DE19753664B4 - Oberflächenwellen-Resonatorfilter - Google Patents

Oberflächenwellen-Resonatorfilter Download PDF

Info

Publication number
DE19753664B4
DE19753664B4 DE19753664A DE19753664A DE19753664B4 DE 19753664 B4 DE19753664 B4 DE 19753664B4 DE 19753664 A DE19753664 A DE 19753664A DE 19753664 A DE19753664 A DE 19753664A DE 19753664 B4 DE19753664 B4 DE 19753664B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode
interdigital electrode
electrodes
interdigital
resonator filter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE19753664A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19753664A1 (de
Inventor
Kazunobu Nagaokakyo Shimoe
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of DE19753664A1 publication Critical patent/DE19753664A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19753664B4 publication Critical patent/DE19753664B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433Coupled resonator filters
    • H03H9/6436Coupled resonator filters having one acoustic track only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1064Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1092Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433Coupled resonator filters
    • H03H9/6483Ladder SAW filters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

Oberflächenwellen-Resonatorfilter der Längskopplungsart,
mit einer ersten interdigitalen Elektrode und
mit einer zweiten interdigitalen Elektrode und einer dritten interdigitalen Elektrode, die jeweils auf beiden Seiten der ersten interdigitalen Elektrode angeordnet sind,
wobei der Abstand (L1) zwischen der ersten interdigitalen Elektrode und der zweiten interdigitalen Elektrode und der Abstand (L2) zwischen der ersten interdigitalen Elektrode und der dritten interdigitalen Elektrode verschieden ist, und
wobei mindestens eine der drei Elektroden in der Weise asymmetrisch in der Richtung gewichtet ist, in der sich die Oberflächenwelle ausbreitet, daß Falschansprechungen in einem Bereich, der höher ist als der Durchlaßbereich, vermindert sind.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft im allgemeinen ein Oberflächenwellen-Resonatorfilter (SAW-Resonatorfilter) der Längskopplungsart, bei dem Reflektoren auf beiden Seiten eines Bereichs ausgebildet sind, in dem sich interdigitale Elektroden befinden. Genauer gesagt betrifft die Erfindung den oben genannten Typ eines SAW-Resonatorfilters der Längskopplungsart, das eine verbesserte Elektrodenstruktur aufweist, bei der unerwünschte Falschansprechungen unterdrückt werden.
  • SAW-Filter werden als Bandpaßfilter für verschiedene Arten von Kommunikationsvorrichtungen verwendet. Es besteht ein großer Wunsch danach, daß die Bandpaßfilter die benötigten Durchlaßbandbreiten mit einer hohen Selektivität gewährleisten. Folglich ist es auch notwendig, daß ein SAW-Filter, der in einer Hochfrequenzstufe verwendet wird, eine benötigte Durchlaßbandbreite mit einer hohen Selektivität sicherstellt. Es ist vor allem wichtig, daß HF-Stufen-SAW-Filter, die in schnurlosen Telephonen benutzt werden, die CT-1-, CT-1+- und CT-2-Standards aufweisen, Dämpfungen in den Bereichen von ±20 MHz und ±40 MHz relativ zur Mittenfrequenz aufweisen, wobei diese Bereiche in Abhängigkeit von den Zwischenfrequenz (IF)-Filtern schwanken, die in diesen Telephonen benutzt werden. Somit müssen die HF-Stufen-SAW-Filter sogar noch höhere Selektivitätscharakteristiken aufweisen.
  • Andererseits sind SAW-Filter der Resonatorart gegenüber anderen Arten von SAW-Filtern im Hinblick auf verringerte Einfügungsdämpfungen und erhöhte Außerband-Dämpfungen vorteilhaft und stellen auch einen kompakteren Filter dar. So sind z.B. die folgenden Arten von SAW-Resonatorfilter der Längskopplungsart in einer Vielzahl von Stufen verbunden, um die oben genannten Anforderungen in einem erträglichen Maße zufriedenzustellen. Bei dieser Art von SAW-Filter sind drei interdigitale (im folgenden als "ID" bezeichnet) Elektroden nahe beieinander in einem gleichen Abstand auf einem sich in X-Richtung ausbreitenden piezoelektrischen 36-Y-Schnitt-LiTaO3-Substrat angeordnet, und Reflektoren befinden sich auf beiden Seiten eines Bereichs, in dem die ID-Elektroden angeordnet sind.
  • Aber bei dem oben genannten herkömmlichen Längskopplungs-SAW-Resonatorfilter werden unerwünschte Falschansprechungen in einem Frequenzbereich erzeugt, der höher als der Durchlaßbereich ist. 3 veranschaulicht die Dämpfung als Funktion der Frequenzcharakteristiken eines bekannten Längskopplungs-SAW-Resonatorfilters. Die Vollinie A gibt einen vergrößerten wesentlichen Abschnitt der Charakteristiken an, die durch die Vollinie B mit einer Maßeinteilung auf der vertikalen Achse von 3 dargestellt sind. Das Längskopplungs-SAW-Resonatorfilter mit den in 3 gezeigten Charakteristiken besitzt ein Durchlaßband von 864 bis 868 MHz. Bei den oben genannten Charakteristiken treten große Falschansprechungen, die mit dem Pfeil C gekennzeichnet sind, in einem Frequenzbereich auf, der höher als der Durchlaßbereich ist, nämlich in der Nähe von 890 MHz, in dem eine ausreichend große Dämpfung nicht erzielt werden kann.
  • Als ein Verfahren zum Unterdrücken der oben genannten Falschansprechungen C offenbart die japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung Nr. 8-191229 ein Verfahren, um unterschiedliche Abstände zwischen der mittleren ID-Elektrode und der einen äußeren ID-Elektrode und zwischen der mittleren ID-Elektrode und der anderen äußeren ID-Elektrode herzustellen. Das Längskopplungs-SAW-Resonatorfilter, das in dieser Veröffentlichung offenbart wird, ist in 4 gezeigt.
  • Ein Längskopplungs-SAW-Resonatorfilter, das allgemein mit 10 bezeichnet ist, besitzt einen Aufbau, bei dem eine erste ID-Elektrode 14 und zweite ID-Elektroden 12 und 13 nebeneinander auf einem piezoelektrischen Substrat 11 in der Richtung angeordnet sind, in der sich eine Oberflächenwelle ausbreitet. Genauer gesagt befinden sich die zweite und die dritte ID-Elektrode 12 und 13 jeweils auf beiden Seiten der ersten ID-Elektrode 14. Reflektoren 15, 15 sind jeweils auf einer Seite der ID-Elektrode 12 und auf einer Seite der ID-Elektrode 13 ausgebildet, und zwar in der Oberflächenwellen-Ausbreitungsrichtung.
  • Die zweiten und dritten ID-Elektroden 12 und 13 sind mit einem Eingangsanschluß 21 verbunden, während die erste ID-Elektrode 14 mit einem Ausgangsanschluß 22 verbunden ist. An die ID-Elektroden 12 und 13 wird eine Spannung angelegt, um eine Oberflächenwelle zu erregen. Die erregte Oberflächenwelle breitet sich zwischen den Reflektoren 15, 15 aus, so daß eine stehende Welle erzeugt wird, und eine der stehenden Welle entsprechende Ausgangsleistung wird an der ersten ID-Elektrode 14 abgegriffen.
  • In dem SAW-Resonatorfilter 10 ist der Abstand der ersten ID-Elektrode 14 zu der zweiten ID-Elektrode 12, das heißt der Mittenabstand L1 zwischen den zueinander am nächsten liegenden Elektrodenfingern der jeweiligen ID-Elektroden 14 und 12, von dem Abstand der ersten ID-Elektrode 14 zu der zweiten ID-Elektrode 13 , d.h. dem Mittenabstand L2 zwischen den am nächsten beieinanderliegenden Elektrodenfingern der jeweiligen ID-Elektroden 14 und 13, verschieden.
  • Aber wenn die SAW-Resonatorfilter 10, die in 4 veranschaulicht sind, in zwei Stufen angeschlossen werden, kommt es zu folgendem Problem. Aufgrund der unterschiedlichen Mittenabstände L1 und L2 entsteht ein Dämpfungspol, der in 5 mit dem Pfeil F bezeichnet ist und der höher als das Durchlaßband ist, in dem eine große Dämpfung erzielt werden kann. Andererseits können die oben genannten großen unerwünschten Falschansprechungen C kaum unterdrückt werden und werden nicht ausreichend verhindert, wie durch die Charakteristiken der Dämpfung als Funktion der Frequenz angeben ist, die in 5 veranschaulicht sind. In 5 stellt die Vollinie D einen vergrößerten wesentlichen Abschnitt der Charakteristiken dar, die mit der Vollinie E mit einer Maßeinteilung auf der rechten Seite der vertikalen Achse von 5 angegeben sind. Wenn man 5 mit der 3 vergleicht, kann man sehen, daß die unerwünschten Falschansprechungen C nicht wesentlich reduziert worden sind.
  • Folglich ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Längskopplungs-SAW-Filter vorzusehen, das verbesserte Selektivitätscharakteristiken aufweist.
  • Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand des Anspruchs 1 gelöst.
  • Dafür ist ein Längskopplungs-SAW-Resonatorfilter vorgesehen, das eine erste ID-Elektrode mit mindestens einem Elektrodenfinger, eine zweite ID-Elektrode und eine dritte ID-Elektrode umfaßt, die jeweils auf beiden Seiten der ersten ID-Elektrode in einer Richtung angeordnet sind, in der sich eine Oberflächenwelle ausbreitet. Die zweiten und dritten ID-Elektroden besitzen jeweils mindestens einen Elektrodenfinger. Das Filter weist auch einen Reflektor auf. Der Mittenabstand L1 zwischen den am nächsten beieinanderliegenden Fingerelektroden der ersten ID-Elektrode und der zweiten ID-Elektrode und der Mittenabstand L2 zwischen den am nächsten beieinanderliegenden Fingerelektroden der ersten ID-Elektrode und der dritten ID-Elektrode sind verschieden. Mindestens eine der ersten, zweiten und dritten ID-Elektroden ist gewichtet.
  • Aufgrund der verschiedenen Mittenabstände L1 und L2 wird bei dem oben genannten Resonatorfilter ein Dämpfungspol in einem Bereich gebildet, der höher als das Durchlaßband ist, in dem große Falschansprechungen unterdrückt werden. Außerdem ist mindestens eine ID-Elektrode gewichtet, wodurch die oben genannten Falschansprechungen effektiver verhindert werden.
  • Deshalb können dann, wenn das oben genannte Filter als ein HF-Filter für ein schnurloses Telephon verwendet wird, Dämpfungen in den Bereichen von ±0 MHz und ±0 MHz relativ zur Mittenfrequenz zuverlässig erzielt werden. Somit erreicht das Resonatorfilter ein hohes Niveau an Selektivität.
  • Dabei ist die gewichtete ID-Elektrode asymmetrisch relativ zu dem Mittelpunkt der ID-Elektrode. Demgemäß können große Falschansprechungen in einem Bereich, der höher als der Durchlaßbereich ist, effektiv verringert werden.
  • Die Unteransprüche geben Ausführungsposition der Erfindung an.
  • So kann die ID-Elektrode gemäß einem sogenannten "Elektrodenfinger-Abzugsverfahren" (electrode finger withdrawal method) gewichtet werden. Dadurch wird es möglich, einen Aufbau des Filters und eine Vorsehung eines Musters auf dem Filter noch weiter zu vereinfachen.
  • Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung an Hand der Beschreibung der Beschreibung in Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnungen näher erläutert.
  • Es zeigen:
  • 1 eine Draufsicht, die die Konfiguration eines Längskopplungs-SAW-Resonatorfilters gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung veranschaulicht,
  • 2 die Dämpfung als Funktion der Frequenzcharakteristiken eines Längskopplungs-SAW-Resonatorfilters gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,
  • 3 die Dämpfung als Funktion der Frequenzcharakteristiken eines bekannten Längskopplungs-SAW-Resonatorfilters,
  • 4 eine Draufsicht, die die Konfiguration eines herkömmlichen Längskopplungs-SAW-Resonatofilters veranschaulicht, und
  • 5 die Dämpfung als Funktion der Frequenzcharakteristiken eines bekannten Längskopplungs-SAW-Resonatorfilters, der als Vergleichsbeispiel verwendet wird.
  • Nun wird ein SAW-Resonatorfilter, das gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist, unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
  • Wie in der in 1 gezeigten Draufsicht zu sehen ist, ist ein Längskopplungs-SAW-Resonatorfilter, das allgemein mit 1 bezeichnet ist, durch die Verwendung eines piezoelektrischen Substrats 2 gebildet. Das piezoelektrische Substrat 2 ist aus einem piezoelektrischen Einkristall, z.B. aus LiTaO3, LiNbO3 oder Quarz, oder aus einem piezoelektrischen Keramikmaterial hergestellt, wie z.B. einer Blei-Titanat-Zirkonat-Keramik.
  • Auf dem piezoelektrischen Substrat 2 sind eine erste ID-Elektrode 3 sowie auch eine zweite ID-Elektrode 4 und eine dritte ID-Elektrode 5 ausgebildet, die sich jeweils auf beiden Seiten der ersten ID-Elektrode in der Richtung befinden, in der sich eine Oberflächenwelle ausbreitet. Die ID-Elektroden 3, 4 und 5 sind jeweils aus einem Paar von kammartigen Elektroden gebildet, wobei jede Elektrode mindestens einen Elektrodenfinger besitzt und die Finger zueinander parallelgeschaltet sind.
  • Bei dem oben beschriebenen Aufbau des SAW-Filters 1 bilden die zweiten und dritten ID-Elektroden 4 und 5 einen Eingangs-ID-Umformer, wobei eine kammartige Elektrode jeder der ID-Elektroden 4 und 5 elektrisch mit einem Eingangsanschluß 6 verbunden ist. Die erste ID-Elektrode 3 bildet einen Ausgangs-ID-Umwandler, wobei eine kammartige Elektrode der ID-Elektrode 3 elektrisch mit einem Ausgangsanschluß 7 verbunden ist.
  • Reflektoren 8 und 9 sind jeweils auf einer Seite jeder der zweiten und dritten ID-Elektroden 4 und 5 in der Richtung ausgebildet, in der sich eine Oberflächenwelle ausbreitet. Die Reflektoren 8 und 9 sind so aufgebaut, daß eine Vielzahl von kurzgeschlossenen Elektrodenfingern rechtwinklig zu der Richtung positioniert sind, in der sich eine Oberflächenwelle ausbreitet. Die ID-Elektroden 3, 4 und 5 und die Reflektoren 8 und 9 können dadurch gebildet werden, daß ein leitendes Material mit einem Muster versehen wird. Die Art des leitenden Materials ist nicht speziell eingeschränkt, und es kann ein geeignetes Metallmaterial, z.B. Aluminium oder eine Aluminiumlegierung, verwendet werden.
  • Bei dem oben beschriebenen SAW-Resonatorfilter 1 ist der Mittenabstand L1 zwischen den am nächsten beieinanderliegenden Elektrodenfingern jeweils der ersten und zweiten ID-Elektroden 3 und 4 von dem Mittenabstand L2 zwischen den am nächsten beieinanderliegenden Elektrodenfingern der jeweils ersten und dritten ID-Elektroden 3 und 5 verschieden. Außerdem ist die erste ID-Elektrode 3 gewichtet.
  • Das heißt, in dem SAW-Resonatorfilter 1 sind die Mittenabstände L1 und L2 verschieden, um ähnlich wie bei dem bekannten SAW-Resonatorfilter 10, das in 4 gezeigt ist, große unerwünschte Falschansprechungen zu verhindern, die in einem Bereich auftreten, der höher als das Durchlaßband ist. Aber die bekannten Arten von großen unerwünschten Falschansprechungen können durch diese Anordnung allein nicht ausreichend unterdrückt werden. Folglich wird die ID-Elektrode 3 gewichtet, wie in 1 gezeigt ist, und zwar asymmetrisch zu der Richtung, in der sich die Oberflächenwelle ausbreitet.
  • Genauer gesagt, wenn die ID-Elektrode 3 eine typische normierte ID-Elektrode ist, dann werden die Elektrodenfinger 3a, 3c, 3e, 3g, 3i, 3k, 3m und 3o mit einem Erdpotential verbunden, während die Elektrodenfinger 3b, 3d, 3f, 3h, 3j, 3l und 3n mit dem Ausgangsanschluß 7 verbunden werden. Im Gegensatz dazu werden bei der in 1 veranschaulichten ID-Elektrode 3 die Elektrodenfinger 3h und 3l, die herkömmlicherweise mit den Ausgangsanschluß verbunden sind, mit einem Masseanschluß verbunden.
  • Änderungen in der Verbindung der vorbestimmten Elektrodenfinger ausgehend von einem Signalanschluß (einem Eingangs- oder Ausgangsanschluß) mit einem Masseanschluß und umgekehrt werden allgemein als "Elektrodenfinger-Abzug" (electrodefinger withdrawal) bezeichnet. Eine Vielzahl von Elektrodenfingern wird in der oben genannten Weise abgezogen, um die Anordnung der Elektrodenfinger der ID-Elektroden zu ändern. Dies wird "die Abzugswichtung" genannt. Die ID-Elektrode 3 wird nämlich asymmetrisch zu der Richtung gewichtet, in der sich die Oberflächenwelle ausbreitet, wie oben angemerkt worden ist.
  • Es ist zwar bekannt, die Frequenzcharakteristiken eines SAW-Filters durch Wichtung der ID-Elektroden einzustellen. Dieses Wichtungsverfahren wird aber nur zum Verhindern der Seitenkeulen-Falschansprechungen und der Transversalmodus-Falschansprechungen eingesetzt. Es ist also nicht möglich, die Falschansprechungen in der Hauptkeule der ID-Elektroden durch herkömmliche Wichtungsverfahren zu unterdrücken.
  • Die erfindungsgemäße Unterdrückung der Falschansprechungen durch asymmetrisches Wichten der ID-Elektrode ist nämlich nur dann wirksam, wenn die Mittenabstände L1 und L2 verschieden sind. Wenn dagegen ein Wichtungsverfahren bei einem Längskopplungs-SAW-Resonatorfilter mit drei Elektroden angewandt wird, das einen Modus nullter Ordnung oder einen Modus zweiter Ordnung verwendet, in dem die Mittenabstände L1 und L2 nicht verschieden sind, ist die Symmetrie der Filtercharakteristiken gestört, wodurch in dem Durchlaßband der Modus erster Ordnung als große Falschansprechungen erzeugt wird.
  • Gemäß dem Längskopplungs-SAW-Resonatorfilter der vorliegenden Erfindung wird somit das Wichtungsverfahren entgegen dem bestehenden Vorurteil der Fachwelt verwendet, wobei die Mittenabstände L1 und L2 verschieden ausgebildet sind. Als eine Folge davon können die unerwünschten Falschansprechungen, die in einem Bereich erzeugt werden, der höher als der Durchlaßbereich ist, effektiv verhindert werden, wodurch die Selektivitätscharakteristiken des SAW-Resonatorfilters verbessert werden.
  • Obwohl bei dem oben genannten Ausführungsbeispiel nur die ID-Elektrode 3 gewichtet wird, können zusätzlich zu der ID-Elektrode 3 auch eine oder beide der ID-Elektroden 4 und 5 gewichtet werden. Alternativ dazu kann statt der ID-Elektrode 3 mindestens eine der ID-Elektroden 4 oder 5 gewichtet werden. Darüber hinaus kann die ID-Elektrode statt asymmetrisch auch symmetrisch in der Richtung gewichtet werden, in der sich die Oberflächenwelle ausbreitet. Die ID-Elektrode kann vorzugsweise asymmetrisch gewichtet sein, weil die Falschansprechungen in einem Bereich, der höher als das Durchlaßband ist, effektiver reduziert werden können.
  • Das Wichtungsverfahren ist nicht auf das oben genannte Elektrodenfinger-Abzugsverfahren begrenzt, sondern es können auch andere Verfahren wie z.B. das Apodisationsverfahren oder das Schrägwichtungsverfahren verwendet werden.
  • Außerdem kann anstelle des piezoelektrischen Substrats 2 auch ein quasipiezoelektrisches Substrat verwendet werden, das durch das Überziehen eines Isoliersubstrats mit einem dünnen piezoelektrischen Film erhalten wird, wobei dann in diesem Fall die ID-Elektroden 3, 4 und 5 und die Reflektoren 8 und 9 entweder auf der Oberseite oder auf der Unterseite des dünnen piezoelektrischen Films angeordnet sein können.
  • Die Wirkung des Längskopplungs-SAW-Resonatorfilters der vorliegenden Erfindung wird nun durch die Veranschaulichung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels verdeutlicht.
  • Das SAW-Resonatorfilter 1, das in 1 veranschaulicht ist, wurde unter den folgenden Bedingungen hergestellt: ein piezoelektrisches, sich in der X-Richtung ausbreitendes 36-Y-Schnitt-LiTaO3-Substrat 2 wurde verwendet, wobei die Anzahl an Elektrodenfingern der ersten ID-Elektrode 3 bei 71 lag, die Anzahl an Elektrodenfingern sowohl der zweiten als auch der dritten ID-Elektrode 4 und 5 bei 41 lag, die Mittenabstände L1 und L2 jeweils 0,35λ bzw. 0,71λ betrugen, die Anzahl der Elektrodenfinger jedes der Reflektoren 8 und 9 bei 170 lag, die Dicke der Elektroden der Reflektoren 8 und 9 3,6% der Wellenlänge λ betrug, und die ID-Elektrode 3 wurde gemäß dem Elektrodenfinger-Abzugsverfahren asymmetrisch in der Richtung gewichtet wurde, in der sich die Oberflächenwelle ausbreitet. Genauer gesagt wurde die ID-Elektrode 3 auf die folgende Art und Weise gewichtet. Die Elektrodenfinger einer typischen normierten ID-Elektrode wurden durch das Verbinden der 30., 32., 34., 36., 38., 54., 58., 62., 66. und 68. Elektrodenfinger ausgehend von der linken Seite von 1 mit einem Masseanschluß abgezogen λ gibt die Wellenlänge der Oberflächenwelle an, die durch den Elektrodenabstand der Reflektoren 8 und 9 bestimmt wird. Als Material für die ID-Elektroden 3, 4 und 5 und für die Reflektoren 8 und 9 wurde Aluminium verwendet.
  • Die oben genannten Längskopplungs-SAW-Resonatorfilter 1 wurden in zwei Stufen angeschlossen und als ein CT-2-Standard-HF-Filter für ein schnurloses Telephon verwendet, das eine Mittenfrequenz von 866 MHz aufweist. Die Filtercharakteristiken der Dämpfung als Funktion der Frequenz wurden gemessen. Die Ergebnisse sind in 2 gezeigt. In 2 zeigt die Vollinie G einen vergrößerten wesentlichen Abschnitt der Charakteristiken an, die durch die Vollinie H hinsichtlich der Einfügungsdämpfungen mit einer Maßeinteilung auf der rechten Seite der vertikalen Achse von 2 dargestellt sind.
  • Zum Vergleich wurden die Längskopplungs-SAW-Resonatorfilter 10, die in 4 gezeigt sind, die als ein Vergleichsbeispiel verwendet wird, und die in einer Weise ähnlich dem Filter 1 aufgebaut sind, außer daß die ID-Elektrode 3 nicht gewichtet worden ist, wurden in zwei Stufen geschaltet und als ein CT-2-Standard-HF-Filter für ein schnurloses Telephon verwendet. Die Charakteristiken der Dämpfung als Funktion der Frequenz des Filters 10 wurden gemessen. Die Ergebnisse sind mit den Vollinien D und E in 5 gezeigt.
  • Wie oben diskutiert worden ist, werden in Abhängigkeit von den Charakteristiken des bekannten Filters 10, das in 5 gezeigt ist, die Mittenabstände L11 und L2 differenziert/beabstandet, wodurch ein Dämpfungspol erzeugt wird, bei dem die Dämpfung, die mit dem Pfeil F angegeben ist, erhöht werden kann. Aber die unerwünschten Falschansprechungen C werden nur geringfügig reduziert und werden nicht ausreichend unterdrückt, und die Dämpfung des Bereichs, der mit dem Pfeil C angegeben ist, liegt bei einem niedrigen Wert von 30 dB.
  • Im Gegensatz dazu offenbaren die Charakteristiken des SAW-Resonatorfilters 1 des in 2 veranschaulichten Ausführungsbeispiels, daß große unerwünschte Falschansprechungen C, die in einem Bereich auftreten, der höher als der Durchlaßbereich ist, effektiver unterdrückt werden, und die Dämpfung liegt bei einem Wert von 40 dB oder höher. Darüber hinaus werden die Charakteristiken des Filters 1, wie z.B. die Außerband-Einfügungsdämpfungen und die Durchlaßbandbreite durch das Wichten der ID-Elektrode durch das Elektrodenfinger-Abzugsverfahren nicht beeinträchtigt.

Claims (9)

  1. Oberflächenwellen-Resonatorfilter der Längskopplungsart, mit einer ersten interdigitalen Elektrode und mit einer zweiten interdigitalen Elektrode und einer dritten interdigitalen Elektrode, die jeweils auf beiden Seiten der ersten interdigitalen Elektrode angeordnet sind, wobei der Abstand (L1) zwischen der ersten interdigitalen Elektrode und der zweiten interdigitalen Elektrode und der Abstand (L2) zwischen der ersten interdigitalen Elektrode und der dritten interdigitalen Elektrode verschieden ist, und wobei mindestens eine der drei Elektroden in der Weise asymmetrisch in der Richtung gewichtet ist, in der sich die Oberflächenwelle ausbreitet, daß Falschansprechungen in einem Bereich, der höher ist als der Durchlaßbereich, vermindert sind.
  2. Resonatorfilter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils ein Reflektor neben der zweiten interdigitalen Elektrode und der dritten interdigitalen Elektrode angeordnet ist, der eine in Richtung der interdigitalen Elektroden sich ausbreitende Oberflächenwelle reflektiert.
  3. Resonatorfilter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die interdigitalen Elektroden aus Aluminium oder aus einer Aluminiumlegierung bestehen und auf einem piezoelektrischen Substrat aufgebracht sind.
  4. Resonatorfilter nach einem der Ansprüche 1 bis 3 dadurch gekennzeichnet, daß die interdigitalen Elektroden auf der Oberseite oder auf der Unterseite eines dünnen piezoelektrischen Films angeordnet sind, mit dem ein quasipiezoelektrisches Substrat überzogen ist.
  5. Verwendung des Elektrodenfinger-Abzugsverfahren zur Wichtung einer interdigitalen Elektrode eines Oberflächenwellen-Resonatorfilters nach einem der Ansprüche 1–4.
  6. Verwendung des Apodisationsverfahren zur Wichtung einer interdigitalen Elektrode eines Oberflächenwellen-Resonatorfilters nach einem der Ansprüche 1–4.
  7. Verwendung des Schrägwichtungsverfahren Wichtung einer interdigitalen Elektrode eines Oberflächenwellen-Resonatorfilters nach einem der Ansprüche 1–4.
  8. Längskopplungs-Oberflächenwellen-Resonatorfilter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jede der ersten, zweiten und dritten interdigitalen Elektroden gewichtet ist.
  9. Längskopplungs-Oberflächenwellen-Resonatorfilter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste interdigitale Elektrode gewichtet ist während die zweite und die dritte interdigitale Elektrode nicht gewichtet ist.
DE19753664A 1996-12-25 1997-12-03 Oberflächenwellen-Resonatorfilter Expired - Lifetime DE19753664B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8345477A JPH10190394A (ja) 1996-12-25 1996-12-25 弾性表面波共振子フィルタ
JP8-345477 1996-12-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19753664A1 DE19753664A1 (de) 1998-07-02
DE19753664B4 true DE19753664B4 (de) 2004-07-08

Family

ID=18376862

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19753664A Expired - Lifetime DE19753664B4 (de) 1996-12-25 1997-12-03 Oberflächenwellen-Resonatorfilter

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5986524A (de)
JP (1) JPH10190394A (de)
KR (1) KR100280608B1 (de)
DE (1) DE19753664B4 (de)
MY (1) MY113662A (de)
SG (1) SG71073A1 (de)
TW (1) TW353552U (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8026780B2 (en) 2007-03-01 2011-09-27 Epcos Ag Resonator filter working with surface acoustic waves

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19638451A1 (de) * 1996-09-19 1998-04-02 Siemens Matsushita Components Reaktanzfilter mit OFW-Resonatoren
US6259336B1 (en) * 1998-05-27 2001-07-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Surface acoustic wave filter device
DE19938748B4 (de) * 1999-08-16 2007-02-01 Epcos Ag Dualmode-Oberflächenwellen-Filter mit verbesserter Symmetrie und erhöhter Sperrdämpfung
JP3391346B2 (ja) * 2000-04-18 2003-03-31 株式会社村田製作所 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
JP3435640B2 (ja) 2000-05-22 2003-08-11 株式会社村田製作所 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
JP3358615B2 (ja) * 2000-06-26 2002-12-24 株式会社村田製作所 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
JP2002152001A (ja) * 2000-11-09 2002-05-24 Nec Corp 弾性表面波フィルタおよび弾性表面波フィルタ装置
JP3534080B2 (ja) * 2001-03-23 2004-06-07 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置
EP1249934B1 (de) * 2001-04-09 2013-07-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. Akustische Oberflächenwellenanordnung und Kommunikationseinheit
JP3824499B2 (ja) * 2001-04-20 2006-09-20 富士通株式会社 弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタ
JP4599758B2 (ja) * 2001-05-23 2010-12-15 エプソントヨコム株式会社 弾性表面波共振子及びラダー型弾性表面波フィルタ
JP3685102B2 (ja) * 2001-07-27 2005-08-17 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ、通信装置
JP2003133889A (ja) * 2001-10-25 2003-05-09 Murata Mfg Co Ltd 縦結合型弾性表面波共振子フィルタ
DE10352640B4 (de) * 2003-11-11 2014-02-13 Epcos Ag DMS-Filter
JP2006295434A (ja) * 2005-04-08 2006-10-26 Epson Toyocom Corp 弾性表面波フィルタ
US9048807B2 (en) * 2010-03-18 2015-06-02 University Of Maine System Board Of Trustees Surface acoustic wave resonator with an open circuit grating for high temperature environments
JP2018110291A (ja) * 2016-12-28 2018-07-12 株式会社村田製作所 弾性波デバイス

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4774482A (en) * 1986-08-29 1988-09-27 Siemens Aktiengesellschaft Transducer for a filter arrangement with acoustic waves
DE4013214A1 (de) * 1989-04-25 1990-10-31 Japan Radio Co Ltd Akustisches oberflaechenwellenfilter
JPH08191229A (ja) * 1995-01-10 1996-07-23 Toyo Commun Equip Co Ltd 縦結合2重モードsawフィルタ
US5561408A (en) * 1993-05-19 1996-10-01 Nec Corporation Saw resonator bandpass filter with asymetric apodized transducers to suppress a spurious response

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH036913A (ja) * 1989-06-05 1991-01-14 Hitachi Ltd 弾性表面波フィルタ及びそれを用いた移動無線装置
JPH03112210A (ja) * 1989-09-27 1991-05-13 Toshiba Corp 弾性表面波装置
JPH05121997A (ja) * 1991-10-30 1993-05-18 Sanyo Electric Co Ltd 弾性表面波フイルタ
US5309126A (en) * 1991-11-18 1994-05-03 Motorola, Inc. Spatially varying multiple electrode acoustic wave filter and method therefor
JPH05315886A (ja) * 1992-05-14 1993-11-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JPH07212177A (ja) * 1994-01-14 1995-08-11 Murata Mfg Co Ltd 表面波フィルタ
JP3000861B2 (ja) * 1994-09-28 2000-01-17 豊田合成株式会社 ステアリングホイール
JPH08330889A (ja) * 1995-05-30 1996-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Sawフィルタ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4774482A (en) * 1986-08-29 1988-09-27 Siemens Aktiengesellschaft Transducer for a filter arrangement with acoustic waves
DE4013214A1 (de) * 1989-04-25 1990-10-31 Japan Radio Co Ltd Akustisches oberflaechenwellenfilter
US5561408A (en) * 1993-05-19 1996-10-01 Nec Corporation Saw resonator bandpass filter with asymetric apodized transducers to suppress a spurious response
JPH08191229A (ja) * 1995-01-10 1996-07-23 Toyo Commun Equip Co Ltd 縦結合2重モードsawフィルタ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8026780B2 (en) 2007-03-01 2011-09-27 Epcos Ag Resonator filter working with surface acoustic waves

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10190394A (ja) 1998-07-21
KR100280608B1 (ko) 2001-02-01
US5986524A (en) 1999-11-16
MY113662A (en) 2002-04-30
DE19753664A1 (de) 1998-07-02
SG71073A1 (en) 2000-03-21
KR19980064527A (ko) 1998-10-07
TW353552U (en) 1999-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19753664B4 (de) Oberflächenwellen-Resonatorfilter
DE69619741T2 (de) Akustisches Oberflächenwellenfilter
DE19714085C2 (de) Akustisches Multimode-Oberflächenwellenfilter
DE19849782B4 (de) Oberflächenwellenanordnung mit zumindest zwei Oberflächenwellen-Strukturen
DE69412424T2 (de) Akustisches Oberflächenwellenfilter
DE10212174B4 (de) Kantenreflexionsoberflächenwellenfilter mit spezieller Elektrodenanordnung sowie Duplexer und Kommunikationsvorrichtung, die dieses verwenden
DE69620134T2 (de) Akustisches Oberflächenwellenresonatorfilter mit longitudinaler Kopplung
DE112009002361B4 (de) Filtervorrichtung für elastische Wellen
DE69838694T2 (de) SAW-Filter mit SAW-Zwischenstufenanpassungsresonator
DE69607510T2 (de) Akustisches Oberflächenwellenresonatorfilter
DE19830315C2 (de) Oberflächenwellenelement
DE19923963B4 (de) Oberflächenwellenfilter
DE60300762T2 (de) Oberflächenwellenbauelement und Kommunikationsgerät
DE69117321T2 (de) Saw-Anordnung mit mehreren Elektroden und zugehöriges Herstellungsverfahren
DE19838573B4 (de) Oberflächenwellenfilter
DE69934863T2 (de) Akustisches Oberfächenwellenfilter zur Verbesserung der Flachheit des Durchlassbereichs und Verfahrung zur Herstellung desselben
DE2820046C2 (de) Akustisches Oberflächenwellen- Bauelement
DE10225189A1 (de) Oberflächenwellenbauelement
DE69620135T2 (de) Akustisches Oberflächenwellenresonatorfilter
DE2546193A1 (de) Vorrichtung fuer elastische oberflaechenwellen
DE69632710T2 (de) Akustische oberflächenwellenanordnung
DE69423062T2 (de) Akustische Oberflächenwellenanordnung
DE19606690B4 (de) Oberflächenwellenresonator mit einer Transversalmodus-Welligkeit am Resonanzpunkt
DE69716846T2 (de) Oberflächenwellen-Resonatorfilter
DE69635332T2 (de) Akustisches oberflächenwellenfilter

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R071 Expiry of right