DE2113306B2 - Integrierter Schaltungsblock - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen integrierten Schallungs-

block bzw. ein integriertes Schaltungsplättchen mit darin ausgebildeten Vielfachschaltungszellen, die in Zeilen und Spalten angeordnet sind, mehreren Zeilenstromkreisen sowie mehreren Spaltenstromkreisen in sich schneidender Anordnung auf dem Block, wobei die Zeilen- und Spaltenstromkreise zur Beaufschlagung der Zellen mit Signalen vorgesehen sind, wobei jeder Zeilen- und Spaltenstromkreis Leitungselemente von geringer Impedanz und Leitungselemente von hoher Impedanz zur Bildung von elektrischen Kreu-

zungselementen umfaßt, weiche andere Stromkreise an Schnittpunkten mit diesen kreuzen, ohne eine elektrische Verbindung mit diesen anderen Stromkreisen zu bilden.
Es ist bekannt, daß integrierte Schaltungsanordnungen in einem einzigen Block des Halbleitermaterials mit zugeordneten Stromkreisen versehen werden können, die einander schneiden. Solche Schnittstellen von Stromkreisen werden als »Überkreuzungen« oder »Unterkreuzungen« bezeichnet, je nachdem, ob das an dem Schaltungsschnittpunkt betrachtete spezielle Stromkreisgebilde den anderen Stromkreis oberhalb oder unterhalb kreuzt. Die Erfindung betrifft in erster Linie Stromkreisschnittgebilde, welche eine wesentliche zusätzliche Impedanz in das elektrische Schaltungsnetzwerk als Ergebnis der Einfügung eines besonderen Schnittgebildes einführen. Aus Zweckmäßigkeitsgründen wird die folgende Beschreibung im Zusammenhang mit Stromkreisunterkreuzungen beschrieben.

Die elektrische Impedanz eines Unterkreuzungsgebildes ist beachtlich und kann eine wesentliche Einwirkung auf die Signalübertragung und damit auf die Zugangszeit des Stromkreises ausüben. Die Zugangszeit des Stromkreises ist von wesentlicher Bedeutung, beispielsweise in einem Speicher, zu dem ein wiederholter Zugang erforderlich ist. Zeitverzögerungen, welche bei der Anlegung elektrischer Signale auftraten, um einen Zugang zu einem solchen Strom-

!creis zu erhalten, sind wiederholt wirksam, um irgendein System zu verzögern, in dem der Stromkreis verwendet wird; der kumulative Effekt kann eine wesentliche Behinderung des gesamten Systems darstellen.

Trotz der vorangehenden Überlegungen hinsichtlich der Zugangszeit übertrugen einige Ausbildungsformen von Stromkreisen für integrierte Schaltungen mit Koinziöenz-Zugriff Unterkreuzungsbelastungen in erster Linie auf einen von mehreren Typen von Zugangsstromkreisen, um die Auslegung des Blokkes zu vereinfachen. Die unterschiedlichen Signalanstiegszeiten, die sich aus unterschiedlichen integrierten Schaltungsblock-Zugangsschaltungen ergeben, wurden einfach toleriert, indem der Blocknetzwerkbetrieb an die dem schlechtesten Fall entsprechende Anstiegszeit angepaßt wurde. Bei Anwendung auf Halbleiterspeicher kann eine solche Lösung Zeilenstromkreise erfordern, um beispielsweise die Masse der Unterkreuzungen zuzulassen, mit dem Ergebnis, daß die Signalanstiegszeit an einem entfernten Ende eines Zeilenstromkreises viel größer als die Anstiegszeit für ähnliche Spulten-Stromkreissignale ist, wodurch die Speicherzykluszeit entsprechend ausgedehnt wird. Andere Schaltungsausbildungen glichen die Unterkreuzungsbelastung zwischen Zeilen- und Spaltenschaltungen nahezu aus, indem große Zahlen von Unterkreuzungen gleichmäßig über die Stromkreise verteilt wurden, so daß sowohl die Zeilen- als auch die Spaltenslromkreise ähnlich lange Signalanstiegszeiten aufwiesen.

Demgegenüber besteht die erfindungsgemäße Lehre im wesentlichen in der Ausbildung von Kreuzungselementen hoher Impedanz, z. B. Unterkreuzungen, welche dem einen Ende jedes Zeilen- bzw. Spaltenschaltkreises einer Koordinaten-Schaltkreisanordnung benachbart sind und dort elektrisch verbunden sein können, so daß die restlichen Teile eines jeden derartigen Schaltkreises im wesentlich frei von Unterkreuzungen bleiben, wodurch diese Schaltkreise zur Optimierung der Signalanstiegszeit an ihren anderen Enden mit Signalen beaufschlagt werden können.

Der erfindungsgemäße integrierte Schaltungsblock ist dadurch gekennzeichnet, daß jeder Zeilenstromkreis und jeder Spaltenstromkreis einen ersten Abschnitt (z. B. die linke Hälfte jedes Stromkreises) aufweist, mit welchem eine erste Gruppe von Zellen verbunden ist und welcher im wesentlichen frei (umfaßt keine Unterkreuzungen, mit Ausnahme einer Bit-Sammelleitung) von Kreuzungselementen ist, und daß jeder Zeilen- und Spaltenstromkreis einen zweiten Abschnitt (z. B. die rechte Hälfte des Stromkreises) aufweist, mit welchem eine zweit¹; Gruppe von Zellen verbunden ist, und welcher zumindest ein Kreuzungselement (an den Kreuzungsstellen mit den Stromkreisen) umfaßt.

Bei der Lösung der Probleme, welche sich durch die vorangehend erwähnten Betriebszeitüberlegungen ergeben, strebt die vorliegende Erfindung an, daß eine Stromkreisgruppe einer Mehrfachgruppe von Stromkreisen auf einem integrierten Halbleiterschaltungsblock rein metallisch und frei von Unterkreuzungsstrukturen mit heilerer Impedanz sein kann. Zumindest eine zweite und dritte Stronikreisgruppc in der gleichen Ebene mit der ersten Gruppe, welche die erste Gruppe und jede andere Gruppe schneidet, sind so umgeleitet, daß eine Kreuzune unter einem schneidenden Stromkreis in solcher Weise bevvbkt wird, daß äquivalente Impedanzen, die durch die Kreuzungsgebilde dargestellt sind, zwischen den Stromkreisen der zweiten und dritten Gruppe annähernd gleich verteilt sind. Zu diesem Zweck teilen, bei einem Ausführungsbeispiel der Erfindung die sich schneidenden Zeilen- und Spaltenstromkreise eines integrierten Schaltungsblocks die notwendigen Unterkreuzunger, auf, um die charakteristischen Impedanzen dieser Stromkreise alle annähernd gleichzumachen.

