DE19744920C2 - Dünnschichttransistor, Verwendung des Dünnschichttransistors in einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Dünnschichttransistor, Verwendung des Dünnschichttransistors in einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung

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Description

Die Erfindung betrifft eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD: Liquid Crystal Device), und insbesondere einen Dünnschichttransistor (TFT: Thin Film Transistor) einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung, mit dem die Charakteristik der Flüssigkristallanzeigevorrichtung im eingeschalteten Zustand verbessert und Störkapazitäten der Flüssigkristallanzeigevorrichtung verringert sind, sowie ein Verfahren zur Herstellung der Flüssigkristallanzeigevorrichtung.
Im allgemeinen weist eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung eine obere und eine untere Glasplatte auf, zwischen die Flüssigkristallmaterial injiziert ist. Auf der unteren Glasplatte sind eine Mehrzahl von parallel verlaufenden Datenleitungen und eine Mehrzahl von zu diesen senkrecht verlaufenden Gateleitungen ausgebildet. In dieser Matrixanordnung sind eine Mehrzahl von Dünnschichttransistoren und eine Mehrzahl von Pixelelektroden den Kreuzungsstellen der Datenleitungen mit den Gateleitungen benachbart angeordnet. Auf der oberen Glasplatte sind rote (R), grüne (G) und blaue (B) Farbfilterschichten sowie eine gemeinsame Elektrode angebracht. Im allgemeinen ist eine Lichtabschirmschicht (schwarze Matrix) auf der oberen Glasplatte ausgebildet. Jeweils ein Polarisator ist auf der Außenfläche der oberen und der unteren Glasplatte angeordnet, um das einfallende Licht selektiv durchtreten zu lassen.
Im folgenden wird eine aus US 5,334,859 bekannte Flüssigkristallanzeigevorrichtung unter Bezugnahme auf Fig. 1 beschrieben, aus der das Layout dieser herkömmlichen Flüssigkristallanzeigevorrichtung ersichtlich ist.
Wie aus Fig. 1 ersichtlich, weist eine herkömmliche Flüssigkristallanzeigevorrichtung eine Mehrzahl von auf einem transparenten Substrat ausgebildeten Gateleitungen 1, eine Mehrzahl von Datenleitungen 2, welche die Gateleitungen 1 kreuzen, eine Mehrzahl von Dünnschichttransistoren 5, welche den Kreuzungsstellen der Gateleitungen mit den Datenleitungen benachbart ausgebildet sind, und eine Mehrzahl von Pixelelektroden 3 auf, die an die Dünnschichttransistoren 5 angeschlossen sind. Die Gateleitungen 1 sind im Abstand voneinander angeordnet und verlaufen parallel zueinander. Die Datenleitungen 2 sind im Abstand voneinander angeordnet und erstrecken sich rechtwinklig zu den Gateleitungen 1. Zwei benachbarte Gateleitungen 1 und zwei benachbarte Datenleitungen 2 legen die Grenzen eines Pixelbereiches fest. In jedem Pixelbereich sind ein Dünnschichttransistor 5 und eine Pixelelektrode 3 ausgebildet.
Jeder Dünnschichttransistor 5 weist eine Gateelektrode 1a, eine Sourceelektrode 2a und eine Drainelektrode 4 auf. Eine Gateisolierungsschicht ist zwischen der Gateelektrode 1a und der Sourceelektrode 2a und zwischen der Gateelektrode 1a und der Drainelektrode 4 ausgebildet. Die Gateelektrode 1a erstreckt sich aus der Gateleitung 1 und die Sourceelektrode 2a erstreckt sich aus der Sourceleitung 2. Die Drainelektrode 4 ist mit der Pixelelektrode 3 verbunden.
Der Dünnschichttransistor 5 überträgt ein Signal von der Datenleitung 2 an die Pixelelektrode 3, wenn an die Gateleitung und damit an die Gateelektrode des Dünnschichttransistors ein Ansteuerungssignal angelegt wird. Die Sourceelektrode 2a und die Drainelektrode 4 haben die gleiche Breite a.
In den herkömmlichen Flüssigkristallanzeigevorrichtungen mit den oben beschriebenen Dünnschichttransistoren wird, wenn an die Gateelektrode 1a eine Ansteuerspannung angelegt wird, der Dünnschichttransistor eingeschaltet, um eine Bilddaten repräsentierende Datenspannung an die Pixelelektrode 3 und damit an das Flüssigkristallmaterial zu übertragen.
