drain und Source anliegende Spannung an.

Weiterhin "besteht folgende Beziehung zwischen V«. und Vp: ^V'1 - ^V2 ^{+ V}GS ^{+ Χ}0·^Ε3

I_n gibt den Kollektorstrom des Transistors Q_v an. Da der Kollektorstrom Iq durch die Vorspannungsschaltung des Transistors Q, konstant ist, ist das Produkt Iq . R, konstant, Aus den Gleichungen (2) und (3) ergibt sich somit folgende Beziehung zwischen V₁ und Vp:

dV' dV„„

Hinsichtlich der Spannungssteuerschaltung X₁ ergibt sich andererseits folgende Beziehung zwischen V₁ und V₂, wenn die Vorwärts- bzw. Durchlaßspannung V-g_E zwischen Basis und Emitter des Transistors Q₁₁ vernachlässigt wird und wenn man annimmt, daß die Änderung der Ausgangsspannung +V₁ der Spannungssteuerschaltung X₁ im Hinblick auf die Änderung der Ausgangsspannung +Vp sehr klein ist:

Έ.Λ η + Rj r,, R«. _

^yl ■ ^V · ^{+ V} ■ V⁺ <J| · ^{V + V})

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V„ "bezeichnet hierbei die Spannung an der Diode Dp ^zur Spaimungskonstanthaltung. Zur Stabilisierung des VorspannungBgleichstroms des Feldeffekttransistors Q- unabhängig von der Änderung der Ausgangs spannung +Vp müssen hierbei die Gleichungen (1) und (5) sowie die Gleichungen (4) und (5) gleichzeitig erfüllt werden. Folgende Beziehung ergibt sich damit im Hinblick auf die Gleichstromtheorie:

Hinsichtlich der Wechselstromtheorie erhält man folgende Beziehung:

dV. R₁₉ + E₁- ,

T¹ 1 (7)

₂ K yu

Wenn R-J₂^ ^13 ¹⁸^f "besteht folgende Beziehung:

Wenn die Ausgangsspannung +Vp der zweiten Spannungsquelle +Bp einen bestimmten Wert annimmt, wenn die Widerstände IL p, R..-z und die Spannung an der Diode Dp so gewählt sind, daß die obigen Gleichungen (6) und (8) gleichzeitig erfüllt werden, dann wird das Gate-Potential des Feldeffekt-

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transistors CL auch dann um (1 + -) der Änderung korrigiert, wenn die Drain-Source-Spannung des Feldeffekttransistors Q₁ durch. Änderung der Ausgangs spannung +Vp geändert wird; hierdurch kann der Arbeitspunkt auf einem "oestimmten Wert gehalten werden. Die gleiche Arbeitsweise wird auch dann ausgeführt, wenn eine Emitter-Folger-Stufe in Kaskade zur nächsten Stufe des vorerwähnten Transistors Q^ geschaltet ist.

Die Spannungssteuerschaltung Xp arbeitet nach dem gleichen, oben erwähnten Prinzip, so daß deren Erläuterung überflüssig ist.

Im folgenden ist der Pail dargestellt, in welchem ein Signal an den Signal eingang 6 angelegt wird. Das durch die Transistoren Q₁- bis Qq der Differentialverstärkerstufe verstärkte Signal wird dann weiterhin durch die Transistoren Q^, Q. verstärkt und an die Gate des Feldeffekttransistors Q-, Qp angelegt, um die Feldeffekttransistoren Q^, Q₂ anzusteuern. Obgleich der Eingangssignalanschluß nach Wechselstromart an die Transistoren Qg, Qq in dieser Schaltung dieser Ausführungsform angeschlossen ist, können sie auch in Gleichstromart angeschlossen sein, um eine Gleichstrom-Verstärkung auszuführen.

Fig. 8 veranschaulicht eine v/eitere Ausführungsform der Erfindung, bei welcher sich der Aufbau der Spannungs-.Steuerschaltungen X-, Xp gegenüber der erläuterten ersten Ausführungsform unterscheidet; gleiche Elemente sind im

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Hinblick auf die erste Ausführungsform mit gleichen · Bezugsziffern versehen und werden nicht nochmals erläutert. Die Spannungssteuerschaltungen X¹-, X'₂ bestehen aus Steuertransistoren Q- ~, Q₁* anstelle der Widerstände R^ _Q, R- -, die "bei der Ausführungsform nach Fig. 7 verwendet wurden, um die Innenwiderstände der Transistoren Q-i-z» Q₁/ zu steuern, wobei die'Kollektorströme der Transistoren Q-,, Q-ρ verwendet werden. Mit dieser Anordnung werden die Ausgangsimpedanzen der Spannungssteuerschaltungen X¹-, X¹ ₂ verringert und der Ausnutzungsgrad der ersten Spannungsversorgungen +B₁ wird erhöht. Die !Funktion und die Konstanten in jedem Teil der Spannungssteuerschaltungen X'-i, X'₂ können im großen und ganzen als mit denjenigen der ersten Ausführungsform übereinstimmend betrachtet werden.

