DE2116389A1 - Lösung und Verfahren zur Aktivierung von Oberflächen für die Metallisierung - Google Patents
Lösung und Verfahren zur Aktivierung von Oberflächen für die MetallisierungInfo
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Description
OWfICk' ti; MC; -j-
Berlin, den 29. März I9
Lösung und Verfahren zur1 Aktivierung von Ober
flächen für die Metallisierung ._
D-It.- r.riirvJuj.!-.!=;; betrifft eine LöEuiif- jLur· L\.Llvi^rung von inst.;·---
sondere nichtleitenden Oberflächen für die anschließende chemische
Metall.! sierung und gegebenenfalls galvanische Verstärkung
dieses Überzuges sowie ein Verfahren sur Metallisierung
unter Verwendung dieser Lösung.
Die Metallisierung von insbesondere nichtleitenden Oberflächen erfordert bekanntlich eine Vorbehandlung, für die bereits verschiedene
Verfahren bekanntgeworden sind.
So werden deren Oberflächen nach dem Beizen mit Chromschwefelsäure
mit Lösungen von Palladiumchlorid, Platinchlorid oder Goldchlorid und darauf mit einer Reduktionslösung behandelt,
v/eiche die Edelmetallionen zum Metall reduziert.
Nach einer anderen Methode verwendet man kolloidale Edelmetalllösungen,
welche die Oberflächen bereits ohne nachfolgende Reduktion katalysieren.
Auf den durch diese Verfahren katalysierten Oberflächen lassen sich dann durch weitere Behandlung mit Metallsalzlösungen und
Einwirkung eines Reduktionsmittels stromlos haftfeste Metall-
.-überzüge abscheiden. 209844/0933
''-'■■ ■■'. ■".'V-.7.Vi ' „2-
Dr. ror. nut. Ccrl.ard Ro.po · Ür.-li.-j. Horst Wltzol SIU dor GosclUchait: Soilln und Borqkamn! Po»tficli 53
Handu'^og.Moru.r.irrour.jior.: AO Ci«r|oHenburo 03 HRH 583 und AG Καιηοπ 5 ΗΓ·!3 71 Po'tid.öcK : U. rü-i V/a M1 ;::
SAD OBIGlNAL
^9· J'iarz 197-ί-
Diese Methoden der Metallisierung dienen vorwiegend zur Herstellung
von gedruckten Schaltungen., dielektrischen Trägern und sind daher von großer Bedeutung für die Elektroindustrie.
Ein Nachteil der bekannten Methoden bestellt jedoch z. B. darin.,
daß bei getrennter Verwendung vor: Pi-Qledi'/.^orlorid als KüeÜMO-tallsalz
und von Zinn-II-chlorid als Reduktionsmittel nur die
Aktivierung von sogenannt em unkaschiei-tem, d. h. kupfer.VieteilfrGiern,
Trägermaterial möglich ist, da andernfalls eine Ausfällung
des Edelmetalles erfolgen v/ürde.
Aktivierungslösungen, Vielehe sowohl das Edelmetallsalz a.ls auch
das Reduktionsmittel enthalten, viel Gen andererseits den Nacht·';:'./
einer besonderen Empfindlichkeit gegenüber Frendionen und sonstigen
Verunreinigungen auf, Vielehe zu einer irreversiblen Koagulation des Edelmetalles führen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine stabile Aktivierungslösung
zu entwickeln, welche in Gegenwart von Kupfermetall und unedleren Metallen nicht zur Ausfällung des Edelmetalles
neigt und gegenüber Fremdionen und sonstigen Verunreinigungen unempfindlich ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch Verwendung einer Lösung gelöst, welche gekennzeichnet ist"durch einen Gehalt an
mindestens einer Komplexverbindung eines Edelmetalles der I. oder VIII. Nebengruppe des Periodischen Systems der Elemente
209844/0933
BAD ORIGINAL
-J- ν
9 1 1P^PQ Poteuliibteiiunq
i~ I I Kj ν- (J U ,;-. I':;-,,.
nit einc;r N-lial tigon Verbindung.
Als derartige Komplexverbindungen lassen sich ζ. B. solche der
allgemeinen Formel
Mc - (L)x - A
verwenden, in der Mo ein Edelmetall dor I. oder· VIII. Mcben.,;r'V.
;.:o UCG ror-jodischen Systems aor Elemente, L einen li-halti^en -..
ü^naniöc-jioxi oder organisclien liest, K eine gs-n;:e Zahl von mind^
stens 1, vorzugsweise 2 bis H3 und i-\ einen anorganischen oder
irganisohen Säurerest darstellt.
In üioccr· For::;ol bedeutet rie νΓοι·:ύυ._ί·ν;&: ce Silber, Gold, Fall':
iuiii, Platin, Os:niu:.;, Iridium und K;iodiu;n.
Die Bindung zwischen dem Metall und den Liganden ist koordinativ.
Die Wertigkeit der Metalle im Komplex kann vorzugsweise ν; ie folgt sein: Ag , Au ,Pd ,Pt ,Os ,Os ,Ir una
Rh
Irn einzelnen sind als N-haltige Liganden La. B. zu nennen:
Ammoniak sowie primäre, sekundäre und tertiäre Amine.
