DE19546769C2 - Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von Musterdaten - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von MusterdatenInfo
- Publication number
- DE19546769C2 DE19546769C2 DE19546769A DE19546769A DE19546769C2 DE 19546769 C2 DE19546769 C2 DE 19546769C2 DE 19546769 A DE19546769 A DE 19546769A DE 19546769 A DE19546769 A DE 19546769A DE 19546769 C2 DE19546769 C2 DE 19546769C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- separation
- drawing data
- polygon
- data
- critical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
- H01J37/3026—Patterning strategy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30472—Controlling the beam
- H01J2237/30483—Scanning
- H01J2237/30494—Vector scan
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und
eine Vorrichtung zur Erzeugung von Musterdaten.
Die Verwendung von Ladungsstrahlzeichen wird weithin zur Erzeu
gung von Masken wie sie in der Herstellung von Halbleiterein
richtungen, insbesondere ausgedehnte integrierte Einrichtungen
(LSI) verwendet werden aufgrund der Fähigkeit zur Bildung
dünner Linien mit guten Steuereigenschaften verwendet. Ladungs
strahlzeichenverfahren, die für diesen Zweck verwendet werden,
können in Raster-Abtast- und Vektor-Abtast-Verfahren unterteilt
werden.
Raster-Abtastverfahren (raster-scan-methods) wurden weithin für
die Maskenproduktion aufgrund der relativen Einfachheit der
Zeichenapparatur und der Leichtigkeit der Erzeugung der Zeichen
daten verwendet. Das Problem mit den Raster-Abtastverfahren
liegt darin, daß die Zeichengeschwindigkeit größtenteils von der
minimalen Gittergröße abhängt (Adresseneinheitsgröße), die zur
Definition der Zeichenmustergröße und der Zeichenposition ver
wendet wird.
Ein kürzlich entwickeltes Vektor-Abtastzeichenverfahren, d. h.
variables Ausgabestrahlbildungszeichnen, bildet den Elektronen
strahl in Entsprechung zu der Größe des Zeichenmusters und
emittiert den Elektronenstrahl nur auf die erforderliche Fläche.
Die Zeichengeschwindigkeit ist demzufolge erhöht und die Adres
seneinheitsgröße kann reduziert werden (das Maß der Integration
kann erhöht werden).
Es wird dementsprechend angenommen, daß Variable-Ausgabestrahl
bildung-Zeichenverfahren die meistverwendeten Verfahren für das
direkte Elektronenstrahlzeichnen in der Herstellung von Masken
für 64 MB und DRAM-Einrichtungen mit höheren Kapazitäten dar
stellen werden, sowie für die Entwicklung von DRAM-Einrichtungen
mit 1 GB und höheren Kapazitäten.
Im folgenden wird eine herkömmliche Zeichnungsdatenerzeugervor
richtung und ein Verfahren beschrieben.
Der Ablauf zum Erzeugen der Zeichnungsdaten und der Zeichenablauf,
wie er in dem Variable-Ausgabe-Elektronenstrahl-Zeichenverfahren
verwendet wird, wird zuerst mit Bezug auf die Fig. 30A bis 30D
beschrieben.
Ein Beispiel der Entwurfdaten für den Schaltungsplan einer Halb
leitereinrichtung ist in Fig. 30A gezeigt. Die Entwurfdaten,
bzw. Designdaten für eine Designkomponente wie z. B. diese sind
normalerweise durch ein Polygon definiert, welches dann in die
grundlegenden geometrischen Elemente des Polygons getrennt wer
den muß, um den Schaltungsplan unter Verwendung des ausgegebenen
variablen Elektronenstrahls zu zeichnen. Diese Trennung wird in
den Fig. 30B und 30C dargestellt, in welchen eine Trennlinie
jeweils horizontal und vertikal von den Scheitelpunkten des
Polygons eingesetzt wurde, um so zwei rechteckige Komponenten
zu extrahieren.
Der eigentliche Zeichenvorgang unter Verwendung der dement
sprechend in die in Grundform-Komponenten getrennten Zeichnungs
daten wird im weiteren mit Bezug auf Fig. 30B beschrieben.
Wenn die Musterdaten der schraffierten Fläche der Fig. 30B in
die Elektronenstrahlzeichenvorrichtung eingegeben werden, so
wird ein Elektronenstrahl der Breite Ws1 und Höhe Hs1 durch den
Deflektor der Elektronenstrahlerzeugung erzeugt.
Der so erzeugte Elektronenstrahl wird dann auf die Emissions
position (x1, y1) durch den Deflektor zur Einstellung der Elek
tronenstrahlemissionsposition bewegt und anschließend auf den,
die Maske oder das Siliziumwafersubstrat überziehenden Resist
für die Zeit emittiert, die der für die entsprechende Sensitivi
tät des Resists erforderlichen Belichtungsdauer entspricht.
Wenn die Musterdaten für die gepunktete Fläche der Fig. 30B in
die Elektronenstrahlzeichenapparatur eingegeben werden, so wird
die gepunktete Fläche durch den Elektronenstrahl auf dieselbe
Art und Weise gezeichnet. Dieser Vorgang wird danach abschnitts
weise zum Zeichnen des vollständigen Musters der Halbleiterein
richtung wiederholt.
Probleme der Erzeugung der Zeichnungsdaten des Variabler-Aus
gabeelektronenstrahl-Zeichenapparats wie er oben beschrieben
wurde werden im weiteren beschrieben.
Die Form des Resistmusters, wie es als ein Ergebnis der Umwand
lung der Schaltplanentwurfdaten in Zeichnungsdaten wie diese
in Fig. 30B gezeigt sind, der Zeichnung des Schaltplans mit
einem Elektronenstrahl unter Verwendung der Zeichnungsdaten und
der anschließenden Entwicklung des Resists gebildet werden, ist
in Fig. 30C gezeigt. Die Faktoren, die zur Verschlechterung der
Präzision der Musterstrukturen beitragen, werden im folgenden
mit Bezug auf die Breite Wm des Resistmusters betrachtet. Es sei
angemerkt, daß Faktoren, die sich auf die Verarbeitungsbedingun
gen der Musterbildung beziehen, einschließlich der Resistent
wicklung im folgenden nicht berücksichtigt werden.
Wenn die in Fig. 30A gezeigten Schaltplanentwurfdaten durch
eine horizontale Trennlinie unterteilt werden, wie dies in Fig.
30B gezeigt ist, so ist der einzige Faktor der die Ausdehnung
der Breite Wm beeinflußt, die Präzision des erzeugten Elektro
nenstrahls, der gemäß der Form der schraffierten Fläche der Fig.
30B gebildet ist, d. h. der Präzision der Ausdehnung des Elektro
nenstrahls in der Fläche, die der Breite Ws1 entspricht.
Wenn die Entwurfdaten jedoch durch eine vertikale Trennlinie
getrennt werden, wie dies in Fig. 30C gezeigt ist, so schließen
die Faktoren, die die Ausdehnung der Breite Wm beeinflussen, die
Präzision der Elektronenstrahlemissionsposition ein, die der
schraffierten Fläche der Fig. 30C entspricht, sowie die Präzi
sion der Musterbildung und die Elektronenstrahlpositionierungs
präzision wie dies der gepunkteten Fläche in Fig. 30C entspricht.
Die gemessenen Ergebnisse einer Vielzahl von Resistmustern, die
unter Verwendung der in Fig. 30B und 30C gezeigten verschiedenen
Unterteilungsverfahren erzeugten Zeichnungsdaten gebildet wurden
sind in den Fig. 31A und 31B gezeigt.
Die in Fig. 31A gezeigten Daten wurden unter Verwendung der in
Fig. 30B gezeigten Zeichnungsdaten zur Bildung eines Resistmusters
in der Fläche mit Breite Wm durch eine "One-Shot" Elektronen
strahl-Bestrahlung gewonnen. Die in Fig. 31B gezeigten Daten
wurden durch Verwendung der in Fig. 30C gezeigten Zeichnungsdaten
zur Bildung eines Resistmusters in der Fläche mit Breite Wm
durch eine "Two-Shot" Elektronenstrahl-Bestrahlung gewonnen. Wie
in den Fig. 31A und 31B gezeigt ist, ist, während die räumliche
Präzision des durch "One-Shot" Elektronenstrahlemission gebil
dete Resistmuster ± 0.025 µm beträgt, die räumliche Präzision
des durch "Two-Shot" Elektronenstrahl gebildeten Resistmusters
± 0.075 µm, wodurch ein signifikantes Ansteigen der Musterdimen
sionsvariation gezeigt wird, d. h. eine Verschlechterung der
räumlichen Präzision.
Aus diesem Ergebnis darf geschlossen werden, daß jene Teile des
Schaltungsmusters, die für die Einrichtungseigenschaften essen
tiell sind (z. B. Elemente, die den Gateelektroden von Transis
torelektroden entsprechen) soweit als möglich durch "One-Shot"
Elektronenstrahlbestrahlung gezeichnet werden sollten, und daß
das grundlegende geometrische Elementtrennverfahren so ausge
führt werden muß, daß solche "One-Shot" bzw. einmalige Elek
tronenstrahlbestrahlungen durchgeführt werden können.
Wird das Resistmuster durch zwei oder mehrere Elektronenstrahl
bestrahlungen mit unterschiedlichen Bestrahlungspositionen ge
bildet, so nimmt die räumliche Präzision des Resistmusters,
das gebildet wurde, weiterhin ab, wenn die Belichtungen, die
die Ränder des Restistmusters bilden kleiner als eine bestimmte
räumliche Ausdehnung sind. Dies wird mit Bezug auf die Fig. 32
und 33 im folgenden beschrieben.
Das in Abschnitt (b) der Fig. 32 gezeigte Schaubild zeigt die
Leistungsverteilung des Elektronenstrahls, der entsprechend der
im Abschnitt (a) der Fig. 32 gezeigten Zeichnungsdaten gebildet
wurde. Wie in diesem Schaubild gezeigt ist steigt und fällt die
Leistungsverteilung an den Musterecken allmählich an, bzw. ab,
anstatt scharf und in einer stufenförmigen Art und Weise. Die
Schärfe der Leistungsverteilung an den Strukturecken (als Strah
lenschärfe bezeichnet) variiert mit der Größe des erzeugten Elek
trodenstrahls.
Im allgemeinen steigt die Reaktion zur Coulomb-Kraft im Elek
tronenstrahl mit steigender Elektronenstrahlgröße an und die
Kraftverteilung an den Kanten wird weniger definiert, d. h. die
Strahlschärfe verschlechtert sich.
Die in Abschnitt (b) der Fig. 33 gezeigte Elektronenstrahlleis
tungsverteilung wurde von einem Elektronenstrahl gewonnen, der
mit den im Abschnitt (a) der Fig. 32 gezeigten Zeichnungsdaten
erzeugt wurde, die, wie in Abschnitt (a) der Fig. 33 gezeigt
ist, in zwei Zeichenbereiche unterteilt wurden, wobei (a) der
linke Bereich eine kleine Größe aufweist, die kleiner als eine
bestimmte Größe ist. Wie in Fig. 33 gezeigt ist, unterscheidet
sich die Strahlschärfe der linken Kante von der Strahlschärfe
der "One-Shot" Bestrahlung. Dieser Unterschied bewirkt einen
Unterschied in den Ausdehnungen des gebildeten Resistmusters.
Mehrere Resistmuster, die Feinzeichnungsdaten, wie sie in (b)
der Fig. 33 gezeigt sind, enthalten, wurden in ähnlicher Weise
durch ein "Two-Shot" Verfahren, d. h. durch zweimalige Bestrah
lung, erzeugt und vermessen. Die Ergebnisse sind in Fig. 34 ge
zeigt. Zusätzlich zu einer signifikanten Variation der räumlichen
Präzession gibt es hier zusätzlich, verglichen mit den "One-
Shot" Zeichenmuster (Abschnitt (a) der Fig. 31) einen Unter
schied zwischen den durchschnittlich gemessenen Resistausdeh
nungen und den Entwurfausdehnungen (Wd). Dieser Unterschied der
Durchschnitte beruht auf der Bestrahlung unter Verwendung eines
dünnen Elektronenstrahls.
Die Größe der feineren Zeichnungsdaten, bei der die Verschlechte
rung der räumlichen Präzision wichtig wird, ist im allgemeinen
0.5 µm oder weniger, obwohl dies zu einem großen Teil von dem
verwendeten Elektronenstrahlzeichenapparat abhängt, sowie von
der Art des Resists, der Art des Musterbildungsverfahrens und
äußerer Bedingungen.
Wenn im weiteren nichts anderes spezifiziert wird, so bezieht
sich der Ausdruck "Feinzeichnungsdaten" im weiteren auf Zeichen
daten, bei denen die Zeichenmusterweite kleiner als die kri
tische Ausdehnung ist, bei der sich die räumliche Präzision
verschlechtert, und stellt weiter Zeichnungsdaten dar, die die
räumliche Präzision des Resistmusters beeinflussen, d. h. Zeich
nungsdaten, die an den Eckkomponenten des Resistmusters posi
tioniert sind.
Der Zeichnungsdatenerzeuger sowie das Erzeugungsverfahren eines
Variabler-Ausgabeelektronenstrahl-Zeichenapparats werden im
folgenden mit Bezug auf das Datenverarbeitungs-Flußdiagramm,
wie es in Fig. 35 gezeigt ist, beschrieben.
