DE2210527B2 - Elektrode zum potentiometrischen messen von kupfer-ii-ionenaktivitaeten - Google Patents
Elektrode zum potentiometrischen messen von kupfer-ii-ionenaktivitaetenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft cmc Elektrode zum potentiometrischen
Messen von Kupfer(ll)-ioncnaktivitäten mit einem scheibenförmigen ionenselektiven Element aus
einem Gemisch von Metallchalkogeniden.
Tür derartige Elektroden sind bisher nur eine Sorte von Chalkogcniden benutzt worden, nämlich die Sulfide
(GB-PS 12 22 476. Anal. Chemistry. Vol. 41, 1969, S.
I09A - 11 3A, Analyiica Chimica Acta Vol. 51 [1970]. S.
209-212), und zwar trotz der Kenntnis der Fachwelt
von einer homologen Reihe von Chalkogeniden und bedeutsamer Entwicklungen neuer Techniken auf dem
Gebiet der ionenselektiven Membrane mit Hilfe der >s
neuen sogenannten Mischkrisialltcchnik.
Nach A. Ok a c. »Qualitative analytische Chemie«,
Leipzig 1960, S. 492 und 496. sind die chemischen Eigenschaften einer homologen Reihe wie Kupfer(I)-chalkogenide
sich ziemlich ähnlich, jedoch unlersehei- («>
den sich die physikalisch-chemischen Eigenschaften der Keramiken, die unier Verwendung von Kupfcr(I)chalkogcnidcn
und Silberchalkogenidcn hergestellt werden, in ihren Eigenschaften sehr erheblich von den
Keramiken der Kupfer(ll)-chalkogenide und Silbersulfi- <>s
de.
Die Aufgabe vorliegender Erfindung besteht darin, eine Elektrode zum potentiometrischen Messen von
K.upfer(II)-ionenaktivitäten zu schaffen, die sehr empfindlich auf K.upfer(II)-ionen anspricht und mit gleichbleibender Empfindlichkeit über einen weiten pH-Bereich verwendbar ist.
Gelöst wird diese Aufgabe dadurch, daß das Gemisch aus K.upfer(l)-chalkogenid mit Silbertellurid und/oder
Silberselenid besteht und gesintert ist.
Eine weitere Lösung besteht darin, daß das Gemisch aus Silberchalkogenid und Kupfer(I)-tellurid und/oder
Kupfer(I)-selenid besteht und gesintert ist.
Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind in den Unteransprüchen herausgestellt.
Überraschenderweise besitzt die keramische Membran, die durch Verwendung von Kupfer(I)-chalkogeni-
den und Silberchalkogeniden hergestellt worden ist, eine viel höhere Empfindlichkeit als die Membran, die
nach dem Stand der Technik mit Hilfe von Kupfer(II)-Sulfid-Silbersuliid oder Kupfer(I)-sulfid hergestellt worden ist. Durch die Erfindung wird eine Empfindlichkeit
bis zu einer Konzentration von weniger als 10"7 Mol/l
für die Elektrode erreicht (Tabelle 1 der Beschreibung). während die Empfindlichkeit für Elektroden bekannter
Zusammensetzung nur bis zu einer Konzentration von mehr als 10 -·>
Mol/l reicht (Analytica Chimica Acta Vol. 51 [1970], S. 209-212).
Durch die Erfindung wird ferner erreicht, daß die keramische Membranelektrode, die unter Verwendung
von Kupferchalkogeniden und Silberchalkogeniden hergestellt worden ist, über einen größeren Bereich von
pH-Werten verwendet werden kann als Elektroden auf der bekannten Kupfer(II)-sulfid- und Silbersulfid-Basis.
Die Potentiale der erfindungsgemäßen Elektroden ändern sich nicht über einen pH-Bereich von unterhalb
von Null bis einen pH-Wert, bei dem sich Kupfer(ll)-h\- droxid niederschlägt, während die Potentiale der
bekannten Elektroden sich bei einem pH-Wert von weniger als 2 bis 2,5 ändern. Damit ist der pH-Bereich
großer als bei herkömmlichen Elektroden.
Dieses Verhalten wird auf die geringere Löslichkeit
derjenigen keramischen Membrane, die Kupfer(l)-chalkogenidc und Silberchalkogenide in einer wäßrigen
Lösung mit Kupfer(ll)-ionen enthalten, zurückgeführt.
An Hand der Zeichnungen werden bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung näher erläutert.
In der Fig. 1 bezeichnet die Bezugsziffer 10 eine Selcktivelektrode als Ganzes, die eine Scheibe 1 mit
einer Materialzusammensetzung gemäß der Erfindung enthält. Der Leiter 3 ist von einem Isolierclraht 4
umschlossen. Die aus dieser Scheibe 1 und diesem Leiter 3. der teilweise von einem Isolierdraht 4 umschlossen ist.
bestehende Einheit ist von einem Gehäuse 2 so umhüllt, daß die andere Oberfläche der Scheibe 1 mit einer
Lösung 6 m Berührung steht. Das Gehäuse 2 im mit einem isolierenden harzartigen Material 5 gefüllt. Eine
Bezugselektrode 7, die teilweise in cc Lösung 6
eintaucht, ist mit einer Anschlußklemme eines Voltmeters 8 mit einer hohen Impedanz elektrisch verbunden.
Der Leiter 3 ist mit einer anderen Anschlußklemme dieses Voltmeters 8 elektrisch verbunden.
Eine Änderung hinsichtlich des Logarithmus der Kupfer(ll)-ionenaktivität in der Lösung 6 stellt in einer
im wesentlichen linearen Beziehung zu der Potentialändcrung
zwischen der Sclektivclektrode 10 und der Bezugselektrode 7. die beide teilweise in die Lösung 6
eintauchen. Man kann irgendeine zur Verfugung stehende und geeignete Elektrode, wie z. B. eine
gesättigte Kalomelelektrode oder eine Silber-Silberchloridelcktrode.
als Bezugselektrode 7 benutzen.
3°
Die Scheibe 1 hat vorzugsweise eine Materialzusammensetzung, die eine Kombination von 5 bis 60 Gew.-%
KUpfer(l)-chaIkoger.id und 40 bis 95 Gew.-% Silbertellurid
und/oder Silberselenid aufweist, oder eine Materialzusammensetzung, die eine Komoination von
40 bis 95 Gew.-% Silbersulfid und b bis 60 Gew.-% Kupfer(I)-tellurid und/oder Kupfer(I)-selenid aufweist.
Eine Materialzusammensetzung aus einer Kombination von mehr als 95 Gew.-°/o Kupfer(l)-chalkogenid und
weniger als 5 Gew.-% Silberchalkogenid führt zu einer ,0
geringen Empfindlichkeit der erhaltenen Elektrode und zu einem veränderlichen Potential, das gegenüber dem
Vorhandensein vor· statischen Ladungen empfindlich ist.
Eine Materialzusammensetzung aus einer Kombination von weniger als 5 Gew.-% Kupfer{I)-chalkogenid is
und mehr als 95 Gew.-% Silberchalkogenid führt zu einer geringen Empfindlichkeit und einer langen
Ansprechzeit der erhaltenen Elektrode.
Unter Kupfer(l)-chalkogenid üind hier Kupfer(I)-sulfid,
Kupfer(l)-selenid und Kupfer(l)-tellurid zu verstehen.
Als Materialzusammensetzung wird hier die Zusammensetzung
des aus den Ausgangsstoffen bestehenden Materials vordem Erhitzen verstanden.
