DE2105178C3 - Integrierte Halbleiterschaltung - Google Patents

Integrierte Halbleiterschaltung

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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/40—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00 with at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of IGFETs with BJTs
    • H10D84/401—Combinations of FETs or IGBTs with BJTs
    • H10D84/403—Combinations of FETs or IGBTs with BJTs and with one or more of diodes, resistors or capacitors
    • H10P14/61—
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NL7002384.A NL159817B (nl) 1966-10-05 1970-02-19 Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.

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DE2105178A1 DE2105178A1 (de) 1971-09-02
DE2105178B2 DE2105178B2 (de) 1979-07-12
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SE372139B (OSRAM) 1974-12-09
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Legal Events

Date Code Title Description
8235 Patent refused
8225 Change of the main classification

Ipc: H01L 27/04

8281 Inventor (new situation)

Free format text: KOOI, ELSE, EINDHOVEN, NL

C3 Grant after two publication steps (3rd publication)