VorstehendeAusführungen zeigen, daß die Erfindung folgende Wirkungen beinhaltet:

(1) Auch wenn die Spannung zwischen der Drain- und der Source der Feldeffekttransistoren Q-, Q₂ durch eine Änderung der Ausgangsspannung der zweiten Spannungsversorgungen + Bp geändert wird, steuern die Spannungssteuerschaltungen X-, Xp die Ausgangsspannung der ersten Spannungsversorgungen +B-, welche die Gate-Spannung an die Feldeffekttransistoren Q₁, Q₂ liefern und eine Drift des Arbeitspunkts der Feldeffekttransistoren Q-, Q₂ wird aufgehoben, bzw. ausgeglichen, wodurch eine Stabilisierung des Arbeitspunkts der Transistoren Q-, Q₂ erfolgt. In den Verstärkerschaltungen sind im allgemeinen

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Lasten, "beispielsweise Lautsprecher, mit den zweiten Spannungsversorgungen +B₂ verbunden, um einen großen Strom aufzunehmen. Die Spannungsversorgungen +Bp entwickeln daher eine wesentlich größere Spannungsänderung als die Spannungsversorgungen +33- . In Vielbandveretärkern liefert die zweite Spannungsversorgung +JBp, welche eine Hauptspannungsversorgung darstellt, einen Strom zu den Verstärkern jedes Kanals; die Ausgangsspannung +Vp der zweiten Spannungsversorgung +Bp unterliegt einer Modulation des in die Verstärker jedes Kanals fließenden Stroms. Daher kann ein tibersprechen zwischen den Kanälen auftreten, wenn der Arbeitspunkt durch die Ausgangsspannung +Vp der zweiten Spannungsversorgung +B₂ verschoben wird. Die Erfindung weist jedoch diese Nachteile nicht auf.

(2) Die Spannung zwischen Drain und Source der Feldeffekttransistoren Q-, Qp unterliegt einer Änderung der Ausgangsspannung +Vp der zweiten Spannungsquellen +B₂. Um eine Drift der Arbeitspunkte der 3?eldeffekttransistoren Q-, Q₂ zu vermeiden, soll die Ausgangsspannung +V« der zweiten Spannungsversorgung +Bp grundsätzlich stabilisiert sein. Um die zweite Spannungsversorgung +Bp zu stabilisieren, welche die Hauptspannungsversorgung mit großer Stromkapazität darstellt, wird die Schaltung komplex und teuer und resultiert in einem erhöhten Wärmeverlust der Spannungsversorgung selbst. Demgegenüber wird erfindungsgemäß die Ausgangsspannung +V^ der ersten Spannungsversorgung +B- mit kleiner Stromkapazität direkt oder indirekt gesteuert, wodurch ermöglicht wird, die Schaltung zu vereinfachen und die Herstellungskosten zu senken.

♦infolge der Änderung

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(3) Die Vorspannung zwischen Gate und Source der Feldeffekttransistoren Q-, Q₂ wird durch die Kollektorströme der signalverstärkenden Transistoren Q-, Q. und die Ausgangsspannung +V- der ersten Spannungsversorgung +IL "bestimmt; es ist nicht erforderlich, speziell eine komplexe Gate-Vorspannungsschaltung für die Feldeffekttransistoren CL , Qp vorzusehen. Dies "bedeutet, daß die Basis-Vorspannungsschaltung der Transistoren Q,, Q, für die Verstärkung der Signale indirekt dazu dient, zusätzlich als Gate-Vorspannungsschaltung für die Feldeffekttransistoren Q-, Q_? zu wirken. D.h. mit anderen Worten, daß die Basis-Vorspannung der Transistoren Q,, Q. zur Signalverstärkung gleichzeitig mit der Einstellung der Gate-Vorspannung der Feldeffekttransistoren Q-, Q₂ eingestellt "bzw. justiert wird. Auf diese Weise ist erfindungsgemäß die Gate-Vorspannungsschaltung der Feldeffekttransistoren Q-, Qp einfach und die Vorspannungseinsteilung ist ebenfalls einfach.

