DE19836356A1 - Aktiver Pixelsensor mit einstellbarer Verstärkung - Google Patents

Aktiver Pixelsensor mit einstellbarer Verstärkung

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Description

Diese Erfindung bezieht sich im allgemeinen auf einen akti­ ven Pixelsensor. Insbesondere bezieht sich dieselbe auf ei­ nen aktiven Pixelsensor, bei dem die Empfindlichkeit des aktiven Pixelsensors abhängig von der Intensität des durch den aktiven Pixelsensor empfangenen Lichts eingestellt wird.
Eine elektronische Kamera wandelt im allgemeinen ein opti­ sches Bild in einen Satz von elektronischen Signalen um. Die elektronischen Signale können die Farbintensitäten des durch die Kamera empfangenen Lichts darstellen. Die elektronische Kamera weist typischerweise ein Array aus Bildsensoren oder lichtempfindlichen Sensoren auf, die die Intensität des durch die Kamera empfangenen Lichts erfassen. Die Bildsenso­ ren erzeugen typischerweise elektronische Signale, die Am­ plituden aufweisen, die zu der Intensität des durch die Sen­ soren empfangenen Lichts proportional sind. Die elektroni­ schen Signale können aufbereitet und abgetastet werden, um eine Bildverarbeitung zu ermöglichen.
Eine Integration der Bildsensoren mit einer Signalverarbei­ tungsschaltungsanordnung wird immer wichtiger, da eine Inte­ gration eine Miniaturisierung und Vereinfachung der Bilder­ zeugungssysteme ermöglicht. Eine Integration der Bildsenso­ ren zusammen mit einer analogen und digitalen Signalverar­ beitungsschaltungsanordnung ermöglicht es, daß elektronische Kamerasysteme preisgünstig und kompakt sind und nur wenig Leistung erfordern.
In der Vergangenheit waren Bildsensoren vorwiegend ladungs­ gekoppelte Bauelemente (CCD; CCD = charged coupled devices). CCDs sind relativ klein und können einen hohen Füllfaktor liefern. Es ist jedoch sehr schwierig, CCDs mit einer digi­ talen und analogen Schaltungsanordnung zu integrieren. Fer­ ner dissipieren CCDs große Leistungsmengen und leiden unter Bildunschärfeproblemen (Bildverschmierungsproblemen).
Eine Alternative zu CCD-Sensoren sind aktive Pixelsensoren. Aktive Pixelsensoren können unter Verwendung von Stan­ dard-CMOS-Prozessen hergestellt werden. Folglich können aktive Pixelsensoren ohne weiteres mit einer digitalen und analogen Signalverarbeitungsschaltungsanordnung integriert werden. Ferner dissipieren CMOS-Schaltungen nur geringe Leistungs­ mengen.
Fig. 1 zeigt ein Ersatzschaltbild eines im Stand der Technik bekannten aktiven Pixelsensors. Der aktive Pixelsensor ist im allgemeinen in einem Array aus aktiven Pixelsensoren auf­ genommen. Der aktive Pixelsensor umfaßt eine Photodiode D1, einen Rücksetztransistor Q1, einen Vorspannungstransistor Q2 und einen Auswähltransistor Q3. Die Photodiode D1 sammelt Ladung, wenn die Photodiode D1 Licht ausgesetzt ist. Die Photodiode D1 weist eine Eigenkapazität Cd auf, die einen Signalknoten N2 kapazitiv belastet. Die Ladung, die von der Photodiode D1 gesammelt wird, wird auf der Kapazität Cd der Photodiode D1 akkumuliert, wodurch eine Photodiodenspannung erzeugt wird, die zu der Intensität des durch die Photodiode D1 empfangenen Lichts proportional ist. Die Photodiodenspan­ nung wird an der Kathode der Photodiode D1 erzeugt.
Der Rücksetztransistor ermöglicht es, daß die Photodiode D1 durch Entladen der Photodiodenkapazität Cd zurückgesetzt wird. Eine RST-Leitung (reset line = Rücksetzleitung) ent­ lädt die Photodiodenkapazität Cd, indem die RST-Leitung auf einen hohen Zustand getaktet wird, um die Kathode der Photo­ diode auf eine vorbestimmte Rücksetzspannung einzustellen. Die vorbestimmte Rücksetzspannung für den in Fig. 1 gezeig­ ten, aktiven Pixelsensor ist das Spannungspotential der RST-Leitung minus der Schwellenspannung des Rücksetztransi­ stors Q1.
Der Auswähltransistor Q3 ermöglicht es, daß eine Steuerungs­ einrichtung die Photodiodenspannung an einem PIXOUT-Ausgang eines speziellen aktiven Pixelsensors selektiv abtastet, in­ dem eine AUSWÄHL-Leitung getaktet wird, um zu bewirken, daß der Auswähltransistor Q3 leitet.
