DE2623245B2 - Halbleiterverstärker - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen Halbleiterverstärker nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.

Ein bekannter Halbleiterverstärker dieser Art besitzt in der Ausgangsstufe einen Emitterfolger mit einer auf einen festen Wert eingestellten Konstantstromsenke. Die Ausgangsstufe arbeitet im Α-Betrieb und hat so bei relativ geringem Wirkungsgrad einen starken Leistungsverbrauch.

Aus der US-PS 37 01 032 ist ein Halbleiterverstärker bekannt, bei dem Igt. Emitterzweig des Ausgangstransistors eine dynamische Stromquelle angeordnet ist Der Strom dieser Stromquelle wird mit Hilfe einer Rückkopplung gesteuert, um den Wert der Emitterlastimpedanz des Ausgangstransistors zunehmend zu verringern, wenn die Ausgangsspannung kleiner wird, d. h. wenn sich das Potential am Ausgangsanschluß dem Massepotential nähert. Bei dieser Schaltung wird die Rückkopplung durch Erfassung des Kollektorstroms des Ausgangstransistors bewirkt. Daher liegt bei diesem Stand der Technik ein Teil der Stromspiegelschaltung im Kollektorkreis des Ausgangstransistors mit der Folge, daß bei voller Aussteuerung des Ausgangstransistors der Verstärkerausgang nur bis auf die doppelte Sättigungsspannung an das positive Betriebsspannungspotential herankommt.

Aufgabe der Erfindung ist es, den bekannten Halbleiterverstärker so weiterzubilden, daß sein Ausgang bei entsprechender Aussteuerung sich den Betriebsspannungspotentialen weiter nähern kann, als dies beim Stand der Technik der Fall ist.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmaie im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs I gelöst, nach denen ein zusätzlicher komplementärer Transistor mit dem Emitter des Ausgangstransistors verbunden ist und seinerseits die Stromspiegelschaltung bzw. den Stromspiegelverstärker steuert, so daß dieser nicht im Kollektorkreis des ersten Transistors zu liegen braucht.

Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung im einzelnen erläutert. Es zeigt

Fig. I ein vereinfachtes Schaltschema einer komplementären Emitterfolger-Endstufe eines Halbleiterverstärkers gemäß dem Stand der Technik;
Fig.2 ein vereinfachtes Schallschema einer A-Verstärkerstufe gemäß dem Stand der Technik, die eine Signalführung oder -eingrenzung auf innerhalb V_M, über der negativen Schiene ermöglicht;

Fig. 3 ein Schaltschema eines Halbleiterverstärkers einer Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 4 ein Diagramm, das die Beziehung der Amplitude des Ausgangssignals zu verschiedenen Last-, Vorspann- und Steuerströmen der gezeigten Verstärker

wiedergibt; und

Fig,5 ein Schaltschema eines Verstärkers einer bevorzugten Ausführungsform,

Es ist bekannt, mit Hilfe der komplementären Emitterfolger-Endstufe nach F i g. I sowohi eine Quellenwirkung als auch eine Senkenwirkung auf Lastströme + Il auszuüben. Ein solcher Verstärker enthält eine Stromquelle 11, zwei komplementäre Ausgangstransistoren 13, 15, zwei Vorspanndioden 17, 19, einen Signalverstärkertransistor 21, eine Eingangsklemme 23, eine Ausgangsklemme 25 sowie zwei Speiseklemmen 27, 29 für den Anschluß an eine positive Betriebsspannung + V bzw. eine negative Betriebsspannung — V, sämtlich in der gezeigten Verschaltung. Die Stromquelle 11 liefert Betriebsstrom /ι an sowohl die Vorspanndioden 17, 19 als auch den Signalverstärker 21, die ihrerseits Vorspann- und Signalströme für den Betrieb der Ausgangstransistoren 13, 15 liefern. Die Ausgangstransistoren 13, 15 können eine Last oder einen Verbraucher 31 mit einem Ausgangssignal beliefern; die Ausgangssignalspannung kann, einem dem Eingang 13 zugeleiteten Eingangssignal folgend, innerhalb (Vi_x des Transistors 15 + Vat des Transistors 21) der Betriebsspannungen + V, — Van den beiden äußersten Grenzen ausschwingen, wobei Virder Basis-Emitter-Spannungsabfall und V₁₁, die Kollektor-Emitterspannung bei Sättigung des Transistors sind.

