DE19521749A1

DE19521749A1 - LCD-Tafel und Aktivmatrixsubstrat für eine solche

Info

Publication number: DE19521749A1
Application number: DE19521749A
Authority: DE
Inventors: Toshihiro Yamashita; Masumi Kubo
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1994-06-15
Filing date: 1995-06-14
Publication date: 1996-01-04
Anticipated expiration: 2015-06-15
Also published as: TW426807B; JPH0862582A; KR100211008B1; JP3164489B2; DE19521749C2; KR960001821A; US5659375A

Description

Die Erfindung betrifft eine LCD-Tafel unter Verwendung eines Aktivmatrixsubstrats, und spezieller betrifft sie den Aufbau eines Aktivmatrixsubstrats.

LCD-Tafeln finden weitverbreitete Anwendung hauptsächlich bei Computeranzeigen und auf anderen Gebieten von audiovisu ellen Vorrichtungen wie Projektoren bis zu Unterhaltungsein richtungen wie Spielmaschinen. Es ist erwünscht, LCD-Tafeln mit höherer Auflösung zu entwickeln, um den Erfordernissen einer Vielfalt von Medien zu genügen.

Fig. 5 ist eine Draufsicht auf ein Aktivmatrixsubstrat, wie es bei einer herkömmlichen LCD-Tafel verwendet wird; dabei ist ein Pixelabschnitt unter mehreren identischen Pixelab schnitten dargestellt. Fig. 7 ist ein schematisches Schalt bild, das den Schaltungsaufbau für ein Pixel zeigt.

Gemäß Fig. 5 umfaßt das Aktivmatrixsubstrat 201 ein Quarz substrat 1, auf dem mehrere Flüssigkristall-Ansteuerelektro den (nachfolgend als Pixelelektroden bezeichnet) 54 zum An steuern von Flüssigkristallbereichen mit Schachbrettmuster angeordnet sind. Eine Datensignalleitung 11a zum Zuführen von Daten zur Pixelelektrode 54 sowie eine Datensignallei tung 11b zum Zuführen von Daten zu einer benachbarten Pixel elektrode sind gemäß der Darstellung auf dem Quarzsubstrat 1 ausgebildet. Die Datenzuführung wird durch ein Schaltbauteil 13 gesteuert, das aus einem Dünnfilmtransistor (nachfolgend als TFT abgekürzt) besteht. Das Quarzsubstrat 1 verfügt auch über mehrere Abrastersignalleitungen 12, die auf ihm so an geordnet sind, daß sie die Datensignalleitungen 11a und 11b rechtwinklig schneiden. Ein Teil einer Abrastersignalleitung 12 arbeitet als Gate des Schaltbauteils 13, dessen Source 13a über ein Kontaktloch 3a mit der Datensignalleitung 11a verbunden ist und dessen Drain 13b über ein Kontaktloch 3b mit der Pixelelektrode 54 verbunden ist.

Eine Speicherkapazität (C_S) 23 bildet zusammen mit einer zwischen der Pixelelektrode 54 und einer (nicht dargestell ten) Gegensubstratelektrode ausgebildeten Flüssigkristall kapazität (C_LC) eine Pixelkapazität (C_P) 34. Zwischen der Pixelelektrode 54 und der Datensignalleitung 11a ist eine Koppelkapazität (C_SD1) 35 ausgebildet; auf ähnliche Weise ist eine Koppelkapazität (C_SD2) 36 zwischen die Pixelelek trode 54 und der mit der benachbarten Pixelelektrode verbun denen Datensignalleitung 11b ausgebildet.

Die Source, der Drain und der Kanal des TFT 13 bestehen aus Bereichen einer auf dem Quarzsubstrat 1 ausgebildeten Halb leiterschicht 113, während die Abrastersignalleitungen 12 und eine gemeinsame Elektrode 123 der Speicherkapazität 23 z. B. aus einer mit Phosphor dotierten Polysiliziumschicht besteht, die über der Halbleiterschicht 113 ausgebildet ist, wobei ein Zwischenniveau-Isolierfilm dazwischen liegt. Der Bereich 13c der Halbleiterschicht 113, der einer Elektrode 123 zugewandt ist, wirkt als die andere Elektrode der Spei cherkapazität. Die Datenleitungen 11a und 11b bestehen aus einer Aluminiumschicht, die über der Schicht der gemeinsamen Elektrode abgeschieden ist, wobei ein Zwischenniveau-Iso lierfilm dazwischen liegt, und die Pixelelektrode besteht aus einem Indiumzinnoxid-Film (nachfolgend manchmal als ITO- Film bezeichnet), der über der Aluminiumschicht ausgebildet ist, wobei ein Zwischenniveau-Isolierfilm dazwischen liegt.

Nachfolgend wird die Funktion beschrieben.

Wenn der TFT 13 durch ein von der Abrastersignalleitung 12 geliefertes Abrastersignal ausgewählt und in den leitenden Zustand versetzt wird, fließt das von der Datensignalleitung 11a zugeführte Datensignal durch den TFT 13 und wird in die Pixelkapazität 34 eingeschrieben. Daten werden auf diese Weise in die mit jeder Abrastersignalleitung 12 verbundene Pixelkapazität 34 eingeschrieben, bis ein Halb- oder Voll bild abgeschlossen ist.

Jedoch ist beim in Fig. 5 dargestellten herkömmlichen Aktiv matrixsubstrat 201 die Richtung des an die Flüssigkristall bereiche an der Pixelelektrode 54 angelegten elektrischen Felds durch die Wirkungen verschiedener Potentiale von den Datensignalleitungen 11a, 11b und den Abrastersignalleitun gen 12 gestört. Dies führt zu einer Störung der Flüssigkri stallausrichtung, was Fehlstellungen und im Fall einer nor malerweise weißen Anzeige Lichtleckage und damit verringer ten Kontrast hervorruft. Herkömmlicherweise wurde diese Schwierigkeit dadurch berücksichtigt, daß der gestörte Be reich der Flüssigkristallausrichtung durch eine Schwarzma trix maskiert wurde, die auf dem Gegensubstrat ausgebildet wurde, um eine Verschlechterung der Anzeigequalität zu ver hindern.

In der japanischen Patentveröffentlichung Nr. 4-74714 und den japanischen Patentanmeldungsveröffentlichungen 63-301924 und 58-172685 ist eine Struktur zum Überwinden dieser Schwierigkeit beim obengenannten Aktivmatrixsubstrat 201 vorgeschlagen, bei der ein Teil der Pixelelektrode 64 über der Datensignalleitung 11a liegt, wobei ein Isolierfilm da zwischen eingebettet ist, wie beispielhaft in Fig. 6 darge stellt, um dadurch Störungen des elektrischen Felds zu ver ringern. Im Überlappungsbereich der Pixelelektrode steht die Richtung des elektrischen Felds auf der Pixelelektrode wegen des Potentials der Datensignalleitung rechtwinklig zur Pi xelelektrode, was dazu dient, Störungen der Flüssigkristall ausrichtung an der Pixelelektrode zu unterdrücken.

Beim herkömmlichen Aktivmatrixsubstrat 201 besteht ein Über sprechungsproblem. Wenn sich der TFT 13 im nichtleitenden Zustand befindet und das in die Pixelkapazität 34 einge schriebene Datensignal aufrechterhält, wird das Pixelpoten tial über die Kopplungskapazitäten 35 und 36 durch Daten signale beeinflußt; daher tritt bei einem allgemein ausgeüb ten Ansteuerverfahren, bei dem die Datensignalpolarität zwi schen Halb- oder Vollbildern umgekehrt wird, Übersprechen in vertikaler Richtung auf, wenn eine der Kopplungskapazitäten 35 und 36 oder beide deutlich größer sind als die Pixelkapa zität 34. Um diese Schwierigkeit zu überwinden, ist ein Ver fahren bekannt, bei dem die Flüssigkristalle dadurch ange steuert werden, daß die Signalpolarität zwischen Datensi gnalleitungen umgekehrt wird (siehe japanische Patentanmel dungsveröffentlichung Nr. 5-43118). Gemäß diesem Ansteuer verfahren wird die Änderung des Pixelpotentials durch ein Datensignal aufgehoben, da die Polarität des Datensignals, das an eine Datensignalleitung angelegt wird, von der des Datensignals verschieden ist, das an die nächste Datensi gnalleitung angelegt wird.

Jedoch wird beim herkömmlichen Aktivmatrixsubstrat 202 mit dem in Fig. 6 dargestellten Aufbau die Kopplungskapazität C_SD1 zwischen der Pixelelektrode 64 und der zugehörigen Da tensignalleitung 11a größer als die Kopplungskapazität C_SD2 zwischen der Pixelelektrode 64 und der Datensignalleitung 11b, die mit der Pixelelektrode in der benachbarten Spalte verbunden ist, und es ist nicht möglich, die Wirkung aus reichend zu kompensieren, die an der Pixelelektrode von der benachbarten Datensignalleitung hervorgerufen wird, an die ein Signal mit umgekehrter Polarität angelegt wird. Beim vorstehend genannten Ansteuerverfahren ist es daher nicht möglich, Übersprechen ausreichend zu beseitigen. Demgemäß war es beim herkömmlichen Aktivmatrixsubstrat nicht möglich, eine Störung der Flüssigkristallausrichtung und ein Auftre ten von Übersprechen gleichzeitig zu unterdrücken, wenn LCD- Tafeln mit höherer Auflösung entwickelt wurden.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine LCD-Tafel und ein Aktivmatrixsubstrat für eine solche mit hoher Auflösung ohne Übersprechen zu schaffen. Diese Aufgabe wird hinsicht lich der LCD-Tafel durch die Lehren der unabhängigen Ansprü che 1 und 2 sowie hinsichtlich des Aktivmatrixsubstrats durch die Lehren der unabhängigen Ansprüche 6 und 8 gelöst.

Bei der Erfindung ist jede Pixelelektrode so ausgebildet, daß sie die zugehörige Datensignalleitung überlappt, wobei ein Zwischenniveau-Isolierfilm dazwischen liegt, wodurch verhindert werden kann, daß die Richtung des an das Flüssig kristallmaterial durch die Pixelelektrode angelegten elek trischen Felds durch die Wirkungen verschiedener Potentiale gestört wird, die von der Pixelelektrode benachbarten Si gnalleitungen herrühren. Genauer gesagt, steht in einem Be reich, in dem die Pixelelektrode die Datensignalleitung über den Zwischenniveau-Isolierfilm überlappt, die Richtung des elektrischen Felds an der Pixelelektrode wegen des Poten tials der Datensignalleitung rechtwinklig zur Pixelelektro de, was dazu beiträgt, Störungen der Flüssigkristallausrich tung an der Pixelelektrode zu unterdrücken.

Da die Kopplungskapazität zwischen der Pixelelektrode und ihrer zugehörigen Datensignalleitung im wesentlichen derje nigen zwischen der Pixelelektrode und der Datensignallei tung, die zur benachbarten Pixelelektrode gehört, daher ent spricht, weil die Datensignalpolarität zwischen benachbarten Datensignalleitungen umgekehrt wird, werden Schwankungen des Pixelpotentials aufgrund der an die Datensignalleitungen zu beiden Seiten der Pixelelektrode angelegten Signale aufgeho ben, wodurch Übersprechen beseitigt wird, wie es durch Kopp lungskapazitäten zwischen der Pixelelektrode und den Daten signalleitungen hervorgerufen wird.

Demgemäß kann eine Störung der Flüssigkristallausrichtung verhindert werden, und es kann ein LCD mit feinen Pixeln und frei von Übersprechen realisiert werden.

Bei der Erfindung ist jede der Flüssigkristall-Ansteuerelek troden, die in jeder Spalte in einer Matrix angeordnet sind, auf solche Weise ausgebildet, daß sie eine Datensignallei tung auf einer Seite der Flüssigkristall-Ansteuerelektrode überlappt, wobei ein Zwischenniveau-Isolierfilm dazwischen liegt. Ein leitender Film, der elektrisch mit der Flüssig kristall-Ansteuerelektrode verbunden ist, ist unter dieser auf solche Weise ausgebildet, daß er eine Datensignalleitung auf der anderen Seite der Flüssigkristall-Ansteuerelektrode überlappt, wobei ein Zwischenniveau-Isolierfilm dazwischen liegt. Demgemäß ist in einem Pixel auf einer Seite einer Da tensignalleitung eine Kopplungskapazität zwischen der Daten signalleitung und der Flüssigkristall-Ansteuerelektrode des Pixels ausgebildet, und in einem Pixel auf der anderen Seite der Datensignalleitung ist eine Kopplungskapazität zwischen der Datensignalleitung und dem leitenden Film ausgebildet, der mit der Flüssigkristall-Ansteuerelektrode des Pixels verbunden ist. Dieser Aufbau dient nicht nur dazu, eine Stö rung der Flüssigkristallausrichtung wie auch das Auftreten von Übersprechen zu verhindern, sondern er ermöglicht es auch, die Kopplungskapazität zwischen der Flüssigkristall- Ansteuerelektrode und der Datensignalleitung auf einer Seite derselben im wesentlichen mit der Kopplungskapazität zwi schen ihr und der Datensignalleitung auf ihrer anderen Seite zur Übereinstimmung zu bringen, während ausreichender Zwi schenraum zwischen benachbarten Flüssigkristall-Ansteuer elektroden selbst dann gewährleistet ist, wenn die Pixel größe verringert wird.