Als solche korrur.en z. 3. infr^o: ?lirhatische oder cycloaliphatische
«-lone-, Di- oder Polyamine sowie deren Hydro:·:-/-,
Carboxy-, SuIfο- und/oder Phosphoryl-Derivate, aromatische
Mono-, Di- oder Polyamine oder deren Hydroxy--, Carboxy-, Svlfo
und/oder Fhosphoryl-Berivate, heterocyclische Mono-, Di- oder
2 O 9 s £ W r- c Q 3
■ 'J _}
SAD ORIGiHAL
7 1 1 R Ί R Q Patentabteiiung
^ I I D 003 29# j.;är3 1971
Polyamine oder deren Hydroxy-, Carboxy·- und/oder SuIfo-Derivate
sowie N-haltige ein- oder mehrkernige heterocyclische Verbindungen
oder deren Hydroxy--, Carboxy- und/oder Sulfo-Derivate,
Diese Amine und ihre Derivate können durch Radikale, wie z. B. die Alkyl- oder Nitrilo^ruppe u.a., substituiert sein.
Als derartige Amine sind ζ. :ΰ. folgende, zu nennen: A.:;,.icv)iak,
Methylamin, Ä'thylamin, «Propylamin, Butylarain, iithyleiidiamin,
Propylendiamin j I.sopropylendiarnin, Toti'8.methylendia:nin, Oc ts.-methylendiarnin,
Piperidin, Piperazin, Pyrrolidin, Eenzylar.'in,
Diäthylentriamin, A'thylendiamintetrr.essigsäure, Butylcndiainintetraessigsäure,
Hexajiiethylendiaraintetraessigsäure, Octajpethylendiarnintetraessigsäure,
Nitrilotriessigsäure, Iminodiessigsäure, A'thylendiamin-IJ. N! -dipropioiißl'.'-rre, ITexr^it-thy lend:· ar.: Λ η-N,Ν'
-dipropionsäure, "A'thylendiarain-tetrakis-isopropaiiol, Athylei.
diamin-tetrakisäthanol, Triäthanolarain, Ä'thanolaruin, o-Phenjrldiamin,
Anilin, Toluidin, Triethylamin, Tributylamin, N,N,Ν!,Ν!-
Tetramethyl-äthylendiamin, N,N1-Dirnethyl-äthylendiamin, N,N-Dimethyl-äthylendiarnin,
N-Methyl-äthylendiarnin, Diäthy] a;nin,
Dibutylamin.
Imidazol, 1-Methyl-imidazol, l-Propyl-imidazol, 2,4-Dimethylimidazol,
4-Methyl-imidazol, 2-Isopropyl-imidazol, 2-Phenylimidazol,
1-Benzylimidazol, ß-Imidazolopropionsäure, 1,2-Dimethyl-imidazol,
1-Methy1-2-hydroxymethy1-imidazol, 4-Sulfoimidazol,
2-Methyl-'l4-sulfo-irnidazol, 2-(SuIf ο phenyl )-inidazol}
2-Isopropyl-4-sulfo-imidazol, l-n-Propyl-5-sulfo-imidazol,
2 O 9 8 A U i O 9 3 3
-5- SCHERiNG AG
29. Harz 1971
l-n-Propyl-4-sulfo-imidazol, l,2-Bis~(l'-imidazolyl)-äthan,
1-(p-Sulf ophenyl )-irnidazol, Histidin, 2-(Imidazolo-äthyl )-pyridin,
l-(2I-Arainoäthyl)-irnidazol-hydrochloridi l-(5'-Arnincpi-'opyl)-iir.idazol-hydrochlorid,
l-Methyl-2-carboxymethyl~imida-.,οΐ,
2-(p-Sulf ophenyl)~4-suli'o--irnidazol, 1.-Methyl-2-sulfoi.'iiidazol,
2-Sulfoir.iidaz-ol^ l,2-Bis-(l!-niethyl-5I -imda.zoj.yl)-äthan,
S-Sulfo-benzimidazol, 5i7-üisulfobenzimld.o,zolj 1,2-Eis-(1J) !
-sulf obenziraidazolyl-(2' ) )-äthan, Ij 4-3is--(5f -sulf obenziriiiü9zolyl-(2l
))-butani Polyvlnylimidazol (Polynierisationsgrad
= 2 bis 5°0)j Polyallylirnidazol (Polymerisationsgrad =
2 bis 5^0), 3j5-Dii!'ethylpyrazol_, 4-Sulfopyrazol, 1-Methylpyrazol,
p-^ö^hylpyrazol, l,5~Dimethylpyrazol, 1-Phenylpyrazol,
l-Carboxynethyl-pyrazol., 1-Carboxyäthyi-pyrazol, 1-Aiainoäthylpyrazol-hydrochlorj-dj
l-Aminopropyl-pyrazol-hydrochlorid,
3,51-Dipyrazolyl, I3 J-Dimethyl-S-hydroxy-pyrazol, l~Phenyl-2-methyl-5-hydroxy-pyrazolj
1-(p-Sulfophenyl)-3-methyl-5-hydroxypyrazolj
l-(m-Sulfophenyl)-3-methyl-5-hydroxy-pyrazol, l-(p-Aminophenyl)-5-methyl-5-hydroxy-pyrazol,
l-(p-Chlorphenyl)-5-methyl-5-hydroxy-pyrazol,
1-(p-Sulfophenyl)-J-carboxy-S-hydroxy-pyrazol,
l,2-Bis-(l'-pyrazolyl)-äthanJ 7-Sulfo-benzpyrazol,
1-Carboxyäthyl-benzpyrazol, l,2-Bis-(3I-pyi'ia2o.lyl)-äthan,
Di-(^-pyrazolyl)-methan.
