DE2505958B2 - Verkupferungslösung - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Verkupferungslösung, die sowohl als physikalischer Kupferentwickler als
auch zur Verstärkung äußerer photographischer Keimbilder zu Kupfermustern ohne äußere Stromquelle
verwendet werden kann. Eine derartige Lösung kann für reprographische Zwecke sowie zur Herstellung
gedruckter Verdrahtungen, für leitende Überzüge, die nachher auf elektrolytischem Wege weiter überzogen
werden, und für dekorative Zwecke Anwendung finden.
Es sind bereits stromlos arbeitende Verkupferungslösungen bekannt, bei denen als Reduktionsmittel
Formaldehyd verwendet wird. Die hohen pH-Werte dieser Lösungen sind nachteilig, weil die Gefahr eines
Angriffes auf das Substratmaterial besteht, während außerdem auf photographischem Wege erhaltene
Silber- und Silberamalgamkeimbilder nicht ohne zusätzliche Behandlung mit Hilfe derartiger Lösungen
verstärkt werden können.
Aus der US-PS 30 95 309 ist z.B. ein solches
alkalisches Bad bekannt mit dem Kupfer mit einer guten Duktilität abgeschieden werden kann. Dieses Bad
enthält ein anorganisches Cyanid undZoder ein organi-
-" sches Nitril als Mittel zur Komplexierung von Kupfer(II)-Ionen. Durch diesen Zusatz werden die
Struktur des Niederschlags und die Stabilität der Lösung verbessert
Physikalische Kupferentwickler, mit denen photographische
Keimbilder zu genügender Endschwärzung verstärkt werden, sind physikalischen Silberentwicklern
vorzuziehen, nicht nur, weil Kupfer billiger als Silber ist sondern vor allem, weil Kupfer eine viel größere
Absorption im ultravioletten Teil des Spektrums aufweist Infolgedessen sind mit Kupferentwicklern
entwickelte Bilder besonders gut als Photomaskenmaterial und für reprographische Anwendungen geeignet
Aus der GB-PS 11 87 861 sind physikalische Kupferentwickler
bekannt mit denen in stark saurem Milieu Kupfer auf aus Silber oder Silberamalgamkeimen
bestehenden Keimbildern mit Hilfe der Redoxpaare V2+ZV3+, Ti2+ZTi3+ oder Cr2+ZCr3+ abgeschieden werden
kann. Aus dieser Patentschrift sind auch physikalische Kupferentwickler bekannt bei denen Fe2+ZFe3+ in
r> alkalischem Milieu mit einem Gemisch von Äthylendiamintetraessigsäure
und Triäthanolamin als Reduktionsmittel wirkt Ein Nachteil eines derartigen Bades
liegt in der Bildung von Metallhydroxid, das Unstabilität herbeiführt
jo Ein weiterer Nachteil der Lösungen nach der
letzteren Patentschrift besteht darin, daß während der Reduktion zu Kupfermetall in der Lösung eine große
Menge Kupfer(I)-oxid ausgefällt wird. Die Stabilität dieser Lösungen ist daher besonders schlecht Dadurch,
!> daß ein großer Teil dieses Kupfer(I)-oxids in den
Niederschlag eingeschlossen wird, ist die Qualität der entwickelten Bilder nicht besonders hoch.
Ein anderes Bad zur Verstärkung photographisch erhaltener Keimbilder mit Kupfer ist in der US-PS
4Ii 35 12 972 beschrieben. In diesem Bad wird Ascorbinsäure
in Verbindung mit einem stickstoffhaltigen Säureakzeptor, z. B. einem Amin, als Reduktionssystem für
Kupfer(II)-Ionen verwendet. Gleich wie bei den vorgenannten Kupferentwicklern wird während der
4) Reduktion eine große Menge Kupfer(I)-oxid ausgefällt
und die Wirkung dieser Lösungen geht schnell verloren. Nach der US-PS 37 30 721 wird in alkalischen
Verkupferungslösungen Ascorbinsäure als Reduktionsmittel in Verbindung mit Sulfid als Antioxidationsmittel
w verwendet
Nach der Erfindung wurde nun gefunden, daß eines der Redoxpaare V2+ZV3+, Ti2+ZTi3+ oder Cr2+ZCr3+
oder Ascorbinsäure in Verbindung mit einem stickstoffhaltigen Säureakzeptor oder das Redoxpaar Fe2+ZFe3+
in Verbindung mit einer oder mehreren löslichen organischen Carbonsäuren, deren Kupfer(H)-Salze und
Eisensalze löslich sind, mit Erfolg als Reduktionsmittel für Kupfer(II)-lonen zu metallischem Kupfer in einem
sauren und neutralen Milieu verwendet werden können, wenn ein Komplexbildner für Kupfer(I)-lonen der
Lösung zugesetzt wird, der imstande ist, einen wasserlöslichen Kupfer(I)- Komplex zu bilden.