^Jo Bei einem Ausführungsbeispiel eines Speichers unter Zugrundelegung des Erfindungsgedankens werden Speicherdigitalschaltungen als Segmente ausgebildet, die mit unterschiedlichen Orientierungen in verschiedenen Teilen des Blockes verlaufen. Die digitalen Schaltungssegmente erstrecken sich parallel zu dem einen der Zeilen- oder Spaltenstromkreise einschließlich zumindest der Unterkreuzungen in dem gleichen Teil des Blockes, so daß die Digitalschaitungen frei von Unterkreuzungen sind. Gemäß einem weiteren Gesichtspunkt der Erfindung sind Unterkreuzungen längs irgendwelchen Zeilen- und Spaltenslromkreisen in erster Linie in einem Schaltungsteil gruppiert, welcher von dem Antriebspunkt der Schaltung entfernt ist.

*5 Die Erfindung schafft also metallisierte Zeilen- und Spaltenzugangfstromkreise für einen integrierten Speicherblcck, wobei jeder Unterkreuzungen zur Aufnahme sich schneidender Stromkreise über etwa die halbe Erstreckung dieses Stromkreises auf dem Block und keine Unterkreuzungen für den Rest von dessen Erst reckunt, umfaßt. Die Verteilung der Lhiterkreuzungen über jeden Stromkreis ist derart, daß die Masse der enthaltenen Unterkreuzungen in dem Teil des Stromkreises liegt, welcher von dem Schaltungsantriebspunkt weiter entfernt ist, als dies fLir den Teil zutrifft, welcher im wesentlichen frei von Unterkreuzungen ist. Metallisierte Bitstromkreise für den Block sind so angeordnet, daß sie stets physikalisch parallel zu den Zugangsstromkreisteilen verlaufen, die frei von Unterkreuzungen sind, so daß die Bitslromkreise gänzlich frei von Unterkreuzungen sind. Schematischc und tatsächliche Auslegungen für eine in einem solchen Speicherblock verwendete Zelle sind im Rahmen des Erfindungsgedankens angegeben.

Die Erfindung ist nachstehend an Hand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel einer bistabilen Schallung bzw. eines Flip-Flops zur Verwendung als Speicherzelle in einer erfindungsgemäßen Anordnung in Schaltbilddarslellung,

Fig. 2 ein Ausführungsbeispiel einer Anordnung von sich schneidenden Hauptstromkreisen für Spci-■ hcrzellen in einem Halbleiterblock nach der Erfindung in vereinfachter schematischer Darstellung,

Fig. 2 Λ eine vereinfachte Ausführung einer Schaltungsunterkrcuzung gemäß Fig. 2 in Schnittdarstellung,

Fig. 3 A. 3B, 3C Ersatzschaltbilder zur Darstellung der elektrischen Wirkungsweise der crfindungsgemäßen Schaltungsanordnung,

Fig. 4 ein Ausführungsbeispiel für eine tatsächlich ausgeführte Speicherzelle gemäß F i g. 1 in der BlockanordiHing gemäß Fi g. 2 in Draufsicht,

Eine Speicherzelle 10 unter Verwendung von FeIdcfiek"'ansistoren ist als Flip-Flop gemäß Fig. 1 geschaltet, wie dies an sich zur Speicherung binär kodierter Informationen bekannt ist. Die Transistoren sind mit Vorteil P-Kanal-Feldeffcktlransistoren mit

isoliertem Gate mit unterschiedlich gewählten Verstärkungswerten, zur Erleichterung des Betriebes als Speicherzelle. Transistoren mit Quellen- und Senkenelektroden, die gemäß bekannten Verfahren hergestellt sind, werben bei dem vorliegenden Beispiel mit Vorteil verwendet.

Bei der Flip-Flop-Schaltung sind zwei Transistoren 11, 12 zwischen Senken- und Torelektrode kreuzgekoppelt. Die Quellenelektroden der Transistoren

sowie der Tortransistoren durch den einen oder anderen der Ladetransistoren 18, 19 geführt, um entsprechende Potentialdifferenzen an den Anschlüssen 16, 17 zu entwickeln und den gewünschten stabilen 5 Zustand auf die Flip-Flop-Schahung zu übertragen. F i g. 2 zeigt eine vereinfachte schemalische Darstellung für die Auslegung von 64 Speicherzellen nach Art von F i g. 1 in. einer gemeinsamen Halbleiterunterlage 33. Eine solche Unterlage stellt eine inte-

cine Ausführungsform für die gegenseitige tatsächliche Beziehung zwischen der Schaltung und der Baueinheit für eine Zelle ergibt sich in Verbindung mit

gangsstromkreisverbindungen zur Einschaltung des Zellenbetriebes, sowie durch ein Paar von Digitalstromkreisverbindungen gemäß Fig. 1. Die A'-, Y-

liegen an einer B + -Betriebsspannungsquelle 13, ι ο grierte Schaltungsplatte dar, welche in vorteilhafter welche schematisch durch einen Kreis mit einem Weise mit anderen (nicht gezeigten) Schaltungsplat-Pluszeichen angedeutet ist, um eine Potentialquelle ten auf einer gemeinsamen keramischen Unterlage darzustellen, deren positiver Anschluß in der gezeig- (ebenfalls nicht veranschaulicht) verbunden wird. Die ten Weise verbunden ist und deren negativer An- Zellen sind in Zellengruppen mit einem bestimmten Schluß auf Masse liegt. Eine ähnliche schematische 15 Verhältnis der Anzahl von Zellen pro Gruppe und Angabe mit entsprechenden Polungsvorzeichen wird einer bestimmten Gruppenform angeordnet. Bei in der gesamten Zeichnung verwendet. Die Senken- einem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist der Block elektroden der Transistoren 11,12 sind mit Flip-Flop- in Quadranten eingeteilt, von denen jeder die gleiche Schaltungsausgangsanschlüssen 16 bzw. 17 sowie mit Anzahl von Zellen und die gleiche Anzahl von Unterden Quellenelektroden zweier zusätzlicher Transisto- 20 kreuzungen von im wesentlichen jeweils der gleichen ren 18, 19 verbunden, welche vermöge entsprechen- Impedanz in Steuerstromkreisen aufweist, um Einder Anordnung als Ladewiderslände in der Flip-Flop- schaltsignale an die Zellen zu liefern.
Schaltung wirksam sind. Die Senkenelektroden der Jede Zelle 10 von Fig. 1 ist durch ein Quadrat in

letzteren beiden Transistoren sind miteinander an F i g. 2 dargestellt. Die schematische Darstellung ist einem Anschluß 20 verbunden, welcher auf Masse as an der Oberfläche der Unterlage gezeigt, um ein Verliegt. Die Torelektroden der gleichen Ladetransisto- ständnis des Erfindungsgedankens zu erleichtern; ren liegen zusammen an einem Anschluß 21, welcher
mit einer negativen Potentialquelle 22 verbunden ist.

Ein Zugang zu der soeben beschriebenen Flip-Flop-Schaltung in der Zelle 10 wird durch die gleichzeitige 30 Fig. 4. Jede Zelle nach Fig. 2 wird durch zwei Anlegung von Spannungssignalen an einen X-Strom- Energieanschlüsse versorgt, nämlich X- und Y-Zukreis 23 sowie einen Y-Stromkreis 26 erzielt. Die letzteren Signale werden mit Vorteil von einem positiven
Pegel auf Masse getrieben, um einen Leitzusland in

einem Paar von Z-Torlransistoren 27, 28 bzw. einem 35 und Digitalstromkreisverbindungen sind für einige Paar von Y-Tortransistoren 29, 30 zu ermöglichen. Zellen in der oberen linken Ecke der Unterlage 33 Wenn derartige Betätigungssignale gleichzeitig an die veranschaulicht; andere derartige Verbindungen sind Torelektroden der angegebenen A"-Tor- und Y-Tor- weggelassen, um die Einfachheit der Zeichnung zu transistoren angelegt werden, so kann sich ein Leit- erhalten. Energieverbindungen sind lediglich zum zustand in irgendeiner Richtung zwischen dem Aus- 40 Teil in F i g. 2 veranschaulicht,
gangsanschluß 16 sowie einem Bitstromkreis 31 und Unterbrochene Linien, beispielsweise die Linie 36,

zwischen dem Ausgangsanschluß 17 sowie einem welche durch verschiedene Teile der Unterlage nach Bitstromkreis 32 einstellen. Doppelschienige Logik- F i g. 2 verlaufen, stellen schematisch den Weg dar, signale werden von einer digitalen Treiberquelle der innerhalb einer Diffusionsschicht in dem Block (nicht gezeigt) mittels der Bit- und Bit-Stromkreise 45 gegangen wird, um eine auf Masse verlaufende Samzum Antrieb der Flip-Flop-Schaltungen in einen von melleitungsverbindung für die verschiedenen Zellen deren stabilen Zuständen zugeführt, welcher durch
die Digitalsignale angegeben wird. Während eines
Speicher-Auslesevorganges wird in ähnlicher Weise
der Binärzustand der Information, welcher in der 50 kenelektrodendiffusion für die Transistoren 18, 19 Zelle 10 gespeichert und durch unterschiedliche jeder Zelle herstellt. Eine äußere Verbindung füi Spannungspegel an den Ausgangsanschlüssen 16, 17 diese Masse-Sammelleitung zu der Energiequelle is^; dargestellt wird, durch die Tortransistoren sowie die auf der linken Seite des Blockes 33 veranschaulicht gleichen Bit- und Bit-Stromkreise auf einen Digital- jedoch können eine oder mehrere solcher Verbindun detektor (ebenfalls nicht veranschaulicht) einge- 55 gen an irgendwelchen zweckmäßigen Punkten runc koppelt. ^um den Block vorgesehen sein. Die B + -Verbindunj

Während der Bereitschaftsstellung der Zelle fließt zu dem Block ist an der Unterkante des Blockes 3: ein Hallestrom von der Spannungsquelle 13 durch die verlaufend gezeigt, kann jedoch zu der Unterlage 3'. bistabile Schaltung auf Masse, um einen besonderen an irgendeinem zweckmäßigen Punkt längs des Block stabilen Zustand aufrechtzuerhalten. Während der 60 umfanges angebracht werden. Innerhalb des Blocke Ablesung wird ein gewisser Zellenstrom, welcher von liegen die Quellenelektrodendiffusionsbereiche jede der Spannungsquelle 13 durch den jeweils leitenden der Transistoren 11, 12 an der Unterlage jeder Zelle Transistor aus dem Paar von Transistoren 11,12 fließt, Die B — -Zuleitungsverbindung für die Torelektrode durch die Tortransistoren zu einem der Bit- oder der Transistoren 18, 19 in jeder Zelle wird mittel Bitstromkreise sowie dem Digitaldetektor umgelenkt, 65 eines metallischen Stromkreises a.· der Oberfläch um den Masserücklaufwcg für die Spannungsquelle der Unterlage herbeigeführt, welcher allgemein übe 13 zu erreichen. Während Schreibvorgängen wird in dem Weg des Masse-Sammclleitungsdiffusionsbere gleicher Weise Strom mittels der Digitalschaltungen chcs verläuft. Ein solcher B - -Stromkreis ist i

herzustellen. Diese Sammelleitung erscheint nicht an der Oberfläche des Blockes, da sie eine direkte Verbindung innerhalb der Diffusionsschicht zu der Sen-

F i g. 2 nicht veranschaulicht, da dessen Anordnung auf der Unterlage den Erfindungsgedanken nicht wesentlich beeinflußt. Der B — -Stromkreis erzeugt einfach eine stetige Spannung etwas unterhalb Masse, die an den Anschlüssen 21 in allen Zellen liegt und sonst keinen wesentlichen Strom führt. Demgemäß umfaßt der diese Spannung führende Stromkreis Unterkreuzungen für irgendwelche dieser schneidenden Stromkreise, wo immer dies erforderlich ist.

