CN100374872C - 半导体pn结二极管器件的温升和热阻测量方法及装置 - Google Patents

半导体pn结二极管器件的温升和热阻测量方法及装置 Download PDF

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CN100374872C CNB2005101126760A CN200510112676A CN100374872C CN 100374872 C CN100374872 C CN 100374872C CN B2005101126760 A CNB2005101126760 A CN B2005101126760A CN 200510112676 A CN200510112676 A CN 200510112676A CN 100374872 C CN100374872 C CN 100374872C
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冯士维
谢雪松
吕长志
程尧海
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Abstract

本发明属半导体器件测量领域。目前温升和热阻测量操作复杂,周期长,有的有破坏性。本发明装置:被测器件(401)放在恒温平台(403)上;计算机(100)通过接口(200)接采集器(205);(205)分三路:一路接三路开关(303),接到被测器件(401);二路接采样电阻(501)后接三路开关(303),再接测试电流源(201);(201)的一端接接口(200),一端接电流开关(301);三路接采样电阻(502)后接三路开关(303),再接工作电流源(202);(202)的一端接接口(200),一端接电流控制开关(301);(301)输入两端接测试电流源(201)和工作电流源(202);输出端接参考负载(402)和被测器件(401),控制端接时序发生器(203);采集器(204)一端接接口(200),一端接到高速截取放大器(302);高速截取放大器(302)接器件(401)。本发明非破坏性,可测瞬态加热响应曲线,从而分辨出器件热阻构成。

Description

第l/7页半导体PN结二极管器件的温升和热阻测量方法及装置 技术领域:该技术属于微电子技术中,半导体器件测量技术领域。该发明主要 应用于半导体PN结器件(半导体发光管、半导体激光器和其它半导体二 极管器件)的工作温升的测量。背景技术:半导体器件,特别是功率半导体器件工作时,会产生大量的热,致 使半导体PN结处的温度升高。这将加速半导体器件的性能恶化。如工作 寿命变短和器件的性能变差。影响半导体器件温升的因素一方面与器件 工作时产生的热量有关;对于基于PN结发光器件还与其发光效率有关。 施加电功率一定,发光效率越大,用于f生热量的功率就越少;另一因 素则与从PN结处到周围环境散热的路程中,各环节材料散热特性相关。 一般为半导体材料的芯片、焊料、热沉和封装管壳。准确测量出半导体 器件工作时PN结处的温升一方面可以分析器件的材料质量和封装散热 特性,另 一方面也是实际应用设计中必须了解的重要参数。目前测量半导体PN结器件温升和热阻的方法主要有红外热像仪法, 通过表面的温度分布,测量出半导体器件的温升和热阻。对于发光器件, 可以利用发光波长随温度的变化,测量其内部的温升。但这些测量技术 操作复杂,测量周期长,有的器件还需打开器件管冒,带来一定的破坏 性。发明内容:本发明的主要发明点在于:利用快速脉冲技术,发明了一种非破坏 性测量半导体P N 二极管瞬态和稳态工作温升及热阻的方法和装置,特别 是可以测量出半导体PN结器件加功率后,PN结处温度随时间的上升过 程,即瞬态加热响应曲线。通过该曲线可以分辨出器件的主要热阻构成。本发明提供的一种半导体PN结二极管器件的温升和热阻测量装置, 其特征在于,包括以下部分,方框图见图l:首先被测器件401放置在由调温的恒温平台403上;计算机100是实施 测量的中心,测量指令的发送、测量数据传输和保存均由计算机ioo控 制完成;计算机100通过总线接口200接出采集器205;采集器205分成三 路,连接到一个可计算机控制的三路开关303,完成三个稳态工作电参 数的釆集: 一路直接通过三路开关303,接到被测器件401,直接采集被 测器件401两端的电压;从采集器205引出的第二条线串接 一个测试电流 采样电阻501后,接入三路开关303,再从三路开关303接入到测试电流源 201;采集测试电流采样电阻501上的电压,将电压除以电阻得到被测器 件401的测试电流;测试电流源201的 一 端接到接口 200,接受由计算机100 设定的工作电流指令;201的另一端接到电流开关301;从采集器205引出 的第三条线串接一个工作电流采样电阻502后,接入三路开关303,再从 三路开关303接入到工作电流源202;采集工作电流采样电阻的电压,将 电压除以电阻得到被测器件401的工作电流;工作电流源202的 一端接到 接口200,接受由计算机100设定的工作电流指令;工作电流源202另一端 接到电流控制开关301;电流控制开关301的两输入端分别接入从测试电流源201输出的测试 电流和从工作电流源202输出的工作电流;两输出端 一 端接到参考负载 402, 一端接到被测器件401;另外一端接到时序发生器203;由计算机设 定的从测试电流源201输出的测试电流,在测量过程中, 一直经过电流 控制开关301,输出到被测器件401上;由计算机100设定的从工作电流源 202输出的工作电流,受电流控制开关301的控制端,从时序发生器203 输出过来的时序控制;当被测器件401工作时,电流输出到被测器件40】 上;测量时,该电流则流向参考负载402;被测器件401两端在测试电流下的电压是由采样频率1.25Mhz以上、 12位以上高速采集器204完成的;采集器204—端接到接口200,接受和发 送指令和数据从或者到计算机IOO, —端接到高速截取放大器302;高速 截取放大器302接到被测器件401;高速截取放大器302的功能是截取掉大 部分不变化的成分,有效放大随温度变化的部分,保证测量的精度;测 试电流下被测器件401两端的电压经高速截取放大器302截取放大后,由 高速采集器204采集并传到计算机100,显示出采集的电压波形。高速截取放大器302接出了参考电压电位器304。未接参考电压电位 器304时,针对一种结电压的器件,截取的电压是固定的。当器件的结
电压变化较大,或不同器件时,截取的部分过少、或过多都不能有效放 大随温度变化的部分。这样会牺牲测量精度。增加参考电压电位器304 后,无论什么器件,通过计算机显示器采集的波形,调节电位器,选定 要截取的结电压部分。这样不受结电压变化的影响,每次都能充分保证 利用放大器的放大区间。使用上述连接的装置,测量被测器件401温度系数的方法:1将被测器件401接触放置在可调温度的恒温平台403上;接好被 测器件401上的两端导线;设恒温平台的温度为T〗;2通过计算机100设置工作电流为零,设置一个控制脉冲;该控 制脉冲在时间上有高低电平两种状态;高电平持续的时间为tH,低电 平持续时间为tL;该电流脉冲在时间上是持续重复的;参考图2;3计算机100通过接口200,在控制脉冲每次由高电平向低电平转 换的下降沿,触发高速采集器204,采集经高速截取放大器302截取、 放大被测器件401在测试电流下的两端电压;4高速截取放大器302固定截取、放大被测器件401两端电压中含 有随温度变化的部分,输出给高速采集器204;由于每次控制脉冲的 下降沿都触发采集被测器件401两端的电压,通过计算机采集多次后, 再做平均,得到T1温度下,未加工作电流时,测试电流下的401两端 电压Vpnl,经接口200传到计算机100,并显示采集的结电压波形;5将恒温平台升高温度到T2,重复步骤3、步骤4测量相同测试 电流下的端电压Vpn2,其温度系数是=(Vpn2-Vpnl) / (T2-T1); 即温度每升高一度测试电流下PN结电压的改变量;或者选择多次改 变恒温平台温度,重复步骤3、 4的测量;然后利用最小二乘法计算出 温度系数。选择多次改变恒温平台温度可以提高温度系数精度。温度 系数测量后,数据存盘。只要保持相同的测试电流,温度系数就可以 使用。在步骤4中,当使用增加的参考电压电位器304时,通过调节电位器, 在计算机100显示的结电压波形中,选定截取放大的部分;这样可以充 分截取测试电流下,被测器件401两端电压中随温度变化部分,提高测
量精度; 一旦选定参考电压电位器304后,就不可再调节304的电阻值。使用上述连接的装置,测量被测器件温升和热阻的方法I、 将被测器件401接触放置在可调温度的恒温平台403上; 连接好被测器件401两根导线;设恒温平台温度为TO;II、 保持与测量温度系数相同的测试电流下,通过计算机100设定工作电流为零,设置一个控制脉冲;该控制脉冲在时间上有高低电平两种状态;高电平持续的时间为tH,低电平持续时间为tL; 该电流脉冲在时间上是持续重复的;参考图2;计算机100通过接 口 200,在控制脉冲每次由高电平向低电平转换的下降沿,触发高 速采集器204,采集经高速截取放大器302截取、放大被测器件401 在TO温度下、未加工作电流时仅加测试电流下的两端电压;由于 每个下降沿都触发采集被测器件401两恻的电压,可以采集多次, 再做平均得到V1;参考图3。III、 通过计算机IOO设定加工作电流脉冲;该脉冲从O到tl时 间段,工作电流为零,只有测试电流IO; tl时刻开始,该电流脉冲 为工作电流Iw和测试电流IO之和;到t2时刻,加载的工作电流为 零,工作电流的持续时间段为tH;参考图4;IV、 执行测量程序;计算机100发送指令经接口 200到时序发 生器203,执行电流脉冲的O-tl时间段,此时只有测试电流通过被 测器件401;当tl时刻到达后,计算机100发送指令经接口 200到 时序发生器203,执行电流脉冲的tl-t2时间段,工作电流和测试电 流叠加后加载到被测器件401;工作电压为V2;此时工作电流使被测器件温度升高;V、 当t2时刻到达后,计算机100控制电流控制开关301处的 电流流向参考负载402;同时触发高速采集器204,采集经高速截取 放大器302截取、放大被测器件401在测试电流下的两端电压V3; 参考图4;VI、 测得的V3与步骤II测得的VI差就是由于工作电流产生 温升,带来的变化;随时间增加,V3与VI的差变小,逐渐趋于零;V3与VI的差V3-V1,再除以温度系数a就是测量的设定工作电流 和设定的工作电流施加时间段tH内,使被测器件401的产生的温 升,AT= (V3-V1) /a;VII、 被测器件401工作时电流和电压的采集,是将步骤III 中工作电流脉冲中的tH设定为超过5分钟,使之为稳定直流工作; 运行执行程序;此时由计算机100控制三路开关303、釆集器205 分别采集被测器件401两端的电压V2、工作电流Iw和测试电流10, 并输出到计算机100;采集后,计算机100控制工作电流为零;对 于非发光器件,施加的功率二V2xIw,温升除以功率就是热阻, Rth=AT/ (V2xlw)。在步骤II和V中,当使用增加的参考电压电位器304时,通过调节电位器,在计算机ioo显示的结电压波形中,选定截取放大的部分,输出到高速采集器204;这样可以充分截取测试电流下,被测器件401两端电 压中随温度变化部分,提高测量精度。在步骤III中,由于t2的值可以由计算机设定,可以设定一个n次测量 组;该测量组中,每次除了tH增加外,其余不变,即tHl, tH2, tH3,。。。 tHn;其中n为l, 2……自然数;电流持续时间tH值从几个微秒,增加到 几百秒;参考图5;每个tHn下,都能测得一个温升ATn;以AT为纵坐标, 以工作电流持续时间tH为横坐标绘出曲线;该曲线就是被测器件401施加电流后,内部温度升高随时间的变化过程,即加热响应曲线;参考图 6;通过该曲线可以获得很多被测器件的散热性质;对于非发光器件也 可以用热阻Rth为纵坐标,tH为横坐标,绘制Rth与tH曲线。附图说明 图i测试装置结构方框图图2控制脉冲时序图图3施加工作电流前后,被测器件两端测试电流下和工作电流下的电压 图4加工作电流的时序脉冲图5 —个n次测量组的时序脉冲 图6加热响应曲线的示意图
具体实施方式首先被测器件401放置在可调溫的恒温平台403上,恒溫平台可以使 用半导体致冷器构成。计算机100是实施测量的中心,测量指令的发送、 测量数据传输和保存均由计算机100控制完成,计算机可使用IBM系列兼 容机。计算机100通过总线接口200接出采集器205,总线接口可使用 74HC245构成,采集器可使用高itAD转换器AD574。采集器205分成三 路,连接到一个可计算机控制的三路开关303,三路开关可使用IRF530构 成,完成三个稳态工作电参数的采集: 一路直接通过三路开关303,接 到被测器件401,直接采集401两端的电压;从采集器205引出的第二条线 串接一个测试电流采样电阻501后,采样电阻可使用低温度系数的合金 带电阻,接入三路开关303,再从三路开关303接入到测试电流源201,测 试电流源使用OP07和IRF9530构成。采集测试电流采样电阻501上电压, 得到被测器件401的测试电流。测试电流源201的一端要接到接口200,接 受由计算机100设定的工作电流指令。201的另一端接到电流开关301,电 流开关可以使用IRF530构成;从采集器205引出的第三条线串接一个工作 电流采样电阻502后,采样电阻同样使用低温度系数的合金带电阻,接 入三路开关303,再从三路开关303接入到工作电流源202,工作电流源使 用OP07和IRF9530构成。采集工作电流采样电阻的电压,得到被测器件 401的工作电流。工作电流源202的一端接到接口200,接受由计算机IOO 设定的工作电流指令。工作电流源202另 一端接到电流控制开关3CH。电流控制开关301的输入两端分别接入从测试电流源201输出的测试 电流和从工作电流源202输出的工作电流;两输出端一端接到参考负栽 402,参考负栽使用与被测器件具有相近的正向压降的器件, 一端接到 被测器件401;另外一个控制端接到时序发生器203,时序发生器可由单 片机MCS-51构成。由计算机设定的从测试电流源201输出的测试电流, 在测量过程中, 一直经过电流控制开关301,输出到被测器件401上。由 计算机100设定的从工作电流源202输出的工作电流,受电流控制开关301 的控制端,从时序发生器203输出过来的时序控制。当器件工作时,电 流输出到被测器件401上;测量时,该电流则流向参考负栽402。被测器件401两端在测试电流下的电压是由采样频率U5Mhz以上、12位以上高速采集器204完成的,高速采集器可使用髙速AD转换器 AD574。采集器204—端接到接口200,接受和发送指令和数据从或者到 计算机IOO, —端接到高速截取放大器302,高速截取放大器可以由超高 速运算放大器OPA643构成。高速截取放大器302接到被测器件401。髙速 截取放大器302的功能是截取拌大部分不变化的成分,有效放大随温度 变化的部分,保证测量的精度。测试电流下被测器件401两端的电压经 高速截取放大器302截取放大后,由高速采集器204采集并传到计算机 100,显示出采集的电压波形。髙速截取放大器302接出了参考电压电位器304,参考电压电位器可用精密多團电位器构成。本发明的半导体PN结二极管器件的温升和热阻测重方法的具体实施方式如前所述,本处不再赘述。

Claims (7)

1、一种半导体PN结二极管器件的温升和热阻测量装置,其特征在于,包括以下部分: 被测器件(401)放置在可调温的恒温平台(403)上;计算机(100)是实施测量的中心,测量指令的发送、测量数据传输和保存均由计算机(100)控制完成;计算机(100)通过总线接口(200)接出采集器(205);采集器(205)分成三路,连接到一个由计算机控制的三路开关(303),完成三个稳态工作电参数的采集:一路直接通过三路开关(303),接到被测器件(401),直接采集被测器件(401)两端的电压;从采集器(205)引出的第二条线串接一个测试电流采样电阻(501)后,接入三路开关(303),再从三路开关(303)接入到测试电流源(201);采集测试电流采样电阻(501)上的电压,将电压除以电阻得到被测器件(401)的测试电流;测试电流源(201)的一端接到接口(200),接受由计算机(100)设定的工作电流指令;测试电流源(201)的另一端接到电流开关(301);从采集器(205)引出的第三条线串接一个工作电流采样电阻(502)后,接入三路开关(303),再从三路开关(303)接入到工作电流源(202);采集工作电流采样电阻的电压,将电压除以电阻得到被测器件(401)的工作电流;工作电流源(202)的一端接到接口(200),接受由计算机(100)设定的工作电流指令;工作电流源(202)另一端接到电流控制开关(301); 电流控制开关(301)的两输入端分别接入从测试电流源(201)输出的测试电流和从工作电流源(202)输出的工作电流;电流控制开关(301)两输出端一端接到参考负载(402),一端接到被测器件(401);电流控制开关(301)另外一个控制端接到时序发生器(203);由计算机设定的从测试电流源(201)输出的测试电流,在测量过程中,一直经过电流控制开关(301),输出到被测器件(401)上;由计算机(100)设定的从工作电流源(202)输出的工作电流,受电流控制开关(301)的控制端,从时序发生器(203)输出过来的时序控制;时序发生器(203)一端接到接口(200),接受由计算机(100)设定的指令;当被测器件(401)工作时,电流输出到被测器件(401)上;测量时,该电流则流向参考负载(402); 被测器件(401)两端在测试电流下的电压是由采样频率1.25Mhz以上、12位以上高速采集器(204)完成的;采集器(204)一端接到接口(200),接受和发送指令和数据从或者到计算机(100),一端接到高速截取放大器(302);高速截取放大器(302)接到被测器件(401);测试电流下被测器件(401)两端的电压经高速截取放大器(302)截取放大后,由高速采集器(204)采集并传到计算机(100),显示出采集的电压波形。
2、 根据权利要求1所述的半导体PN结二极管器件的温升和热阻测量 装置,其特征在于,高速截取放大器(302)接出参考电压电位器(304)。
3、 使用权利要求1所述的半导体PN结二极管器件的温升和热阻测量 装置,测量被测器件(401)温度系数的方法,其特征在于,包括以下步骤:1 )将被测器件(401)接触放置在可调温度的恒温平台(403)上;接 好被测器件(401)上的两端导线;设恒温平台的温度为T1;2 )通过计算机(100)设置工作电流为零,设置一个控制脉冲;该 控制脉冲在时间上有高低电平两种状态;高电平持续的时间为tH,低 电平持续时间为tL;该电流脉冲在时间上是持续重复的;3 )计算机(100)通过接口(200),在控制脉冲每次由高电平向低电 平转换的下降沿,触发高速采集器(204),采集经高速截取放大器(302) 截取、放大被测器件(401)在测试电流下的两端电压;4 )高速截取放大器(302)固定截取、放大被测器件(401)两端电压 中含有随温度变化的部分,输出给高速采集器(204);由于每次控制脉 冲的下降沿都触发采集被测器件(401)两端的电压,通过计算机采集多 次后,再做平均,得到T1温度下,未加工作电流时,测试电流下的(401) 两端电压Vpnl,经接口(200)传到计算机(100),并显示采集的结电压 波形;5 )将恒温平台升高温度到T2,重复步骤3、步骤4测量相同测试 电流下的端电压Vpn2,其温度系数是oc二 (Vpn2-Vpnl) / (T2-Tl); 即温度每升高一度测试电流下PN结电压的改变量;或者选择多次改 变恒温平台温度,重复步骤3、 4的测量;然后利用最小二乘法计算出温度系数。
4、 根据权利要求3所述的测量被测器件(401)温度系数的方法,其特 征在于,在步骤4中,当使用增加的参考电压电位器(304)时,通过调节 电位器,在计算机(100)显示的结电压波形中,选定截取放大的部分。
5、 使用权利要求1所述的半导体PN结二极管器件的温升和热阻测量 装置,测量被测器件温升和热阻的方法,其特征在于,包括以下步骤:I 、 将被测器件(401)接触放置在可调温度的恒温平台(403)上; 连接好被测器件(401)两根导线;设恒温平台温度为TO;II、 保持与权利要求3所述的测量温度系数相同的测试电流 下,通过计算机(100)设定工作电流为零,设置一个控制脉冲;该控 制脉冲在时间上有高低电平两种状态;高电平持续的时间为tH,低 电平持续时间为tL;该电流脉冲在时间上是持续重复的;计算机(IOO) 通过接口(200),在控制脉冲每次由高电平向低电平转换的下降沿, 触发高速采集器(204),采集经高速截取放大器(302)截取、放大被测 器件(401)在TO温度下、未加工作电流时仅加测试电流下的两端电 压;由于每个下降沿都触发采集被测器件(401)两侧的电压,可以采 集多次,再做平均得到V1;III、 通过计算机(100)设定加工作电流脉冲;该脉冲从0到tl 时间段,工作电流为零,只有测试电流IO; tl时刻开始,该电流脉 冲为工作电流Iw和测试电流IO之和;到t2时刻,加载的工作电流 为零,工f电流的持续时间段为tH;IV、 执行测量程序;计算机(100)发送指令经接口(200)到时序发 生器(2(B),执行电流脉冲的O-tl时间段,此时只有测试电流通过被 测器件(401);当tl时刻到达后,计算机(100)发送指令经接口(200) 到时序发生器(203),执行电流脉冲的tl-t2时间段,工作电流和测试 电流叠加后加载到被测器件(401);工作电压为V2;此时工作电流使 被测器件温度升高;V、 当t2时刻到达后,计算机(100)控制电流控制开关(301)处的电流流向参考负载(402);同时触发高速采集器(204),采集经高速截 取放大器(302)截取、放大被测器件(401)在测试电流下的两端电压 V3;VI、 测得的V3与步骤II测得的VI差就是由于工作电流产生温升,带来的变化;随时间增加,V3与VI的差变小,逐渐趋于零; V3与VI的差V3-V1,再除以温度系数a就是测量的设定工作电流 和设定的工作电流施加时间段t3-12内,使被测器件(401)的产生的温 升,AT= (V3-VI) /a;VII、 被测器件(401)工作时电流和电压的采集,是将步骤III 中工作电流脉冲中的tH设定为超过5分钟,使之为稳定直流工作; 运行执行程序;此时由计算机(100)控制三路开关(303)、采集器(205) 分别采集被测器件(401)两端的电压V2 、工作电流Iw和测试电流10, 并输出到计算机(100);采集后,计算机(100)控制工作电流为零;对 于非发光器件,施加的功率二V2xIw,温升除以功率就是热阻, Rth=AT/ (V2xlw);
6、 根据权利要求5所述的测量被测器件温升和热阻的方法,其特征 在于,在步骤II和V中,当使用增加的参考电压电位器(304)时,通过调 节电位器,在计算机(100)显示的结电压波形中,选定截取放大的部分, 输出到高速采集器(204)。
7、 根据权利要求5所述的测量被测器件温升和热阻的方法,其特征 在于,在步骤III中,t2的值由计算机设定,设定一个n次测量组;该测量 组中,每次除了tH增加外,其余不变,即tHl, tH2, tH3,。。。 tHn;其 中n为l, 2•••••咱然数;电流持续时间tH值从几个微秒,增加到几百秒; 每个tHn下,测得一个温升ATn;以AT为纵坐标,以工作电流持续时间tH 为横坐标绘出曲线;该曲线就是被测器件(401)施加电流后,内部温 度升高随时间的变化过程,即加热响应曲线;对于非发光器件用热阻Rth 为纵坐标,tH为横坐标,绘制Rth与tH曲线。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101435852B (zh) * 2008-12-12 2010-08-25 北京工业大学 一种电学法测量结型半导体发光器件光效退化参数的方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI451101B (zh) * 2011-01-03 2014-09-01 Ind Tech Res Inst 檢測系統及檢測方法
CN102288639B (zh) * 2011-07-14 2013-01-09 北京工业大学 应用功率半导体led热阻快速批量筛选装置进行筛选的方法
CN102608511B (zh) * 2012-03-08 2014-12-10 东南大学 一种金属氧化物半导体管的结温和热阻测量方法
