DE2623245A1

DE2623245A1 - Stromversorgungseinrichtung

Info

Publication number: DE2623245A1
Application number: DE19762623245
Authority: DE
Inventors: Jun Otto Heinrich Schade
Original assignee: RCA Corp
Current assignee: RCA Corp
Priority date: 1975-05-27
Filing date: 1976-05-24
Publication date: 1976-12-02
Also published as: DE2623245B2; GB1545924A; JPS51145252A; FR2312878A1; NL7605674A; USRE30948E; JPS552768B2; US4004244A

Description

7945-76/Kö/S

RCA 67,489

USSN 581045

Piled: May 27, 1975

HOA Corporation, New York, N.X,, V.St.A, Stromversorgungseinrichtung

Die Erfindung befaßt sich allgemein mit Halbleiterverstärkern. Sie betrifft eine Schaltungsanordnung mit zwei Klemmen, zwischen die eine Betriebsspannungsquelle schaltbar ist, mit einem Ausgangstransistor, der mit seinem Kollektor an die erste der beiden Klemmen, mit seiner Basis an einen Signaleingang und mit seinem Emitter an einen Signalausgang angeschlossen ist, und mit einer Stromversorgungseinrichtung (Quelle oder Senke), die zwischen den Emitter des Ausgangstrans istors und die zweite der beiden Klemmen geschaltet ist.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Verstärkeranordnung anzugeben, die ein Ausgangssignal mit einem Pegel, der dicht bei dem einer Spannungsversorgungsschiene liegt, erzeugen kann.

Eine Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art ist erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daß die Stromversorgungseinrichtung eine dynamische Einrichtung ist, die in Abhängigkeit vom Ausgangssignal am Emitter des Ausgangstransistors bei Annäherung dieses Ausgangssignals an die Spannung der zweiten Klemme einen fortschreitend ansteigenden Strom liefert, indem die Impedanz zwischen Emitter des Ausgangstransistors und

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zweiter Klemme fortschreitend erniedrigt wird.

Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung im einzelnen erläutert. Bs zeigen:

Pig. 1 ein vereinfachtes Schaltschema einer komplementären Emitterfolger-Endstufe gemäß dem Stand der Technik;

Pig. 2 ein vereinfachtes Schaltschema einer A-Verstärkerstufe gemäß dem Stand der Technik, die eine Signalführung oder -eingrenzung auf innerhalb V^ über der negativen Schiene ermöglicht j

Pig. 3 ein Schaltschema eines Verstärkers mit einer Ausführungsform der erfindungsgemäßen dynamischen Stromversorgungseinrichtung, und zwar einer negativen Stromversorgung oder Senke;

Pig. 4· ein Diagramm, das die Beziehung der Amplitude des Ausgangssignals zu verschiedenen Last-, Vorspann- und Steuerströmen der gezeigten Verstärker wiedergibt; und

Pig. 5 ein Schaltschema eines Verstärkers mit einer bevorzugten Ausführungsform der dynamischen Stromversorgung.

Es ist bekannt, mit Hilfe der komplementären Emitterfolger-Endstufe nach Pig. 1 sowohl eine Quellenwirkung als auch eine Senkenwirkung auf lastströme + I^ auszuüben. Ein solcher Verstärker enthält eine Stromquelle 11, zwei komplementäre Ausgangstransistoren 13, 15, zwei Vorspanndioden 17, 19, einen Signalverstärkertransistor 21, eine Eingangsklemme 23, eine Ausgangsklemme 25 sowie zwei Speiseklemmen 27, 29 für den Anschluß an eine positive Betriebsspannung +V bzw. eine negative Betriebsspannung -V, sämtlich in der gezeigten Verschaltung. Die Stromquelle 11 liefert Betriebsstrom I₁ an sowohl die Vorspanndioden 17, 19 als auch den Signalverstärker 21, die ihrerseits Vorspann- und Signalströme für den Betrieb der AND- oder Ausgangstransistoren 13, 15 liefern. Die Ausgangstransistoren 13, 15 können eine Last oder einen Verbraucher 31 mit einem Ausgangssignal beliefern; die Ausgangs sign alspa nnung kann, einem dem Eingang 23 zugeleiteten Eingangssignal folgend, innerhalb (V^ des Transistors 15

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des Transistors 21) der Betriebsspannungen +V, -V an den beiden äußersten Grenzen ausschwingen, wobei V, der Basis-Emitter-Spannungsabfall und V^ die Kollektor-Emitterspannung bei Sättigung des Transistors sind.

