DE2134385A1 - Maskier verfahren für Halbleiteranordnungen - Google Patents
Maskier verfahren für HalbleiteranordnungenInfo
- Publication number
- DE2134385A1 DE2134385A1 DE19712134385 DE2134385A DE2134385A1 DE 2134385 A1 DE2134385 A1 DE 2134385A1 DE 19712134385 DE19712134385 DE 19712134385 DE 2134385 A DE2134385 A DE 2134385A DE 2134385 A1 DE2134385 A1 DE 2134385A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- silicon
- opening
- openings
- silicon nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
- H10W20/40—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Weting (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US5381370A | 1970-07-10 | 1970-07-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2134385A1 true DE2134385A1 (de) | 1972-02-03 |
Family
ID=21986720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19712134385 Pending DE2134385A1 (de) | 1970-07-10 | 1971-07-09 | Maskier verfahren für Halbleiteranordnungen |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| BE (1) | BE769785A (enExample) |
| DE (1) | DE2134385A1 (enExample) |
| FR (1) | FR2145352A1 (enExample) |
| NL (1) | NL7109327A (enExample) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2425756A1 (de) * | 1973-05-29 | 1975-01-09 | Texas Instruments Inc | Verfahren zur selektiven maskierung einer substratoberflaeche waehrend der herstellung einer halbleitervorrichtung |
| FR2382770A1 (fr) * | 1977-01-26 | 1978-09-29 | Mostek Corp | Procede de formation de tres petites ouvertures de contact dans un dispositif de circuit integre |
-
1971
- 1971-07-06 NL NL7109327A patent/NL7109327A/xx unknown
- 1971-07-07 FR FR7124909A patent/FR2145352A1/fr not_active Withdrawn
- 1971-07-09 DE DE19712134385 patent/DE2134385A1/de active Pending
- 1971-07-09 BE BE769785A patent/BE769785A/xx unknown
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2425756A1 (de) * | 1973-05-29 | 1975-01-09 | Texas Instruments Inc | Verfahren zur selektiven maskierung einer substratoberflaeche waehrend der herstellung einer halbleitervorrichtung |
| DE2425756C2 (de) * | 1973-05-29 | 1987-01-29 | Texas Instruments Inc., Dallas, Tex. | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
| FR2382770A1 (fr) * | 1977-01-26 | 1978-09-29 | Mostek Corp | Procede de formation de tres petites ouvertures de contact dans un dispositif de circuit integre |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BE769785A (fr) | 1972-01-10 |
| NL7109327A (enExample) | 1972-01-12 |
| FR2145352A1 (en) | 1973-02-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69122436T2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Stufe in einer integrierten Schaltung | |
| DE3021206C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Leiterbahnen auf Halbleiterbauelementen | |
| DE2424338C2 (de) | Verfahren zum Aufbringen von Mustern dünner Filme auf einem Substrat | |
| DE2153103B2 (de) | Verfahren zur Herstellung integrierter Schattungsanordnungen sowie nach dem Verfahren hergestellte integrierte Schaltungsanordnung | |
| DE3851125T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit Schaltungsmaterial gefüllter Rille. | |
| DE2729171C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung | |
| DE2511925A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer vielzahl von halbleiterbauteilen | |
| DE69315278T2 (de) | Anschlussflächen-Struktur einer integrierten Schaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE3024084A1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen | |
| EP0005185A1 (de) | Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen von Schottky-Sperrschichtdioden und ohmschen Kontakten nach dotierten Halbleiterzonen | |
| DE2149766A1 (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE2633714C2 (de) | Integrierte Halbleiter-Schaltungsanordnung mit einem bipolaren Transistor und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE1764378C3 (de) | Integrierte Randschichtdiodenmatrix und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE3544539C2 (de) | Halbleiteranordnung mit Metallisierungsmuster verschiedener Schichtdicke sowie Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE69622339T2 (de) | Verfahren zum herstellen einer einrichtung, bei der ein substrat mit halbleiterelement und leiterbahnen auf ein trägersubstrat mit metallisierung aufgeklebt wird | |
| DE2020531C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Silizium-Höchstfrequenz-Planartransistoren | |
| DE2451486A1 (de) | Verfahren zum herstellen kleinster oeffnungen in integrierten schaltungen | |
| DE2703618A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer integrierten halbleiterschaltung | |
| DE2134385A1 (de) | Maskier verfahren für Halbleiteranordnungen | |
| DE1929084C3 (de) | Ätzlösung für ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes | |
| DE2331393A1 (de) | Verfahren zum herstellen von torelektroden aus silicium und aluminium bei feldeffekttransistoren | |
| DE2453528C2 (de) | Maskierungsverfahren | |
| DE2425756C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| DE1564136C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen | |
| DE2140023A1 (de) | Halbleiteranordnung auf einem Halbleiterträger und Verfahren zu deren Herstellung |