Pyridin, 2-Aminopyridine 3-Aminopyridin, 4-Aminopyridin, 2-Hydroxypyridin,
J-Hydroxypyridin, 4-Hydroxypyridin, 2,6-Diaminopyridin,
2,2-Diaminopyridin, 5,4-Diamino-pyridin, 2-Aminornethyl-pyridin,
5-Arninomethyl-pyridin, 4-Aminoroethyl-pyridin,
2098A A/0933
I I I D O O
Patentabteilung
29. März I971
4-Picolin, jJ-Picolin, 2-Picolin, 2,6-Lutidin, 2,4-Lutidin,
5-Pyriclinsulfonsäure, 2^2! -Dipyridyl, ^,4f-Dipyridyl, 1,2-Di- ·
(2'-pyridyl), 2,2t-DipyridylmethanJ 2,2t-Dipyridyl-amln,
1,2-Dihydroxy-l,2-di-(2'-pyridyl)-äthan, 2,2'-Dipyridyl-äthylen,
K1 k' -Dipyridyl-äthylen, J-SuIf 0-5,5f -dipyridyl, 1,2-Di-(^' -pyridy
1) - äthan.'
2-Amino-pyr:LmidinJ 2,4,6-Triair.ino-pyrirniüin, 1,4-Di::iothyl-i.-yrimidin,
1,5-Dirnethyl-pyrxmidin, 4,5-Dimethylpyrimidin, 4,C-I)I-methylpyrimidin,
2,4-Bis-(diäthylarnino)-pyrimidin, 3,G-SIs-(dime
thy larnino )-pyrimidin, 3,6-Bis-(äthylamino)-pyrin,iäirj,
2-IIydroxypyrimidin, 4-Hydroxypyrimidin, 4, ^-Dihydroxy-pyrir.iidin,
Barbitursäuren CytoGin, Pyrimidin, Bis-(2-rnethyl-T4-pyri:.;:.c;y?_),
2,2'-Dipyrimidyl, 4,4'-Dipyrirnidyl, Uracii, 5-Kethyl-cytcsin,
2-Methyl-pyrimidin, 2-Xthyl-pyrimidin, 2-Phenyl-pyrimidin,
2-Amino-6-äthyl-pyrimidin, 2-Amino-6-methyl-pyrimidin, 2-Ar:iino-5-itiethoxy-pyrirnidin,
2-Amino-4-hydroxy-pyrimidin, 2-Carboxypyriraidin,
5-Carboxyrnethyl-pyrimidin, 2-Carboxymethyl-5,6-diraethyl-pyriraidin,
2-Methyl-5-carboxyraethyl-pyriraί3in, Pyridazin,
J-Methyl-pyridazin, Pyrazin, 2,3,5,6-Tetramethyl-pyrazin,
2,5-Dimethyl-6-hydroxy-pyrazin, 2-Hydroxy-pyrazin, 2-Arainopyrazin.
Urotropin, 2,6-Diamino-4-rnethyl-triazin-(li3,5)j 2,6-Diarnino-4-äthyl-triazin-(1,5,5),
2,6-Diamino-4-propyl-triazin-(1,3,5),
2,6-Diaraino-4-carboxymethyl-triazin-(l,3,5)i 2,6-Diamino~4~
carboxyäthyl-triazin-(l,3,5)i 2,6-Diamino-4-sulfopropyl-
2098A4/0933
BAD ORIGINAL
-γ- O11KOOq SCHERING /v3
29- I-iärz 1971
trinzin-(1,5,5)* Melamin, Cyanursäui'e, 2,4,o-Tris-methylaminotriazin-(l,
3,5 ), 2,4,6-Tris-äthylamino-triazin-( 1,5,5). 2., 4,6-Trif:-diäthylamino-triazln-(l,5,5)i
Bis-(4,6-diamino-2-triazinyl-(1,3.<
5 ))-raethan, 1,2-Bis-(4 *, 6f -diamino-triaziny1-(1', J', 5' ) )-ätlir.-n,
l,3-Bis-(4!,6!-diamino-2' -triazinyl-(l',5! ,5' ))-propan,
1,2-/2if3-('Tf, 6! -diamino-triazinyl-2' -amino)-ä'ohan, 2,4-Diarninotrienin-(1,3,5)i
2,4-Diainino-6-(p-sulfophenyl)-triazin-(l,3,5);
2,4-Dia;:iino-6-äthyl-triazin-(1,3,5)* 2,4-Dihydroxy-6-niethy 1-tria3in-(l,3,5),
Cyanursäure-hydroxyäthy!ester, 2,4-D!hydroxy-6-ceirboxyir;ethyl-triasin-(l,3,5)j
2-Amino-4--cart)oxyr.iethyl-6-nbutyla:nlno-triazin-(l,3,5)j
2-Amino-4-carbox3,r-6-n-butylamino-
triazin-(1,3,5)> 2-AmInO-^-carboxyäthy1-6-n-buty!amino-triazin-(!j3j5),
2-Ätnino-4-hydroxy-triaz:Ln-(l,3ii?)>
p-AmiriO-triazin-(1,2,4),
3-A:nino-5,6-dimethyl-triazin-(1,2,4)-t 4-Hydroxy-5,6-dimethyl-triazin-(l,2,4),
4-Hydroxy-5-phenyl-triazin-(l,2,4), Triazin-(l,2,4), 3,3l-Bis-(5,6-diniethyl-triaziri)-(l,2,4),
3,5-Dihydroxy-triazin-(l,2,4), 3,5-Dihydroxy-6-methyl-triazin-(1,2,4),
3,5-Dihydroxy-6-butyl-triazin-(l,2,4), 3,5-Dihydroxy-6-phenyl-triazin-(1,2,4),
3,5-Dihydroxy-6-carboxypropyltriazin-(l,2,4).