Im Diagramm nach Fig.4 ist der Laststrom ±Il in Abhängigkeit von der Ausgangssignalspannung wiedergegeben. Der Ausgangstransistor 13 bildet die Stromquelle für die Zuleitung von + //.an die Last 31, während der Ausgangstransistor 15 die Stromsenke für die Beaufschlagung der Last 31 mit —/;. bildet. Die Geometrien derTranskondukianzverhältnisse der Vorspanndioden sind so gewählt, daß sich ein kleiner Ruhestromfluß in den Ausgangstransistoren 13, 15 ergibt, um die »Übernahmew-Verzerrung zu minimalisieren. Diese Verstärkerschaltung kann ebenso wie die Verstärkerschaltungen nach F i g. 2, 3 und 5 in integrierter oder in diskreter Schaltungsform aufgebaut werden.

Wenn es notwendig ist, beispielsweise die Ausgangsspannung weiter als (Vi_x + V«i) an die Betriebsspannung — V (negative Schiene in einer integrierten Schaltung) heranzuführen, oder wenn die Frequenzbeschränkungen eines monolithischen PN P-Lateral-Ausgangstransistors nicht in Kauf genommen werden können, ist die komplementäre Emitterfolger-Enastufe nk!.t verwendbar. Für einen Fall ist es bekannt, eine Α-Endstufe von der in Fig. 2 gezeigten Art zu verwenden. Diese Endstufe enthält einen NPN-Emitterfolger-Ausgangstransistor 33, der an eine Senke 35 eines konstanten Stromes h sowie an eine Ausgangsklemme 51 angeschlossen iut. Die Stromquelle 37 liefert einen Betriebsstrom /Ί für de 3ignalverstärkertransistor 39 sowie einen Vorspannstrom für den Ausgangstransistor 3./ Die Stromsenke 35 kann auf innerhalb K« über der negativen Schiene 41, d. h. V_SJ, über der dem Speiseanschluß 43 zugeleiteten Betriebsspannung — V betrieben werden.

Eine positive Betriebsspannung + V wird der positiven Schiene 45 über den Versorgungsspannungs- oder Speiseanschluß 47 zugeleitet. Eingangssignale werden der Eingangsklemme 49 zugeleitet, und eine Last oder ein Verbraucher 53 ist zwischen die Ausgangsklemme 51 und einen Bezugspotentialpunkt, in diesem Fall Masse, geschaltet.

Diese Schaltungsanordnung behebt zwar die Signalführungs- und Frequenzbeschränkungen der komplementären Emitterfolger-Endstufe nach Fig, I, hat aber andererseits den Nachteil, daß der Leistungsverbrauch übermäßig groß sein kann. Die Stromsenke 35 entnimmt

eine konstante Menge an Strom, dessen Größe im wesentlichen gleich dem zu erwartenden maximalen Laststrom ist. Bei manchen Ausführungen bzw. Anwendungen muß dieser Strom h verhältnismäßig hoch sein, und in solchen Fällen ergibt sich ein übermäßiger

ίο Leistungsverbrauch.

Es wurde erkannt, daß das Leistungsvermögen der Schaltung in der oben erörterten Hinsicht verbessert werden könnte, wenn man die Stromsenke oder negative Stromversorgung 35 variabel ausbildete. Statt

1"> eines konstanten Stromes würde die Stromsenke 35 dann nur soviel Strom entnehmen, wie nötig ist, um ein Ausgangssignal mit dem gewünschten Spannungspegel bereitzustellen. Das heißt, die Stromsenke 35 würde immer nur zu denjenigen Zeiten wirksam werden, wo die Polarität des Ausgangssignals n/i^rativ wird, und sie würde gerade nur genug Strom /2 entnehmen, um sicherzustellen, daß das Ausgangssignal am Ausgang 51 den erforderlichen negativen Wert hat Anders betrachtet, würde die Größe des Senkenstromes der Stromsenke 35 eine Funtion der jeweiligen Polarität und Amplitude des Ausgangssignals sein. Die Stromkurve /4 in Fig.4 gibt diese erwünschte Charakteristik wieder. Natürlich muß bei der Ermittlung der erforderlichen Werte der Größe der Senkenströine ΙΆ für die Einhaltung eines gewünschten Amplitudenbereiches des Ausgangssignals die Impedanz der Last 53 berücksichtigt werden.