Bei der Erfindung ist eine Speicherkapazität so ausgebildet, daß sie sich unter einer Datensignalleitung erstreckt. Eine Gemeinsame-Elektrode-Schicht, die als eine Elektrode der Speicherkapazität dient, besteht z. B. aus einer Polycid schicht oder einer Metallschicht, und daher wirkt die Elek trodenschicht als Lichtsperrschicht. Dieser Aufbau dient da zu, eine Kontrastverschlechterung zu unterdrücken, wie sie durch eine Störung der Flüssigkristallausrichtung nahe einer Datensignalleitung hervorgerufen wird.

Ferner muß kein Lichtsperrteil, wie es herkömmlicherweise verwendet wird, wie eine Schwarzmatrix, für den durch die Elektrodenschichten bedeckten Bereich vorhanden sein, oder die Fläche der Schwarzmatrix kann verringert werden. Daher kann die Toleranz für Ausrichtungsfehler der Schwarzmatrix oder dergleichen in bezug auf die Pixel beseitigt oder ver ringert werden, was das Öffnungsverhältnis verbessert.

Genauer gesagt, ist eine Schwarzmatrix im allgemeinen auf einem Gegensubstrat ausgebildet, das dem Aktivmatrixsubstrat gegenüberstehend angeordnet ist, jedoch ist hierfür eine Toleranz hinsichtlich Anordnungsfehlern zwischen dem Gegen substrat und dem Aktivmatrixsubstrat erforderlich, wobei diese Toleranz hinsichtlich Ausrichtfehlern das Öffnungsver hältnis wesentlich verringert. Wenn die Gemeinsame-Elektro de-Schicht der Speicherkapazität in solchen Fällen als Lichtsperrschicht verwendet wird, muß keine Lichtsperr schicht für den Datensignalleitungsbereich vorhanden sein, oder die Fläche, in der die Schwarzmatrix ausgebildet wird, kann verringert werden, was wirkungsvoll eine wesentliche Verringerung des Öffnungsverhältnisses verhindert, wie sie durch die Toleranz wegen Anordnungsfehlern hervorgerufen wird.

So ermöglicht es die hier beschriebene Erfindung, eine LCD- Tafel zu schaffen, die eine Störung der Flüssigkristallaus richtung und das Auftreten von Übersprechen gleichzeitig verhindern kann.

Diese und andere Vorteile der Erfindung werden dem Fachmann durch Lesen der folgenden detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Figuren deutlicher.

Fig. 1, 2, 3 und 4A sind Draufsichten, die jeweils einen Pixelbereich eines Aktivmatrixsubstrats gemäß einem ersten bis vierten Beispiel der Erfindung zeigen;

Fig. 4B ist eine Schnittansicht durch das Aktivmatrixsub strat von Fig. 4A entlang der Linie IVb-IVb in Fig. 4A;

Fig. 5 ist eine Draufsicht auf einen Pixelbereich eines Ak tivmatrixsubstrats einer herkömmlichen LCD-Tafel;

Fig. 6 ist eine Draufsicht, die einen Pixelbereich bei einem anderen Aktivmatrixsubstrat eines herkömmlichen LCD zeigt;

Fig. 7 ist ein Ersatzschaltbild für einen Pixelbereich;

Fig. 8 und Fig. 9A sind Draufsichten auf jeweils einen Pi xelbereich eines Aktivmatrixsubstrats gemäß einem fünften bzw. sechsten Beispiel der Erfindung; und

Fig. 9B ist eine Schnittansicht, die den Aufbau entlang der Linie IXb-IXb in Fig. 9A zeigt.

(Beispiel 1)

Fig. 1 ist eine Draufsicht auf ein erstes Beispiel eines Aktivmatrixsubstrats gemäß der Erfindung. Hier ist ein Pi xelbereich von mehreren identischen Pixelbereichen des Sub strats dargestellt. In der Figur bezeichnen dieselben Be zugszeichen, wie sie in Fig. 5 verwendet sind, dieselben Teile wie beim dortigen herkömmlichen Aktivmatrixsubstrat 201.

Beim Aktivmatrixsubstrat 101 ist die Pixelelektrode 14 mit Bereichen ausgebildet, die zu beiden Seiten auf den Daten signalleitungen 11a und 11b liegen, wobei ein Zwischenni veau-Isolierfilm dazwischen liegt, um zu verhindern, daß die Pixelelektrode 14 einen Kurzschluß zu den Datensignalleitun gen 11a und 11b bildet. Wenn die Pixelelektrode 14 herge stellt wird, werden die Flächen des Bereichs, der die Daten signalleitung 11a überlappt, und die Fläche des Bereichs, der die Datensignalleitung 11b überlappt, so eingestellt, daß die Kopplungskapazität C_SD1, d. h. die Kapazität zwi schen der Pixelelektrode und der Datensignalleitung 11a un gefähr der Kopplungskapazität C_SD2 in Fig. 7 gleich wird, d. h. der Kopplungskapazität zwischen der Pixelelektrode und der Datensignalleitung 11b.

Bei der LCD-Tafel des vorliegenden Beispiels werden die Flüssigkristallbereiche durch Datensignale angesteuert, de ren Polarität zwischen Halb- oder Vollbildern umgekehrt wird, wobei zusätzlich eine Umkehrung von einer Datensignal leitung zur nächsten erfolgt, d. h. von der Datensignallei tung 11a auf die Datensignalleitung 11b.