Fig. 2 ist ein graphischer Verlauf einer Signalspannung der Photodiode D1 des in Fig. 1 gezeigten, aktiven Pixelsensors. Die Signalspannung ist als Referenzspannung minus dem Span­ nungspotential des PIXOUT-Ausgangs definiert. Die Referenz­ spannung ist als das Spannungspotential des PIXOUT-Ausgangs definiert, wenn der Signalknoten N2 auf die vorbestimmte Rücksetzspannung zurückgesetzt ist. Je größer die Intensität des durch die Photodiode D1 empfangenen Lichts ist, umso größer ist die Signalspannung. Die Ladung, die von der Pho­ todiode D1 geleitet wird, ist proportional zu der Intensität des von der Photodiode D1 empfangenen Lichts. Wie es durch den graphischen Verlauf dargestellt ist, beginnt die Signal­ spannung in einen Sättigungsbereich überzugehen, sowie sich die Ladung, die von der Photodiode durchgelassen wird, er­ höht. Die Sättigungsspannung VSättigung ist die Signalspan­ nung, bei der eine Erhöhung der Intensität des durch die Photodiode D1 empfangenen Lichts die Signalspannung nicht beeinflußt. Die Sättigung der Photodiode D1 begrenzt den Dy­ namikbereich der Photodiode D1. Der Bereich der Intensität des durch den aktiven Pixelsensor empfangenen Lichts, der nutzbar erfaßt werden kann, ist aufgrund der Tatsache be­ grenzt, daß der aktive Pixelsensor in die Sättigung über­ geht. Sobald das Signal der Photodiode D1 des aktiven Pixel­ sensors gesättigt ist, ist es unmöglich, Änderungen bezüg­ lich der Intensität des durch den aktiven Pixelsensor emp­ fangenen Lichts zu erfassen. Wenn sich die Intensität des durch die Photodiode D1 empfangenen Lichts genau unterhalb der Lichtintensität befindet, die erforderlich ist, um den aktiven Pixelsensor in den Sättigungsbereich zu bringen, ist das Ansprechverhalten der Photodiode D1 stark nichtlinear. Der Betrieb des aktiven Pixelsensors ist auf einen Bereich von Lichtintensitäten begrenzt, in dem das Ansprechverhalten der Photodiode D1 linear ist.
Es ist erwünscht, einen aktiven Pixelsensor zu besitzen, der es ermöglicht, daß die Intensität des durch den aktiven Pi­ xelsensor empfangenen, erfaßbaren Lichts über einen größeren Bereich variiert, als es gegenwärtig möglich ist. Der aktive Pixelsensor würde eine analoge Spannung erzeugen, die die Intensität des durch den aktiven Pixelsensor empfangenen Lichts über einem größeren Bereich von Lichtintensitäten darstellt, als es gegenwärtig möglich ist. Ferner würde der aktive Pixelsensor unter Verwendung von gegenwärtig existie­ renden CMOS-Herstellungsprozessen hergestellt werden können.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen aktiven Pixelsensor zu schaffen, der verbesserte elektrische Eigenschaften aufweist, die es ermöglichen, daß der aktive Pixelsensor einen größeren Bereich von Lichtintensitäten er­ fassen kann, und daß derselbe unter Verwendung von gegenwär­ tig existierenden CMOS-Herstellungsprozessen hergestellt werden kann.
Diese Aufgabe wird durch einen aktiven Pixelsensor gemäß An­ spruch 1 gelöst.
Die vorliegende Erfindung schafft einen aktiven Pixelsensor, der eine Erfassung des empfangenen Lichts über einen größe­ ren Dynamikbereich der Lichtintensität liefert, als es ge­ genwärtig möglich ist. Ein Gate-Kondensator wird zu einer Photodiode in dem aktiven Pixelsensor parallel geschaltet, wenn die Intensität des durch den aktiven Pixelsensor emp­ fangenen Lichts bezüglich des Potentials groß genug ist, um das Ansprechverhalten des aktiven Pixelsensors in den Sätti­ gungsbereich zu bringen. Der aktive Pixelsensor behält einen hohen Empfindlichkeitspegel bei niedrigen Pegeln der empfan­ genen Lichtintensität bei. Der aktive Pixelsensor ist mit preisgünstigen CMOS-Herstellungsprozessen kompatibel.
Ein erstes Ausführungsbeispiel dieser Erfindung umfaßt einen aktiven Pixelsensor. Der aktive Pixelsensor umfaßt eine Pho­ todiode. Die Photodiode leitet eine Ladung als Funktion der Intensität des durch die Photodiode empfangenen Lichts. Die Photodiode weist eine Diodenkapazität auf, die eine Ladung ansammelt, die von der Photodiode durchgelassen wird, wobei eine Photodiodenspannung erzeugt wird. Ein geschalteter Kon­ densator ist zu der Photodiode parallel geschaltet, wenn die Photodiodenspannung unter ein vorbestimmtes Spannungspoten­ tial abfällt. Eine Kapazität des geschalteten Kondensators wird zu der Diodenkapazität hinzuaddiert, wenn der geschal­ tete Kondensator verbunden ist. Der aktive Pixelsensor um­ faßt ferner eine elektronische Schaltungsanordnung, um zu ermöglichen, daß eine Steuerungseinrichtung die Photodioden­ spannung abtastet.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung, das dem er­ sten Ausführungsbeispiel entspricht, weist jedoch den ge­ schalteten Kondensator auf, der ein Gate-Kondensator ist.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 einen im Stand der Technik bekannten aktiven Pixel­ sensor.