Der Strom, der zur Ladung des Flüssigkristallmaterials erforderlich ist, ist als Ladestrom Ion bekannt. Für Ion gilt:
wobei τg die Gateeinschaltzeit ist, CTOT die gesamte Kapazität des Flüssigkristallmaterials und eines Hilfskondensators ist, und VLC die am Flüssigkristallmaterial anliegende Spannung ist.
Bei diesem Dünnschichttransistor ist die Gateelektrode 1a von der Sourceelektrode 2a und der Drainelektrode 4 überlappt. In diesem Fall sind zwischen der Drainelektrode und der Gateelektrode sowie zwischen der Sourceelektrode und der Gateelektrode in den jeweiligen Überlappungsbereichen die parasitären Kapazitäten CGD bzw. CGS vorhanden. CGS ist die Gate- Source-Kapazität und CGD ist die Gate-Drain-Kapazität.
Beim Abschalten des Dünnschichttransistors fällt die Spannung an der Pixelelektrode, infolge der kapazitiven Kopplung, um den Betrag ΔVP ab. Dieser Spannungsabfall ΔVP kann wie folgt dargestellt werden:
Dabei ist CGS die Gate-Source-Kapazität, CLC ist die Pixelkapazität, CST ist die Speicherkapazität und Vg ist die Gatespannung. Dieser Spannungsabfall ΔVP trägt zur Verminderung der Bildqualität der Flüssigkristallanzeigevorrichtung bei. Zur Verbesserung der Bildqualität ist es deswegen wichtig, ΔVP zu minimieren und die Ladestromcharakteristik der Flüssigkristallanzeigevorrichtung zu verbessern.
Herkömmliche Flüssigkristallanzeigevorrichtungen weisen jedoch Sourceelektroden und Drainelektroden von gleicher Breite auf. Ein derartiger Aufbau verbessert weder das Ladestromverhalten noch werden dadurch die parasitären Kapazitäten verringert. Deswegen ist bei herkömmlichen Flüssigkristallanzeigevorrichtungen die Bildqualität beeinträchtigt.
Durch die Erfindung wird ein Dünnschalttransistor, eine daraus hergestellte Flüssigkristallanzeigevorrichtung, die geringe parasitäre Kapazitäten aufweist, so daß das Ladestromverhalten der Flüssigkristallanzeigevorrichtung günstig ist, sowie ein Verfahren zur Herstellung derselben geschaffen.
Der erfindungsgemäße Dünnschichttransistor (TFT) für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD), die eine Mehrzahl von Gateleitungen und Datenleitungen, welche auf einem Substrat ausgebildet sind, und eine Mehrzahl von Pixelelektroden aufweist, die in von den Gateleitungen und den Datenleitungen festgelegten Bereichen ausgebildet sind, weist eine Gateelektrode, die aus der zugeordneten Gateleitung abzweigt, eine Drainelektrode, die an die zugeordnete Pixelelektrode angeschlossen ist, und eine Sourceelektrode auf, die aus der zugeordneten Datenleitung abzweigt und deren Breite größer als die der Drainelektrode ist.
Die erfindungsgemäße Flüssigkristallanzeigevorrichtung weist eine Mehrzahl von Gateleitungen und Datenleitungen, die auf einem Substrat ausgebildet sind, eine Mehrzahl von Pixelelektroden, die in von den Gateleitungen und den Datenleitungen festgelegten Pixelbereichen ausgebildet sind, eine Flüssigkristallschicht und eine Farbfilterschicht über den Pixelelektroden, und in jedem Pixelbereich jeweils eine Gateelektrode, die aus der zugeordneten Gateleitung abzweigt, jeweils eine Drainelektrode, die mit der zugeordneten Pixelelektrode verbunden ist, sowie jeweils eine Sourceelektrode auf, die aus der zugeordneten Sourceleitung abzweigt, wobei die Breite der Sourceelektrode größer ist als die Breite der Drainelektrode.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung, die eine Mehrzahl von Gateleitungen und Datenleitungen, welche auf einem Substrat ausgebildet sind, eine Mehrzahl von Pixelelektroden, die in von den Gateleitungen und den Datenleitungen festgelegten Bereichen ausgebildet sind, und eine Flüssigkristallschicht sowie eine Farbfilterschicht aufweist, die über der Pixelelektrode angeordnet sind, weist folgende Schritte auf: Ausbilden einer Gateelektrode, welche sich aus einer der Gateleitungen erstreckt, Ausbilden einer Drainelektrode, die an eine der Pixelelektroden angeschlossen ist, und Ausbilden einer Sourceelektrode, die sich aus einer der Datenleitungen erstreckt und deren Breite größer als die Breite der Drainelektrode ist.