CN102799721A (zh) * 2012-07-04 2012-11-28 上海宏力半导体制造有限公司 半导体器件温度系数建模方法以及电路设计方法
CN103076551B (zh) * 2013-01-01 2015-10-21 北京工业大学 一种led灯具热阻构成测试装置和方法
CN103604517B (zh) * 2013-11-12 2016-09-14 北京工业大学 一种实时测量耗尽型场效应晶体管瞬态温升和热阻方法
CN103616628B (zh) * 2013-11-21 2017-03-01 北京工业大学 肖特基栅场效应晶体管温升和热阻测量方法及装置
CN103954899B (zh) * 2014-04-09 2017-06-06 北京工业大学 一种实时测量二极管瞬态温升的方法
CN104808130B (zh) * 2015-04-16 2017-08-25 北京工业大学 多路晶体管be结结温测量装置
CN106199366B (zh) * 2016-06-25 2018-11-20 北京工业大学 一种功率mos器件在线测温的方法
CN108226739B (zh) * 2018-01-19 2020-09-08 河北工业大学 有机电致发光器件变温双脉冲瞬态光响应的测试方法
CN109375088A (zh) * 2018-08-10 2019-02-22 武汉盛为芯科技有限公司 分布反馈半导体激光器芯片测试过程中降低温升影响方法
CN109570811B (zh) * 2019-01-02 2020-11-27 北京工业大学 一种检测梯形结构工件焊接质量的方法及装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1106922A (zh) * 1994-02-08 1995-08-16 北京工业大学 砷化镓场效应晶体管沟道温度测试方法
CN1150243A (zh) * 1995-11-06 1997-05-21 北京工业大学 砷化镓场效应(晶体)管沟道温度测试装置
JPH10246676A (ja) * 1997-02-12 1998-09-14 Internatl Rectifier Corp Mosゲート・パワー半導体デバイスの接合部温度を検出する方法および回路ならびにシステム
JP2001091571A (ja) * 1999-09-21 2001-04-06 Canon Inc 信頼性試験装置及び信頼性試験方法
CN1621856A (zh) * 2004-12-17 2005-06-01 北京工业大学 电学法测量结型半导体发光管或激光器热阻前遮光方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1106922A (zh) * 1994-02-08 1995-08-16 北京工业大学 砷化镓场效应晶体管沟道温度测试方法
CN1150243A (zh) * 1995-11-06 1997-05-21 北京工业大学 砷化镓场效应(晶体)管沟道温度测试装置
JPH10246676A (ja) * 1997-02-12 1998-09-14 Internatl Rectifier Corp Mosゲート・パワー半導体デバイスの接合部温度を検出する方法および回路ならびにシステム
JP2001091571A (ja) * 1999-09-21 2001-04-06 Canon Inc 信頼性試験装置及び信頼性試験方法
CN1621856A (zh) * 2004-12-17 2005-06-01 北京工业大学 电学法测量结型半导体发光管或激光器热阻前遮光方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101435852B (zh) * 2008-12-12 2010-08-25 北京工业大学 一种电学法测量结型半导体发光器件光效退化参数的方法

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