AT339959B - Verfahren zum herstellen einer integrierten monolithischen halbleiteranordnung mit versenkter isolierschicht - Google Patents

Verfahren zum herstellen einer integrierten monolithischen halbleiteranordnung mit versenkter isolierschicht

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    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
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