Zuerst entfernt die Überlapp-Eliminierungsfunktion des Zeichen
datenerzeugers die überlappenden Flächen zwischen den Formen in
den Schaltplan-Entwurfdaten. Dies ist zum Verhindern einer zwei
fachen Belichtung der gleichen Fläche durch den Elektronenstrahl
erforderlich und stellt ein Verfahren dar, welches bei der Er
zeugung der Zeichnungsdaten für eine Variablen-Ausgabeelektro
nenstrahl-Zeichenapparatur erforderlich ist.
Dieser Überlapp-Eliminierungsprozeß ist insbesondere mit Hin
blick auf die vorliegende Erfindung von besonderer Bedeutung
und wird deshalb im weiteren beschrieben.
Überlappende Flächen können durch verschiedene Verfahren eli
miniert werden, eine der gebräuchlichsten Methoden ist das so
genannte "Plattenverfahren". Dieses Plattenverfahren (Slab)
wird im weiteren mit Bezug auf die Fig. 36A und 36B beschrieben.
Zuerst werden Trennlinien von jedem Scheitelpunkt, bzw. Schnitt
punkt einer jeden Form in einer vorbestimmten Richtung (horizon
tal oder vertikal) über die gesamte Verarbeitungsfläche einge
setzt und die Verarbeitungsfläche wird anschließend in lange,
enge rechteckige Flächen unterteilt ("Platten"). Im weiteren
wird jede Form weiter an den Plattengrenzen unterteilt. In den
Fig. 36A und 36B sind die Formen in horizontale Richtungen
unterteilt.
Die Richtung einer jeden Seite der unterteilten Form wird dann
zur Extraktion der Vektoren bestimmt. Diese Vektoren werden
dadurch bestimmt, daß im Uhrzeigersinn oder im Gegenuhrzeiger
sinn von jedem Schnittpunkt aus der entsprechenden Seite ent
lang gefolgt wird.
Anschließend wird ein Vektorwert zugeordnet, der die Orientie
rung eines jeden Vektors in der Platte anzeigt. Wenn z. B. Plat
ten, wie sie in den Fig. 36A und 36D gezeigt sind, horizontal
angeordnet sind, wird Vektoren, die von der Bodenseite zur
oberen Seite der Platte orientiert sind, eine "1" zugeordnet,
und Vektoren die von der oberen zur unteren Seite der Platte
orientiert sind wird eine "-1" zugeordnet. Das Ergebnis dieses
Vorgangs wird auf eine Spur im Uhrzeigersinn eines jeden
Schnittpunkts angewendet, wie dies in Fig. 36A gezeigt ist.
Der nächste Schritt besteht in der Entfernung der überlappenden
Flächen. Ein Verfahren, mit dem dieses erreicht werden kann
wird im folgenden beschrieben.
Der erste Schritt besteht darin alle Vektoren, die in jeder
Platte enthalten sind, für jede Platte auf der Grundlage der
Koordinaten der Kontakte zwischen jedem Vektor und der Boden
seite der Platte zu sortieren.
Als nächstes werden die jedem Vektor zugeordneten Vektororien
tierungswerte addiert und zwar in Reihenfolge von der linken
Seite, wenn die Platten in horizontaler Richtung gebildet sind,
um die Vektoren zu finden für die Summe der Vektororientierungs
werte Null ist. Die Grundformen werden durch die Vektoren gebil
det, von denen die Addition begonnen wurde und den Vektoren, für
die die Summe der Vektororientierungswerte Null (0) ist.
Dies wird im weiteren mit Bezug auf Platte 7 in der Fig. 36A
beschrieben. Das Aufsummieren der Vektororientierungswerte be
ginnt mit dem Vektor an der linken Ecke. Die Summe der Vektor
orientierungswerte dieses ersten Vektors mit dem zweiten Vek
tor ist 2, 1 mit dem dritten Vektor und 0 mit dem vierten Vek
tor. Eine Grundform oder Basisform wird daher durch den linken
Vektor und den vierten Vektor der Platte 7 definiert und die
Vektoren 2 und 3 werden als unnötige Vektoren gelöscht. Das Er
gebnis dieser auf alle Platten und Vektoren der Fig. 36A ange
wendeten Operation ist in Fig. 36B gezeigt.
Nach der Anwendung dieses Vorganges auf die Vektoren in allen
Platten sind alle Überlappungen zwischen den Formen entfernt und
die sich daraus ergebenden Verarbeitungsdaten können in ihre
grundlegenden geometrischen Formen unterteilt werden. Dieses
Verfahren kann weiterhin mit hoher Geschwindigkeit durchge
führt werden und ist daher zur Verarbeitung großer Mengen von
Strukturdaten geeignet.
Das Problem bei diesem Verfahren besteht jedoch darin, daß
Flächen, die hohe räumliche Präzision erfordern in eine Mehr
zahl von Zeichnungsdatenflächen unterteilt werden, d. h. Fein
zeichnungsdaten werden häufig erzeugt.
Der Vorgang zur Eliminierung überlappender Flächen, wie er in
Fig. 35 gezeigt ist, hängt von der Art des Resists (positiv oder
negativ) und des für den Plan verwendeten Entwurfsverfahren,
bzw. Designverfahren ab.
Wenn es erforderlich ist, daß der Elektronenstrahl auf eine
Fläche gestrahlt wird, die sich außerhalb des Bereichs der für
den Entwurf eingegebenen Plan- bzw. Layoutdaten befindet, so ist
ein Bildinversionsprozeß erforderlich. Dieser Inversionsprozeß
kann mit demselben Verfahren verarbeitet werden, welches für
den oben beschriebenen Überlappeiiminationsprozeß verwendet
wurde. Ein spezielles Verfahren, wie es für den Forminversions
prozeß verwendet wird, wird im folgenden mit Bezug auf die
Fig. 37A und 37B beschrieben.
Der Vorgang des Eliminierens der Überlappungen wird zur Elimi
nierung der Überlappungen und Extraktion bzw. Bestimmung der
Seitenvektoren der verbleibenden Bildfläche ausgeführt. Die
Fläche (Rahmen), die zu invertieren ist wird dann gesetzt, die
Form (Rechteck), die diesem Rahmen entspricht wird anschließend
an den Plattengrenzen unterteilt und ein Vektororientierungs
wert wird jedem Vektor zugeordnet (wie im Überlappeliminations
prozeß). Die Orientierung eines jeden Vektors einer jeden Form,
wie sie in der Inversionsfläche enthalten sind wird dann inver
tiert, d. h. das Vorzeichen eines jeden Vektororientierungswertes
wird umgekehrt. Das Ergebnis dieses Vorgangs ist in Fig. 37A
gezeigt.
Der nachfolgende Prozeß ist der gleiche wie der im Überlapp
eliminationsprozeß: Vektorpaare werden durch Addition der
Vektororientierungswerte am Rahmen der Inversionsfläche zur
Extraktion der grundlegenden Formen gefunden. Das Ergebnis des
Inversionsprozesses ist in Fig. 37B gezeigt.
Wie im Überlappeiiminationsprozeß besteht das Problem im In
versionsprozeß darin, daß die Flächen, die eine hohe räumliche
Präzision erfordern, in mehrere Zeichnungsdatenflächen unter
teilt werden, d. h. Feinzeichnungsdaten werden häufig erzeugt.
Um dieses Problem zu lösen besteht die Möglichkeit, die in die
Grundformen unterteilten Formen nach dem Überlappeliminations
prozeß als eine Serie von Polygonen zurück zu definieren und
die resultierenden Polygone anschließend wieder einzeln zu
unterteilen. Dieser Vorgang ist ebenso in Fig. 35 gezeigt.
Dieser Vorgang kann jedoch nicht angewendet werden, wenn die
Inversion ebenfalls notwendig ist. Dies kommt daher, daß die
Rückdefinition der Gruppe invertierter Formen als Polygon in
einem großen Polygon mehrerer miteinander verbundenen Formen
resultiert, die eine große Anzahl von Scheitelpunkten aufweisen,
wodurch effektiv verhindert wird, daß der Vorgang des Unter
teilens des Polygons in die Grundkomponenten mit einer akzep
tablen Effizienz ausgeführt werden kann.
Wenn der Inversionsprozeß nicht erforderlich ist, so stellt die
vorliegende Erfindung ein Verfahren der Unterteilung der Muster
daten in Grundformen bereit, bei der die Flächen, die ein hohe
räumliche Präzision erfordern,. nicht in eine Mehrzahl von Zei
chenbereichen unterteilt werden und die Häufigkeit der dünnen
Zeichnungsdaten soweit wie möglich minimiert wird.
Wenn der Inversionsprozeß nicht erforderlich ist, so wird ein
Verfahren, durch welches die Verarbeitungsfläche durch ein
Polygon nach dem Überlappeliminationsprozeß definiert wird und
die Polygone anschließend in grundlegende geometrische Formen
zurückgeteilt werden, verwendet. Das herkömmliche Verfahren der
Unterteilung eines Polygons in geometrische Grundformen wird
im weiteren mit Bezug auf Fig. 38 beschrieben.
Dieses Unterteilungsverfahren ähnelt dem Überlappeliminations
verfahren (Fig. 36A und 36B): jede Seite wird in einen Vektor
umgewandelt, und die Vektorpaare, die die grundlegenden Formen
definieren, werden nachgewiesen. Der Unterschied besteht darin,
daß, während das Überlappeliminationsverfahren die gesamte Bild
fläche auf einmal verarbeitet, das Grundformenunterteilungsver
fahren individuell für jedes der Polygone ausgeführt wird.
Das in Fig. 38 dargestellte Verfahren erfordert einen Algorith
mus und kann mit hoher Geschwindigkeit ausgeführt werden. Auf
der anderen Seite ist hier keine Vorsorge getroffen, nach der
die Unterteilung der Flächen, die hohe räumliche Präzision
erfordern, in eine Mehrzahl von Zeichenbereichen verhindert,
oder wodurch die Häufigkeit der dünnen Zeichnungsdaten minimiert
wird.
Das Grundformunterteilungsverfahren, das zur Lösung dieses Pro
blems ersonnen wurde wird im weiteren mit Bezug auf Fig. 39 be
schrieben.
Diese Unterteilungsverfahren ist mit dem Verfahren zur Unter
teilung von Polygonen in geometrische Grundformen, wie es oben
mit Bezug auf Fig. 38 beschrieben wurde, identisch, mit Ausnahme
davon, daß die Richtungen (vertikal oder horizontal) in der die
Polygone unterteilt werden, für jedes Polygon in den Design
daten ausgewählt werden kann.
Das Steuerverfahren ist dementsprechend ähnlich einfach: jedes
Polygon wird vertikal oder horizontal in Formkomponentenelemente
unterteilt und das gesamte Längenverhältnis (lange Seite/kurze
Seite) aller Grundformen wird auf der Grundlage dem Ergebnis der
Polygonunterteilung berechnet. Die Polygonunterteilung, die eine
kleine Summe der Längenverhältnisse ergibt, wird dann ausgewählt
und ausgegeben.
Während dieses Verfahren relativ einfach ist erzeugt es weniger
als 1/10 der Feinzeichnungsdaten, die die herkömmlichen Verfah
ren erzeugen, bietet einen akzeptierbaren Durchsatz der Her
stellungsumgebung und hat sich in der Produktion von Halblei
tereinrichtungen bewährt.
Dieses Verfahren ist jedoch ebenfalls nicht spezifisch dafür
ausgerichtet, daß die Unterteilung der Flächen, die eine hohe
räumliche Präzision erfordern, in eine Mehrzahl von Zeichen
bereichen verhindert wird, bzw. daß die Häufigkeit der dünnen
Zeichnungsdaten bzw. Feinzeichnungsdaten minimiert wird, und
ist nur dann effektiv, wenn die Richtungen der Polygonuntertei
lung entsprechend den Eigenschaften des Layout-Musters bzw. des
Planes der Halbleitereinrichtung ausgewählt wird. Dieses Ver
fahren ist des weiteren besonders effektiv, wenn es auf Halblei
terspeicher und andere Einrichtungen, die ein regelmäßiges Plan
muster aufweisen angewendet wird. Wenn das Planmuster jedoch
viele zufällige Komponenten aufweist, wie dies häufig in lo
gischen Einrichtungen vorkommt, so kann dieses Verfahren oft
nicht verwendet werden.
Von Verfahren mit variabler Bildung eines auszugebenden Elek
tronenstrahls (Variable output electron beam formation) wird
erwartet, daß sie in der Zukunft zu den hauptsächlich verwen
deten Verfahren der direkten Elektronenstrahl-Zeichenverfahren
zur Halbleiterentwicklung werden. Das Problem mit variablen
Ausgabestrahlzeichenverfahren besteht darin, daß Musterüberlapp
eliminationsprozesse und Inversionsprozesse erforderlich sind,
wenn die Zeichnungsdaten von den Schaltungsplanentwurfdaten er
zeugt werden und das die Zeit die zur Erzeugung der Zeichnungs
daten dementsprechend erforderlich ist länger ist als die her
kömmlichen Rasterabtastverfahren.
Da insbesondere jedoch die grundlegenden Polygondaten, die die
Schaltungsplanentwurfdaten definieren, in grundlegende geome
trische Formen (Trapezoide, Rechtecke, Quadrate, Dreiecke)
unterteilt werden müssen, die dann von dem Elektronenstrahl-
Zeichenapparat gezeichnet werden können (dieser Vorgang wird im
weiteren als "Grundformunterteilung" bezeichnet) um die Schal
tungsplanentwurfdaten mit einem variabel ausgegebenen Elektronen
strahlzeichenapparat zu zeichnen. Das Problem besteht darin,
daß die räumliche Präzision der nach dem Elektronenstrahlzeich
nen gebildeten Resistmusters in Entsprechung dazu, wie der
Grundformunterteilungsprozeß angewendet wurde, variieren wird.