Fig. 2 einen graphischen Verlauf einer Signalspannung der Photodiode des in Fig. 1 gezeigten, aktiven Pixel­ sensors.
Fig. 3 ein Ausführungsbeispiel der Erfindung, das einen Gate-Kondensator umfaßt, der zu der Photodiode ei­ nes aktiven Pixelsensors parallel geschaltet ist.
Fig. 4 ein Ersatzschaltbild des in Fig. 3 gezeigten Aus­ führungsbeispiels.
Fig. 5 einen graphischen Verlauf einer Signalspannung der Photodiode des in Fig. 3 gezeigten aktiven Pixel­ sensors.
Fig. 6 eine Implementierung des in Fig. 3 gezeigten akti­ ven Pixelsensors.
Fig. 7 ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung, das mehr als einen Gate-Kondensator umfaßt, der zu der Photodiode des aktiven Pixelsensors parallel ge­ schaltet ist.
Fig. 8 ein Ersatzschaltbild des in Fig. 7 gezeigten Aus­ führungsbeispiels.
Fig. 9 einen graphischen Verlauf einer Signalspannung der Photodiode des in Fig. 7 gezeigten aktiven Pixel­ sensors.
Wie es aus Darstellungszwecken in den Zeichnungen gezeigt ist, ist die Erfindung in einem aktiven Pixelsensor ausge­ führt. Der aktive Pixelsensor liefert eine Erfassung der In­ tensität des empfangenen Lichts über einem größeren Dynamik­ bereich der Lichtintensität, als es gegenwärtig möglich ist. Ein Gate-Kondensator ist zu einer Photodiode in dem aktiven Pixelsensor parallel geschaltet, wenn die Intensität des durch den aktiven Pixelsensor empfangenen Lichts möglicher­ weise groß genug ist, um das Ansprechverhalten des aktiven Pixelsensors in den Sättigungsbereich zu bringen. Ferner ist der Gate-Kondensator zu der Photodiode in dem aktiven Pixel­ sensor nicht parallel geschaltet, wenn die Intensität des durch den aktiven Pixelsensor empfangenen Lichts niedrig ist. Folglich behält der aktive Pixelsensor einen hohen Empfindlichkeitspegel bei niedrigen Pegeln der empfangenen Lichtintensität bei.
Fig. 3 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung, das ei­ nen Gate-Kondensator GC aufweist, der zu einer Photodiode D2 eines aktiven Pixelsensors parallel geschaltet ist. Der Gate-Kondensator GC weist eine Gate-Kondensatorvorspannung GCB auf. Der Gate-Kondensator GC ist an einem Signalknoten N1 mit der Kathode der Photodiode D2 verbunden. Der aktive Pixelsensor weist einen Rücksetztransistor Q4, einen Vor­ spannungstransistor Q5 und einen Auswähltransistor Q6 auf. Der aktive Pixelsensor weist ferner eine Leistungsversor­ gungsspannung Vdd auf.
Der Rücksetztransistor Q4 ermöglicht es, daß die Photodiode D1 durch Entladen einer Photodiodenkapazität CD2 zurückge­ setzt wird. Eine RST-Leitung (Rücksetzleitung) entlädt die Photodiodenkapazität CD2, indem die RST-Leitung auf einen hohen Pegel getaktet wird, um die Kathode der Photodiode D2 auf eine vorbestimmte Rücksetzspannung einzustellen. Die vorbestimmte Rücksetzspannung für den in Fig. 3 gezeigten, aktiven Pixelsensor ist das Spannungspotential der RST-Lei­ tung minus der Schwellenspannung des Rücksetztransistors Q4.
Der Vorspannungstransistor Q5 und der Auswähltransistor Q6 ermöglichen es, daß eine Steuerungseinrichtung die Photodio­ denspannung eines bestimmten aktiven Pixelsensors selektiv abtastet, indem eine SEL-Leitung (select line = Auswähllei­ tung) auf ein Spannungspotential getaktet wird, welches be­ wirkt, daß der Vorspannungstransistor Q5 und der Auswähl­ transistor Q6 leiten. Wenn der Vorspannungstransistor Q5 und der Auswähltransistor Q6 leiten, ist die Photodiodenspannung mit dem PIXOUT-Ausgang gekoppelt. Das PIXOUT-Ausgangssignal kann abgetastet werden.
Der Gate-Kondensator GC wird gebildet, indem der Source-An­ schluß und der Drain-Anschluß eines N-Kanal-FET mit der Ka­ thode der Photodiode D2 verbunden werden. Wenn der FET in dem Gate-Kondensator GC keinen Strom leitet, beeinflußt der Gate-Kondensator GC die Impedanz nicht, die mit dem Signal­ knoten N1 verbunden ist. Wenn jedoch der FET in dem Gate-Kon­ densator GC einen Strom leitet, belastet der Gate-Konden­ sator den Signalknoten N1 kapazitiv. Die Kapazität des Gate-Kondensators ist zu der Kapazität CD2 der Photodiode D2 parallel geschaltet, wenn der FET in dem Gate-Kondensator leitet.
Der FET in dem Gate-Kondensator GC leitet einen Strom, wenn die Spannung zwischen der Gate-Kondensatorvorspannung GCB und dem Signalknoten N1 größer als die Schwellenspannung des FET in dem Gate-Kondensator GC ist. Typischerweise befindet sich die Schwellenspannung des FET in dem Gate-Kondensator GC in einem Bereich zwischen 0,8 und 1,2 Volt, abhängig von der effektiven Kanallänge und der Substratvorspannung des FET in dem Gate-Kondensator GC.
Die Photodiode D2 leitet Ladung, wenn die Photodiode D2 Licht ausgesetzt ist. Die Ladung, die von der Photodiode D2 geleitet wird, sammelt sich auf der Kapazität, die mit dem Signalknoten N1 verbunden ist. Die Ladung, die auf der Kapa­ zität angesammelt wird, erzeugt an dem Signalknoten N1 ein negatives Spannungsansprechverhalten. Je größer die Ladungs­ menge ist, die von der Photodiode D2 geleitet wird, um so größer ist die Verringerung des Spannungspotentials an dem Signalknoten N1. Die Ladungsmenge, die von der Photodiode D2 geleitet wird, ist von der Intensität des durch die Photo­ diode D2 empfangenen Lichts abhängig.
Die Gate-Kondensatorvorspannung GCB ist im allgemeinen ein festes Spannungspotential. Falls die Intensität des durch die Photodiode D2 empfangenen Lichts groß genug ist, wird folglich der Gate-Kondensator GC eingeschaltet. Sobald der Gate-Kondensator GC eingeschaltet ist, wird die Ladung, die von der Photodiode D2 gesammelt wird, auf einem größeren Ka­ pazitätsbetrag aufsummiert. Folglich wird sich das Span­ nungspotential an dem Signalknoten N1 weniger schnell ver­ ringern.
Fig. 4 zeigt ein Ersatzschaltbild des in Fig. 3 gezeigten Ausführungsbeispiels. Der Gate-Kondensator GC ist durch ei­ nen äquivalenten Gate-Kondensator CGC und einen Schalter SW dargestellt. Der Schalter SW ist verbunden, wenn das Span­ nungspotential des Signalknotens N1 niedriger als ein vorbe­ stimmtes Spannungspotential ist. Das vorbestimmte Spannungs­ potential ist das Spannungspotential der Gate-Kondensator­ vorspannung GCB minus der Schwellenspannung des FET in dem Gate-Kondensator GC. Der Schalter SW ist offen, wenn das Spannungspotential des Signalknotens N1 größer als das vor­ bestimmte Spannungspotential ist. Das Spannungspotential des Signalknotens N1 ist von der Ladung, die von der Photodiode D2 gesammelt wird, direkt abhängig. Die Ladung, die von der Photodiode D2 gesammelt wird, ist direkt von der Intensität des durch die Photodiode empfangenen Lichts abhängig. Falls die Intensität des durch die Photodiode D2 empfangenen Lichts groß genug ist, wird folglich der Schalter SW ge­ schlossen und der äquivalente Gate-Kondensator CGC mit dem Signalknoten N1 verbunden.
Fig. 5 ist ein graphischer Verlauf einer Signalspannung der Photodiode D2 des in Fig. 3 gezeigten aktiven Pixelsensors. Die Signalspannung ist als Referenzspannung minus dem Span­ nungspotential des PIXOUT-Ausgangs definiert. Die Referenz­ spannung ist als das Spannungspotential des PIXOUT-Ausgangs definiert, wenn der Signalknoten N1 auf eine vorbestimmte Rücksetzspannung zurückgesetzt ist. Der graphische Verlauf zeigt die Signalspannung für zwei unterschiedliche Werte der Gate-Kondensatorvorspannung GCB. Die Kennlinie 51 zeigt die Signalspannung für eine erste Gate-Kondensatorvorspannung GCB. Die Kennlinie 53 zeigt die Signalspannung für eine zweite Gate-Kondensatorvorspannung GCB. Der FET in dem Gate-Kondensator wird bei unterschiedlichen Werten der Signal­ spannung für die zwei unterschiedlichen Werte der Gate-Kon­ densatorvorspannung eingeschaltet. Folglich unterscheiden sich die Punkte auf den zwei Kennlinien 51, 53, an denen die Kapazität des Gate-Kondensators GC mit dem Signalknoten N1 verbunden ist.
Für beide Kennlinien 51, 53 ändert sich die Empfindlichkeit des aktiven Pixelsensors, wenn der Gate-Kondensator GC den Signalknoten N1 kapazitiv belastet. Die zusätzliche Kapazi­ tät verhindert, daß der aktive Pixelsensor in einen nicht­ linearen Bereich eintritt, in dem das Spannungspotential an dem Signalknoten N1 nicht linear mit der erhöhten Intensität des empfangenen Lichts variiert.