Eine auf diesem Prinzip beruhende Schaltungsanordnung ist in Fig.3 gezeigt. Die Schaltung entspricht im

)> Prinzip der nach F i g. 2; jedoch ist die Stromversorgung 35 durch eine »dynamische« Stromquelle 55 ersetzt. Letztere enthält einen NPN-Transistor 57, der mit seinem Kollektor an den gemeinsamen Anschluß 71 des Emitters des Ausgangstransistors 33, der Gate-Elektro-

•Ί) de eines PMOS-Transistors 63 und des Ausgangs 51 angeschlossen ist. Der Transistor 57 ist ferner mit seinem Emitter an den Anschluß 43 und mit seiner Basis an die Basis eines weiteren NPN-Traiisistors 59 angeschlossen. Bei diesem Transistor 59 sind Basis und

'"> Kollektor zusammengeschaltet, während der Emitter über einen Vorwiderstand 61 an die negative Schiene 41 angeschlossen ist. Der PMOS-Transistor 63 ist mit seiner Drain-Elektrode an den Kollektor des NPN-Transistors 59 und mit seiner Source-Elektrode über

w einen Lastwiderstand 65 an den Kollektor eines PNP-Schalttransistors 67 angeschlossen. Der Schalttransistor 67 ist mit seinem Emitter an die positive Srhie:e 45 und mit seiner Basis an eine Vorspannkicmmc 69 angeschlossen.

^r» Die NPN-Transistoren 57 und 59 bilden einen Stromspiegel mit Ausgang 71, einem Eingang 73 und gemeinsamem Anschluß 75. Das Produkt der Größe des Eingangsstromer /j mal dem Spingelverhältnis bestimmt die Größe des Ausgangs- oder Senkenstromes /t. Der Eingangsstrom /j kann als ein Steuerstrom für den Stromspiegel 57,59 aufgefaßt werden. Die Groß* von /j wird durch die Spannungsdifferenz zwischen der Betriebsspannung + V und der Ausgangssignalspannung am Ausgang 51 sowie durch den Wert des

^h"> Lastwiderstandes 65 bestimmt. Diese Spannungsdifferenz minus dem Spannungsabfall am Lastwiderstand 65 bestimmt die Gate-Source-Spannung des PMOS-Transistors 63 und damit die Leitfähigkeit dieses Transistors

63 und die Größe von /j. dem Source-Drain-Strom des PMOS-Transistors 63.

Im Betrieb der Anordnung wird, wenn die dynamische Stromquelle 55 eingeschaltet werden soll, dem Vorspann- oder Steueranschluß 69 ein Schallsignal von zum Sättigen des Schalttransistors 67 ausreichender Amplitude zugeleitet, wodurch der Widerstand 65 an die positive Schiene 45 angeschaltet wird. Mit Hilfe des Schalttransistors 67 kann die dynamische Stromquelle 55 wahlweise oder programmierbar ein- und ausgeschaltet werden.

