DE2461163C3 - Monolithischer Leistungsverstärker - Google Patents
Monolithischer LeistungsverstärkerInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen monolithischen Leistungsverstärker, der sowohl im A- als auch im AB-Betrieb
arbeiten kann, mit einer komplementären Gegentakt-Endstufe, mit einer Treiberstufe, mit einer
Eingangsstufe und mit einem Vorspannungs-Netzwerk zur Stabilisierung der Ruheströme einer Leistungstransistoranordnung,
wobei das Vorspannungs-Netzwerk wenigstens einen Transistor aufweist, dessen Kollektor-Emitter-Strecke durch einen
Widerstands-Spannungsteiler überbrückt ist, dessen Verbindungspunkt an die Basis des Transistors angeschlossen
ist.
Ein derartiger Leistungsverstärker ist aus der Fachzeitschrift »Wireless World«, Mai 1968, Seiten 94 und
bekannt.
Weiterhin sind aus den US-Patentschriften 142 und 3 611 170 AB-Vorspannungsstufen bekannt,
die jedoch nicht dazu geeignet sind, um sowohl einen AB- als auch einen Α-Betrieb ohne Verzerrung
wahlweise einschalten zu können oder von der einen Betriebsart auf die andere Betriebsart umschalten zu
können.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen monolithischen Leistungsverstärker der eingangs genannten
Art zu schaffen, welcher dazu geeignet ist, beim Umschalten von der einen in die andere Betriebsart
Verzerrungen der Ausgangsspannung weitgehend zu vermeiden.
Gemäß der Erfindung ist der wesentliche Vorteil erreichbar, daß das Ausgangssignal von Übernahmeverzerrungen
praktisch frei ist.
ίο Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend
an Hand der Zeichnung beschrieben. Es zeigt
Fig. 1 ein Schaltschema eines monolithischen Leistungsverstärkers,
und
Fig. 2 eine Ausgangssignalform, die zur Illustration der verschiedenen Betriebsarten des in der Fig. 1 gezeigten
Verstärkers dient.
Der Verstärker der Fig. 1 kann für viele unterschiedliche
Anwendungen verwendet werden, bei denen bis jetzt unterschiedliche Verstärkeranordnungen
benutzt worden sind. Der Verstärker 10 umfaßt einen Spannungsversorgungsanschluß 12, der zwischen einer
externen Spannungsquelle und einer positiven Spannungsversorgungsleitung 14 angeordnet ist, der
eine positive Versorgungsspannung an einige Bauteile 2) des Verstärkers 10 anlegt. Ein negativer Spannungsversorgungsanschluß
16 ist zwischen einem externen Spannungsversorgungsanschluß, der ein Potential liefert,
das hinsichtlich des der Spannungsversorgung 12 zugeführten Potentials negativ ist, und einer negativen
«ι Spannungsversorgungsleitung 18 angeordnet, der die
negative Versorgungsspannung den anderen Bauteilen des Verstärkers 10 liefert. Ein Vorspannungsanschluß
kann ein geregeltes, konstantes Vorspannungspotential aufnehmen, das zwischen dem dem
ι ι Anschluß 12 zugeführen positiven Potential und dem
dem Anschluß 16 zugeführten negativen Potential liegt. Das dazwischenliegende Potential wird durch irgendeine
bekannte Spannungsregelschaltung erzielt, die auf dem gleichen Chip untergebracht sein kann
wie der Verstärker 10. Die Vorspannung wird dem Anschluß 20 unabhängig davon zugeführt, ob der
Verstärker 10 von einer Einzelversorgungsquelle, die nur zwei Potentiale liefert, oder von einer zweiadrigen
Spannungsversorgungsquelle betrieben wird, die drei Potentiale zur Verfügung stellt. Wenn eine Einzelversorgungsquelle
verwendet wird, wird der Lastanschluß 22 mit dem Leiter 18 verbunden, wie ss durch die
gestrichelte Linie 24 angedeutet ist. Alternativ kann, wenn eine duale Leistungsversorgung verwendet wird,
-,ο der Lastanschluß 22 mit dem Spannungsversorgungsanschluß
26 verbunden werden, wodurch das dazwischenliegende oder Massepotential zugeführt wird,
wie es durch die gestrichelte Linie 25 angedeutet ist. Der Eingangsanschluß 28 kann ein Eingangssignal
v> entweder von Schaltungsteilen aufnehmen, die auf
dem gleichen Chip wie der Verstärker 10 angeordnet sind oder von einer anderen Signalquelle. Das Eingangssignal
kann z. B. ein Tonfrequenzsignal sein.