Es ist bekannt, daß diffundierte leitende Wege in einem Halbleiterblock für verschiedene Stromkreiszwecke ausgebildet werden können, einschließlich Energievcrsorgungs-Sammelleitungen und Schaltungsunterkreuzungsgebilden. Derartige Wege werden dotiert, so daß sie eine wesentlich höhere Leitfähigkeit als das umgebende Halbleitermaterial aufweisen. Jedoch besitzt ein solcher Weg eine beträchtlich geringere Leitfähigkeit als ein metallisches Schaltungsmalerial, beispielsweise Gold oder Aluminium. Die bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel verwendeten Stromkreisunterkreuzungsgebilde umfassen einen diffundierten leitenden Weg, der unterhalb einer Schaltung an einer Stromkreisschniltstelle verläuft und hiergegen isoliert ist. Eine elektrische Verbindung erfolgt an den Enden dieser diffundierten leitenden Wege zu den Teilen eines metallischen Stromkreises, welche einzufügen sind, wobei sich die Unterkreuzung in Reihe mit einem Stromkreisweg befindet. Eine solche Unterkreuzung ergibt sich in vereinfachter Form aus Fig. 2A, wobei Stromkreise 24, 25 sich schneiden und der letztere Stromkreis in Reihe einen diffundierten Weg 34 umfaßt, welcher durch das Halbleitermaterial 35 sowie unter dem isolierten Material 44 sowie dem Leiter 24 verläuft. Obgleich isolierte Stromkreiskreuzungen üblicherweise durch gekreuzte Linien angegeben sind, werden Halbkreise oder Sprungstellen, beispielsweise der Halbkreis 45 in dem oberen linken Teil von F i g. 2 verwendet, um die meisten Stromkreisunterkreuzungen anzuzeigen, so daß klar wird, welcher von zwei oder mehreren sich schneidenden Stromkreisen die Unterkreuzungsimpedanz enthält.

Über den gesamten Block von F i g. 2 ist eine einzige grundlegende Speicherzellenform verwendet. Benachbarte Paare von Zellen längs irgendeiner Zeile innerhalb eines Blockquadranten sind spiegelbildlich zueinander, wogegen benachbarte Paare von Zellen längs irgendeiner Spalte eines Quadranten dem Spiegelbild eines anderen ähnlich sind. Das Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 2 weist zweckmäßig die Form unterschiedlicher Quadrantenabschnitte des Blockes auf. Diagonal gegenüberliegende Quadranten sind ähnlich orientierte Ausführungen der gleichen Zellenanordnungen, während benachbarte Quadrantenabschnitte in gleicher Weise die gleiche Zellenquadrantenanordnung umfassen, jedoch in der Ebene der Zeichnung um 90° gedreht. Obgleich die Zellen aus Zweckmäßigkeitsgründen in Fig. 1, 2 als von den X-, Y- und Digitalstromkreisen getrennt dargestellt sind, so ergibt sich in Verbindung mit Fig. 4, daß die Segmente des letztgenannten Stromkreises in gleicher Weise in der Zellenordnung eingeschlossen sind, welche in der einen oder anderen Richtung gedreht wird, um die volle Blockanordnung der Zellen zu ergeben. Diese Zellengleichheit erleichtert die Auslegung des Blockes unter der Steuerung von Auslcgungsverfahren unter Zuhilfenahme von Rechnern, win sie an sich bekannt sind.

Die vervollständigte Blockanordnung nach F i g. 2 umfaßt ΛΤ-Stromkreise, welche Metallstromkreise darstellen, die auf der Fläche des Blockes niedergeschlagen sind und die volle Doppelquadrantenbreite des Blockes in Paaren von Stromkreisen überqueren, welche zwischen benachbarten Zeilen von Zellen verlaufen, wobei jeder Stromkreis eines Paares als ein unterschiedlicher Stromkreis der benachbarten Zeilen dient. Jeder A'-Stromkreis ist über die halbe Er-Streckung frei von Unterkreuzungen, um y-Stromkreise und Digitalstromkreise aufzunehmen und umfaßt Unterkreuzungen für diese Stromkreise in der anderen Hälfte. Die Hälfte, welche frei von Unterkreuzungen ist, besteht insgesamt aus Metall und liegt in dem Blockquadranten neben dem Antriebspunkt für jeden A'-Stromkreis. Der Abschnitt des Stromkreises, welcher die Unterkreuzungen umfaßt, liegt in dem Blockquadranten, welcher von dem Antriebspunkt für den ΑΓ-Stromkreis entfernt ist.

so Auf diese Weise verlaufen in F i g. 2 die Al-Stromkreise ΛΊ und Xl quer zu der Unterlage 33 zwischen den beiden oberen Reihen der Zellen und werden an der linken Seite der Unterlage neben dem oberen linken Quadranten des Blockes angetrieben.

Diese A'-Stromkreise in dem letztgenannten Quadranten umfassen Unterkreuzungen für lediglich eine Digitalstromkreis-Sammelleitung an der linken Seite des Quadranten. In dem oberen rechten Quadranten des Blockes umfassen die gleichen A'-Stromkreise Unterkreuzungen sowohl für Digitalstromkreise als auch Y-Stromkreise. Die Stromkreise A" 3, X 4 sind in ähnlicher Weise so angeordnet, daß sie durch die beiden oberen Quadranten des Blockes verlaufen und von der linken Seite anzutreiben sind. In ähnlicher Weise verlaufen die A'-Stromkreise A'5, A* 6 zwischen der fünften und sechsten Zeile der Zellen nach Fig. 2 und werden auf der rechten Seite des Blockes neben dem unteren rechten Quadranten angetrieben, wobei diese Stromkreise im wesentlichen frei von Unterkreuzungen sind. In gleicher Weise verlaufen die A'-Stromkreise Xl, X% zwischen den beiden untersten Zeilen des Blockes in ähnlicher Weise wie bei den Stromkreisen XS, X 6. Bei Betrachtung der Spaltenstromkreise für den Speicher sind alle in ähnlicher Weise angeordnet, wie dies vorangehend für die A'-Stromkreise beschrieben wurde, wobei die Y-Stromkreise Yl bis V4 an der unteren Kante des unteren linken Quadranten des Blockes und YS bis Yi neben der oberen Kante des oberen rechten Quadranten angetrieben werden.