Im Diagramm nach Pig. 4 ist der Laststrom + I^ in Abhängigkeit von der Ausgangssignalspannung wiedergegeben. Der Ausgangstransistor 13 bildet die Stromquelle für die Zuleitung von +I^ an die Last 31» während der Ausgangstransistor 15 die Stromsenke für die Beaufschlagung der Last 31 mit -I^ bildet. Die Geometrien der Transkonduktanzverhältnisse der Vorspanndioden sind so gewählt, daß sich ein kleiner Ruhestromfluß in den Ausgangstransistoren 13t 15 ergibt, um die "Übergangs"-Verzerrung zu minimalisieren. Diese Verstärkerschaltung kann ebenso wie die Verstärkerschaltungen nach Ug. 2, 3 und 5 in integrierter oder in diskreter Schaltungsform aufgebaut werden.

Wenn es notwendig ist, beispielsweise Strom auf dichter als (V₁₃ + Vj₃₀-J.) einer Betriebsspannung -V (negative Schiene in einer integrierten Schaltung) zu senken, oder wenn die Frequenzbeschränkungen eines monolithischen PNP-Lateral-Ausgangstransistors nicht In Kauf genommen werden können, ist die komplementäre Emitterfolger-Endstufe nicht verwendbar. Für einen Fall ist es bekannt, eine Α-Endstufe von der in Fig. 2 gezeigten Art zu verwenden. Diese Endstufe enthält einen NPN-Emitterfolger-Ausgangstransistor 33» der an eine Senke 35 eines konstanten Stromes Ig sowie an eine Ausgangsklemme 51 angeschlossen ist. Die Stromquelle 37 liefert einen Betriebsstrom I^ für den Signalverstärkertransistor 39 sowie einen Vorspannstrom für den Ausgangstransistor 33. Die Stromsenke 35 kann auf innerhalb V_ßat über der negativen Schiene 41» d.h. V₈₀^ über der dem Speiseanschluß 43 zugeleiteten Betriebsspannung -V betrieben werden.

Eine positive Betriebsspannung +V wird der positiven Schiene 45 über den Speiseanschluß 47 zugeleitet. Eingangssignale werden

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der Eingangsklemme 49 zugeleitet, und eine Last oder ein Verbraucher 53 ist zwischen die Ausgangsklemme 51 und einen Bezugspotentialpunkt, in diesem Pail Masse, geschaltet.

Diese Schaltungsanordnung behebt zwar die Signalführungsund Prequenzbeschränkungen der komplementären Emitterfolger-Endstufe nach Pig. 1, hat aber andererseits den Hachteil, daß der Leistungsverbrauch übermäßig groß sein kann. Die Stromsenke 35 entnimmt eine konstante Menge an Strom, dessen Größe im wesentlichen gleich dem zu erwartenden maximalen Laststrom ist. Bei manchen Ausführungen bzw. Anwendungen muß dieser Strom I„ verhältnismäßig hoch sein, und in solchen Pällen ergibt sich ein übermäßiger Leistungsverbrauch.

Erfindungsgemäß wurde erkannt, daß das Leistungsvermögen der Schaltung in der oben erörterten Hinsicht verbessert werden könnte, wenn man die Stromsenke oder negative Stromversorgung 35 variabel ausbildete. Statt eines konstanten Stromes würde die Stromsenke 35 dann nur soviel Strom entnehmen, wie nötig ist, um ein Ausgangssignal mit dem gewünschten Spannungspegel bereitzustellen. Das heißt, die Stromsenke 35 würde immer nur zu denjenigen Zeiten wirksam werden, wo die Polarität des Ausgangssignals negativ wird, und sie würde gerade nur genug Strom Ip entnehmen, um sicherzustellen, daß das Ausgangssignal am Ausgang 51 den erforderlichen negativen Wert hat. Anders betrachtet, würde die Größe des Senkenstromes der Stromsenke 35 eine Punktion der jeweiligen Polarität und Amplitude des Ausgangssignals sein. Die Stromkurve I¹. in Pig. 4 gibt diese erwünschte Charakteristik wieder. Natürlich muß bei der Ermittlung der erforderlichen Werte der Größe der Senkenströme I¹. für die Einhaltung eines gewünschten Amplitudenbereiches des Ausgangssignals die Impedanz der Last 53 berücksichtigt werden.