Fig. 6 zeigt eine Implementierung des in Fig. 3 gezeigten aktiven Pixelsensors. Der aktive Pixelsensor ist auf einem P-dotierten Substrat 610 gebildet. Der aktive Pixelsensor weist mehrere N-dotierte Regionen 612, 614, 616, 618 auf. Der aktive Pixelsensor weist ferner mehrere Gate-Oxidregio­ nen 622, 624, 626, 628 auf. Ferner weist der aktive Pixel­ sensor mehrere Polysiliziumregionen 630, 632, 634, 636 auf. Der aktive Pixelsensor weist ferner eine Oxidregion 620 auf. Eine Metallregion 640 verbindet die N-dotierte Region 612 mit der Polysiliziumregion 634.
Die Photodiode D2 ist durch die N-dotierte Region 612 und das P-dotierte Substrat 610 gebildet. Der Gate-Kondensator GC ist durch die Polysiliziumregion 630, die Gate-Oxidregion 622, die N-dotierte Region 612 und das P-dotierte Substrat 610 gebildet. Der Rücksetztransistor Q4 ist durch die Poly­ siliziumregion 632, die Gate-Oxidregion 624, die N-dotierte Region 612, das P-dotierte Substrat 610 und die N-dotierte Region 614 gebildet. Der Vorspannungstransistor Q5 ist durch die Polysiliziumregion 634, die Gate-Oxidregion 626, die N-dotierte Region 614, das P-dotierte Substrat 610 und die N-dotierte Region 616 gebildet. Der Auswähltransistor Q6 ist durch die Polysiliziumregion 636, die Gate-Oxidregion 628, die N-dotierte Region 616, das P-dotierte Substrat 610 und die N-dotierte Region 618 gebildet. Feldoxidregionen 620, 621 liefern eine Isolation. Eine Metallregion 640 liefert eine elektrische Verbindung zwischen der N-dotierten Region 612 und der Polysiliziumregion 634.
Fig. 7 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung, das mehr als einen Gate-Kondensator umfaßt, der zu der Pho­ todiode D2 des aktiven Pixelsensors parallel geschaltet ist. Im allgemeinen unterscheidet sich eine erste Gate-Kondensa­ torvorspannung GCB1 eines ersten Gate-Kondensators GC1 von einer zweiten Gate-Kondensatorvorspannung GCB2 eines zweiten Gate-Kondensators GC2. Folglich belastet jeder Gate-Konden­ sator GC1, GC2 den Signalknoten N1 für unterschiedliche Spannungspotentiale des Signalknotens N1 kapazitiv.
Fig. 8 zeigt ein Ersatzschaltbild des in Fig. 7 dargestell­ ten Ausführungsbeispiels. Der erste Gate-Kondensator ist durch einen äquivalenten ersten Gate-Kondensator CGC1 und einen ersten Schalter SW1 dargestellt. Der zweite Gate-Kon­ densator ist durch einen äquivalenten zweiten Gate-Kondensa­ tor CGC2 und einen zweiten Schalter SW2 dargestellt.
Fig. 9 ist ein graphischer Verlauf einer Signalspannung der Photodiode D2 des in Fig. 7 gezeigten aktiven Pixelsensors. Die Signalspannung ist als Referenzspannung minus dem Span­ nungspotential des PIXOUT-Ausgangs definiert. Die Referenz­ spannung ist als das Spannungspotential des PIXOUT-Ausgangs definiert, wenn der Signalknoten N1 auf eine vorbestimmte Rücksetzspannung zurückgesetzt ist. Der graphische Verlauf umfaßt einen ersten Knickpunkt 91 und einen zweiten Knick­ punkt 93. Die Knickpunkte stellen die Punkte in dem graphi­ schen Verlauf dar, an denen ein FET in dem ersten Gate-Kon­ densator GC1 und ein FET in dem zweiten Gate-Kondensator GC2 aufgrund des abnehmenden Spannungspotentials des Signalkno­ tens N1 zu leiten beginnen.

Claims (9)

1. Aktiver Pixelsensor mit:
einer Photodiode (D2), wobei die Photodiode (D2) eine Ladung als Funktion einer Intensität von durch die Pho­ todiode (D2) empfangenem Licht leitet, wobei die Photo­ diode (D2) eine Diodenkapazität aufweist, die die La­ dung sammelt, die von der Photodiode (D2) geleitet wird, wobei eine Photodiodenspannung erzeugt wird;
einem geschalteten Kondensator, der zu der Photodiode (D2) parallel geschaltet ist, wenn die Photodiodenspan­ nung unter ein vorbestimmtes Spannungspotential ab­ fällt, wobei eine Kapazität des geschalteten Kondensa­ tors zu der Diodenkapazität hinzugefügt wird, wenn der geschaltete Kondensator verbunden ist; und
einer Einrichtung zum Abtasten der Photodiodenspannung.
2. Aktiver Pixelsensor gemäß Anspruch 1, bei dem der ge­ schaltete Kondensator einen Gate-Kondensator (GC) auf­ weist.
3. Aktiver Pixelsensor gemäß Anspruch 2, bei dem der ge­ schaltete Kondensator (GC) eine Mehrzahl von parallel geschalteten Gate-Kondensatoren (GC1, GC2) aufweist.
4. Aktiver Pixelsensor gemäß Anspruch 2, bei dem der Gate-Kondensator (GC) einen FET umfaßt, wobei ein Source-Anschluß und ein Drain-Anschluß des FET mit ei­ ner Kathode der Photodiode (D2) verbunden sind.
5. Aktiver Pixelsensor gemäß Anspruch 4, bei dem das vor­ bestimmte Spannungspotential durch Auswählen einer Gate-Spannung des FET in dem Gate-Kondensator (GC) aus­ gewählt wird.
6. Aktiver Pixelsensor gemäß Anspruch 3, bei dem jeder Gate-Kondensator (GC1, GC2) einen FET aufweist, wobei ein Source-Anschluß und ein Drain-Anschluß des FET mit einer Kathode der Photodiode (D2) verbunden sind.
7. Aktiver Pixelsensor gemäß Anspruch 6, bei dem eine Mehrzahl von vorbestimmten Spannungspotentialen durch Auswählen einer Gate-Spannung des FET in jedem Gate-Kondensator ausgewählt wird.
8. Aktiver Pixelsensor gemäß Anspruch 5, bei dem die Gate-Spannung variabel einstellbar ist, wodurch das vorbestimmte Spannungspotential variabel eingestellt wird.
9. Aktiver Pixelsensor gemäß Anspruch 5, bei dem die Ein­ richtung zum Abtasten der Photodiodenspannung einen Vorspannungstransistor (Q5) und einen Auswähltransistor (Q6) aufweist.
DE19836356A 1997-11-03 1998-08-11 Aktiver Pixelsensor mit einstellbarer Verstärkung Expired - Lifetime DE19836356C2 (de)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001061756A2 (en) * 2000-02-14 2001-08-23 Foveon, Inc. Active pixel sensor with bootstrap amplification and reduced leakage during readout
US6697114B1 (en) 1999-08-13 2004-02-24 Foveon, Inc. Triple slope pixel sensor and arry
US6760070B1 (en) 2000-02-29 2004-07-06 Foveon, Inc. High-sensitivity storage pixel sensor array having auto-exposure detection
US6809768B1 (en) 2000-02-14 2004-10-26 Foveon, Inc. Double slope pixel sensor and array

Families Citing this family (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6046444A (en) * 1997-12-08 2000-04-04 Intel Corporation High sensitivity active pixel with electronic shutter
EP0928101A3 (de) * 1997-12-31 2001-05-02 Texas Instruments Incorporated CMOS-Matrixsensoren
US6512544B1 (en) * 1998-06-17 2003-01-28 Foveon, Inc. Storage pixel sensor and array with compression
US6757018B1 (en) * 1998-12-18 2004-06-29 Agilent Technologies, Inc. CMOS image sensor with pixel level gain control
US6873363B1 (en) * 1999-02-16 2005-03-29 Micron Technology Inc. Technique for flagging oversaturated pixels
US6567124B1 (en) * 1999-12-01 2003-05-20 Ball Aerospace & Technologies Corp. Electronic image processing technique for achieving enhanced image detail
EP1305939A1 (de) * 2000-07-28 2003-05-02 Smal Camera Technologies, INC. Genaue übertragungsfunktionssteuerung einer mos-bildaufnahmevorrichtung mit erweitertem dynamikbereich
FR2813000A1 (fr) * 2000-11-23 2002-02-15 Commissariat Energie Atomique Circuit de detection de rayonnement electromagnetique et procede de detection de rayonnement electromagnetique
FR2818482B1 (fr) * 2000-12-14 2003-01-17 Commissariat Energie Atomique Circuit de lecture de charges a preamplification adaptative et procede de lecture de charges a preamplification adaptative
US6855937B2 (en) * 2001-05-18 2005-02-15 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus
US20030076431A1 (en) * 2001-10-24 2003-04-24 Krymski Alexander I. Image sensor with pixels having multiple capacitive storage elements
US6795117B2 (en) * 2001-11-06 2004-09-21 Candela Microsystems, Inc. CMOS image sensor with noise cancellation
US8054357B2 (en) * 2001-11-06 2011-11-08 Candela Microsystems, Inc. Image sensor with time overlapping image output
US7233350B2 (en) * 2002-01-05 2007-06-19 Candela Microsystems, Inc. Image sensor with interleaved image output
CN1325966C (zh) * 2002-02-06 2007-07-11 三菱电机株式会社 图像显示装置
US20030193594A1 (en) * 2002-04-16 2003-10-16 Tay Hiok Nam Image sensor with processor controlled integration time
US7443427B2 (en) * 2002-08-23 2008-10-28 Micron Technology, Inc. Wide dynamic range linear-and-log active pixel
US7327393B2 (en) * 2002-10-29 2008-02-05 Micron Technology, Inc. CMOS image sensor with variable conversion gain
US7015960B2 (en) * 2003-03-18 2006-03-21 Candela Microsystems, Inc. Image sensor that uses a temperature sensor to compensate for dark current
US7075049B2 (en) * 2003-06-11 2006-07-11 Micron Technology, Inc. Dual conversion gain imagers
US7078746B2 (en) * 2003-07-15 2006-07-18 Micron Technology, Inc. Image sensor with floating diffusion gate capacitor
JP4268492B2 (ja) * 2003-10-02 2009-05-27 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
US7414653B2 (en) * 2003-12-19 2008-08-19 Micron Technology, Inc. Dark reduction via feedback control of photodiode bias
KR100997977B1 (ko) * 2004-01-12 2010-12-02 삼성전자주식회사 광센서 및 이를 이용한 표시 장치
US7091531B2 (en) * 2004-04-07 2006-08-15 Micron Technology, Inc. High dynamic range pixel amplifier
BRPI0511079A (pt) 2004-05-11 2007-12-26 Emotional Brain Bv usos de uma combinação de um inibidor de pde5 e testosterona ou de um seu análogo, e de testosterona ou de um seu análogo, formulação farmacêutica, e, kit de partes
KR20050112878A (ko) * 2004-05-28 2005-12-01 삼성전자주식회사 전기 영동 표시 장치
JP4744828B2 (ja) * 2004-08-26 2011-08-10 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
US7801922B2 (en) * 2004-09-30 2010-09-21 Emc Corporation File index processing
US7193198B2 (en) 2004-10-01 2007-03-20 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor and pixel that has variable capacitance output or floating node
US20060103749A1 (en) * 2004-11-12 2006-05-18 Xinping He Image sensor and pixel that has switchable capacitance at the floating node
JP4416668B2 (ja) * 2005-01-14 2010-02-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置、その制御方法及びカメラ
US8508638B2 (en) * 2005-03-14 2013-08-13 Intellectual Ventures Ii Llc 3T pixel for CMOS image sensors with low reset noise and low dark current generation utilizing parametric reset
EP1868377B1 (de) * 2005-04-07 2014-10-29 Tohoku University Lichtsensor, halbleiter-bildabnehmereinrichtung und verfahren zum betrieb einer halbleiter-bildabnehmereinrichtung
US7718459B2 (en) * 2005-04-15 2010-05-18 Aptina Imaging Corporation Dual conversion gain pixel using Schottky and ohmic contacts to the floating diffusion region and methods of fabrication and operation
GB2426575A (en) * 2005-05-27 2006-11-29 Sensl Technologies Ltd Photon detector using controlled sequences of reset and discharge of a capacitor to sense photons
US7432540B2 (en) * 2005-08-01 2008-10-07 Micron Technology, Inc. Dual conversion gain gate and capacitor combination
EP1763220A1 (de) * 2005-09-07 2007-03-14 CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA Festkörperbildsensor mit hoher Empfindlichkeit und erweitertem Dynamikbereich
US7667205B2 (en) * 2005-10-05 2010-02-23 Organisation Europeenne Pour La Recherche Nucleaire Method for determining a particle and sensor device therefor
EP1790343A1 (de) * 2005-11-11 2007-05-30 Emotional Brain B.V. Pharmazeutische Zusammensetzungen und deren Verwendung zur Behandlung sexueller Störungen der Frau
US8279312B2 (en) * 2005-11-24 2012-10-02 Stmicroelectronics S.A. Image sensor element with multiple outputs
JP2007150818A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Konica Minolta Holdings Inc 撮像素子および該撮像素子を搭載した撮像装置
US7638749B2 (en) * 2006-06-05 2009-12-29 Fairchild Imaging Capacitive transimpedance amplifier for CCD arrays
KR100782308B1 (ko) * 2006-07-14 2007-12-06 삼성전자주식회사 입사 광량에 따라 광전류 경로를 선택할 수 있는 ｃｍｏｓ이미지 센서와 이미지 센싱 방법
EP1925307A1 (de) 2006-11-03 2008-05-28 Emotional Brain B.V. Verwendung von 3-alpha-androstanediol zur Behandlung sexueller Dysfunktion
US8487231B2 (en) * 2007-03-05 2013-07-16 Arokia Nathan Sensor pixels, arrays and array systems and methods therefor
EP2051501A3 (de) * 2007-10-15 2012-01-11 CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA - Recherche et Développement Fotosensor mit Fotoelement mit niedrigem Rauschen, sublinearer Reaktion und globaler Blende
CA2628792A1 (en) * 2008-04-10 2009-10-10 Chaji G. Reza High dynamic range active pixel sensor
US20100044552A1 (en) * 2008-08-19 2010-02-25 Lockheed Martin Corporation Automatic simultaneous dual gain readout integrated circuit using threshold voltage shifts of mosfet bulk to source potential
US8174602B2 (en) 2009-01-15 2012-05-08 Raytheon Company Image sensing system and method utilizing a MOSFET
US20100271517A1 (en) * 2009-04-24 2010-10-28 Yannick De Wit In-pixel correlated double sampling pixel
CN101635311B (zh) * 2009-06-09 2011-01-19 上海宏力半导体制造有限公司 一种多阈值场mosfet和多阈值场mosfet组
GB201013783D0 (en) * 2010-08-17 2010-09-29 Isis Innovation Image sensor
JP5178804B2 (ja) * 2010-10-28 2013-04-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 撮像装置の駆動方法
GB201102478D0 (en) 2011-02-11 2011-03-30 Isdi Ltd Radiation detector and method
US8724002B2 (en) * 2011-02-28 2014-05-13 Aptina Imaging Corporation Imaging pixels with dummy transistors that reduce reset charge injection
JP5743066B2 (ja) * 2011-03-04 2015-07-01 株式会社Ｊｏｌｅｄ 光検出回路、光検出方法、表示パネルおよび表示装置
WO2012174508A1 (en) * 2011-06-16 2012-12-20 Suni Medical Imaging, Inc. Digital x-ray image sensor device
JP6077786B2 (ja) * 2012-08-22 2017-02-08 キヤノン株式会社 撮像装置
US8809913B2 (en) * 2012-11-07 2014-08-19 Semiconductor Components Industries, Llc Pixel architecture and method
US8902343B1 (en) 2013-06-25 2014-12-02 Altasens, Inc. Charge pump for pixel floating diffusion gain control
US9402039B2 (en) * 2014-01-10 2016-07-26 Omnivision Technologies, Inc. Dual conversion gain high dynamic range sensor
US9686490B2 (en) * 2014-04-01 2017-06-20 Sensors Unlimited, Inc. Integrating pixels and methods of operation
GB2525625B (en) 2014-04-29 2017-05-31 Isdi Ltd Device and method
US9774802B2 (en) * 2014-11-10 2017-09-26 Raytheon Company Method and apparatus for increasing pixel sensitivity and dynamic range
CN104394338A (zh) * 2014-12-03 2015-03-04 北京思比科微电子技术股份有限公司 扩展动态范围的三晶体管图像传感器像素结构
JP6663209B2 (ja) * 2015-11-30 2020-03-11 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム及び撮像装置の駆動方法
TWI646821B (zh) * 2016-01-30 2019-01-01 原相科技股份有限公司 可獲取較高影像亮度動態範圍的影像感測電路及方法
US9942503B2 (en) * 2016-02-23 2018-04-10 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors having high-efficiency charge storage capabilities
JP6728268B2 (ja) * 2018-04-26 2020-07-22 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、および、移動体
KR102697315B1 (ko) * 2019-04-02 2024-08-26 삼성디스플레이 주식회사 이미지 센서 및 이를 구비한 표시 장치
US11658201B2 (en) * 2021-08-25 2023-05-23 Silead Inc. Dual conversion gain image sensor pixels

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2733248A1 (de) * 1976-07-22 1978-01-26 Copal Co Ltd Anordnung zur messung der intensitaet von licht
US4669063A (en) * 1982-12-30 1987-05-26 Thomson Components-Mostek Corp. Sense amplifier for a dynamic RAM
US4583002A (en) 1983-06-06 1986-04-15 Fuji Photo Film Co., Ltd. Imaging sensor with automatic sensitivity control comprising voltage multiplying means
US4839735A (en) * 1986-12-22 1989-06-13 Hamamatsu Photonics K.K. Solid state image sensor having variable charge accumulation time period
US4943839A (en) 1987-08-19 1990-07-24 Ricoh Company, Ltd. Contact type image sensor
US5324958A (en) 1991-02-19 1994-06-28 Synaptics, Incorporated Integrating imaging systgem having wide dynamic range with sample/hold circuits
JPH05160379A (ja) 1991-12-06 1993-06-25 Fuji Xerox Co Ltd イメージセンサ及び画像読取装置
PT864223E (pt) * 1996-09-27 2002-09-30 Markus Bohm Sensor optico auto-adaptavel localmente.
US5969758A (en) * 1997-06-02 1999-10-19 Sarnoff Corporation DC offset and gain correction for CMOS image sensor

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6410899B1 (en) 1998-06-17 2002-06-25 Foveon, Inc. Active pixel sensor with bootstrap amplification and reduced leakage during readout
US6697114B1 (en) 1999-08-13 2004-02-24 Foveon, Inc. Triple slope pixel sensor and arry
WO2001061756A2 (en) * 2000-02-14 2001-08-23 Foveon, Inc. Active pixel sensor with bootstrap amplification and reduced leakage during readout
WO2001061756A3 (en) * 2000-02-14 2002-01-24 Foveon Inc Active pixel sensor with bootstrap amplification and reduced leakage during readout
US6809768B1 (en) 2000-02-14 2004-10-26 Foveon, Inc. Double slope pixel sensor and array
US6760070B1 (en) 2000-02-29 2004-07-06 Foveon, Inc. High-sensitivity storage pixel sensor array having auto-exposure detection
US6882367B1 (en) 2000-02-29 2005-04-19 Foveon, Inc. High-sensitivity storage pixel sensor having auto-exposure detection

Also Published As

Publication number Publication date
GB9823626D0 (en) 1998-12-23
JPH11214738A (ja) 1999-08-06
GB2330905A (en) 1999-05-05
US6246436B1 (en) 2001-06-12
GB2330905B (en) 2002-03-27
DE19836356C2 (de) 2001-02-22
JP4264855B2 (ja) 2009-05-20

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