Digitalstromkreise für den Block nach F i g. 2 werden zweckmäßig bezüglich der Digitalleitungen be trachtet, welche Gruppen von Speicherzellen bedie nen, bezüglich Digitalsammelleitungen, welche Digital leitungen für entsprechende Quadranten des Blocke schneiden, und bezüglich Digitalanschlüssen zur Her stellung von äußeren digitalen Sammelschienenver bindungen iür den Block. Alle Digitalstromkreis sind metallisch, mit Ausnahme kurzer verbindungs mäßig diffundierter Abschnitte an jeder Zelle, wi dies in Verbindung mit F i g. 4 erläutert ist. Digital leitungen, beispielsweise Digitalleitungen 37, 38, vei laufen zwischen benachbarten Zeilen von Zellen i Blockquadranten neben Af-Schalungsantriebspunl ten, wie dies in dem oberen linken und unteren reel· ten Quadranten von F i g. 2 der Fall ist. Digitalleitur gen, beispielsweise Digitalleitungen 40, 41, verlaufe zwischen benachbarten Spalten von Zellen in Qui

rnn Ci C/T

ίο

dranten, beispielsweise in dem oberen rechten und unteren linken Quadranten, wo die Y-Spaltenstromkreise angetrieben werden. Diese Digitalstromkreise sind in Bit- und Bit-Paaren angeordnet, welche zwischen Paaren von X- oder Y-Stromkreisen liegen, wobei die gleichen Speicherzellen versorgt werden. Jede Zelle liegt sowohl an einer Bitleitung als auch an einer Bitleitung, wie in F i g. 1 veranschaulicht ist.

schnell über einen Schaltungsteil von extrem geringer Zeitkonstante geladen, um eine Ausgangsspannung aufzubauen, die schnell über den Widerstand 63 auf die Last gelegt wird. Diese Ausbildung von Fig.3A ist tatsächlich in eii.sm Blockzeilen- oder -spaltensteuerstromkreis nicht erzielbar, weil die Impedanz verteilt ist. Wenn dies jedoch der Fall wäre, so ergäbe sich die Mindest-Signalanstiegszeitverzögerung. F i g. 3 B stellt die Ersatzschaltung für die verteilte

Obgleich die letztgenannten Verbindungen in F i g. 2 F i g. 3 B stellt die Ersatzschaltung für die verteilte

so dargestellt sind, daß sie unterschiedliche Anzahlen io Impedanz in einer Blockschaltung von einer Art dar, von Stromkreisen kreuzen, sind die Unterkreuzungen die sonst nicht in der Zeichnung veranschaulicht ist, tatsächlich fast gleich, da bei der tatsächlichen Aus- wobei Unterkreuzungen insgesamt über die Schaltung legung der äußeren oder Y-Tortransistoren 29, 30 vorgesehen sind. Jede Unterkreuzung umfaßt eine diese mit Vorteil zwischen den Digitalleilungen eines gewisse verteilte Nebenschlußkapazität, welche verPaares an jeder Zellenstelle gelegen sind, wie sich 15 häUnismäßig gering ist, und einen beachtlichen Reidies aus F i g. 4 ergibt. henwiderstand, welcher sich daraus ergibt, daß das

Innerhalb jedes besonderen Quadranten treten die in dem UnterkreuzungsdifTusionsbereich enthaltene Bit- und Bitdigstalleitungen in den Quadranten von Halbleitermaterial einen wesentlich höheren Widerentgegengesetzten Seiten her ein, während entspre- stand aufweist, als dies für einen entsprechenden chende Leitungen des gleichen Typs innerhalb des 20 Längenabschnitt des metallischen Teiles der Schal-Quadranten auf eine gemeinsame Sammelleitung ver- tung zutrifft. In Fi g. 3 B stellen ein Reihenwiderstand laufen. Daher treten in Fig. 2 die Bitleitungen, bei- 66 sowie ein Nebenschlußkondensator 67 eine anspielsweise die Leitung 38, in den oberen linken fängliche Schaltungsunterkreuzung zur Aufnahme Quadranten des Blockes von rechts her ein und wer- einer Digitalschaltungs-Sammelleitung dar. Diesen den an dieser Seite durch eine Sammelleitung 42 zur 25 Impedanzen folgen mehrere ähnliche Abschnitte, von Verbindung mit einem Bitanschluß 43 gesammelt. In denen jeder einen Widerstand 68 sowie einen Konähnlicher Weise treten Bitleitungen, beispielsweise die densator 69 umfaßt, die nachfolgende Untcrkreuzun-Leitung 37, in dem gleichen Quadranten von der lin- gen an jedem Schnittstromkreis für den Fall darstelken Seite ein und werden durch eine Sammelleitung len, wo der betrachtete Stromkreis alle Unterkreu-46 zur Verbindung mit einem Bitanschluß 47 gesam- 30 zungsfunktionen für die Stromkreisunterkreuzungen melt. Diese Sammelleitungen der gleichen Art wer- annimmt. Die verteilte Kapazität des metallischen den weiter so verbunden, daß jede Zelle an dem Stromkreisteiles ergibt sich durch die Kondensatoren Block Zugang zu den Bitanschlüssen 43, 47 sowie 67, 69. Ein an den Stromkreisantriebspunkt gelegtes zu einem entsprechenden Paar von Bitanschüssen Signal weist eine vergrößerte Anstiegszeit auf, weil 48. 49 an der diagonal entgegengesetzten Ecke des 35 die Kapazitäten aufeinanderfolgender Abschnitte des Blockes aufweist. Diese Anordnung ermöglicht die sich wiederholenden Netzwerkes aufeinanderfolgend Herstellung von Digitalschaltungen für Mehrfach- geladen werden müssen.

blocke, die in Reihe zu schalten sind, wie dies bei Fig. 3C stellt ein angenähertes Ersatzschaltbild

gewissen Speicheranordnungen vorteilhaft ist. eines X- oder Y-Stromkreises nach F i g. 2 dar. Das