Mit Bezug auf das Problem der Resistmusterausdehnungen, die als
Ergebnis davon, wie die Elektronenstrahldaten unterteilt werden,
verschlechtert werden, bezieht sich die vorliegende Erfindung
auf ein Verfahren zur Erzeugung von Elektronenstrahlzeichendaten
für Flächen, in denen nahe räumliche Präzision erforderlich ist
und die soweit wie möglich unter Verwendung von "One-Shot" Elek
tronenstrahlbestrahlung gezeichnet werden können und das so die
Erzeugung von Feinzeichnungsdaten minimiert, wenn die Zeichnung
nur durch eine Mehrzahl von Belichtungen möglich ist.
Es wird angemerkt, daß es wenn unnötige Unterteilungen und Fein
zeichnungsdaten durch dieses Musterdatenerzeugungsverfahren re
duziert werden können, ebenso möglich ist, die Zeichenzeit als
ein Ergebnis der verringerten Zeichnungsdaten zu verkürzen.
Aus der US 5,366,847 ist ein Verfahren zur Erzeugung von Mu
sterdaten zum Zeichnen mit einem geladenen Strahl bekannt, bei
dem feine Figuren eines Musters mit benachbarten Figuren auto
matisch zusammengefügt werden, so daß größere Figuren erzeugt
werden und die Anzahl der feinen Figuren verringert wird.
Aus JP 62-273719 ist ein Verfahren zur Erzeugung von Musterda
ten bekannt, bei dem eine feine Figur, die eine kritische Aus
dehnung aufweist, in einer anderen Farbe auf einem Bildschirm
dargestellt wird als andere Figuren. Damit kann die Figur mit
kritischer Ausdehnung leicht identifiziert werden.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren und
eine Vorrichtung zur Erzeugung von Musterdaten zum Zeichnen
mit einem geladenen Strahl vorzusehen, bei denen die
Musterdaten mit hoher Geschwindigkeit und hoher Genauigkeit
erzeugt werden.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren nach Anspruch 1 oder
durch eine Vorrichtung nach Anspruch 21 gelöst.
Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen an
gegeben.
Durch das Verfahren oder die Vorrichtung ist es möglich,
Musterdaten mit hoher Präzision in einem kurzen Zeitraum zu
erzeugen und Halbleitereinrichtungen mit hoher Designpräzision
mit niedrigen Kosten herzustellen.
Durch das Verfahren zur Mustererzeugung und die Vorrichtung zur Mustererzeugung ist es möglich,
Feinzeichnungsdaten nicht zu erzeugen und ein Muster mit hoher
Präzision durch das Ausführen des automatischen
Abtrennens zum vorherigen Abtrennen der
Flächen kritischer Ausdehnung, die eine hohe räumliche
Präzision beim Zeichnen erfordern, zu zeichnen (siehe Fig. 2 und Fig. 3A bis
3B).
Insbesondere ist es möglich zu verhindern, daß Flächen, die
keine Flächen kritischer Ausdehnung sind, als Flächen kri
tischer Ausdehnungen extrahiert werden und demzufolge ist eine
genauere Extraktion von Flächen kritischer Ausdehnung mög
lich, indem die internen Seiten eines jeden Polygons im auto
matischen Abtrennen nachge
wiesen werden und diese internen Seiten nicht als Kandidaten
seiten zur Bildung der Flächen kritischer Ausdehnungen verwendet
werden (siehe Fig. 4).
Zusätzlich ist es möglich die Erzeugung von Feinzeichnungsdaten
als ein Ergebnis der Extraktion von Flächen kritischer Ausdeh
nung zu verhindern und demzufolge ist es möglich Zeichnungs
daten hoher Qualität zu erzeugen indem
Abtrennen dann unterbrochen wird, wenn Fein
zeichnungsdaten als ein Ergebnis des Abtrennens von Flächen kri
tischer
Ausdehnung
erzeugt werden (siehe Fig. 5A und 5B und
Fig. 6A bis 6C).
Des weiteren ist es möglich Flächen kritischer Ausdehnung mit
verschiedenen Ausdehnungen (siehe Fig. 7A und 7B), die eine
Mehrzahl kritischer Ausdehnungswerte im automatischen Abtrennen
definieren, zu trennen und
die Flächen kritischer Ausdehnung in der Reihenfolge der Wich
tigkeit durch das Zuordnen eines Prioritätswertes zu jeder aus
der Mehrzahl der kritischen Ausdehnungswerte zu trennen (siehe
Fig. 8A und 8B), woraus sich Zeichnungsdaten mit sogar noch
höherer Qualität ergeben.
Die kritischen Ausdehnungswerte können ebenfalls leicht und ge
nau extrahiert und getrennt werden, indem sowohl ein Vorgang
zum Abtasten der Polygonweiten ausgeführt wird, um automatisch
die kritischen Ausdehnungen zu extrahieren, sowie ein Vorgang
zur Eingabe der extrahierten Ausdehnungen an
Abtrennen ausgeführt wird.
Durch die Durchführung des Dreiecke-Trennvorgangs des Anspruches 7
kann das Auftreten dünner Zeichnungsdaten auf
signifikante Art und Weise reduziert werden, während die Muster
dimensionen verbessert werden und hierdurch die Zeichenzeit auf
signifikante Art und Weise reduziert wird (siehe Fig. 9 und
Fig. 10A bis 10D).
Zeichnungsdaten mit hoher Qualität können ebenfalls mit dem Verfahren des Anspruches 9
erzeugt werden.
Des weiteren ist es möglich die Erzeugung dünner Zeichnungsdaten
zu unterdrücken, die von unnötigen Anschrägungen herrühren, und
die räumliche Präzision der Muster dadurch zu verbessern, daß
ein automatischer Editierprozeß zur Unterdrückung
der Erzeugung Feinzeichnungsdaten durch das Löschen oder Korri
gieren unnötiger angeschrägter Teile ausgeführt wird (siehe
Fig. 19A bis 19C und Fig. 20).
Ebenfalls durch das Anwenden des automatischen Editierprozesses
auf leicht geneigte Seiten, die keine angeschrägten Teile dar
stellen, kann die Erzeugung Feinzeichnungsdaten weiter unter
drückt werden und dementsprechend die räumliche Präzision des
Musters verbessert werden (siehe Fig. 21A und 21B und Fig. 22).
Es sei angemerkt, daß der automatische Editierprozeß mit Hilfe
eines Vorganges erreicht werden kann, bei dem eine neue Seite
die Fläche der Dreieckseinheit zweiteilt, die durch die leicht
geneigte Seite gebildet wird, und die erzeugt wurde, um leicht
geneigte Seiten, die keine angeschrägten Teile darstellen zu
korrigieren (siehe Fig. 23 und Fig. 24A bis 24C), oder mit
Hilfe eines Prozesses, in welchem für jede leicht geneigte Seite
bestimmt wird ob eine neue Seite erzeugt werden soll, in dem auf
Ergebnisse Bezug genommen wird, die durch Simulation oder Ex
perimentieren gewonnen wurden. Die Parameter, die für den Bezug
zu diesen Resultaten verwendet werden schließen die Länge der
leicht geneigten Seite, den Winkel, der durch die leicht ge
neigte Seite und einer zweiten daran anschließenden Seite ge
bildet werden, sowie welche Seite der leicht geneigten Seite
(Innenseite oder Außenseite des Polygons) durch den Elektronen
strahl gezeichnet wird, ein. Eine neue Seite wird in Abhängig
keit des Ergebnisses, das mit diesen Parametern erzielt wird
erzeugt (siehe Fig. 25).
Es ist möglich die Erzeugung von Feinzeichnungsdaten, die nicht
editiert werden können zu vermeiden, und es ist hierdurch mög
lich Zeichnungsdaten hoher Qualität zu erzeugen, in dem der Drei
ecke-Trennvorgang nach dem automatischen Anschrägteileditier
vorgang ausgeführt wird (siehe Fig. 26A bis 26C).
Es folgt die Beschreibung von Ausfüh
rungsbeispielen anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
Fig. 1 ein Blockdiagramm des Gesamtaufbaus einer Zeichendaten
erzeugerapparatur gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2, 4, 5A bis 5B, 7A bis 7B, und 8A bis 8B Flußdiagramme
der automatischen Flächen-kritischer-Ausdehnungen (CD)
Trennfunktion gemäß bevorzugter Ausführungsformen der
vorliegenden Erfindung;
Fig. 3A bis 3D und 6A bis 6C eine spezifische Anwendung der
automatischen Flächenkritischer-Ausdehnungen-Trennfunk
tion gemäß bevorzugter Ausführungsformen der vorliegen
den Erfindung;
Fig. 9 ein Flußablaufdiagramm der Dreieckstrennfunktion gemäß
einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Er
findung;
Fig. 10A bis 10D eine spezifische Anwendung der Dreieckstrenn
funktion gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung;
Fig. 11 ein Flußablaufdiagramm der automatischen Kritischen-
Ausdehnungswert-Extrahierfunktion gemäß einer bevorzug
ten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 12 eine spezifische Anwendung der automatischen Kritschen-
Ausdehnungswert-Extrahierfunktion gemäß einer bevorzug
ten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 13, 15, 16 und 17A bis 17C Flußablaufdiagramme, der Grund
legende-Formen-Trennfunktion gemäß bevorzugter Ausfüh
rungsformen der vorliegenden Erfindung;
Fig. 14 eine spezifische Anwendung der Geometrischen-Grundfor
men-Trennfunktion gemäß einer bevorzugten Ausführungs
form der vorliegenden Erfindung;
Fig. 18 ein Flußdiagramm der Feinzeichnungsdateneditierfunktion
gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegen
den Erfindung,
Fig. 19A bis 19C, 21A bis 21B und 24A bis 24C spezifische An
wendungen der automatischen Anschrägteileditierfunk
tion gemäß bevorzugter Ausführungsformen der vorliegen
den Erfindung;
Fig. 20, 22, 23 und 25 Flußablaufdiagramme, der automatischen
Anschrägteileditierfunktion gemäß bevorzugter Ausfüh
rungsformen der vorliegenden Erfindung;
Fig. 26A bis 26C eine spezifische Anwendung der Dreieckstrenn
funktion gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung;
Fig. 27 ein Flußablaufdiagramm der Dreieckstrennfunktion gemäß
einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Er
findung;
Fig. 28 ein Flußdiagramm der Geometrische-Grundformen-Trenn
funktion gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung;
Fig. 29A bis 29B eine spezifische Anwendung der Geometrische-
Grundformen-Trennfunktion gemäß einer bevorzugten Aus
führungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 30A bis 30D die Erzeugung von Zeichendaten aus den Schal
tungsplanentwurfdaten und das Verfahren der Schaltungs
planzeichnung;
Fig. 31A bis 31B den Wechsel der räumlichen Präzision des Re
sistmusters in Abhängigkeit von einem Verfahren zur
Erzeugung der Zeichnungsdaten;
Fig. 32 ein Schaubild der Beziehung zwischen den Zeichendaten
und der Elektronenstrahl-Leistungsverteilung;
Fig. 33 ein Schaubild der Beziehung zwischen den Zeichendaten
und der Elektronenstrahl-Leistungsverteilung, wenn Fein
zeichnungsdatenflächen im Schaltungsplan vorhanden sind;
Fig. 34 ein Schaubild der Verschlechterung der räumlichen Prä
zision des Resistmusters, wenn Feinzeichnungsdatenflächen
im Schaltungsplan enthalten sind;
Fig. 35 ein Flußdiagramm des Datenverarbeitungsvorgangs und der
Funktionen der Zeichendatenerzeugerapparatur in einem
herkömmlichen variablen Ausgabe-Elektronenstrahl-Zei
chenapparat;
Fig. 36A bis 36B das herkömmliche Verfahren zur Entfernung
überlappender Flächen im Schaltungsplan;
Fig. 37A bis 37B das herkömmliche Verfahren der Bildinversion
(Schwarz/Weiß);
Fig. 38 den herkömmlichen Geometrische-Grundformen-Trennvorgang;
und
Fig. 39 ein Flußablaufdiagramm eines verbesserten Geometrische-
Grundformen-Trennvorgang.
Die bevorzugte Ausführungsform der Flächen-kritischer-Dimen
sionen-(CD)-Trennfunktion, daß heißt eine der Funktionen einer
Zeichendaten erzeugenden Apparatur gemäß der vorliegenden Erfin
dung wird zuerst im folgenden beschrieben.
Der Herstellungsvorgang für Halbleitereinrichtungen kann ver
schiedene Zwischenvorgänge aufweisen, einschließlich eines
Schaltelementtrennvorganges, eines Transistorgateherstellungs
vorganges, Verdrahtungsvorgänge und Speicherkapazitätsherstel
lungsvorgänge. Integration in großem Maßstab wird im allgemeinen
in jedem dieser sowie anderen Vorgängen dadurch erreicht, daß
die Musterweite und die Lücke zwischen den Mustern auf die
kleinste für den verwendeten Halbleiterherstellungsvorgang ver
fügbare Ausdehnung entworfen wird. Diese Vorgänge haben ebenso
einen signifikanten Effekt auf die elektrischen Eigenschaften der
Halbleitereinrichtung und erfordern höhere räumliche Präzision
als andere Muster. Muster, die eine solche hohe Präzision er
fordern werden in der vorliegenden Anmeldung als "Muster kri
tischer Ausdehnung" oder "CD-Muster" bezeichnet.
Wie in der obigen Diskussion beschrieben wurde, können diese CD
Muster dann mit hoher Präzision gebildet werden, wenn es mög
lich ist das "One-Shot" Elektronenstrahlzeichnen anzuwenden. In
den in der Beschreibungseinleitung diskutierten Beispielen
werden diese CD-Muster jedoch nicht aktiv berücksichtigt und
die Wahrscheinlichkeit des Teilens eines CD-Musters und des
Zeichnens des CD-Musters mit mehreren Elektronenstrahl-Belich
tungen durch die Auswahl der Richtung der Trennung grundlegen
der geometrischer Formen wird nur passiv erhöht.
Mit solchen passiven Verfahren ist jedoch die Qualität des
Trennergebnisses, bzw. Separationsergebnisses zu einem großen
Teil von der Auslegung des Musters, bzw. dem Layout oder Plan
abhängig. Insbesondere sind die Resultate dann gut wenn iden
tische Muster in einem geordneten Feld erzeugt werden wie dies
in Speichereinrichtungen der Fall ist, aber die Effektivität
dieses Zeichendatenerzeugungsverfahren verschlechtert sich, wenn
es auf logische Einrichtungen angewandt wird, die in ihrem
Schaltungsplan eine größere Zufälligkeit aufweisen.
Die Flächen-kritischer-Ausdehnungen-Trennfunktion gemäß der vor
liegenden Ausführungsform der Erfindung beschäftigt sich spe
ziell mit diesen Problem in dem sie vor dem Geometrische-Grund
formen-Trennvorgang in der Zeichendatenerzeugerapparatur der
vorliegenden Erfindung ausgeführt wird, wie dies in Fig. 1 ge
zeigt ist.
Es sei angemerkt, daß die Flächen-kritischer-Ausdehnungen-Trenn
funktion der Erfindung nicht von der Gesamtstruktur der Zeichen
datenerzeugerapparatur der Erfindung abhängt und als eine Zu
satzfunktion einem in der Beschreibungseinleitung diskutieren
Zeichendatenerzeugerapparat hinzugefügt werden kann.
Die CD-Flächen-Trennfunktion, bzw. Flächen-kritischer-Dichte-
Trennfunktion der Erfindung erfordert die Fähigkeit des auto
matischen Extrahierens der Flächen (CD-Flächen), die mit vorbe
stimmten CD-Muster-Ausdehnungen (CD-Wert) in jedem eingegebenen
Polygon übereinstimmen und des Trennens dieser Flächen von dem
Polygon.
Diese CD-Flächen-Trennfunktion erlaubt es, die Trennung der CD-Flächen,
die eine hohe räumliche Genauigkeit erfordern vor der
Trennung der geometrischen Grundformen zu priorisieren. Dadurch
wird es möglich die CD-Flächen mit einem "One-Shot" Elektronen
strahl zu zeichnen und dementsprechend ist die Bildung von
Mustern mit hoher Präzision möglich. Im Gegensatz zu den in der
Beschreibungseinleitung genannten Verfahren ist das Verfahren
der vorliegenden Erfindung kein passives Verfahren. Dement
sprechend sind die Trenn- bzw. Separationsergebnisse nicht in
diesem Maße von dem Muster-Layout abhängig.
Ein spezifisches Flußablaufdiagramm für diesen Vorgang ist in
Fig. 2 gezeigt. Jede Seite eines jeden Polygons wird sequen
tiell als eine mögliche, eine CD-Fläche bildende Seite definiert
und es wird nach einer Seite die parallel zu dieser Seite ver
läuft gesucht. Wird eine parallele Seite gefunden, so wird be
stimmt ob unter Verwendung dieser beiden Seiten ein Rechteck
gebildet werden kann. Kann ein Rechteck gebildet werden so wird
die Breite des Rechtecks mit dem vorliegenden CD-Wert verglichen.
Wenn die Rechteckbreite und der CD-Wert übereinstimmen so wird
das Rechteck als ein CD-Fläche getrennt.
Dieser CD-Flächenseparationsvorgang wird solange wiederholt bis
alle CD-Flächen separiert wurden oder die Form, die nach der
CD-Flächentrennung zurück bleibt nicht aus einem Polygon be
steht.
Ein Beispiel dieses Vorgangs wird im weiteren mit Bezug auf die
Fig. 3A bis 3D beschrieben, wobei Fig. 3A das eingegebene
Polygon darstellt, und Fig. 3B und 3C die Ergebnisse der hori
zontalen und vertikalen Trennung zeigen, Fig. 3D zeigt das Er
gebnis der CD-Flächentrennung. Es sei angemerkt, daß die Muster
weiten die in den Fig. 3A bis 3C durch die Pfeile angedeutet
sind die Flächen darstellen, die dem CD-Wert entsprechen.
Wie in den Fig. 3B und 3C gezeigt ist, ist es nicht möglich die
Unterteilung der CD-Flächen oder die Erzeugung von Feinzeichen
daten zu vermeiden, wenn das herkömmliche Verfahren der ein
fachen Auswahl der Richtung der Polygonseparation verwendet
wird.
Mit Hilfe der automatischen Flächen-kritischer-Ausdehnungen-
Trenn-Funktion der vorliegenden Erfindung können jedoch die CD-Flächen
(die als die schraffierten Flächen in Fig. 3D gezeigt
sind) zuerst und zwar vor dem Geometrische-Grundformen-Trenn
vorgang getrennt werden. Dementsprechend werden durch den Trenn
vorgang, in den CD-Flächen keine dünnen Zeichendaten erzeugt und
dementsprechend wird die Bildung von Mustern mit höherer Präzi
sion möglich.
Das bevorzugte Verfahren der Extrahierung der CD-Flächen mit
höherer Genauigkeit wird im folgenden als eine zweite Ausfüh
rungsform des automatischen Flächen-kritischer-Ausdehnungen-
Trennvorgang dieser Erfindung beschrieben.
In dem CD-Flächentrennvorgang gemäß der ersten Ausführungsform
der Erfindung werden die CD-Flächen aufeinanderfolgend von dem
Polygon getrennt und dieser Vorgang kann Seiten erzeugen die
innerhalb des Polygons liegen sollten. Wenn diese internen
Seiten als mögliche Seiten für die CD-Flächen-Extraktion ver
wendet werden, so können Flächen, die keine tatsächlichen CD-Flächen
darstellen fälschlicherweise als CD-Flächen getrennt
werden.
Die zweite Ausführungsform stellt deshalb einen Flächen-kriti
scher-Ausdehnungen-Extraktionsvorgang dar, bei dem die Seiten,
die nicht direkt die räumliche Präzision des Musters beein
flussen gekennzeichnet werden und danach nicht als mögliche
Seiten, die die CD-Flächen bilden verwendet werden. Ein Fluß
ablaufdiagramm dieses Vorgangs ist in Fig. 4 gezeigt.
Mit Hilfe des Flächen-kritscher-Ausdehnungen-Extraktionsvorgan
ges der zweiten Ausführungsform ist es möglich die CD-Flächen mit
hoher Genauigkeit zu extrahieren.
Die dritte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bezieht
sich auf einen Flächen-kritischer-Ausdehnungen-Trennvorgang zur
Unterbrechung der Trennung einer Fläche kritischer Ausdehnungen,
die die Erzeugung von Feinzeichnungsdaten verursacht wenn Fein
zeichnungsdaten als ein Ergebnis der Trennung von Flächen mit
kritischen Ausdehnungen erzeugt werden.
Ein Flußablaufdiagramm dieses Vorgangs ist in den Fig. 5A und
5B gezeigt.
Diese Ausführungsform ist dadurch charakterisiert, daß die
Trennung einer Fläche mit kritischen Ausdehnungen dann gestoppt
wird, wenn die Trennung dieser CD-Fläche eine Form mit enger
Breite erzeugen wird (eine Feinzeichnungsdatenfläche), wodurch
sich eine reduzierte Präzision der Musterpräzisionen ergibt.
Das oben als die zweite Ausführungsform beschriebene Verfahren
wird verwendet um festzustellen, ob eine Form mit enger Breite,
die durch die CD-Flächentrennung erzeugt wurde eine Feinzeich
nungsdatenfläche darstellt, die eine verschlechterte räumliche
Präzision des Resistmusters ergeben wird. Insbesondere stellt
jede Seite für die eine Kennzeichnung durchgeführt wurde eine
Seite dar, die sich innerhalb der ursprünglichen Form (Polygon)
befindet. Als ein Ergebnis hiervon kann für Formen mit enger
Breite, die durch zwei Seiten gebildet werden für die die Kenn
zeichnung gesetzt ist, festgestellt werden, daß es sich bei
diesen nicht um Feinzeichnungsdaten handelt, die die räumliche
Präzision des Resistmusters verringern.
Ein spezielles Beispiel wird im folgenden mit Bezug auf die
Fig. 6A bis 6C beschrieben.
Die CD-Flächen stellen die Abschnitte dar, die in Fig. 6A durch
die Pfeile gekennzeichnet sind. Wenn die in Fig. 6B gezeigte
schraffierte CD-Fläche separiert wird, so wird die separierte,
bzw. getrennte Form eine Feinzeichnungsdatenfläche. In diesem
Fall wird die Trennung der schraffierten CD-Fläche gestoppt und
der Vorgang fährt fort andere CD-Flächen zu separieren. Wenn
nur die dicht schraffierten Flächen als CD-Flächen extrahiert
werden, so können, wie dies in Fig. 6C gezeigt ist, gute Separa
tionsergebnisse erzielt werden.
Dementsprechend ist es mit Hilfe der vorliegenden Erfindung
möglich die Erzeugung von Feinzeichnungsdaten als Ergebnis der
CD-Flächentrennung zu vermeiden und hierdurch Zeichnungsdaten
höherer Qualität zu erzeugen.
Die vierte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bezieht
sich auf einen CD-Flächentrennvorgang wie oben beschrieben,
dadurch ausgezeichnet, daß eine Mehrzahl kritischer Ausdehnungs
werte gesetzt wird, anstelle eines einzigen CD-Wertes der die
CD-Flächen definiert.
Ein Flußablaufdiagramm dieses Vorgangs ist in Fig. 7A und 7B
gezeigt.
Durch die Definition einer Mehrzahl kritischer Ausdehnungswerte
anstelle eines einzigen CD-Wertes der die CD-Flächen definiert
ist es möglich CD-Flächen unterschiedlicher Ausdehnungen zu
separieren und hierdurch Zeichnungsdaten noch höherer Qualität
zu erzeugen.
Eine fünfte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bezieht
sich auf einen CD-Flächenseparationsvorgang der eine Mehrzahl
kritischer Ausdehnungswerte setzt und weiterhin durch die Zuord
nung eines Prioritätswertes für jeden aus der Mehrzahl der CD-Werte
ausgezeichnet ist.
Ein Flußablaufdiagramm dieses Vorgangs ist in den Fig. 8A und
8B gezeigt. Durch die Zuordnung eines Prioritätswertes für jeden
aus der Mehrzahl der definierten CD-Werte zur Trennung der
Flächen kritischer Ausdehnungen in der Reihenfolge ihrer Wichtig
keit, wobei die größte Wichtigkeit an erster Stelle steht, ist
es möglich Zeichendaten von sogar noch höherer Qualität zu er
zeugen.
Die sechste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bezieht
sich auf eine Dreieckstrennfunktion zur Erzeugung von Zeich
nungsdaten noch höherer Qualität durch das Trennen von Dreiecks
komponenten von den Polygonen, vor dem Vorgang der Trennung von
Flächen mit kritischen Ausdehnungen.
Wie in Fig. 1 gezeigt ist, ist diese Dreieckstrennfunktion vor
dem Flächen-kritischer-Ausdehnungen-Trennvorgang in der Zeich
nungsdatenerzeugungsapparatur der Erfindung vorgesehen. Es sei
angemerkt, daß diese Dreieckstrennfunktion genau wie die Flächen
kritischer-Ausdehnungen-Trennfunktion nicht von der Gesamtstruk
tur der Zeichnungsdatenerzeugungsapparatur der Erfindung ab
hängt und als Zusatzfunktion einem der in der Beschreibungs
einleitung genannten Zeichnungsdatenerzeugerapparaturen zuge
fügt werden kann.
Ein Ablaufdiagramm dieses Vorgangs ist in Fig. 9 gezeigt.
Der erste Schritt besteht in der Lokalisierung einer jeden
Seite, die eine Neigung zwischen null (0) und neunzig (90) Grad
aufweist und in der Bestimmung ob unter Verwendung der nachge
wiesenen geneigten Seite als eine Seite des Dreiecks ein recht
winkliges Dreieck gebildet werden kann. Befindet sich das recht
winklige Teil des detektierten rechtwinkligen Dreiecks innerhalb
des Polygons, so wird dieses rechtwinklige Dreieck extrahiert.
Die Trennung eines solchen rechtwinkligen Dreiecks wird eine
neue Seite erzeugen. Befindet sich die neue Seite innerhalb der
ursprünglichen Form (Polygon), so wird ein Flag (Anzeiger) zur
Identifikation der internen Seite gesetzt. Es sei angemerkt,
daß dieser Flag die gleiche Funktion wie der Flag, bzw. die
Kennzeichnung besitzt, die in der zweiten Ausführungsform be
schrieben wurde. Stellt auch die Form, die nach der Extraktion
des rechtwinkligen Dreiecks verbleibt ein Polygon dar, so wird
die Trennung rechtwinkliger Dreiecke für das verbleibende Poly
gon wiederholt.
Fig. 10A zeigt die Ergebnisse der Trennung der CD-Flächen ohne
zuvor rechtwinklige Dreiecke zu extrahieren. Es sei angemerkt,
daß die durch Pfeile gekennzeichneten Flächen CD-Flächen sind.
Wie in Fig. 10A gezeigt ist, ergeben sich nach der Trennung der
CD-Flächen Feinzeichnungsdaten, die als schraffierte Flächen
dargestellt sind. Wenn das Resistmuster unter Verwendung dieser
Zeichnungsformen durch Elektronenstrahlzeichnen gebildet wird,
so treten an den Punkten, die durch die Pfeile in Fig. 10B an
gezeigt sind Musterdeformationen auf, die Verschlechterung der
Präzision des Musters ist offensichtlich.
Wenn jedoch zuerst die rechtwinkligen Dreiecke extrahiert werden
und dann die CD-Flächen getrennt werden, so treten Feinzeich
nungsdaten wie dies in Fig. 10A gezeigt ist nicht auf, und wie
in den Fig. 10C und 10D gezeigt ist kann ein gutes Resistmuster
gebildet werden.
Es sei angemerkt, daß sich der enge Kanal, der die beiden CD-Flächen
wie sie in Fig. 10D gezeigt sind verbindet, innerhalb
des ursprünglichen Musters befindet und deshalb die räumliche
Präzision des Resistmusters nicht beeinflußt.
Die in den Fig. 10A bis 10D gezeigten Linienmuster bzw. Lei
tungsmuster werden häufig in den Leitungsmustern von Halblei
tereinrichtungen beobachtet. Die Anwendung der Dreiecke-Trenn
funktion dieser Ausführungsform hilft deshalb das Auftreten von
Feinzeichnungsdaten in signifikanter Art und Weise zu reduzieren
und verbessert hierdurch die räumliche Präzision des Resist
musters und reduziert die Zeichnungszeit in großem Maße.
Die siebte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bezieht
sich auf eine automatische CD-Wert Extraktionsfunktion zum Ab
tasten der Breite aller eingegebenen Polygone zur automatischen
Extraktion des auf den detektierten Breiten basierenden kriti
schen Ausdehnungswertes. Dieses Verfahren steht im Gegensatz zu
der CD-Flächentrennfunktion, in der die CD-Werte wie oben be
schrieben vorbestimmt sind.
Wie in Fig. 1 gezeigt ist, ist diese Funktion vor der CD-Flächen
trennfunktion in der Zeichnungsdatenerzeugerapparatur
der Erfindung vorgesehen und wird in Verbindung mit der CD-Flächen
trennfunktion verwendet. Insbesondere werden durch die
automatische CD-Wert Extraktionsfunktion der vorliegenden
Ausführungsform extrahierten CD-Werte in die automatische CD-Flächen-
Trennfunktion zur Trennung der CD-Flächen von dem
Polygon eingegeben.
Ein Flußablaufdiagramm dieses Vorgangs ist in Fig. 11 gezeigt.
Die automatische CD-Wert Extraktionsfunktion extrahiert von
allen Polygonen der Breite aller rechteckigen Komponenten, die
durch zwei beliebige Seiten gebildet sind, die die räumliche
Präzision des Resistmusters beeinflussen. Die Länge eines jeden
Rechtecks wird für alle Rechtecke berechnet, die dieselbe Breite
aufweisen. Die Rechtecksbreiten werden als CD-Werte definiert
und eine Prioritätsbewertung wird jedem CD-Wert sequentiell zu
geordnet, wobei die längste Rechteckslänge (bzw. Breite) die
höchste Priorität aufweist.
Ein Beispiel ist in Fig. 12 gezeigt. Die schraffierten Flächen
der Breite W1 und Flächen der Breite W2 werden durch die Extrak
tion der rechteckigen Komponenten des Polygons erhalten. Die
Gesamtlänge L1 der Längen der jeweiligen Seiten der Rechtecke
der Breite W1 wird berechnet und die Gesamtlänge L2 der Längen
der repräsentativen Seiten der Rechtecke der Breite W2 wird
ebenfalls berechnet. Da in dem in Fig. 12 gezeigten Fall L1 < L2
ist, wird W1 als der CD-Wert mit der höchsten Priorität
extrahiert.
Während oben die CD-Werte durch das Abtasten aller Polygone in
den Mustern extrahiert werden, besteht ferner zur Extrahierung
der CD-Werte die Möglichkeit eine Anzahl von Polygonen zu sammeln
und die CD-Werte nur durch Abtasten der gesammelten Polygone zu
extrahieren.
In den Schaltungsmustern der meisten LSI-Einrichtungen (Large-
Skale-Integration) ist die CD-Flächenlänge normalerweise wesent
lich größer als die Länge von Formen, die eine Breite aufweisen
die von dem CD-Wert verschieden ist und die CD-Wert Extrahierung
kann leicht und genau unter Verwendung des automatischen CD-Wert
Extraktionsverfahren dieser Ausführungsform vollendet
werden.
Die achte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bezieht
sich auf eine Grundlegende-Geometrische-Formen-Trennfunktion
zur Unterteilung der nach der CD-Flächen (bzw. Wert) Trennung
verbleibender Polygone in geometrische Formen.
Ein Flußablaufdiagramm dieses Vorgangs ist in Fig. 13 gezeigt.
Jeder Scheitelpunkt des eingegebenen Polygons wird in einer
Reihenfolge überprüft um zu bestimmen, ob eine Trennlinie in
das Polygon eingesetzt werden kann und die Trennlinien werden
von jedem Scheitelpunkt aus eingesetzt, bis die Trennlinie auf
eine andere Seite oder eine andere Trennlinie trifft. Wenn durch
das Einsetzen der Trennlinie eine geometrische Grundform gebil
det wird, so wird diese Form vom Polygon getrennt. Ist die nach
der Trennung der grundlegenden geometrischen Form verbleibende
Form ein Polygon, werden wiederum Trennlinien eingesetzt und
grundlegende geometrische Formen getrennt, bis keine weiteren
Trennlinien zur Trennung zusätzlicher grundlegender geome
trischer Formen eingesetzt werden können. Wenn in einem ein
zigen Scheitelpunkt eine Mehrzahl von Trennlinien eingesetzt
werden können so wird die Formentrennung für jede der Trenn
linien fortgesetzt. Das Ergebnis dieses Vorgangs wird eine
Mehrzahl von Separationsergebnissen sein, von denen das beste
Separationsergebnis ausgewählt und ausgegeben wird.
Zur Bestimmung des besten Separationsergebnisses ist es möglich
z. B. die Separationsergebnisse auszuwählen, für die die Länge
der repräsentativen Seiten der Feinzeichnungsdatenflächen, die
kleiner als eine vorbestimmte Feinzeichnungsgröße sind am
kleinsten sind.
Ein spezielles Beispiel ist in Fig. 14 gezeigt und wird im fol
genden beschrieben.
Als Ergebnis des Einsetzens von Trennlinien von jedem Schnitt
punkt aus können acht Separationsergebnisse erzielt werden. Von
diesen stellt das Separationsergebnis, bzw. Trennergebnis 3-1
das beste Separationsergebnis dar, bei welchem keine Feinzeich
nungsdatenflächen erzeugt werden.
Dementsprechend können mit Hilfe der vorliegenden Ausführungs
form Zeichnungsdaten mit hoher Qualität erzeugt werden, da die
besten Separationsergebnisse aus der Mehrzahl der möglichen
Separationsergebnisse ausgewählt werden können.
Die neunte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bezieht
sich auf ein alternatives Verfahren zur Bestimmung des besten
Separationsergebnisses des Geometrische-Grundformen-Trennvor
ganges wie er oben in der achten Ausführungsform beschrieben
wurde.
Die vorliegende Ausführungsform legt der Auswahl des besten
Geometrische-Grundformen-Trennvorganges nicht die Summe der
Längen der repräsentativen Seiten der Formen zugrunde, die
eine Größe von weniger als einer vorbestimmten Zeichnungsgröße
aufweisen. Statt dessen, berechnet die vorliegende Ausführungs
form wie dies in Fig. 15 gezeigt ist, die Längen der Seiten der
Feinzeichnungsdaten, die die räumliche Präzision des zu bilden
den Musters beeinflussen und wählt als die besten Ergebnisse
jene aus, für die dieser berechnete Wert am kleinsten ist.
Dementsprechend ist es möglich die besten Separationsergebnisse
genauer auszuwählen.
Die zehnte Ausführungsform ist eine alternative Ausführungsform
des oben beschriebenen geometrischen-Grundformen-Trennvorganges.
In dem als neunte Ausführungsform oben beschriebenen Geomet
rische-Grundformen-Trennvorgang wird der Trennvorgang solange
wiederholt, bis jedes Polygon vollständig in grundlegende For
men unterteilt worden ist und anschließend wird das beste Sepa
rationsergebnis ausgewählt. Das Problem bei diesem Verfahren
besteht darin, daß bei einem Polygon mit einer großen Anzahl
von Scheitelpunkten eine große Anzahl Separationsergebnisse
erzielt wird und die erforderliche Verarbeitungszeit ansteigt.
Die zehnte Ausführungsform der Erfindung löst dieses Problem
zur Verkürzung der erforderlichen Verarbeitungszeit.
Ein Flußablaufdiagramm dieses Vorgangs ist in Fig. 16 gezeigt.
Wenn durch das Einsetzen einer speziellen Trennlinie eine Fein
zeichnungsdatenfläche erzeugen wird, die zur Verschlechterung
der räumlichen Präzision des Musters beiträgt, so schließt das
Verfahren der vorliegenden Ausführungsform diese Trennlinie von
den möglichen Trennlinien aus und fährt mit dem nächsten Schei
telpunkt zur Fortsetzung der Trennung bzw. Unterteilung in geo
metrische Grundformen fort.
Zum Beispiel erzeugt, mit Bezug auf Fig. 14, daß Einsetzen der
ersten Trennlinie sofort eine Feinzeichnungsdatenfläche, wie
dies im Separationsergebnis 1 gezeigt ist. Als Ergebnis hiervon
überspringt der Vorgang die Erzeugung aller Separationsergeb
nisse, die vom Separationsergebnis 1 abgeleitet werden (d. h.
die Separationsergebnisse 1-1 und 1-2).
Durch die derartige Eliminierung der Ausführung bedeutungsloser
Separationen kann das Verfahren der vorliegenden Ausführungsform
die erforderliche Gesamtverarbeitungszeit verkürzen.
Die elfte Ausführungsform stellt eine alternative Ausführungs
form des oben als zehnte Ausführungsform beschriebenen Geomet
rische-Grundformen-Trennvorgang dar. Diese elfte Ausführungs
form verringert die erforderliche Verarbeitungszeit weiter,
während gleichzeitig eine Verarbeitung der grundlegenden geo
metrischen Formentrennung mit hoher Präzision ermöglicht wird,
wie dies in den Fig. 17A bis 17C gezeigt ist.
Im Verfahren der oben beschriebenen zehnten Ausführungsform
wird jede Trennlinie, die, wenn sie eingesetzt ist, eine Fein
zeichnungsdatenfläche erzeugt, die zur Verschlechterung der
räumlichen Präzision des Musters beiträgt, von den möglichen
Trennlinien zur Trennung der geometrischen Grundformen ausge
schlossen und der Vorgang rückt zum nächsten Scheitelpunkt
zur Fortsetzung der Geometrische-Grundformen-Trennvorgang fort.
Das Verfahren dieser elften Ausführungsform vervollständigt
dieses Verfahren durch eine ähnliche Überprüfung der Erzeugung
von Feinzeichnungsdatenflächen, die sich aus der Trennlinien
einsetzung ergeben und ferner durch die Bestimmung, ob das Ein
setzen einer Trennlinie eine CD-Fläche unterteilen wird. Jede
Trennlinie, die beim Einsetzen eine Feinzeichnungsdatenfläche
erzeugen wird oder eine CD-Fläche trennen wird, wird dann von
den möglichen Trennlinien zur Trennung der grundlegenden geo
metrischen Formen ausgeschlossen.
Diese Überprüfung der CD-Flächenteilung wird durch das Erhalten
der Abstände zwischen den Trennlinien und jeder dazu parallel
verlaufenden Polygonseite erreicht. Insbesondere gibt es, wenn
der Abstand zwischen der Trennlinie und einer beliebigen dazu
parallel verlaufenden Polygonseite kleiner als die vorbestimmte
Feinzeichnungsdatenflächendimension ist, eine hohe Wahrschein
lichkeit dafür, daß Feinzeichnungsdaten erzeugt werden. Wenn
die Summe der Abstände zwischen der Trennlinie und zwei paral
lelen Seiten auf gegenüberliegenden Seiten der Trennlinie
gleich dem CD-Wert sind, so besteht eine hohe Wahrscheinlichkeit
dafür, daß die Trennlinie eine CD-Fläche trennen wird. In
beiden Fällen wird die fragliche Trennlinie als mögliche Trenn
linie ausgeschlossen.
Durch die vorliegende Ausführungsform kann daher der Geomet
rische-Grundformen-Trennvorgang genau und mit hoher Geschwin
digkeit ausgeführt werden.
Die zwölfte Ausführungsform bezieht sich auf einen Feinzeich
nungsdateneditiervorgang der dann verwendet wird, wenn Fein
zeichnungsdaten, die nicht durch den Geomtrische-Grundformen-
Trennvorgang verarbeitet werden können, erzeugt werden.
Ein Flußablaufdiagramm dieses Vorgangs ist in Fig. 18 gezeigt.
Der Feinzeichnungsdateneditiervorgang dieser Ausführungsform
tastet die grundlegenden geometrischen Formdaten nach dem in
Fig. 1 gezeigten Formvereinigungsvorgang ab, um alle Feinzeich
nungsdaten zu finden, die die räumliche Prozision des Resist
musters beeinflussen. Werden solche Feinzeichnungsdaten gefun
den, so werden diese Feinzeichnungsdaten und die diese umge
benden Formen auf einer graphischen Wiedergabeoberfläche ange
zeigt.
Es ist dann ein manueller Eingriff zur Festlegung der Formen
erforderlich, die mit den Feinzeichnungsdaten zur Bildung eines
einzelnen Polynoms aus den zusammengruppierten Formen gruppiert
werden müssen. Trennlinien werden dann manuell in dieses
Polygon eingesetzt um das neue Polygon in geometrische Grund
formen zu trennen. Wenn das Einsetzen der Trennlinien das Prob
lem der Feinzeichnungsdaten immer noch nicht lösen kann, so
kann das Polygon selbst manuell editiert werden. Nach der Edi
tierung des Polygons werden Trennlinien manuell eingesetzt, oder
das Polygon wird unter Verwendung des Geometrische-Grundformen-
Trennvorganges, wie er oben beschrieben ist, unterteilt und die
Verarbeitung wird dann abgeschlossen, wenn keine weiteren Pro
bleme in den Separationsergebnissen nachgewiesen werden.
Eine allgemein einsetzbare Muster-Layout-Apparatur, wie sie für
den Entwurf von Halbleitereinrichtungen verwendet wird kann das
obige Verfahren dann umsetzen, wenn sie eine Funktion zur Er
zeugung von Polygonen aus zusammengruppierten Bildern aufweist,
eine Funktion zur Unterteilung von Polygonen durch das manuelle
Einsetzen von Trennlinien, sowie eine Funktion zur automatischen
Trennung der Polygone in geometrische Grundformen mit Hilfe des
oben beschriebenen Geometrische-Grundformen-Trennvorgyngs.
Es sei angemerkt, daß der oben beschriebene Feinzeichnungsdaten
editiervorgang von der Zeichnungsdatenerzeugerapparatur der vor
liegenden Erfindung getrennt werden kann und unabhängig verwen
det werden kann.
Hiermit ist es möglich die Erzeugung von Feinzeichnungsdaten zu
vermeiden, die nicht durch den automatischen Geometrische-
Grundformen-Trennvorgang verarbeitet werden können, und es ist
hierdurch möglich Zeichnungsdaten mit hoher Qualität mit Hilfe
des Feinzeichnungsdateneditiervorgangs der vorliegenden Erfin
dung zu erzeugen.
Die dreizehnte Ausführungsform der Erfindung bezieht sich auf
eine automatische Anschrägteil-Editierfunktion zur Unter
drückung der Erzeugung von Feinzeichnungsdaten, die eine redu
zierte räumliche Präzision des Resistmusters verursachen, indem
unnötige angeschrägte Teile in den eingegebenen Polygondaten
gelöscht oder korrigiert werden.
Wie in Fig. 1 gezeigt ist, ist diese Funktion innerhalb der
vollständigen Zeichnungsdatenerzeugerapparatur als ein Vorgang
vorgesehen, der dem Dreiecksseparationsvorgang bzw. Vorgang
vorausgeht.
Es sei angemerkt, daß diese automatische Anschrägteileditier
funktion der Erfindung nicht von der Gesamtstruktur der Zeich
nungsdatenerzeugerapparatur der Erfindung abhängt und als zu
sätzliche vorverarbeitende Funktion einer herkömmlichen Zeich
nungsdatenerzeugerapparatur zugefügt werden kann.
Ein spezielles Beispiel eines Musterplanes, in dem Feinzeich
nungsdaten zur Reduzierung der räumlichen Präzision des Resist
musters beitragen, wird als Ergebnis der angeschrägten Teile er
zeugt, die in den Fig. 19A bis 19C zusammen mit den editierten
Ergebnissen gezeigt sind. Ein Teil des entworfenen Schaltungs
plans ist in Fig. 19A gezeigt. Sind in dem Schaltungsplan wie
durch den Pfeil in Fig. 19A angezeigt ist, angeschrägte Elemente
enthalten, so treten Feinzeichnungsdaten auf, wie dies durch die
Schraffur angedeutet ist und die Präzision der Musterweite W1
und des Abstands W2 zwischen den Mustern verringert sich.
Der Grund dafür besteht darin, daß die Musterecken im allge
meinen in einer bestimmten Art und Weise abgerundet sind. Diese
Rundheit ist ein Ergebnis der Leistungsverteilung des Elektro
nenstrahls, der eine nicht perfekte nicht quadratische Vertei
lung aufweist, sowie der Entwicklungsgeschwindigkeit des Resist
entwicklungsprozesses, der in den Eckflächen schneller statt
findet. Insbesondere dann, wenn der Schaltungsplan quadratisch
entworfen ist, und zwar ohne angeschrägte Ecken wie dies in
Fig. 19B gezeigt ist, weist die Form des Resistmusters, welches
unter Verwendung einer Maske gebildet wurde, die von diesen
quadratischen Schaltungsplandaten erzeugt wurden, abgerundete
Ecken auf, wie dies in Fig. 19C gezeigt ist und ergibt somit
keinen Unterschied zu dem Muster, welches von dem in Fig. 19A
gezeigten angeschrägten Daten gebildet wurde.
Die offensichtliche Lösung dieses Problems könnte darin be
stehen, denn Schaltungsplan von Anfang an ohne die Verwendung
angeschrägter Ecken zu entwerfen. Das Problem besteht darin,
daß ein Prüfvorgang, bekannt als Designregelüberprüfung, im
allgemeinen vor der Erzeugung der Zeichendaten auf die Schal
tungsplandaten angewendet wird und Probleme deshalb auftreten,
da ein Teil dieser Designregelüberprüfung darin besteht, fest
zustellen, ob alle Schaltungsplandaten mit den angegebenen mini
malen Musterdimensionen und den minimalen Lückendimensionen
zwischen den Musterkomponenten übereinstimmen.
So verletzt z. B. die Lücke W3 zwischen den angeschrägten Mus
terelementecken, wie sie in Fig. 19A gezeigt sind, nicht die
Designangaben. Werden im Schaltungsplan jedoch keine Anschrä
gungen verwendet, wie dies in Fig. 19B gezeigt ist, so wird die
kleinste Lückenausdehnung zwischen den Eckelementen oft die
Designangaben verletzen. Dementsprechend ist es nicht möglich
die Verwendung solcher angeschrägten Teile vollständig auszu
schließen.
Die vorliegende Ausführungsform ändert dementsprechend auto
matisch jedes angeschrägte Element, ohne die Designangaben zu
verletzen, zur Minimierung der Erzeugung von Feinzeichnungs
daten und verbessert die räumliche Präzision des Resistmusters.
Ein Flußablaufdiagramm dieses Vorgangs ist in Fig. 20 gezeigt.
In dem bevorzugten Verfahren der vorliegenden Ausführungsform
wird die maximale Länge Lm eines Teiles mit angeschrägter
Seite, die nicht die Designangaben verletzt, experimentell ge
wonnen und in den Vorgang eingegeben.
Jede Seite des eingegebenen Polygons, die kürzer als diese
Länge Lm ist wird dann detektiert und wird, wenn der Winkel,
der zwischen den beiden Seiten gebildet wird, mit denen diese
kurze Seite verbunden ist neunzig (90) Grad beträgt, als ange
schrägte Seite editiert.
Die angeschrägten Seiten können durch die Definition eines
neuen Scheitelpunkts an der virtuellen Überschneidung dieser
beiden Seiten, mit welcher die geneigte angeschrägte Seite
verbunden ist definiert werden und durch das anschließende
Löschen der beiden Scheitelpunkte an den Enden der angeschrägten
Linie.
Hierdurch ist es möglich die Erzeugung von Feinzeichnungsdaten
flächen zu unterdrücken, die durch nicht-kritische angeschrägte
Linien verursacht wurden und somit ist es möglich die räumliche
Präzision des Resistmusters zu verbessern.
Die vierzehnte Ausführungsform der Erfindung bezieht sich auf
einen Feinzeichnungsdateneditiervorgang zur Unterdrückung der
Erzeugung von Feinzeichnungsdaten durch die Korrektur kleiner
Seiten, die auf dieselbe Weise gehandhabt werden können wie die
angeschrägten Seiten, die durch die automatische Anschrägteil
editierfunktion der dreizehnten Ausführungsform verarbeitet
werden, die aber nicht die Anschrägseitentestbedingung dieser
automatischen Anschrägteileditierfunktion erfüllen, d. h. der
Winkel, der zwischen den beiden Seiten gebildet wird, mit der
diese kurze Seite verbunden ist, beträgt nicht neunzig (90)
Grad.
Ein Beispiel dieses Vorgangs ist mit Bezug auf die Fig. 21A und
21B im folgenden beschrieben.
Fig. 21A stellt ein Beispiel dar, in welchem die beiden Seiten,
die mit der kurzen Seite verbunden sind parallel zueinander
verlaufen und dementsprechend einen Winkel bilden, der nicht
neunzig (90) Grad entspricht. Wenn ein Polygon wie dieses in
geometrische Grundformen unterteilt wird, so werden, wie dies
durch die schraffierten Flächen gezeigt ist, Feinzeichnungs
daten erzeugt. Wenn sich wie in diesem Beispiel im wesentlichen
die gesamte Feinzeichnungsdatenform im Inneren des Polygons be
findet, weisen diese Feinzeichnungsdaten eine minimale Auswir
kung auf die dimensionale Präzision des Resistmusters auf. Die
Erzeugung zahlreicher Feinzeichnungsdatenflächen, die im wesent
lichen bedeutungslos sind, erhöhen jedoch die erforderliche Ge
samtzeichnungszeit.
Das Ziel der vorliegenden Ausführungsform ist daher die Unter
drückung der Erzeugung von Feinzeichnungsdatenflächen, die bei
der Bildung des Resistmusters nicht kritisch sind und in der
Verkürzung der erforderlichen Zeichenzeit durch die Reduzierung
der Anzahl der Feinzeichnungsdatenflächen.
Ein Flußablaufdiagramm für dieses Verfahren ist in Fig. 22 ge
zeigt. In diesem Verfahren wird eine Seite, die im rechten
Winkel zu den beiden Seiten verläuft, die mit der kurzen Seite
verbunden sind vom Mittelpunkt der kurzen Seite aus erzeugt,
neue Überschneidungspunkte zwischen dieser neu erzeugten Seite
und den Verlängerungen der beiden Seiten, die mit der kurzen
Seite verbunden sind werden erzeugt und die beiden ursprüng
lichen Schnittpunkte an den Enden der kurzen Seite werden an
schließend gelöscht. Das Ergebnis der Trennung der geomet
rischen Grundformen von dem Polygon nach diesem Editiervorgang
der kurzen Seite ist in Fig. 21B gezeigt. Es sei angemerkt,
daß es hier keine Feinzeichnungsdatenflächen gibt und daß die
Anzahl der Formen mit den in Fig. 21B gezeigten Polygon re
duziert wurden.
Den Fig. 21A und 21B kann weiterhin entnommen werden, daß die
vorliegende Ausführungsform die räumliche Präzision des Wider
standsmusters nur in der Fläche der kleinen geneigten Seiten
verbessert, und demzufolge eine kleinere Verbesserung der räum
lichen Präzision des Resistmusters darstellt, wie das Verfahren
der obigen dreizehnten Ausführungsform. Das Verfahren dieser
vierzehnten Ausführungsform reduziert jedoch wesentlich die
Anzahl der geometrischen Grundformen, die Feinzeichnungsdaten
flächen mit geneigten Seiten enthalten, die eine Länge über
Zeichenzeit erfordern, und weist dadurch den Effekt einer
wesentlichen Reduzierung der erforderlichen Zeichenzeit auf.
Das kurze Seiteneditierverfahren der obigen vierzehnten Ausfüh
rungsform erzeugt eine neue Seite, die mit den Verlängerungen
der beiden Seiten verbunden ist, die mit der kurzen Seite ver
bunden waren, und zwar vom Mittelpunkt der kurzen Seite aus und
ist dann effizient, wenn die Neigung der kleinen Seite fünfund
vierzig (45) Grad beträgt. Beträgt die Neigung der kleinen
Seite jedoch nicht fünfundvierzig (45) Grad, so wird sich das
gezeichnete Resistmuster an dem gebildeten Resistmuster ähn
licher sein, wenn die nicht-editierten Zeichendaten verwendet
werden, wenn die Zeichendaten durch die Erzeugung einer neuen
Seite erzeugt werden, die die Fläche der durch die kurze Seite
gebildete Dreieckseinheit zweiteilt, anstatt von dem Mittel
punkt der kurzen Seite aus. Ein Ablaufdiagramm dieses Verfah
rens ist in Fig. 23 gezeigt und ein spezielles Beispiel ist in
den Fig. 24A bis 24C gezeigt.
Wie von Fig. 24C gesehen werden kann, wird die neue Seite so
erzeugt, daß eine gleiche Fläche in der punktierten Fläche und
der strichschraffierten Fläche vorliegt.
Durch das Verwenden der durch die Editierung der kurzen Seiten
erzeugten Zeichnungsdaten gemäß des Verfahrens dieser Ausfüh
rungsform ist es möglich Muster zu bilden, die dem Muster,
welches gebildet würde, wenn die von den uneditierten Layout-
Daten erzeugten Zeichnungsdaten verwendet würden, ähnlicher
sind, bzw. abbildungsgetreuer wiedergegeben werden.
Während die fünfzehnte Ausführungsform der Erfindung eine neue
Seite erzeugt, die die Fläche der Dreieckseinheit, die durch
die kurze Seite gebildet wird, zweiteilt und hierdurch die
Zeichnung eines Musters ermöglicht, welches dem ursprünglichen
Layout-Muster getreuer entspricht, als dies durch das Editier
verfahren der vierzehnten Ausführungsform erreicht wird ist es
mit Hilfe der sechzehnten Ausführungsform möglich ein Muster zu
zeichnen, welches noch mehr dem Muster entspricht, welches ge
bildet würde, wenn die Zeichnungsdaten verwendet würden, die
von den uneditierten Layout-Daten bzw. Plandaten erzeugt
werden. Insbesondere bestimmt das Verfahren der sechzehnten
Ausführungsform experimentiell oder durch Simulation wo diese
Seite erzeugt werden sollte, wobei als Parameter die Länge der
kurzen Seite, die Winkel die durch die kurze Seite und die mit
dieser verbundenen Seiten gebildet werden, und die Tatsache,
auf welcher Seite der kurzen Seite sich die Zeichnungsdaten
fläche befindet (d. h. innerhalb oder außerhalb des Polygons)
verwendet werden. Diese Daten werden in den Datentabellen ge
speichert, auf welche dann während des Zeichendatenerzeugungs
verfahrens zur Editierung der kurzen Seiten zurückgegriffen
wird.
Ein Ablaufdiagramm dieses Vorgangs ist in Fig. 25 gezeigt.
Durch das Verwenden der Zeichnungsdaten, die nach der Editie
rung der kurzen Seiten erzeugt wurden, gemäß des Verfahrens der
vorliegenden Erfindung ist es möglich Muster zu bilden, die den
Mustern, die gebildet werden würden, würden die Zeichnungsdaten
verwendet, die von den uneditierten Layout-Daten erzeugt
werden, getreuer entspricht.
Das Verfahren der siebzehnten Ausführungsform der Erfindung be
zieht sich auf ein Zeichendatenerzeugungsverfahren, welches die
Ausführungssequenz des automatischen Anschrägteileditierprozes
ses steuert und der Dreiecke-Trennvorgang wird so gesteuert, daß
zuerst die Anschräglinien editiert werden und dann die drei
eckigen Formen getrennt werden.
Wenn der Dreiecke-Trennvorgang vor dem automatischen Anschräg
teileditiervorgang ausgeführt wird, dann werden die dreieckigen
Formen, die die angeschrägten Seiten enthalten, durch den Drei
ecketrennvorgang getrennt bevor sie durch den Anschrägteiledi
tiervorgang editiert werden können und nicht editierbare Fein
zeichnungsdatenflächen werden erzeugt. Ein Beispiel dieses
Sachverhalts ist in den Fig. 26A und 26C dargestellt.
Werden die Dreiecke zuerst von dem Polygon extrahiert, wie dies
in Fig. 26A gezeigt ist, so werden die Dreiecke, die die ange
schrägten Seiten enthalten von dem Bild herausgeschnitten, wie
dies in Fig. 26B gezeigt wird, und es werden nicht-editierbare
Feinzeichnungsdatenflächen erzeugt, wie dies in Fig. 26C ge
zeigt ist.
Dadurch, daß zuerst die angeschrägten Teile mit Hilfe der vor
liegenden Ausführungsform editiert werden, kann jedoch die Er
zeugung uneditierbarer Feinzeichnungsdatenflächen vermieden
werden und hierdurch können Zeichnungsdaten mit höherer Quali
tät erzeugt werden.
Das Verfahren der achtzehnten Ausführungsform stellt einen
alternativen Dreiecke-Trennvorgang dar, in welchem Dreiecke,
die eine angeschrägte Linie enthalten nicht durch den Drei
ecke-Trennvorgang ausgeschnitten werden. Dies wird durch die
Bewertung leicht geneigter Seiten erreicht, zur Bestimmung ob
solche Seiten angeschrägte Linien darstellen.
Ein Flußablaufdiagramm dieses Vorgangs ist in Fig. 27 gezeigt.
Zeichendaten mit hoher Qualität können mit Hilfe dieser Aus
führungsform erzeugt werden, da nicht-editierbare Feinzeich
nungsdatenflächen selbst dann nicht erzeugt werden, wenn der
Dreiecke-Trennvorgang vor der Editierung der angeschrägten
Linien ausgeführt wird.
Das Verfahren der neunzehnten Ausführungsform stellt ein alter
natives Verfahren der Geometrische-Grundformen-Trennfunktion
dar, die Polygone in grundlegende geometrische Formen unter
teilt.
Ein Flußablaufdiagramm dieses Verfahrens ist in Fig. 28 gezeigt
und ein spezielles Beispiel ist in den Fig. 29A und 29B darge
stellt.
Mit Hilfe dieses Verfahrens werde alle einsetzbaren Trennlinien
zuerst innerhalb des Polygones von jedem Scheitelpunkt des Poly
gons eingesetzt. Wenn sich die eingesetzten Trennlinien über
schneiden, so werden die überschneidenden Trennlinien am Punkt
der Überschneidung in zwei Liniensegmente unterteilt. In dem in
Fig. 29A gezeigten Beispiel sind fünf Trennlinien "a" bis "e"
eingesetzt.
Die Seiten des Polygons, die parallel zu den eingesetzten Trenn
linien verlaufen werden dann detektiert, und der Abstand zwi
schen der Trennlinie und der detektierten parallelen Seite wird
bestimmt. Wenn dieser Abstand kleiner oder gleich der vorbe
stimmten Feinzeichnungsdatenausdehnung ist so wird ein konstan
ter positiver Wert (die "Kosten") dieser Trennlinie zugeordnet.
Diese Kosten sind der Verschlechterung der Musterpräzision, die
mit der Linie verbunden sind zugeordnet, d. h. je kleiner der
Abstand ist (die Breite der Fläche, die durch die Trennlinie und
die parallele Seite gebildet werden), desto größer ist die Ver
schlechterung der Musterpräzision. Der zugeordnete Kostenwert
wird dementsprechend hoch gesetzt. Wenn der Abstand (die Breite
der Fläche, die durch die Trennlinie und die parallele Seite
gebildet wird) größer als die Feinzeichnungsdatenausdehnung ist
so ist der zugeordnete Kostenwert gleich null (0).
Es wird dann bestimmt, ob eine Trennlinie eine Fläche mit kri
tischer Ausdehnung teilt. Ein ähnlicher Kostenwert wird jeder
Trennlinie zugeordnet, die eine Fläche mit kritischen Dimen
sionen teilt.
Die Summe der Kosten und der Trennlinienlängen werden dann für
jede Trennlinie erhalten und die Trennlinien werden in einer
Reihenfolge ausgewählt, die mit den Linien die die geringste
Summe aufweisen beginnen. Wird nun eine geometrische Grund
form durch die ausgewählte Trennlinie und die Polygonseiten
gebildet so wird diese Form ausgeschnitten.
Mit Bezug auf die Fig. 29A und 29B erzeugen die Trennlinien "a"
und "e" Feinzeichnungsdatenflächen und weisen dementsprechend
einen hohen Kostenwert auf. Die Trennlinien "b", "c" und "d"
werden dementsprechend zuerst ausgewählt und als Ergebnis hier
von werden keine Feinzeichnungsdatenflächen erzeugt.
Der gesamte Zeichendatenerzeugungsvorgang kann noch schneller
unter der Verwendung der vorliegenden Ausführungsform ausge
führt werden, als dies in der Verwendung des Verfahrens mög
lich ist, welches als die neunte Ausführungsform beschrieben
wurde. Dies rührt daher, daß das Verfahren der neunten Ausfüh
rungsform die besten Ergebnisse auswählt, nach dem alle mög
lichen Trennlinienkombinationen berücksichtigt worden sind,
während das Verfahren der vorliegenden Ausführungsform die
Trennlinien sequentiell auswählt, wobei mit den Trennlinien
begonnen wird, die keine Feinzeichnungsdatenflächen verursachen.
Die unnötige Verarbeitung von Daten wird hierdurch vermieden
und der Vorgang kann schneller ausgeführt werden.
Claims (27)
1. Verfahren zur Erzeugung von Musterdaten zum Zeichnen mit einem
geladenen Strahl, wobei aus den vorliegenden Eingangsdaten, die ein Polygon
darstellen, Flächen kritischer Ausdehnung, d. h. Flächen, die eine kritische Breite
besitzen und daher eine hohe räumliche Präzision beim Zeichnen erfordern,
abgetrennt werden, und wobei die nach dem Abtrennen verbleibenden
Polygondaten in Grundformen wie Rechtecke unterteilt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß durch das
Abtrennen innerhalb des Polygons erzeugte interne Seiten detektiert werden und
daß diese internen Seiten nicht als mögliche Seiten für das Abtrennen verwendet
werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das
Abtrennen unterbrochen wird, wenn als Ergebnis des Abtrennens
Feinzeichnungsdaten erzeugt werden.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß
der Abtrennvorgang eine Mehrzahl von kritischen Ausdehnungswerten definiert.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß
der Abtrennvorgang, eine Prioritätsreihenfolge für die Mehrzahl der kritischen
Ausdehnungswerte definiert.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch einen
Vorgang zum Abtasten der Polygonweiten zur automatischen Extraktion kritischer
Ausdehnungen, und
einen Vorgang zur Eingabe der extrahierten kritischen Ausdehnungen an den
Abtrennvorgang.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß
ein Dreiecke-Trennvorgang zum Abtrennen von rechtwinkligen
Dreieckskomponenten aus den vorliegenden Eingangsdaten vor dem Abtrennen
der Flächen kritischer Ausdehnung durchgeführt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Dreiecke-
Trennvorgang keine Dreiecke abtrennt, die eine leicht geneigte Seite aufweisen.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß
eine Mehrzahl von Abtrennergebnissen durch sequentielles Einsetzen von
Trennlinien von jedem der Scheitelpunkte des Polygons gebildet werden und daß
die besten Abtrennergebnisse der gebildeten Abtrennergebnisse auf der Grundlage
eines vorbestimmten Bewertungsstandards ausgewählt werden.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das
Abtrennergebnis ausgewählt wird, dessen Summe der Längen der entsprechenden
Seiten der Feinzeichnungsdaten, die die räumliche Präzision des Musters
beeinflussen, am geringsten ist.
11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß die
Längen von Seiten von feinen Formen, die die räumliche Präzision eines
Resistmusters beeinflussen, für die Abtrennergebnisse für jede Kombination von
Trennlinien während des Einsetzens von Trennlinien berechnet werden und daß
das Abtrennergebnis ausgewählt wird, für welches der berechnete Wert am
kleinsten ist.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß
keine Trennlinien eingesetzt werden, wenn das Einsetzen der Trennlinie
Feinzeichnungsdaten erzeugt.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß
keine Trennlinie eingesetzt wird, wenn das Einsetzen der Trennlinie eine Fläche
kritischer Ausdehnung teilt.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß
nach dem Einsetzen aller einsetzbaren Trennlinien in das Innere des Polygons
jeder Trennlinie ein Kostenwert zugeordnet wird und sequentiell die Trennlinien
extrahiert werden, für die die Summe des Kostenwertes und der Länge der
Trennlinie am geringsten ist, und daß
geometrische Grundformen, die durch diese ausgewählten Trennlinien und die
Seiten des Polygons gebildet sind, für jede Trennlinie, die Feinzeichnungsdaten
erzeugt oder eine Fläche kritischer Ausdehnungen teilt, abgetrennt werden.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, gekennzeichnet durch einen
Feinzeichnungsdateneditierungsvorgang zum Editieren von Feinzeichnungsdaten,
die nicht durch das Abtrennen nach einem der Ansprüche 1 bis 14 verarbeitet
werden können, mit Hilfe eines manuellen Vorganges.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß
vor dem Abtrennen ein automatischer Editiervorgang zur Unterdrückung der
Erzeugung von Feinzeichnungsdaten durch das Löschen oder Korrigieren
unnötiger angeschrägter Teile durchgeführt wird.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß
vor dem Abtrennen ein automatischer Editiervorgang zum Unterdrücken der
Erzeugung von Feinzeichnungsdaten durch die Korrektur von leicht geneigten
Seiten, die keine angeschrägten Teile darstellen, durchgeführt wird.
18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß der
automatische Editiervorgang leicht geneigte Seiten, die keine angeschrägten Teile
darstellen, dadurch korrigiert, daß eine neue Seite erzeugt wird, die eine Fläche
einer Dreieckseinheit, die durch die leicht geneigte Seite gebildet wird, zweiteilt.
