DE19534780A1 - Verfahren zum Erzeugen sehr kleiner Strukturweiten auf einem Halbleitersubstrat - Google Patents
Verfahren zum Erzeugen sehr kleiner Strukturweiten auf einem HalbleitersubstratInfo
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Description
Verfahren zum Erzeugen sehr kleiner Strukturweiten auf einem
Halbleitersubstrat.
In integrierten MOS-Schaltungen werden Transistoren mit mini
maler Gatelänge als Treiber und solche mit minimaler Weite
als aktive Lastelemente eingesetzt. Im Fall von Lastelementen
wirkt sich die Transistorweite direkt auf die Gate-Kapazität,
die eine kapazitive Last für die vorhergehende Stufe bildet,
und den Widerstandswert für ein aktives Lastelement aus. In
bekannten Herstellverfahren für integrierte MOS-Schaltkreise
ist die minimale Transistorweite durch die minimale aktive
Bahnbreite bei Erzeugung der Feldisolation durch einen LOCOS-
(Local Oxidation of Silicon)-Prozeß bestimmt. Diese ist in
einer bestimmten Lithographie-Generation üblicherweise etwa
eineinhalb- bis zweimal so groß wie die minimale Gatelänge.
Es ist jedoch eine kleinere Transistorweite erwünscht, da
sich diese positiv auf Transistorfläche, Gatefläche und damit
Gateoxidausbeute sowie Eingangskapazität von aktiven Lastele
menten auswirkt.
Auch die Zellen nicht-flüchtiger Speicher wie Flotox-EEPROM-
oder Flash-Speicher sind mit MOS-Transistoren, also mit Ele
menten mit einem Source-, einem Kanal- und einem Drainbereich
gebildet. Die Information wird bei solchen Speicherzellen in
einem Floating-Gate über dem Kanalbereich, das von diesem
durch ein Gateoxid isoliert ist, gespeichert. Die Änderung
dieser Ladung durch Programmieren oder Löschen erfolgt durch
Fowler-Nordheim-Tunneln von Elektronen zwischen dem Floating-
Gate und dem Halbleitersubstrat durch ein sehr dünnes Dielek
trikum, das durch ein sehr dünnes Fenster, das Tunnelfenster,
im Gateoxid gebildet wird. Die dazu notwendige Spannung, ent
sprechend einer Feldstärke von über 10 MV/cm wird kapazitiv
über ein Steuergate eingekoppelt.
Die notwendige Spannung am Steuergate, um den Tunnelprozeß
einzuleiten, hängt von zwei Faktoren ab: Der Effizienz der
Einkopplung der an das Steuergate angelegten Spannung, das
heißt also vom Koppelfaktor, der im wesentlichen durch das
Flächenverhältnis des Steuergates zum Tunnelfenster gegeben
ist, sowie von der Dicke des Tunneloxids.
Eine möglichst kleine Programmierspannung erfordert ein klei
nes Tunnelfenster mit einem dünnen Tunneloxid bei möglichst
großen Überlapp des Steuergates über das Floating-Gate.
Bei Flash-Speicherzellen erfolgt das Tunneln in einem Über
lappbereich des Floating-Gates und des Drainbereichs. Bei der
Herstellung des Gateoxids durch thermische Oxidation der Ga
tebereiche in dem mittels eines LOCOS-Prozesses erzeugten
Feldoxid treten an den Feldoxidkanten Oxiddünnungen auf, die
zu einer inhomogenen Strominjektion führen und zu reduzierter
Oxidzuverlässigkeit führen. Diesen prozeßbedingten Dünnungen
muß durch ein entsprechend dickeres nominelles Tunneloxid
vorgehalten werden. Außerdem ist die minimale Tunneloxiddicke
durch das Auftreten von "anomalen Gateleckströmen" nach
Fowler-Nordheim-Injektion bei ultradünnen Oxiden die Oxid
dicke nach unten begrenzt.
Das bedeutet, daß für eine Reduzierung der Programmierspan
nung in erster Linie das Tunnelfenster verkleinert werden
muß, um einen hohen Koppelfaktor zu erreichen.
Dies kann in zwei Richtungen geschehen. Einmal durch Reduzie
rung des Überlappbereichs und zum anderen durch Reduzierung
der Kanalweite. Die Feldisolation erfolgt üblicherweise durch
einen LOCOS-Prozeß, so daß die Kanalweite durch die Struktur
auflösung der Fotolithographie nach unten begrenzt ist.
Bei EEPROM-Speicherzellen erfolgt das Tunneln über ein Tun
nelfenster im Gateoxid über dem Kanalbereich. Auch hier sind
die Abmessungen des Fensters durch die Strukturauflösung der
Fotolithographie begrenzt.
Die Aufgabe vorliegender Erfindung ist es, ein Verfahren zum
Erzeugen sehr kleiner Strukturweiten auf einem Halbleiter
substrat anzugeben, bei dem die Strukturweiten nicht durch
die Fotolithographie begrenzt werden.
Die Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen an
gegeben.
Gemäß Anspruch 1 wird zunächst eine Struktur aufgebracht, die
an der Stelle, an der die kleine Strukturweite erzeugt werden
soll, eine Kante aufweist. Danach wird eine erste Schicht ab
geschieden. Diese bedeckt die gesamte Oberfläche, also auch
die Kante. Diese erste Schicht wird anschließend anisotrop
zurückgeätzt, bis die horizontalen Anteile dieser Schicht
vollständig entfernt sind. Es bleibt dabei an der Kante ein
Rest stehen, dessen Breite etwa gleich der Dicke der abge
schiedenen Schicht ist. Diesen Rest bezeichnet man üblicher
weise als Spacer. Das Material der Struktur ist so gewählt,
daß es gegenüber dem Material der ersten Schicht selektiv ge
ätzt werden kann. Nach diesem Ätzen bleibt nur der Rest der
ersten Schicht, der Spacer, übrig. Dieser bildet eine Oxida
tionsbarriere bei der Oxidation der darunterliegenden
Schicht. Das heißt, es wird nur der Bereich außerhalb des
Spacers oxidiert.
Nach Entfernung des Spacers, wobei die Materialien so zu wäh
len sind, daß das Material des Spacers, also der ersten
Schicht selektiv gegenüber der darunterliegenden zweiten
Schicht und der zuvor erzeugten Oxidschicht geätzt werden
kann, bleibt eine den Abmessungen des Spacers entsprechende
kleine linienförmige Strukturweite in der Oxidschicht erhal
ten. Die Oxidschicht kann somit als Ätzmaske für die darun
terliegende zweite Schicht verwendet werden.
Bei anisotroper Atzung wird die darunterliegende Schicht nur
in die Tiefe geätzt, so daß sie nach Entfernen der Oxid
schicht als Ätzmaske für eine unter dieser liegenden Schicht
verwendet werden kann.
Wenn in erfindungsgemäßer Weise aufeinanderfolgende Schichten
jeweils selektiv geätzt werden können, kann die jeweils obere
Schicht als Ätzmaske für die darunterliegende Schicht verwen
det werden, wobei die Strukturweite bei anisotroper Ätzung
erhalten bleibt und etwa der Schichtdicke der ersten Schicht
entspricht, die gut reproduzierbar ist und kleiner gewählt
werden kann als die Strukturauflösung bekannter Lithographien
im optischen Bereich.
Bevorzugte Materialien sind Siliziumnitrid für die erste und
Polysilizium für die zweite Schicht. Diese können gegeneinan
der und auch gegen Siliziumoxid gut selektiv geätzt werden.
Die die Kante bildende Struktur ist bevorzugt mit TEOS
(Tetra-Ethyl-ortho-Silan) gebildet.
Die Erfindung läßt sich sowohl bei Feldisolation mittels
LOCOS-Prozeß als auch mit einer Siliziumoxid-Polysilizium-
Siliziumoxid-Sandwich-Isolationsschicht anwenden. Im ersten
Fall muß zwischen der Oxidschicht und der zweiten Schicht,
die bevorzugt eine Polysiliziumschicht ist, eine Schicht ab
geschieden sein, gegenüber der Siliziumoxid selektiv geätzt
werden kann. Bevorzugt wird hier Siliziumnitrid verwendet.