Eine auf diesem Prinzip beruhende Schaltungsanordnung ist in Pig. 5 gezeigt. Die Schaltung entspricht im Prinzip der nach Pig. 2 j jedoch ist die Stromversorgung 35 durch eine "dynamische¹¹

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Stromversorgung 55 ersetzt. Letztere enthält einen NPN-Transisto'r 57, der mit seinem Kollektor an den gemeinsamen Anschluß 71 des Emitters des Ausgangstransistors 33, der Gatt-Elektrode eines PMOS-Transistors 63 und des Ausgangs 51 angeschlossen ist. Der Transistor 57 ist ferner mit seinem Emitter an den Betriebsspannungsanschluß 43 und mit seiner Basis an die Basis eines weiteren NPN-Transistors 59 angeschlossen. Bei diesem Transistor 59 sind Basis und Kollektor zusammengeschaltet, während der Emitter über einen Vorwiderstand 61 an die negative Schiene 41 angeschlossen ist. Der PMOS-Transistor 63 ist mit seiner Drain-Elektrode an den Kollektor des NPif-Transistors 59 und mit seiner Souree-Elektrode über einen Lastwiderstand 65 an den Kollektor eines PNP-Schalttransistors 67 angeschlossen. Der Schalttransistor 67 ist mit seinem Emitter an die pos&ive Schiene 45 und mit seiner Basis an eine Vorspannklemme 69 angeschlossen.

Die IPN-Transistoren 57 und 59 bilden einen Stromspiegel mit Ausgang 71, einem Eingang 73 und gemeinsamem Anschluß 75. Das Produkt der Größe des Eingangsstromes I-, mal dem Spiegelverhältnis bestimmt die Größe des Ausgangs- oder Senkenstromes I,. Der Eingangsstrom I- kann als ein Steuerstrom für den Stromspiegel 57, 59 aufgefaßt werden. Die Größe von I- wird durch die Spannungsdifferenz zwischen der Betriebsspannung +V und der Ausgangssignalspannung am Ausgang 51 sowie durch den Wert des Lastwiderstandes 65 bestimmt. Diese Spannungsdifferenz minus dem Spannungsabfall am Lastwiderstand 65 bestimmt die Gatt-Source-Spannung des PMOS-Transistörs 63 und damit die Leitfähigkeit dieses Transistors 63 und die Größe von I~, dem Source-Drain-Strom des PMOS-Transistors 63.

Im Betrieb der Anordnung wird, wenn die dynamische Stromquelle 55 eingeschaltet werden soll, dem Vorspann- oder Steueranschluß 69 ein Schaltsignal von zum Sättigen des Schalttransistors 67 ausreichender Amplitude zugeleitet, wodurch der Widerstand 65 an die positive Schiene 45 angeschaltet wird. Mit Hilfe des Schalttransistors 67 kann die dynamische Stromquelle 55 wahlweise oder programmierbar ein- und ausgeschaltet werden.

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Es sei angenommen, daß dem Eingang 49 positiv und negativ gerichtete Signale zugeleitet werden. Wie in den Kurven nach. Pig. wiedergegeben, ist der Verstärker ausgeglichen oder symmetriert, so daß er bei Anliegen eines Ruheeingangssignals am Eingang 49 ein Ausgangssignal der Spannung 0 am Ausgang 51 liefert. In diesem Fall ist die Größe des Steuerstromes I₅ so, daß der Ausgangs- oder Senkenstrom I. des Stromspiegels 57, 59 gleich einem bestimmten Wert I^ (dem Wert am Punkt A im Diagramm) wird. Wenn aufgrund eines Abfalls der Amplitude des Eingangssignals das Ausgangssignal in seinem Wert ansteigt (positiver wird), so nimmt die Größe des Ausgangs- oder Senkenstromes I- ab. Der Spannungsanstieg an der Gatt-Elektrode des PMOS-Transistors 63 bewirkt eine Abnahme des Source-Drain-Stromes I- dieses Transistors, der den Eingangsäbrom für den Stromspiegel bildet. Als Polge davon nimmt auch I., der Ausgangsstrom des Stromspiegels, ab. Im Gegensatz zur bekannten Anordnung nach Pig. 2, wo Ig konstant ist, sind also im vorliegenden Pall I₅ und I, variabel, und wenn das Eingangssignal in seinem Wert abnimmt, nehmen auch diese beiden Ströme in ihrem Wert ab. Andererseits wird, wenn das Eingangssignal am Eingang 49 positiver wird, das Ausgangssignal negativ. Dies hat einen erhöhten Source-Drain-Stromfluß im PMOS-Transistor 63 zur Polge, d.h. einen erhöhten Eingangsstrom I~ für den Stromspiegel 57, 59. Dies wiederum bedeutet einen erhöhten Ausgangsstrom I- des Stromspiegels sowie einen Abfall der Spannung zwischen dem Schaltungspunkt 71 und dem gemeinsamen Anschluß 43, d.h. eine Abnahme der Impedanz und folglich der Spannung zwischen dem Ausgang 51 und der negativen Schiene 41. An der Grenze kann die Ausgangsspannung auf innerhalb 7 . des Transistors 57 der negativen Schiene 41 oder Betriebsspannung -V kommen, vorausgesetzt, daß I - ^ - 1^. Der Transistor 57 ermöglicht eine Senkung des Ausgangssignals auf negative Ausschwingung innerhalb ^v _sat von -V, unabhängig davon, ob Einfach- oder Zweifach-Energieversorgungen verwendet werden.

