DE19805734A1 - Verfahren und Schaltung zur Messung der Grenzschicht-Temperatur eines Halbleiterbauteils - Google Patents

Verfahren und Schaltung zur Messung der Grenzschicht-Temperatur eines Halbleiterbauteils

Info

Publication number
DE19805734A1
DE19805734A1 DE1998105734 DE19805734A DE19805734A1 DE 19805734 A1 DE19805734 A1 DE 19805734A1 DE 1998105734 DE1998105734 DE 1998105734 DE 19805734 A DE19805734 A DE 19805734A DE 19805734 A1 DE19805734 A1 DE 19805734A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
circuit
voltage
temperature measuring
value
measuring resistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE1998105734
Other languages
English (en)
Inventor
Bruno C Nadd
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies Americas Corp
Original Assignee
International Rectifier Corp USA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Rectifier Corp USA filed Critical International Rectifier Corp USA
Publication of DE19805734A1 publication Critical patent/DE19805734A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
    • G01K7/015—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions using microstructures, e.g. made of silicon
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/18—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer
    • G01K7/20—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer in a specially-adapted circuit, e.g. bridge circuit
    • G01K7/21—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer in a specially-adapted circuit, e.g. bridge circuit for modifying the output characteristic, e.g. linearising
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/7803—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors structurally associated with at least one other device
    • H01L29/7804—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors structurally associated with at least one other device the other device being a pn-junction diode
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0822—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K2217/00—Temperature measurement using electric or magnetic components already present in the system to be measured
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/4901—Structure
    • H01L2224/4903—Connectors having different sizes, e.g. different diameters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren sowie eine Schaltung zur Messung der Grenzschicht-Temperatur eines Halbleiterbauteils und insbesondere eines Leistungs-Halbleiter­ bauteils mit MOS-Gatesteuerung, wie zum Beispiel eines Leistungs-MOSFET- oder Leistungs-IGBT-Bauteils.
Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf die Integration eines einfachen Temperatursensors in das Halbleiterplättchen eines Halbleiterbauteils mit MOS-Gatesteuerung sowie auf eine integrierte Schaltung zum Abgleichen und Ablesen des Sensors.
Die genaue Bestimmung der Grenzschicht-Temperatur (TJ) eines Leistungs-Halbleiterbauteils ist wichtig, um einen hohen Grad von Betriebszuverlässigkeit zu erzielen. Dieses Problem ist besonders für Leistungs-MOSFET-Bauteile mit besonders niedrigem Wert von Rds,on kritisch, beispielsweise mit 6 Milliohm, weil diese Bauteile schwierig gegen Überlast zu schützen sind.
Es ist bekannt, daß eine integrierte Schaltung verwendet werden kann, um die Grenzschicht-Temperatur des Leistungs-Halbleiter­ bauteils zu bestimmen. Bekannte FET-Bauteile, wie zum Beispiel das unter der Bezeichnung TEMPFET von der Firma Siemens ver­ triebene Bauteil, erfordern, daß die integrierte Schaltung auf dem oder nahe an dem Leistungs-Bauteil befestigt wird. Es ist wünschenswerter, in der Lage zu sein, entweder die integrierte Schaltung in einem Standardgehäuse getrennt anzuordnen, oder es zusammen mit dem Leistungs-Halbleiterbauteil in einem ge­ meinsamen Gehäuse anzuordnen.
Es gibt verschiedene Möglichkeiten zur Integration eines Temperatursensors in ein Leistungs-Halbleiterbauteil. Als Bei­ spiel werden Polysilizium-Dioden, P⁺/epi-Substrat-Dioden oder laterale MOSFET-Bauelemente für die Temperaturmessung ein­ gefügt. Diese bekannten Sensoren weisen jedoch Beschränkungen auf und erfordern eine Herstellung unter Verwendung von nicht dem allgemeinen Standard entsprechenden Verfahren mit zusätz­ lichen Masken. Es ist daher wünschenswert, einen Temperatur­ sensor einzufügen, der mit derzeitigen Verfahren zur Herstellung vorhandener Halbleiter-Bauteile kompatibel ist.
Es wurde vorgeschlagen, einen Widerstand in das Leistungs- Halbleiterbauteil einzufügen, wie zum Beispiel einen N⁺ Polysilizium-Widerstand, um die Grenzschicht-Temperatur zu messen. Die üblichen Verfahren zur Herstellung eines Polysili­ zium-Widerstandes ergeben einen sehr großen Streubereich, typischerweise +/- 20%, was verglichen mit ihrem sehr nied­ rigem Temperaturkoeffizienten, typischerweise 0,1%/°C, eine +/- 200°C-Streuung für die gemessene Temperatur hervor­ rufen kann. Obwohl dieses Problem dadurch gelöst werden kann, daß die integrierte Schaltung abgeglichen wird, die den Sensor abliest, würde die Massenherstellung von integrierten Schal­ tungen sehr kompliziert werden, wenn jede einzelne integrierte Schaltung für einen jeweiligen MOSFET oder IGBT abgeglichen werden müßte. Somit ist es weiterhin wünschenswert, die An­ passung der integrierten Schaltung an das Leistungs-Bauteil zu vereinfachen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Schaltung der eingangs genannten Art zu schaffen, das bzw. die eine einfache und zuverlässige Messung der Grenzschicht- Temperatur von Leistungs-Halbleiterbauteilen ermöglicht.
Diese Aufgabe wird durch die in den Patentansprüchen 1 bzw. 7 angegebenen Merkmale gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein N+-Polysilizium- Widerstand eingefügt, um die Grenzschicht-Temperatur eines Halbleiterbauteils mit MOS-Gatesteuerung zu messen, und es wird eine integrierte Schaltung verwendet, die sich selbst an das Leistungs-Halbleiterbauteil anpaßt.
Die Verwendung eines N+-Polysilizium-Widerstandes zur Messung der Grenzschicht-Temperatur hat mehrere Vorteile. Der Sensor ist mit derzeitigen Halbleiterbauteilen mit MOS-Gatesteuerung kompatibel, wie zum Beispiel mit dem HEXFET-Leistungs-MOSFET, der von der Firma International Rectifier Corporation herge­ stellt wird, und mit IGBT-Bauteilen, die ebenfalls von der Firma International Rectifier Corporation hergestellt werden. Der Sensor kann leicht zur Mitte des Leistungs-Halbleiterbau­ teils geführt werden, um die Spitzentemperatur zu messen. Die thermische Zeitkonstante ist sehr niedrig, typischerweise in der Größenordnung von 1 µs, und sie ist um eine Größen­ ordnung niedriger als die bekannter Bauteile. Die Mitte ist vollständig von den Leistungsanschlüssen durch das Feld-Oxid isoliert, so daß die Isolation zumindest +/- 60 Volt für Niederspannungs-HEXFET-MOSFET-Bauteile beträgt und für IGBT- Bauteile noch höher ist. Daher kann die Temperatur eines spannungsseitigen Leistungs-Halbleiterbauteils sehr leicht unter Verwendung einer geerdeten Steuerung mit integrierter Schaltung gemessen werden.
Die selbstanpassende integrierte Schaltung schließt einen kleinen nicht-flüchtigen Speicher, typischerweise mit ungefähr 10 Bit und eine Abgleich-Folgeschaltung ein. Wenn die inte­ grierte Schaltung mit dem Leistungs-Halbleiterbauteil auf einer gedruckten Leiterplatte oder in einem Hybrid- oder Leistungs- Modul zusammengebaut wird und von dem End-Anwender geprüft wird, wird ein Programmiersignal, typischerweise 5 Volt, an einen speziellen Eingang der integrierten Schaltung angelegt. Das Signal startet eine Abgleichfolge im Inneren der inte­ grierten Schaltung, die ähnlich der sein kann, wie sie von dem Bauteil IR3010 verwendet wird, das von der Firma Inter­ national Rectifier Corporation vertrieben wird. Die inte­ grierte Schaltung bestimmt dann die optimale Kombination von Bits, die an den jeweiligen Raumtemperatur-Widerstandswert des Sensors angepaßt ist. Die Abgleichsequenz ist für den Anwender vollständig transparent. Wenn der Programmierstift abgeschaltet wird, wird das 10-Bit-Wort dauerhaft in dem Speicher der integrierten Schaltung gespeichert.
Die integrierte Schaltung verwendet den Wert des Polysilizium- Widerstandes als eine Darstellung der Grenzschichttemperatur des Leistungs-Halbleiterbauteils. Die integrierte Schaltung kann weiterhin in der Lage sein, ein einfaches Übertemperatur-(OT)- Signal zu liefern, wenn die gemessene Temperatur oberhalb eines vorgegebenen Schwellenwertes liegt, oder ein duales OT-Signal, das einen Vor-Alarm/Abschalt-Zustand anzeigt, oder eine lineare Messung der Grenzschichttemperatur Tj. Diese Funktionen können unter Verwendung einer relativ einfachen Analogverarbeitung erzielt werden. Die integrierte Schaltung kann weiterhin in der Lage sein, die Grenzschichttemperatur von bis zu 4 oder 6 Leistungs-Halbleiterbauteilen zu überwachen, die in einer Brückenschaltung angeordnet sind.
Gemäß der vorliegenden Erfindung, führt ein Verfahren zum Selbstabgleich einer Temperatur-Meßschaltung eine Anpassung an einen jeweiligen Temperaturmeßwiderstand aus, der in einem Leistungs-Halbleiterbauteil angeordnet ist. Mehrere auf­ einanderfolgende Zählwerte werden erzeugt, und es wird ein veränderbarer Strom dem Temperaturmeßwiderstand zugeführt, der sich als Funktion jedes aufeinanderfolgenden Zählwertes vergrößert. Die Spannung längs des Widerstandes wird gemessen, und die Zählung wird beendet, wenn die Spannung längs des Temperaturmeßwiderstandes einen vorgegebenen Wert erreicht. Der letzte dieser Mehrzahl von Zählwerten wird gespeichert.
Es kann ein Rücksetzsignal zur Einleitung der Erzeugung der aufeinanderfolgenden Zählwerte geliefert werden. Ein Konstant­ stromwert kann als eine Funktion des gespeicherten Zählwertes erzeugt werden, wobei der Strom dem Temperaturmeßwiderstand zugeführt und die Spannung längs des Temperaturmeßwiderstandes gemessen wird. Die gemessene Spannung kann mit einem Grenz­ wert verglichen werden, der proportional zu einem vorher definierten Wert ist, und es kann ein Übertemperatursignal erzeugt werden, wenn die gemessene Spannung einen Grenzwert übersteigt.
Der vordefinierte Wert kann proportional zur Bandabstands- Spannung sein. Das Verfahren kann auch durch eine integrierte Schaltung ausgeführt werden.
Entsprechend einem weiteren Grundgedanken der Erfindung paßt sich eine selbstabgleichende Temperaturüberwachungsschaltung an einen jeweiligen Temperaturmeßwiderstand an, der in einem Leistungs-Halbleiterbauteil angeordnet ist. Die Folgeschaltung erzeugt eine Mehrzahl von aufeinanderfolgenden Zählwerten, und eine Stromquelle liefert einen veränderbaren Strom an den Temperaturmeßwiderstand mit einem Wert, der als eine Funktion jedes aufeinanderfolgenden Zählwertes ansteigt. Eine Meßschaltung mißt die Spannung längs des Temperaturmeßwider­ standes, und eine Detektorschaltung beendet den Betrieb der Folgeschaltung, wenn die Spannung längs des Temperaturmeß­ widerstandes einen vorher definierten Wert erreicht. Der letzte der Zählwerte wird in einem Speicher gespeichert.
Ein Rücksetzsignalgenerator kann ein Signal erzeugen, das die Betriebsweise einer Folgeschaltung einleitet. Die Strom­ quelle kann einen Stromspiegel mit veränderlichem Verhältnis einschließen, und die Folgeschaltung kann einen Zähler ein­ schließen. Der vorgegebene Wert kann proportional zur Bandab­ stands-Spannung sein.
Die Stromquelle kann eine Konstant-Stromquelle einschließen, die einen konstanten Strom als eine Funktion des in dem Speicher gespeicherten Wertes erzeugt, und die Meßschaltung kann die Spannung längs des Widerstandes unter Verwendung des Konstant-Stromes messen. Eine Überspannungs-Detektorschaltung vergleicht bei Zuführung des Konstant-Stromes längs des Tempe­ ratur-Meßwiderstandes die Spannung längs des Widerstandes mit einem Grenzwert, der proportional zu dem vorher definierten Wert ist, und ein Überspannungs-Signalgenerator erzeugt ein Übertemperatursignal, wenn die gemessene Spannung den Grenzwert übersteigt.
Die Schaltung kann eine integrierte Schaltung sein, und der Speicher kann ein EEPROM sein.
Gemäß einem weiteren Grundgedanken der Erfindung mißt ein System die Grenzschichttemperatur eines Leistungs-Halbleiter­ bauteils und schließt einen Temperaturmeßwiderstand, der in dem Leistungs-Halbleiterbauteil angeordnet ist, und eine selbstabgleichende Temperatur-Meßschaltung ein, die an den Temperaturmeßwiderstand anpaßbar ist.
Das Halbleiterbauteil kann ein MOSFET oder ein IGBT sein. Die Schaltung kann eine integrierte Schaltung sein, und die inte­ grierte Schaltung und das Leistungs-Halbleiterbauteil können zusammen in einem Gehäuse angeordnet sein.
Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung anhand der beigefügten Zeichnungen.
In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht auf ein Leistungs-Halbleiter­ bauteil mit MOS-Gatesteuerung, wobei ein Polysilizium-Tempera­ turmeßwiderstand gemäß der Erfindung eingefügt ist,
Fig. 2 ein Schaltbild, das die integrierte Temperatur­ meßschaltung gemäß der Erfindung zeigt, und
Fig. 3 ein Schaltbild, das ein Beispiel der gerätemäßigen Ausführung der integrierten Schaltung nach Fig. 2 mit einem Leistungs-Halbleiterbauteil zeigt.
Fig. 1 zeigt, wie der Polysilizium-Temperaturmeßwiderstand in einem Halbleiter-Plättchen 9 eines Leistungs-Halbleiter­ bauteils mit MOS-Gatesteuerung ausgebildet werden kann. Das Halbleiter-Plättchen kann beispielsweise ein MOSFET oder ein IGBT sein. Der Polysilizium-Widerstand 10 ist schmaler in der Nähe des Source-Anschlußkissens 11, um die Spitzentempera­ tur zu messen. Die Gesamtzahl von Quadraten des Widerstandes beträgt 1000 bis 2000, was 25 bis 50 kOhm entspricht. Das Gate-Anschlußkissen 12, die Drainelektrode 13 und die Source- Elektrode 11 sind mit Anschlußstiften 14, 15 bzw. 16 eines üblichen Halbleitergehäuses verbunden. Meß-Anschlußstifte 1 und 2 sind mit den Meß-Anschlußkissen 17 bzw. 18 des Wider­ standes auf dem Halbleiterplättchen 9 verbunden.
Fig. 2 zeigt ein vereinfachtes Blockschaltbild der selbst­ anpassenden integrierten Schaltung 20. Die selbstanpassende Betriebsweise der integrierten Schaltung 20 ist wie folgt: Wenn +5 V dem PROG(Programmier-)-Eingang zugeführt werden, wird ein Rücksetzsignal an den Zähler 22 geliefert. Somit beginnt der Zähler 22 aufwärtszuzählen, wodurch das Verhältnis des veränderbaren Stromspiegels 23 und damit der dem Wider­ stand 10 zugeführte Strom vergrößert wird. Der dem Meßwider­ stand 10 zugeführte Strom steigt rampenförmige an, bis die Spannung längs des Widerstandes den 0,87fachen Wert einer Bandabstands-Bezugsspannung Vbg erreicht, die an der Leitung 29 anliegt. Die Bandabstands-Bezugsspannung wird von einer Bandabstands-Bezugsspannungsversorgung 37 geliefert, längs des Teilers 38 geteilt und dann einem Operationsverstärker 35 zugeführt, der die geteilte Spannung, 0,87 Vbg, mit der Spannung längs des Widerstands 10 vergleicht. Wenn die Spannung längs des Widerstandes 10 einen Wert von 0,87 Vbg erreicht, ändert der Operationsverstärker 35 seinen Zustand, und der Ausgang wird einem UND-Verknüpfungsglied 39 zugeführt, das seinerseits die Taktfreigabe-Schaltung 33 abschaltet. Dann nimmt das Freigabe-Signal an der Leitung 30 einen nied­ rigen Pegel an, der Zähler 22 beendet die Zählung, und das letzte Bit-Wort, das von dem Zähler geliefert wurde, wird in dem EEPROM 31 gespeichert.
Im normalen Temperatur-Meßbetrieb wird der PROG-Eingang 21 durch einen mit Erde verbundenen Widerstand 32 auf Erdpotential gehalten. Eine Stromquelle 40 erzeugt einen Strom mit einem Temperatur-Koeffizienten von Null, der durch den Stromspiegel 23 und längs des Meßwiderstandes 10 fließt. Der Wert des dem Widerstand zugeführten Stromes wird unter Verwendung des in dem EEPROM 18 gespeicherten Wertes gesteuert, so daß bei Raumtemperatur die Spannung längs des Widerstandes gleich 0,87 Vbg ist.
Wenn das Leistungsbauteil auf über 170°C aufheizt, erreicht die Meßspannung den Wert von Vbg, was dazu führt, daß der Operationsverstärker 36 seinen Zustand ändert und das Über­ temperatur-(OT)-Signal einen hohen Pegel annimmt. Die Strom­ quelle 40 weist einen Temperatur-Koeffizienten von Null auf, um eine Beeinflussung des OT-Schwellenwertes durch die Tempera­ tur der integrierten Schaltung zu vermeiden.
Der EEPROM 31 kann unter Verwendung eines CMOS/EEPROM- Prozessors oder durch eine "Zener-Anzapfung" ausgeführt werden. Die Größe der integrierten Schaltung beträgt lediglich einige wenige mm2.
Fig. 3 zeigt eine praktische Ausführungsform der integrierten Schaltung 20. Die integrierte Schaltung 20 kann in einem sehr kleinen Oberflächen-Befestigungs-Gehäuse zusammengebaut werden, oder sie kann zusammen mit einem Leistungs-Halbleiterbauteil 50, wie zum Beispiel einem MOSFET oder einem IGBT, in einem Leistungs-Modul im gleichen Gehäuse angeordnet werden.
Bei der Ausführung der Konstruktion muß sorgfältig vorgegangen werden, um Änderungen des Temperatur-Koeffizienten (TC) des Polysilizium-Widerstandes zu kontrollieren. Diese Änderungen führen direkt zu Änderungen des OT-Schwellenwertes. Es ist entsprechend vorzuziehen, daß die Änderungen des TC kleiner als +/- 10% sind.
Es sollte weiterhin sorgfältig vorgegangen werden, um einen Datenverlust auf dem EEPROM zu verhindern, der durch eine hohe Umgebungstemperatur hervorgerufen werden kann, beispiels­ weise eine Umgebungstemperatur von 150°C, die für Fahrzeug- Anwendungen erforderlich ist, oder die Umgebungstemperatur von 200°C für Leistungs-Modul-Anwendungen. Die "Anzapfungs"- Technik kann anstelle des EEPROM 31 bei derartigen Anwendungen verwendet werden.
Obwohl die vorliegende Erfindung bezüglich spezieller Aus­ führungsformen beschrieben wurde, sind vielfältige Abänderungen und Modifikationen und andere Anwendungen für den Fachmann ohne weiteres zu erkennen. Der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung ist daher lediglich durch die beigefügten Ansprüche beschränkt.

Claims (27)

1. Verfahren zum Selbstabgleich einer Temperaturmeßschaltung zur Anpassung an einen jeweiligen Temperatur-Meßwiderstand, der in einem Leistungs-Halbleiterbauteil angeordnet ist, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
Erzeugen einer Vielzahl von aufeinanderfolgenden Zähl­ werten,
Liefern eines sich ändernden Stromes an den Temperatur- Meßwiderstand, wobei der Wert des Stromes als eine Funktion jedes aufeinanderfolgenden Zählwertes ansteigt,
Messen der Spannung längs des Widerstandes,
Beenden der Zählung, wenn die Spannung längs des Tempera­ tur-Meßwiderstandes einen vorher definierten Wert erreicht, und
Speichern des letzten der Vielzahl von aufeinander­ folgenden Zählwerten.
2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch den Schritt der Zuführung eines Rücksetz- Signals zur Einleitung des Schrittes der Erzeugung einer Viel­ zahl von aufeinanderfolgenden Zählwerten.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch die Schritte Erzeugung eines Konstantstromes als eine Funktion des gespeicherten Zählwertes und Zuführen des Konstantstromes an den Temperatur-Meßwiderstand, sowie Messen der Spannung längs des Temperatur-Meßwiderstandes.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch den Vergleich der gemessenen Spannung mit einem Grenz­ wert, der proportional zu dem vordefinierten Wert ist, und Erzeugen eines Übertemperatursignals, wenn die gemessene Spannung den Grenzwert übersteigt.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der vordefinierte Wert proportional zur Bandabstands-Spannung ist.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren in einer integrierten Schaltung ausgeführt wird.
7. Selbstabgleichende Temperatur-Überwachungsschaltung zur Anpassung an einen jeweiligen Temperatur-Meßwiderstand, der in einem Leistungs-Halbleiterbauteil angeordnet ist, gekennzeichnet durch:
eine Folgeschaltung zur Erzeugung einer Vielzahl von aufeinanderfolgenden Zählwerten,
eine Stromquelle zur Lieferung eines veränderlichen Stromes an den Temperatur-Meßwiderstand, wobei der Wert des Stromes als eine Funktion jedes aufeinanderfolgenden Zählwertes ansteigt,
eine Meßschaltung zur Messung der Spannung längs des Temperatur-Meßwiderstandes,
eine Detektorschaltung zur Beendigung des Betriebs der Folgeschaltung, wenn die Spannung längs des Temperatur-Meß­ widerstandes einen vordefinierten Wert erreicht, und
einen Speicher zum Speichern des letzten der Vielzahl von aufeinanderfolgenden Zählwerten.
8. Schaltung nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch einen Rücksetz-Signalgenerator zur Er­ zeugung eines Signals, das die Betriebsweise der Folgeschaltung einleitet.
9. Schaltung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromquelle einen Stromspiegel mit veränderlichem Verhältnis einschließt.
10. Schaltung nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Folgeschaltung einen Zähler einschließt.
11. Schaltung nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der vordefinierte Wert proportional zur Bandabstands-Spannung ist.
12. Schaltung nach einem der Ansprüche 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromquelle eine Konstant- Stromquelle einschließt, daß die Stromquelle einen Konstant­ strom als eine Funktion des in dem Speicher gespeicherten Wertes erzeugt, und daß die Meßschaltung die Spannung längs des Widerstandes unter Verwendung des Konstantstromes mißt.
13. Schaltung nach einem der Ansprüche 7 bis 12, gekennzeichnet durch eine Überspannungs-Detektorschaltung zum Vergleich der gemessenen Spannung längs des Widerstandes mit einem Grenzwert, der proportional zu dem vordefinierten Wert ist, während der Konstantstrom längs des Temperatur- Meßwiderstandes zugeführt wird, und einen Übertemperatur- Signalgenerator zur Erzeugung eines Übertemperatur-Signals, wenn die gemessene Spannung den Grenzwert übersteigt.
14. Schaltung nach einem der Ansprüche 7 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltung eine integrierte Schaltung ist.
15. Schaltung nach einem der Ansprüche 7 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Speicher ein EEPROM ist.
16. System zur Messung der Grenzschicht-Temperatur eines Leistungs-Halbleiterbauteils, dadurch gekennzeichnet, daß das System folgende Teile umfaßt:
einen Temperatur-Meßwiderstand, der in dem Leistungs- Halbleiterbauteil angeordnet ist,
eine selbstabgleichende Temperatur-Meßschaltung, die an den Temperatur-Meßwiderstand anpaßbar ist und folgende Teile umfaßt:
eine Folgeschaltung zur Erzeugung einer Vielzahl von aufeinanderfolgenden Zählwerten,
eine Stromquelle zur Lieferung eines veränderbaren Stromes an den Temperatur-Meßwiderstand, wobei der Wert des Stromes als Funktion jedes aufeinanderfolgenden Zählwertes ansteigt,
eine Meßschaltung zur Messung der Spannung längs des Temperatur-Meßwiderstandes,
eine Detektorschaltung zur Beendigung des Betriebs der Folgeschaltung, wenn die Spannung längs des Temperatur- Meßwiderstandes einen vordefinierten Wert erreicht, und
einen Speicher zum Speichern des letzten der Vielzahl von aufeinanderfolgenden Zählwerten.
17. System nach Anspruch 16, gekennzeichnet durch einen Rücksetz-Signalgenerator zur Er­ zeugung eines Signals, das den Betrieb der Folgeschaltung einleitet.
18. System nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromquelle einen Stromspiegel mit veränderlichem Verhältnis einschließt.
19. System nach einem der Ansprüche 16 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Folgeschaltung einen Zähler einschließt.
20. System nach einem der Ansprüche 16 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß der vordefinierte Wert proportional zur Bandabstands-Spannung ist.
21. System nach einem der Ansprüche 16 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromquelle eine Konstant- Stromquelle einschließt, daß die Stromquelle einen Konstant­ strom als Funktion des in dem Speicher gespeicherten Wertes erzeugt, und daß die Meßschaltung die Spannung längs des Widerstandes unter Verwendung des Konstantstromes mißt.
22. System nach einem der Ansprüche 16 bis 21, gekennzeichnet durch eine Überspannungs-Detektorschaltung, die während der Zuführung des Konstantstromes längs des Temperatur­ meßwiderstandes die Spannung längs dieses Widerstandes mit einem Grenzwert vergleicht, der proportional zu dem vordefi­ nierten Wert ist, und einen Übertemperatur-Signalgenerator zur Erzeugung eines Übertemperatur-Signals, wenn die gemessene Spannung den Grenzwert übersteigt.
23. System nach einem der Ansprüche 16 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltung eine integrierte Schaltung ist.
24. System nach einem der Ansprüche 16 bis 23, dadurch gekennzeichnet, daß der Speicher ein EEPROM ist.
25. System nach einem der Ansprüche 16 bis 24, dadurch gekennzeichnet, daß das Leistungs-Halbleiterbauteil ein MOSFET ist.
26. System nach einem der Ansprüche 16 bis 25, dadurch gekennzeichnet, daß das Leistungs-Halbleiterbauteil ein IGBT ist.
27. System nach einem der Ansprüche 23 bis 26, dadurch gekennzeichnet, daß die integrierte Schaltung und das Leistungs-Halbleiterbauteil in einem gemeinsamen Gehäuse angeordnet sind.
DE1998105734 1997-02-12 1998-02-12 Verfahren und Schaltung zur Messung der Grenzschicht-Temperatur eines Halbleiterbauteils Withdrawn DE19805734A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US79883597A 1997-02-12 1997-02-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19805734A1 true DE19805734A1 (de) 1998-08-20

Family

ID=25174399

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1998105734 Withdrawn DE19805734A1 (de) 1997-02-12 1998-02-12 Verfahren und Schaltung zur Messung der Grenzschicht-Temperatur eines Halbleiterbauteils

Country Status (8)

Country Link
JP (1) JP2846309B2 (de)
KR (1) KR19980070752A (de)
DE (1) DE19805734A1 (de)
FR (1) FR2759456B1 (de)
GB (1) GB2322709B (de)
IT (1) IT1298182B1 (de)
SG (1) SG55452A1 (de)
TW (1) TW385548B (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001089053A1 (de) * 2000-05-16 2001-11-22 Robert Bosch Gmbh Halbleiter-bauelement
DE10220587A1 (de) * 2002-05-08 2003-11-27 Infineon Technologies Ag Temperatursensor für MOS-Schaltungsanordnung
DE102012006009A1 (de) 2012-03-24 2013-09-26 Volkswagen Aktiengesellschaft Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung einer Sperrschichttemperatur eines Halbleiterbauelements

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3721119B2 (ja) * 2001-11-08 2005-11-30 株式会社東芝 温度センサ
JP4681911B2 (ja) * 2005-02-25 2011-05-11 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
CN100374872C (zh) * 2005-10-14 2008-03-12 北京工业大学 半导体pn结二极管器件的温升和热阻测量方法及装置
JP2009240024A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Denso Corp 温度検出装置
DE102008023217A1 (de) 2008-05-19 2009-11-26 Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg Elektrisches Verfahren zur ortsbezogenen Betriebstemperatureinstellung eines MOS-gesteuerten Halbleiterleistungsbauelementes und Bauelement zur Ausführung des Verfahrens
DE102008023215A1 (de) * 2008-05-19 2009-12-03 Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg Verfahren zur Betriebstemperatursteuerung eines MOS-gesteuerten Halbleiterleistungsbauelementes und Bauelement zur Ausführung des Verfahrens
US20110182324A1 (en) * 2008-05-19 2011-07-28 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Operating temperature measurement for an mos power component, and mos component for carrying out the method
AU2010206053B2 (en) 2009-07-31 2014-08-07 ResMed Pty Ltd Wire Heated Tube with Temperature Control System, Tube Type Detection, and Active Over Temperature Protection for Humidifier for Respiratory Apparatus
CN102928109A (zh) * 2012-10-25 2013-02-13 重庆长安汽车股份有限公司 一种信号采集电路
DE102012222481A1 (de) * 2012-12-06 2014-06-12 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Ermitteln einer Sperrschichttemperatur eines Leistungshalbleiters unter Berücksichtigung der Degradation und Mittel zu dessen Implementierung
NZ743034A (en) 2013-02-01 2019-12-20 ResMed Pty Ltd Wire heated tube with temperature control system for humidifier for respiratory apparatus
CN103323135B (zh) * 2013-06-09 2014-12-03 广东明阳龙源电力电子有限公司 一种igbt温度检测电路
DE102015104990B4 (de) * 2015-03-31 2020-06-04 Infineon Technologies Austria Ag Verbindungshalbleitervorrichtung mit einem Abtastlead
CN105929316A (zh) * 2016-07-10 2016-09-07 北京工业大学 多路igbt结温及热疲劳实时监控系统
CN106501699B (zh) * 2016-10-20 2019-02-19 北京工业大学 一种饱和状态下双极晶体管结温的实时测量方法
EP3598505B1 (de) * 2018-07-19 2023-02-15 Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V. Temperaturschätzung eines leistungshalbleiterbauelements
EP3690412B1 (de) 2019-02-04 2022-06-15 EM Microelectronic-Marin SA Funkelrauschenreduzierung in einer temperatursensoranordnung

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5728228A (en) * 1980-07-28 1982-02-15 Seiko Epson Corp Semiconductor integrated circuit
DE3150013A1 (de) * 1981-12-17 1983-06-23 Datron-Electronic Pichl & Schulte KG, 6109 Mühltal "verfahren und vorrichtung zur automatisierten justierung (eichung) von messgeraeten und wandlern pysikalischer eingangsgroessen"
JPS59225324A (ja) * 1983-06-06 1984-12-18 Terumo Corp 電子温度計の製造方法
JPS60127433A (ja) * 1983-12-13 1985-07-08 Toshiba Corp 温度検出装置の校正方法
JPH0693485B2 (ja) * 1985-11-29 1994-11-16 日本電装株式会社 半導体装置
GB2191292B (en) * 1986-06-07 1990-02-21 Thomas James Allen Measuring equipment
US5497285A (en) * 1993-09-14 1996-03-05 International Rectifier Corporation Power MOSFET with overcurrent and over-temperature protection
GB2291743B (en) * 1993-09-14 1996-08-28 Int Rectifier Corp Power MOS-gated device with overcurrent and over-temperature protection

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001089053A1 (de) * 2000-05-16 2001-11-22 Robert Bosch Gmbh Halbleiter-bauelement
DE10220587A1 (de) * 2002-05-08 2003-11-27 Infineon Technologies Ag Temperatursensor für MOS-Schaltungsanordnung
US6948847B2 (en) 2002-05-08 2005-09-27 Infineon Technologies Ag Temperature sensor for a MOS circuit configuration
DE10220587B4 (de) * 2002-05-08 2007-07-19 Infineon Technologies Ag Temperatursensor für MOS-Schaltungsanordnung
DE102012006009A1 (de) 2012-03-24 2013-09-26 Volkswagen Aktiengesellschaft Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung einer Sperrschichttemperatur eines Halbleiterbauelements
DE102012006009B4 (de) 2012-03-24 2024-06-13 Volkswagen Aktiengesellschaft Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung einer Sperrschichttemperatur eines Halbleiterbauelements

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10246676A (ja) 1998-09-14
GB9801403D0 (en) 1998-03-18
JP2846309B2 (ja) 1999-01-13
IT1298182B1 (it) 1999-12-20
FR2759456B1 (fr) 1999-07-02
SG55452A1 (en) 1998-12-21
GB2322709B (en) 2000-11-01
FR2759456A1 (fr) 1998-08-14
GB2322709A (en) 1998-09-02
KR19980070752A (ko) 1998-10-26
TW385548B (en) 2000-03-21
ITMI980111A1 (it) 1999-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19805734A1 (de) Verfahren und Schaltung zur Messung der Grenzschicht-Temperatur eines Halbleiterbauteils
DE102015121194A1 (de) Vorrichtung mit integriertem Schutzverlauf und Verfahren
EP1296433A2 (de) Schaltungsanordnung zur Spannungsversorgung eines Zweidrahtsensors
DE2754409B2 (de) Schaltungsanordnung zum Schützen von Fernsprechleitungen
EP0744724A1 (de) Anordnung zur leitungsgebundenen Energieversorgung eines Signalgebers vom Singnalempfänger
EP0892249A1 (de) Messanordnung
EP0623257B1 (de) Monolithisch integriertes mos-endstufenbauteil mit einer überlast-schutzeinrichtung
EP0863450B1 (de) Schaltung zur temperaturabhängigen Regelung des Heizstroms von Sitzheizungen
EP0595018B1 (de) Monolithisch integriertes MOS-Endstufenbauteil mit einer Übertemperatur-Schutzeinrichtung
DE3018863A1 (de) Beheizter messwertnehmer fuer physiologische messgroessen mit einem eingebauten temperaturabhaengig steuerbaren schalter
DE2635640A1 (de) Waerme-detektoreinrichtung
EP0045737A2 (de) Temperaturregeleinrichtung für Klima- bzw. Heizanlagen, vorzugsweise in Eisenbahnfahrzeugen
DE3927279A1 (de) Schaltkreis zum thermischen abschalten einer integrierten schaltung
DE3433538A1 (de) Schutzschaltung fuer einen vom laststrom durchflossenen leistungstransistor
DE2635218A1 (de) Anordnung zum schutz eines transistors
DE102009039126B4 (de) Komparator mit ultraniedrigem Stromverbrauch für Thermoabschalten
DE3590263C2 (de)
DE4119917A1 (de) Ueberstromdetektoreinrichtung
DE1690683A1 (de) Temperaturregelschaltung
DE4337229C1 (de) Fernspeiseeinrichtung
DE2552691C3 (de) Spannungsprüfschaltung
DE4241822A1 (de) Schaltungsanordnung zur Fehlererkennung bei der Auswertung von Sensorsignalen
DE10322012A1 (de) Durchflusssensor mit verbessertem Betriebsverhalten
EP0037502A1 (de) Sensorsystem
DE4239522C2 (de) Verfahren und Anordnung zur Erfassung der Temperatur mindestens eines Bauteils

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8139 Disposal/non-payment of the annual fee