Triazol-(l,2,4), 4-A"thyl-triazol-(l,2,^), 4-Kethyl-triazol-(1,2,4),
4-Pnenyl-triazol-(l,2,4), 3,4,5-Triniethyl-triazol-(1,2,4),
4-(p-Sulfophenyl)-triazol-(l,2,4), 3-Methyl-triazol-(1,2,4),
3-Kthyl-triazol-(l,2,4), 3,5-Diraethyl-triazol-(l,2,4),
2098AA/0933 "8"
ORIGINAL
PatontabieHting
29. KUr?: 1971
>Phenyl-triazol-(l,2,4), l-Methyl-triazol-(l,2,4), 1-Äthyltriazol-(l,2,4),
l-Phenyl-triazol-(l,2,4), J-SuIfo-triazol-(1,2,4),
5-Amino-triazol-(l,2,4)/ 3,5-Diamino-triazol-(l,2,4),
1,2-BiS-(S*^-sulfo-31-triazolylj-äthan, lJ2-Bis-(5l-amlno-3ltriazolyl)-äthan,
1,2-Bis-(j'-triazolylj-äthan,. l,2-Bls-(4lmethyl-J^triazolylJ-äthan,
Bis-(3~l;ria.riOlyl)-.nethan, Bi S-(^-
sulf 0-3-triazolyl)-methan, Bis-(5~ainino-3-triazolyl)-niethan,
Bis-(^~triazolyl)-niethan, Bis-(5-suli'o-3-triazolyl), 3is-(fjamino-J-triazolyl),
3j5'-Bis-triazolyl, l,2~Bis-(l!-triazolyl)-äthan,
5-(2t-aminoäthyl)-triazol-(1,2,4), ß-(l-Triazolyl)-propionsäure,
1,4-Bis-(5!-salfo~Jf-triazolyl)-butan, 1,4-Bis-(5t-amino-5I-triazolyl)-butan,
l-(3-Sulfopropyl)-triazol-(l,2,4),
l-Äthyl-triazol-(l,2,3), 2-Äthyl-triasol-(l,2,3), 2-Propy]-triazol-(l,2,2),
l-(2f-Carboxyäthyl)-triazol-(l,2,3), 5-Sulfobenzotriazol,
5>7-Disulfo-benzotriazol, Benzotriazol, 4-Methy1
triazol-(1,2,3), 4,5-Dimethyl-triazol-(1,2,3), 4-Butyl-triazol
(1*2,3), -4-Phenyl-triazol-( 1,2,3), 1-(3f-Aininopropyl)-triazol-(1,2,3),
l-(2!-Aminoäthyl)-triazol-(l,2,3), 1,2-BIs-(I1-triazolyl)-äthan.
Pyrrol, 1-Methyl-pyrrol, 1-Ä'thyl-pyrrol, l-(2' -Carboxyäthyl)-pyrrol,
2-Msthyl-p2/-rrol, 2,5-Di:r;ethy] -pj^rrol, Di-(2-pyrrolyl)-methan,
Di-(l-methyl-2-pyrrolyl)-r;iGthan, 2-7ithyl-pyrrol,
Tryptophan.
209844/0933
BAD ORIGINAL
-9- SCHERING AG
Polyäthylenimin, N,N-Dimethyl-polyvinylarnin, Polyvinylimidazol,
Polyallylimid'izol, Polyvinylpyridin, Polyvinylpyrrolidon, Polyvinylmorpholin,
Polyvinylraorpholinon, Polyvinyl-5~alkyl-oxazoiidon,
N-Polyvinyl-Ν,Ν1-äthylenharnstoff, Sojaproteine,
Albumine.
Zur komplexen Salzbildung eignen sich alle beliebigen anorganischen
und organischen Säurereste A, wie z. E. dar Chloridrest (Gl"), der Sulfatrest (SCX ), der Phosphatrest (?0.,/~), der
Nitratrest (NO ~), der Perchloratrest (ClOj,"), der Acetatrest
(CH^COO"), der Propionatrest (CH-CH2-COO") und der Oxalatrest
/~(coo")2_7.
Die erfindungsgeiriäSen Aktivierungslösungen enthalten derart
komplexiertes Edelmetall in Konzentrationen von etwa 0,05 g/Liter
(bezogen auf das Edelmetall) bis zur jeweiligen Löslichkeitsgrenze,
vorzugsweise von 0,1 bis 1 g/Liter.
Als besonders vorteilhaft hat es sich erwiesen, wenn die Lösung zur Steigerung der Adsorption des Edelmetallkomplexes am Kunststoff
zusätzlich eine wasserlösliche polymere organische Verbindung, vorzugsweise Sojaprotein oder Polyäthylenimin, in einer
Konzentration von etwa 0,01 g/Liter bis zur Löslichkeitsgrenze, enthält.
Verfügt die hochpolymere Verbindung über N-haltige Liganden
zur Komplexierung von Edelmetallen, so kann sie die oben ge-
209844/0933 _10_
ÖA0
-ίο- GChERiNG AG
ΊΛ 1 α Ί Q Q Patentabteilung
I I I D O Οι? 29. März 19YI
nannten niederraolekralaren Komplexe ersetzen und gegebenenfalls
die Eigenschaft der Adsorptionssteigerung mit derjenigen der Komplexbildung kombinieren.
Diese hochmolekularen N-haltigen Verbindungen bilden naturgemäß keine einheitlichen Komplexverbindungen. Bei ihrer Herstellung
wählt man mindestens ein Kolverhältnis von Metall zv.i-N-haltigen
Verbindung, wie die maximale Koordinationszahl des
Edelnetalles zur Anzahl der «n" Monomeren-Einheiten, die übereinen
N-Liganden verfügen.