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Das Spiegelverhältnis η der Stromspiegel-Transistoren 57,59 bemißt man größer als 1, um die Größe des für die Erzeugung eines gewünschten Ausgangs- oder Senkenstromes I. erforderlichen Steuerstromes I- zu verringern. Auch kann man den Vorwiderstand 61 einfügen, um den Wert des Spiegelverhältnisses, der vom Wert des Vorwiderstandes 61 abhängt, weiter zu erhöhen. Auf diese Weise wird der Leistungswirkungsgrad der dynamischen Stromversorgung durch Verringerung der V_erlustleistung in denjenigen Schaltungselementen, durch die der Steuerstrom I- fließt, erhöht. Wenn beispielsweise das gesamte Spiegelverhältnis mit dem Vorwiderstand gleich 8 ist, dann ist für eine gegebene Größe von I₅ die Größe von I. 8 mal größer. Offensichtlich kann für positiv gerichtete Ausschwingungen des Ausgangssignals dieses auf innerhalb V_be plus V .. der positiven Schiene 4-5 oder Betriebsspannung +V gehen, indem der Wert V . gleich dem der Stromquelle 37 ist.

Der Wirkungsgrad der dynamischen Senke oder Stromversorgung 55 kann noch weiter verbessert werden, wenn man den Ausgangsoder Senkenstrom I. für positiv gerichtete Ausgangssignalspannungen gleich Hull machen könnte. Die Stromkurve I¹. in Fig. 4 stellt die ideale Charakteristik für den Ausgangsstrom I, dar.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist der Lastwiderstand 65 an eine Vorspannung zurückgeführt, die weniger positiv ist als diejenige Betriebsspannung +V, die nötig ist, um gewünschte Größen für den Ausgangs- oder Senkenstrom zu gewinnen.

In der Schaltungsanordnung nach Pig. 5 enthält die dynamische Stromsenke oder Stromversorgung 77 zusätzlich zu den in Pig. 3 vorhandenen Schaltungsteilen eine weitere Schaltung 79, die eine solche Vorspannung liefert. Die dynamische Stromversorgung 77 entspricht der dynamischen Stromversorgung 55 nach Fig. 3» außer daß die Verbindung zwischen dem !testwiderstand 65 und dem

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Kollektor des Schalttransistors 67 geöffnet und die Vorspannschaltung 79 zwischen diese beiden Schaltungspunkte gekoppelt ist. Das Vorspannetzwerk oder die Vorspannschaltung 79 enthält einen NPN-Emitterfolger-Transistor 81,der mit seinem Emitter an das eine Ende des Lastwiderstandes 65* mit seinem Kollektor an den Kollektor des Schalttransistors 67 und mit seiner Basis an das eine Ende eines Widerstands 83 angeschlossen ist, dessen anderes Ende an den gemeinsamen Verbindungspunkt der zusammengeschalteten Kollektoren eines Transistors 81 sowie des Transistors 67 angeschlossen ist. Eine Zener-Diode 85 ist mit ihrer Kathode an ^en Verbindungspunkt des Widerstands 83 und der Basis des Transistors 81 und mit ihrer Anode an das eine Ende eines weiteren Widerstandes 87 angeschlossen, dessen anderes Ende mit der negativen Schiene 41 verbunden ist. Die Widerstände und 87 und die Zener-Diode 85 sind so bemessen, daß sich eine gewünschte Vorspannung oder Betriebsspannung am Verbindungspunkt des Lastwiderstandes 65 und des Emitters des Transistors 81 ergibt. Dieser Wert ist gewöhnlich wesentlich niedriger als die Betriebsspannung +V. Der Emitterfolger-üansistor 81 ist vorgesehen, um eine Belastung der Spannungsbezugsschaltung mit der Zener-Diode 85 und den Widerständen 83 und 87 zu verhindern.