Es sei angenommen, daß dem Eingang 49 positiv und negativ gerichtete Signale zugeleitet werden. Wie in den Kurven nach F i g. 4 wiedergegeben, ist der Verstärker ausgeglichen oder Symmetrien, so daß er bei Anliegen eines Ruhceingangssignals am Eingang 49 ein Ausgangssignal der Spannung 0 am Ausgang 51 liefert. In diesem Fall ist die Größe des Steuerstromes Z₁ so. daß der Ausgangs- oder Senkenstrom i, des Stromspicgeis 57, 59 gleich einem bestimmten Wert /.< (dem Wert am Punkt A im Diagramm) wird. Wenn aufgrund eines Abfalls der Amplitude des Eingangssignals das Ausgangssignal in seinem Wert ansteigt (positiver wird), nimmt die Größe des Ausgangs- oder Senkenstromes U ab. Der Spannungsanstieg an der Gate-F.lektrode des PMOS-Transistors 63 bewirkt eine Abnahme des Source-Drain-Stromes /] dieses Transistors, der den Eingangsstrom für den .Stromspiegel bildet. Als Folge davon nimmt auch U. der Ausgangsstrom des Stromspiegels, ab. Im Gegensatz /ur bekannten Anordnung nach F i g. 2. wo I₂ konstant ist. sind also im vorliegenden I all /] und /4 variabel, und wenn das Eingangssignal in seinem Wert abninvnt. nehmen auch diese beiden Ströme in ihrem Wer! ab. Andererseits wird, wenn das Eingangssignal am Eingang 49 positiver wird, das Ausgangssignal negativ. Dies hat einen erhöhten Source-Drain-Stromfluß im PMOS-Transistor 63 zur Folge, d. h. einen erhöhten F.ingangsstrom /1 für den Stromspiegcl 57, 59. Dies wiederum bedeutet einen erhöhten Ausgangssfom U des Stromspicgeis sowie einen Abfall der Spannung zwischen dem Schaltungspunkt 71 und dem gemeinsamen Anschluß 43. d. h. eine Abnahme der Impedanz und folglich der Spannung zwischen dem Ausgang 51 und der negativen Schiene 41. An der Grenze kann die Ausgangsspannung auf innerhalb V₁.,, des Transistors 57 der negativen Schiene 41 oder Betriebsspannung — V kommen, vorausgesetzt, daß Lz-Ii. Der Transistor 57 ermöglicht eine Senkung des Ausgangssignals auf negative Ausschwingung innerhalb \\_Jt von —V. unabhängig davon, ob Einfach- oder 7.·· cifach-Energieversorgungen verwendet werden.

Das Spiegelverhältnis η der Stromspiegel-Transistoren 57,59 bemißt man größer als 1. um die Größe des für die Erzeugung eines gewünschten Ausgangs- oder Senkenstromes /₄ erforderlichen Steuerstromes /3 zu verringern. Auch kann man den Vorwiderstand 61 einfügen, um den Wert des Spiegelverhältnisses, der vom Wert des Vorwiderstandes 61 abhängt, weiter zu erhöhen. Auf diese Weise wird der Leistungswirkungsgrad der dynamischen Stromquelle durch Verringerung der Verlustleistung in denjenigen Schaltungselementen, durch die der Steuerstrom /3 fließt, erhöht. Wenn beispielsweise das gesamte Spiegelverhältnis mit dem Vorwiderstand gleich 8 ist. dann ist für eine gegebene Größe von /3 die Größe von /< 8mal größer. Offensichtlich kann für positiv gerichtete Ausschwingungen des Ausgan^ssignals dieses auf innerhalb Vj,,.

plus V,3, der positiven Schiene 45 oder Betriebsspannung + V gehen, indem der W jrt V„, gleich dem der Stromquelle 37 ist.

Der Wirkungsgrad der dynamischen Senke oder Stromquelle 55 kann noch weiter verbessert werden, wenn man den Ausgangs- oder Senkenstrom U für positiv gerichtete Ausgangssignalspannungcn gleich Null machen könnte. Die Stromkurve V₄ in Fig.4 stellt die ideale Charakteristik für den Ausgangsslrom I₄ dar.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist der Last widerstand b5 an eine Vorspannung gelegt, die weniger positiv ist als diejenige Betriebs spannung + K die nötig ist. um gewünschte Größen für den Ausgangs- oder Senkenstrom I₄ zu gewinnen.

In der Schaltungsanordnung nach Fig. 5 enthalt die dynamische Stromsenke oder Stromquelle 77 zusätzlich zu den in F i g. 3 vorhandenen Schaltungsteilen eine weitere Schaltung 79. die eine solche Vorspannung liefen. Die dynamische Siioinqueiic 77 enispi iciii uci

21) nach F i g. 3, außer daß die Verbindung zwischen dem Festwiderstand 65 und dem Kollektor des Schaltiransi stors 67 geöffnet und die Vorspannschaltung 79 zwischen diese beiden .Schaltungspunkte gekoppelt ist. Das Vorspannetzwerk oder die Vorspannungsschaltung

2) 79 enthalt einen NPN-Emittcrfolger-Transistor 81. der mit seinem Emitter an das eine F.nde des Lastwidcrslandes 65, mit seinem Kollektor an den Kollektor des Schallt, aiisistors 67 und mit seiner Basis an das eine Ende eines Widerstands 83 angeschlossen ist. dessen