Die Herstellung der erfindungsgemäß zu verwendenden Komplexverbindungen
kann in an sich bekannter Weise erfolgen, wie sie in den folgenden Beispielen beschrieben wird.
a) Dichloro-2,2!-dipyridyl-palladium-(ll) /~Pd (C K4N-C5H2^)Cl2J
entsteht aus 0,5 g Dipyrldyl in j50 ml Alkohol und 0,9 g
(NH^)2 PdCl4 in 10 ml Wasser und 50 ml Alkohol durch Erwärmen.
Aus dieser Lösung scheiden sich bei Abkühlen Kristalle der gewünschten Verbindung aus.
b) Dichloro-bis-(2-airiinopyridin)-palladium-(ll) /~Pd (Cj-H^N-KIC, ^
bzw. Dichloro-tetrakis-(2-aminopyridin)-palladium-(Il)
(Pd (Ct-HjN-NHpVcip) bilden sich durch Vereinigung einer
konzentrierten wäßrigen Lösung von KgPdCl^ mit 2 bzw. H
Mol 2-Aminopyridin.
209844/0933 · _n-
8AD ORIOiINAL
211 PQQQ Patentabteilung
Il D0Ö3 29. März 1971
Komolexe mit Platin
c) Dichloro-dipyridin-platln-(ll) /"Pt (C_H N) Cl_ / :
Eine Lösung von 10 g reinem KpPtCK in 100 ml kaltem Wasser
wird mit einer Lösung von J, 7 g Pyridin in 25 ml VJasser versetzt
und 2)\ Stunden stehen gelassen; der gebildete Niederschlag
wir:! ::,it kalten '!asser gewaschen und an der Luft getrocknet
.
d) Diohloro-tetrfcpyridin-platin-Cll) /"Pt (C1-E1-N),. Cl0 /
v.'ird hergestellt durch Erwärmen von Pt (C K K) Cl mit überschüssigem
Pyridin und anschließenden] Verdunsten der Lösung bei Zimmertemperatur.
Λ-
o) Dichloro-bis-(2-aminopyridin)-platir:-(ll) /"Pt (C Η^ΪΗ )0C10 ^/
Eine Lösung von Kp(PtCl^) (l Mol) in wenig VJasser wird mit
genau 2 Mol 2-Aminopyridin in wäßriger Lösung versetzt. Nach ZViQl bis drei Stunden beginnt die Verbindung als gelber bis
gelb-grüner Niederschlag auszufallen. Der Niederschlag wird mit wenig Wasser gewaschen.
/V-
f) Dichloro-tetrakis-(2-aminopyridin)-platin-(ll) /"Pt (C H^;;^)^
Zur Darstellung wird Dichloro-bis-(2-arninopyridin)-platin-(ll) mit überschüssigem 2-Aminopyridin in wenig V/asser behandelt
und 5 bis 6 Stunden auf dem Viasserbad erhitzt. Nach Einengen auf ein kleines Volumen scheidet sich allmählich die gewünschv
te Verbindung aus.
2098ΛΛ/0933 . ~12~
V-.■:"..:I*"'"; - ' SAD ORIGINAL
or^-jcr
~12~ O11ROOq ou iL-
^l I QOOv) Patentabteilung
29. März 19
Komplexe .mit Rhodium
g) Trichloro-tri-pyridiii-rhodium-ClIl) /"Rh (CrHcN)7Cl_ 7 :
Z-ccc Darstellung werden 3 g Na7RhCIg χ 12 H0O und 2,4 g Pyridin
mit 12 ml Wasser auf dem Viasserbad erwärmt. Das zunächst
ausfallende öl kristallisiert langsam durch. Die
Kristalle können durch Umkristallisieren aus Alkohol gereinigt
werden. Erhitzt man die Tripyrid.inverbindu.ng längere
Zeit in Pyridin, erhält man Trichloro-tetrapyridinrhodium-(IIl).
h) Dichloro-tetrapyridin-ruthenium-ClIl) /~ Ru (C H N)2Cl3 J
entsteht durch mehrstündiges Kochen von Arrmioniurn-ehlororuthenat-(lll)
in Pyridin. Beim Abkühlen kristallisieren gelbe Kristalle aus.
Komplexe mit Iridium
i) Triehloro-tripyridin-iridium-(IIl) /T Ir (C HrN) Clv_7 i
Zur Darstellung v/erden KIr (Cf-Hi-N)2Cl^, das aus Pyridin/
HgO und K ΐΓΰ16 x ^ H2° Sewonnen werden kann, mehrere Stunden
auf dem Wasserbad in Pyridin erhitzt. Die gelben Kristalle scheiden sich während der Reaktion langsam aus.
209844/0933
ßAD ORIGINAL
OI 1g389 Patentabteilung
■ ■ 29. :κνζ 1971
Komplexe mit Omnium
k) lVrühlorato-tris-2,2' -diyyridin-lsmluKi-(ll) /"Os (C1-H21II-C1-Mj.!?),^.
Ai.'.uonium-hexabrorao-osinat (IV) wird in Gegenwart von Natriumtartrat
und j5 Mol Dlpyridin auf dorn Wasserbad erhitzt. Zur
Isolierung des Komplexes wird die Reaktionslösung mit Perchlorsäure
versetzt, worauf die gewünschte Verbindung auskristallisiert.
Komplexe mit Gold
l) Trlchloro-dipyridin-gold /"Au (CXN) Cl ^!