Nachfolgend werden die Wirkung und der Vorteil des vorste hend genannten Aufbaus beschrieben. Im Aktivmatrixsubstrat 101 ist verhindert, da die Pixelelektrode 14 so ausgebildet ist, daß sie die Datensignalleitungen 11a und 11b auf ihren beiden Seiten überlappt, wobei ein Zwischenschicht-Isolier film dazwischen liegt, daß die Richtung des an den Flüssig kristallbereich nahe dem Rand der Pixelelektrode 14 angeleg ten elektrischen Felds durch die Potentiale der benachbarten Datensignalleitungen gestört wird.

Da die Kopplungskapazitäten 35 und 36 zwischen der Pixel elektrode 14 und den Datensignalleitungen 11a und 11b auf ihren beiden Seiten ungefähr gleich groß sind, kann eine Än derung des Pixelpotentials durch die Kopplungskapazitäten von den benachbarten Datensignalleitungen aufgehoben werden. Demgemäß kann bei einem Ansteuerverfahren, bei dem die Da tensignalpolarität zwischen Halb- oder Vollbildern umgekehrt wird, ein Übersprechen in vertikaler Richtung dadurch besei tigt werden, daß dafür gesorgt wird, daß Datensignale mit verschiedenen Polaritäten an die Datensignalleitungen 11a sind 11b angelegt werden.

So beseitigt das vorliegende Beispiel Übersprechen in verti kaler Richtung, während gleichzeitig eine Störung der Flüs sigkristallausrichtung verhindert ist, wie sie durch Störun gen des elektrischen Felds von den Datensignalleitungen zu beiden Seiten der Pixelelektrode hervorgerufen werden könn te.

Da jedoch über jeweils eine Datensignalleitung hinweg be nachbarte Pixel 14 so ausgebildet sind, daß sie in Breiten richtung dieselbe Datensignalleitung überlappen, kann kein ausreichender Abstand zwischen benachbarten Pixeln 14 auf rechterhalten werden, wenn die Pixelgröße verringert wird und auch die Breite der Datensignalleitung verringert wird, um das Öffnungsverhältnis beizubehalten.

Das zweite bis vierte Beispiel, wie sie nachfolgend be schrieben werden, sind zum Miniaturisieren von Pixeln wir kungsvoll.

(Beispiel 2)

Fig. 2 ist eine Draufsicht auf das zweite Ausführungsbei spiel eines Aktivmatrixsubstrats gemäß der Erfindung. Es ist ein Pixelbereich unter mehreren identischen Pixelbereichen des Substrats dargestellt.

Beim Aktivmatrixsubstrat 102 dieses Beispiels überlappt jede der Seiten der Pixelelektrode 24, die den Seiten der Pixel elektrode 64 (in Fig. 6 dargestellt) parallel zu den Daten signalleitungen entsprechen, teilweise die benachbarte Datensignalleitung, wie in Fig. 2 dargestellt, wohingegen in Fig. 6 nur eine der Seiten der Pixelelektrode 64 die Daten signalleitung 11a vollständig überlappt.

Genauer gesagt, überlappt diejenige Seite der Pixelelektrode 24, die der Datensignalleitung näher liegt, diese Datensi gnalleitung 11a. D. h., daß eines von einem Paar Kanten der Pixelelektroden 24, die parallel zu den Datensignalleitungen laufen, teilweise auf der Datensignalleitung 11a liegt. Die andere Seite der Pixelelektrode 24, die der Datensignallei tung 11b näher liegt, überlappt diese Datensignalleitung 11b. D. h., daß die andere der Kanten teilweise auf der Da tensignalleitung 11b liegt. Die Fläche des Bereichs 24a, in dem die Pixelelektrode 24 die Datensignalleitung 11a über lappt, und die Fläche des Bereichs 24b, in dem die Pixel elektrode 24 die Datensignalleitung 11b überlappt, sind so festgelegt, daß die Kopplungskapazität C_SD1 zwischen der Pixelelektrode 24 und der Datensignalleitung 11a ungefähr der Kopplungskapazität C_SD2 zwischen der Pixelelektrode 24 und der Datensignalleitung 11b gleich wird.

Um die Auswirkungen von Störungen des elektrischen Felds zu verringern, ist es erwünscht, daß der Bereich 24b so weit wie möglich von der Öffnung entfernt liegt, d. h. einer Öff nung in der Schwarzmatrix, die die Transistor- und Signal leitungsbereiche maskiert, und daß diejenigen Bereiche der Pixelelektrode 24, die parallel zu den Datensignalleitungen liegen (in diesem Beispiel die geradlinigen Bereiche) inner halb der Öffnung liegen. Hinsichtlich anderer Punkte stimmt dieser Aufbau mit dem des vorstehenden ersten Beispiels überein.

Beim Aufbau des vorliegenden Beispiels besteht abweichend vom Fall des ersten Beispiels eine Möglichkeit, daß kein ausreichender Abstand zwischen benachbarten Pixelelektroden gewährleistet werden könnte, wenn die Pixelgröße verringert wird, da der Überlappungsbereich 24b zwischen der Pixelelek trode 24 und der benachbarten Datensignalleitung so ausge bildet ist, daß er sich in einen maskierten Bereich hinein erstreckt. So ist das Aktivmatrixsubstrat des vorliegenden Beispiels wirkungsvoll, wenn es darum geht, Pixel zu minia turisieren, wobei der Abstand zwischen Pixeln z. B. 50 µm oder weniger beträgt.

(Beispiel 3)

Nachfolgend wird ein drittes Beispiel der Erfindung be schrieben. Fig. 3 ist eine Draufsicht auf das dritte Bei spiel eines Aktivmatrixsubstrats gemäß der Erfindung. Es ist dort ein Pixelbereich von mehreren identischen Pixelberei chen dargestellt.

Das Aktivmatrixsubstrat 103 gemäß dem vorliegenden Beispiel beinhaltet Datensignalleitungen 31a und 31b, die mit den ge streckten Datensignalleitungen 11a und 11b übereinstimmen, wie sie beim herkömmlichen, in Fig. 6 dargestellten Aktiv matrixsubstrat 202 ausgebildet sind, mit der Ausnahme, daß ein Vorsprung 11c zusätzlich an jeder Datensignalleitung vorhanden ist, der die Pixelelektrode 64 überlappt. Bei die sem Aufbau ist die Fläche des Überlappungsbereichs, in dem die Pixelelektrode 64 den Vorsprung 11c überlappt, so einge stellt, daß die Kopplungskapazität C_SD1 zwischen der Pixel elektrode 64 und der Datensignalleitung 31a ungefähr der Kopplungskapazität C_SD2 zwischen der Pixelelektrode 64 und der Datensignalleitung 31b gleich wird. In diesem Beispiel ist der zur Datensignalleitung zur Kapazitätseinstellung hinzugefügte Vorsprung 11c unter einem Bereich ausgebildet, der durch die Schwarzmatrix maskiert ist, um eine Verringe rung des Öffnungsverhältnisses zu vermeiden. In anderer Hin sicht ist der Aufbau derselbe wie der des in Fig. 6 darge stellten herkömmlichen Aktivmatrixsubstrats 202.

Beim vorliegenden Beispiel sind die Datensignalleitungen je weils so ausgebildet, daß sie einen zusätzlichen Vorsprung 11c aufweisen, der durch eine Pixelelektrode überlappt wird. Daher ist das Aktivmatrixsubstrat des vorliegenden Beispiels wie das des zweiten Beispiels hinsichtlich einer Miniaturi sierung von Pixeln wirkungsvoll.

(Beispiel 4)

Nachfolgend wird das vierte Beispiel der Erfindung beschrie ben. Fig. 4A ist eine Draufsicht, die einen Pixelbereich von mehreren identischen Pixelbereichen des Aktivmatrixsubstrats 104 des vorliegenden Beispiels zeigt. Fig. 4B ist eine Schnittansicht entlang der Linie IVb-IVb in Fig. 4A.

Beim Aktivmatrixsubstrat 104 sind eine Drainelektrode 19 und ein Metallfilm 18 hinzugefügt. Die Drainelektrode 19 wird gleichzeitig mit den Datensignalleitungen 11a und 11b unter Verwendung desselben Materials, z. B. Aluminium, herge stellt. Der Metallfilm 18 besteht z. B. aus TiW, und er liegt zwischen der Drainelektrode 19 und der Pixelelektrode 64, wobei Isolierfilme 41b bzw. 41c zwischengefügt sind. Die Drainelektrode 19 ist über ein Kontaktloch 3c mit dem Drain 13b des TFT 13 verbunden, während der Metallfilm 18 über ein Kontaktloch 3d mit der Drainelektrode 19 und auch über ein Kontaktloch 3e mit der Pixelelektrode 64 verbunden ist. Der Metallfilm 18 dient auch als Lichtsperrfilm zum Überdecken des Bereichs, in dem der TFT 13 ausgebildet ist, und von Be reichen zwischen der Pixelelektrode 64 und den Leitungen 11b und 12, wie in Fig. 4A dargestellt.

Im Aktivmatrixsubstrat 104 überlappt die Pixelelektrode 64 wie beim in Fig. 6 dargestellten Aktivmatrixsubstrat die Da tensignalleitung 11a. Die Fläche des Überlappungsbereichs zwischen der Pixelelektrode 64 und der Datensignalleitung 11a sowie die Fläche des Überlappungsbereichs zwischen dem Metallfilm 18 und der Datensignalleitung 11b sind so einge stellt, daß die Kopplungskapazität C_SD1 zwischen der Pixel elektrode 64 und der Datensignalleitung 11a im wesentlichen der Kopplungskapazität C_SD2 zwischen der Pixelelektrode 64 und der Datensignalleitung 11b gleich wird.

Bei diesem Beispiel ist der Metallfilm 18 als Lichtsperrfilm verwendet. Jedoch ist zu beachten, daß der Metallfilm 18 nicht notwendigerweise so ausgebildet sein muß, daß er den TFT 13 bedeckt und daß die Form des Metallfilms 18 nicht auf die in Fig. 4A dargestellte beschränkt ist.

Wie in Fig. 4B dargestellt, ist ein Isolierfilm 41a vorhan den, um die Datensignalleitungen 11a und 11b gegen die dar unter liegenden Abrasterleitungen 12 zu isolieren, während der Isolierfilm 41b vorhanden ist, um die Datensignalleitun gen 11a und 11b gegen den darüber ausgebildeten Metallfilm 18 zu isolieren, und der Isolierfilm 41c ist vorhanden, um den als Pixelelektrode 64 wirkenden ITO-Film gegen den dar unter liegenden Metallfilm 18 zu isolieren.

Beim vierten Beispiel ist der Metallfilm 18 so unter der Pixelelektrode 64 ausgebildet, daß er die Datensignalleitung 11b überlappt, und die Pixelelektrode 64 und der Metallfilm 18 sind über das Kontaktloch 3e miteinander verbunden. Au ßerdem sind die Fläche des Bereichs, in dem die Pixelelek trode 64 die Datensignalleitung 11a überlappt und die Fläche des Bereichs, in dem der Metallfilm 18 die Datensignallei tung 11b überlappt, so eingestellt, daß die Kopplungskapazi täten C_SD1 und C_SD2 zwischen der Pixelelektrode 64 und den Datensignalleitungen 11a und 11b zu deren beiden Seiten im wesentlichen gleich sind. Demgemäß ist das Aktivmatrixsub strat dieses Beispiels wie das zweite Beispiel beim Miniatu risieren von Pixeln wirkungsvoll.

Beim vorliegenden Beispiel kann ein zusätzlicher Vorsprung 11c an der Datensignalleitung, der von der Pixelelektrode 64 überlappt wird, vorhanden sein, um die Kopplungskapazitäten C_SD1 und C_SD2 einzustellen, wie beim dritten Beispiel. In diesem Fall ist der mit der Pixelelektrode 64 über das Kon taktloch 3e verbundene Metallfilm 18 so ausgebildet, daß er den Vorsprung 11c überlappt.

Beim vorliegenden Beispiel ist ein Kantenbereich der Daten signalleitung 11b, die aus Aluminium oder dergleichen mit einer Dicke von 600 nm bis 1 µm besteht, vom Metallfilm 18 bedeckt, wie in Fig. 4B dargestellt. Wenn der Metallfilm 18 so ausgebildet wird, daß er eine Dicke von z. B. 50 nm bis 150 nm aufweist, ist es möglich, die Stufe auf dem Substrat 104 nahe der Öffnung in der Schwarzmatrix zu verringern, was eine Störung der Flüssigkristallausrichtung und eine Kon trastverschlechterung verhindert. Die Dicken der Datensi gnalleitung 11b und des Metallfilms 18 sind nicht auf die vorstehend angegebenen Dicken beschränkt, solange die Dicke des Metallfilms 18 so eingestellt ist, daß die Stufe auf dem Substrat 104 nahe einer Öffnung in der Schwarzmatrix verrin gert ist.

(Beispiel 5)

Fig. 8 ist eine Draufsicht auf ein Aktivmatrixsubstrat einer LCD-Tafel gemäß dem fünften Beispiel zur Erfindung. Es ist ein Pixelbereich unter mehreren identischen Pixelbereichen des Substrats dargestellt. In der Figur bezeichnen dieselben Bezugszeichen wie in Fig. 1 dieselben Teile.

Im Aktivmatrixsubstrat 105 verfügt die Speicherkapazität 23 über einen erweiterten Bereich 23a, der unter den Datensi gnalleitungen 11a und 11b ausgebildet ist, wobei dessen Breite geringfügig größer ist als die der Datensignalleitun gen 11a und 11b. In anderer Hinsicht ist der Aufbau des Ak tivmatrixsubstrats des vorliegenden Beispiels derselbe wie beim ersten Beispiel.

Beim vorstehend genannten Aufbau ist die Gemeinsame-Elektro de-Schicht 123 der Speicherkapazität 23 so unter den Daten signalleitungen 11a und 11b ausgebildet, daß sie sich ent lang derselben erstreckt, während die Halbleiterschicht 113 des TFT 13 ebenfalls so unter den Datensignalleitungen 11a und 11b ausgebildet ist, daß sie sich entlang denselben er streckt. Der erweiterte Bereich 123a (der Bereich unter der Datensignalleitung) der Gemeinsame-Elektrode-Schicht 123 so wie der erweiterte Bereich 113a (der Bereich unter der Da tensignalleitung) der Halbleiterschicht 13 dienen als obere bzw. untere Elektrode des erweiterten Bereichs 23a unter den Datensignalleitungen 11a und 11b.

Da bei diesem Beispiel der erweiterte Bereich 23a der Spei cherkapazität 23 unter den Datensignalleitungen 11a und 11b ausgebildet ist, kann der erweiterte Bereich 123a, der den Teil 23a der Speicherkapazität 23 bildet, als Lichtsperr schicht verwendet werden. Dies unterdrückt Kontrastver schlechterungen, wie sie durch Störungen der Flüssigkri stallausrichtung nahe einer Datensignalleitung hervorgerufen werden.

Ein auf dem Gegensubstrat ausgebildetes Lichtsperrteil wie eine Schwarzmatrix muß nicht für denjenigen Bereich vorhan den sein, der von der Elektrode 123a des erweiterten Be reichs 23a der Speicherkapazität 23 bedeckt wird, oder es kann die Fläche des Gegensubstrats verringert werden, in der das Lichtsperrteil ausgebildet ist. Daher kann die Toleranz für Ausrichtungsfehler der Schwarzmatrix oder dergleichen in bezug auf die Pixel verringert werden, was das Öffnungsver hältnis erhöht. Jedoch nimmt das Öffnungsverhältnis im Ver gleich zu einem Aufbau ab, bei dem nur die Datensignallei tungen 11a und 11b als Lichtsperrteile verwendet sind. Dies, da der erweiterte Bereich 123a der Polysiliziumschicht 123 breiter als die Datensignalleitungen 11a und 11b ist. Bei der Aktivmatrix 105 des vorliegenden Beispiels kann eine Störung der Flüssigkristallausrichtung wegen der Stufe im Kantenbereich der Datensignalleitung wie auch eine Störung der Flüssigkristallausrichtung in einem Bereich nahe dem Kantenbereich einer Datensignalleitung nahe dem Rand einer Pixelelektrode durch die Elektroden 123a und 113a der Spei cherkapazität 13 maskiert werden. Daher können Kontrastver schlechterungen unterdrückt werden, wie sie durch eine Stö rung der Flüssigkristallausrichtung hervorgerufen werden.

Unter Verwendung der gemeinsamen Elektrode der Speicherkapa zität, wie unter den Datensignalleitungen ausgebildet, als Lichtsperrteil kann eine Kontrastverschlechterung, wie sie durch Störungen der Flüssigkristallausrichtung nahe einer Datensignalleitung hervorgerufen wird, unterdrückt werden, während eine deutliche Verringerung des Öffnungsverhältnis ses unterdrückt ist.

(Beispiel 6)

Fig. 9A ist eine Draufsicht auf ein Aktivmatrixsubstrat einer LCD-Tafel gemäß einem sechsten Beispiel. In Fig. 9A ist ein Pixelbereich von einer Vielzahl identischer Pixel bereiche eines Aktivmatrixsubstrats 106 dargestellt. Fig. 9B ist eine Schnittansicht durch das Aktivmatrixsubstrat 106 entlang der Linie IXb-IXb in Fig. 9A. In den Fig. 9A und 9B bezeichnen dieselben Bezugszeichen wie in den Fig. 4A und 4B dieselben Teile.

Im Aktivmatrixsubstrat 106 weist die Speicherkapazität 23 einen erweiterten Bereich 23b auf, der unter jeder der Da tensignalleitungen ausgebildet ist, wobei dessen Breite ge ringfügig größer ist als in einem Bereich, in dem eine Da tensignalleitung und ein Metallfilm 18 ausgebildet sind.

Bei diesem Aufbau ist die Gemeinsame-Elektrode-Schicht 123, die als Elektrode der Speicherkapazität 23 dient, unter den Datensignalleitungen 11a und 11b sowie dem Metallfilm 18 so ausgebildet, daß sie über erweiterte Bereiche 123b verfügt, die sich entlang den Datensignalleitungen 11a und 11b und dem Metallfilm 18 erstrecken. Die Halbleiterschicht 113 des TFT 13 ist auch unter den Datensignalleitungen 11a und 11b und dem Metallfilm 18 so ausgebildet, daß sie erweiterte Be reiche 123b aufweist, die sich entlang den Datensignallei tungen 11a und 11b und dem Metallfilm 18 erstrecken. Der er weiterte Bereich 123b (der Bereich unter jeder Datensignal leitung) der Gemeinsame-Elektrode-Schicht 123 sowie der er weiterte Bereich 113b (der Bereich unter jeder Datensignal leitung) der Halbleiterschicht 113 wirken als obere bzw. un tere Elektrode des erweiterten Bereichs 23b der Speicherka pazität 23.

Wie in Fig. 9B dargestellt, ist ein Isolierfilm 41a₁ vorhan den, um die Halbleiterschicht 113, die den erweiterten Be reich 113b aufweist und direkt auf dem Substrat 1 ausgebil det ist, von der Abrastersignalleitung 12 und der Gemeinsa me-Elektrode-Schicht 123 zu isolieren, die den erweiterten Bereich 123b aufweist. Auf dem Isolierfilm 41a₁ ist ein Iso lierfilm 41a₂ so ausgebildet, daß er die Gemeinsame-Elek trode-Schicht 123 bedeckt, wodurch die Polysiliziumschicht 123 gegen die darüber ausgebildeten Datensignalleitungen 11a und 11b isoliert ist. Die zwei Isolierfilme 41a₁ und 41a₂ entsprechen einem einzelnen Isolierfilm 41a in Fig. 4.

In anderer Hinsicht ist der Aufbau des Aktivmatrixsubstrats beim vorliegenden Beispiel derselbe wie der des Aktivmatrix substrats beim vierten Beispiel.

Der beim sechsten Beispiel beschriebene Aufbau hat nicht nur dieselben Wirkungen wie das vierte Beispiel, sondern er hat auch die Wirkung, daß Kontrastverschlechterungen unterdrückt sind, wie sie durch Störungen der Flüssigkristallausrichtung nahe den Datensignalleitungen hervorgerufen werden, während gleichzeitig eine deutliche Verringerung des Öffnungsver hältnisses vermieden ist.

Gemäß der Beschreibung jedes der vorstehenden Beispiele weist das Aktivmatrixsubstrat mehrere schachbrettförmig (d. h. matrixförmig) angeordnete Pixel auf, jedoch ist zu beachten, daß die Pixelanordnung nicht auf das dargestellte Muster beschränkt ist. Es können andere Pixelanordnungen verwendet werden, z. B. Dreiecksanordnungen, bei denen die Pixel in ungeradzahligen Zeilen gegenüber Pixeln in gerad zahligen Zeilen versetzt sind. Bei dieser Anordnung ist jede Datensignalleitung so gebogen, daß sie der Anordnung von Pixeln in jeder Spalte entspricht, jedoch können dieselben Wirkungen wie bei den vorstehend beschriebenen Ausführungs beispielen erzielt werden.

Wenn ein erfindungsgemäßes Aktivmatrixsubstrat verwendet wird, können Störungen der Flüssigkristallausrichtung ver hindert werden, und es kann ein feine Pixel enthaltendes LCD realisiert werden, das frei von Übersprechen ist.

Genauer gesagt, wird durch die Erfindung verhindert, da jede Pixelelektrode so ausgebildet ist, daß sie benachbarte Da tensignalleitungen mit einem dazwischen liegenden Isolier film überlappt, daß die Richtung des an den der Pixelelek trode benachbarten Flüssigkristall angelegten elektrischen Felds durch die Wirkung eines anderen Potentials von einer Datensignalleitung gestört wird.

Die Kopplungskapazität zwischen der Pixelelektrode und ihrer entsprechenden Datensignalleitung ist so eingestellt, daß sie im wesentlichen der Kopplungskapazität zwischen der Pi xelelektrode und derjenigen Datensignalleitung entspricht, die der benachbarten Pixelelektrode entspricht. Daher wird dann, wenn ein Ansteuerverfahren verwendet wird, bei dem die Polarität des Datensignals zwischen benachbarten Datensi gnalleitungen umgekehrt wird, die Auswirkung der Datensi gnalleitungen, die mit Signalen mit umgekehrten Polaritäten versorgt werden, auf die Pixelelektrode ausreichend aufgeho ben, weswegen Übersprechen beseitigt werden kann.

Dies verhindert Kontrastverschlechterungen wegen Störungen der Flüssigkristallausrichtung, wie sie durch Störungen des elektrischen Felds von Datensignalleitungen hervorgerufen werden, wie auch Übersprechen aufgrund der Kopplungskapazi täten zwischen der Pixelelektrode und den Datensignalleitun gen verhindert ist, und zwar selbst dann, wenn die Pixelgrö ße zum Erzielen höherer Auflösung verringert ist. Im Ergeb nis kann eine gute Flüssigkristallanzeige mit hohem Kontrast erzielt werden.

Gemäß der Erfindung kann, da die Speicherkapazität unter je der Datensignalleitung ausgebildet ist, die als eine Elek trode der Speicherkapazität dienende gemeinsame Elektrode als Lichtsperrteil verwendet werden, was dazu beiträgt, Kon trastverschlechterungen zu unterdrücken, wie sie durch eine Störung der Flüssigkristallausrichtung nahe einer Datensi gnalleitung hervorgerufen werden. In diesem Fall muß ein Lichtsperrteil, wie es herkömmlicherweise auf dem Gegensub strat ausgebildet ist, wie eine Schwarzmatrix, für einen Be reich nicht vorhanden sein, der durch die gemeinsame Elek trode der Speicherkapazität bedeckt wird. So kann die Tole ranz hinsichtlich Ausrichtfehlern der Schwarzmatrix oder dergleichen zu den Pixeln beseitigt oder verringert werden, was das Öffnungsverhältnis erhöht.

Claims

1. LCD-Tafel mit einem Aktivmatrixsubstrat (101), das fol gendes aufweist:

- ein Substrat;
- mehrere Pixelelektroden (14) zum Ansteuern eines Flüssig kristalls, die in Zeilen und Spalten auf dem Substrat ange ordnet sind;
- mehrere Datensignalleitungen (11a, 11b) zum Zuführen von Datensignalen zu den Pixelelektroden einer jeweiligen Spal te;
- mehrere Schaltbauteile (13) zum elektrischen Verbinden je der Datensignalleitung mit den Pixelelektroden der zugehöri gen Spalte;
- mehrere Abrastersignalleitungen (12) zum Steuern der Schaltbauteile; und
- mehrere Speicherkapazitäten (23), die jeweils mit An schlüssen der Schaltbauteile verbunden sind, die ihrerseits mit den Pixelelektroden verbunden sind;

dadurch gekennzeichnet, daß

- jede Pixelelektrode die zugehörige Datensignalleitung (11a) in einem ersten Bereich überlappt, wobei ein Isolier film dazwischengefügt ist, und sie die benachbarte Datensi gnalleitung (11b) in einem zweiten Bereich überlappt, die mit dem Pixelbereich einer Nachbarspalte verbunden ist, wo bei der isolierende Film dazwischengefügt ist, wobei eine im ersten Überlappungsbereich ausgebildete Kopplungskapazität im wesentlichen einer im zweiten Überlappungsbereich ausge bildeten Kopplungskapazität entspricht; und
- das Aktivmatrixsubstrat Datensignale erhält, deren Polari täten zwischen Halb- oder Vollbildern umgekehrt sind und bei denen die Polaritäten zwischen jeweils benachbarten Da tensignalleitungen verschieden sind.

2. LCD-Tafel mit einem Aktivmatrixsubstrat (101), das fol gendes aufweist:

dadurch gekennzeichnet, daß

- mehrere leitende Filme (18) zum elektrischen Anschließen der Pixelelektroden vorhanden sind;
- jede Pixelelektrode eine von zwei benachbarten Datensi gnalleitungen (11a) überlappt, wobei ein Isolierfilm dazwi schengefügt ist, wobei der zugehörige leitende Film die an dere der zwei benachbarten Datensignalleitungen (11b) über lappt, wobei der isolierende Film dazwischengefügt ist, und wobei eine erste Kopplungskapazität, die zwischen jeder der Pixelelektroden und der einen der benachbarten zwei Daten signalleitungen ausgebildet ist, im wesentlichen einer zwei ten Kopplungskapazität entspricht, die zwischen jeder der Pixelelektroden und der anderen der benachbarten zwei Daten signalleitungen ausgebildet ist; und
- das Aktivmatrixsubstrat Datensignale empfängt, deren Pola ritäten zwischen Halb- oder Vollbildern umgekehrt werden und deren Polaritäten für die benachbarten zwei Datensignallei tungen verschieden sind.

3. LCD-Tafel nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß jede der Datensignalleitungen (11a, 11b) einen Kapazitätseinstellbereich (24b) aufweist, um die erste Kopplungskapazität und/oder die zweite Kopplungskapazität einzustellen.

4. LCD-Tafel nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltbauteile (13) Dünnfilmtransistoren sind und ein Teil jedes leitenden Films (18) als Lichtsperrteil dient, das den Kanalbereich des zugehörigen Dünnfilmtransistors bedeckt.

5. LCD-Tafel nach einem der vorstehenden Ansprüche, da durch gekennzeichnet, daß die Speicherkapazitäten erweiterte Bereiche (24b) aufweisen, die unter den Datensignalleitungen ausgebildet sind.

6. Aktivmatrixsubstrat (101) mit:

- einem Substrat;
- mehreren Datensignalleitungen (11a, 11b), die auf dem Sub strat ausgebildet sind und Datensignale übertragen, deren Polaritäten zwischen Halb- oder Vollbildern umgekehrt sind, wobei die Polaritäten der Datensignale zwischen benachbarten Datensignalleitungen verschieden sind;
- mehreren Abrastersignalleitungen (12), die auf dem Sub strat so ausgebildet sind, daß sie die Datensignalleitungen im wesentlichen rechtwinklig überkreuzen;
- einer Pixelelektrode (14), die in der Nähe jeder Überkreu zungsstelle zwischen den Datensignalleitungen und den Abra stersignalleitungen ausgebildet ist; und
- einem Schaltbauteil (13) zum elektrischen Verbinden jeder Pixelelektrode mit einer zugehörigen Datensignalleitung und einer zugehörigen Abrastersignalleitung;

dadurch gekennzeichnet, daß die Pixelelektrode einen ersten Bereich, der die zugehörige Datensignalleitung (11a) be deckt, und einen zweiten Bereich aufweist, der eine benach barte Datensignalleitung (11b) überdeckt, wobei die Pixel elektrode von der zugehörigen und der anderen Datensignal leitung durch einen Isolierfilm isoliert ist, wobei eine erste Kopplungskapazität, die zwischen dem ersten Bereich und der zugehörigen Datensignalleitung ausgebildet ist, im wesentlichen einer zweiten Kopplungskapazität entspricht, die zwischen dem zweiten Bereich und der anderen Datensi gnalleitung ausgebildet ist.

7. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 6, dadurch gekenn zeichnet, daß die Pixelelektrode eine erste und eine zweite Kante aufweist, wobei die erste Kante teilweise auf der zu gehörigen Datensignalleitung liegt und die zweite Kante teilweise auf der anderen Datensignalleitung liegt.

8. Aktivmatrixsubstrat (101) mit:

dadurch gekennzeichnet, daß

- ein leitender Film (18) unter der Pixelelektrode ausgebil det ist, wobei ein erster Isolierfilm dazwischengefügt ist, wobei der leitende Film über ein im ersten Isolierfilm aus gebildetes Kontaktloch elektrisch mit der Pixelelektrode verbunden ist; und
- die Pixelelektrode eine Überlappungsbereich aufweist, der die zugehörige Datenleitung (11a) bedeckt, wobei der leiten de Film die andere Datensignalleitung (11b), die benachbart zur zugehörigen Datensignalleitung ist, bedeckt, und er von dieser anderen Datensignalleitung durch einen zweiten Iso lierfilm isoliert ist, wobei eine erste Kopplungskapazität, die zwischen der Pixelelektrode und der zugehörigen Daten signalleitung ausgebildet ist, im wesentlichen einer zweiten Kopplungskapazität entspricht, die zwischen der Pixelelek trode und der anderen Datensignalleitung ausgebildet ist.

9. Aktivmatrixsubstrat nach einem der Ansprüche 6 bis 8, gekennzeichnet durch eine mit dem Schaltbauteil (13) verbun dene Speicherkapazität, deren Elektroden unter der anderen Datensignalleitung (11b) so ausgebildet sind, daß sie sich entlang derselben erstrecken.

10. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 9, dadurch gekenn zeichnet, daß die erweiterten Bereiche der Elektroden der Speicherkapazitäten als Lichtsperrteil dienen.

11. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 8, dadurch gekenn zeichnet, daß jede Datensignalleitung (11a, 11b) einen vor springenden Bereich (11c) aufweist und der leitende Film (18) den vorspringenden Bereich der anderen Datensignallei tung überdeckt.