Die Erfindung wird im folgenden anhand einer bevorzugten Ausführungsform unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 das Layout einer herkömmlichen Flüssigkristallanzeigevorrichtung;
Fig. 2 eine Ausführungsform einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß der Erfindung; und
Fig. 3 eine perspektivische Ansicht eines Ausschnittes "A" aus der Fig. 2.
Wie aus Fig. 2 ersichtlich, weist eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung eine Mehrzahl von Gateleitungen 21, die auf einem transparenten Substrat zueinander parallel verlaufend angeordnet sind, eine Mehrzahl von Datenleitungen 23, die rechtwinklig zu den Gateleitungen 21 verlaufen, eine Mehrzahl von Dünnschichttransistoren (TFTs) 25, die den Kreuzungsstellen der Gateleitungen 21 mit den Datenleitungen 23 benachbart ausgebildet sind, und eine Mehrzahl von Pixelelektroden 24 auf, die mit den Dünnschichttransistoren 25 verbunden sind. Außerdem weist die Flüssigkristallanzeigevorrichtung andere Komponenten wie Isolierungsschichten, Flüssigkristallmaterial, Farbfilter, Polarisatoren usw. auf, die auch in den herkömmlichen Flüssigkristallanzeigevorrichtungen vorhanden sind.
Jeder Dünnschichttransistor 25 weist eine Gateelektrode 21a, die aus der zugehörigen Gateleitung 21 abzweigt, eine Drainelektrode 22, von der die Gateelektrode 21a überlappt ist, und eine Sourceelektrode 23a auf, die aus der zugehörigen Datenleitung 23 abzweigt. Die in Verlaufsrichtung der Datenleitung 23 gemessene Breite der Sourceelektrode ist an deren der Datenleitung 23 benachbartem Ende (sog. untere Breite) größer als an deren der Datenleitung 23 abgewandtem, die Gateelektrode 21a überlappendem Ende (sog. obere Breite). Das heißt, daß die Sourceelektrode trapezförmig ist, wobei die Breite der Sourceelektrode 23a stetig von deren unterem Ende zu deren oberem Ende (d. h. in Richtung von der Datenleitung weg) abnimmt. Im Gegensatz dazu ist die in Verlaufsrichtung der Datenleitung gemessene Breite b der Drainelektrode 22 bevorzugt über die gesamte Länge der Drainelektrode 22 hin konstant. Die Breite b der Drainelektrode 22 ist geringer als die obere (kleinste) Breite c der Sourceelektrode 23a.
Durch den oben beschriebenen Aufbau der Sourceelektrode 23a wird der Spannungsabfall ΔVP minimiert und das Ladestromverhalten der Flüssigkristallanzeigevorrichtung wird verbessert. Gemäß der obigen Gleichung 2 wird durch den erfindungsgemäßen Aufbau der Sourceelektrode 23a der Kapazitätswert CGS verringert, was zu einer Verringerung des Spannungsabfalls ΔVP und der parasitären Kapazität führt. Dadurch wird bei der erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeigevorrichtung die Bildqualität verbessert.
Aus Fig. 3 ist eine perspektivische Ansicht des Ausschnittes "A" aus Fig. 2 ersichtlich, welche die Sourceelektrode 23a und die Drainelektrode 22 zeigt, welche beide die Gateelektrode 21a überlappen.
Im folgenden wird ein Verfahren zur Herstellung der oben beschriebenen Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß der Erfindung beschrieben.