Diese Verkupferungslösungen können sowohl zur direkten Verstärkung nicht nur von Palladium- oder
Platinkeimen, sondern auch von Silberamalgamkeimbildern zu inneren Kupferbildern, als auch zur Verstärkung
von Keimbildern zu elektrisch leitenden Kupfermustern verwendet werden.
Die genannten organischen Carbonsäuren, die in Verbindung mit dem Fe^/Fe^-Paar verwendet werden, liefern ohne Komplexbildner für Kupfer(I)-lonen
einen Niederschlag. Bei Anwendung von Zitronensäure tritt zwar in gewissen Fällen kein Niederschlag auf, aber r>
in allen Fällen ergibt der Zusatz eines Komplexbildners für Kupfer(I)-Ionen eine erhebliche Stabilitätsverbesserung.
Als Komplexbildner für Kupfer(I)-Ionen kommen Verbindungen wie 2-Butin-l,4-dioL Acetonitril, Äthylendiamintetraessigsäure, Alkalisulfite, Ammoniak, Pyridin-3-sulfonsäure oder Phosphonsäureverbindungen in
Betracht
Die letzteren Verbindungen, wie Nitrilmethylphosphonsäure, Äthylendiamintetramethylphosphonsäure
oder Äthylendiamindiisopropylphosphonsäure, sind als
Komplexbildner für Kupfer(II)-Ionen in der deutschen Patentanmeldung P 24 14 650.7 vorgeschlagen worden.
Äthylendiamintetraessigsäure und Phosphonsäuren sind in stark saurem Milieu nicht löslich und eignen sich
daher nicht für Vanadium- und Chrom-Entwickler. Bisulfit ist für diesen Zweck wegen der SO2-Entwicklung ebenfalls nicht geeignet
Wie an sich bekannt ist ist es empfehlenswert, zum Erzielen einer zusätzlichen Verbesserung der Stabilität
ein kationaktives Netzmittel, gegebenenfalls in Verbindung mit einem nichtionogenen Netzmittel, der
Verkupferungslösung nach der Erfindung zuzusetzen. Naturgemäß soll die gewählte Verbindung keine
störende Reaktion mit den übrigen Badbestandteilen j<
> eingehen. Es stellte sich heraus, daß quaternäre
Alkylbenzyl- oder Alkyltolyl-Ammonium-Verbindungen in Verbindung mit einer Alkylarylpolyoxyäthylenverbindung einen besonders günstigen Effekt ergeben.
Die Erfindung wird nachstehend anhand einiger r>
Ausführungsbeispiele näher erläutert
Eine Glasplatte mit einer etwa 1,3 μΐη dicken einseitig
angebrachten Celluloseacetobutyratschicht wurde nach oberflächlicher Verseifung dadurch lichtempfindlich
gemacht, daß sie in eine Lösung eingetaucht wurde, die 0,1 Mol S.S-DichloM-dimethylaininobenzoldiazio-tertbutylsulfid pro Liter Äthanol enthielt wonach sie
getrocknet wurde. Das erhaltene Material wurde hinter « einer Vorlage 8 Sekunden lang mit einer HPR
125-W-Hochdruckquecksilberdampflampe belichtet, die
sich in einem Abstand von 80 cm befand. Das belichtete Material wurde in eine wässerige Lösung eingetaucht,
die 0,005 Mol Quecksilber(I)-nitrat, 0,03 Mol Silbernitrat v>
und 0,01 Mol Salpetersäure pro Liter enthielt, wodurch an den belichteten Stellen ein Silberamalgamkeimbild
erhalten wurde. Dieses Keimbild wurde 10 Minuten lang mit einer Lösung verstärkt die pro Liter enthielt:
0,1 Mol Ascorbinsäure
0,15MoI Kupfernitrat
0,25 Mol 2-Butin-l,4-diol
0,1 Mol Triäthanolamin
0,025 Gew.-% eines Gemisches, das zu 50% aus Alkyl(Ce—C|8)-dimethyl-3,4-dichlorbenzyl-ammoniumchlorid, zu
10% aus Alkenyl(Ci6-C2o)-dimethyl-äthyl-ammoniumbromicl und
zu 40% aus inerten Bestandteilen besteht
0,025 Gew.-% Nonylphenolpolyoxyäthylen.
60
65
Es wurde ein Bild mit einer Schwärzung von 1,6 erhalten. Der Entwickler war während der Entwicklungszeit und auch noch bis zu 3 Stunden nach der
Entwicklung frei von Niederschlägen und/oder Kupferteilchen und war außerdem, wie gefunden wurde, noch
vollständig als Entwickler brauchbar.
Eine oberflächlich verseifte Cellulosetriacetatfolie wurde dadurch lichtempfindlich gemacht daß sie 1
Minute lang in eine wässerige Lösung eingetaucht wurde, die pro Liter 0,15 Mol p-methoxy-benzoldiazosulfonsaures Natrium und 0,1 Mol Cadmiumlactat
enthielt wonach diese Folie zwischen zwei Gummistreifen abgestrichen und getrocknet wurde. Die lichtempfindliche Folie wurde hinter einer Vorlage mit einer
HPR 125-W-QuecksilberdampfIampe in einem Abstand
von 50 cm 5 Sekunden lang belichtet und dann 2 Sekunden lang in eine wässerige Lösung eingetaucht,
die pro Liter 0,005 Mol Quecksilber(I)-nitrat, 0,03 MoI
Silbernitrat und 0,01 Mol Salpetersäure enthielt wodurch an den belichteten Stellen ein Silberamalgamkeimbild erhalten wurde. Die erhaltene »Keimfolie«
wurde 5 Sekunden lang in entionisiertem Wasser gespült wonach ein Teil dieser Folie 5 Minuten lang zu
genügender Endschwärzung in einem der folgenden Entwickler verstärkt wurde, die pro Liter enthielten:
a) 0,24 Mol Ascorbinsäure
0,24MoI Kupfersulfat
0,24 Mol Triäthanolamin
b) Lösung a) + 0,16 Mol 2-Butin-1,4-diol
c) Lösung b)+0,02Gew.-% eines Gemisches von
etwa 90% Alkyl(Ci2)-aminoacetaten mit etwa 10% Aminoacetaten von Cm und höher,
d) Lösung b) + 0,02 Gew.-% eines Gemisches, das zu 50% aus AlkyKCu-CieJ-dimethyl-S^-dichlorbenzyl-ammoniumchlorid, zu 10% aus Alkenyl-(Ci6—CttJ-dimethyläthyl-ammoniumbromid und zu
40% aus inerten Bestandteilen besteht
e) Lösung b) + 0,03 Gew.-% Cetylpyridiniumchlorid.
Alle Entwickler wurden auf einen pH-Wert = 3,40 eingestellt. Alle oberflächlichen Stoffe wurden mit
Nonylphenolpolyoxyäthylen solubilisiert. Die Lebensdauer der Lösung a) betrug 10 Minuten, wobei sofort
nach dem Zusammenfügen Niederschläge von Kupfer-(I)-Salzen und/oder -oxiden erhalten wurden. Bei
Wiederholung der Versuche in denselben Lösungen stellte sich heraus, daß die Lösung b) eine zwanzigmal
längere Lebensdauer als die Lösung a) aufwies, während die Lösungen c) bis e) eine Lebensdauer aufwiesen, die
gleich dem 2- bis 20fachen der Lebensdauer der Lösung b) war. In keiner der Lösungen b) bis e) bildeten sich
Niederschläge. Das 2-Butin-l,4-diol konnte durch andere Kupfer(I)-Komplexbildner ersetzt werden, ohne
daß dadurch eine größere Unstabilität herbeigeführt wurde. Diese Komplexbildner waren u.a. Äthylendiamintetramethylphosphonsäure, Nitrildimethylphosphonsäure-monoessigsäure, Äthylendiamintetraessigsäure, Pyridin-3-sulfonsäure, Acetonitril, Glykolsäurenitril und Natriumbisulfit.
