DE19608885A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Aufheizen von Trägerkörpern - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Aufheizen von TrägerkörpernInfo
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Description
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Aufheizen von
Trägerkörpern aus Silicium in einem Abscheidereaktor mittels
Strahlungswärme. Gegenstand der Erfindung ist auch eine
Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.
Die Herstellung von polykristallinen Siliciumstäben,
sogenannten Polystäben, erfolgt durch thermische Zersetzung
gasförmiger Siliciumverbindungen in einem Abscheidereaktor,
wobei elementares Silicium gebildet wird. Im
Abscheidereaktor stehen erhitze Trägerkörper, sogenannte
Dünnstäbe bereit, auf denen sich das Silicium niederschlägt.
Sie bestehen üblicherweise ebenfalls aus Silicium und
wachsen im Verlauf der Abscheidung zu den gewünschten
Polystäben heran. Die Dünnstäbe werden durch direkten
Stromdurchgang auf die erforderliche Abscheidetemperatur
gebracht. Zuvor müssen sie mittels einer Strahlungsheizung
solange erhitzt werden, bis die sogenannte Zündtemperatur
erreicht ist, bei der der Ohm′sche Widerstand, den sie beim
Anlegen einer Spannung dem Stromfluß entgegensetzen,
hinreichend klein geworden ist. Erst dann erfolgt das
weitere Erhitzen auf die Abscheidetemperatur durch direkten
Stromdurchgang. Die entstehenden Polystäbe sind ein
wichtiges Grundmaterial für die Herstellung von
Reinstsilicium, beispielsweise für die Herstellung von
Silicium-Einkristallen. Sie müssen deshalb sehr strengen
Reinheitsanforderungen genügen.
Gemäß der Patentschrift DE-28 54 707 C2 wird zum Zünden der
Dünnstäbe ein Heizfinger bei geöffnetem Abscheidereaktor von
der Reaktorspitze aus bis knapp vor den Reaktorboden
abgesenkt. Nach dem Erreichen der Zündtemperatur wird der
Heizfinger wieder aus dem Abscheidereaktor ausgefahren und
die Öffnung des Abscheidereaktors mit einem Deckel
verschlossen. Besonders ungünstig ist, daß der
Abscheidereaktor vergleichsweise weit geöffnet werden muß,
wobei leicht Sauerstoff eindringen kann. Insbesondere
besteht die Gefahr, daß Partikel aus der umgebenden Raumluft
oder Partikel, die vom Heizfinger selbst stammen, in den
Abscheidereaktor gelangen und später als Verunreinigungen in
die Polystäbe eingelagert werden. Bevor mit der Abscheidung
von Silicium auf die Trägerkörper begonnen werden kann, muß
der Abscheidereaktor sorgfältig mit Inertgas gespült werden,
um eingetragenen Sauerstoff wieder zu entfernen. Partikel,
die zuvor eingetragen worden waren, können damit jedoch nur
unzureichend beseitigt werden.
Es sind Heizfinger im Einsatz, die aus einem Bündel von
metallummantelten elektrischen Heizwendeln bestehen. Sie
sind von einer inertgasgespülten, zylinderförmigen Hülle aus
Quarz umgeben. Durch die Heizwendeln wird Strom geschickt,
so daß sie sich auf etwa 900°C aufheizen und die Dünnstäbe
auf Zündtemperatur bringen können. Aufgrund der hohen
Temperaturbelastung und der Gegenwart von Sauerstoffspuren
unterliegen insbesondere die Heizwendeln, der Metallmantel
und die elektrischen Kontakte des Heizfingers einer
stetigen, oxidativen Korrosion. Dieser Umstand macht kurze
Wartungszyklen erforderlich, während derer der Heizfinger
nicht eingesetzt werden kann. Durch die fortschreitende
Korrosion werden zudem laufend Partikel gebildet, durch die
die Polystäbe verunreinigt werden können.
Weitere Nachteile resultieren aus der Größe des Heizfingers.
Da der Heizfinger bis nahe an den Boden des
Abscheidereaktors reichen muß, damit die Dünnstäbe auf die
Zündtemperatur erhitzt werden können, muß der
Abscheidereaktor in ungewöhnlich hohen Betriebsräumen
untergebracht werden. Nur dann steht über dem geöffneten
Abscheidereaktor genügend Platz für den Heizfinger zur
Verfügung. Darüber hinaus ist der Heizfinger durch sein
Gewicht von etwa 200 kg relativ schwer und erfordert eine
Hebe- und Senkeinrichtung, die solche Lasten zuverlässig
bewegen kann.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, das Erhitzen der
Dünnstäbe auf Zündtemperatur zu vereinfachen und die im
Zusammenhang mit der Verwendung bekannter Heizfinger
geschilderten Nachteile zu vermeiden.
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Aufheizen von
Trägerkörpern aus Silicium in einem Abscheidereaktor mittels
Strahlungswärme, das dadurch gekennzeichnet ist, daß die
Trägerkörper mit einer Strahlungsheizung bestrahlt werden,
die Strahlung mit einer Farbtemperatur von mindestens 2000°C
aussendet. Gegenstand der Erfindung ist auch eine
Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.
Der Übergang zu höheren Farbtemperaturen ermöglicht die
Verwendung kompakter Strahlungsheizungen, die ein geringes
Gewicht aufweisen, einen geringen Wartungsbedarf haben und
sehr einfach zu handhaben sind. Der Eintrag von
Umgebungsluft oder Partikeln in den Abscheidereaktor kann
wesentlich eingeschränkt werden. Dies ist umso
überraschender, als Versuche der Erfinder zeigten, daß
die Zündtemperatur mit in der Länge gekürzten Heizfingern
bekannter Bauart nicht erreicht werden kann, weil die vom
Heizfinger am weitesten beabstandeten Teile der Dünnstäbe
nicht mehr ausreichend aufgeheizt werden.
Die Strahlungsheizung gemäß der Erfindung umfaßt mindestens
ein Heizelement, bevorzugt ein Bündel von 6 bis 12
Heizelementen. Besonders bevorzugt ist, daß die Heizelemente
ringförmig angeordnet sind. Zum Schutz der Heizelemente vor
Überhitzung wird ein Kühlsystem vorgeschlagen. Eine
besonders effektive Kühlung wird mit einem Kühlkörper aus
einem gut wärmeleitenden Material wie Silber oder
goldbeschichtetes Silber erzielt. Besonders bevorzugt ist
ein aktiv gekühlter Reflektor aus Silber mit polierter
Oberfläche, um den herum die Heizelemente angeordnet sind.
Durch eine Strukturierung des Kühlkörpers kann verhindert
werden, daß sich Heizelemente gegenseitig mit
Strahlungsenergie belasten. Die reflektierende Oberfläche
stellt zudem sicher, daß die erzeugte Wärmestrahlung nahezu
vollständig und gleichmäßig verteilt in den Abscheidereaktor
abgestrahlt wird. Die Innenwand des Abscheidereaktors
besteht vorzugsweise ebenfalls aus einem Material wie
beispielsweise Silber, das Wärmestrahlung gut reflektiert,
so daß die von der Innenwand reflektierte Wärmestrahlung zum
Aufheizen der Trägerkörper mitgenutzt wird.
Zu den bevorzugten Strahlungsquellen, die als Heizelemente
eingesetzt werden können, weil sie die notwendige
Farbtemperatur erzeugen, gehören Glühlampen, insbesondere
Halogen-Quarzstrahler. Sie bestehen im wesentlichen aus
einem oder mehreren Glühdrähten, die durch eine Quarzglas-
Hülle von der Umgebung hermetisch abgeschlossen sind. Sie
zeichnen sich durch eine lange Betriebsdauer, einen geringen
Wartungsbedarf und nicht zuletzt durch niedrige Preise aus.
Von besonderem Vorteil sind ihr niedriges Gewicht und ihre
vergleichsweise geringen Abmessungen. Darüber hinaus sind
Infrarot-Quarzstrahler und Gasentladungslampen als
Strahlungsquellen besonders geeignet.