Zu einer ätherischen Gold-(III)-chlorid-Lösung wird Pyridin
zur;etropft, wobei sofort ein gelber Niederschlag ausfällt,
der aus Alkohol umkristallisiert werden kann.
m) Silber-dipyridin-nitrat /"Ag (CAN)0NOx /:
Eine wäßrige Silbernitratlösung wird mit einem Überschuß
von Pyridin versetzt und anschließend mit A'ther gefällt.
Die anderen Komplexverbindungen lassen sich in analoger Weise
herstellen. Im allgemeinen lösen sich die Komplexverbindungen in Wasser. Die in Wasser schwer löslichen Verbindungen sind in
wäßriger Natron- oder Kalilauge oder auch in organischen Lösungs mitteln, z. B. Methanol, A'thanol oder Essigsäure, löslich.
Die Anwendung der erfindungsgeraäßen Aktivierunsslösungen erfolgt
z. B. durch einfaches Tauchen der zu aktivierenden Materialien in diese Lösungen bei Temperaturen von etwa 0 bis 80 C, vorzugsweise
von ^0° bis 60° C. Die Dauer des Aktivierungsvors
ist abhängig von dem zu aktivierenden Material und kann
209 8 A4 /0933
c ' ' w 29. März 197I
von etwa 0,5 bis zu 20 Minuten betragen.
Anschließend werden die mit den Aktivierungslösungen behandelten
Materialien dann in eine Reduktionslösung gebracht, welche die
Edelmetallionen zum Metall reduziert. Als Reduktionsmittel eignen
sich zu diesem Zweck insbesondere Dirnethy] ar.;inoboran, !Iatriumboranat,
Hydrazin, und Alkalihypophosphit, z. E. natriumhypophosphit.
Mit den erfindungsgemäßen Lösungen können Kunststoffoberflächen
auf Basis von Acrylnitril-Eutadien-Styrol-Polynieren (ABS-Polymeren),
Polypropylen, Epoxid, glasfaserverstärktem Epoxid u. a. bzwο Trägerplatten aus diesem Material für die anechliessende
chemische Metallisierung aktiviert werden. Sofern den Lösungen zusätzlich, wie oben beschrieben, wasserlösliche polymere
organische Verbindungen zugesetzt werden, erreicht man überraschenderweise sogar eine Steigerung der Adsorption dieser
Komplexe, die sich dann bevorzugt wegen der größeren Affinität zum Kunststoff an dessen Oberfläche und nicht am Metall
absetzen.
Die erfindungsgemäßen Lösungen eignen sich zur Aktivierung von Formteilen aus Kunststoff oder insbesondere von kupferkaschiertem
Basismaterial zur Herstellung von gedruckten Schaltungen.
Die folgenden Beispiele beschreiben einige der erfindungsgemäßen Aktivierungslösungen.
209844/0933 BADORIOiNAf.
Qf-H-JCOiT Ό
') 1 1 C O O Q Patentabteilung
*- ' lbdöy 29. Hu-Z 1971
B e. i s ρ i e .1 0,34 s PdCi2
1,28 g Pyridiri-3-sulfonsäure
aufgefüllt auf 1 Liter Wasser pH der Lösung: 2,2
i::it V.aöl\ eingootellt auf "{
B e i s ρ i ο 1
0,34 g PdCl2
Oj 95 G 2-Arnino-pyridin
aufgefüllt auf 1 Liter Wasser pH der Lösung: 6,4
Zusatz von 0,2 g Sojaprotein
0,34 β PdCl2 0,14 β NH^
aufgefüllt auf 1 Liter Wasser pH der Lösung: 7,0
Zusatz von 0,2 g Sojaprotein
Beispiel 0,28 g AuCl5
0,62 g Pyridin
aufgefüllt auf 1 Liter Wasser pH der Lösung: 3,3 mit NaOH eingestellt auf 7,0
209844/0933
-1β~ KJ^IiLJ m
Patentabteilung
2116389 ' 29· NUrz
Im folgenden Beispiel wird die Aktivierung eines Nichtleiters
unter Verwendung der erfindungsgernäßen Lösungen beschrieben.
B C1 is ρ i _e 1 ;5__
Als Ausgangsmaterial dienten kupferkaschierte Basisplatten aus Phenolharzhartpapier oder glasfaser verstärkt ein KpoxydharK. Diese
Platten vmrden im Sinne ces späteren Leiterbildes gestanzt
oder gebohrt und nach bekannten Methoden gereinigt bzw. gebeizt, u.n die Oberfläche der Irohrlochinr.enviand für die AcGorption
des Aktivators vorzubereiten. Mach gründlichem Spülen in Wasser wurde das Material 5 Minuten bei 60 C in eine Lösung
der Zusammensetzung nach Beispiel 1 getaucht, erneut gespült
und 1 bis J> Minuten bei 40 C der Kirr.-.-irkung eines Reduktionsmittels
genügend hohen Reductions potentials, is. 3. einer ca.
1 /oigen wäßrigen Lösung von i'iatriuuihypoohosphit oder Dirne thy 1-aminoboran,
ausgesetzt. Hiernach wurde wiederum in V/asser gespült und in bekannter Weise stromlos in einem chemischen Kupferbad
metallisiert. Dabei bildete sich die von den Edelmetallkeimen aus wachsende Kupfersehicht, die anschließend galvanisch
verstärkt werden konnte. In analoger V/eise wurden kupferkaschier te Basisplatten mit Aktivierungslösungen nach den Beispielen 2,
5 und h behandelt. Die derart erhaltenen Metallüberzüge wiesen
hervorragende Leitfähigkeit und Haftfestigkeit auf.