«1 anderes Ende an den gemeinsamen Verbindungspunkt der zusammengeschalteten Kollektoren eines Transistors 81 sowie des Transistors 67 angeschlossen ist. [vine Zener-Diode 85 ist mit ihrer Kathode an den Verbindungspunkt des Widerslands 83 und der Basis des

i) Transistors 81 und mit ihrer Anode an das eine Ende eines weiteren Widerstandes 87 angeschlossen, dessen anderes Ende mit der negativen Schiene 4' verbunden ist. Die Widerstände 83 und 87 und die Zener-Diode 85 sind so bemessen, daß sich eine gewünschte Vorspannung oder Betriebsspannung am Verbindungspunkt des l.astwiderstandes 65 und des Emitters desTransistors 81 ergibt. Dieser Wert ist gewöhnlich wesentlich niedriger als die Betriebsspannung + V. Der Emitterfolger-Transistor 81 ist vorgesehen, um eine Belastung der "· Spannungsbcziigsschaltung mit der Zener-Diode 85 und den Widerständen 83 und 87 zu verhindern.

Bei Zuleitung einer solchen Betriebs- oder Vorspannung an die dynamische Stromquelle 77 von der Vorspannungsschaltung 79 wird der Stromspiegel 57, 59

ι" mit einem Steuerstrom /'j beliefert, der einen Ausgangsstrom /'4 ergibt. Wie zuvor erwähnt und in ■ ig. 4 gezeigt, ist der resultierende Ausgangs- oder .Senkenstrom /4 im Hinblick auf eine Erhöhung des Leistungswirkungsgrades vorzuziehen, und er hat die gezeigte

« Charakteristik in Abhängigkeit von der Ausgangssignalspannung. Der Schalttransistor 67 koppelt die Betriebsspannung + V auf die Vorspannschaltung 79 zwecks Erregung oder Aktivierung der dynamischen Stromquelle 77.

μι Wenn die Betriebsspannung + Kund die Bezugsspannung — V auf Werte absinken können, bei denen die dynamische Stromquelle 77 unwirksam wird, ist es wünschenswert, eine zusätzliche Schaltungsanordnung vorzusehen, die für die Bereitstellung mindestens eines minimalen Senkenstromes für den Ausgangstransistor 33 in solchen Fällen sorgt. Diesen minimalen Senkenstrom liefert der NPN-Transistor 89. der mit seinem Kollektor an den Emitter des Ausgangstransistors 33.

mit seinem Emitter an die negative Schiene 41 und mit seiner Basis an eine Vorspannklemme 91 angeschlossen ist. Der Klemme 91 wird eine Gleichstrom-Vorspannung zugeleitet, durch die in Fällen, wo dies notwendig ist. ein minimaler Senkenstrom bereitgestellt wird. In Fällen, wo kein minimaler Senkenstrom erforderlich ist oder wo es unwahrscheinlich ist, daß die Betriebsbezugixspannungen + V und — V auf Werte absinken könnten, wo die dynamische Stromquelle 77 unwirksam wird, kann man die Vorspannklemme 91 einfach an Masse anschalten oder anschlußfrei lassen (oder den Transistor 89 entfernen).

Die dynamische Stromquelle 77 ist so ausgelegt, daß sie mehr Strom entnimmt, als von der Last gefordert wird. Der Überschuß (ΙΆ + Λ — It) wird dann vom Ausgangstransistor 33 geliefert. Durch diese Maßnahme werden Instabilitäten vermieden, die bei manchen quasikomplenientären Verstärkern auftreten, und zwar aufgrund von Phasenverschiebungen in Kückkopplungssignalen; bei der Erfindung ist die Phasenverschiebung von ΙΆ ohne Auswirkung, solange der momentane Wert des Senkenstromes den Bedarf der Last übersteigt.