Die Anschlüsse 47, 49 werden miteinander durch 40 Ersatzschaltbild umfaßt einen Eingangswiderstand eine Bitsammellcitung 46 in dem oberen linken Qua- 66 sowie einen Kondensator 67', der dre anfängliche dranten, eine Bitleitung 50 sowie eine Bitsammei- Unterkreuzungsimpedanz zur Anpassung auf eine schiene Sl in dem unteren linken Quadranten zuzüg- Digitalstromkreissammclleitung darstellt, wie dies für lieh einer Verbindung 52 in dem unteren rechten Fig. 3 B zutrifft. Jedoch folgt "auf diese Kombination Quadranten verbunden. Auch ist als Abzweigung an 45 ein Kondensator 70. welcher die vorherrschend verder gleichen Verbindung zwischen den Bitanschlüssen teilte Kapazität des X- oder Y-Steuerstromkreiseine Zusammenfassung einer Bitsammelleitung 53 Quadrantenteiles darstellt, der sonst frei von Unterangeordnet, welche den unteren rechten Quadranten kreuzungen ist. Auf den Kondensator 70 folgt ein versorgt, und eine Bitsammelleitung 56, welche den sich wiederholendes Netzwerk einschließlich mehoberen rechten Quadranten versorgt. In ähnlicher 50 rerer Widerstands-Kondensator-Abschnitte, von denen Weise sind die Bitanschlüsse 43, 48 durch eine Ver- jed^r einen Widerstand 68' sowie einen Kondensator bindung 57, eine Bitsammelleitung 58, eine Bit- 69' umfaßt, wobei jeder solche Abschn't cine Umsammelleitung 59 sowie eine BTtsammelleitung 60 terkreuzung in dem Stromkreisabschnitt darstellt verbunden, welche alle mit einer Abzweigverbindung welcher die Unterkreuzunasfunktion für die Strom· einschließlich der Bitsammelleitung 42 zusammen- 55 kreisschnittstellen erfüllen "soll. Jedoch wird die gewirken, die den oberen linken Quadranten versorgt, samte Widerstandswirkung gemäß dem Ausführung»- sowie einer Bitsammelleitung61, welche den unteren beispiel nach Fig. 2 im Vergleich damit reduziert linken Quadranten versorgt. wie sie sonst aufträte, weil jede Unterkreuzung meh-

Man könnte erwarten, daß irgendein Blockstrom- rerc Stromkreise aufnimmt, d. h. ein Paar von X kreis eine charakteristische Impedanz einschließlich 60 oder Y-Stromkreisen sowie zwei Digitalstromkreise des Serienwiderstandes sowie der auf die umgeben- Auf diese Weise wird die gesamte Lance der diffun den Schaltungselemente verteilten Nebenschlußkapa- ·*:-—- a .._..,. ... . . " .. - , ..^.-j»,

zität aufweist. Eine ideale Ersatzschaltung ergibt sich aus Fig. 3 A, wobei ein Nebenschlußkondensator die Kapazität darstellt, welche nahe des Antriebspunktes 65 verbunden ist, wobei ein Reihenwiderstand 63 mit der Last verbunden ist. Bei Anlegung einer Spannung den Antriebspunkt wird der Kondensator 62

dierten Abschnitte, welche unter sich "schneidende! Stromkreisen verlaufen, auf einem praktischen Mini mum gehalten.

Demgemäß ergibt die einzelne Steuerstromkreis anordnung nach Fig. 2 gemäß dem Ersatzschaltbi'I" nach F i g. 3 C eine Optimierung der Signalanstiegs zeit. Der vorherrschende Teil der verteilten Kapazilü

11 12

ist derjenige, welcher durch den unterkreuzungs- der Zellen auf dem Block zwischen den Bit- und Bitfreien metallischen Stromkreisabschnitt dargestellt Leitungen angeordnet wurden. Auf diese Weise umist, der neben dem Stromkreisantriebspunkt zusam- fassen die Doppeltrensistoren in F i g. 4 jeweils einen mengefaßt ist, wo er durch die geringstmögliche Im- unterschiedlichen y-Tortransistor für eine unterpedanz aufgeladen werden kann, d. h. diejenige, 5 schiedliche Speicherzelle. Zwei Kontaktsäulen 71, 72 welche durch eine einzige Unterkreuzung dargestellt verbinden die Bit- und Bit-Leitungen 31, 32 mit dem ist. In gleicher Weise ist der Leitereffekt des Teiles DifTusionsniveau, wo die diffundierten leitenden der verteilten Impedanz einschließlich der Wider- Wege die Säulen mit Elektroden des Transistors 29 stände in allen anderen Unterkreuzungen auf den bzw. 30 verbinden. Oberhalb jedes dieser Transisto-Schaltungsabschnitt begrenzt, welcher sich von dem io ren ist gemäß der Zeichnung ein anderer Transistor Antriebspunkt entfernt befindet, und wird auf so- vorgesehen, welcher den y-Tortransistor einer zuwohl die X- als auch die y-Stromkreise aufgeteilt, so sätzlichen Speicherzelle oberhalb der einen in der daß die Signalanstiegszeitverzögerung für irgendeinen Zeichnung veranschaulichten umfaßt. Daher ent-Stromkreistyp auf einem Minimum gehalten wird. spräche beispielsweise die Zelle gemäß F i g. 4 der

Fig. 4 zeigt die tatsächliche Auslegung einer in- 15 Zelle gemäß Fig. 2, welche die zweite von links in

tegrierten Schaltung auf einer Halbleiterplatte für der zweiten Zeile von Zellen (von oben in der Figur)

eine Speicherzelle der Art nach Fig. 1, wobei viele darstellt. Die leitenden Wege für die Transistoren 29,

der vorangehend für eine solche Zelle in bezug auf 30 verlaufen durch ihre entsprechenden Kanäle zu

F i g. 2 erläuterten Beziehungen dargestellt sind. Da zusätzlichen diffundierten Leitungen 73, 76, welche

eine integrierte Schaltung tatsächlich ein dreidimen- 20 Verbindungen zu Elektroden des λ'-Tortrarisistors

sionaler Komplex von Leitungen und aktiven Bau- 27 bzw. 28 bisden.

einheiten ist, wird in F i g. 4 eine schematische Be- Die Transistoren 29. 30 überdeckend ist ein Mezeichnung verwendet, wie sie in der Technik ge- talleiter 77 mit verbreiterten Teiler. 77«, 77 b vorgebräuchlich ist, um in einer zweidimensionalen Zeich- sehen, welche sowohl die Torelektroden als auch die nung die als wesentlich angesehenen dreidimensio- 25 Verbindungen hierzu für die Transistoren 29, 30 nalen Merkmale zu veranschaulichen. In Fig.4 sind umfassen und die ferner über eine Kontaktsäule 78 drei interessierende Niveaus veranschaulicht. Es han- mit einer y-Leitungsunterkreuzung 26a verbunden delt sich hier um ein DifTusionsniveau, wobei die lei- sind. Ähnliche verbreiterte Abschnitte in dem A'-Leitenden Teile durch verhältnismäßig dicke ausgezo- ter 23 nach F i g. 4 ergeben Torelektroden und daran gene Linien dargestellt sind, ferner ein Kanalniveau, 30 vorgesehene Verbindungen für A'-Tortransistoren wobei die leitenden Kanäle aus isolierten Gate-Feld- 27. 28.

effekttransistoren durch verhältnismäßig dünne aus- Die letzterwähnten Transistoren weisen diffundierte

gezogene Linien dargestellt sind, und eine Ober- Elektrodenabschnitte auf, welche über weitere dif-

flächenmetallisierung, wobei Bänder eines metal- fundierte Leitungen 16', 17' entsprechend Flip-Flop-

Iischen Leiters, die auf der Fläche des Blockes nieder- 35 Ausgangsanschlüssen 16, 17 mit Quellenelektroden

geschlagen wurden, gestrichelt gezeigt sind. In der der Füp-Flop-Ladetransistoren 18, 19 sowie mit Sen-

Praxis befinden sich viele der die metallisierten Lei- kenelekiroden der Flip-Flop-Transistoren 11,12 ver-

ter darstellenden ger.trichelten Linien unmittelbar bunden sind. Ein metallisiertes Band 21' entsprichi

über denjenigen Linien, welche die diffundierten dem Anschluß 21 nach Fig. 1 für miteinander vcr-

Halbleiterbereiche darstellen. In den meisten Fällen, 40 bundene Torelektroden der Ladetransistoren 18, IS

wo dies der Fall ist, sind die gestrichelten Linien als Ausdehnung des Ii - -Sammelleitungssystems füi

etwas versetzt, so daß sie getrennt wahrgenommen das Plättchen. Das letztgenannte System umfaßt An·

werden können. Verbindungen zwischen der Dif- sätze 22' an dem zentralen linksseitigen Te!l vor

fusionsschicht sowie den metallisierten Oberflächen- Fig. 4 zur Erzeugung einer B -Spannung zu der

leitungen ergeben sich in ähnlicher Weise, wie dies 45 Zellen links von den in Fig. 4 dargestellten sowif

für den Leiter 25 nach Fig. 2 A veranschaulicht ist. ein Paar von ähnlichen nach unten verlaufenden An-

Es werden somit Löcher durch eine isolierende sätzcn von der Unterseite von F i g. 4 zu Zellen un

Schicht geätzt, welche sonst die gesamte Oberfläche terhalb derjenigen nach Fig. 4. Senkenelektrode

des Halbleitermaterials überdeckt, einschließlich der der Ladetransistoren 18, 19 liegen über diffundiert!

diffundierten Bereiche. Halbleitermetall, das danach 50 Leiter auf der Masse-Diffusionssammelleitung 20'

auf der Isolierschicht abgesetzt wurde, erstreckt sich die sich über die Unterseite von Fi g. 4 erstreckt,
durch die Löcher, um das Halbleitermaterial an die- Flip-Flop-Transistoren 11, 12 von Fig. 4 liegei

sen Punkten zu kontaktieren. Derartige Kontakt- mit ihren Senkenelektroden an dem diffundierten Lei

säulen, welche durch die Isolierlöcher verlaufen, sind ter 16' bzw. 17'. Die Quellenelektroden dieser Tran

durch Paare konzentrischer Rechtecke dargestellt. 55 sistorcn sind über diffundierte Leiter 13' mit eine

Die Transistoren nach Fig. 4 sind durch unter- Säule 79 verbunden, welche sich sowohl über dei

strichcne Bezugszeichen unterschieden, welche gleich diffundierten Leiter 13' als auch die gemeinsame Un

denjenigen gemäß Fig. 1 sind und in dem Kanal- tcrlagc (nicht veranschaulicht) erstreckt, wo die Ver

bereich für den Transistor angeordnet sind. Sonst bindung zu der positiven Potentialquelle 13 (ii

entsprechen die Bezugszeichen gemäß Fig. 4 den- 60 Fig. 1 veranschaulicht) hergestellt ist. Eine Kontakt

jenigen in den anderen Figuren der Zeichnung. sävlc 80 ergibt eine Krcuzkopplungsverbindung voi

Der BTtstromkrcis 32 sowie der Bitstromkreis 31 der metallisierten Torelektrode des Transistors 11 zi

gemäß Fig. 4 entsprechen den beiden Metallbau- der diffundierten Senkenelektrode des Transistors 12

dem, die sich quer zu dem oberen Abschnitt von die in dem Leiter 17' eingeschlossen ist. In ähnliche

Fig. 2 oberhalb sowie unterhalb zweier Doppcliran- 65 Weise ergibt eine Kontaktsäule 81 eine Kreuzkopp

sistoicii erstrecken, die Y'-Tortransistoren 29, 30 ein- lirn<:svcrbindung von der Senkenelektrode des Tran

schließen. Es war vorangehend in Verbindung mit sisiors U zu der Torelektrode des Transistors 1]

Fig. 2 erwähnt worden, daß die y-Tortransistoren Aus Fig. 4 ist auch ersichtlich, daß zusätzlich

Transistoren 11α, 12 a hinsichtlich aller Elektroden parallel zu dem Transistor 11 bzw. 12 verbunden sind. Diese zusätzlichen transistoren 11α, 12α können als Abtrennteile des Transistors 11 bzw. 12 betrachtet werden und sind daher in Fig. 1 nicht gesondert veranschaulicht. In F i g. 4 sind diese Elemente als getrennte Teile lediglich zum Zwecke der wirksamen Ausnutzung des Raumes des Plättchens veranschaulicht.

Die Y-Schaltung 26, welche die Zelle nach F i g. 4 bedient, erstreckt sich über die linke Seite von F i g. 4 und umfaßt einen unteren Metallabschnitt, welcher alsdann über eine Kontaktsäule 82 mit dem diffundierten Leiterabschnitt 26 α gekoppelt ist, der unter der vorangehend erwähnten B — -Sammelleitung 22', dem .Y-Leiter 23, der Bitleitung 31, der Säule 78 zur Verbindung mit dem Leiter 77 sowie der Bit-Leitung 32 verläuft.