—IT—
2 0 3 8 k k I 0 9 3 3 ßAD ORIGINAL
Claims (1)
- atontahteilung29. Kürz 197121 1 C T O Q PatontahteilungI I DJoy 2 KüPa. tent a η s ρ r ü c Ii efl.i Lösung zur Aktivierung von insbesondere nichtleitenden Oberflächen für die anschließende englische Ke tallöl sierun^; uno gegebenenfalls galvanische Verstärkung dieses "überzüge;;, gekennzeichnet durch einen Gehalt an mindestens einer KOi.ipio.xverbindu.ng eines Edelmetalles der I. oder VIII, Nebengruppe des Periodischen Systems der Elements mit einer N-haltigen Verbindung.2.· Lösung nach Anspruch 1, enthaltend als Kornplexverbindung eine Verbindung der allgemeinen FormelMe - (L)x - Ain der Me ein Edelmetall der I. oder VIII. Nebengruppe des Periodischen Systems der Eleiaente, L einen N-haltigen anorganischen oder organischen Rest, X eine ganze Zahl von mindestens 1, vorzugsweise 2 bis k, und A einen anorganischen oder organischen Säurerest darstellt.5. Lösung enthaltend eine lioi.iplexverbindung der allgemeinen Formel nach Anspruch 2, wobei Me vorzugsweise Silber, Gold, Palladium, Platin, Osmium, Iridium oder Rhodium bedeutet.2 0 9 8/,/ / η 9 3 3Wt 1^.-ΓΛ\^-.:.Α ') λ 1R^RQ PatentabteilungC ' IDJ°3 29. März 3 ογΊ4. Lösung enthaltend eine Kornplexverbindunr·; der all renelnen Formel nach Anspruch 2, wobei L Ammoniak oder ein priuäres, sekundäres oder tertiäres Amiη bedeutet.5· Lösung enthaltend eine Kotnplexverbindun^; nach Anspruch h,■ wobei L ein. dli^h^t: i:-;;Iies im,::.->-_, Di- oder1 ?o".ya-:..L:j ccle-ΐ· deren Hydroxy-, Carboxy-, Sulfo- und/oder Phosphory!--Derivate darstellt.6. Lösung enthaltend eine Koniplexvc-rbinduns naoh Anspruch h, wobei L ein aromatisches Men-, Di- oder Polyarairi oclyr deren Hydroxy-, Carboxy-, Sulfo- und/oder Phosphoryl-Derivate darstellt.7. Lösung enthaltend eine Kornplexverbinduns nach Anspruch K3 wobei L ein heterocyclisches Mono-, Di- oder Polyarnin. oder deren Hydroxy-, Carboxy- und/oder Sulfo-Deri^ate darstellt.8. Lösung enthaltend eine Komplexverbindung nach Anspruch 4, wobei L eine N-haltige ein- oder mehrkernige heterocyclische Verbindung oder deren Hydroxy-, Carboxy- und/oder SuIfo-Derivate darstellt.9· Lösung enthaltend eine Komplexverbindung nach Anspruch 4, wobei L eine N-haltige polymere organische Verbindung darstellt.20984A/0933BAD ORIGINAL-]C!--19- _ , SCHERING29. MiIrζ 3.97110. Lösung enthaltend eine Komplexverbindung dor allgemeinen Formel nach Anspruch 2, wobei A einen Chlorid-, Sulfat-, Phosphat-, Nitrat-, Perchlorat-, Acetat-, Propionat- oder Oxalatrest bedeutet«11. Losung nach Ansprüchen 1, 2, 3, >i, 8 und 10 enthaltend Diehloro-2,21-dipyridyl-pallaäium-(ll).12. Lösung nach Ansprächen 1, 2, 3* h, 8 und 10 enthaltendDichloro-bis-(2-aminopyridin)-palladiu.:i-(II) c-5_ex· Dichüor-otetrakis-(2-aminopyridin)-palladiu.ru-(II)«13. Lösung nach Ansprüchen 1, 2, 1>, 4, 8 und 10 enthaltend Dichloro-dipyriciiii-platin-(Il).14. Lösung nach Ansprüchen 1, 2, 3* ^* 8 und 10 enthaltend Dichloro-tetrapyridin-platin-Cll).15. Lesung nach Ansprüchen 1, 2, 3, h, 8 und 10 enthaltend Dichloro-bis-(2-aminopyridin)-platin-(ll).16. Lösung nach Ansprüchen 1, 2, 3, 4, 8 und 10 enthaltend Dichloro-tetrakis-(2-aminopyridin)-platin-(lI).17. Lösung nach Ansprüchen 1, 2, 3, h, 8 und 10 enthaltene. Trichloro-tri-pyridin-rhodium-ClIl).209844/0933BAD ORiGtNAt-so- SCHERING AGO 1 i Q O Q Q PatentabteilungΙΛΛ 6 38 9- 29. März 1971Ϊ8. Lösung nach Ansprüchen I3 2, 3, 4, 8 und 10 enthaltend Diehloro-tetrapyridin-ruthenium-(IIl).19. Lösung nach Ansprüchen 1, 2, 3, 4, 8 und 10 enthaltend Trichloro-tripyridin-Iridium-ClII).20. Lösung nach Ansprüchen Ij 2, 3, 4, 8 und 10 enthaltend Perchlorato-trIs-2,2 *-dipyridin-osmium-(II).21. Lösung nach Ansprüchen 1, 2, 3, 4, 8 und 10 enthaltend Trichloro-dlpyridin-gold.22. Lösung nach Ansprüchen I3 2, 3* ^* 8 und 10 enthaltend Silber-dipyridin-nitrat.23. Lösung nach Anspruch 1 enthaltend die Komplexverbindung in einer auf das Edelmetall bezogenen Konzentration von 0,05 s/ Liter bis zur Lösliehkeitsgrenze, bevorzugt von 0,1 bis 1 g/Liter.24. Lösung nach Anspruch 1 enthaltend zusätzlich eine wasserlösliche polymere organische Verbindung, vorzugsweise Sojaprotein oder Polyäthylenimin.25. Lösung nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß die polymere Verbindung in einer Konzentration von 0,0 1 g/Liter bis zur Löslichkeitsgrenze enthalten ist.209844/0933 -21-SCHERING fiß1 1 R Ί R 9 Patentabteilung26. Verfahren zum Metallisieren von insbesondere nichtleitenden Oberflächen für die anschließende chemische Metallisierung ' und gegebenenfalls galvanische Verstärkung dieses Überzuges, dadurch gekennzeichnet, daß man eine Koinplexverbindung n&ch den Ansprüchen 1 bis 25 in Fon;; einer Vorzugspreise v;ä.?rigen Lösung: auf d'ie Cberfläche bringt, v/orauf die Kor-piexverfcir.-duj\^ durch Eirx.;irkung eines Reduktionsmittels zersetzt und anschließend auf chemischem Wege ein Metallüberzug abgeschieden und dieser gegebenenfalls galvanisch verstärkt v.'ii-d27. Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß als Reduktionsmittel Dirnethylarninoboran, Matriumboranat oder Alkalihypophosphit verv/endet vrird.209844/0933
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE2116389A DE2116389C3 (de) | 1971-03-30 | 1971-03-30 | Lösung zur Aktivierung von Oberflächen für die Metallisierung |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2116389A1 true DE2116389A1 (de) | 1972-10-26 |
DE2116389B2 DE2116389B2 (de) | 1979-08-02 |
DE2116389C3 DE2116389C3 (de) | 1980-04-03 |
Family
ID=5803804
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2116389A Expired DE2116389C3 (de) | 1971-03-30 | 1971-03-30 | Lösung zur Aktivierung von Oberflächen für die Metallisierung |
Country Status (18)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4248632A (de) |
JP (1) | JPS5234573B1 (de) |
AT (1) | AT314934B (de) |
BE (1) | BE781483A (de) |
CA (1) | CA975503A (de) |
CH (1) | CH587878A5 (de) |
DE (1) | DE2116389C3 (de) |
DK (1) | DK144767C (de) |
ES (1) | ES400886A1 (de) |
FR (1) | FR2132172B1 (de) |
GB (2) | GB1394165A (de) |
IE (3) | IE36235B1 (de) |
IT (1) | IT956226B (de) |
NL (1) | NL175533C (de) |
NO (1) | NO132103C (de) |
SE (2) | SE396233B (de) |
SU (1) | SU747437A3 (de) |
ZA (1) | ZA722182B (de) |
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- 1972-03-17 ES ES400886A patent/ES400886A1/es not_active Expired
- 1972-03-24 AT AT258372A patent/AT314934B/de not_active IP Right Cessation
- 1972-03-27 GB GB4724374A patent/GB1394165A/en not_active Expired
- 1972-03-27 GB GB1416172A patent/GB1394164A/en not_active Expired
- 1972-03-28 IE IE410/72A patent/IE36235B1/xx unknown
- 1972-03-28 IT IT2245172A patent/IT956226B/it active
- 1972-03-28 IE IE752415A patent/IE36236L/xx unknown
- 1972-03-28 IE IE2415/75A patent/IE36236B1/xx unknown
- 1972-03-29 SE SE412672A patent/SE396233B/xx unknown
- 1972-03-29 FR FR7211002A patent/FR2132172B1/fr not_active Expired
- 1972-03-30 NL NL7204414A patent/NL175533C/xx not_active IP Right Cessation
- 1972-03-30 CH CH480772A patent/CH587878A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1972-03-30 JP JP3212272A patent/JPS5234573B1/ja active Pending
- 1972-03-30 BE BE781483A patent/BE781483A/xx not_active IP Right Cessation
- 1972-03-30 ZA ZA722182A patent/ZA722182B/xx unknown
- 1972-03-30 CA CA138,656A patent/CA975503A/en not_active Expired
- 1972-04-04 DK DK161272A patent/DK144767C/da not_active IP Right Cessation
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IT956226B (it) | 1973-10-10 |
SU747437A3 (ru) | 1980-07-23 |
NL175533B (nl) | 1984-06-18 |
NL175533C (nl) | 1984-11-16 |
GB1394164A (en) | 1975-05-14 |
DK144767B (da) | 1982-06-01 |
NO132103B (de) | 1975-06-09 |
DE2116389C3 (de) | 1980-04-03 |
IE36235L (en) | 1972-09-30 |
GB1394165A (en) | 1975-05-14 |
FR2132172A1 (de) | 1972-11-17 |
IE36236L (en) | 1972-09-30 |
CH587878A5 (de) | 1977-05-13 |
DE2116389B2 (de) | 1979-08-02 |
JPS5234573B1 (de) | 1977-09-03 |
FR2132172B1 (de) | 1976-08-06 |
NL7204414A (de) | 1972-10-03 |
SE396233B (sv) | 1977-09-12 |
BE781483A (fr) | 1972-10-02 |
NO132103C (de) | 1975-09-17 |
US4248632A (en) | 1981-02-03 |
DK144767C (da) | 1982-10-25 |
IE36235B1 (en) | 1976-09-15 |
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SE7502045L (de) | 1975-02-24 |
CA975503A (en) | 1975-10-07 |
ZA722182B (en) | 1972-12-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
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