Zum Aufheizen von Trägerkörpern in Abscheidereaktoren
üblicher Größe ist es in der Regel ausreichend, wenn die
Strahlungsheizung auf eine elektrische Leistung von 5 bis 60
kW, vorzugsweise 15 bis 30 kW ausgelegt wird. Die
Strahlungsheizung wird, vorzugsweise von der Spitze des
geöffneten Abscheidereaktors bis zu einer Arbeitsposition
gebracht, die verhältnismäßig weit über dem Boden des
Abscheidereaktors liegen kann. Bevorzugt ist, daß der
minimale Abstand zwischen dem Boden des Abscheidereaktors
und der sich in Arbeitsposition befindenden
Strahlungsheizung mindestens 1500 mm beträgt. Die
Strahlungsheizung ist vorzugsweise zylindrisch ausgebildet,
wobei der Durchmesser nicht größer als 200 mm, vorzugsweise
100 mm oder weniger ist. Gegenüber bekannten Heizfingern
weist die Strahlungsheizung einen bis zu 50% geringeren
Durchmesser und ein bis zu 70% geringeres Gewicht auf.
Wegen des geringen Durchmessers muß der Abscheidereaktor zum
Einbringen der Strahlungsheizung nicht weit geöffnet
werden.
Grundsätzlich kann die Strahlungsheizung auf bereits
bekannte Art in die Arbeitsposition gebracht werden, indem
beispielsweise eine Abdeckplatte von der Spitze des
Abscheidereaktors entfernt und die Strahlungsheizung mit
Hilfe einer Hebe- und Senkvorrichtung durch eine von der
Abdeckplatte freigegebene Öffnung in den Abscheidereaktor
abgesenkt wird. Es ist jedoch bevorzugt, ein mit dem
Abscheidereaktor verbundenes, verschließbares Schutzrohr zu
verwenden, durch das die Strahlungsheizung in den
Abscheidereaktor eingeführt wird. Dazu wird die
Strahlungsheizung an der Spitze einer Halterung befestigt
und die Halterung motorgetrieben durch das offene Schutzrohr
in Richtung des Innenraums des Abscheidereaktors bewegt. Das
Schutzrohr schützt die Strahlungsheizung vor mechanischer
Beschädigung und es wird als Führungsgehäuse beim Einbringen
der Strahlungsheizung in den Abscheidereaktor verwendet.
Eine Weiterbildung der Erfindung sieht ein Absperrorgan vor,
mit dem der Abscheidereaktor geöffnet und gasdicht
verschlossen werden kann. Das Absperrorgan ermöglicht es
auch, den Abscheidereaktor bereits zu verschließen, wenn
sich die Strahlungsheizung noch im Schutzrohr befindet. Als
Absperrorgan kommen beispielsweise Vorrichtungen mit
Schieber oder mit Kugelhahn in Frage. Durch Dichtungen
zwischen dem Schutzrohr und der als Führung dienenden
Halterung der Strahlungsheizung bleibt der Innenraum des
Abscheidereaktors gegen das Eindringen von Umgebungsluft
selbst dann gesichert, wenn die Strahlungsheizung in Betrieb
und der Abscheidereaktor geöffnet ist. Sicherheitshalber
können im Schutzrohr inertgasgespülte Kanäle vorgesehen
sein, die eine zusätzliche Barriere gegen die Umgebungsluft
bilden.
Befindet sich die Strahlungsheizung in der Arbeitsposition,
werden die Trägerkörper mit thermischer Strahlung einer
Farbtemperatur von mindestens 2000°C, bevorzugt 2000 bis
3500°C bestrahlt. Die Bestrahlung wird abgebrochen, wenn
eine bestimmte, an die Trägerkörper angelegte elektrische
Spannung einen vorgegebenen Stromfluß verursacht. Diese
Situation ist in der Regel dann erreicht, wenn die
Trägerkörper eine Temperatur von ungefähr 1100°C haben.
Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird die
Strahlungsheizung nach dem Erreichen der Zündtemperatur aus
dem Abscheidereaktor gehoben und der Reaktor verschlossen.
Die Strahlungsheizung kann in diesem Fall in einer
Ruheposition im Schutzrohr verbleiben oder in das Schutzrohr
eines anderen Abscheidereaktors überführt werden. Gemäß
einer anderen Ausführungsform des Verfahrens bleibt die
Strahlungsheizung auch während der Abscheidung von Silicium
in der Arbeitsposition, ohne in Betrieb zu sein.
Wenn die Polystäbe auf eine vorgesehene Größe angewachsen
sind, wird die Abscheidung von Silicium beendet. Die
Polystäbe beginnen sich daraufhin abzukühlen, jedoch außen
und innen mit unterschiedlicher Geschwindigkeit. Wegen des
entstehenden, radialen Temperaturgefälles treten Spannungen
im Halbleitermaterial auf und es besteht die Gefahr, daß
die Spannungen Risse oder Materialausbrüche hervorrufen und
die Polystäbe dadurch für bestimmte Verwendungen unbrauchbar
werden. Eine Weiterbildung des Verfahrens sieht deshalb vor,
das Abkühlen der Polystäbe durch Zuführen von
Strahlungswärme zu begleiten, damit die Bildung eines zu
starken radialen Temperaturgefälles unterbleibt. Falls die
Strahlungsheizung während der Abscheidung von Silicium im
Abscheidereaktor belassen worden ist, kann mit der
Bestrahlung der sich abkühlenden Polystäbe unverzüglich
begonnen werden. Ansonsten wird die Strahlungsheizung nach
der Abscheidung in ihre Arbeitsposition im Abscheidereaktor
zurückgebracht.
Die Erfindung, die wesentlich zur Steigerung der Qualität
und der Produktivität bei der Herstellung von Polystäben aus
Silicium beiträgt, wird nachfolgend anhand von zwei Figuren,
in denen eine bevorzugte Ausführungsform der Vorrichtung zum
Aufheizen von Trägerkörpern schematisch dargestellt ist,
näher erläutert. Fig. 1 zeigt die Vorrichtung und einen
Teil eines Abscheidereaktors im Längsschnitt. In Fig. 2 ist
der Querschnitt entlang der in Fig. 1 gezeichneten
Schnittlinie A-A dargestellt. Die Darstellungen enthalten
nur die zum Verständnis der Erfindung notwendigen Merkmale.
Wendet man sich zunächst der Fig. 1 zu, kann man im unteren
Teil die Spitze eines Abscheidereaktors erkennen. Der
prinzipielle Aufbau eines solchen Reaktors ist bekannt.
Wesentliche Teile sind eine Grundplatte, auf der
Trägerkörper stehen, die in kühlbare Elektroden eingesteckt
sind, und eine über die Grundplatte gestülpte, kühlbare
Glocke, an deren Spitze sich eine verschließbare Öffnung
befindet. In der beispielhaften Darstellung ist die Spitze
als tubusförmiges Rohr 1 dargestellt, das gegebenenfalls mit
einer Deckplatte gasdicht verschlossen werden kann. Aufgrund
der Erfindung ist die Flanschöffnung 2 in den Innenraum 3
des Abscheidereaktors vergleichsweise schmal. Durch sie wird
die Strahlungsheizung 4 in den Innenraum 3 des
Abscheidereaktors eingeführt. Auf das Rohr 1 ist ein
Absperrorgan 5 aufgeflanscht, mit dem der Abscheidereaktor
geöffnet und verschlossen werden kann. Der Abscheidereaktor
steht über das Absperrorgan mit einem Schutzrohr 6 in
Verbindung. Es dient als mechanischer Schutz und als
Führungsgehäuse für die Strahlungsheizung 4 und das sie
haltende Führungsrohr 7. Das Führungsrohr 7 und die daran
befestigte Strahlungsheizung 4 werden von einem in der Figur
nicht dargestellten Antrieb abgesenkt oder angehoben, je
nach dem, ob die Strahlungsheizung 4 am Ende des
Führungsrohrs in die Arbeitsposition im Innenraum 3 des
Abscheidereaktors oder in eine Ruheposition oberhalb
des Absperrorgans 5 gebracht werden soll. Wenn sich
die Strahlungsheizung in der Ruheposition befindet, kann
der Abscheidereaktor mit dem Absperrorgan 5 gasdicht
verschlossen werden. Auch wenn sich die Strahlungsheizung in
der Arbeitsposition befindet und das Absperrorgan geöffnet
ist, sorgen Dichtungs- und Führungselemente 8 zwischen dem
Führungsrohr 7 und dem Schutzrohr 6 für eine wirksame
Absperrung zur Umgebungsluft. Das Führungsrohr ist mit einer
Anschlußleitung zur elektrischen Versorgung der
Strahlungsheizung 4 ausgestattet. Weiterhin sind Kanäle
vorgesehen, durch die ein Kühlmittel, beispielsweise Wasser,
zur Kühlung der Strahlungsheizung und der angrenzenden Teile
der Vorrichtung fließt.