»Keimfolien«, die auf die im Beispiel 2 beschriebene Weise erhalten waren, wurden in einer der folgenden
Entwicklungslösungen verstärkt die wie folgt zusammengesetzt waren:
a) 30 ml einer Vanadium(II)-Lösung die dadurch erhalten wurde, daß eine wäßrige Lösung, die pro
Liter 0,2 Mol Vanadylsulfat und 0,33 Mol Zitronensäure enthielt, 3 Stunden lang in einer Stickstoffatmosphäre
mit einem Oberschuß an Zinkamalgam geschüttelt wurde;
25 ml einer wäßrigen Lösung, die 0,08 Gew.-% eines Gemisches von etwa 90% Alkyl(Ci2)-aminoacetaten
mit etwa 10% Aminoacetaten von Cu und höher und 0,08 Gew.-% Nonylphenolpolyoxyäthylen
enthielt,
10 ml einer wäßrigen Lösung, die 0,1 MoI CuSOi
pro Liter enthielt;
entionisiertes Wasser bis zu 100 ml.
b) statt entionisiertem Wasser 35 ml einer wäßrigen Lösung, die 8,6 Mol Acetonitril pro Liter enthielt.
Nach 3minutiger Verstärkung wurde mit der Lösung a) ein verschleiertes Bild mit einer
Schwärzung von 2,6 erhalten. Die Lösung selbst war, wie gefunden wurde, nach 4 Minuten infolge
eines Kupfer(l)-oxidniederschlags völlig unstabil. Mit der Lösung b) wurde in 3 Minuten ein Bild mit
einer Schwärzung von 2,21 erhalten; diese Entwicklungslösung selbst hatte eine Lebensdauer von
mehr als 20 Stunden und war völlig frei von Niederschlag. Die Entwicklung und das Testen der
Lebensdauer erfolgten in einer ^-Atmosphäre.
Eine mit einem Handroller auf einer 50 μπι dicken
Polyäthylenterephthalatfolie angebrachte 2 μπι dicke Polyesterklebstoffschicht, wobei der Polyesterklebstoff
aus 45 g Terephthalatsäure und Propylenglykol in 1,1,2-Trichloräthan, 3 g Aluminiumsilicat, 3 g S1O2, 7,5 g
Diphenylmethan-diisocyanat als Härtungsmittel und g Dichloi methan hergestellt war, wurde dadurch
lichtempfindlich gemacht, daß sie in eine wäßrige Lösung eingetaucht wurde, die dadurch hergestellt
worden war, daß 28,3 g o-methoxybenzoldiazosulfonsaures
Natrium, 4,05 g Cadmiumcarbonat, 2,35 g Calciumcarbonat, 7,25 g Milchsäure, 0,05 Gew.-% Hydroxyäthylcellulose
und 0,8 Gew.-% Nonylphenolpolyoxyäthylen in 1 Liter Wasser gelöst wurden, wonach die
Folie getrocknet wurde. Die erhaltene lichtempfindliche Folie wurde 1 Minute lang hinter einer Vorlage mit einer
HPR 125-W-Quecksilberdampflampe in einem Abstand
von 50 cm belichtet, wonach der Film in eine wäßrige Lösung von 0,05 Mol Quecksilber(l)-nitrat, 0,01 Mol
Silbernitrat und 0,1 Mol Salpetersäure pro Liter eingetaucht wurde, wodurch an den belichteten Stellen
ein Silberamalgamkeimbild erhalten wurde. Dieses Keimbild wurde in einer Stickstoffatmosphäre in einer
Lösung weiter verstärkt, die wie folgt zusammengesetzt war:
5 Volumenteile einer Vanadium(!!)-Lösung nach Beispiel 3, die statt 0,33 Mol Zitronensäure 0,5 Mol
Schwefelsäure enthielt,
2 Volumenteile einer wäßrigen Lösung, die 15 Mol
Acetonitril pro Liier enthielt,
1 Volumenteil einer wäßrigen Lösung, die 0,1 Mol Kupfersulfat pro Liter enthielt,
2 Volumenteile entionisiertes Wasser.
Nach 2minutigcr Vers'ärkung wurde ein leitendes
KuDferbild erhalten.
Eine Cellulosetriacetatfolie wurde nach Sensibilisie-
rung, Belichtung und Keimeinführung auf die im Beispiel
<> 1 beschriebene Weise in einer Stickstoffatmosphäre mit
einer Lösung verstärkt, die wie folgt zusammengesetzt war:
3 Volumenteile einer Chrom(II)-Lösung, die dadurch erhalten wurde, daß eine wäßrige Lösung, die
''■' 0,1 Mol Chromtrichlorid und 033 Mol Zitronensäure
pro Liter enthielt, in einer Stickstoffatmesphäre 5 Stunden lang mit einem Oberschuß an Zinkamalgam
geschüttelt wurde,
1 Volumenteil 2-Butin-l,4-diol-Lösung mit einer
1 Volumenteil 2-Butin-l,4-diol-Lösung mit einer
Konzentration von 10 Mol/l Wasser,
2,5 Volumenteile einer wäßrigen Lösung, die 0,08 Gew.-% eines Gemisches von etwa 90%
Alkyl(Ci2)-aminoacetaten mit etwa 10% Aminoacetaten von Cm und höher und 0,08 Gew. %
■" Nonylphenolpolyoxyäthylen enthielt,
1 Volumenteil einer wäßrigen Lösung, die 0,1 Mol Kupfersulfat pro Liter enthielt,
2,5 Volumenteile entionisiertes Wasser.
r> Nach lOminutiger Verstärkung wurde ein Kupferbild
mit einer Schwärzung von 1,80 erhalten.
Eine Platte aus anodisiertem Aluminium wurde
so dadurch lichtempfindlich gemacht, daß sie 1 Minute lang
in eine Lösung eingetaucht wurde, die 0,1 Mol 4-Nitrobenzoldiazo-tert-butylsulfid pro Liter Äthanol
enthielt, wonach die Platte zwischen zwei Gummistreifen abgestrichen und getrocknet wurde. Nach Belich-
1, tung während 10 Sekunden hinter einer Vorlage mit einer HPR 125-W-Quccksilbcrdampflampe in einem
Abstand von 80 cm wurde die Platte in eine Lösung eingetaucht, die 0,005 Mol Quecksilber(l)-nitrat, 0,01 Mol
Silbernitrat und 0,01 Mol Salpetersäure pro Liter
4(i eines Gemisches von Wasser, Äthanol und Äthylacetat
im Verhältnis 3:2:1 enthielt, wodurch an den belichteten Stellen ein Silberamalgamkeimbild erhalten
wurde. Nach Spülen in einer wäßrigen Lösung, die 1 Mol Zitronensäure pro Liter enthielt, wurde das
4-> Keimbild in einer Lösung verstärkt, die pro Liter
enthielt:
0,25 Mol Ascorbinsäure
0,25 Mol CuSO4
0,30MoI 2-Butin-1.4-diol
'" 0,25 Mol Triethanolamin
Der pH-Wert des Entwicklers war 3,67.
Nach lOminutiger Verstärkung wurde ein leitendes 'ή schleierfreies Kupferbild erhalten. Die Aluminiumplatte
mit dem Kupferbild konnte als Offset-Platte verwendet werden.
W) Auf die im Beispiel 1 beschriebene Weise erhaltene
Amalgamkeimbilder auf Glas wurden unter Hindurchleiten von N2 zu genügender Endschwärzung bei 50°C
während 10 Minuten in einer Lösung verstärkt, die pro L-ter enthielt:
0,03 Mol Kupfersulfat
0,10 Mol Eisen(ll)-ammoniumsulfat
0,01 Mol Eiscn(lll)-nitrat
0,50 MoI Gluconsäure
0,10 Mol Natriumbisulfit
0,10 Gew.-% p-Methylphenyldodecyltrimethylammoniumsalz.