ω) Der Transistor 30 ist ein Doppelkollektortransistor
mit einer Emitterelektrode, die mit der Leitung 14 verbunden ist, und einer Kollektorelektrode 32, die
an die Basiselektrode zurückgeführt ist. Die Kollektorelektrode 34 ist mit der Basis des Einitterfolger-
h-> Verstärkertransistors des Teibertransistors 36 verbunden,
der mit dem Kollektor des Verstärkcrtrar.sistors 38 verbunden ist. Die K^ücktorbasisverDiiiüu/.g
des Transistors 30 wirkt >vie eine Diode zwischen der
Basis des Transistors 30 und seinem Emitter. Infolgedessen reagiert der Transistor 30 beim Aufschwingen
anfänglich auf die geregelte Spannung, die dem Anschluß 20 zugeführt wird und auf die positive Spannung,
die der Spannungsversorgungsleitung 30 zugeführt wird, um einen Strom an den Kollektor des
Transistors 38 und an die Basis des Transistors 36 zu liefern.
Die geregelte Vorspannung wird auch der Basis des Doppelkollektortransistors 40 zugeführt. Infolgedessen
wird d?nn von einem Aufschwingen Strom von dem Kollektor 42 zum Kollektor des Verstärkertransistors
44 und zum Emitter des Transistors 46 geliefert. Ein Strom wird ebenfalls vom Kollektor 48 durch
den als Diode geschalteten Transistor 50 zur negativen Spannungsversorgungsleitung 18 geführt. Der als
Diode geschaltete Transistor 50 spannt dann den Stromquellentransistor 52 vor. Das Verhältnis der
Emitterflächen von Transistor 50 und Transistor 52 kann so ausgewählt werden, daß ein gewünschtes Verhältnis
zwischen den Kollektorströmen der Transistoren 50 und 52 auftritt. Der Transistor 50 kann so ausgelegt
werden, daß er mit einem niedrigeren Strom arbeitet als der Transistor 52, wodurch nur so viel
Strom mehr aus der Spannungsquelle gezogen wird wie es der Fall wäre, wenn der Transistor 50 die
gleiche Emitterfläche aufweisen würde wie der Transistor 52. Die PNP-Transistoren 30 und 40 können
laterale Transistoren bekannter Art sein.
Als nächstes zieht der Kollektor des Transistors 52 Strom durch das »N0-Vorspannungsnetzwerk« 59,
das den Transistor 54 umfaßt, zwischen dessen Basis und Emitter der Widerstand 56 und zwischen dessen
Basis und Kollektor der Widerstand 57 angeordnet ist. Die Kollektorelektrode des Vorspannungstransistors
54 ist mit der Emitterelektrode des Puffertransistors 58 verbunden, dessen Basis mit der Emitterelektrode
des Treibertransistors 36 und dessen Kollektor mit der Spannungsversorgungsleitung 14 verbunden
ist. Auf Grund des vom Transistor 52 gezogenen Stromes und der seinem Kollektor zugeführten positiven
Spannung wird der Vorspannungstransistor 54 leitend und erzeugt zwischen der Basis und dem Emitter eine
Basis-Emitter-Spannung, die mit dem Symbol »0« bezeichnet ist. Da der Widerstand 56 zwischen der Basis
und dem Emitter des Vorspannungstransistors 54 angeordnet ist, ergibt sich auch an diesem Widerstand
eine Spannung von 10. Die Spannung an dem Widerstand 56 kann in der Größenordnung von 7/10 Volt
liegen. Da der Vorspannungstransistor 54 ein monolithischer vertikaler NPN-Transistor mit einem verhältnismäßig
großen Verstärkungsfaktor Beta ist, kann angenommen werden, daß der Basisstrom, verglichen
mit dem durch den Widerstand 56 fließenden Strom, unbedeutend ist. Der Strom, der durch den Widerstand
56 fließt, muß durch den Widerstand 57 geliefert werden. Wenn der Widerstand 57 so gewählt wird,
daß sein Wert N-mal den Wert des Widerstandes 56 ausmacht, wird die N-fache Spannung der über dem
Widerstand 56 erzeugten Spannung am Widerstand 57 durch den gemeinsamen Strom erzeugt. Da die
Spannung an dem Widerstand 56 10 beträgt und die Spannung an dem Widerstand 57 N0beträgt, muß eine
Spannung von (N + 1)0 zwischen dem Kollektor und dem Emitter des Vorspannungstransistors 54 erzeugt
werden. Infolgedessen bilden der Vcspannungstransistor
54, der Widerstand 56 und der Widerstand 57 ein »(N+ I)0«-Vorspannungsnetzwerk.
Die Ausgangs-PNP-Transistoren 60 und 62 werden in einer Darlington-Anordnung zwischen dem Kollektor
des Transistors 52 und dem Ausgangsanschluß 64 angeordnet. Der Ausgangs-NPN-Transistor 66
umfaßt eine Kollektorelektrode- die mit der positiven Spannungsversorgungsleitung 14 verbunden ist, eine
Basiselektrode, die mit der Basiselektrode des Puffertransistors 58 verbunden ist, und eine Emitterelektrode,
die über den Widerstand 68 mit dem Ausgangsanschluß 64 verbunden ist. Der Transistor 66 wird
leitend auf Grund von alternierenden Halbzyklen des Eingangssignals, und die Transistoren 60 und 62 in
Darlington-Anordnung werden leitend auf Grund der anderen Halbzyklen des Eingangssignals. Die Last
kann z. B. ein Lautsprecher sein. Das Vorspannungsnetzwerk 59 und der Transistor 58 liefern eine Basis-Ernitter-Vorspannung
für den NPN-Ausgangstransistor 66 und für die PNP-Ausgangstransistoren 60 und 62 in Darlington-Schaltung. Diese Vorspannung führt
normalerweise zu einem Betrieb des Verstärkers 10 in Klasse AB, um auf diese Weise Übernahmeverzerrungen
zu verhindern und die direkte Ankopplung an aktive Lasten zu erleichtern, die mit dem Anschluß
64 an Stelle des Lastwiderstandes 70 angeschlossen werden könnten.
Im folgenden soll beschrieben werden, wie Kurzschlußfestigkeit und Überlastschutz erreicht werden.
Die Anordnung des Verstärkers 10 liefert nämlich einen Überlast- und einen Kurzschlußschutz für den
Fall, daß der Verstärkerausgangsanschluß 64 direkt mit der positiven Spannungsversorgungsleitung 14
oder mit der negativen Spannungsversorgungsleitung 18 verbunden wird. Wenn der Ausgangsanschluß 64
direkt mit der Spannungsversorgungsleitung 18 verbunden wird oder wenn eine Signalüberlastung auftritt,
wird ein hoher Strom aus dem Transistor 66 mit dem Widerstand 68 zum negativen Spannungsversorgungsanschluß
16 gezogen. Der Überlastschutztransistor 72 hat eine Basiselektrode, die mit einem Ende
eines Stromabführwiderstandes 68 verbunden ist, eine Emitterelektrode, die mit dem Ausgangsanschluß 64,
und eine Kollektorelektrode, die mit der Basis des Treibertransistors 36 und mit dem Kollektor 34 des
Transistors 30 verbunden ist. Der Wert des Widerstandes 68 ist so gewählt, daß bei übermäßigem Strom
durch diesen Widerstand der Transistor 72 leitend wird und dem Treibertransistor 36 sein Basistreibersignal
nimmt. Infolgedessen werden die Transistoren 58 und 66 nichtleitend und verhindern somit, daß ein
übermäßiger Strom durch den Ausgangs-NPN-Transistor 66 gezogen wird, der den Verstärker 10 auf
Dauer beschädigen könnte.
Wenn andererseits der Ausgangsanschluß 64 mit dem Spannungsversorgungsanschluß 12 verbunden
wird oder wenn eine Überlast vorhanden ist, neigt der Transistor 62 dazu, einen zu hohen Strom aufzunehmen.
Die Anordnung des Verstärkers 10 bewirkt eine Begrenzung des maximalen Stromes, der in der Last
70 fließen kann. Wie oben beschrieben wurde, bildet die Diode 50 in Verbindung mit dem Transistor 52
eine Konstantstromquelle, die einen festen maximalen Strom durch den Kollektor des Transistors 52 zieht.
Unter der Annahme, daß der Transistor 38 nichtleitend ist, wird der maximale Strom, der in dem Verstärker
10 fließen kann, auf den maximalen Strom des Transistors 52 begrenzt, mutltipliziert mit dem Produkt
der Stromverstärkungen der Transistoren 60 und 62. Infolgedessen kann durch sorgfältige Wahl des
Stromes des Transistors 52 der Verstärker teilweise geschützt werden.
Wenn ein positives Eingangssignal der Basis des Transistors 44 zugeführt wird und der Ausgangsanschluß
64 direkt mit der positiven Versorgungsquelle verbunden ist, führt eine positive Spannung am Eingangsanschluß
2H zu einer positiven Spannung, die der Basiselektrode des Transistors 38 zugeführt wird. Infolgedessen
wird der Transistor 38 leitend und senkt die Spannung am Kollektor des Transistors 72 ab. Infolgedessen
ist es für die positive Spannung am Ausgangsanschluß 64 möglich, den Basis-Kollektor-Ubergang
des Transistors 72 vorwärts vorzuspannen, was dann zu übermäßigen Strömen führt, die die
Transistoren 38 und 72 zerstören könnten. Die Transistoren 38 und 72 werden durch Begrenzung des am
Transistor 38 vorhandenen Basistreibersignals geschützt. Die Stromquelle, die den Transistor 40 umfaßt,
ist so ausgelegt, daß der maximale Ausgangsstrom am Kollektor 42 geringer ist als der
erforderliche Strom, um dem Transistor 38 zu ermöglichen, eine für die Zerstörung der Transistoren 38
und 72 ausreichende Basis-Emitter-Vorspannung zu erzeugen. Der Transistor 46 leitet den Teil des Konstantstromes,
der durch den Kollektor 42 des Transistors 40 geliefert wird, der vom Transistor 44 während
des Betriebs des Verstärkers nicht benötigt wird. Somit schützt die Anordnung des Verstärkers 10 auch
gegen Signalüberlastung und die Verbindung des Ausgangsanschlusses 64 mit entweder dem positiven
Spannurigsversorgungsanschluß 12 oder mit dem negativen Spannungsversorgungsanschluß 16 ist ohne
schädliche Folgen, unabhängig vom Zustand des Eingangssignals.