Aus Fig. 2 ist zu erkennen, daß die Strahlungsheizung im
wesentlichen einen Kühlkörper 11 und Heizelemente 12 umfaßt.
Zusätzlich ist noch eine Schutzhülle 13 aus Quarz
dargestellt, die aber nicht zwingend notwendig ist. Gemäß
der Schnittdarstellung ist der Kühlkörper 11 sternförmig
strukturiert und die Heizelemente 12 sind in gleichmäßigem
Abstand in einem Ring um den Kühlkörper angeordnet. Sie
befinden sich in Ausbuchtungen 14, deren Form sich aus der
Strukturierung des Kühlkörpers ergibt. Zur aktiven Kühlung
besitzt der Kühlkörper Kanäle 15, durch die ein Kühlmittel
fließt und die mit entsprechenden Kanälen im Führungsrohr 7
in Verbindung stehen.
Fig. 1 zeigt schematisch die Strahlungsheizung 4 in der
Arbeitsposition im Innenraum 3 des Abscheidereaktors. Das
Absperrorgan 5 ist geöffnet und das Führungsrohr 7 bis in
das tubusförmige Rohr 1 geschoben. Gemäß einer
Ausführungsform des Verfahrens wird das Führungsrohr 7 nach
Beendigung des Aufheizens der Trägerkörper zurückgezogen,
bis die Strahlungsheizung 4 eine Ruheposition oberhalb des
Absperrorgans 5 erreicht hat. Danach wird der
Abscheidereaktor mit dem Absperrorgan gasdicht verschlossen.
Eine vorherige Spülung mit Inertgas kann unterbleiben.
Claims (13)
1. Verfahren zum Aufheizen von Trägerkörpern aus Silicium
in einem Abscheidereaktor mittels Strahlungswärme,
dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerkörper mit einer
Strahlungsheizung bestrahlt werden, die Strahlung mit
einer Farbtemperatur von mindestens 2000°C aussendet.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
an die Trägerkörper eine elektrische Spannung angelegt
wird und die Trägerkörper solange bestrahlt werden, bis
durch sie eine bestimmte Strommenge fließt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Trägerkörper wieder bestrahlt
werden, nachdem auf ihnen Silicium abgeschieden worden
ist.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die Strahlungsheizung vor dem
Aufheizen der Trägerkörper durch ein Schutzrohr in den
geöffneten Abscheidereaktor gebracht wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß der Abscheidereaktor mit einem
Absperrorgan geöffnet und verschlossen wird.
6. Vorrichtung zum Aufheizen von Trägerkörpern aus Silicium
in einem Abscheidereaktor, gekennzeichnet durch eine
Strahlungsheizung, die mindestens ein Heizelement
umfaßt, das thermische Strahlung mit einer
Farbtemperatur von mindestens 2000°C aussendet.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
das Heizelement ein Halogen-Quarzstrahler ist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
das Heizelement eine Gasentladungslampe ist.
9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 8,
gekennzeichnet durch einen Kühlkörper zum Kühlen der
Strahlungsheizung.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 9,
gekennzeichnet durch ein Schutzrohr zum Einbringen der
Strahlungsheizung in den geöffneten Abscheidereaktor.
11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 10,
gekennzeichnet durch ein Absperrorgan zum Öffnen und
Schließen des Abscheidereaktors.
12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 11, dadurch
gekennzeichnet, daß die Strahlungsheizung eine
zylindrische Form besitzt und einen Durchmesser
aufweist, der nicht größer als 200 mm ist.
13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche ,6 bis 12, dadurch
gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen der
Strahlungsheizung und dem Boden des Abscheidereaktors
mindestens 1500 mm beträgt.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19608885A DE19608885B4 (de) | 1996-03-07 | 1996-03-07 | Verfahren und Vorrichtung zum Aufheizen von Trägerkörpern |
IT97RM000022A IT1290892B1 (it) | 1996-03-07 | 1997-01-21 | Procedimento e dispositivo per il riscaldamento di corpi di supporto |
US08/802,990 US5895594A (en) | 1996-03-07 | 1997-02-21 | Method and device for heating carrier bodies |
JP04096697A JP3602678B2 (ja) | 1996-03-07 | 1997-02-25 | キャリア体の加熱方法及び装置 |
KR1019970007295A KR100204525B1 (ko) | 1996-03-07 | 1997-03-05 | 캐리어 본체를 가열하는 방법 및 그 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19608885A DE19608885B4 (de) | 1996-03-07 | 1996-03-07 | Verfahren und Vorrichtung zum Aufheizen von Trägerkörpern |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19608885A1 true DE19608885A1 (de) | 1997-09-11 |
DE19608885B4 DE19608885B4 (de) | 2006-11-16 |
Family
ID=7787541
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19608885A Expired - Lifetime DE19608885B4 (de) | 1996-03-07 | 1996-03-07 | Verfahren und Vorrichtung zum Aufheizen von Trägerkörpern |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5895594A (de) |
JP (1) | JP3602678B2 (de) |
KR (1) | KR100204525B1 (de) |
DE (1) | DE19608885B4 (de) |
IT (1) | IT1290892B1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2444373A1 (de) | 2010-10-25 | 2012-04-25 | Wacker Chemie AG | Verfahren zur Herstellung von polykristallinen Siliciumstäben |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100768147B1 (ko) * | 2006-05-11 | 2007-10-18 | 한국화학연구원 | 혼합된 코어수단을 이용한 다결정 실리콘 봉의 제조방법과그 제조장치 |
KR100768148B1 (ko) * | 2006-05-22 | 2007-10-17 | 한국화학연구원 | 금속 코어수단을 이용한 다결정 실리콘 봉의 제조방법 |
DE102012202086B4 (de) * | 2012-02-13 | 2015-05-21 | Fhr Anlagenbau Gmbh | Prozesswalze zur Aufnahme und Führung von bandförmigen Substraten in Vakuum-Beschichtungsanlagen |
US20140060434A1 (en) * | 2012-09-04 | 2014-03-06 | Applied Materials, Inc. | Gas injector for high volume, low cost system for epitaxial silicon depositon |
DE102013219070A1 (de) * | 2013-09-23 | 2015-03-26 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium |
DE102014201893A1 (de) | 2014-02-03 | 2015-08-06 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium |
JP6343592B2 (ja) | 2015-07-28 | 2018-06-13 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン製造用反応炉及び多結晶シリコンの製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT220591B (de) * | 1959-09-23 | 1962-04-10 | Siemens & Halske Aktiengesellschaft | |
US3147141A (en) * | 1959-05-04 | 1964-09-01 | Ishizuka Hiroshi | Apparatus for the manufacture of high purity elemental silicon by thermal decomposition of silane |
DE1212949B (de) * | 1954-05-18 | 1966-03-24 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von hochreinem Silicium |
DE2854707A1 (de) * | 1978-12-18 | 1980-07-31 | Wacker Chemitronic | Vorrichtung und verfahren zur abscheidung von reinem halbleitermaterial, insbesondere silicium |
DE3739895A1 (de) * | 1986-12-01 | 1988-06-16 | Korea Res Inst Chem Tech | Verfahren und vorrichtung zur herstellung hochreinen silicium |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3240915A (en) * | 1962-09-19 | 1966-03-15 | Fostoria Corp | Infra-red heater |
US3761678A (en) * | 1971-05-03 | 1973-09-25 | Aerojet General Co | High density spherical modules |
JPS53108029A (en) * | 1977-03-03 | 1978-09-20 | Komatsu Mfg Co Ltd | Method of making high purity silicon having uniform shape |
US4179530A (en) * | 1977-05-20 | 1979-12-18 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh | Process for the deposition of pure semiconductor material |
US4173944A (en) * | 1977-05-20 | 1979-11-13 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh | Silverplated vapor deposition chamber |
DE2912661C2 (de) * | 1979-03-30 | 1982-06-24 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen | Verfahren zur Abscheidung von reinem Halbleitermaterial und Düse zur Durchführung des Verfahrens |
JPS59222922A (ja) * | 1983-06-01 | 1984-12-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 気相成長装置 |
US5366554A (en) * | 1986-01-14 | 1994-11-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for forming a deposited film |
US5169478A (en) * | 1987-10-08 | 1992-12-08 | Friendtech Laboratory, Ltd. | Apparatus for manufacturing semiconductor devices |
US4805556A (en) * | 1988-01-15 | 1989-02-21 | Union Carbide Corporation | Reactor system and method for forming uniformly large-diameter polycrystalline rods by the pyrolysis of silane |
US5382419A (en) * | 1992-09-28 | 1995-01-17 | Advanced Silicon Materials, Inc. | Production of high-purity polycrystalline silicon rod for semiconductor applications |
US5478396A (en) * | 1992-09-28 | 1995-12-26 | Advanced Silicon Materials, Inc. | Production of high-purity polycrystalline silicon rod for semiconductor applications |
JP2789417B2 (ja) * | 1993-07-27 | 1998-08-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
-
1996
- 1996-03-07 DE DE19608885A patent/DE19608885B4/de not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-01-21 IT IT97RM000022A patent/IT1290892B1/it active IP Right Grant
- 1997-02-21 US US08/802,990 patent/US5895594A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-02-25 JP JP04096697A patent/JP3602678B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-05 KR KR1019970007295A patent/KR100204525B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1212949B (de) * | 1954-05-18 | 1966-03-24 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von hochreinem Silicium |
US3147141A (en) * | 1959-05-04 | 1964-09-01 | Ishizuka Hiroshi | Apparatus for the manufacture of high purity elemental silicon by thermal decomposition of silane |
AT220591B (de) * | 1959-09-23 | 1962-04-10 | Siemens & Halske Aktiengesellschaft | |
DE2854707A1 (de) * | 1978-12-18 | 1980-07-31 | Wacker Chemitronic | Vorrichtung und verfahren zur abscheidung von reinem halbleitermaterial, insbesondere silicium |
DE3739895A1 (de) * | 1986-12-01 | 1988-06-16 | Korea Res Inst Chem Tech | Verfahren und vorrichtung zur herstellung hochreinen silicium |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JP 58176114 A. In: Patents Abstracts of Japan, Vol. 8(1984) No. 7(C-234) * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2444373A1 (de) | 2010-10-25 | 2012-04-25 | Wacker Chemie AG | Verfahren zur Herstellung von polykristallinen Siliciumstäben |
DE102010042869A1 (de) | 2010-10-25 | 2012-04-26 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von polykristallinen Siliciumstäben |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT1290892B1 (it) | 1998-12-14 |
US5895594A (en) | 1999-04-20 |
JP3602678B2 (ja) | 2004-12-15 |
KR970065408A (ko) | 1997-10-13 |
ITRM970022A1 (it) | 1998-07-21 |
JPH09241099A (ja) | 1997-09-16 |
DE19608885B4 (de) | 2006-11-16 |
KR100204525B1 (ko) | 1999-06-15 |
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