DE2027105A1 - Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

Info

Publication number
DE2027105A1
DE2027105A1 DE19702027105 DE2027105A DE2027105A1 DE 2027105 A1 DE2027105 A1 DE 2027105A1 DE 19702027105 DE19702027105 DE 19702027105 DE 2027105 A DE2027105 A DE 2027105A DE 2027105 A1 DE2027105 A1 DE 2027105A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor component
lacquer
protective layer
ester
surface protective
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19702027105
Other languages
English (en)
Other versions
DE2027105B2 (de
DE2027105C3 (de
Inventor
Wolfgang Dipl Phys 7250 Leonberg Schynoll Wolfgang Dipl Phys 7120 Bietigheim Breuer Peter Phys Ing 7300 Esslmgen Wulff Dietrich 7016 Gedingen Leibfned
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE2027105A priority Critical patent/DE2027105C3/de
Priority to CH668071A priority patent/CH520401A/de
Priority to GB1396571*[A priority patent/GB1303382A/en
Priority to FR7117994A priority patent/FR2093995B3/fr
Priority to NL7107559A priority patent/NL7107559A/xx
Priority to BE768009A priority patent/BE768009A/xx
Publication of DE2027105A1 publication Critical patent/DE2027105A1/de
Publication of DE2027105B2 publication Critical patent/DE2027105B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2027105C3 publication Critical patent/DE2027105C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

R. 9866
1.6.1970 Fb/Sz
Anlage zur
Patent- w&ä »,™,λί a„„„
Anme 1 dung
ROBERO? BOSCH GMBH, 7 Stuttgart 1, Breitscheidstraße 4-
Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einer aus einem Abdecklack bestehenden Oberflächenschutzschicht auf dem Halbleiterkörper und auf den an den Halbleiterkörper, angren- " zenden Oberflächenbereichen der Anschlußleiter. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterbauelements.
Bei bekannten Halbleiterbauelementen dieser Art werden als Abdecklacke Silikonharze und -lacke sowie Alizarinlack verwendet. Diese Abdecklacke haben aber den Nachteil, daß ihre Temperaturbeständigkeit sowie ihre Haftung auf den Anschlußleitern in vielen Fällen nicht ausreichend ist.
— 2 — 109851/U62
Robert Bosch GmbH ■ R. 9866 Fb/Sz
Stuttgart
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art zu entwickeln, bei dem diese Nachteile vermieden sind.
Eine besonders einfache und wirkungsvolle Lösung dieser Aufgabe ergibt sich, wenn gemäß der Erfindung als Abdecklack Ester-Imid-Lack verwendet ist.
Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung zweier in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele.
Es zeigen:
Fig. 1 ein Halbleiterbauelement nach der Erfindung mit zwei als Kopfdraht ausgebildeten Anschlußleitern im Axialschnitt;
Fig. · 2 ein Halbleiterbauelement nach der Erfindung mit zwei Anschlußleitern, von denen der eine als Sockel, der andere als Kopfdraht ausgebildet ist, ebenfalls im Axialschnitt; .
Fig. 3 eine Anordnung zum Aufbringen des Abdecklackes auf das Halbleiterbauelement nach Fig. 1, schematisch; , ; -;
Fig. 4 eine Anordnung zum Aufbringen des Abdecklackes auf das Halbleiterbauelement nach Fig. 2, schematisch.
Das in Fig. 1 dargestellte Halbleiterbauelement besitzt zwei aus Kupfer bestehende Anschlußleiter 1, 2, die als Kopfdraht ausgebildet sind. Zwischen den Kopfteilen la, 2a dieser beiden Anschlußleiter ist ein. Halbleiterkörper 3 festgelötet. Die
- 3 -■ 109851/146 2
_ 3 —
Robert Bosch GmbH · R- 9866 Fb/Sz
Stuttgart ..
Lötfugen zwischen dem Halbleiterkörper 3 und den Anschlußleitern 1, 2 sind mit 4· und 5 bezeichnet. Auf das verlötete Gebilde 1, 2, 3, 4, 5 ist eine Oberflächenschutzschicht 6 aufgebracht. Diese Oberflächenschutzschicht bedeckt die nach dem Verlöten noch freiliegende Umfangsfläche des Halbleiterkörpers 3> die freiliegenden Umfangsflächen der Lötfugen 4,5 sowie die Mantelflächen Ib, 2b und die ringförmigen Deckflächen Ic, 2c der Kopfteile la, 2a. Das verlötete und lakkierte Gebilde 1, 2, 3> 4, 5» 6 ist mit einer Kunstharzmasse umspritzt.
Erfindungsgemäß besteht die Oberflächenschutzschicht 6 aus Ester-Imid-Lack. Die Verwendung dieses Lackes hat eine besonders gute Haftung der Oberflächenschutzschicht 6 auf dem verlöteten Gebilde 1, 2, 3» 4, 5 und eine besonders gute Haftung der Kunstharzmasse 7 auf der Oberflächenschutzschicht zur Folge. Dadurch wird der mechanische Zusammenhalt und die Abdichtung des Bauelements wesentlich verbessert.
Das in Fig. 2 dargestellte Halbleiterbauelement besitzt zwei aus Kupfer bestehende Anschlußleiter 1, 2. Der Anschlußleiter ist dabei als Sockel ausgebildet, welcher im wesentlichen die Gestalt eines in der Mitte erhöhten Metalltellers hat. Die mittlere Erhöhung ist dabei mit la bezeichnet. Der Anschluß- f leiter 2 ist wie beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 als Kopfdraht ausgebildet. Zwischen der mittleren Erhöhung la des Anschlußleiters 1 und dem Kopfteil"2a des Anschlußleiters 2 ist der Halbleiterkörper 3 festgelötet, wobei die Lötfugen wieder mit 4 und 5 bezeichnet sind. Auf das verlötete Gebilde 1, 2, 3» 4, 5 ist wie beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 eine Oberflächenschutzschicht 6 aufgebracht, welche aus Ester-Imid-Lack besteht. Diese Oberflächenschutzschicht bedeckt die nach dem Verlöten noch freiliegende Umfangsflache
- 4. 109851 /U62
Robert Bosch GmbH . H. 9866 Fb/Sz
Stuttgart
des Halbleiterkörpers 3> die freiliegenden Umfangsflachen der Lötfugen 4, 5, die Mantelfläche Ib der mittleren Erhöhung la sowie die Mantelflächen 2b und die ringförmige Deckfläche 2c des Kopfteils 2a. Das verlötete und lackierte Gebilde 1, 2, 3» 4, 5> 6 ist wie beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 mit einer Kunstharzmasse 7 umspritzt. Anstelle der Kunstharzmasse 7 kann auch ein Glas-Metall-Verschluß verwendet sein.
Fig. 3 zeigt schematisch eine Vorrichtung zürn Aufbringen der Oberflächenschutzschicht 6 auf das in Fig. 1 dargestellte Gebilde 1, 2, 3, 4, 5 zusammen mit diesem Gebilde, welches bei 8 ebenfalls nur schematisch gezeichnet ist. Die Vorrichtung zum Aufbringen der Oberflächenschutzschicht 6 umfaßt einen mit Ester-Imid-Lack 9 gefüllten Behälter 10. Mit einer Pumpe 11 wird der Lack in ein Steigrohr 12 gepumpt, aus dessen oberem Ende er in Form eines Schwalles 13 austritt. An dem Lackschwall 13 wird das mit der Oberflächenschutzschicht 6 zu überziehende Gebilde 8 bzw. 1, 2, 3, 4-, 5 in Pfeilrichtung A rotierend vorbeigeführt und so mit der Oberflächenschutzschicht 6 überzogen. Die rotierende Bewegung ist in Fig. 3 bei 14 schematisch angedeutet. Nach dem Vorüberstreichen an dem Gebilde 1, 2, 3, 4, 5 fällt der Lackschwall über einen Trichter 15, welcher das Steigrohr 12 koaxial umgibt, in den Behälter 10 zurück.
Fig. 4 zeigt die Vorrichtung nach Fig. 3 zusammen mit dem in Fig. 2 dargestellten Gebilde 1, 2, 3, 4, 5i welches hier mit 81 bezeichnet ist. Zum Aufbringen des Lackes wird das Gebilde 8' an einem Unterdruckrohr 16 festgehalten und wie beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 3 rotierend an dem Lackschwall vorbeigeführt. Die rotierende Bewegung ist dabei bei 14' angedeutet.
109851/1462

Claims (3)

  1. Robert Bosch GmbH 1.
    Stuttgart
    Ansprüche
    ill Halbleiterbauelement mit einer aus einem Abdecklack bestehenden Oberflächenschutzschicht auf dem Halbleiterkörper und auf den an den Halbleiterkörper angrenzenden Oberflächenbereichen der Anschlußleiter,'dadurch gekennzeichnet, daß als Abdecklack Ester-Imid-Lack verwendet ist. ^
  2. 2. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
    nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung der Oberflächenschutzschicht (6) der Ester-Imid-Lack im Schwallverfahren auf das verlötete Gebilde (1,2, 3, 4, 5) aufgebracht wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
    das verlötete Gebilde (1, 2, 3» 4-, 5) beim Aufbringen ■
    des Ester-Imid-Lackes um seine.Achse gedreht wird. "
    2. 6.
    109851/1462
DE2027105A 1970-06-03 1970-06-03 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements Expired DE2027105C3 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2027105A DE2027105C3 (de) 1970-06-03 1970-06-03 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
CH668071A CH520401A (de) 1970-06-03 1971-05-05 Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
GB1396571*[A GB1303382A (de) 1970-06-03 1971-05-10
FR7117994A FR2093995B3 (de) 1970-06-03 1971-05-18
NL7107559A NL7107559A (de) 1970-06-03 1971-06-02
BE768009A BE768009A (fr) 1970-06-03 1971-06-02 Element semi-conducteur et procede pour sa fabrication

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2027105A DE2027105C3 (de) 1970-06-03 1970-06-03 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2027105A1 true DE2027105A1 (de) 1971-12-16
DE2027105B2 DE2027105B2 (de) 1980-06-26
DE2027105C3 DE2027105C3 (de) 1981-03-26

Family

ID=5772836

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2027105A Expired DE2027105C3 (de) 1970-06-03 1970-06-03 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

Country Status (6)

Country Link
BE (1) BE768009A (de)
CH (1) CH520401A (de)
DE (1) DE2027105C3 (de)
FR (1) FR2093995B3 (de)
GB (1) GB1303382A (de)
NL (1) NL7107559A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2700463A1 (de) * 1977-01-07 1978-07-13 Siemens Ag Verfahren zum passivieren von halbleiterelementen

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5754043B2 (de) * 1973-05-21 1982-11-16
JPS59113648A (ja) * 1982-12-20 1984-06-30 Hitachi Ltd 樹脂モ−ルド型半導体装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3379356A (en) * 1964-09-25 1968-04-23 Int Standard Electric Corp Arrangement for an insulating panel soldering device according to the flowsolder process
US3411122A (en) * 1966-01-13 1968-11-12 Ibm Electrical resistance element and method of fabricating
US3426098A (en) * 1965-05-20 1969-02-04 Schenectady Chemical Polyester-polyimide wire enamel
DE6751565U (de) * 1968-08-01 1969-02-06 Licentia Gmbh Anordnung zur isolierung von gleichrichtern
BE741192A (de) * 1968-11-08 1970-04-16

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3379356A (en) * 1964-09-25 1968-04-23 Int Standard Electric Corp Arrangement for an insulating panel soldering device according to the flowsolder process
US3426098A (en) * 1965-05-20 1969-02-04 Schenectady Chemical Polyester-polyimide wire enamel
US3411122A (en) * 1966-01-13 1968-11-12 Ibm Electrical resistance element and method of fabricating
DE6751565U (de) * 1968-08-01 1969-02-06 Licentia Gmbh Anordnung zur isolierung von gleichrichtern
BE741192A (de) * 1968-11-08 1970-04-16

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Saechtling - Zebrowski: Kunststoff- Taschenbuch, 17. Aufl., München 1967, S. 339-341 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2700463A1 (de) * 1977-01-07 1978-07-13 Siemens Ag Verfahren zum passivieren von halbleiterelementen

Also Published As

Publication number Publication date
GB1303382A (de) 1973-01-17
DE2027105B2 (de) 1980-06-26
NL7107559A (de) 1971-12-07
BE768009A (fr) 1971-11-03
CH520401A (de) 1972-03-15
FR2093995A7 (de) 1972-02-04
FR2093995B3 (de) 1973-10-19
DE2027105C3 (de) 1981-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1056221B (de) Zugfeste und wasserdichte Einfuehrung eines ortsbeweglichen Fernmeldekabels in ein Steckergehaeuse
DE4101175C2 (de) Stecker für den Anschluß von abgeschirmten Kabeln
DE2027105A1 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1126516B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit pn-UEbergang
DE1221324B (de) Verfahren zum UEberziehen von elektrischen Bauelementen mit einem waermehaertenden Harz nach dem Tauchverfahren
DE2840457A1 (de) Konform epoxydbeschichteter elektrolytkondensator mit axialen leitungen
DE1946158C3 (de) Hochspannungssteckverbindung
DE1764554A1 (de) Halbleiterbauelement
DE701869C (de) Elektrischer Widerstand
DE1302299C2 (de) Mit isoliermasse umhuellter elektrischer kondensator und verfahren zu seiner herstellung
DE879563C (de) Endverschluss fuer luftraumisolierte Hochfrequenzleitungen
DE3006285A1 (de) Tantalkondensator und verfahren zu seiner herstellung
DE1479664C (de) Verfahren beim Ausgießen des Zwischen raumes zwischen zwei einander als Kern und Hülle zugeordneten Metallkörpern mit Gießharz
DE757512C (de) Elektrischer Hochohmwiderstand
DE3833872C1 (en) Method and device for tightly closing off the ends of cables and lines
DE890365C (de) Endverschluss bzw. Verbindungsmuffe fuer Hochspannungskabel
DE1439373A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Selen-Kleingleichrichters
DE1059569B (de) Verfahren zur Abdichtung zwischen einem ein elektrisches Bauelement enthaltenden Becher und einem Deckel durch Verkleben
DE2319137B2 (de) Kabelendverschluss
DD255859A3 (de) Verfahren zur herstellung eines feuchtigkeitsdichten temperaturkuehlers
DE866522C (de) Kommutator, insbesondere Kohlekommutator
DE873715C (de) Verfahren zur Herstellung eines Kabelmantels aus einem Band aus Polyisobutylen oder dessen Mischungen
DE1057196B (de) Anordnung zur Verbesserung der Abdichtung eines mit Isolierfluessigkeit gefuellten Kabelendverschlusses
DE7314412U (de) Endverschlußkörper zum Herstellen eines Endverschlusses für Kabel
DE973981C (de) Endverschluss fuer Dezimeter-Hochfrequenzkabel

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee