DE19706801C2 - Schottky-Sperrschichtdiode des Grabentyps - Google Patents
Schottky-Sperrschichtdiode des GrabentypsInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine
Halbleitervorrichtung, eine Schottky-
Sperrschichtdiode (SBD) des Grabentyps, sowie ein Verfahren
zur Herstellung einer derartigen Vorrichtung.
Fig. 1 zeigt als Schnittansicht eine Schottky-
Sperrschichtdiode (SBD) des Grabentyps (sogenannter interner Stand der Technik). Wie aus Fig. 1
hervorgeht, ist eine Epitaxieschicht 12 des N--Typs auf einer
Oberfläche eines Siliziumsubstrats 11 des N+-Typs vorgesehen,
und sind Gräben 13 in der Epitaxieschicht 12 des N--Typs
angeordnet. Eine Polysiliziumschicht 14 des P+-Typs mit hoher
Verunreinigungskonzentration wird dann ausgebildet, und füllt
die Gräben 13. Auf der Oberfläche der Epitaxieschicht 12 wird
ein Schottky-Metall 15 (eine Anodenelektrode) so ausgebildet,
daß die Polysiliziumschicht 14 abgedeckt wird. Auf der
anderen Oberfläche des Substrats 11 ist eine Ohmsche
Elektrode (Kathodenelektrode, nicht gezeigt) angeordnet. Ein
Oberflächenbereich 16 des Schottky-Metalls 15 auf der
Epitaxieschicht 12, der zwischen zwei Polysiliziumschichten
14 angeordnet ist, dient als Diodenbetriebsbereich.
Die Fig. 2A-2E sind Schnittansichten, die dazu dienen
sollen, nacheinander die Schritte des Herstellungsverfahrens
der in Fig. 1 gezeigten SBD des Grabentyps zu
zeigen, nämlich vom Schritt der Ausbildung der Gräben zu dem
Schritt der Ausbildung des Schottky-Metalls. Gleiche
Bezugszeichen wie in Fig. 1 bezeichnen der Einfachheit halber
gleiche oder entsprechende Abschnitte.
Wie in Fig. 2A gezeigt ist, wird ein CVD-Oxidfilm 17 mit
einer Dicke von 400 nm mittels CVD (chemische
Dampfablagerung) auf der Epitaxieschicht 12 ausgebildet, die
auf dem Substrat 11 angeordnet ist. Unter Verwendung des dann
mit einem Muster versehenen CVD-Oxidfilms als Maske wird der
Graben 13 mit einer Öffnung, deren Breite und Tiefe weniger
als 2 µm beträgt, in der Epitaxieschicht 12 mittels RIE
(reaktive Ionenätzung) ausgebildet. Dann wird ein Vorgang zur
Minimalisierung der Beschädigungen an den Seitenwänden des
Grabens 13 durchgeführt (beispielsweise ein Vorgang wie die
Naßätzung unter Verwendung einer alkalischen Flüssigkeit).
Dann wird mittels CVD eine undotierte Polysiliziumschicht 18
mit einer Dicke von 800-1000 nm ausgebildet, welche wie in
Fig. 2B gezeigt den Graben 13 füllt. Fig. 2C zeigt, daß dann
die undotierte Polysiliziumschicht 18 mittels RIE auf
dasselbe Niveau wie die Oberfläche der Epitaxieschicht 12
zurückgeätzt wird. Dann wird, wie in Fig. 2D gezeigt, eine
Verunreinigung des p-Typs (Bor) in die undotierte
Polysiliziumschicht 18 in dem Graben eindotiert, unter
Verwendung der CVD-Oxidfilmmaske, die auch in dem
Grabenerzeugungsschritt verwendet wurde. Dann wird mit der
entstandenen Vorrichtung ein Erhitzungsschritt durchgeführt,
wodurch die in die undotierte Polysiliziumschicht 18
eindotierte Verunreinigung diffundiert, wie in Fig. 2E
gezeigt ist. Durch Diffusion der Verunreinigung auf diese Art
und Weise wird eine Polysiliziumschicht 14 des p-Typs in dem
Graben 13 ausgebildet. Daraufhin wird ein Schottky-Metall 15
mittels Sputtern auf den Oberflächen der Epitaxieschicht 12
und der undotierten Polysiliziumschicht 14 ausgebildet.