Bei Zuleitung einer solchen Betriebs- oder Vorspannungan die dynamische Stromversorgung 77 vom Vorspannetzwerk 79 wird der Stromspiegel 57, 59 mit einem Steuerstrom I'~ beliefert, der einen Ausgangsstrom 1% ergibt. Wie zuvor erwähnt und in 2*ig. 4 gezeigt, ist der resultierende Ausgangs- oder Senkenstrom 1% im Hinblick auf eine Erhöhung des Leistungswirkungsgrades vorzuziehen, und er hat die gezeigte Charakteristik in Abhängigkeit von der Ausgangssignalspannung. Der Schalttransistor 67 koppelt die Betriebsspannung +V auf das Vorspannodar Bezugsspannungsnetzwerk 79 zwecks Erregung oder Aktivierung der dynamischen Stromversorgung 77.

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Wenn die Betriebsspannung +V und die Bezugsspannung -V auf Werte absinken, bei denen die dynamische Stromversorgung 77 unwirksam wird, so ist es wünschenswert, eine zusätzliche Schaltungsanordnung vorzusehen, die für die Bereitstellung mindestens eines minimalen Senkenstromes für den Ausgangstransistor 33 in solchen Fällen sorgt. Diesen minimalen Senkenstrom liefert der NPN-Transistor 89, der mit seinem Kollektor an den Emitter des Ausgangstransistors 33, mit seinem Emitter an die negative Schiene 41 und mit seiner Basis an eine Vorspannklemme 91 angeschlossen ist. Der Klemme 91 wird eine Gleichstrom-Vorspannung zugeleitet, durch die in Fällen, wo dies notwendig ist, ein minimaler Senkenstrom bereitgestellt wird. In Fällen, wo kein minimaler Senkenstrom erforderlich ist oder wo es unwahrscheinlich ist, daß die Betriebsbezugsspannungen +V und -V auf Werte absinken könnten, wo die dynamischeStromversorgung 77 unwirksam wird, kann man die Vorspannklemme 91 einfach an Masse anschalten oder anschlußfrei lassen (oder den Transistor 89 entfernen).

Die dynamische Stromversorgung 77 ist so ausgelegt, daß sie mehr Strom entnimmt, als von der Last gefordert wird. Der Überschuß (I', + I₅ -Ij₁) wird dann vom Ausgangstransistor 33 geliefert. Durch diese Maßnahme werden Instabilitäten vermieden, die bei manchen quasikomplementären Verstärkern auftreten, und zwar aufgrund von Phasenverschiebungen in Rückkopplungssignalen, bei der Erfindung ist die Phasenverschiebung von I¹^ ohne Auswirkung, solange der momentane Wert des Senkenstromes den Bedarf der Last übersteigt.

Vorzugsweise verwendet man in den dymanisehen Stromversorgungen 55, 77 einen PMOS-Transistor 63, und zwar wegen des Breitbandvermögens derartiger Bauelemente sowie ihrer Fähigkeit, mit einer Drain-Source-Spannung 1 V^₆ zu arbeiten, die kleiner ist als die Gatt-Source-Spannung, wodurch das Ausgangssignal auf die Spannung der negativen Schiene 41 gehen kann. Jedoch kann man anstelle des PMOS-Transistors 63 auch einen PNP-Transistor

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verwenden. Bei Verwendung der komplementären Version der Verstärker-Endstufenschaltungen nach Hg. 3 oder 5 kann man komplementäre dynamische Stromversorgungseinrichtungen gemäß den Ausführungsformen der Erfindung verwenden, die es ermöglichen, daß das Ausgangssignal der komplementären Endstufen sich innerhalb V^ der positiven Schiene annähert.