Die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erzeugbare kleine
Strukturweite läßt sich in vorteilhafter Weise sowohl zur Er
zeugung sehr schmaler Gates bei MOS-Transistoren zur Bildung
aktiver Lastelemente als auch sehr kleiner Tunnelfenster bei
Flotox-EEPROM-Speicherzellen als auch sehr kleiner Kanalbrei
ten bei Flash-Speicherzellen verwenden.
Die Erfindung soll nachfolgend anhand von Ausführungsbeispie
len mit Hilfe von Figuren näher erläutert werden. Dabei zei
gen:
Fig. 1A bis 1H in schematischer Weise die erfindungsge
mäße Abfolge eines Herstellprozesses einer
kleinen Strukturweite bei einer Oxid-Poly
silizium-Oxid-Sandwich-Isolation,
Fig. 2A bis 2F in schematischer Weise den erfindungsge
mäßen Ablauf eines Herstellprozesses einer
kleinen Strukturweite bei einer Feldisola
tion mittels LOCOS-Prozeß und
Fig. 3 den Querschnitt durch eine Flash-Speicher
zelle mit einem erfindungsgemäßen schmalen
Kanal in einer Oxid-Polysilizium-Oxid-
Sandwich-Isolationsschicht.
In den Fig. 1A bis 1H sind die einzelnen Schritte eines
Herstellprozesses zum Erzeugen einer kleinen Strukturweite
auf einem Halbleitersubstrat dargestellt. Gleiche Schichten
haben dabei gleiche Bezugszeichen.
Auf einem Halbleitersubstrat 1 ist eine Dünnoxidschicht 2
erzeugt worden. Darauf ist eine dotierte Polysiliziumschicht
3 abgeschieden worden, auf der eine Oxidschicht 4 erzeugt
wurde. Oberhalb dieser Oxid-Polysilizium-Oxid-Sandwich-Isola
tionsschicht 2, 3, 4 ist nochmals eine Polysiliziumschicht 5
abgeschieden worden. Darüber wurde eine TEOS-Schicht abge
schieden und mittels Fotolithographie strukturiert, so daß
eine Struktur 7 mit einer steilen Kante entstand. Über diese
Struktur 7 und die freie Flache der Polysiliziumschicht 5
wurde eine Siliziumnitridschicht 6 abgeschieden. Dieser Zu
stand ist in Fig. 1A dargestellt.
Die Siliziumnitridschicht 6 wird anisotrop zurückgeätzt, so
daß nur an der Kante der Struktur 7 ein Rest 8 - eine soge
nannter Spacer - dieser Siliziumnitridschicht 6 stehen
bleibt. Anschließend wird die Struktur 7 entfernt und die
darunter liegende Polysiliziumschicht 5 oxidiert. Der an der
Kante der Struktur 7 zurückgebliebene Spacer 8 wirkt als Oxi
dationsbarriere, so daß nur um ihn herum die Polysilizium
schicht 5 oxidiert wird und eine Oxidschicht 9 außerhalb des
Spacerbereiches 8 herum bildet. Dieser Zustand ist in Fig.
1B dargestellt.
Anschließend wird der Spacer 8 entfernt. Dafür ist es nötig,
daß er selektiv sowohl gegenüber dem Siliziumoxid als auch
gegenüber dem Polysilizium geätzt werden kann. Diese Bedin
gung ist durch die Verwendung von Siliziumnitrid für die
erste Schicht erfüllt. Es können aber auch anderer Materia
lien verwendet werden, wesentlich ist, daß sie gegeneinander
selektiv geätzt werden können.
In Fig. 1C ist nun dargestellt, wie gleichzeitig zu der
kleinen Strukturweite in herkömmlicher Weise mittels einer
Fotomaske 10 eine weitere Struktur erzeugt werden kann. Die
Fotomaske 10 dient dazu, Bereiche in der Siliziumoxidschicht
9 zu ätzen. Anschließend wird die Fotomaske 10 wieder ent
fernt und mittels der als Ätzmaske dienenden Oxidschicht 9
das darunter liegenden Polysilizium 5 anisotrop geätzt. Die
ser Zustand ist in Fig. 1D dargestellt.
Wie in Fig. 1E dargestellt ist, wird anschließend das Sili
ziumoxid 9 anisotrop geätzt, wodurch gleichzeitig die Oxid
schicht 4 strukturiert wird.
Anschließend wird die Polysiliziumschicht 5 anisotrop geätzt,
wodurch gleichzeitig die Polysiliziumschicht 3 strukturiert
wird. Dieser Zustand ist in Fig. 1F dargestellt.
Wie in Fig. 1G gezeigt ist, wird nun die Dünnoxidschicht 2
geätzt, wodurch auch die obere Oxidschicht 4 angeätzt wird.
Anschließend wird, wie in Fig. 1H dargestellt ist, das frei
gelegte Halbleitersubstrat 1 thermisch bis zu einer gewünsch
ten Oxiddicke oxidiert. Dadurch werden auch die zuvor freige
legten Kanten der Polysiliziumschicht 2 mit einem Oxid abge
deckt und somit wieder isoliert.
In Fig. 1H ist nun im rechten Teil eine "normale" Struktur
weite dargestellt, wie sie durch einen herkömmlichen Fotolitho
graphieschritt hergestellt werden kann und in dem linken
Teil eine sehr kleiner Strukturweite, wie sie durch das er
findungsgemäße Verfahren realisiert werden kann.
Diese kleine Strukturweite kann beispielsweise der Quer
schnitt durch den Kanal einer Flash-Speicherzelle sein. Hier
zu muß, wie in Fig. 3 dargestellt ist, eine leitfähige
Schicht 11 als Floating-Gate aufgebracht werden, über der
durch eine Isolationsschicht 12 getrennt eine weitere leitfä
hige Schicht 13 als Steuergate abgeschieden ist. Durch diese
kleine Strukturweite kann ein sehr schmaler Tunnelbereich er
zeugt werden, wodurch ein günstiger Koppelfaktor möglich ist,
der wiederum eine-geringere Programmier- bzw. Löschspannung
erlaubt. Außerdem wird durch diese kleine Kanalbreite die
Speicherzelle kleiner.
Die kleine Strukturweite kann jedoch auch für "normale" MOS-
Transistoren, die als aktive Lastelemente eingesetzt werden,
in vorteilhafter Weise genutzt werden, da hierdurch Transi
storen sehr geringer Weite hergestellt werden können, die
eine geringe Gatefläche und somit eine geringe Gatekapazität
haben.
Die Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens bei einer
Feldoxidisolation, wie sie beispielsweise bei Flotox-EEPROM-
Speicherzellen üblich ist, zeigen die Fig. 2A bis 2F.
Bei Flotox-EEPROM-Speicherzellen ist das Floating-Gate durch
ein dünnes Gateoxid vom Kanalbereich getrennt. Um kleinere
Programmier- und Löschspannungen zu erreichen, ist es nötig,
ein in diesem Gateoxid liegendes kleines Tunnelfenster, des
sen Oxiddicke dünner als das Gateoxid sein soll, zu erzeugen.
Die einzelnen Schritte zur Erzeugung dieses kleinen Tunnel
fensters sind in den Fig. 2A bis 2F dargestellt.
Bei der Darstellung in Fig. 2A wurde auf einem Halbleiter
substrat 100 ein Feldoxid 20 mittels eines LOCOS-Prozesses
strukturiert und ein Gateoxid 30 erzeugt. Darauf wurde eine
Siliziumnitridschicht 40 abgeschieden und auf der wiederum
eine Polysiliziumschicht 50. Auf der Polysiliziumschicht 50
wurde eine TEOS-Schicht abgeschieden, die mittels herkömmli
cher Fotolithographie strukturiert wurde, so daß eine Struk
tur 60 entstand. Über diese Struktur 60 und die Polysilizium
schicht 50 wurde eine Siliziumnitridschicht abgeschieden und
anschließend anisotrop zurückgeätzt, so daß an den Kanten der
Struktur 60 Spacer 70 verbleiben. Dieser Zustand ist in Fig.
2A dargestellt.
Nach dem selektiven Entfernen der Struktur 60 wird die Poly
siliziumschicht 50 oxidiert, so daß um den als Oxidationsbar
riere wirkenden Spacer 70 eine Oxidschicht 80, wie in Fig.
2B dargestellt, entsteht. Nach dem Entfernen des Spacers 70
wird die Oxidschicht 80 als Ätzmaske für die darunter liegen
de Polysiliziumschicht 50 verwendet. Dieser Zustand ist in
Fig. 2C dargestellt.
Anschließend wird die Oxidschicht 80 entfernt und die darun
ter liegende Polysiliziumschicht 50 als Ätzmaske für die un
ter dieser liegenden Siliziumnitridschicht 40 verwendet.
Die Siliziumnitridschicht 40 ist nötig, damit beim Entfernen
der Oxidschicht 80 nicht auch das Feld- und das Gateoxid an
gegriffen werden. Fig. 2D zeigt den Zustand mit der bereits
strukturierten Siliziumnitridschicht 40.
Anschließend wird die Polysiliziumschicht 50 entfernt und das
Gateoxid mittels der als Ätzmaske dienenden Siliziumnitrid
schicht 40 bis zum Halbleitersubstrat 100 zurückgeätzt. Die
ser Zustand ist in Fig. 2E dargestellt.
Anschließend wird die Siliziumnitridschicht 40 entfernt und
durch thermische Oxidation in der auf erfindungsgemäße Weise
erzeugten kleinen Strukturweite 90, die das Tunnelfenster
darstellt, ein dünnes Tunneloxid erzeugt. Dies ist in Fig.
2F dargestellt.
Da der Spacer 70 gemäß Fig. 2A an der Kante einer Struktur
60 erzeugt wird, liegt der die kleine Strukturweite bildende
Graben immer in Form eines geschlossenen Ringes vor. Bei
einem Flotox-EEPROM-Speicherzellenfeld kann dieser Ring immer
das Tunnelfenster von zwei spiegelsymmetrischen Speicherzel
len definieren.
Soll der Ring aufgetrennt werden, so ist ein weiterer Foto
technikschritt nötig, mit dem man den Nitridsteg unmittelbar
vor der Oxidation der Polysiliziumschicht 50 strukturieren
kann.
Mit der vorgeschlagenen Prozeßführung lassen sich Tunnelfen
ster in Form von extrem schmalen Streifen herstellen. Deren
Fläche ist bis zu einem Faktor 10 kleiner, als sie mit her
kömmlicher Technik erzeugt werden kann.
Claims (8)
1. Verfahren zum Erzeugen einer sehr kleinen Strukturweite
auf einem Halbleitersubstrat (1; 100) durch Erzeugen einer
Mikrostruktur (8; 70) als Ergebnis einer anisotropen Ätzung
einer über eine Kante abgeschiedenen ersten Schicht (6) und
Entfernen der die Kante bildenden Struktur (7; 60),
wobei die Weite der Mikrostruktur (8; 70) etwa gleich der
Dicke der abgeschiedenen ersten Schicht (6) ist und die Mi
krostruktur (8; 70) eine Oxidationsbarriere bei einer Oxida
tion einer unter der Mikrostruktur (8; 70) liegenden zweiten
Schicht (5; 50) ist, so daß das um die Mikrostruktur (8; 70)
erzeugte Oxid (9; 80) nach Entfernen der Mikrostruktur (8;
70) als Ätzmaske für die darunter liegende(n) Schicht(en)
dient,
wobei die Eigenschaften der Materialien der ersten und zwei
ten Schicht sowie des Oxids derart beschaffen sind, daß sie
jeweils selektiv geätzt werden können.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die erste Schicht (6) mit Siliziumnitrid und die zweite
Schicht (5; 50) mit Polysilizium gebildet ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß auf das Halbleitersubstrat (1) und unter der zweiten
Schicht (5; 50) eine Oxid-Polysilizium-Oxid-Sandwich-Isolati
onsschicht (2, 3, 4) aufgebracht ist.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß auf das Halbleitersubstrat (10) und unter der zweiten
Schicht (50) eine Feldoxidschicht (20) mit Gateoxidbereichen
(30) mit darüberliegender Nitridschicht (40) aufgebracht ist.
5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet,
daß die jeweils oberste Schicht als Ätzmaske für die darunter
liegende Schicht verwendet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 3 oder 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die kleine Strukturweite die Gateweite bei einem MOS-
Transistor ist.
7. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die kleine Strukturweite die Länge eines Tunnelfensters
(90) bei einer EEPROM-Speicherzelle ist.
8. Verfahren nach Anspruch 3 oder 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die kleine Strukturweite die Kanalbreite bei einer Flash-
Speicherzelle ist.
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