Ein besseres Ergebnis wird durch Anwendung einer 2s
Materialzusammensetzung erzielt, bei der das Silbersul fid wenigstens ein Mitglied der aus Silberselenid und
Silbertellurid bestehenden Gruppe enthält, wobei das
Gewichtsverhälinis zu dem ein^n genannten Mi'died
der Gruppe in einem Bereich von 1 bis 10 liegt. Diese Materialzusammensetzung führt zu einer großen
Empfindl'chkeit und einer kurzen Ansprechzeit der erhakenen Elektrode.
Eine bevorzugtere Materialzusammensetzung weist eine Kombination von im wesentlichen 10 bis 30 ^5
Ge\v.-% Kupfer(l)-tellurid und 70 bis 90 Gew.-%
Silbersulfid auf.
Eine längere Betriebslebensdauer kann erzielt werden,
wenn die Scheibe mit einer Edclmetallelektrode versehen w>rd, wie z. B. mit einer Gold-, Palladium- oder
Platinelcktrode. In der Fig. 2 weist die Scheibe 1 eine
Edelmetallelektrode 9 auf. und zwar ist diese auf der einen Oberfläche der Scheibe 1 angebracht. Ein Leiter
wird mit der Edelmetallclektrodc 9 nach einem zur Verfügung stehenden und geeigneten Verfahren, wie
z. B. durch Verlöten, leitend verbunden. Diese Edelmetallclektrode
kann z. B. durch Vakuumaufdampfen einer Edelmetallschicht oder durch Auftragen einer im
Handel erhältlichen Edelmetallfarbe hergestellt werden.
Die Scheibe, die für eine Verwendung in der so Selektivelektrode vorgesehen ist, kann durch Erhitzen
eines verpreßten Körpers aus einem Gemisch mit einer bestimmten Materialzusammensetzung nach einem auf
dem Gebiet der Keramik üblichen Verfahren erhalten werden.
Ein Gemisch von den Ausgangsstoffen in Form eines feinen Pulvers mit einer bestimmten Materialzusammensetzung
gemäß der Erfindung wird in einem Trockenverfahren mittels einer geeigneten und zur
Verfügung stehenden Vorrichtung gut vermischt und mit einem Druck von 100 bis 20 000 kg/cm2 zu einer
Scheibe mit der gewünschten Form verpreßt. Die verpreßte Scheibe wird bei einer Temperatur von 100
bis 6000C 1 Stunde bis 10 Stunden lang erhitzt, und zwar
vorzugsweise in einer nichtoxidierenden Atmosphäre, <>>
wie z. B. in Stickstoff oder Argon. Die Elektrode gemäß der Erfindung kann bei Temperaturen von 0 bis 95°C in
7tivnrlässii?er Weise benutzt werden. Das gemessene
Potential steht im wesentlichen in einer linearen Beziehung zu dem Logarithmus der Kupfer(Il)-ionenaktivität
Viele Art2n verschiedener Ionen, wie z. B. Natrium-,
Kalium-, Calcium-, Magnesium-, Nickel-, Kobalt-, Aluminium-, Zink-, Blei-, Kadmium-, Chlorid-, Sulfat-
und Perchlorationen, können geduldet werden und während der Messung der Kupfe^ll)-ionenaktivkät
ebenfalls vorhanden sein. Eisen-, Silber-, Quecksilber-. Iodid- und Sulfidionen sollten jedoch aus der zu
messenden Lösung entfernt werden.
Beispiel 1
Ein Gemisch aus 25 Gew.-% Kupfer(l)-tellurid und 75 Gew.-% Silbersuifid wird nach einem Trockenverfahren
gut vermischt und mit einem Druck von 10 000 - 20 000 kg/cm2 zu einer Scheibe mit einem
Durchmesser von 15 mm und einer Dicke von 3 mm verpreßt. Die verpreßte Scheibe wird bei 400 C
2 Stunden in einem reinen Stickstoffgasstrom mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 0,2 Liter/Minute erhitzt.
Die gesinterte Scheibe wird an beiden Oberflächen mit Siliciumcarbidschleifmaterial und dann mit Diamantpaste
bis zu einer Dicke von 2 mm geschliffen. Die geschliffene Scheibe wird an der einen Oberfläche mit
einer Goldelektrode versehen, die aus Goldfarbe erhalten worden ist. Die geschliffene Scheibe wird, hei
der Goldelektrode, mit einem Leiter verbunden, der teilweise von einem Isolierdraht umhüllt ist, und wird in
einem Gehäuse aus Polyvinylchloridharz befestigt. Das Gehäuse wird mit Epoxyharz gefüllt, um so eine
Selektivelektrode auszubilden, wie sie in der F 1 g. 1 dargestellt ist. Eine Baueinheit aus der Selektivelektrodc
und einer gesättigten Kalomelelektrode als Bezugselektrode wird in e>ne wäßrige Lösung jus reinem
Kupfer(ll)-nitrat bei 25°C eingetaucht. Das Potential
zwischen der Selektivelektrode und der Kalomelelektrode wird mit einem für eine pH-Meßvorrichiiing
geeigneten Voltmeter gemessen.
Die Verrichtung mißt die Kupfer(ll)-ionenakti\itiit mit einer großen Empfindlichkeit, wie der Tabelle I zu
entnehmen ist.
| Kupfcr(ll)- | ionenaktivilät. M | l'iiiemial. 111 \ |
| 10 ' | 20 | |
| 10 2 | - M | |
| 10 j | -38 | |
| 10 4 | -t>7 | |
| 10 ■ | - 46 | |
| 10 '-■ | - 12b | |
| 10 -z | - 1 5b | |
| 10 8 | - 1 7 5 | |
| Beispiel 2 |
(K) Die Vorrichtung zum Messender Kupfer(ll)-ionenaktivitäl
wird nach der in dem Beispiel 1 beschriebenen Weise hergestellt. Die Scheibe dieses Beispiels 2 enthiilt
Kupfer(l)-sulfid und Silbertellurid. Das Verfahren zur Herstellung dieser Scheibe entspricht dem des Beispiels
1. Das Potential zwischen der Selektivelektrode und der gesättigten Kalomelelektrode in einer wäßrigen Lösung
von reinem Kupfer(ll)-nitrat wird nach dem in dem
Beispiel 1 beschriebenen Verfahren gemessen. Die Vorrichtung mißt die Aktivität der Kupfer(ll)-ionen mit
einer großen Empfindlichkeit, wie der Tabelle Il zu entnehmen ist.
| Tabelle | 11 . | 5 :95') | 25:75*) | 90 : K)*) |
| Kupfer | 11 | 12 | 18 | |
| ionen | Potential. mV | -18 | -17 | -10 |
| aktivität. | -46 | -46 | -40 | |
| M | -75 | — 75 | -69 | |
| 1O': | 1 :99') | -104 | -105 | -98 |
| \02 | 7 | -133 | -134 | -126 |
| 10 3 | -10 | -161 | -162 | - 148 |
| io-4 | -30 | -165 | -178 | -162 |
| ΙΟ"5 | -52 | . von Kiipfcr(l)siilfid zu | Silbcrtellurid | |
| 10"* | -75 | |||
| ΙΟ"7 | -92 | |||
| 10 8 | -103 | |||
| -103 | ||||
| M Clou ichtsverhüllnis | ||||
K.upfer(ll)-nitrai wird nach dem in dem Beispiel 1
beschriebenen Verfahren gemcssei . Die Vorrichtung mißt die Aktivität der Kupfer(!l)-ioncn mit einer großen
Empfindlichkeit, wie der Tabelle IV zu entnehmen ist.
| Kupfer- (H)- ionen- |
Potential. | mV | 25 :75·) | 60:40' | ) 90:10') |
| aktivität. | 10 | 13 | 20 | ||
| M | -17 | -13 | -3 | ||
| io-1 | 1 :99·) | 5 :M5') | -46 | -37 | -27 |
| 10~2 | _5 | 5 | -/5 | -66 | - 5b |
| IO3 | -25 | -23 | -104 | -96 | -84 |
| io-4 | -46 | -29 | -133 | -125 | - 113 |
| ΙΟ"5 | -68 | -78 | -160 | -153 | -127 |
| ίο-* | -93 | -107 | - 178 | -163 | -127 |
| 10 ? | -113 | -136 | unferill-ielliirid /u | Silherseloni | |
| ΙΟ"8 | -121 | -163 | |||
| M (icwic | -123 | -173 | |||
| hts\ erhä'lin | is von K | ||||
Die Vorrichtung zum Messen der Kupfer(Il)-ionenaktivität
wird nach der in dem Beispiel 1 beschriebenen Weise hergestellt. Eine Scheibe dieses Beispiels 3
enthält Kupfer(l)-sulfid und Silbertellurid Das Verfahren zjr Herstellung dieser Scheibe entspricht dem des
Beispiels 1. Das Potential zwischen der Selektivelektrodc und der gesättigten Kalomelelektrode in einer
wäßrigen Lösung von reinem Kupfer(II)-nitrat wird nach dem in dem Beispiel 1 beschriebenen Verfahren
gemessen. Die Vorrichtung mißt die Aktivität von Kupfer(ll)-ionen mit einer großen Empfindlichkeit, wie
in der Tabelle 111 angegeben ist.
Beispiel 5
Die Vorrichtung zum Messen der Kupfer(ll)-ioncnak tivität wird nach der in dem Beispiel 1 beschriebene!
Weise hergestellt. Eine Scheibe dieses Beispiels : enthält Kupfer(l)-selcnid und Silberselenid als Aus
gangsmatcrialien. Das Verfahren zur Herstellung diese
Scheibe entspricht dem des Beispiels 1. Das Potcntia /wischen der Selcktivelektrode und der gesättigte!
Kalomelelektrode in einer wäßrigen Lösung von reinen Kupfer(Il)-nitrat wird nach dem in dem Beispiel
beschriebenen Verfahren gemessen. Die Vorrichtung mißt die Kupfer(ll)-ionenaktivität mit einer große! Empfindlichkeit. wiederTabelle V zu entnehmen ist.
beschriebenen Verfahren gemessen. Die Vorrichtung mißt die Kupfer(ll)-ionenaktivität mit einer große! Empfindlichkeit. wiederTabelle V zu entnehmen ist.
Kupfer- Potential, mV
| Tabelle | _ ' | 10 | Potential. | mV | 25 :75* | ) 60:40*) | 90: 10*) | (III- | 1 :99*) | 5 :95*) | 25 :75 | 55 | Beispiel | ") M):40* | ) 90:10*) |
| 10""2 | ■*° ioncn- | ||||||||||||||
| Kupfer- | 10 | 23 | 24 | 29 | aktivitäl. | -1 | 10 | 17 | 20 | 21 | |||||
| (»)■ | ΙΟ'4 | _2 | -2 | 4 | M | -20 | -8 | -11 | - 7 | — 5 | |||||
| ionen- |
ίο-6
ίο-7 |
I :99*) | 5:95*) | -31 | -28 | -22 | -34 | -35 | -40 | -35 | -31 | ||||
| aktivität. | ίο-8 | -60 | -57 | -48 | ΙΟ"1 | -57 | -64 | -70 | -64 | -59 | |||||
| M | 14 | 16 | -89 -118 -132 |
-87
-115 -135 |
-75 -95 -99 |
45 10 2 | -79 | -93 | -99 | -93 | - 85 | ||||
| -3 | -10 | -138 | -140 | -99 | 10 3 | -100 | - 122 | - 127 | -122 | -99 | |||||
| -24 | -38 | Kupfei-m | ■sclenid zu | Silbcrsulfid. | -103 | -145 | -138 | -138 | -101 | ||||||
| -43 | -66 | IO5 | IO8 -107 -163 -148 *) Gewichisverhältnis von Kupfer(l)- |
-143 sclenid /u |
-101 Silbersclenii |
||||||||||