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Claims

Patentansprüche

\L/ Schaltungsanordnung mit zwei Klemmen, zwischen die eine Betriebsspannungsquelle schaltbar ist, mit einem Ausgangstransistor, der mit seinem Kollektor an die erste der beiden Klemmen, mit seiner Basis an einen Signaleingang und mit seinem Emitter an einen Signalausgang angeschlossen ist, und mit einer Stromversorgungseinrichtung (Quelle oder Senke), die zwischen den Emitter des Ausgangstransistors und die zweite der beiden Klemmen geschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromversorgungseinrichtung (55 oder 77) eine dynamische Stromversorgung ist, die in Abhängigkeit vom Ausgangssignal am Emitter des Ausgangstransistors (33) bei Annäherung dieses Ausgangssignals an die Spannung der zweiten Klemme (43) einen fortschreitend ansteigenden Strom liefert, indem die Impedanz zwischen Emitter des Ausgangstransistors und zweiter Klemme fortschreitend erniedrigt wird.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die dynamische Stromversorgung einen Stromspiegelverstärker (57, 59, 61), der mit seinem Ausgang (71) an den Emitter des Ausgangstransistors (33) zwecks dessen Belieferung mit einem (Quellen- oder Senken-) Emitterstrom und mit einem gemeinsamen Anschluß (75) an die zweite Klemme (43) angeschlossen ist, und eine Steuerstromlieferanordnung (63, 65? 63, 65, 79), die in Abhängigkeit vom Ausgangssignal am Emitter des Ausgangstransistors (33) den Eingang (73) des Stromspiegel Verstärkers mit einem Eingangsstrom beliefert, enthält.
3. Schaltungeanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Steueratromlieferanordnung einen MOS-Transistor (63) enthält, der mit seiner Gatt-Elektrode (G) an den Emitter des Ausgangstransistors (33), mit seiner Drain-Elektrode (D) an den Eingang (73) des Stromspiegel-

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Verstärkers (57, 59, 61) und mit seiner Source-Elektrode (S) über einen Widerstand (65) an die erste Klemme (47) angeschlossen ist.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die dynamische Stromversorgung (77) ein in Reihe mit dem genannten Widerstand (65) zwischen die Source-Elektrode (S) und die erste Klemme (47) geschaltetes Schalterelement enthält, das unter Steuerung durch ein Schaltsignal selektiv die dynamische Stromversorgung ein- und ausschaltet.
5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch, gekennzeichnet ₅ daß die Steuerstromlieferanordnung folgende Elemente enthält: einen Widerstand (65); einen MOS-Transistor (63), der mit seiner Gatt-Elektrode (G) an den Emitter des Ausgangstransistors, mit seiner Drain-Elektrode (D) an den Eingang (73) das Stromspiegelverstärkers (57, 59, 61) und mit seiner Source-Elektrode (S) an das eine Ende des Widerstandes (65) angeschlossen ist; eine awischen die erste Klemme (47) und die zweite Klemme (43) gekoppelte Vorspannanordnung (3I₅ 85₉ 83)₉ die das andere Inde des genannten Widerstandes (65) mit einer Vorspannung beschickt, deren Amplitude und Polarität so gewählt sind, daß für die eine Polarität des Ausgangssignals im wesentlichen kein Eingangsstrom zum Stromspiegelverstärker fließt, während für die entgegengesetzte Polarität des Ausgangssignals ein Eingangsstrom fließt, dessen Größe durch den Wert des Widerstands und die Spannungsdifferenz zwischen Vorspannung und Ausgangssignal bestimmt ist.
6: Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 5$ dadurch gekennzeichnet^ daß der Stromspiegelverstärker einen ersten Transistor (57, 57¹), der mit seinem Sollektor an den Ausgang (71) des Stromspiegelverstärkers und mit seinem Emitter an den gemeinsamen Anschluß (75) angeschlossen ist, und einen zweiten Transistor (59), der mit seiner

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Basis und seinem Kollektor gemeinsam an die Basis des ersten Transistors und an den Eingang (73) des Stromspiegelverstärkers und mit seinem Emitter an den gemeinsamen Anschluß angeschlossen ist, enthält.
7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Stromspiegelverstärker außerdem einen zwischen den Emitter des zweiten Transistors (59) und den gemeinsamen Anschluß (75) geschalteten Vorwiderstand (61) enthält.
8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorspannanordnung einen zweiten und einen dritten Widerstand (83, 87), einen Emitterfolger-Transistor (81), der mit seinem Kollektor an die erste Klemme (47), mit seinem Emitter an das andere Ende des genannten Widerstands (65) und mit seiner Basis an das eine Ende des mit seinem anderen Ende an die erste Klemme angeschlossenen zweiten Widerstands (83) angeschlossen ist, und eine Zener-Diode (85) enthält, die zwischen die Basis des Emitterfolger-Transistors (81) und das eine Ende des mit seinem anderen Ende an die zweite Klemme (43) angeschlossenen dritten Widerstands (87) geschaltet ist, wobei die Amplitude der Vorspannung durch die Werte der Zener-Diode und des zweiten und des dritten Widerstands bestimmt wird.

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