DE19839789B4

DE19839789B4 - Flüssigkristallanzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE19839789B4
Application number: DE19839789A
Authority: DE
Inventors: Hyun Ho Kunpo Shin; Jong Jin Park; Wook Sung Anyang Kim
Original assignee: LG Philips LCD Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 1997-09-04
Filing date: 1998-09-01
Publication date: 2005-06-09
Anticipated expiration: 2018-09-02
Also published as: GB2329062B; DE19839789B9; JPH11149084A; FR2767952B1; GB9819255D0; US6549258B1; GB2329062A; DE19839789A1; FR2767952A1; JP4287514B2

Abstract

Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit:
einem ersten Substrat (103) und einem zweiten Substrat (104);
jeweils wenigstens einer auf dem ersten Substrat (103) ausgebildeten Gateelektrode (110), Sourceelektrode (117) und Drainelektrode (118);
einer Flüssigkristallschicht zwischen dem ersten (103) und dem zweiten Substrat (104);
einer Mehrzahl von ersten Elektroden (119) und einer Mehrzahl von zweiten Elektroden (111) auf dem ersten Substrat (103) zum Anlegen eines parallel zur Substratoberfläche orientierten elektrischen Felds;
einer Mehrzahl von dritten Elektroden (123) auf dem zweiten Substrat (104), um zusammen mit den ersten und den zweiten Elektroden (119, 111) ein senkrecht zur Substratoberfläche orientiertes elektrisches Feld und ein geneigtes elektrisches Feld anzulegen.

Description

Die Erfindung betrifft eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD).

Bei einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Dünnschichttransistoren (thin film transistor liquid crystal display, TFTLCD) besteht ein Problem darin, daß, während es wünschenswert und erforderlich ist, eine großflächige Flüssigkristallanzeige herzustellen, sich das Kontrastverhältnis entsprechend dem Betrachtungswinkel ändert. Um dieses Problem zu lösen, wurden unterschiedliche Flüssigkristallanzeigevorrichtungen, beispielsweise verdrillte nematische Flüssigkristallanzeigevorrichtungen (twisted-nematic liquid crystal display, TNLCD) mit einer optischen Kompensationsschicht und Mehrbereichs-Flüssigkristallanzeigen, vorgestellt. Bei diesen Flüssigkristallanzeigevorrichtungen besteht jedoch weiterhin das Problem, daß das Kontrastverhältnis entsprechend dem Betrachtungswinkel variiert und eine Farbverschiebung erzeugt wird.

Um einen großen Betrachtungswinkels zu realisieren, wurde eine IPS-Flüssigkristallanzeigevorrichtung (d.h. eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Horizontal-Schaltmodus; in-plane switching mode liquid crystal display, IPSLCD) vorgeschlagen.

1A ist eine Draufsicht auf eine herkömmliche IPSLCD. Die IPSLCD weist eine auf einem ersten Substrat angeordnete Datenbusleitung 1 und eine auf dem ersten Substrat angeordnete Gatebusleitung 2 auf, um einen Pixelbereich zu definieren. Eine gemeinsame Busleitung 5 ist parallel zu der Gatebusleitung 2 angeordnet. Ein Dünnschichttransistor ist auf dem Substrat im Kreuzungsbereich der Datenbusleitung 1 und der Gatebusleitung 2 angeordnet. Datenelektroden 19 und gemeinsame Elektroden 11 sind parallel zu der Datenbusleitung 1 angeordnet.

1B zeigt einen Querschnitt entlang der Linie I-I in 1A. Wie aus 1B ersichtlich, weist der Dünnschichttransistor eine Gateelektrode 10, welche mit der Gatebusleitung 2 auf dem ersten Substrat 3 verbunden ist, eine auf der Gateelektrode 10 aufgebrachte Gateisolierungsschicht 13 aus SiN_x oder SiO_x, eine auf der Gateisolierungsschicht 13 über der Gateelektrode 10 ausgebildete amorphe Siliziumschicht (a-Si) 15, eine auf der a-Si-Schicht 15 ausgebildete n⁺ a-Si-Schicht 16 und eine Sourceelektrode 17 und eine Drainelektrode 18, welche beide auf der n⁺ a-Si-Schicht 16 ausgebildet und mit der Datenleitung 10 bzw. der Datenelektrode 19 verbunden sind. Die gemeinsame Elektrode 11 auf dem Pixel ist mit der gemeinsamen Busleitung 5 auf dem ersten Substrat verbunden. Die Datenelektrode 19 ist mit der Drainelektrode 18 des TFT auf der Gateisolierungsschicht 13 verbunden. Auf dem TFT, den Datenelektroden 19 sowie der Gateisolierungsschicht 13 ist eine Passivierungsschicht 20 aus SiN_x oder SiO_x aufgebracht und eine erste in der Figur nicht dargestellte Orientierungsschicht, von der die Orientierungsrichtung festgelegt wird, ist auf der Passivierungsschicht 20 ausgebildet.

Auf einem zweiten Substrat 4 ist eine Lichtabschirmschicht 6, welche das Durchdringen von Licht verhindert, eine Farbfilterschicht 7 mit Farbfilterelementen Rot (R), Grün (G) und Blau (B) und eine Schutzschicht 8 ausgebildet.

Bei dieser herkömmlichen IPSLCD entstehen jedoch aufgrund der Passivierungsschicht 20 und der Gateisolierungsschicht 13 Spannungsverluste zwischen den Datenelektroden 19 und den gemeinsamen Elektroden 11. Daher muß eine hohe Spannung an die Flüssigkristallschicht angelegt werden, um die Flüssigkristallmoleküle zuverlässig anzusteuern. Da die Elektroden auf einem Substrat ausgebildet sind, treten Defekte wie Kreuzkopplung (cross talk) und Doppelbild auf. Da die gemeinsame Elektrode 11 aus dem gleichen Material wie die Gateelektrode 10 hergestellt wird, beispielsweise einem lichtundurchlässigen Material wie Cr, Ta und ähnlichem, ist ferner das Lichtdurchlässigkeitsverhältnis der LCD schlecht.

Ferner ist aus US 4,239,346 A eine Flüssigkristallanzeige mit einer Flüssigkristallschicht zwischen einem ersten und einem zweiten Substrat bekannt, wobei sich auf dem ersten Substrat eine Mehrzahl von Gateelektroden, eine Mehrzahl von Drainelektroden und eine Mehrzahl von reflektierenden Elektroden und auf dem zweiten Substrat eine Bezugselektrode befinden.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung bereitzustellen, bei der die Flüssigkristallschicht mit geringer Ansteuerunsgspannung ansteuerbar ist und die außerdem ein gutes Öffnungsverhältnis aufweist.

Dies wird mit einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1 erreicht.

Die Erfindung wird anhand bevorzugter Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die 3A bis 3C und 4 näher erläutert.
In der Zeichnung zeigen:
1A und 1B eine herkömmliche ISPLCD;
2A und 2B eine Ausführungsform einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung;
3A bis 3C eine erste und eine zweite erfindungsgemäße Ausführungsform;
4 elektro-optische Eigenschaften der herkömmlichen IPSLCD und der erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeigevorrichtung.
Gemäß einer Ausführungsform weist eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung eine Gateelektrode, welche mit einer auf einem ersten Substrat ausgebildeten Gatebusleitung verbunden ist, eine Gateisolierungsschicht auf dem Substrat und der Gateelektrode, eine über dieser auf der Gateisolierungsschicht ausgebildete amorphe Siliziumschicht (a-Si), eine auf der a-Si-Schicht ausgebildete n⁺ a-Si-Schicht und eine Sourceelektrode und eine Drainelektrode, welche beide auf der n⁺ a-Si-Schicht ausgebildet und mit einer Datenbusleitung bzw. einer Datenelektrode verbunden sind, welche auf der Gateisolierungsschicht ausgebildet und mit der Drainelektrode des TFTs verbunden ist. Eine Passivierungsschicht ist auf dem TFT aufgebracht und eine erste Orientierungsschicht, von der die Orientierungsrichtung festgelegt wird, ist über dem ersten Substrat ausgebildet.
Auf einem dem ersten Substrat entsprechenden zweiten Substrat sind eine Lichtabschirmschicht, um das Durchdringen von Licht im Bereich des TFT, der Gatebusleitung und der Datenbusleitung zu verhindern, eine Farbfilterschicht und eine Schutzschicht ausgebildet. Eine Mehrzahl von gemeinsamen Elektroden entsprechend den Datenelektroden ist auf einem Substratbereich ausgebildet, der denjenigem Bereich des ersten Substrats entspricht, in dem die Lichtabschirmschicht und der Pixelbereich ausgebildet sind. Ferner ist auf dem zweiten Substrat eine zweite Orientierungsschicht ausgebildet und ein Flüssigkristallmaterial ist zwischen die beiden Substrate eingebracht.
Eine erfindungsgemäße Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Hybrid-Schaltmodus weist eine Gateelektrode, welche mit einer auf einem ersten Substrat ausgebildeten Gatebusleitung verbunden ist, eine Gateisolierungsschicht auf dem Substrat und der Gateelektrode, eine über dieser auf der Gateisolierungsschicht ausgebildete a-Si-Schicht, eine auf der a-Si-Schicht ausgebildete n⁺ a-Si-Schicht und eine Sourceelektrode und eine Drainelektrode, welche beide auf der n⁺ a-Si-Schicht ausgebildet und mit einer Datenbusleitung bzw. einer Datenelektrode verbunden sind. Erste gemeinsame Elektroden sind auf dem ersten Substrat im Pixelbereich ausgebildet und mit einer gemeinsamen Busleitung verbunden. Die Datenelektrode ist auf der Gateisolierungsschicht ausgebildet und mit der Drainelektrode des TFT verbunden. Eine Passivierungsschicht ist auf dem TFT aufgebracht und eine erste Orientierungsschicht, von der die Orientierungsrichtung festgelegt wird, ist über dem ersten Substrat ausgebildet.
Auf einem dem ersten Substrat entsprechenden zweiten Substrat sind eine Lichtabschirmschicht, um das Durchdringen von Licht im Bereich des TFT, der Gatebusleitung, der Datenbusleitung und der gemeinsamen Busleitung zu verhindern, eine Farbfilterschicht und eine Schutzschicht ausgebildet. Eine zweite gemeinsame Elektrode ist auf dem Substratbereich ausgebildet, der denjenigem Bereich des ersten Substrats entspricht, in dem die Lichtabschirmschicht ausgebildet ist. Zweite den Datenelektroden entsprechende gemeinsame Elektroden sind im Pixelbereich ausgebildet. Ferner ist auf dem zweiten Substrat eine zweite Orientierungsschicht ausgebildet und ein Flüssigkristallmaterial ist zwischen die beiden Substrate eingebracht.
Erfindungungsgemäß kann die gemeinsame Elektrode selbst lichtabschirmend ausgebildet werden, so daß eine gesonderte Lichtabschirmschicht entfallen kann.
Im nachfolgenden wird die erfindungsgemäße Flüssigkristallanzeigevorrichtung unter Bezugnahme auf die 3A bis 3C sowie 4 näher erläutert.
2A ist eine Draufsicht auf eine Ausführungsform einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung, und 2B zeigt einen Querschnitt entlang der Linie II-II in 2A.
Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß der in den 2A und 2B dargestellten Ausführungsform weist eine Gateelektrode 110 aus lichtundurchlässigem Material, beispielsweise Ta, Cr, Al, die mit einer auf einem ersten Substrat 103 ausgebildeten Gatebusleitung verbunden ist, eine auf der Gateelektrode 110 aufgebrachte Gateisolierungsschicht 113 aus SiN_x oder SiO_x, eine auf der Gateisolierungsschicht 113 über der Gateelektrode 110 ausgebildete a-Si-Schicht 115, eine auf der a-Si-Schicht 115 ausgebildete n⁺ a-Si-Schicht 116 und eine Sourceelektrode 117 und eine Drainelektrode 118 auf, welche beide auf der n⁺ a-Si-Schicht 116 ausgebildet und mit einer auf dem ersten Substrat ausgebildeten Datenbusleitung bzw. einer im Pixelbereich ausgebildeten Datenelektrode 119 verbunden sind. Die Datenelektroden 119 sind bevorzugt in Form von parallel zueinander und den Datenbusleitungen verlaufenden Streifen mit diese miteinander verbindende Querstegen auf der Gateisolierungsschicht 113 ausgebildet. Die Datenelektroden 119, bevorzugt deren Querstege, bedecken einen Bereich einer der beiden dem zugeordneten Pixel begrenzenden Gatebusleitungen, wodurch ein Speicherkondensator ausgebildet wird.
Auf den TFT ist eine Passivierungsschicht 120 aus SiN_x oder SiO_x aufgebracht und eine in der Figur nicht dargestellte erste Orientierungsschicht, von der die Orientierungsrichtung festgelegt wird, ist auf der Passivierungsschicht 120 über das gesamte erste Substrat 103 hin ausgebildet.
2B zeigt die Ausführungsform der LCD im Querschnitt. Bezugnehmend auf 2B, werden eine Farbfilterschicht 107 und eine Schutzschicht 108 nacheinander auf dem zweiten Substrat 104 aufgebracht. Auf der Schutzschicht 107 ist eine Lichtabschirmelektrode 132 mit Cr oder CrO_x derart ausgebildet, daß diese das Durchtreten von Licht durch den TFT, die Gatebusleitung und die Datenbusleitung hindurch verhindert. In dem Pixelbereich ist eine Mehrzahl von anderen Lichtabschirmelektroden mit Indium-Zinn-Oxid (ITO) ausgebildet. Anschließend wird auf dem zweiten Substrat eine in der Figur nicht dargestellte zweite Orientierungsschicht ausgebildet und ein Flüssigkristallmaterial wird zwischen die beiden Substrate eingebracht.
Bei der Ausführungsform von 2A und 2B werden ein vertikales (up/down) elektrisches Feld im Bereich der Lichtabschirmschicht und ein geneigtes elektrisches Feld zwischen gemeinsamen Elektroden 122 und den Datenelektroden 119 angelegt. Bei dieser Ausführungsform ist die Ansteuerungsspannung für die Flüssigkristallschicht um 0,5–1V geringer und der Reststrom, durch welchen ein Doppelbild in den herkömmlichen IPSLCD verursacht wird, ist kleiner als bei den herkömmlichen IPSLCDs. Außerdem ist das Öffnungsverhältnis, im Vergleich zu der herkömmlichen IPSLCD, um 20–30% besser.
3A zeigt eine Draufsicht auf eine erste bevorzugte Ausführungsform der Erfindung. 3B zeigt einen Querschnitt entlang der Linie III-III in 3A und 3C zeigt einen entsprechenden Querschnitt einer zweiten erfindungsgesmäßen Ausführungsform.
Die erste erfindungsgemäße Ausführungsform der Flüssigkristallanzeigevorrichtung weist eine Gateelektrode 110 aus lichtundurchlässigem Material, beispielsweise Ta, Cr, Al, auf, die mit einer auf einem ersten Substrat ausgebildeten Gatebusleitung verbunden ist. Eine Gateisolierungsschicht 113 aus SiN_x oder SiO_x ist auf der Gateelektrode 110 und dem ersten Substrat 103 aufgebracht. Eine a-Si-Schicht 115 ist auf der Gateisolierungsschicht 113 über der Gateelektrode 110 ausgebildet und eine n⁺ a-Si-Schicht 116 ist auf der a-Si-Schicht 115 ausgebildet. Eine Sourceelektrode und eine Drainelektrode 117 bzw. 118 sind auf der n⁺ a-Si-Schicht 116 ausgebildet, wobei diese mit einer auf dem ersten Substrat ausgebildeten Datenbusleitung bzw. einer Datenelektrode 119 verbunden sind, welche bevorzugt auf der Gateisolierungsschicht 113 ausgebildet ist.
Auf dem ersten Substrat ausgebildete erste gemeinsame Elektroden 111, welche vorzugsweise parallel zu der Datenbusleitung verlaufen, sind in dem Pixelbereich mit einer ebenfalls auf dem ersten Substrat 103 ausgebildeten gemeinsamen Busleitung verbunden und die auf der Gateisolierungsschicht 113 ausgebildeten Datenelektroden 119 sind mit der Drainelektrode 118 des TFT verbunden. Auf den TFT ist eine Passivierungsschicht 120 aus SiN_x oder SiO_x aufgebracht und eine in der Figur nicht dargestellte erste Orientierungsschicht, von der die Orientierungsrichtung festgelegt wird, ist auf der Passivierungsschicht über das gesamte Substrat 103 hin ausgebildet. Die Datenelektroden 119 bedecken einen Bereich der angrenzenden Gatebusleitung, wodurch ein Speicherkondensator ausgebildet wird.
Auf dem zweiten Substrat 104 ist eine Lichtabschirmschicht 106 mit Cr oder CrO_x, derart ausgebildet, daß diese das Durchdringen von Licht durch den TFT, die Gatebusleitung, die Datenbusleitung und die gemeinsame Busleitung hindurch verhindert. Eine Farbfilterschicht 107 und eine Schutzschicht 108 werden ferner auf dem zweiten Substrat 104 und der Lichtabschirmschicht 106 ausgebildet. Eine zweite gemeinsame Elektrode 123 mit ITO (Indium-Zinn-Oxid) wird in dem Bereich des Substrats, in dem die Lichtabschirmschicht 106 ausgebildet ist, sowie in dem Pixelbereich parallel zu der Datenelektrode 119 verlaufend ausgebildet. Dabei werden die zweiten gemeinsamen Elektroden 123 im Pixelbereich, wie aus 3A und 3B ersichtlich, vorzugsweise derart auf dem zweiten Substrat 104 ausgebildet, daß sie jeweils zwischen zwei benachbarten Datenelektroden 119 auf dem ersten Substrat 103 verlaufen. Folglich bilden die zweiten gemeinsamen Elektroden 123 mit den Datenelektroden 119 auf dem ersten Substrat 103 ein hybrides elektrisches Feld. Anschließend wird auf dem zweiten Substrat eine in der Figur nicht dargestellte zweite Orientierungsschicht ausgebildet und ein Flüssigkristallmaterial wird zwischen die beiden Substrate eingebracht.
3C zeigt einen Querschnitt einer LCD-Vorrichtung nach einer zweiten erfindungsgemäßen Ausführungsform. Nach der zweiten Ausführungsform wird mindestens eine der zweiten gemeinsamen Elektroden in einem Bereich entsprechend dem Bereich der ersten gemeinsamen Elektroden ausgebildet, so daß die erste und die zweite gemeinsame Elektrode in der fertiggestellten LCD-Vorrichtung übereinander liegen. Ansonsten entspricht diese zweite Ausführungsform der oben beschriebenen ersten Ausführungsform.
Erfindungsgemäß kann ferner sowohl bei der ersten Ausführungsform als auch bei der zweiten Ausführungsform die zweite gemeinsame Elektrode aus lichtundurchlässigem Material, beispielsweise Cr oder CrO_x, ausgebildet werden, um zusätzlich als Lichtabschirmschicht zu wirken. Folglich ist nach dieser erfindungsgemäßen Modifizierung eine gesonderte Lichtabschirmschicht 106 nicht erforderlich.
Bei den beschriebenen erfindungsgemäßen Ausführungsformen kann die Orientierungsrichtung der ersten und der zweiten Orientierungsschicht dadurch bestimmt werden, daß diese aus polymid-basiertem Material ausgebildet und anschließend gerieben wird oder aus Photoausrichtungsmaterial, wie PVCN-basiertem Material (Polyvinylcinnamonate) oder PSCN-basiertem Material (Polysiloxancinnamonate) ausgebildet und anschließend mit Licht bestrahlt wird. Die Bestrahlung mit Licht kann unter Verwenden von polarisiertem oder unpolarisiertem Licht ein oder mehrere Male ausgeführt werden.
4 zeigt elektro-optische Eigenschaften der herkömmlichen IPSLCD und der erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeigevorrichtung. Wie aus 4 ersichtlich, ist die Ansteuerungsspannung bei der erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeigevorrichtung um 0,5-1V kleiner und das Lichtdurchlässigkeitsverhältnis ist um 10–20% größer als das bei der herkömmlichen IPSLCD.
Daher kann bei der erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeigevorrichtung die Ansteuerungsspannung der Flüssigkristallschicht durch die Anwendung einer Mehrzahl von Elektroden, welche ein hybrides elektrisches Feld ausbilden, klein sein. Bei der erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeigevorrichtung werden Kreuzkopplung und Doppelbild durch die Anwendung einer Mehrzahl von Elektroden, welche auf zwei Substraten getrennt ausgebildet sind, eliminiert. Außerdem kann das Lichtdurchlässigkeitsverhältnis erhöht werden, in dem die Elektroden aus einem transparenten Material hergestellt werden. In den nachfolgenden Tabellen werden die Helligkeit und die Antwortzeit entsprechend der Graustufe und das Kontrastverhältnis entsprechend des links-rechts und oben-unten Betrachtungswinkels dargestellt.
Tabelle 2: Graustufe und Antwortzeit
Tabelle 3: links-rechts Betrachtungswinkel und Kontrastverhältnis
Tabelle 4: oben-unten Betrachtungswinkel und Kontrastverhältnis
Erfindungsgemäß wird dementsprechend eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung bereitgestellt die ein Paar Elektroden, die auf dem oberen bzw. dem unteren Substrat ausgebildet sind und zwei auf einem Substrat ausgebildete Elektroden und eine auf dem anderen Substrat ausgebildete gemeinsame Elektrode aufweist.

Claims

Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit: einem ersten Substrat (103) und einem zweiten Substrat (104); jeweils wenigstens einer auf dem ersten Substrat (103) ausgebildeten Gateelektrode (110), Sourceelektrode (117) und Drainelektrode (118); einer Flüssigkristallschicht zwischen dem ersten (103) und dem zweiten Substrat (104); einer Mehrzahl von ersten Elektroden (119) und einer Mehrzahl von zweiten Elektroden (111) auf dem ersten Substrat (103) zum Anlegen eines parallel zur Substratoberfläche orientierten elektrischen Felds; einer Mehrzahl von dritten Elektroden (123) auf dem zweiten Substrat (104), um zusammen mit den ersten und den zweiten Elektroden (119, 111) ein senkrecht zur Substratoberfläche orientiertes elektrisches Feld und ein geneigtes elektrisches Feld anzulegen.
Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 1, ferner mit: einer Datenbusleitung, welche in einer ersten Richtung auf dem ersten Substrat (103) ausgebildet ist, und einer Gatebusleitung, welche in einer zweiten Richtung auf dem ersten Substrat (103) ausgebildet ist, wobei die Datenbusleitung und die Gatebusleitung einen Pixelbereich begrenzen; und wobei eine Gateelektrode (110), Sourceelektrode (117) und Drainelektrode (118) zu einem Dünnschichttransistor gehören, der in einem Kreuzungsbereich der Datenbusleitung und der Gatebusleitung angeordnet ist, und einer Orientierungsschicht auf den ersten Elektroden (119).
Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 1, bei der die ersten Elektroden (119) als mit einer Drainelektrode (118) elektrisch verbundene Datenelektrode ausgebildet sind.
Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 1, ferner mit: einer Lichtabschirmschicht (106) auf dem zweiten Substrat (104); einer Farbfilterschicht (107) auf der Lichtabschirmschicht (106); und einer Orientierungsschicht auf den dritten Elektroden (123).
Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 4, bei der eine Elektrode aus der Mehrzahl von dritten Elektroden (123) in einem Bereich der Lichtabschirmschicht (106) angeordnet ist.
Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 4, ferner mit einer Schutzschicht (108) auf der Farbfilterschicht (107).
Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 2, ferner mit einer den zweiten Elektroden (111) gemeinsamen Busleitung, die in dem Pixelbereich angeordnet ist.
Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 2, bei der die Orientierungsschicht auf den ersten Elektroden (119) ein photosensitives Material, Polyamid oder Polyamid aufweist.
Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 4, bei der die Orientierungsschicht auf den dritten Elektroden (123) ein photosensitives Material, Polyimid oder Polyamid aufweist.
Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 3, bei der die dritten Elektroden (123) Indium-Zinn-Oxid aufweisen.
Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 1, bei der mindestens eine der dritten Elektroden (123) in einem Bereich des zweiten Substrats (104) angeordnet ist, der dem Bereich des ersten Substrats (103) gegenüberliegt, der zwischen zwei benachbarten ersten Elektroden (119) liegt.
Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 1, bei der mindestens eine der dritten Elektroden (123) in einem Bereich des zweiten Substrats (104) angeordnet ist, der dem Bereich des ersten Substrats (103) gegenüberliegt, auf dem die zweiten Elektroden (111) angeordnet sind.