DE2057757A1 - Komplexbildner und ihre Anwendung in stromlos arbeitenden Metallisierungsbaedern - Google Patents

Komplexbildner und ihre Anwendung in stromlos arbeitenden Metallisierungsbaedern

Info

Publication number
DE2057757A1
DE2057757A1 DE19702057757 DE2057757A DE2057757A1 DE 2057757 A1 DE2057757 A1 DE 2057757A1 DE 19702057757 DE19702057757 DE 19702057757 DE 2057757 A DE2057757 A DE 2057757A DE 2057757 A1 DE2057757 A1 DE 2057757A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
acid
complexing agents
bath
metal
bath solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19702057757
Other languages
English (en)
Other versions
DE2057757C3 (de
DE2057757B2 (de
Inventor
Milan Paunovic
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kollmorgen Corp
Original Assignee
Photocircuits Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Photocircuits Corp filed Critical Photocircuits Corp
Publication of DE2057757A1 publication Critical patent/DE2057757A1/de
Publication of DE2057757B2 publication Critical patent/DE2057757B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2057757C3 publication Critical patent/DE2057757C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/42Coating with noble metals
    • C23C18/44Coating with noble metals using reducing agents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/38Coating with copper
    • C23C18/40Coating with copper using reducing agents

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Description

Bsriin, den 17. November 1970
Photocircuits Division of Kollmorgen Corporation, Hartx'ord, Connecticut, U.S.A.
Komplexbildner und ihre Anwendung in.' stromlos arbeitenden Metallisierungsbädern
Stromlos arbeitende Metallisierungsbäder
bestehen in der Hegel aus den folgenden Grundkomponenten j Salz des abzuscheidenden Metalles, Reduktionsmittel und Komplexbildner. Letzterer hat unterschiedliche Aufgaben in der Badlösung, erstens muß der mit den Metallionen gebildete Komplex in der Badflüssigkeit eine gute Löslichkeit aufweisen, zweitens muß der gebildete Komplex stabil gegenüber dem Reduktionsmittel sein, damit dieser nicht bereits innerhalb der üadlösung von dem Reduktionsmittel angegriffen wird, jedoch muß er an katalytisch wirkenden Oberflächen oder in deren unmittelbarer Umgebung von dem Reduktionsmittel zersetzt und zum Metall reduziert werden.
^s sind eine Anzahl von Komplexbildnern bekannt, die diese Aufgaben erfüllen aber nur wenige der bisher bekannten Komplexbildner haben eine stabilisierende Wirkung auf das Bad ohne gleichzeitig die Abscheidungsgeschwindigkeit des Metalles zu reduzieren. Nur eine bisher bekannte Verbindung ergibt gleichzeitig eine hohe Badstabilität bei großer Abscheidungsgeschwindigkeit Gyclohexandiamintetraacetat. Dieser Stoff ist aber so kostspielig, daß er trotz seiner vorzüglichen Eigenschaften für Produktionszwecke nicht in Betrach kommt.
109826/1768
Die Anmelderin ist bei weiteren Untersuchungen zu dem überraschenden Ergebnis gelangt, daß das Cyclohexandiamintetraacetat auch in Mischung mit anderen geeigneten Komplexbildnern üadlösungen ergibt, die bezüglich ihrer Badstabilität und Abscheidungsgesehwindigkeit, denen unter ausschließlicher Verwendung von Cyclohexandiamintetraacetat hergestellte. Badlösungen, erstaunlich nahe kommen.
Ziel der vorliegenden Erfindung sind Badlösungen, die mehrere Komplexbildner enthalten, wovon einer Oyclohexandiamintetraeaaigsäure beziehungsweise ein Salz davon ist,und die dadurch eine Hervorragende Badstabilität bei hoher Abscheidungsgeschwindigkeit aufweisen.
Entsprechend der vorliegenden Erfindung werden folgende Mischungen vorgeschlagen:
(a) solche die awei stabile, wasserlösliche Komplexverbindungen mit zwei Komplexbildnern enthalten, von denen einer Cyclohexandiamintetra98.sigsäure int.'-
(b) solche die eine stabile wasserlösliche gemischte Komplexverbindung aus wenigstens zwei Komplexbildnern enthalten von denen einer Cyclodiamintetraessigsäure ist
(c) Mischungen von (a) und (b) Vorzugsweise werden als abzuscheidende
Metalle solche der Gruppe "IB1 des periodischen Systems der Elemente, insbesondere Kupfer verwendet.
Erfindungogemäß ist Cyclohexandiaminessigsäure beziehungsweise deren Salze ein notwendiger Bestandteil der Komplexbildner der Badlösung. Als zweiter oder weitere Komplexbildner könne ^Ammoniak oder organische Komplexbildner benutzt werden, die wenigstens eine Amin-, Hydroxyl- oder Carboxylgruppe enthalten. Als beoonders geeignet haben sich organische Komplexbildner mit folgenden Gruppen bewährt j -"-mmoniRk und organische Komplex-
109826/1768
bildner, die eine oder mehrere der folgenden Gruppen enthalten; die primäre Aminogruppe (-NHp), die sekundäre Aminogruppe fctfH), die tertiäre Aminogruppe (^F-), die Iminogmppe (=NH), die Carboxylgruppe (-COOH), und die Hydroxylgruppe-OH). Unter diesen Verbindungen sollen die folgenden besondere genannt werden: Äthylendiamin, Diäthylentriamin, Triäthylentetraamin, Äthylendiamintetraessigsäure, ΪΓ,Ν,Ν1 ,Ν*- tetrakis-2-(hydroxy-propyl) äthylendiamin, Zitronensäure, Weinsäure, 1.3 propandiamin, und Ammoniak. Ebenfalls können die verwandten Polyamine und N-carboxymethylderivate hiervon wie Diäthylentriaminpentaessigsäure. .
Rochelle-salz, das Natriumsalz (Mono-, Di- und Trinatriumsalz) der N-hydroxyäthyläthylendiamintriessigeäure, Nitrilotriessigsäure und deren Alkalisalze, Glukonsäure, G-lukonate und Triäthanolamin werden ebenfalls vorzugsweise als Komplexbildner verwendet, aber die im Handel befindlichen Verbindungen wie Giukon ξ lakton und modifizierte Äthylendiaminazetate sind ebenfalls brauchbar und geben in manchen Fällen sogar noch bessere Resultate als die reinen Äthylendiamintetraacetate und N-hydroxyäthyläthylendiamintriazetat.
Entsprechend dem erfinderischen Grundgedanken haben sich solche Mischkomplexe als brauchbar erwiesen die neben Cyclohexandiamintetraessigsäure einen oder mehrere der folgenden Komplexbildner enthalten; wie beispielsweise die folgenden: Äthylendiamintetraessigsäure, Ν,Ν,Ν' ,Ii*-tetrakis-2-(2-hydroxypropyl)-äthylendiamin oder eine Mischung von beiden.
])ie erfindungsgemäßen Komplexverbindungen des Metalls können beispielsweise folgendermaßen hergestellt werden, man «ibt zu der wässrigen Metallsalzlösung beispielsweise eines Metallchlorid, -sulfates oder Nitratu den Komplexbildner.
109826/ 1 768
Als Reduktionsmittel kann Formaldehyd oder beispielsweise auch ein wasserlösliches Borhydrid oder Aminoborane verwendet werden, alle genannten zeigen in Wasser gute Stabilität. Für Kupferbäder werden im allgemeinen wässrige Lösungen von Formaldehyd oder Paraformaldehyd verwendet. Für Edelmetalle haben sich Natrium- und Kaliumborhydride als sehr vor~ teilhaft erwiesen ,letztere werden insbesondere für Gold-und Silberbäder verwendet. Ebenfalls sollen noch die folgenden Reduktionsmittel erwähnt werden : substituierte -Borhydride wie Natriumtrimethoxyborohydrid Na B (OCH»)3H; sowie des weiteren die Aminoborane, beisxaelsweise Isopropyla'minoboran und Dimethylaminoboran, letztere sind ebunEällBrbrauchbare'Üeduktionsmlttelffür die Metalle der Gruppe IB des periodischen Systems der Elemente. t
Die den erfindungsgemäßen Komplexbildner enthaltenden Badlösungen werden in der Regel bei einem hohen pH betrieben, vorzugsweise liegt dieser zwischen 10 und 14<
Bei der Herstellung der Badlösung ist darauf zu achten, daß eine Reaktion zwischen dem Metallsalz und dem Reduktionsmittel vermieden wird; man geht deshalb Vorzugsweise folgendermasaen vor: zu der wässrigen Metallsalzlösung wird zunächst der Komplexbildner gegeben damit sich der wasserlösliche Metallkomplexjbildet ehe das Reduktionsmittel zugefügt wird, erst im Anschluß daran wird Reduktionsmittel zugesetzt.Dabei kann der Komplexbildner in Form einer Säure oder Base oder auch in Form eines Salzes zugegeben werden, sofern diese-Verbindungen wasserlöslich sind. Vorzugsweise wird man nach Zugabe des Komplexbildners zunächst den erwünschten pH Wert einstellen, indem man entweder Säure oder Lauge zusetzt. Das Reduktionsmittel wird üblicherweise in Form einer wässrigen Lösung zugegeben, beispielsweise eine 37$ Formaldehydlösung .
109826/1768
*..■■;■. - 5 - .
Sie nachfolgend aufgezählten Oberflächen , t wirken katalytisch auf die Metallabscheidung aus den erfindungsgemäßen Bädern : Nickel, Cobalt, Eisen, Stahl Palladium, Platin, Kupfer, Messing, Mangan, Chrom, Molybdän,"'Wolfram, Titan, Zinn und Silber.
Nichtmetallische Oberflächen wie Glas, Keramik und Kunststoffe müssen für die Metallabaoheidung aus erfindungsgemäßen Bädern mit einer katalytisch wirksamen · Oberflächenschicht versehen werden· Derartige Schiohten sowie Verfahren zu ihrer Aufbringung sind dem Fachmann bekannt. Beispielsweise sei hier eins der üblichen Verfahren genannt; die nicht katalytisehe Oberfläche wird in eine wässrige lösung von Zinn- und Edelmetailionen getaucht. .
Der Ausdruck katalytisch soll hier "bedeuten, daß-die Oberfläche katalytisch auf die Metallabsoheidung aus den geeigneten'Bädern v/irkt, ohne daß äuesere Stromzufuhr erforderlich ist«
Die Mengenverhältnisse der einzelnen Badkoniponenttn sind in weiten Bereichen variierbar» ^in typisches Bad würde folgende Mengenverhältnisse aufweisen!
Wasserlösliches Metallsalz 0.002 - 0.60 Mol/Liter Reduktionsmittel . 0.0002- 2.5 Mal/liiUer ' Komplexbildner 0.7 -10.0 mal die
Molzahl des Metalleälaea
* Theoretisch sind 1-2 Mole Formaldehyd pro Mol Metallsala erforderlich» für Borohydride gilt theoretisch dass it/4 -1/8 Mol pro Mol Metallsalz erforderlich ist. Diese Mengenangaben können als die Minimalmengen angesehen werden, (Sie sum funktionieren de» Sadee erforderlich sind.'
0RK3HNAL INSPECTED
109826/17 6 8
Die Menge des zuzusetzenden Koniplexbildners hängt von diesem selbst sowie von der Menge des im Bad befindlichen Metallsalzes ab. In alkalischer Lösung liegt daa Mengenverhältnis von Metallsalz zu Komplexbildner zwischen 1 ϊ 0.7 und 1:10. In der Regel ist ein kleiner Überschuß an Komplexbildner gegenüber dem Metallsalz vorteilhaft. Das Verhältnis von Cyclohexandiamintetraeasigsäure zu den übrigen Komplexbildnern kann in weiten Grenzen variiert werden ohne daiß hierunter die Wirtschaftlichkeit, die durch die vorliegende Erfindung gewährleistet wird ,leidet.
Im allgemeinen wird pro Mol Cyclohexandiamintetraeaaigöäure o.'25-bis etwa 2MoI weitere Komplexbildner verwendet.
Unter Verwendung der erfindungsgemäßen Bäder läuft die Metallabscheidung autokatalytisch un,d mit gleichbleibender" Geschwindigkeit an den Stellen ab an denen das Bad mit der katalytiachen Oberfläche in Berührung kommt.
Ea ist selbstverständlich, daß aich die Bäder im Verlauf der Metallabaoheidung verbrauchen, daa Metallaala und das Reduktionsmittel können von Zeit zu Zeit aufgefüllt werden ebenfalls ist es ratsam den pH Wert zu kontrollieren und alle weiteren Badbestandteile ständig auf ihrem Optimalwert zu halten.
Beate Ergebnisse werden erzielt wenn den erfindungsgemäßen Bädern Benetzer in Mengen von weniger als 5g/l zugesetzt werden. Typisch für geeignete Benetzer sind die Phosphorsäure ester und Oxyäthylierte Natriumsalze.
ORIGHNAL INSPECTED
109826/1768
Im folgenden werden Beispiele für erfindungsgeraäße Metallabscheidungsbäder gegeben«
Beispiel I
Kupfersulfat (CuSO4.5H2O) - 0.053 Mol/l Äthylendiamintetraessigs. - 0.05 Mol/l o-Cyclohexandiamintetraessigs. - 0.125 Mol/l Formaldehyd (6ml 379^) . -.0.074 Mol/l Wasser auffüllen auf
. pH - 12.80
Ein gereinigter Streifen Kupferfolie wird ' in das Bad bei einer Temperatur yon 5O0C eingetaucht, die Kupferabscheidungsgeschwindigkei't auf diesem Streifen beträgt 200mg/i0cm /Stunde
Zur Veranschaulichung des erfinderischen Grundgedankens wird ein zweites Bad angesetzt, welches genau die gleiche Zusammensetzung aufweist mit dem Unterschied, dass dieses als Komplexbildner zwar die gleiche Menge aber keine o_ - Cyclohexandiamintetraessigsäure sondern nur Ethylendiamintetraessigsäure:
Kupfersulfat (CuSO41SH2O) - 0.053 Mol/l
jifchylendiainintetraessigs. - 0.23 Mol/l
Formaldehyd (6ml 37#) - 0.074 Mol/l Wasser
pH - 12.80
Unter gleichen Bedingungen betrug die Abscheidungsgeschwindigkeit 70mg/i0cm /Stunde
Das gleiche Bad unter Verwendung von c^-Cyclohexandiainintetraessigsäure an Stelle von Äthylendiamintetraessigsäure also der folgenden Zusammensetzung:
109826/1768
Kupfersulfat, (CuSO4 . 5H2O) - 0.053 Mol/l ct-cyclohexandiainintetraeesigs.- 0.23 Mol/l .Formaldehyd (6ml 3V?°) " - 0.074 Mol/l ^Wasser auffüllen auf
pH - 12.80
Die Abscheidungsgeschwindigkeit betrug bei diesem Bad unter sonst gleichen Bedingungen 2O5mg/iOcm /Stunde.
Wie zu erwarten ist die Abscheidungsgeschwindigkeit mit Äthylendiamintetraessigsaüre als einzigem
Komplexbildner sehr gering und mit _o-Oy cl'ohexa nt et raessigsäure als einzigem Komplexbildner arbeitet das
Bad sehr schnell, in wenigen Stunden erreicht die
abgeschiedene Kupferschicht bereits eine Dicke die
für industrielle Zwecke brauchbar ist, aber wegen der hohen Kosten ist ein solches Bad dennoch im Fabrikationsbetrieb unwirtschaftlich.
Völlig überraschend ist die Wirkung von
Äthylendiamintetraessigsaure und o-Cyclohexandiamintetraessigsäure als Mischkomplexbildner entsprechend der yprliegenden Erfindung, die mit diesem Mischkomplexbildner erzielte Abscheidungsgeschwindigkeit ist fast so groß wie die mit reiner o^-Cyclohexandiamintetraessigsäure, was die Vorteile der hier beanspruchten Erfindung eindeutig aufzeigt.
Beispiel II
Die nach der vorliegenden Erfindung hergestellen Mischkomplexbildner erhöhen nicht nur die
Metallabscheidungsgeschwindigkeit aus stromlos arbeitenden Bäder, sie vergrößern gleichzeitig auch die Badstabilität.
1 C 9 8 2 6 / 1 7 *:
Kupfersulfat (CuSO4 . 5 HgO) - 0.06 Mol/l
N,N,N*,Nf- tetrakis-2-(2-
hydroxyprpyl)ethylendiamin -CO. 1 Mol/l cj-Cyelohexandiaraintetraeeeiga. - 0.05 Mol/l Formaldehyd (10ml 37?*) - 0.123Mol/l
Natriumcyanid (5mg) - 0.0001 Mol/l
Wasser auffüllen
. . auf T' Liter
pH ■ - 12.8
Das nach Beispiel II hergestellte Bad ist stabil und der erhaltene Kupferniederschlag von großer •i>uktilität. Bei 6O0C beträgt die Abscheidungsgeschwindigkeit 74.5mg/iÖ cnr/Stunde. ψ±?α ausschließlich K.M.K·,Nl-tetrakis~2-(2-hydroxypropyl) äthylendiamin^als Komplexbildner verwendet so ist das Bad instabil und zersetz; t sich innerhalb von 6 Minuten*
Beispiel III
Kupfersulfat (CuSO4-SH2O) -0.053MoIA o-Cyelohexandiaraintetra-
essigsaure β 0>073 Mol/l
ÄthylendiaiaintetraeBsigs. - 0.033 Mol/l Formaldehyd -0.074MoI/!
Hatriumcyanid (i0mg) . - O.OOO2M0I/I Wasser auffüllen auf 11
pH - 12.8
Bei 600C ist die Abseheidungsgeaohwindigkeit 157 mg/iOcm2/Std.
Bas Bad nach Beispiel 3 wird immer dann bevorzugt .wenn eine Oberfläche schnell mit einer dünnen Kupferschicht überzogen werden soll.
10 9 8 26/1768 ORtGiNAL1 INSPECTED
- ίο -
Beispiel IV
Goldchlorid-hydrochlorid
Trihydratn - 0-010 Mol/l
Äthylendiamin tetra-
esaig3äure - 0.050 Mol/l
£-Cycloft exandiamin-
tetraesaigsäure - 0.050 Mol/l
Natriumcyanid - 0.040 Mol/l
Dimethylaminboran - 0.140 Mol/l
Wasser "auffüllen auf
pH - 13.0
Dieses Bad arbeitet ohne äussere Stromzufuhr und mit guter Abscheidungsgeschwindigkeit bei 60°C.
Beispiel V
.Silbernitrat - 0.010 Mol/l
Äthylendiamintetra-
essigaäure - 0.050 Mol/l
o-Cyclohexandiamin-
Tetraessigsäure - 0.050 Mol/l
Natriumcyanid - 0.040 Mol/l
Dimethylboran - 0.035 Mol/l
Wasser ' - auffüllen auf
pH - 13.0
Dieses Bad arbeitet ebenfalls ohne äussere Stromzufuhr und scheidet Silber bei.,800C mit guter Geschwindigkeit-
ab. '
Beispiel VI
Entsprechend der vorliegenden Erfindung
wird in diesem Beispiel ein Komplexbildner aus 3
Komponenten verwendet.
Kupfersulfat (CuSO4.5H2O) -0.053MoIA
o-Gyclohexandiamintetra- '
"~ - 0.073 Mol/l
'Äthylendiamintetraessigs. - 0.033 Mol/l
N1N,N1,N«-tetrakiB-2-(2-
hydroxypropyl)tithylendiamin - 0.033 Mol/l
Formaldehyd - 0.074 Mol/l
Natriumcyonid (10mg) - 0.0002Mol/l
109826/1768
- 11 - ■ ' 2067757
Wasser auffüllen auf tliter
pH - 1.2.8
Bei 60 C und einer ladung von 40cm /Liter
ist das Bad stabil und scheidet Kupfer mit einer Geschwindigkeit von 20 Ai pro Stunde..ab.
Es wird angenommen daß unter Verwendung von einem oder mehreren Komplexbildnerη mit ^yclohexandiamintetraessigsäure mit dem Metall ein neuer Komplex gebildet wird, ü±e Eigenschaften eines solchen Komplexes werden von den einzelnen Bestandteilen abhängen, dieses eröffnet ganz neue Möglichkeiten zur Herstellung stromlos arbeitender Metallabscheidungsbäder. Zusätzlich können nun Komplexbildner Austauachreaktionen vorteilhaft angewendet werden in stromlos arbeitenden Bädern. Es' wurde gezeigt, daß bei der Mischung verschiedener Komplexbildner bezüglich Badstabilität und Abscheidungsgeschwindig« keit nicht vorhersehbare Resultate erzielt werden. Darüber hinaus werden in den Bädern neuartige Komplexe gebildet, inabesondere Mischkomplexe bei denen am gleichen Metallion verschiedene Komplexbildner gebunden sind, und alle möglichen Abwandlungen solcher Komplex·.
109826/ 1768

Claims (6)

  1. Xi
    PATENTANSPRÜCHE:
    /l,J Badlösimg welche zumindest Metall-Ionen und mehrere Komplexbildner für diese enthält, dadurch gekennzeichiiet, daß einor dieser Komplexbildner Cyclohexandiamintetraessigsäure bzw. ©in Salz davon ist.
  2. 2. Badlösung nach Anspruch 1, dadurch gekennsse.ichnet, daß die Losung eine Komplexverbindung von Metall-Ion und Cyclohexandiaminetetraessigsäure und eine Komplexverbindung von Me tall-Ion und einem oder mehreren anderen Komplexbildnern enthält.
  3. ψ 3· Ba(J lösung; nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß diese einen löslichen Mischkomplex aus Metall-Ion und den in dieser vorhandenen Komplexbildnern enthält. .'
  4. 4. Badlösung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß diese sowohl einen Mischkomplex sowie Komplexverbindungen dor einzelnen Komplexbildner mit Metall-Ionen'enthält.
  5. 5. Badlösung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall der Gruppe IB des Periodischen Systems zuzurechnen,vorzugsweise Kupfer, ist.
  6. 6. Badlösung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5 dadurch gekennzeichnet, daß eirer der in der Lösung vorhandenen Komplexbildner Aimioniak oder ·. eine organische Verbindung ist welche mindestens eine Amingruppe , Hydroxyl-Gruppe oder Carboxy 1-Gruppe entliält,
    7« Badlösung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass einer der Komplexbildner Äthylendiainin .. Diäthylentriamin, Triäthylentetraamin, Athylendiamintetraeseigsaure , N ,N ,N' ,N ' -te trakis-2- ( 2-hydx'oxypropyl) Uthylendiarnin, Zitronensäure, Keinsäuro, 1.3~Pro;>andiamin, DiäthyJen· triarninpontaessigsiiure, Rochelle-Salz, Mono-, Di- und
    10 9 8 2 6/1768
    BAD
    Tri-Nati-JLum Salz der N-Hyelroxyäthylendiamintriessi£i;säure, Nitriloti-iessi^säure und deren Alkalimetalsalze, Gluconsäure und deren Alkalimetalsalze sowie Triethanolamin ist,
    " ' 8, Badlösunc; nach mindestens einem der vorangehenden Ansi>rüche 1 bis 7 dadurch gekennzeichnet, daß sie ein Reduktionsmittel sowie ft^fls weitere Zusätze enthält, daß ihr pH Wert zwt.isb.hen 10 und 14- ist und daß diese zur Metallabscheiduiifs auf dafür katalytischen Oberflächen ohne Stromzufuhr von auswen dient.
    9· . Verfahren ssurn Abscheiden von Metall auf dafür katalytisch wirkenden Oberflächen ohne Stromzufuhr von Aussen dadurch gekennzeichnet, daß hierfür eine Bad-Ib'sung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 8 Verwendung findet.
    109828/1768 8^ ORIGINAL
DE19702057757 1969-11-20 1970-11-17 Badlösung zum stromlosen Abscheiden von Metallen Expired DE2057757C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US87856569A 1969-11-20 1969-11-20

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2057757A1 true DE2057757A1 (de) 1971-06-24
DE2057757B2 DE2057757B2 (de) 1973-10-11
DE2057757C3 DE2057757C3 (de) 1974-05-16

Family

ID=25372291

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19702057757 Expired DE2057757C3 (de) 1969-11-20 1970-11-17 Badlösung zum stromlosen Abscheiden von Metallen

Country Status (10)

Country Link
JP (1) JPS503742B1 (de)
AT (1) AT304219B (de)
CA (1) CA925252A (de)
CH (1) CH564093A5 (de)
DE (1) DE2057757C3 (de)
DK (1) DK138185B (de)
FR (1) FR2069551A5 (de)
GB (1) GB1305468A (de)
NL (1) NL164905C (de)
SE (1) SE375334B (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5427848A (en) * 1977-07-29 1979-03-02 Kenji Sawayama Hanger for overcoat and undercoat
DE3148280A1 (de) * 1981-12-05 1983-06-09 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Verfahren zur aktivierung von substratoberflaechen fuer die stromlose metallisierung
GB8703664D0 (en) * 1987-02-17 1987-03-25 Green A Electroless silver plating composition
DE4021681A1 (de) * 1989-07-12 1991-03-14 Kojima Chemicals Co Ltd Nichtelektrolytische goldplattierloesung
JPH08502367A (ja) * 1992-09-28 1996-03-12 デユコーア・エル・ピー N,n−ジメチル−ビス(2−ヒドロキシエチル)第4アンモニウムヒドロオキサイドを使用するフォトレジストの剥離方法
JP6388910B2 (ja) * 2013-03-27 2018-09-12 アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングAtotech Deutschland GmbH 無電解銅めっき溶液
CN115787003A (zh) * 2022-12-10 2023-03-14 漳州市东龙电子科技有限公司 一种三价铬电镀液

Also Published As

Publication number Publication date
DK138185C (de) 1979-01-02
NL7016919A (de) 1971-05-24
DE2057757C3 (de) 1974-05-16
SE375334B (de) 1975-04-14
NL164905B (nl) 1980-09-15
CH564093A5 (de) 1975-07-15
DE2057757B2 (de) 1973-10-11
GB1305468A (de) 1973-01-31
CA925252A (en) 1973-05-01
AT304219B (de) 1972-12-27
FR2069551A5 (de) 1971-09-03
DK138185B (da) 1978-07-24
NL164905C (nl) 1981-02-16
JPS503742B1 (de) 1975-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0003977B1 (de) Verfahren zum stromlosen Abscheiden von Kupfer
DE69224914T2 (de) Stromloses goldbeschichtungsbad
DE1521446C3 (de) Bad zum stromlosen Abscheiden von Kupfer
DE2049061C3 (de) Alkalisches wäßriges Bad und dessen Verwendung zur stromlosen Verkupferung
DE1621311C3 (de) Alkalisches Bad zur stromlosen Verkupferung
DE2248693C3 (de) Alkalisches Bad zur stromlosen Abscheidung von metallischem Silber auf einer Oberfläche und Verfahren zur Herstellung der Versilberungslösung
DE2057757A1 (de) Komplexbildner und ihre Anwendung in stromlos arbeitenden Metallisierungsbaedern
CH655132A5 (de) Waessriges bad fuer stromlose goldplattierung.
DE69509769T2 (de) Verwendung einer verbindung
EP0281804A2 (de) Stabilisiertes alkalisches Goldbad zur stromlosen Abscheidung von Gold
DE1621352C3 (de) Stabilisiertes alkalisches Kupferbad zur stromlosen Abscheidung von Kupfer
DE2414650C3 (de) Stromlos arbeitendes wässriges Verkupferungsbad
CH624994A5 (de)
EP0346740A1 (de) Alkalisches wässriges Bad zur galvanischen Abscheidung von Zink - Eisen - Legierungen
EP0161343A1 (de) Wässriges, stabiles bad zur chemischen Abscheidung von Kobalt-Phosphor-, Nickel-Phosphor- und Kobalt-Nickel-Phosphor-Legierungen
DE1817355A1 (de) Bad zum Abscheiden von metallischem Kupfer ohne Stromzufuhr von aussen
DE1521512B1 (de) Alkalisches Bad zur stromlosen Kupferabscheidung
DE2701365C3 (de) Stromlos arbeitendes Verkupferungsbad
DE1521444C (de) Bad zum stromlosen Abscheiden von Kupfer
CH680449A5 (de)
DE1521512C (de) Alkalisches Bad zur stromlosen Kupferabscheidung
DE2442016C3 (de) Wässrige Lösung für die Aktivierung von Oberflächen vor der stromlosen Metallabscheidung
DD245787A3 (de) Bad fuer die hochgeschwindigkeitsabscheidung von gold
DE1521444B1 (de) Bad zum stromlosen Abscheiden von Kupfer
DE2557125C3 (de) Lösungen zum Aktivieren von Oberflächen

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
8339 Ceased/non-payment of the annual fee