Die Gateelektrode 21a wird auf einem vorbestimmten Bereich des transparenten Substrats ausgebildet, derart, daß die Gateelektrode 21a sich aus der zugehörigen Gateleitung 21 erstreckt. Dann wird eine Gateisolierungsschicht auf die ganze Substratoberfläche und die Gateelektrode 21a aufgebracht. Auf die Gateisolierschicht wird eine Halbleiterschicht aufgebracht und strukturiert. Anschließend wird auf die Halbleiterschicht Elektrodenmaterial ausgebracht und strukturiert, um die Sourceelektrode 23a, die Drainelektrode 22 und die Datenleitung 23 auszubilden. Insbesondere ist die derart ausgebildete Sourceelektrode 23a trapezförmig und die Breite der Sourceelektrode ist größer als die der Drainelektrode 22. Die Gateisolierungsschicht, die Halbleiterschicht und die ohmsche Kontaktschicht (nicht gezeigt) werden zwischen der Sourceelektrode 23a und der Gateelektrode 21a sowie zwischen der Drainelektrode 22 und der Gateelektrode 21a ausgebildet. Andere Elemente und Komponenten der erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeigevorrichtung werden in einer dem Herstellungsverfahren einer herkömmlichen Flüssigkristallanzeigevorrichtung ähnlichen Art und Weise hergestellt.
Wie oben beschrieben, haben die erfindungsgemäße Flüssigkristallanzeigevorrichtung und das Verfahren zu ihrer Herstellung viele Vorteile einschließlich der folgenden:
Da die Breite der Sourceelektrode (obere oder untere Breite) größer ist als die Breite der Drainelektrode, ist es möglich, die parasitäre Kapazität zu reduzieren und das Ladestromverhalten zu verbessern. Hierdurch werden die Bildqualität wie auch die Stufenabdeckung der Flüssigkristallanzeigevorrichtung verbessert.

Claims (14)

1. Dünnschichttransistor (TFT) für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD) mit einer Mehrzahl von Gateleitungen und Datenleitungen, die auf einem Substrat ausgebildet sind, und einer Mehrzahl von Pixelelektroden, die in von den Gateleitungen und Datenleitungen festgelegten Bereichen ausgebildet sind, wobei der Dünnschichttransistor eine Gateelektrode, die aus einer der Gateleitungen abzweigt, eine Drainelektrode, die mit einer der Pixelelektroden verbunden ist, und eine Sourceelektrode aufweist, die aus einer der Datenleitungen abzweigt und deren Breite größer als die Breite der Drainelektrode ist.
2. Dünnschichttransistor nach Anspruch 1, wobei die Sourceelektrode trapezförmig ist.
3. Dünnschichttransistor nach Anspruch 1 oder 2, wobei die untere Breite der Sourceelektrode größer ist als die obere Breite der Sourceelektrode.
4. Dünnschichttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Sourceelektrode eine solche Form hat, daß die Breite der Sourceelektrode stetig von deren oberem Ende zu deren unterem Ende hin zunimmt.
5. Dünnschichttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Sourceelektrode und die Drainelektrode Bereiche der Gateelektrode überlappen.
6. Dünnschichttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Sourceelektrode und die Drainelektrode derart ausgebildet sind, daß die parallel zur Gateleitung verlaufende Mittelachse der Sourceelektrode und die parallel zur Gateleitung verlaufende Mittelachse der Drainelektrode zusammenfallen.
7. Verwenden eines Dünnschichttransistors in einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit einer Mehrzahl von Gateleitungen und Datenleitungen, die auf einem Substrat ausgebildet sind, einer Mehrzahl von Pixelelektroden, die in von den Gateleitungen und den Datenleitungen festgelegten Bereichen ausgebildet sind und einer Flüssigkristallschicht und einer Farbfilterschicht, die auf den Pixelelektroden übereinander ausgebildet sind, wobei der Dünnschichttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 6 ausgebildet ist.
8. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit einer Mehrzahl von Gateleitungen und Datenleitungen, die auf einem Substrat ausgebildet sind, einer Mehrzahl von Pixelelektroden, die in von den Gateleitungen und den Datenleitungen festgelegten Bereichen ausgebildet sind, und einer Flüssigkristallschicht und einer Farbfilterschicht, die auf den Pixelelektroden übereinander ausgebildet sind, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:
Ausbilden einer aus einer der Gateleitungen abzweigenden Gateelektrode,
Ausbilden einer an eine der Pixelelektroden angeschlossene Drainelektrode, und
Ausbilden einer aus einer der Datenleitungen abzweigenden Sourceelektrode, deren Breite größer als die der Drainelektrode ist.