Im folgenden wird der Wechselstrombetrieb geschildert. Wenn eine einzelne Spannungsversorgungsleitung
mit dem Verstärker 10 verbunden ist, ist der Anschluß 22 der Last 70 mit der Leitung 18 verbunden,
wie es durch die gestrichelte Linie 24 angedeutet ist. Der Transistor 44 kann durch irgendein bekanntes
Netzwerk so vorgespannt werden, daß er im Betrieb der Klasse A arbeitet. Ein Wechselstromeingangssignal,
das dem Eingangsanschluß 28 zugeführt wird, führt dazu, daß der Transistor 44 während alternierender
positiver Ausschläge stärker leitet und während der negativen Ausschläge weniger stark leitet,
wodurch ein nichtinvertiertes Signal über dem Lastwiderstand 24 auftritt, der zwischen dem Emitter des
Trasistors 44 und der Spannungsversorgungsleitung 18 angeordnet ist. Der Transistor 38, der durch den
Strom, der durch den Widerstand 74 fließt, in Klasse A vorgespannt WIrH1 verstärkt und invertiert das Signal
über dem Widerstand 74 und legt es an die Basis des Treibertransistors 36. Positive Auslenkungen des
weiter verstärkten Treibersignals, das von dem Treibertransistor 36 erzeugt wird, führen zu einer stärkeren
Leitung des Ausgangstransistors 66, was zu einem erhöhten Strom durch den Widerstand 68 zum Lastwiderstand
70 führt. Infolgedessen werden auf Grund von negativen Auslenkungen des Eingangssignals positive
Ausgangssignalteile 80 an dem Lastwiderstand 70 erzeugt, die in der Fig. 2 gezeigt sind. Die Abszisse
82 der Fig. 2 zeigt die Zeit, während die Ordinate 84 der Fig. 2 die relative Größe des Ausgangssignals
zeigt.
Es liefert die Basis-Emitter-Spannung des Transistors 58, die Vorspannung, die durch das »N0«-Vorspannungsnetzwerk
59 geliefert wird, eine im wesent-
liehen konstante Vorspannung für den Transistor 66 und für die Transistoren 60 und 62. Während die Vorwärtsvorspannung
des Transistors 66 ansteigt, nimmt er einen größeren Anteil der konstanten Vorspannung
auf und überläßt damit weniger den in Darlington-Anordnung geschalteten Transistoren 60 und 62. Infolgedessen
werden die Transistoren 60 und 62 weniger stark leitend, und der Transistor 66 wird stärker
leitend, auf Grund von positiven Signalen an der Basis des Transistors 36. Wenn andererseits das Signal an
der Basis des Transistors 36 stärker negativer Richtung wird, wie es durch den Teil 86 der Wellenform
der Fi g. 2 angedeutet ist, wird der Transistor 66 weniger stark leitend, und die Transistoren 60 und 62 werden
stärker leitend, durch die konstante Vorspannung, so daß die Ausgangsspannung über dem Lastwiderstand
70 weniger stark negativ wird. Der Lastwiderstand für den Verstärker 10 ist im allgemeinen so groß,
daß die Transistoren 60 und 62 daran gehindert werden, vollständig nichtleitend zu werden, während der
positiven Auslenkungen 80 der Ausgangswellenform. Die Transistoren 60 und 62, die Substrat-PNP-Transistoren
bekannter Art sein können, haben jeweils Stromverstärkungen in der Größenordnung von 10,
um ungefähr die gleiche Verstärkung zu haben wie der NPN-Transistor 66, der einen Stromverstärkungsfaktor
in der Größenordnung von 100 aufweisen könnte. Wenn der Verstärker 10 in Form von Einzelbauteilen
vorliegt, könnten die Darlington-PNP-Transistoren 60 und 62 durch Einzel-PNP-Transistoren
ersetzt werden, die einen Stromverstärkungsfaktor aufweisen, der ungefähr gleich dem Stromverstärkungsfaktor
des NPN-Transistors 66 ist.
Im folgenden wird der Betrieb in Klasse AB und Klasse A beschrieben. Während das Ausgangssignal
des Verstärkers 10 immer stärker negativ wird, vermindert sich die Spannung am Emitter des Transistors
36 schließlich auf einen Wert, der gleich der Summe der Basis-Emitter-Spannung des Puffertransistors 58
ist, plus der Spannung, die über dem »N0«-Netzwerk 59 erzeugt wird, plus der Sättigungsspannung des
Transistors 52. Unter diesen Bedingungen ist die Ausgangsspannung, die durch die gestrichelte Linie 88 der
Fig. 2 angedeutet ist, ungefähr gleich der Sättigungsspannung des Transistors 52, plus der Spannung über
dem »N0«-Netzwerk 59, plus der Basis-Emitter-Spannung des Puffertransistors 58, minus der Basis-Emitter-Spannung
des Transistors 66. Da die Eingangsspannung erfordert, daß die Ausgangsspannung auf ein noch niedrigeres Potential geht, vermindert
sich die Spannung an der Basis des Treibertransistors 36 etwas und überschreitet einen Schwellenwert, der
bewirkt, daß die Vorspannung, die in dem Vorspannungsnetzwerk 59 erzeugt wird, schnell zusammenbricht.
Mit anderen Worten, die Spannung am Emitter des Treibertransistors 36 wird so niedrig, daß sie die
Basis-Emitter-Spannung nicht langer aufrechterhalten kann, die für den Vorspannungstransistor 54 erforderlich
ist. Somit werden die Basis-Emitter-Spannungen über den Darlington-Transistoren 60 und 62
nicht länger aufrechterhalten. Infolgedessen schaltet der Verstärker vom Klasse AB-Betrieb zum Klasse
Α-Betrieb um. Da der Transistor 66 in einen vollständig nichtleitenden Zustand getrieben werden kann, ist
es der Spannung am Anschluß 64 und über der Last möglich, die negative Versorgungsspannung fast zu
erreichen, die von der Leitung 18 geliefert wird, so daß die mögliche Auslenkung des Ausgangssignals
maximal wird. Unter den vorgenannten Bedingungen werden die Basis-Emitter-Spannungen der Transistoren
36 und 66 aufrechterhalten. Infolgedessen tritt ausreichende Spannung an dem Transistor 38 auf, um
einen Betrieb als aktives Bauelement zu erhalten. Da die Ausgangsspannung eine positive Steigung erzeugt
und durch den Schwellenwert 88 zurückkehrt, schaltet der Verstärker vom Klasse-A-Betrieb zurück zum
Klasse-B-Betrieb auf Grund der Wiedereinschaltung des Vorspannungsnetzwerkes 59. Die Fähigkeit des
Verstärkers 10 vom Klasse-AB- zum Klasse-A-Betrieb
und zurück zum Klasse-AB-Betrieb zu schalten, ist ein bedeutender Aspekt der Erfindung, da es dadurch
möglich wird, die Ausgangsspannung bis nahe an den Massepegel zu bringen, und mit einem Leistungsverstärker,
der von einer einzigen Versorgungsspannung betrieben wird.
Der Puffertransistor 58 ist ebenso ein bedeutsames Merkmal der Erfindung, weil er eine Pufferung des
Treibersignals an der Basis des Transistors 66 gegenüber schnellen Spannungs- und Stromänderungen bewirkt,
die an seiner Emitterelektrode auftreten, so daß das Ausgangssignal selbst dann verzerrungsfrei bleibt,
wenn es den Schwellenwert 88 in beiden Richtungen überschreitet. Der Treibertransistor 36 puffert das
Treibersignal des Transistors 38 gegenüber Spannungs- oder Stromstößen, die über den Transistoren
54,52, 60 und 62 auftreten, und zwar um einen Faktor, der gleich der Stromverstärkung ist. Die Fähigkeit
des Verstärkers 10, bis herab auf Masse zu treiben, wird erleichtert durch das hohe Treibersignal, welches
durch die Transistoren 36 und 58 ermöglicht wird, während bei den meisten bekannten Verstärkern an
Stelle des Treibertransistors 36 eine Stromquelle verwendet wird und an der Basis des Transistors 52 ein
niedriges Treibersignal benutzt wird.
Wenn der Verstärker 10 aus einer zweiadrigen Spannungsquelle versorgt wird, wird der Lastanschluß
22 mit dem Masse- oder Mittelpotentialanschluß verbunden, wie es durch die gestrichelte Linie 25 angedeutet
ist. Dabei arbeitet der Verstärker normalerweise zu jeder Zeit im Klasse-AB-Betrieb. Das
Vorspannungsnetzwerk 59 verhindert, daß der Verstärker der Fig. 1 übermäßige Übernahmeverzerrung
aufweist. Obwohl einige bekannte Verstärker bis zum Massepotential herab treiben, wenn sie mit einer Einzelstromversorgung
betrieben werden, erzeugen derartige bekannte Verstärker unerwünschte Ubernahmeverzerrungen,
wenn sie im zweiadrigen Versorgungsbetrieb arbeiten. Eine derartige Ubernahmeverzerrung
ist besonders nachteilig, wenn derartige bekannte Verstärker bei Tonfrequenzverstärkeranlagen
arbeiten, die den High-Fidelity-Normen genügen sollen.
Eine Ausführungsform des Verstärkers 10, der zufriedenstellend arbeitete, enthält die folgenden Bauteile:
Widerstand 74 60 Kilo-Ohm
Widerstand 58 32 Kilo-Ohm
Widerstand 56 37 Kiio-Ohm
Widerstand 65 40 Kilo-Ohm
Widerstand 68 25 Ohm
Lastwiderstand 70 2 Kilo-Ohm
Kodensator87 100 pF
Deroben beschriebene Verstärker kann sowohl aus einzelnen Bauelementen aufgebaut werden als auch
als integrierter Schaltkreis. Der erfindungsgemäße Verstärker erzeugt maximale Ausgangsspannungsauslenkungen
an einer Last, sowohl bei Betrieb mit zweiadrigen als auch beim Betrieb mit einer einadrigen
Spannungsquellc Wenn der Verstärker von einer einadrigen Spannungsquelle versorgt wird, arbeitet
der Verstärker selektiv zwischen Klasse-Α und AB-Betrieb, wobei er bei Versorgung von einer zweiadrigen
Spannungsquelle keine Übernahme-Verzerrung erzeugt. Die am Ausgangsanschluß 64 erzeugte Ausgangsspannung
ist in der Lage, das Massepotential oder einen negativen Versorgungspegel zu erreichen,
wenn der Verstärker durch entweder eine zweiadrige oder eine einadrige Spannungsquelle betrieben wird.
Dies ist vorteilhaft, weil es ermöglicht, Ausgangslasteinrichtungen wie einen Lasttransistor bis zum
Abschalten zu betreiben. Außerdem liefert die Verstärkeranordnung zusätzlich maximale Signalauslenkungen
und umfaßt auch einen Schutz gegen Kurzschluß und Überlastung, erleichtert die Gleichstronikopplung
und liefert eine Leistungsverstärkung mit hohem Wirkungsgrad.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Monolithischer Leistungsverstärker, der sowohl im A- als auch im AB-Betrieb arbeiten kann,
mit einer komplementären Gegentakt-Endstufe, mit einer Treiberstufe, mit einer Eingangsstufe
und mit einem Vorspannungs-Netzwerk zur Stabilisierung der Ruheströme einer Leistungstransistoranordnung,
wobei das Vorspannungs-Netzwerk wenigstens einen Transistor aufweist, dessen Kollektor-Emitter-Strecke durch einen Widerstands-Spannungsteiler
überbrückt ist, dessen Verbindungspunkt an die Basis des Transistors angeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet,
daß ein Puffer-Transistor vorgesehen ist, dessen Emitter mit dem Vorspannungs-Netzwerk verbunden
ist, dessen Basis mit der Treiberstufe sowie mit der Gegentakt-Endstufe verbunden ist und
dessen Kollektor an eine Stromversorgungsleitung angeschlossen ist.
2. Leistungsverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter des Puffertransistors
(58) mit dem Kollektor eines im Vorspannungs-Netzwerk (59) angeordneten Vorspannungstransistors
(54) verbunden ist, dessen Emitter mit der Gegentakt-Endstufe verbunden ist.
3. Leistungsverstärker nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des Puffertransistors
(58) sowohl an den Emitter von wenigstens einem Treibertransistor (36), dessen Basis
mit dem Ausgang einer Vortreiberstufe und dessen Kollektor mit einer Spannungsversorgungsleitung
(14) verbunden sind, als auch an die Basis eines Transistors (66) in der Gegentakt-Endstufe
angeschlossen ist.
4. Leistungsverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor
des Puffertransistors (58) direkt mit einer Spannungsversorgungsleitung (14) verbunden ist.
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