19. Verfahren nach Anspruch 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, daß der
automatische Editiervorgang leicht geneigte Seiten korrigiert, die keine
Anschrägteile sind, in dem eine neue Seite erzeugt wird, nachdem für jede leicht
geneigte Seite auf Ergebnisse, die durch Simulation oder Experimentieren erhalten
wurden, zum Bestimmen, ob eine neue Seite erzeugt werden soll, Bezug genom
men wurde, wobei als Parameter verwendet werden:
die Länge der leicht geneigten Seite,
der Winkel, der durch die leicht geneigte Seite und eine zweite sich daran anschließende Seite gebildet wird, und
welche Seite der leicht geneigten Seite durch einen Elektronenstrahl gezeichnet wird.
die Länge der leicht geneigten Seite,
der Winkel, der durch die leicht geneigte Seite und eine zweite sich daran anschließende Seite gebildet wird, und
welche Seite der leicht geneigten Seite durch einen Elektronenstrahl gezeichnet wird.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 19, dadurch gekennzeichnet,
daß der Dreiecke-Trennvorgang nach dem automatischen Editiervorgang
ausgeführt wird.
21. Vorrichtung zur Erzeugung von Musterdaten zum Zeichnen mit einem
geladenen Strahl mit einer Trenneinrichtung, die aus den vorliegenden
Eingangsdaten, die ein Polygon darstellen, Flächen kritischer Ausdehnung, d. h.
Flächen, die eine kritische Breite besitzen und daher eine hohe räumliche Präzision
beim Zeichnen erfordern, abtrennt, und einer Aufteileinrichtung, die nach dem
Abtrennen verbleibende Polygondaten in Grundformen wie Rechtecke unterteilt.
22. Vorrichtung nach Anspruch 21 mit einer Dreiecke-Trenneinrichtung zum
Abtrennen rechtwinkliger Dreieckskomponenten aus den vorliegenden
Eingangsdaten.
23. Vorrichtung nach Anspruch 21 oder 22 mit
einer automatischen Extraktionseinrichtung zum Abtasten von Polygonbreiten zur automatischen Extraktion der kritischen Ausdehnungen und
einer Einrichtung zur Eingabe der extrahierten kritischen Ausdehnungen an die Trenneinrichtung.
einer automatischen Extraktionseinrichtung zum Abtasten von Polygonbreiten zur automatischen Extraktion der kritischen Ausdehnungen und
einer Einrichtung zur Eingabe der extrahierten kritischen Ausdehnungen an die Trenneinrichtung.
24. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 21 bis 23 mit einer Geometrische-
Grundformen-Trenneinrichtung, die eine Mehrzahl von Abtrennungsergebnissen
durch sequentielles Einsetzen von Trennlinien von jedem der Scheitelpunkte des
Polygons bildet und die die besten Abtrennergebnisse der gebildeten
Abtrennergebnisse auf der Grundlage eines vorbestimmten Bewertungsstandards
auswählt.
25. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 21 bis 24 mit einer
Feinzeichnungsdateneditiereinrichtung zum Editieren von Feinzeichnungsdaten,
die nicht durch einen Geometrische-Grundformen-Trennvorgang verarbeitet
werden können, unter Verwendung eines manuellen Vorganges.
26. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 21 bis 25 mit einer automatischen
Editiereinrichtung zur Unterdrückung von Feinzeichnungsdaten durch das Löschen
oder die Korrektur unnötiger Anschrägteile des Polygons.
27. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 21 bis 26 mit einer automatischen
Editiereinrichtung zur Unterdrückung der Erzeugung von Feinzeichnungsdaten
durch die Korrektur von leicht geneigten Seiten des Polygons, die keine
Anschrägteile darstellen.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10576595A JP3549282B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 荷電ビーム描画データ作成方法およびその作成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19546769A1 DE19546769A1 (de) | 1996-10-31 |
DE19546769C2 true DE19546769C2 (de) | 1998-01-29 |
Family
ID=14416291
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19546769A Expired - Fee Related DE19546769C2 (de) | 1995-04-28 | 1995-12-14 | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von Musterdaten |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5812412A (de) |
JP (1) | JP3549282B2 (de) |
DE (1) | DE19546769C2 (de) |
GB (1) | GB2300281B (de) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6289116B1 (en) * | 1996-09-27 | 2001-09-11 | Semiconductor Insights, Inc. | Computer-assisted design analysis method for extracting device and interconnect information |
CA2216900C (en) | 1996-10-01 | 2001-12-04 | Semiconductor Insights Inc. | Method to extract circuit information |
JPH10223526A (ja) * | 1996-12-06 | 1998-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | 荷電ビーム描画データ作成装置および方法ならびに荷電ビーム描画データ作成方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した機械可読な記憶媒体 |
JPH10335202A (ja) * | 1997-05-28 | 1998-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビームデータ生成装置 |
US6178360B1 (en) * | 1998-02-05 | 2001-01-23 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for determining optimum exposure threshold for a given photolithographic model |
JP3396629B2 (ja) | 1998-07-29 | 2003-04-14 | 松下電器産業株式会社 | マスクパターン補正方法 |
US6415432B1 (en) | 1999-04-21 | 2002-07-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lithography pattern data generation method, lithography pattern fabrication method and charged particle lithography system |
JP2002190443A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Hitachi Ltd | 露光方法およびその露光システム |
US6718532B2 (en) * | 2001-02-23 | 2004-04-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charged particle beam exposure system using aperture mask in semiconductor manufacture |
JP4759842B2 (ja) * | 2001-05-17 | 2011-08-31 | 大日本印刷株式会社 | 可変成形型描画装置用の描画図形データの検証ツール |
JP2002367891A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 分割図形データ検証装置および描画用のソースデータの修正方法 |
US6745372B2 (en) * | 2002-04-05 | 2004-06-01 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for facilitating process-compliant layout optimization |
US7448012B1 (en) | 2004-04-21 | 2008-11-04 | Qi-De Qian | Methods and system for improving integrated circuit layout |
JP4068081B2 (ja) * | 2004-05-26 | 2008-03-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線描画装置 |
US7278129B2 (en) * | 2004-09-09 | 2007-10-02 | Micronic Laser Systems Ab | Healing algorithm |
JP2006202867A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 領域分割装置、パターン描画装置、領域分割方法およびプログラム |
JP4770360B2 (ja) * | 2005-09-26 | 2011-09-14 | 富士通株式会社 | 投影制御処理を行うcadプログラム、cad装置およびcadシステム |
JP2008076922A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Toppan Printing Co Ltd | 可変成形描画装置の図形データ分割方法及び可変成形描画装置 |
JP5809419B2 (ja) * | 2011-02-18 | 2015-11-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5810642B2 (ja) * | 2011-06-06 | 2015-11-11 | 大日本印刷株式会社 | マスクデータ生成方法及びそれを用いたマスクの製造方法 |
KR101888940B1 (ko) * | 2012-03-28 | 2018-08-17 | 삼성전자주식회사 | 패턴 레이아웃을 디자인하는 방법 |
US9122828B2 (en) * | 2013-05-17 | 2015-09-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and method for designing an integrated circuit layout having a plurality of cell technologies |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5366847A (en) * | 1992-02-24 | 1994-11-22 | Trw Inc. | Method and apparatus for optimizing semiconductor exposure process |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4132898A (en) * | 1977-11-01 | 1979-01-02 | Fujitsu Limited | Overlapping boundary electron exposure system method and apparatus |
JPS5712520A (en) * | 1980-06-26 | 1982-01-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Dividing method of figure by exposing in electron beam radiation |
JPS57204125A (en) * | 1981-06-10 | 1982-12-14 | Hitachi Ltd | Electron-ray drawing device |
US4718019A (en) * | 1985-06-28 | 1988-01-05 | Control Data Corporation | Election beam exposure system and an apparatus for carrying out a pattern unwinder |
JPS6394623A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-25 | Hitachi Ltd | 描画装置 |
US4890239A (en) * | 1987-10-20 | 1989-12-26 | Shipley Company, Inc. | Lithographic process analysis and control system |
US4943729A (en) * | 1987-12-18 | 1990-07-24 | Hitachi, Ltd. | Electron beam lithography system |
JPH01175737A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Toshiba Corp | 荷電ビーム描画方法 |
US5434795A (en) * | 1990-01-11 | 1995-07-18 | Fujitsu Limited | Method of forming pattern having optical angle in charged particle exposure system |
JPH0463419A (ja) * | 1990-07-03 | 1992-02-28 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画方法 |
US5251140A (en) * | 1991-07-26 | 1993-10-05 | International Business Machines Corporation | E-beam control data compaction system and method |
JP3105580B2 (ja) * | 1991-07-29 | 2000-11-06 | 富士通株式会社 | 荷電粒子線描画用マスク作成方法及びマスク |
JP2725927B2 (ja) * | 1991-12-18 | 1998-03-11 | 三菱電機株式会社 | 荷電ビーム描画データ作成方法 |
JP3159810B2 (ja) * | 1992-11-30 | 2001-04-23 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画方法及びその装置 |
EP0608657A1 (de) * | 1993-01-29 | 1994-08-03 | International Business Machines Corporation | Vorrichtung und Verfahren zur Verarbeitung von Formdaten zur Korrektur von Streveffekten |
JPH07221003A (ja) * | 1994-02-04 | 1995-08-18 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム描画パターン形成方法 |
JPH08330203A (ja) * | 1995-06-02 | 1996-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | 荷電ビーム描画データ作成装置及び荷電ビーム描画システム |
-
1995
- 1995-04-28 JP JP10576595A patent/JP3549282B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1995-09-28 US US08/535,729 patent/US5812412A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-12-14 DE DE19546769A patent/DE19546769C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-04-26 GB GB9608723A patent/GB2300281B/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5366847A (en) * | 1992-02-24 | 1994-11-22 | Trw Inc. | Method and apparatus for optimizing semiconductor exposure process |
Non-Patent Citations (6)
Title |
---|
JP 04-83329 A, mit englischem Abstract in: PatentsAbstracts of Japan, E1228, 1992, Vol. 16, No. 303 * |
JP 05-166706 A, mit englischem Abstract in: Patents Abstracts of Japan, E-1447, 1993, Vol. 17,No. 568 * |
No. 226, JP 01-33929 A * |
Patents Abstracts of Japan E-763, 1989, Vol. 13 * |
Patents Abstracts of Japan, E-276, 1984, Vol. 8, No. 239, JP 59-119831 A * |
Patents Abstracts of Japan, E-609, 1988, Vol. 12, No. 162, JP 62-273719 A * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB9608723D0 (en) | 1996-07-03 |
JP3549282B2 (ja) | 2004-08-04 |
GB2300281A (en) | 1996-10-30 |
GB2300281B (en) | 1999-11-17 |
DE19546769A1 (de) | 1996-10-31 |
JPH08306608A (ja) | 1996-11-22 |
US5812412A (en) | 1998-09-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19546769C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von Musterdaten | |
DE69830782T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Korrektur des optischen Proximity-Effekts | |
DE2909153C2 (de) | Einrichtung zur digitalen Analyse von Bild- oder Zeichenmustern | |
EP0467076B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Mikrostrukturen auf einem lichtempfindlich beschichteten Substrat durch fokussierte Laserstrahlung | |
DE3006578C2 (de) | ||
DE19729600A1 (de) | Mustervergleichsüberprüfungssystem und -verfahren, die ein Grauwertpunktraster verwenden | |
DE112009001476T5 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterstrukturen und mittels solcher Verfahren erhaltene Halbleiterstrukturen | |
WO2002045014A2 (de) | Verfahren und vorrichtung zur bestimmung von eigenschaften einer integrierten schaltung | |
DE3825892C2 (de) | Verfahren zum Zeichnen eines Musters auf eine Leiterplatte in einer Elektronenstrahl-Direktzeichenvorrichtung | |
DE10209594A1 (de) | Verfahren zum Bilden einer Maske für Ladungsteilchenstrahl- Belichtung und Programm zum Verarbeiten von Strukturdaten zum Bilden einer derartigen Maske | |
DE19513960A1 (de) | Abbildung eines Graphen in einen Speicher | |
DE10205330A1 (de) | Verfahren zur Korrektur optischer Nachbarschaftseffekte | |
EP1146393B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Masken für die Fertigung von Halbleiterstrukturen | |
DE102008046505B4 (de) | Verfahren zur Bildverarbeitung von Stereobildern | |
DE10304674B4 (de) | Verfahren zum Belichten eines Substrates mit einem den optischen Proximity-Effekt ausgleichenden Strukturmuster | |
DE2721704A1 (de) | Korpuskularoptikvorrichtung | |
DE10393430T5 (de) | Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters | |
DE2446789A1 (de) | Korpuskularstrahloptisches geraet zur korpuskelbestrahlung eines praeparats | |
DE102021119949A1 (de) | Geometrische maskenregelkontrolle mit günstigen und ungünstigen zonen | |
EP0177717B1 (de) | Verfahren zur automatischen Positionierung einer Korpuskularsonde | |
DE10234464B4 (de) | Verfahren zum Erzeugen von Daten für die Maskenlithographie | |
DE112016007447T5 (de) | Verfahren zum Vergleichen einer ersten Zeichnung mit einer zweiten Zeichnung durch Vergleichen ihrer Zeichnungselemente | |
DE102005039394A1 (de) | Verfahren zum Suchen potentieller Fehler eines Layouts einer integrierten Schaltung | |
DE10149021B4 (de) | Datenverarbeitungssystem zum Entwurf eines Layouts einer integrierten elektronischen Schaltung aus einer Vielzahl von elektronischen Bauelementen | |
WO2000060415A1 (de) | Verfahren zur korrektur von abbildungsfehlern |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |