DE2506436C3 - Diffusionsverfahren zum Herstellen aluminiumdotierter Isolationszonen für Halbleiterbauelemente - Google Patents

Diffusionsverfahren zum Herstellen aluminiumdotierter Isolationszonen für Halbleiterbauelemente

Info

Publication number
DE2506436C3
DE2506436C3 DE2506436A DE2506436A DE2506436C3 DE 2506436 C3 DE2506436 C3 DE 2506436C3 DE 2506436 A DE2506436 A DE 2506436A DE 2506436 A DE2506436 A DE 2506436A DE 2506436 C3 DE2506436 C3 DE 2506436C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
aluminum
diffusion
isolation zones
layer
photo
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2506436A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE2506436A1 (de
DE2506436B2 (de
Inventor
Ulrich 7801 Wildtal Geisler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Micronas GmbH
Original Assignee
Deutsche ITT Industries GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Deutsche ITT Industries GmbH filed Critical Deutsche ITT Industries GmbH
Priority to DE2506436A priority Critical patent/DE2506436C3/de
Priority to FR7603823A priority patent/FR2301093A1/fr
Publication of DE2506436A1 publication Critical patent/DE2506436A1/de
Publication of DE2506436B2 publication Critical patent/DE2506436B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2506436C3 publication Critical patent/DE2506436C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/01Manufacture or treatment
    • H10W10/031Manufacture or treatment of isolation regions comprising PN junctions
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P32/00Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P32/10Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
    • H10P32/14Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase
    • H10P32/1404Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase using predeposition followed by drive-in of impurities into the semiconductor surface, e.g. predeposition from a gaseous phase
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P32/00Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P32/10Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
    • H10P32/14Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase
    • H10P32/1408Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase from or through or into an external applied layer, e.g. photoresist or nitride layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P32/00Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P32/10Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
    • H10P32/17Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers characterised by the semiconductor material
    • H10P32/171Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers characterised by the semiconductor material being group IV material
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/30Isolation regions comprising PN junctions

Landscapes

  • Element Separation (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Thyristors (AREA)
DE2506436A 1975-02-15 1975-02-15 Diffusionsverfahren zum Herstellen aluminiumdotierter Isolationszonen für Halbleiterbauelemente Expired DE2506436C3 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2506436A DE2506436C3 (de) 1975-02-15 1975-02-15 Diffusionsverfahren zum Herstellen aluminiumdotierter Isolationszonen für Halbleiterbauelemente
FR7603823A FR2301093A1 (fr) 1975-02-15 1976-02-12 Methode de diffusion de regions isolantes dans un substrat semi-conducteur

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2506436A DE2506436C3 (de) 1975-02-15 1975-02-15 Diffusionsverfahren zum Herstellen aluminiumdotierter Isolationszonen für Halbleiterbauelemente

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2506436A1 DE2506436A1 (de) 1976-08-26
DE2506436B2 DE2506436B2 (de) 1979-08-30
DE2506436C3 true DE2506436C3 (de) 1980-05-14

Family

ID=5938970

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2506436A Expired DE2506436C3 (de) 1975-02-15 1975-02-15 Diffusionsverfahren zum Herstellen aluminiumdotierter Isolationszonen für Halbleiterbauelemente

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE2506436C3 (ref)
FR (1) FR2301093A1 (ref)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1536545A (en) * 1975-03-26 1978-12-20 Mullard Ltd Semiconductor device manufacture
US4099997A (en) * 1976-06-21 1978-07-11 Rca Corporation Method of fabricating a semiconductor device
JPS53118367A (en) * 1977-03-25 1978-10-16 Hitachi Ltd Manufacture of semiconductor
US4188245A (en) * 1978-09-18 1980-02-12 General Electric Company Selective open tube aluminum diffusion
NL8006668A (nl) * 1980-12-09 1982-07-01 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
DE3137813A1 (de) * 1981-09-23 1983-03-31 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung
EP0263270B1 (de) * 1986-09-30 1992-11-11 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Erzeugen eines p-dotierten Halbleitergebiets in einem n-leitenden Halbleiterkörper

Also Published As

Publication number Publication date
DE2506436A1 (de) 1976-08-26
DE2506436B2 (de) 1979-08-30
FR2301093B1 (ref) 1982-08-20
FR2301093A1 (fr) 1976-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2618445C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines bipolaren Transistors
DE2615754C2 (ref)
DE2832740C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit einer Mehrebenenverdrahtung
DE2808257B2 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE1439935A1 (de) Halbleitereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE2449012C2 (de) Verfahren zur Herstellung von dielektrisch isolierten Halbleiterbereichen
DE2539073B2 (de) Feldeffekt-Transistor mit isolierter Gate-Elektrode und Verfahren zu dessen Herstellung
EP0012220A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Schottky-Kontakts mit selbstjustierter Schutzringzone
DE2633714C2 (de) Integrierte Halbleiter-Schaltungsanordnung mit einem bipolaren Transistor und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2506436C3 (de) Diffusionsverfahren zum Herstellen aluminiumdotierter Isolationszonen für Halbleiterbauelemente
DE69404593T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, die einen Halbleiterkörper mit Feldisolierungszonen aus mit Isolierstoff gefüllten Graben enthält
DE1803024A1 (de) Integriertes Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE69022710T2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung.
DE1814747C2 (de) Verfahren zum Herstellen von Feldefekttransistoren
DE2111633A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Oberflaechen-Feldeffekt-Transistors
DE2545513A1 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zu deren herstellung
DE2450230A1 (de) Verfahren zur herstellung von feldeffekttransistoren
DE2054535B2 (de) Verfahren zur Herstellung von Feldeffekt-Halbleiteranordnungen in einem Halbleiterplättchen
DE2900747C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE1802849B2 (de) Verfahren zum herstellen einer monolithischen schaltung
DE2753533A1 (de) Verfahren zum selektiven eindiffundieren von aluminium
DE3301479A1 (de) Verfahren zum herstellen eines halbleiterelementes
DE2114566A1 (de) Verfahren zum Stabilisieren der elektrischen Eigenschaften von Halbleitereinrichtungen
DE2658304A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE2120832C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines monolithischen, einen integrierten Schaltkreis bildenden Bauteils mit einem Halbleiterkörper

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee