DE2027105B2 - Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs.
Ein derartiges Verfahren ist aus der BE-PS 7 41 192 bekannt Hierbei wird als Abdecklack ein Harz aromatischer Polyimide oder Polyamidimide verwendet. Der Lack wird dabei in Form einer Lösung aufgebracht
Aus der US-PS 34 26 098 ist es ferner bekannt, Ester-Imid-Lacke zur Isolierung elektrischer Leiter zu verwenden.
Aus der US-PS JJ 79 356 ist es bekannt, zum Aufbringen von Lötmitteln auf Leiterplatten das Schwallverfahren zu verwenden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe vigrunde, ein verbessertes und vereinfachtes Verfahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs zu entwickeln.
Erfindungsgemä3 wird diese Aufgabe durch die kennzeichnenden Merkmale des Patentanspruchs gelöst
Anhand der Zeichnung wird die Erfindung näher erläutert Es zeigt
F i g. I ein Halbleiterbauelement mit zwei Anschluß-
leitern, von denen der eine als Sockel, der andere als Kopfdraht ausgebildet ist, im Axialschnitt;
F i g, 2 eine Anordnung zum Aufbringen des Abdecklacks auf das Halbleiterbauelement nach Fig.1,
schematise^
Pas in Fig, I dargestellte Halbleiterbauelement besitzt zwei aus Kupfer bestehende Anschlußleiter 1, Z Der Anschlußleiter 1 ist dabei als Sockel ausgebildet, welcher im wesentlichen die Gestalt eines in der Mitte
ίο erhöhten MetaJltellers hat Die mittlere Erhöhung ist dabei mit la bezeichnet Der Anschlußleiter 2 ist als Kopfdraht ausgebildet Zwischen der mittleren Erhöhung la des Anschlußleiters 1 und dem Kopfteil 2a des Anschlußleiters 2 ist der Halbleiterkörper 3 festgelötet
wobei die Lötfugen mit 4 und 5 bezeichnet sind. Auf das verlö tete Gebilde 1,2,3,4,5 ist eine Oberflächenschutzschichc 6 aufgebracht, welche aus Ester-Imid-Lack besteht Diese Oberflächenschutzschicht bedeckt die nach dem Verlöten noch freiliegende Umfangsfläche
a> des Halbleiterkörpers 3, die freiliegenden Umfangsflächen der Lötfugen 4, 5, die Mantelfläche 26 und die ringförmige Deckfläche 2c des Kopfteils 2a Das verlötete und lackierte Gebilde 1,2,3,4,5,6 ist mit einer Kunstharzmasse 7 umspritzt Anstelle der Kunstharzes masse 7 kann auch ein Glas-Metall-Verschluß verwendet sein.
Fig.2 zeigt schematisch eine Vorrichtung zum Aufbringen der Oberflächenschutzschicht 6 auf das in F i g. 1 dargestellte Gebilde 1, 2, 3, 4, 5 zusammen mit
*> diesem Gebilde, welches hier mit 8 bezeichnet ist Die Vorrichtung zum Aufbringen der Oberflächenschutzschicht 6 umfaßt einen mit Ester-Imid-Lack 9 gefällten Behälter 10. Mit einer Pumpe 11 wird der Lack in ein Steigrohr 12 gepumpt aus dessen oberem Ende er in
n Form eines Schwalles 13 austritt Zum Aufbringen des Lacks wird das Gebilde 8 an einem Unterdruckrohr 16 festgehalten und rotierend an dem Lackschwall 13 vorbeigeführt. Die rotierende Bewegung ist dabei bei 14 angedeutet. Auf diese Weise wird das Gebilde 8 bzw. 1,
■»" 2,3,4,5 mit der Oberflächenschutzschicht 6 versehen. Nach dem Vorflberstreichen an dem Gebilde 1,2,3,4,5 fällt der Lackschwall 13 über einen Trichter 15, welcher das Steigrohr 12 koaxial umgibt, in den Behälter 10 zurück.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

  1. Patentanspruch;
    Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, bei dem an einen Halbleiterkörper zwei metallische AnschluBlejter angelötet werden und bei dem anschließend auf die freie Oberfläche des Halbleiterkörpers und der Lötfugen und auf die daran angrenzenden Oberflächenbereiche der Anschlußleiter eine aus einem Abdecklack bestehende Oberfläcbenschutzschicht aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung der Oberflächenschutzschicht (6) Ester-Imid-Lack im Schwallverfahren aufgebracht wird und daß beim Aufbringen des Ester-Imid-Lacks das aus den beiden Anschlußleitern (1,2) und dem Halbleiterkörper (3) bestehende verlötete Gebilde um seine Achse gedreht wird.
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