Vorzugsweise verwendet man in den dynamischen Stromquellen 55, 77 einen PMOS-Transistor 63, und zwar wegen des Breitbandvermögens derartiger Bauelemente sowie ihrer Fähigkeit, mit einer Drain-Source-Spannung I V_be zu arbeilen, die kleiner ist als die Gate-Source-Spannung, wodurch das Ausgangssignal

ίο auf die Spannung der negativen Schiene 41 gehen kann, lcdoch kann man anstelle des PMOS-Transistors 63 auch einen PNP-Transistor verwenden. Bei Verwendung der komplementären Version der Verstärker-F.ndstufcnschaltungen nach Fig. 3 oder 5 kann man

Ii komplementäre dynamische Stromversorgungseinrichtungcn gemäß den Ausfühningsformen der Erfindung verwenden, die es ermöglichen, daß das Ausgangssignal der komplementären Endstufen sich innerhalb K.„ der positiven Schiene annähert.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

Patentansprüche;

1. Halbleiterverstärker, umfassend einen Ausgangstransistor, dessen Kollektor an eine erste Versorgungsspannungsklemme der einen Polarität angeschlossen ist, dessen Emitter an einen Signalausgang angeschlossen ist und dessen Basis mit einem Signaleingang verbunden ist, und eine den Emitter des Ausgangstransistors mit der zweiten Versorgungsspannungsklemme der anderen Polarität verbindenden Stromquelle, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromquelle eine Stromspiegelschaltung (57, 59, 61) enthält, daß der Emitter des Ausgangstransistors (33) mit der Basis eines gegenüber dem Ausgangstransistor komplementären zweiten Transistor (63) und mit dem Ausgang der Stromspiegelschaltung verbunden ist, deren Eingang mit dem Kollektor des komplementären Transistors verbunden ist, und daß der Emitter des kompiamentären Transistors an die erste Versorgungsspannungsklemme anschaltbar ist derart, daß sich der von der Stromquelle gezogene Strom abhängig von der Spannung am Signalausgang (51) ändert

2. Halbleiterverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromspiegelschaltung (57, 59, 61) in an sich bekannter Weise einen dritten Transistor (57) des gleichen Leitungstyps wie der Ausgangstransistor (33) aufweist, dessen Basis und Kollektor mit dem Eingang (73) bzw. dem Ausgang (71) der Stromspiegelschaltung verbunden sind und dessen Emitter mit t',nem P.zugspotential beaufschlagt ist.

3. Halbleiterverstärker nach , nspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromspiegelschaltung ferner eine Reihenschaltung eines vierten als Diode geschalteten Transistors (59) und eines Widerstandes (61) parallel zur Basis-Emitter-Strecke des dritten Transistors (5) besitzt und bei zunehmendem Kollektorstrom des zweiten Transistors (63) eine zunehmende Stromverstärkung aufweist.

4. Halbleiterverstärker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterelektrode des zweiten Transistors (63) über einen Widerstand (65) mit der ersten Versorgungsspannungsklemme (47) verbunden ist.

5. Halbleiterverstärker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Transistor (63) ein Feldeffekttransistor ist.

6. Halbleiterverstärker nach einem der Ansprüche 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß in Reihe mit dem Widerstand (65) zwischen die Emitterelektrode bzw. Source-Elektrode (S) des zsveiten Transistors (63) und die erste Versorgungsspannungsklemme (47) ein Schalterelement (67) geschaltet ist, das unter Steuerung durch ein Schaltsignal selektiv die Stromquelle (55,57) ein- und ausschaltet.

7. Halbleiterverstärker nach einem der Ansprüche 4 bis 6. gekennzeichnet durch eine zwischen die erste Versorgungsspannungsklemme (47) und die zweite Versorgungsspannungsklemme (43) geschaltete Vorspannungsschaltung (79), die die Emitter- bzw. Source-Elektrode (S) des zweiten Transistors (63) über den Widerstand (65) mit einem Gleichspannungspotential beaufschlagt, dessen Höhe und Polarität so gewählt sind, daß für die eine Polarität des Ausgangssignals im wesentlichen kein Eingangs-

strom zur Stromspiegelschaltung (57, 59, 61) fließt, während für die entgegengesetzte Polarität des Ausgangssignals ein Eingangsstrom fließt, dessen Größe durch den Wert des Widerstands (65) und die Potentialdifferenz zwischen dem Gleichspannungspotential und dem Ausgangssignal bestimmt ist.

8, Halbleiterverstärker nach einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der d,itte und der vierte Transistor (57, 59) bipolare Transistoren mit einem relativ hohen bzw. relativ niedrigen Leitwert bei demselben Emitter-Basis-Spannungen sind.