| -68 -79 -88 |
-93 -117 -138 |
10"b | 6 | ||||||||||||
| -93 | -143 | 50 10- 7 | |||||||||||||
| rhtsvcrhältnis von | |||||||||||||||
Beispiel 4 Die Vorrichtung zum Messen der Kupfer(II)-ionenak-
Weise hergestellt. Eine Scheibe dieses Beispiels 4 ist aus Kupfer(I)-tellurid und Silberselenid als Materialzusammensetzung (Gemisch der Ausgangsmaterialien) hergestellt worden. Das Verfahren zur Herstellung dieser fts
Scheibe entspricht dem des Beispiels 1. Das Potential zwischen der Selektivelektrode und der gesättigten
Kalomelelektrode in einer wäßrigen Lösung von reinem
Die Vorrichtung zum Messen der Kupfer(H)-ionenak
tivität wird nach der in dem Beispiel 1 beschriebene Weise hergestellt. Eine Scheibe dieses Beispiels
enthält 25 Gew.-% Kupfer(J)-tellurid, 35 Gew.-0/ Silberselenid und 40 Gew.-°/o Silbersulfid- Das Verfar
Beispiels 1. Das Potential zwischen der Selektivelektrc de und einer gesättigten Kalomelelektrode in eine
wäßrigen Lösung von reinem Kupfer(ll)-nitrat wir nach dem in dem Beispiel 1 beschriebenen Verfahre
gemessen. Die Vorrichtung mißt die Kupfer(H)-ioner aktivität mit einer großen Empfindlichkeit wie de
Tabelle Vl zu entnehmen ist
| tabelle VI | Potential, mV | Tabelle VlI | Poicntial, mV |
| Kupfer(II)-ionenaktivität, M | __3 | Kupfer(ll) ioncnaklivität. M | -15 |
| 10-' | -3Ί | s 10-' | -40 |
| ίο-2 | -59 | -68 | |
| ίο-3 | -88 | 10 ■» | -97 |
| ίο-4 | -117 | ίο-4 | -127 |
| 10-5 | -146 | ίο-5 | -156 |
| 10-b | -175 | ίο 10-* | -182 |
| 10-7 | -195 | io-; | -195 |
| 10-« | io-x | ||
Die Vorrichtung zum Messen der Kupfer(ll)-ionenaktivität
wird nach der in dem Beispiel 1 beschriebenen Weise hergestellt. Eine Scheibe dieses Beispiels 7
enthält 15 Gew.-% Kupfer(I)-sulfid, 15 Gew.-% Kupfer(l)-tellurid, 50 Gew.-% Silbersulfid und 20
Gew.-% Silberselenid als Ausgangsmaterialien. Das Verfahren zur Herstellung dieser Scheibe entspricht
dem des Beispiels 1. Das Potential zwischen der Selektivelektrode und der gesättigten Kalomelelektrode
in einer wäßrigen Lösung von Kupfer(ll)-nitrat wird nach dem in dem Beispiel 1 beschriebenen Verfahren
gemessen. Die Vorrichtung mißt die Kupfer(U)-ionenaktivität mic einer großen Empfindlichkeit, wie der
Tabelle VIl zu entnehmen ist.
Die Vorrichtung zum Messen der Kupfer(ll)-ionenaktivität
wird nach der in dem Beispiel 1 beschriebenen Weise hergestellt. Eine Scheibe dieses Beispiels 8
enthält 10 Gew.-% Kiipfer(I)-i.elenid, 15 Gew,%
Kupfer(l)-tellurid und 75 Gew.-% Silbersulfid al» Ausgangsmatcrialien. Das Verfahren zur Herstellung
dieser Scheibe entspricht dem des Beispiels 1. Da; Potential zwischen der Selektivclektrode und dei
gesättigten Kalomelelektrode in einer wäßrigen Lösung
von Kupfcr(ll)-nitrat wird nach dem in dem Beispiel
beschriebenen Verfahren gemessen. Die Vorrichtunj mißt die Kupfer(II)-ionenaktivität mit großer Empfind lichkeil, wie der Tabelle VIII zu entnehmen ist.