(4) Zur Stabilisierung der Gate-Vorspannung der Feldeffekttransistoren Q-, Q₂ gegenüber der Änderung der Umgebungstemperaturen ist es wünschenswert, die Widerstände Ep Rq der Emitterschaltung der Signalverstärkungstransistoren Q,, Q. zu erhöhen. Um die Spannungsverstärkung der signalverstärkenden Transistoren Q-, Q. zu erhöhen, müssen die Kollektor-Lastwiderstände R,, R. ausreichend größer als die Widerstände R^, R_Q auf der Emitterseite sein; dies resultiert unvermeidbar in einer erhöhten Ausgangsspannung +V- der ersten Spannungsversorgung +B-. Erfindungsgemäß ist andererseits die erste

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Spannungsversorgung +B- von der zweiten Spannungsversorgung "bzw. -Quelle +Bp unabhängig, wobei letztere eine große Stromkapazität besitzt. Somit ist es möglich, eine ausreichend große Ausgangsspannung +V- der ersten Spannungsversorgung +B-ohne Schwierigkeiten zu schaffen, um eine erhöhte Verstärkung der Schaltung zu realisieren.

Wie bereits erwähnt wurde, weist gemäß der Erfindung die Verstärkerschaltung die ungünstigen Effekte nicht auf, die durch eine Schwankung oder Änderung der Spannung der Spannungsquelle hervorgerufen wird, ist darüber hinaus einfach aufgebaut, umfasst reduzierte Herstellungskosten und resultiert in einer erhöhten Wirkung.

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Claims

SONY CORPORATION ' o& · It 3246

Patentansprüche

Transistorverstärker, dadurch gekennzeichnet, daß erste und zweite Spannungs-

mit
quellen/jeweils einem Anschlußpaar vorgesehen sind, daß ein Transistor erste, zweite und dritte Elektroden aufweist, daß die erste Elektrode ein zu verstärkendes Eingangssignal erhält, daß die zweite Elektrode über eine erste Impedanz an einen Anschluß der ersten Spannungsquelle angeschlossen ist, daß die' dritte Elektrode mit einem Bezugspunkt verbunden ist, daß ein Feldeffekttransistor mit Gate-, Source- und Drain-Elektroden vorgesehen ist, dessen Gate-Elektrode mit der zweiten Elektrode des Transistors in Verbindung steht, daß die Source- und Drain-Elektroden jeweils zwischen einen Anschluß der zv/eiten Spannungsquelle und über eine Last an einen Bezugspunkt angeschlossen sind, daß eine Spannungssteuereinrichtung zwischen jeweils den ersten Anschlüssen der ersten und zweiten Spannungsquellen zur Steuerung der Gate-Spannung in Abhängigkeit von der Spannungsänderung der zweiten Spannungsquelle angeordnet isj, wodurch ein Vorspannungsgleichstrom des Feldeffekttransistors unabhängig von der Spannungsänderung bzw. Spannungsschwankung der zweiten Spannungsquelle stabilisiert wird.

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2. Transistorverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor ein ETPN-Transistor ist und in einer Schaltung mit geerdetem Emitter vorgesehen ist, daß der Feldeffekttransistor P-Kanal-Leitung aufweist und in Drain-Folger-Schaltung angeordnet ist.

3. Transistorverstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Impedanz ein Widerstand ist und daß die Gate-Spannung des Feldeffekttransistors über den Widerstand von der ersten Spannungsquelle geliefert wird.

4. Transistorverstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannungssteuereinrichtung einen Teil der SpannungsSchwankung bzw. Spannungsänderung der zweiten Spannungsquelle an die Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors liefert, daß die zur Gate-Elektrode geführte Spannungsänderung folgender Gleichung entspricht

wobei /^f η diese Sp annungs änderung angibt, Δ^₂ die Spannungsänderung bzw. SpannungsSchwankung der zweiten Spannungsquelle und/u eine Yerstärkungskonstante des Feldeffekttransistors.

5. Transistorverstärker nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine Ausgangsspannung der ersten Spannungsquelle größer als die zweite Spannungsquelle ist.

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Transistorverstärker, dadurch gekennzeichnet, daß erste und zweite Spannungsquellen mit jeweils einem Anschlußpaar vorgesehen sind, daß erste und zweite Transistoren vorgesehen sind und jeweils Basis-, Emitter- und Kollektor-Elektroden aufweisen, daß jede Basis-Elektrode mit einem zu verstärkenden Eingangssignal gespeist wird, daß jede Kollektor-Elektrode der ersten und zweiten Transistoren über erste "bzw. zweite Widerstände jeweils zwischen den einen und den anderen Anschluß der ersten Spannungsquelle angeschlossen ist, daß die Emitter-Elektroden miteinander verbunden sind, daß erste und zweite Feldeffekttransistoren vorgesehen sind, welche Trioden-Kennlinien und Gate-, Source- und Drain-Elektroden aufweisen, daß jede Source-Elektrode jeweils zwischen den einen und den anderen Anschluß der zweiten Spannungsquelle geschaltet ist, daß die Gate-Elektroden an die Kollektor-Elektrode des ersten bzw. zweiten Transistors angeschlossen ist, daß die Drain-Elektroden miteinander verbunden sind und über eine Last am Bezugspotential anliegen, daß eine erste Spannungssteuereinrichtung zwischen jeweils den einen Anschluß der ersten und zweiten Spannungsquelle geschaltet ist, um einen Teil der Spannungsänderung des einen Anschlusses der zweiten Spannungsquelle an die Gate-Elektrode des ersten Feldeffekttransistors anzulegen, um einen Vorspannungsgleichstrom des ersten Feldeffekttransistors unabhängig von der Spannungsänderung am einen Anschluß der zweiten Spannungsquelle zu stabilisieren, und daß eine zweite Spannungssteuereinrichtung zwischen jeweils den anderen Anschluß der ersten und zweiten Spannungsquellen geschaltet ist, um einen Teil der Spannungsänderung am

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-'"•as.

anderen Anschluß der zweiten Spannungsquelle an die Gate-Elektrode des zweiten Feldeffekttransistors zur Stabilisierung eines Vorspannungsgleichstroms des zweiten Feldeffekttransistors unabhängig von der Spannungsänderung am anderen Anschluß der zweiten Spannungsquelle anzulegen.

Transistorverstärker nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite Spannungssteuereinrichtung jeweils einen Teil der Spannungsänderung am entsprechenden Anschluß der zweiten Spannungsquelle der zugeordneten Gate-Elektrode der ersten und zweiten Spannungsquellen zuführen, wobei sich diese Spannungsänderungen wie folgt ergeben:

n- und^V£2 ^^e i-ⁿ ^ie zugeordneten Gate-Elektroden injizierten Spannungsanderungen,/\v₂ und Δν'ρ die Sp annungs änderung en der zugeordneten Anschlüsse der zweiten Sp annungs quelle und/u- und /Up die Verstärkungskonstanten des ersten bzw. zweiten Feldeffekttransistors angeben.

8. Transistorverstärker nach Anspruch 7> dadurch gekenn zeichnet, daß der erste bzw. zweite Transistor NPN- bzw. PNP-Leitung aufweisen und daß der erste bzw. zweite Feldeffekttransistor P-Kanal- bzw. N-Kanal-Leitung aufweisen.

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9. Transistorverstärker nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und zweite Transistor in Schaltung mit geerdetem Emitter vorgesehen sind und daß der erste und zweite Feldeffekttransistor jeweils in Drain-Folger-Schaltung geschaltet sind.

10. Transistorverstärker nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß eine Gleichstromvorspannungsschaltung für die Basis-Elektroden der ersten und zweiten Transistoren vorgesehen ist.

11. Transistorverstärker nach Anspruch 1G, dadurch gekennzeichnet, daß die Gleichstromvorspannungsschaltung eine konstante Spannungsquelle mit einem Anschlußpaar, eine einen dritten Widerstand, einen variablen Widerstand und einen vierten Widerstand enthaltenden Spannungsteiler aufweist, wobei jeder Widerstand zwischen die Anschlüsse der Spannungsquelle geschaltet ist und daß die Gleichstromvorspannungsschaltung eine Schaltung zur Lieferung der Spannung am variablen Widerstand an die Basis-Elektroden des ersten und zweiten Transistors enthält, wodurch die entsprechenden Vorspannungsgleichströme der ersten und zweiten Transistoren durch Einstellung des variablen Widerstands steuerbar sind.

12. Transistorverstärker nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Quelle konstanter Spannung in Serie geschaltete Dioden und eine Stromquelle zur Lieferung eines vorbestimmten Stroms an die in Serie geschalteten Dioden aufweist.

13. Transistorverstärker nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß ein A-Verstärker vorgesehen ist, dessen

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- λ - . Vi ·

AusgangSsignal an die Basis-Elektroden der ersten und zweiten Transistoren mit zueinander gleicher Polung angelegt wird.

14. Transistorverstärker nach Anspruch 13» dadurch gekennzeichnet, daß der A-Verstärker wenigstens einen Differentialverstärker aufweist.

15. Transistorverstärker nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite Spannungssteuer.einriehtung

einen/Transistor mit Basis-, Emitter- und Kollektor-Elektroden aufweist, wo"bei die Kollektor- und Emitter-Elektroden zwischen den zugeordneten einen Anschluß der ersten und zweiten Spannungsquellen geschaltet sind,

eine erste Schaltung enthält, die einen fünften Widerstand, eine erste Einrichtung mit konstanter Spannung und einen sechsten Widerstand umfasst, die jeweils zwischen den Bezugspunkt und den einen Anschluß der ersten Spannungsquelle geschaltet sind, daß ein Verbindungspunkt zwischen dem sechsten Widerstand und der ersten Einrichtung zur Lieferung einer konstanten Spannung an die Basis-Elektrode des dritten Transistors angeschlossen ist,

einen vierten Transistor mit Basis-, Emitter- und Kollektor-Elektroden aufweist, daß die Kollektor- und Emitter-Elektroden zwischen die zugeordneten anderen Anschlüsse der ersten und zweiten Spannungsquellen geschaltet sind, sowie

eine zweite Schaltung aufweist, die einen siebten Widerstand, eine zweite Einrichtung zur Lieferung einer konstanten Spannung und einen achten Widerstand umfasst,

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die jeweils zwischen den Bezugspunkt und den anderen Anschluß der ersten Spannungsquelle geschaltet sind, daß ein Verbindungspunkt zwischen dem siebten Widerstand und der zweiten Einrichtung für eine konstante Spannung an die Basis-Elektrode des vierten Transistors angeschlossen ist, wodurch Spannungsänderungen an jeweils dem einen und dem anderen Anschluß der zweiten Spannungsquelle den zugeordneten Anschlüssen der ersten Spannungsquelle in einem Verhältnis zugeführt werden, welches durch den fünften "bis achten Widerstand bestimmt wird, so daß die entsprechenden Vorspannungsgleichströme des ersten und zweiten Feldeffekttransistors stabilisiert werden.

16. Transistorverstärker nach Anspruch 15» dadurch gekennzeichnet, daß der dritte Transistor ein NPB-Transistor und der vierte Transistor ein PNP-Transistor ist.

17. Transistorverstärker nach Anspruch 15» dadurch gekennzeichnet, daß jeder Widerstandswert des fünften bis achten Transistors durch folgende Gleichungen bestimmt wird:

' r₇ /U₂

wobei Tr bis r„ jeweils den Widerstandswert des fünften bis achten Widerstands,/u- und/U₂ jeweils die Verstärkungskonstante des ersten und zweiten Feldeffekttransistors angeben.

18. Transistorverstärker nach Anspruch 15» dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite Einrichtung zur Lieferung einer konstanten Spannung Zener-Dioden sind.

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19· Transistorverstärker nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß ein fünfter Transistor mit Basis-, Emitter- und Kollektor-Elektroden vorgesehen ist, daß die Kollektor- und Emitter-Elektroden in Serie zur Spannungsspeiseleitung des einen Anschlusses der ersten Spannungsquelle liegen, daß die Basis-Elektrode über einen neunten Widerstand an dessen Kollektor-Elektrode und an die Kollektor-Elektrode des dritten Transistors angeschlossen ist, daß ein sechster Transistor mit Basis-, Emitter- und Kollektor-Elektroden vorgesehen ist, daß die Kollektor- und Emitter-Elektroden in Serie zur Spannungsspeiseleitung des anderen Anschlusses der ersten Spannungsquelle liegen und daß die Basis-Elektrode über einen zehnten Widerstand mit dessen Kollektor-Elektrode sowie mit der Kollektor-Elektrode des vierten Transistors in Verbindung steht.

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