Wenn die Darstellung der Zelle nach F i g. 4 um 90° im Uhrzeigersinn in der Ebene der Zeichnung ao gedreht wird, so ergibt sich eine Entsprechung mit Zellen in dem unteren linken und oberen rechten Quadranten des Blockes, wie in F i g. 2 veranschaulicht ist. Jedoch müssen in dieser neuen Orientierung die Stromkreise, welche als Y-Stromkreise bezeichnet wurden, nunmehr als .Y-Stromkreise bezeichnet werden und umgekehrt. Auf diese Weise vertauscht ein Schalter A"-Y-Torstufenfunktionen der Transistorpaare 27, 28 sowie 29, 30, jedoch ist die Verlauschung unerheblich, da die Torstufentransistoren für eine Koinzidenzfunktion verwendet werden und keine betriebsmäßige Kopplung aufgebaut wird, sofern nicht alle vier Transistoren eingeschaltet sind. Folglich verursacht die Drehung keine Änderung in den Betriebsvorgängen der Zelle.

Zusammenfassend wird als erfindungsgemäß die Ausbildung eines Blockes mit einer integrierten Schaltung erreicht, wobei die Unteikreuzungs-Belastung über Zellen-Inbetriebsetzungsschaltungen aufgeteilt ist, so daß an diesen Schaltungen liegende Signale durch ähnliche Anstiegs- und Abfallzeiten zur Verminderung von Signalanstiegszeit-Verzögerungen ausgezeichnet sind, welche bei dem Gesamtschaltungsbetrieb aufgenommen werden müssen. Femer wird die Unterkreuzungsbelastung vorzugsweise hinsichllich der von dem Schaltungsantriebspunkt entfernten Schaltunger, verteilt, während die Masse der Schaltungskapazilät nahe zu dem Antriebspunkt verlegt wird, um die Signalanstiegs- und Abfallzeiten weiter zu vermindern.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (8)

Patentansprüche:

1. Integrierter Schaltungsblock bzw. integriertes Schaltungsplättchen mit darin ausgebildeten Vielfachschaltungszellen, die in Zeilen und Spalten angeordnet sind, mehreren Zeilenstromkreisen sowie mehreren Spaltenstromkreisen in sich schneidender Anordnung auf dem Block, wobei die Zeilen- und Spaltenstromkreise zur Beaufschlagung der Zellen mit Signalen vorgesehen sind, wobei jeder Zeilen- und Spaltenstromkreis Leitungselemente von geringer Impedanz und Leitungselemente von hoher Impedanz zur Bildung von elektrischen Kreuzuiigselementen umfaßt, welche andere Stromkreise an Schnittpunkten mit diesen kreuzen, ohne eine elektrische Verbindung mit diesen anderen Stromkreisen zu bilden, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Zeilenstromkreis (Xl, Xl,...) und jeder Spaltenstromkreis (Yl, Yl,...) einen ersten Abschnitt (z. B. die linke Hälfte jedes Stromkreises ΑΊ bis X4) aufweist, mit welchem eine erste Gruppe von Zellen verbunden ist und welcher im wesentlichen frei (umfaßt keine Unterkreuzungen 45_; mit Ausnahme einer Bit-Sammelleitung 46) von Kreuzungselementen ist und daß jeder Zeilen- und Spaltenstromkreis einen zweiten Abschnitt (z. B. die rechte Hälfte jedes Stromkreises Xl bis X4) aufweist, mit welchem eine zweite Gruppe von Zellen verbunden ist und welcher zumindest ein Kreuzungselement (an den Kreuzungsstellen mit den Stromkreisen 42, 75,40, 41, Y 6, Yl, 59 und 78) umfaßt.

2. Block nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Anzahl der Kreuzungselemente in den zweiten Teilen der Stromkreise im wesentlichen gleich ist.

3. Block nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein erster Teil jedes der Stromkreise elektrisch dichter an dem Antriebspunkt des Stromkreises als dessen zweiter Teil liegt.

4. Block nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromkreise (X) in Paaren von Stromkreisen der gleichen Zeilen- oder Spaltengruppe von Stromkreisen zwischen Paaren von Zeilen- bzw. Spaltenzellengruppen der Zellen verlaufen und daß Bauelemente (Mittelverbindung an der Unterseite zu der Zelle 10) zur Verbindung jedes Stromkreises eines Paares zu Zellen einer unterschiedlichen Gruppe eines solchen Zellengruppenpaares vorgesehen sind.

5. Block nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein weiterer Stromkreis auf dem Plättchen sich zu allen der Zellen erstreckt und folgende Elemente umfaßt: Mehrfachstromkreisleitungen (37, 38; 40, 41), von denen jede in physikalischer Parallelbeziehung zu dem ersten Abschnitt eines verschiedenen Stromkreises der Zeilen- oder Spaltenstromkreise verläuft, und daß Stromkreis-Sammelleitungen (46, 57 usw.) zur Verbindung der Stromkreisleitungen miteinander sowie mit einer äußeren Verbindung (47, 43, 49, 48) für den Block vorgesehen sind.

6. Block nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der weitere Stromkreis frei von den Kreuzungselementen ist.

7. Block nach Anspruch 5, dadurch gekenn-

zeichnet, daß jede der Stromkreisleitungen (37, 38) sowie Stromkreis-Sammelleitungen ein Paar von Leitungen in zusammenwirkender Verbindung zur Übertragung von Doppelschienen-Logiksignalen umfaßt.

8. Block nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß jede der Zellen eine Flip-Flop-Schaltung (F i g. 1) mit einem Paar von Eingangs-Ausgangs-Anschlüssen (16, 17) ist, die mit einem Paar (31, 32) der Leiter zur Aufnahme der Doppelschienen-Logiksignale verbunden sind, um den Betriebszustand dieser Zelle zu steuern oder ähnliche Signale mit den Leitern als Anzeige des Betriebszustandes dieser Zelle zu koppeln, wobei ein Paar von Zeilentastbaueinheiten (27, 28) sowie ein Paar von Spaltentastbaueinheiten (29, 30) die Eingangs-Ausgangs-Anschlüsse mit den Leitungen in Abhängigkeit von einer Koinzidenz der Signale an einem sich bei einer solchen Zelle schneidenden Zeilenstromkreis sowie einem Spaltenstromkreis koppeln, und daß eines (29, 30) der Paare von Tastbaueinheiten in dem Block zwischen den Leitungen des Leiterpaarcs gebildet ist.