9. Verfahren nach Anspruch 8 mit den Schritten:
Ausbilden einer Isolierungsschicht auf der Gateelektrode, und Ausbilden einer Halbleiterschicht auf der Isolierungsschicht.
10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, wobei der Schritt des Ausbildens der Sourceelektrode den Schritt des Strukturierens der Sourceelektrode in die Form eines Trapezes einschließt.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, wobei der Schritt des Ausbildens der Sourceelektrode weiter den Schritt des Ausrichtens der Mittelachse der Sourceelektrode auf die Mittelachse der Drainelektrode einschließt.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, wobei die untere Breite der Sourceelektrode größer als die obere Breite der Sourceelektrode ausgebildet wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 12, wobei die Sourceelektrode derart geformt wird, daß die Breite der Sourceelektrode stetig von deren oberem Ende zu deren unterem Ende hin zunimmt.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 13, wobei die Sourceelektrode und die Drainelektrode so ausgebildet werden, daß sie Bereiche der Gateelektrode überlappen.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040061220A1 (en) * 1996-03-22 2004-04-01 Chuichi Miyazaki Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2776378B2 (ja) * 1996-06-27 1998-07-16 日本電気株式会社 薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法
JP2001308320A (ja) * 2000-04-20 2001-11-02 Nec Corp 双曲型チャネルｍｏｓｆｅｔ
KR100606963B1 (ko) * 2000-12-27 2006-08-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 디스플레이 패널 및 그의 제조방법
KR100731037B1 (ko) * 2001-05-07 2007-06-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100767631B1 (ko) * 2001-06-19 2007-10-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제작방법
TWI256732B (en) * 2002-08-30 2006-06-11 Sharp Kk Thin film transistor, liquid crystal display apparatus, manufacturing method of thin film transistor, and manufacturing method of liquid crystal display apparatus
KR100696469B1 (ko) * 2004-06-08 2007-03-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 표시장치
US7142261B2 (en) 2004-06-29 2006-11-28 Au Optronics Corporation Liquid crystal display having compensation capacitor
WO2014069260A1 (ja) 2012-10-29 2014-05-08 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板および液晶表示装置
CN105993077B (zh) * 2014-02-14 2019-12-06 夏普株式会社 有源矩阵基板
US10074722B2 (en) * 2015-04-28 2018-09-11 Mitsubishi Electric Corporation Transistor, thin-film transistor substrate, and liquid crystal display
CN108110013B (zh) * 2018-01-19 2021-01-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
KR102555779B1 (ko) * 2018-02-26 2023-07-17 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동 장치 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102623558B1 (ko) * 2018-11-14 2024-01-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5334859A (en) * 1991-09-05 1994-08-02 Casio Computer Co., Ltd. Thin-film transistor having source and drain electrodes insulated by an anodically oxidized film

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5166085A (en) * 1987-09-09 1992-11-24 Casio Computer Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film transistor
US5229644A (en) * 1987-09-09 1993-07-20 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor having a transparent electrode and substrate
JP2507567B2 (ja) * 1988-11-25 1996-06-12 三菱電機株式会社 絶縁体基板上の半導体層に形成されたｍｏｓ型電界効果トランジスタ
US5001528A (en) * 1989-01-31 1991-03-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Radiation hardened CMOS on SOI or SOS devices
JP3002064B2 (ja) * 1992-11-12 2000-01-24 松下電器産業株式会社 薄膜トランジスタ
JP3512849B2 (ja) * 1993-04-23 2004-03-31 株式会社東芝 薄膜トランジスタおよびそれを用いた表示装置
GB2283127A (en) * 1993-09-10 1995-04-26 Philips Electronics Uk Ltd Thin-film transistors with reduced leakage
JPH0815728A (ja) * 1994-06-30 1996-01-19 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JPH08264790A (ja) * 1995-03-22 1996-10-11 Toshiba Corp 薄膜電解効果トランジスタ及び液晶表示装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5334859A (en) * 1991-09-05 1994-08-02 Casio Computer Co., Ltd. Thin-film transistor having source and drain electrodes insulated by an anodically oxidized film

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GB2318210B (en) 1999-02-10
FR2754610B1 (fr) 2005-05-06
KR100223901B1 (ko) 1999-10-15

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