beschriebenen Verfahren gemessen. Die Vorrichtunj mißt die Kupfer(II)-ionenaktivität mit großer Empfind lichkeil, wie der Tabelle VIII zu entnehmen ist.
| Tabelle VIII | Hierzu 1 Blatt Zci | Potential. mV |
| Kiipfer(ll)-ionenaktivit;ii, M | -20 | |
| 10 ' | -48 | |
| ίο--1 | -106 | |
| ίο-4 | -135 | |
| ι ο -s | -165 | |
| 10 h | -191 | |
| 10 7 | -204 | |
| IO « | ehnungen |
Claims (7)
1. Elektrode zum potentiometrischen Messen von Kupfer(II)-lonenaktivitäten mit einem scheibenförmigen ionenselektiven Element aus einem Gemisch
von Metallchalkogeniden, dadurch gekennzeichnet, daß das Gemisch aus Kupfer(I)-Chalkogenid mit Silbertellurid und/oder Silberselenid
besteht und gesintert ist.
2. Elektrode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Gemisch 5 bis 60 Gew.-%
Kupfer(l)-chalkogenid und 40 bis 95 Gew.-% Silbertellurid und/oder Silberselenid enthält.
3. Elektrode zum potentiometrischen Messen von Kupfer(Il)-lonenaktivitäten mit einem scheibenförmigen ionenselektiven Element aus einem Gemisch
von Metallchalkogeniden, dadurch gekennzeichnet, daß das Gemisch aus Silberchalkogenid und
Kupfer(I)-te]lurid und/oder Kupfer(l)-selenid besteht und gesintert ist.
4. Elektrode nach Anspruch 3. dadurch gekennzeichnet, daß die Mischung 40 bis 95 Gew.-%
Silberchalkogenid und 5 bis 60 Gevv.-% Kupfer(l)-tellurid und/oder Kupfer(l)-selenid enthält.
5. Elektrode nach Anspruch 2. dadurch gekennzeichnet,
daß das Kupfer(I)-chalkogenid im wesentlichen mindestens aus Kupfer(l)-sulfid. K.upfer(I)-selenid
oder Kupfer(l)-tellurid besieht.
fa. Elektrode nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß das Silberchalkogenid aus Silbersulfid mit Silberselenid und/oder Silbertellurid besteht, und
daß das Gewichtsverhältnis des Silbersulfids zum Silberselenid und/oder Silbertellu-id im Bereich vor
I bis 10 liegt.
7. Elektrode nach Anspruch 3. dadurch gekenn zeichnet, daß das Gemisch im wesentlichen aus 10
bis 30 Gew.-"/» Kupfer(l)-tcllurid und 70 bis 90 Gew.-% Silbersulfid besteht.
40
Applications Claiming Priority (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1112471 | 1971-03-02 | ||
| JP1112471A JPS5147073B1 (de) | 1971-03-02 | 1971-03-02 | |
| JP1112571A JPS5212592B1 (de) | 1971-03-02 | 1971-03-02 | |
| JP1112571 | 1971-03-02 | ||
| JP1140971 | 1971-03-03 | ||
| JP1140871A JPS5241679B1 (de) | 1971-03-03 | 1971-03-03 | |
| JP1140971A JPS5147074B1 (de) | 1971-03-03 | 1971-03-03 | |
| JP1140871 | 1971-03-03 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2210527A1 DE2210527A1 (de) | 1976-10-07 |
| DE2210527B2 true DE2210527B2 (de) | 1976-10-07 |
| DE2210527C3 DE2210527C3 (de) | 1977-05-26 |
Family
ID=
Also Published As
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 |