Der pH-Wert der Lösung wurde mit Natriumhydroxid auf 6,0 gebracht. Die Lösung war während der
Verstärkung völlig stabil. Niederschläge von Kupfer(I)-Salzen wurden erhalten, wenn kein Natriumbisulfit
zugesetzt wurde. Wenn statt der Amalgamkeimbilder Glasplatten verwendet wurden, die nach Anrauhung mit
HF und SiC nacheinander mit einer Lösung von 40 g SnCl2 — 10 ml HCl - 1000 ml Wasser, mit strömendem
entionisiertem Wasser und mit einer Lösung von 0,25 g PdCl2 - 10 ml HCl - 1000 ml H2O behandelt wurden,
wurden nach einer lOminutigen Verstärkung in einer Stickstoffatmosphäre bei 30" C in der obengenannten
Lösung gut leitende Kupferschichten erhalten.
Amalgamkeimbilder nach Beispiel 1 wurden zu einer Schwärzung von mehr als 2 durch Behandlung unter
Hindurchleiten von N2 während 10 Minuten bei 300C
mit einer Lösung verstärkt, die pro Liter enthielt:
0,03 Mol Kupfersulfat
0,05 Mol Eisen(II)-ammoniumsulfat
0,01 Mol Eisen(III)-nitrat
0,50 MoI Malonsäure
0,04 Mol 2-Butin-l,4-diol
0,05 Gew.-% p-Methylphenyldodecyltrimethylammoniumsalz.
Der pH-Wert der Lösung wurde mit NaOH auf 6,0 gebracht
Die Lösung blieb während der Verstärkung völlig stabil. Wenn kein 2-Butin-l,4-diol zugesetzt wurde,
bildeten sich Kupfer(l)-Salzniederschläge.
Glasplatten mit Amalgamkeimbildern nach Beispiel 1 wurden zu genügender Endschwärzung dadurch verstärkt, daß sie unter Hindurchleiten von N2 während 30
Minuten bei 300C mit einer Lösung behandelt wurden, die pro Liter enthielt:
| 0.03 Mol | Kupfersulfat |
| 0,10 Mol | Eisen(I I)-ammoniumsulf at |
| 0,01 Mol | Eisen(lll)-nitrat |
| 0,10 Mol | Ammoniak |
| 0,50MoI | Zitronensäure. |
Der pH-Wert der Lösung wurde auf 7,5 eingestellt.
Auch diese Lösung blieb während der Verstärkung stabil. Wenn kein Ammoniak zugesetzt wurde, bildeten
sich Kupfer(I)-Salzmederschläge in den Entwicklungslösungen.
Claims (6)
1. Verkupferungslösung, die im wesentlichen aus einer wässerigen sauren oder neutralen Lösung
besteht, die Kupfer(II)-Ionen und als Reduktionsmittel
eines der Redoxpaaca V2+AV3+, Ti2+ZTi3+ oder
Cr2+ZCr3+ oder Ascorbinsäure in Verbindung mit
einem stickstoffhaltigen Säureakzeptor oder das Redoxpaar Fe2+ZFe3+ in Verbindung mit einer oder
mehreren löslichen organischen Carbonsäuren enthält, deren Kupfer(Il)- und Eisensalze löslich sind,
dadurch gekennzeichnet, daß die Lösung außerdem einen wasserlösliche Komplexe bildenden
Komplexbildner für Kupfer(I)-Ionen enthält
2. Verkupferungslösung nach Anspruch 1, die eines der Redoxpaare V2+ZV3+, Ti2+ZTi3+ oder
Cr2+ZCr3+ in saurem Milieu enthält, dadurch
gekennzeichnet, daß der Komplexbildner für Kupfer(l)-Ionen
aus 2-Butin-l,4-diol und Acetonitril gewählt ist
3. Verkupferungslösung nach Anspruch 1, die Ascorbinsäure in schwach saurem oder neutralem
Milieu enthält dadurch gekennzeichnet daß der Komplexbildner für Kupfer(I)-Ionen aus 2-Butin-1,4-dioL
Acetonitril, Pyridin-3-sulfonsäure, Alkalibisulfit, Äthylendiamintetraessigsäure und Phosphonsäureverbitidungen
gewählt ist.
4. Verkupferungslösung nach Anspruch 1, die das Redoxpaar Fe2+/Fe3+ in Verbindung mit einer oder
mehreren der Säuren Malonsäure, Zitronensäure, Gluconsäure, Weinsäure oder Äpfelsäure enthält,
dadurch gekennzeichnet, daß der Komplexbildner für Kupfer(I)-Ionen aus 2-Butin-l,4-diol, Acetonitril,
Alkalibisulfit, Pyridin-3-sulfonsäure und Ammoniak gewählt ist.
5. Verkupferungslösung nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß sie außerdem ein
kationenaktives Netzmittel, gegebenenfalls in Verbindung mit einem nichtionogenen oberflächenaktiven
Stoff, enthält.
6. Verkupferungslösung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Netzmittel eine quaternäre
Alkylbenzyl- oder Alkyltolylammoniumverbindung in Kombination mit einer Alkylarylpolyoxyäthylenverbindung
ist.
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| US4450191A (en) * | 1982-09-02 | 1984-05-22 | Omi International Corporation | Ammonium ions used as electroless copper plating rate controller |
| EP0132594B1 (de) * | 1983-07-25 | 1988-09-07 | Hitachi, Ltd. | Lösung zum stromlosen Plattieren mit Kupfer |
| JPS6215235A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-23 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 導電性高分子材料の製造法 |
| DE3622090C1 (de) * | 1986-07-02 | 1990-02-15 | Blasberg-Oberflaechentechnik Gmbh, 5650 Solingen, De | |
| JPH04325688A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-16 | Murata Mfg Co Ltd | 無電解めっき浴 |
| US5256441A (en) * | 1992-08-04 | 1993-10-26 | Amp-Akzo Corporation | Ductile copper |
| US5306336A (en) * | 1992-11-20 | 1994-04-26 | Monsanto Company | Sulfate-free electroless copper plating baths |
| MY144503A (en) * | 1998-09-14 | 2011-09-30 | Ibiden Co Ltd | Printed circuit board and method for its production |
| JP3444276B2 (ja) * | 2000-06-19 | 2003-09-08 | 株式会社村田製作所 | 無電解銅めっき浴、無電解銅めっき方法および電子部品 |
| WO2002063069A2 (en) * | 2001-01-12 | 2002-08-15 | University Of Rochester | Methods and systems for electro-or electroless-plating of metal in high-aspect ratio features |
| JP4663243B2 (ja) * | 2004-01-13 | 2011-04-06 | 上村工業株式会社 | 無電解銅めっき浴 |
| TW200813255A (en) * | 2006-07-07 | 2008-03-16 | Rohm & Haas Elect Mat | Environmentally friendly electroless copper compositions |
| TWI347982B (en) * | 2006-07-07 | 2011-09-01 | Rohm & Haas Elect Mat | Improved electroless copper compositions |
| TWI347373B (en) * | 2006-07-07 | 2011-08-21 | Rohm & Haas Elect Mat | Formaldehyde free electroless copper compositions |
| TWI348499B (en) * | 2006-07-07 | 2011-09-11 | Rohm & Haas Elect Mat | Electroless copper and redox couples |
| TWI649449B (zh) * | 2015-11-27 | 2019-02-01 | 德國艾托特克公司 | 鈀之電鍍浴組合物及無電電鍍方法 |
| EP3184667B1 (de) * | 2015-12-23 | 2019-10-30 | Uniwersytet Warszawski | Mittel zur durchführung stromloser metallabscheidung mit atomischer submonoschichtpräzision |
| WO2017109556A1 (en) | 2015-12-23 | 2017-06-29 | Uniwersytet Warszawski | Means for carrying out electroless metal deposition with atomic sub-monolayer precision |
| US20190382901A1 (en) * | 2018-06-15 | 2019-12-19 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Electroless copper plating compositions and methods for electroless plating copper on substrates |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1143021A (en) * | 1965-10-01 | 1969-02-19 | Itek Corp | Photographic metal salt transfer process |
| NL155055B (nl) | 1966-05-07 | 1977-11-15 | Philips Nv | Werkwijze voor het metalliseren van kiembeelden op elektrisch niet-geleidende dragers en dragers voorzien van aldus verkregen metaalbeelden. |
| US3663242A (en) * | 1970-09-25 | 1972-05-16 | Shipley Co | Stabilized electroless plating solutions |
-
1974
- 1974-02-22 NL NL7402422A patent/NL7402422A/xx not_active Application Discontinuation
-
1975
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- 1975-02-19 CA CA220,417A patent/CA1069367A/en not_active Expired
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