Allerdings weist die voranstehend geschilderte Anordnung
einige Schwierigkeiten auf, von denen einige nachstehend
erläutert werden. Zunächst einmal kann die undotierte
Polysiliziumschicht 18, die mittels CVD in dem Graben
abgelagert wurde, die Innenwände des Grabens beschädigen. Die
undotierte Polysiliziumschicht 18 wird mittels CVD
hergestellt, und weist daher unvermeidlich ein grobes Korn
auf. Vor der Ablagerung der undotierten Polysiliziumschicht
wird die Epitaxieschicht 12, welche die Innenwände des
Grabens bildet, durch den RIE-Schritt zur Ausbildung des
Grabens 13 beträchtlich beeinflußt. Die so beeinflußte
Epitaxieschicht wird der Ablagerung einer derartigen
grobkörnigen Polysiliziumschicht ausgesetzt, und die
Grenzfläche zwischen dem durch Epitaxie abgeschiedenen (also
einkristallinen) Silizium und dem abgelagerten Polysilizium
wird unvermeidlich negativ beeinflußt. Dies stellt die
Hauptursache für eine Erhöhung des Kriechstroms dar, der im
Betrieb der Vorrichtung auftritt.
Zweitens kann ein strukturelles Problem auftreten. Je kleiner
die Vorrichtung ist, desto schwieriger ist es, einen großen
Betriebsbereich sicherzustellen. Wie aus Fig. 1 hervorgeht,
muß notwendigerweise die Breite der Öffnung des Grabens 13
verringert werden, wenn gewünscht ist, daß der
Diodenbetriebsbereich so ausgebildet ist, daß er eine große
Fläche in einer begrenzten Fläche aufweist, in welcher der
Graben vorhanden ist. Allerdings kann die Grabenöffnung nicht
so weitgehend verkleinert werden, daß sie kleiner als eine
spezifische Grenze wird. Daher kann die Vorrichtung nicht
kleiner ausgebildet werden, ohne den Betriebsbereich zu
verkleinern.
Drittens tritt auch ein Problem in bezug auf das
Herstellungsverfahren auf. Der Rückätzschritt für die
undotierte Polysiliziumschicht 18 muß mit beträchtlicher
Sorgfalt kontrolliert werden, da anderenfalls die
Verläßlichkeit der Vorrichtung beeinträchtigt wird. Fig. 2C
zeigt, daß die Polysiliziumschicht 18 bis auf ein Niveau sehr
nahe an der Oberfläche der Epitaxieschicht 12 zurückgeätzt
wird. Allerdings kann das Niveau der Rückätzung auf diese Art
und Weise kaum gut kontrolliert werden. Wenn der
Rückätzschritt in einem Zustand endet, in welchem das Niveau
der Polysiliziumschicht 18 extrem höher oder niedriger ist
als das Niveau der Epitaxieschicht 12, können in dem in dem
darauffolgenden Schritt erzeugten Schottky-Metall 15 einige
Spalte auftreten.
Wie voranstehend geschildert vergrößert sich bei der
in der Fig. 1 gezeigten Schottky-Sperrschichtdiode des Grabentyps der
infolge der Beschädigungen der Innenwand des Grabens erzeugte
Kriechstrom unvermeidlich, und kann keine große Fläche für
den Betriebsbereich sichergestellt werden. Weiterhin muß das
Herstellungsverfahren verbessert werden, um eine hohe
Verläßlichkeit sicherzustellen.
Das Ziel der vorliegenden Erfindung besteht daher in der
Bereitstellung einer Halbleitervorrichtung, welche eine
Verringerung des Kriechstroms erreichen kann, eine
Vergrößerung der Diodenbetriebsbereichsfläche, und welche
daher klein ausgebildet werden kann. Um dieses Ziel zu
erreichen, wird gemäß der vorliegenden Erfindung eine
Schottky-Sperrschichtdiode zur Verfügung gestellt, welche
aufweist:
eine Halbleiterschicht mit einem ersten Leitfähigkeitstyp;
einen in der Halbleiterschicht vorgesehenen Halbleiterbereich mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp;
einen Grabenbereich, der so ausgebildet ist, daß er von einer Oberfläche des Halbleiterbereichs zur Halbleiterschicht reicht, und mit einer Epitaxieschicht gefüllt ist, welche den ersten Leitfähigkeitstyp aufweist; sowie eine Metallelektrode, welche in Kontakt mit der Oberfläche der Epitaxieschicht steht.
eine Halbleiterschicht mit einem ersten Leitfähigkeitstyp;
einen in der Halbleiterschicht vorgesehenen Halbleiterbereich mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp;
einen Grabenbereich, der so ausgebildet ist, daß er von einer Oberfläche des Halbleiterbereichs zur Halbleiterschicht reicht, und mit einer Epitaxieschicht gefüllt ist, welche den ersten Leitfähigkeitstyp aufweist; sowie eine Metallelektrode, welche in Kontakt mit der Oberfläche der Epitaxieschicht steht.
Gemäß der vorliegenden Erfindung füllt die Epitaxieschicht
den Grabenbereich. Die Beschädigung der Innenwände des
Grabens ist erheblich geringer im Vergleich zur
konventionellen Vorrichtung. Da der Grabenbereich mit der
Epitaxieschicht gefüllt ist, wird praktisch kein Kriechstrom
infolge einer Beschädigung der Innenwände des Grabens
hervorgerufen. Weiterhin weist die Epitaxieschicht in dem
Grabenbereich den ersten Leitfähigkeitstyp auf, ebenso wie
die Halbleiterschicht. Der Diodenbetriebsbereich wird daher
auf dem Grabenbereich ausgebildet, so daß er dieselbe Breite
aufweist wie der Graben.
Die Erfindung wird nachstehend anhand zeichnerisch
dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert, aus
welchen weitere Vorteile hervorgehen. Die Ziele
und Vorteile der Erfindung können durch die Einrichtungen und
Kombinationen erreicht oder verwirklicht werden, die
insbesondere in den beigefügten Patentansprüchen angegeben
sind.
Die beigefügten Zeichnungen, die einen Teil der Beschreibung
bilden, und zu dieser gehören, erläutern momentan bevorzugte
Ausführungsformen der Erfindung, und dienen zur Erläuterung
der Grundlagen der vorliegenden Erfindung, zusammen mit der
voranstehenden, allgemeinen Beschreibung sowie der
nachstehenden detaillierten Beschreibung der bevorzugten
Ausführungsformen. Es zeigt:
Fig. 1 eine Schnittansicht der SBD des
Grabentyps;
Fig. 2A-2E Schnittansichten, welche hintereinander den
Herstellungsvorgang für die in Fig. 1 gezeigte
SBD des Grabentyps zeigen, nämlich von dem
Grabenausbildungsschritt zum Schottky-Metall-
Ausbildungsschritt;
Fig. 3 eine Schnittansicht einer SBD des Grabentyps gemäß
einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 4A-4D Schnittansichten zur Erläuterung der
aufeinanderfolgenden Schritte des Herstellungsverfahrens für
die SBD des Grabentyps gemäß der vorliegenden Erfindung, die
in Fig. 3 gezeigt ist, also von dem Grabenausbildungsschritt
zum Schottky-Metall-Ausbildungsschritt; und
Fig. 5 eine Schnittansicht einer SBD des Grabentyps gemäß
einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Fig. 3 ist eine Schnittansicht, welche die SBD des Grabentyps
gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
zeigt. Diese Figur zeigt, wie eine Epitaxieschicht 12 des N--
Typs auf einem Siliziumsubstrats 11 des N+-Typs erzeugt wird.
In einem vorbestimmten Bereich in der Epitaxieschicht 12 wird
eine Basisdiffusionsschicht 2 des P+-Typs ausgebildet, die
eine hohe Verunreinigungskonzentration aufweist. Gräben 3
werden so ausgebildet, daß sie von der Oberfläche der
Basisdiffusionsschicht 2 bis zur Epitaxieschicht 12
durchgehen. In jedem der Gräben 3 wird ein Bereich 4 des N--
Typs durch selektives Epitaxiewachstum abgelagert. Ein
Schottky-Metall 5 (Anode) wird auf einer Oberfläche
ausgebildet, welche die Oberflächen der
Basisdiffusionsschicht 2, der Epitaxieschicht 12 und der
Bereiche 4 für selektives Epitaxiewachstum umfaßt. Eine
weitere Oberfläche des Substrats 11, auf welchem die
Epitaxieschicht 12 nicht vorgesehen ist, wird mit einer
Ohmschen Elektrode (Kathode, nicht gezeigt) versehen.
Oberflächenbereiche 6 als die Oberflächen der Bereiche 4 für
selektives Epitaxiewachstum, welche die Gräben 3 füllen,
arbeiten als Diodenbetriebsbereiche.
Die Fig. 4A-4D zeigen als Schnittansichten die
aufeinanderfolgenden Schritte des Herstellungsverfahrens für
die SBD des Grabentyps gemäß der vorliegenden Erfindung,
welche in Fig. 3 gezeigt ist, also von dem
Grabenausbildungsschritt zum Schottky-Metall-
Ausbildungsschritt. Gleiche Bezugszeichen wie in Fig. 3
werden zur Vereinfachung zur Bezeichnung gleicher oder
entsprechender Abschnitte verwendet.
Wie aus Fig. 4A hervorgeht, wird die Basisdiffusionsschicht 2
mit einer Dicke von 0,5-1,5 µm auf der Epitaxieschicht 12
auf dem Siliziumsubstrat 11 des N+-Typs ausgebildet. Die
Basisdiffusionsschicht 2 wird so hergestellt, daß
Selektivionen einer Verunreinigung des P+-Typs
(beispielsweise Bor) mit hoher Konzentration in
Grabenausbildungsbereiche implantiert werden, die später noch
genauer erläutert werden. Die Konzentration der
Verunreinigung ist auf einen Wert um 1 × 1018/cm-3 herum
eingestellt. Dann wird, wie in Fig. 4B gezeigt ist, ein CVD-
Oxidfilm 7 mit einer Dicke von 400 nm so ausgebildet, daß er
mittels CVD auf der Basisdiffusionsschicht 2 abgelagert wird,
und dann mit einem Muster versehen wird. Unter Verwendung des
mit einem Muster versehenen CVD-Oxidfilms 7 als Maske werden
Gräben 3 durch anisotrope RIE so ausgebildet, daß sie eine
Breite und eine Tiefe von weniger als jeweils 2 µm aufweisen.
Die Gräben werden so ausgebildet, daß sie zumindest durch die
Basisdiffusionsschicht 2 hindurchgehen. Dann wird ein Vorgang
zur Minimalisierung der Beschädigungen der Seitenwände des
Grabens 3 durchgeführt, beispielsweise ein Vorgang wie eine
Naßätzung unter Verwendung einer alkalischen Flüssigkeit.
Dann wird eine Epitaxieschicht des N--Typs (ein Bereich für
selektives Epitaxiewachstum) 4 mit einer
Verunreinigungskonzentration von 1 × 1017 bis 1019/cm-3 auf
der Bodenoberfläche des Grabens 3 ausgebildet (der
freigelegten Oberfläche der Epitaxieschichten 12 in dem
Graben 3), mittels Durchführung eines selektiven
Epitaxiewachstums auf der Bodenoberfläche des Grabens unter
Verwendung des übrigbleibenden CVD-Oxidfilms als Maske. Durch
Ausbildung der Epitaxieschicht 4 auf diese Weise wird die
Epitaxieschicht 4 bis zu den Rändern des Grabens 3
abgelagert, also bis zum selben Niveau wie den in der
Oberfläche der Basisdiffusionsschicht 2, welche den Graben 3
umgibt, so daß sie den Graben ausfüllen. Dann wird, wie in
Fig. 4D gezeigt, der CVD-Oxidfilm entfernt, und wird mittels
Sputtern auf eine Siliziumoberfläche, welche die Oberflächen
der Basisdiffusionsschicht 2 und des Bereichs 4 für
selektives Epitaxiewachstum umfaßt, ein Schottky-Metall 5
ausgebildet.
Bei dem voranstehend geschilderten Verfahren werden die
Gräben 3, die so ausgebildet werden, daß sie durch die
Basisdiffusionsschicht und die Epitaxieschicht hindurchgehen,
mit dem Bereich 4 für selektives Epitaxiewachstum gefüllt.
Daher können Beschädigungen der Innenwand der Gräben
wesentlich unterdrückt werden, im Vergleich zu dem
konventionellen Verfahren, bei welchem ein unterschiedliches
Material als jenes des Grabens, nämlich Polysilizium, in dem
Graben abgelagert wird, der in der Epitaxieschicht vorgesehen
ist. Dies führt dazu, daß Kriechströme infolge derartiger
Beschädigungen wesentlich verringert werden können.
Weiterhin funktionieren die Oberflächenbereiche 6 als die
Oberfläche jedes der Bereiche 4 für selektives
Epitaxiewachstum, welche die Gräben 3 füllen, welche das
Schottky-Metall 5 berühren, als die Diodenbetriebsbereiche.
Anders ausgedrückt ist die Breite jedes der
Oberflächenbereiche 6 die Breite der Diodenbetriebsbereiche.
Durch Ausbildung der Diodenbetriebsbereiche auf diese Art und
Weise können die Abmessungen der Vorrichtung stärker
verringert werden, unter Vergrößerung der
Diodenbetriebsbereiche, im Vergleich zum konventionellen
Fall, in welchem der Diodenbetriebsbereich zwischen den
Gräben ausgebildet wird. Bei diesem Aufbau ist die Breite der
Oberflächenbereiche 6 als Diodenbetriebsbereiche auf den
Gräben 3 auf weniger als 2 µm eingestellt, um die Abmessungen
der gesamten Vorrichtung zu verringern.
Zusätzlich wird der Bereich 4 für selektives Epitaxiewachstum
so ausgebildet, daß er nur die Gräben füllt, und zwar mittels
Selbstausrichtung. Durch Ausbildung der Bereiche 4 für
selektives Epitaxiewachstum auf diese Art und Weise kann der
Rückätzschritt übersprungen werden, der sich nicht einfach
durchführen läßt, und daher bislang ein Problem für das SBD-
Herstellungsverfahren darstellte. Dies führt dazu, daß die
bisherigen Schwierigkeiten bei dem Herstellungsverfahren
überwunden werden und daher die Verläßlichkeit der
Vorrichtung verbessert werden kann.
Weiterhin werden die Gräben 3 mittels RIE ausgebildet, und
daher ist der obere Bereich der Gräben 3, der in Kontakt mit
dem Schottky-Metall 5 steht, mit einer größeren Breite
ausgebildet als die unteren Bereiche der Gräben 3, welche in
Kontakt mit der Epitaxieschicht stehen. Die Betriebsbereiche
der SBDs gemäß der vorliegenden Erfindung liegen jeweils
innerhalb der Breite des Grabens, und sind daher größer
ausgebildet, im Vergleich zur konventionellen Vorrichtung.
Bei diesem Aufbau wird das elektrische Feld, welches an der
Grenzfläche zwischen den SBDs hervorgerufen wird, durch den
pinch-off-Zustand abgeschwächt, der durch die
Verarmungsschichten erzeugt wird, die von dem PN-Übergang
ausgehen, der auf den Innenwänden der Gräben ausgebildet
wird, und daher kann der Kriechstrom IR auch durch diese
Anordnung verringert werden.
Wenn die Gräben zu tief ausgebildet werden, steigt die
Kapazität der Bereiche 4 für Epitaxiewachstum an, und kann es
geschehen, daß der pinch-off-Zustand nicht erzielt wird.
Falls der pinch-off-Zustand nicht erzielt werden kann, so
kann der voranstehend geschilderte Effekt nicht erzielt
werden. Um dies zu verhindern, werden die Tiefen der Gräben
(in Fig. 3 durch die Bezugsziffer 8 bezeichnet) so
festgelegt, daß sie kleiner sind als 2 µm. Falls gewünscht
ist, daß die Gräben eine geringere Tiefe aufweisen, so kann
die Tiefe der Gräben auf einen Wert verringert werden, der im
wesentlichen gleich ist wie der Wert des
Basisdiffusionsbereiches 2, obwohl die Gräben 3 so
ausgebildet werden müssen, daß sie zumindest den Boden des
Basisdiffusionsbereiches 2 erreichen.
Fig. 5 ist eine Schnittansicht, welche die SBD des Grabentyps
gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
zeigt. Bei dieser Ausführung sind mehr Gräben 3 als in Fig. 3
in der Vorrichtung vorgesehen. Aus diesem Aufbau wird
deutlich, daß mehr Betriebsbereiche als bei der in Fig. 3
gezeigten Vorrichtung auf einer begrenzten Fläche erhalten
werden können, welche die Öffnungen der Gräben abdeckt.
Bei den voranstehend geschilderten Anordnungen wird das SBD-
Element dadurch ausgebildet, daß Silizium als Substrat und
eine Silizium-Epitaxieschicht als Basisdiffusionsschicht
verwendet wird, jedoch kann das Element auch mit einem
Galliumarsenid-Substrat und einer Galliumarsenid-
Epitaxieschicht hergestellt werden. Als Schottky-Metall als
Elektrode können verschiedene Metalle verwendet werden,
beispielsweise Nickel, Molybdän, Titan oder Gold. Es kann
auch eine Elektrode aus einer entsprechenden Legierung oder
einem entsprechenden Mehrschichtaufbau eingesetzt werden.
Wie voranstehend geschildert, kann gemäß der vorliegenden
Erfindung eine Halbleitervorrichtung zur Verfügung gestellt
werden, bei welcher die Gräben mit der Epitaxieschicht
gefüllt werden, um den Betriebsbereich innerhalb der Breite
des Grabens auszubilden, wodurch Beschädigungen der
Innenwände der Gräben wesentlich verringert werden, eine
Verringerung des Kriechstroms infolge derartiger
Beschädigungen erzielt werden kann, sowie eine Vergrößerung
des Diodenbetriebsbereiches, wodurch die Gesamtabmessungen
der Vorrichtung verringert werden können, ohne den
Diodenbetriebsbereich zu verkleinern.
Fachleuten auf diesem Gebiet werden zusätzliche Vorteile und
Abänderungen sofort auffallen. Daher soll die Erfindung in
ihrem Gesamtaspekt nicht auf die spezifischen Details und
beispielhaften Ausführungsformen beschränkt sein, die hier
gezeigt und beschrieben wurden. Es lassen sich daher
verschiedene Abänderungen vornehmen, ohne vom Wesen und
Umfang des Grundkonzepts der Erfindung abzuweichen, die sich
aus der Gesamtheit der vorliegenden Anmeldeunterlagen ergeben
und von den beigefügten Patentansprüchen umfaßt sein sollen.
Claims (7)
1. Schottky-Sperrschichtdiode, welche aufweist:
eine Halbleiterschicht (12) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp;
einen in der Halbleiterschicht (12) vorgesehenen Halbleiterbereich (2), der einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist;
einen Grabenbereich (3), der so ausgebildet ist, daß er von einer Oberfläche des Halbleiterbereichs (2) bis zur Halbleiterschicht (12) hindurchgeht, und mit einer Epitaxieschicht (4) mit dem ersten Leitfähigkeitstyp gefüllt ist; und
eine Metallelektrode (5), welche in Kontakt mit der Oberfläche der Epitaxieschicht steht.
eine Halbleiterschicht (12) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp;
einen in der Halbleiterschicht (12) vorgesehenen Halbleiterbereich (2), der einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist;
einen Grabenbereich (3), der so ausgebildet ist, daß er von einer Oberfläche des Halbleiterbereichs (2) bis zur Halbleiterschicht (12) hindurchgeht, und mit einer Epitaxieschicht (4) mit dem ersten Leitfähigkeitstyp gefüllt ist; und
eine Metallelektrode (5), welche in Kontakt mit der Oberfläche der Epitaxieschicht steht.
2. Schottky-Sperrschichtdiode nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß ein Halbleitersubstrat (11) mit dem
ersten Leitfähigkeitstyp vorgesehen ist, welches unter
der Halbleiterschicht (12) so ausgebildet ist, daß es in
Kontakt mit einer Ohmschen Kontaktelektrode steht, wobei
die Halbleiterschicht (12) eine Epitaxieschicht des
Halbleitersubstrats (11) ist.
3. Schottky-Sperrschichtdiode nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß ein oberer Abschnitt des
Grabenbereichs (3), der in Kontakt mit der
Metallelektrode steht, eine größere Breite aufweist als
ein unterer Abschnitt des Grabenbereichs (3), der in
Kontakt mit der Halbleiterschicht (12) steht.
4. Schottky-Sperrschichtdiode nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß ein oberer Abschnitt des
Grabenbereichs (3), der in Kontakt mit der
Metallelektrode steht, eine größere Breite aufweist als
ein unterer Abschnitt des Grabenbereiches (3), der in
Kontakt mit der Halbleiterschicht (12) steht, und daß
die Breite (6) des oberen Abschnitts des Grabenbereichs
(3) kleiner als 2 µm ist.
5. Schottky-Sperrschichtdiode nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der Grabenbereich (3) so ausgebildet
ist, daß er im wesentlichen dieselbe Tiefe aufweist, wie
der Halbleiterbereich (2) dick ist.
6. Schottky-Sperrschichtdiode nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der Grabenbereich (3) und der
Halbleiterbereich (2) so ausgebildet sind, daß sie eine
Tiefe von 2 µm von der Oberfläche des Halbleiterbereichs
(2) aufweisen.
7. Schottky-Sperrschichtdiode nach einem der Ansprüche 1-
6, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Grabenbereiche
(3) so angeordnet sind, daß ihre Öffnungen in
vorbestimmten Abständen auf einer Oberfläche des
Halbleiterbereichs (2) liegen.
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