DE19527131A1 - Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

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Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung und ein verfahren zu deren Herstellung und insbesondere eine Halbleitervorrichtung mit kurzer Kanallänge und hoher Stromtreiberfähigkeit, wie sie für eine besonders hochintegrierte Schaltvorrichtung gefordert wird.
Für eine hochintegrierte Schaltvorrichtung, z. B. einem Giga DRAM, ist ein MOS-Transistor mit einer Kanallänge unter 0,1 µm notwendig. Um diese Anforderung zu erfüllen, sollte die Breite einer Gateelektrode gleich der Kanallänge sein. Andererseits ist es jedoch unmöglich, ein Muster mit einer Abmessung von 0,1 µm mittels der herkömmlichen lithographischen I-Line Stepper oder Excimer-Laser Technologie zu bilden. Ferner erfordert ein leicht dotiertes Gebiet (n⁻ Gebiet oder p⁻ Gebiet) einer LDD-Struktur (leicht dotiertes Drain) eine extrem flache Sperrschichttiefe von 0,01-0,03 µm. Eine flache Sperrschicht vergrößert abrupt den Reihenwiderstand des Kanalbereiches beim Betrieb einer Halbleitervorrichtung, was die Stromtreiberfähigkeit herabsetzt. Ferner wird die Arbeitsgeschwindigkeit der Vorrichtung verschlechtert.
Ziel der Erfindung ist daher die Schaffung einer Halbleitervorrichtung und eines Verfahrens zu deren Herstellung, die die Bildung einer kurzen Kanallänge ermöglicht, wie sie für eine hochintegrierte Schaltvorrichtung gefordert wird, und den Kanalwiderstand eines leicht dotiertes Gebietes in einer LDD-Struktur herabsetzt, um die Arbeitsgeschwindigkeit der Vorrichtung zu verbessern.
Eine Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung zur Lösung dieses Zieles umfaßt eine Gateelektrode und Source- und Drain-Gebiet einer LDD-Struktur und ist dadurch gekennzeichnet, daß Zusatzgates so vorgesehen sind, daß sie elektrisch gegenüber einem leicht dotierten Gebiet elektrisch schweben, um den Widerstand des leicht dotierten Gebietes elektrisch zu steuern.
Ein verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach der Erfindung ist durch folgende Schritte gekennzeichnet:
Bildung eines Gateoxidfilmes und einer T-förmigen Gateelektrode auf einem Siliciumsubstrat; aufeinanderfolgendes Bilden eines dotiertes Oxidfilmes und einer dicken Polysiliciumschicht auf der Oberseite der gesamten Struktur des Siliciumsubstrates einschließlich der T-förmigen Gateelektrode und anschließende Bildung von Zusatzgates an den Unterschneidungsbereichen unterhalb der beiden Seiten der T-förmigen Gateelektrode durch Ätzen der Polysiliciumschicht und des dotierten Oxidfilmes nach einem Abdeckätzverfahren; Bildung stark dotierter Gebiete im Siliciumsubstrat an beiden Seiten der T-förmigen Gateelektrode durch Fremdionenimplantation mit hoher Konzentration; und Vornahme einer Wärmebehandlung zur Oberflächenplanierung nach Abscheidung eines Interisolierfilmes auf der gesamten Struktur des Siliciumsubstrates einschließlich der T-förmigen Gateelektrode, und Bildung eines leicht dotierten Gebietes durch Diffusion von Dotierungsmitteln in Richtung auf das Siliciumsubstrat, die in dem dotierten Oxidfilm während der Wärmebehandlung enthalten sind.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsformen und der Zeichnung näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 in geschnittener Ansicht eine erfindungsgemäß aufgebaute Halbleitervorrichtung;
Fig. 2A bis 2F geschnittene Ansichten zur Darstellung der Fertigungsschritte für eine Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung; und
Fig. 3A bis 3E geschnittene Ansichten zur Darstellung der Fertigungsschritte einer Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung.
In der Zeichnung tragen gleiche Teile die gleichen Bezugszeichen.
Mit Bezug auf Fig. 1 ist auf einem Siliciumsubstrat 1 ein oxidischer Gatefilm 10 so gebildet, daß er eine sehr geringe Breite hat. Eine T-förmige Gateelektrode 20 mit einem vertikalen Abschnitt 20A und einem horizontalen Abschnitt 20B ist auf dem oxidischen Gatefilm 10 vorgesehen. Dotierte oder nicht dotierte Oxidfilme 30 sind auf der unteren Oberfläche des horizontalen Abschnittes 20A, der Oberfläche des vertikalen Abschnittes 20B und auf einem ausgewählten Bereich des Siliciumsubstrates ausgebildet. Zusatzgates 40 sind auf den Oxidfilmen 30 der Unterschneidungen der T-förmigen Gateelektrode 20 vorgesehen, so daß die Zusatzgates 40 kapazitiv mit der T-förmigen Gateelektrode 20 verknüpft sind und elektrisch schwebend in Bezug auf einen leicht dotierten Bereich 50 stehen. Der leicht dotierte Bereich 50 ist so ausgebildet, daß er eine flache Vertiefung im Siliciumsubstrat 1 unter dem Zusatzgate 40 bildet, und ein stark dotierter Bereich 60 ist so vorgesehen, daß er mit dem leicht dotierten Bereich 50 in Verbindung steht. Daher werden die Source- und Draingebiete 70 der LDD-Struktur durch einen leicht dotierten Bereich 50 und einen stark dotierten Bereich 60 geschaffen, was somit eine Speicherzelle ergibt. Ein Interisolierfilm 3 ist auf der gesamten Struktur des Siliciumsubstrates 1 einschließlich der Speicherzelle vorgesehen. Metalldrähte 4 werden durch ein metallisches Kontaktierungsverfahren gebildet und stehen mit der T- förmigen Gateelektrode 20 und den Source- und Draingebieten 70 in Verbindung.
Fig. 2A bis 2F sind geschnittene Ansichten zur Darstellung der Fertigungsschritte einer Halbleitervorrichtung mit dem vorbeschriebenen Aufbau gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung.
Nach Fig. 2A ist ein Feldoxidfilm 2 auf dem Siliciumsubstrat 1 ausgebildet, um eine aktive Zone zu definieren. Ein Gateoxidfilm 10 ist auf der gesamten Struktur vorgesehen. Eine dotierte Polysiliciumschicht 20A und eine nicht dotierte Polysiliciumschicht 20B werden nacheinander auf dem Gateoxidfilm 10 ausgebildet. Ein Trockenätzprozeß unter Verwendung einer Gatemaske und ein Naßätzprozeß werden nacheinander vorgenommen, was zu der Bildung einer T-förmigen Gateelektrode 20 mit Unterschneidungen führt. Ein freiliegender Teil des Gateoxidfilmes 10 wird durch einen Reinigungsprozeß entfernt.
Bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach der vorliegenden Erfindung als NMOS-Struktur (N-Kanal-MOS) wird die T-förmige Gateelektrode 20 durch kontinuierliche Aufgabe eines mit n-Dotierungsionen dotierten Siliciums und eines Siliciums geschaffen, das mit Dotierungsionen nicht dotiert ist, wobei hier die Abscheidungsbedingungen wie folgt sind. Die Abscheidung wird mit amorphem Silicium unterhalb einer Temperatur von 600°C vorgenommen, was eine Diffusion des Dotierungsmittels von der dotierten Siliciumschicht zur nicht dotierten Siliciumschicht zwingt, indem die nicht dotierte Siliciumschicht und die dotierte Siliciumschicht mittels einer Gateelektrodenmaskierung durch eine I-Line Stepper- oder Excimer-Laser-Lithographie gemustert werden, bei denen es sich um bekannte Belichtungssysteme handelt. Danach werden Fremdatome in die dotierte Siliciumschicht durch eine Wärmebehandlung über 0,5-5 Stunden bei einer Temperatur von 600-750°C aktiviert. Gleichzeitig erfolgt eine Polykristallisation der Fremdatome unter den Bedingungen, daß die Fremdatome nicht in die nicht dotierte Siliciumschicht diffundieren. Ferner erfolgt ein Ätzen in in einer nassen Polysiliciumätzlösung mit einer Zusammensetzung von HNO₃:CH₃COOH:HF:H₂O = 21 : 3 : 0,25-1,0 : 10-16. Bei der Musterung eines Polysiliciumgates auf eine Dicke von 0,25-0,3 µm unter Verwendung des Belichtungssystemes ist es aufgrund der Besonderheit, daß das Ätzverhältnis des dotierten Polysiliciums 20A: undotierten Polysilicium 20B in der nassen Polyätzlösung 60-80 : 1 beträgt, was einen großen Unterschied bedeutet, möglich, das untere dotierte Polysilicium 20A mit einer sehr geringen Breite von 0,05-0,1 µm vorzusehen, während das obere nicht dotierte Polysilicium 20B bei einer Breite von 0,25-0,3 µm bleiben kann.
Bei der Herstellung der Halbleitervorrichtung nach der Erfindung als PMOS-Struktur (P-Kanal-MOS) besteht der einzige Unterschied darin, daß p-Fremdatome anstelle von n- Fremdatomen verwendet werden.
Bei dem vorerwähnten verfahren werden Sb, P und As etc. als n-Fremdatome und Bor(B) als p-Fremdatome verwendet.
Fig. 2B zeigt eine Formation, bei der ein dotierter Oxidfilm 30A, dotiert mit Fremdatomen, in dünner Schicht auf der gesamten Struktur des Siliciumsubstrates 1 einschließlich der T-förmigen Gateelektrode 20 abgeschieden ist.
Der dotierte Oxidfilm 30A wird auf eine Dicke von etwa 100- 200 Å durch Abscheidung eines PSG (Phospor-Silicat-Glas) für eine NMOS-Struktur und durch Abscheidung eines BSG (Bor- Silicat-Glas) oder BPSG (Bor-Phosphor-Silicat-Glas) für eine PMOS-Struktur gebildet.
Fig. 2C zeigt eine Formation, bei der eine Polysiliciumschicht 40A dick auf dem dotierten Oxidfilm 30 gebildet ist.
Die Polysiliciumschicht 40A wird auf eine Dicke von etwa 1000-2000 Å gebildet und kann in einem Zustand vorliegen, bei der sie nicht mit Fremdatomen dotiert ist. Vorzugsweise wird jedoch n⁺ Polysilicium für eine NMOS-Struktur und p⁺ Polysilicium für eine PMOS-Struktur verwendet.
Fig. 2D zeigt eine Formation, bei der die Zusatzgates 40 an den Unterschneidungen der T-förmigen Gateelektrode 20 durch aufeinanderfolgendes Ätzen der Polysiliciumschicht 40A und des dotierten Oxidfilmes 30A gebildet wurden.
Da das Zusatzgate 40 gegenüber der T-förmigen Gateelektrode 20 und dem Siliciumsubstrat 1 durch den dotierten Oxidfilm 30A potentialfrei bzw. elektrisch schwebend gehalten ist, wird dieses Gate kapazitiv mit der T-förmigen Gateelektrode verknüpft.
Fig. 2E zeigt eine Formation, bei der die hoch dotierten Gebiete 60 im Siliciumsubstrat 1 mittels eines Fremdionenimplantationsverfahrens mit hoher Konzentration ausgebildet wurden. Dabei wird die nicht dotierte Polysiliciumschicht 20BB, die die obere Schicht der T- förmigen Gateelektrode 20 ist, in eine dotierte Polysiliciumschicht 20B im Laufe dieses Implantationsverfahrens mit hochkonzentrierten Fremdatomen umgewandelt.
Bei der Fremdionenimplantation wird das stark dotierte Gebiet 60 ein n⁺ Gebiet oder ein p⁺ Gebiet durch Implantation von As Ionen (für eine NMOS-Struktur) oder Bor (B) Ionen (für eine PMOS-Struktur) von hoher Konzentration.
Fig. 2F zeigt eine Formation, bei der ein Interisolierfilm 3 auf der gesamten Struktur des Siliciumsubstrates 1 einschließlich der T-förmigen Gateelektrode 20 gebildet ist. Das leicht dotierte Gebiet 50, das mit dem stark dotierten Gebiet 30 verbunden ist, wird durch Diffusion von Dotierungsmitteln in Richtung auf das Siliciumsubstrat 1 gebildet, welche in dem Bereich des dotierten Oxidfilmes 30A enthalten sind, der zum Zeitpunkt der Bildung des Interisolierfilmes 3 unterhalb des Zusatzgates 40 liegt.
Der Interisolierfilm 3 wird gewöhnlich dadurch gebildet, daß man eine Wärmebehandlung zum Zwecke der Planierung vornimmt, nachdem TEOS (Tatraethylen-Orthosilicat) und BPSG abgeschieden sind. Das leicht dotierte Gebiet 50 wird durch Diffusion von Dotierungsmitteln in Richtung auf das Siliciumsubstrat 1 gebildet, die in dem Bereich des dotierten Oxidfilmes 30A unterhalb des Zusatzgates 40 zum Zeitpunkt der Wärmebehandlung zur Bildung des Interisolierfilmes 3 enthalten sind. D.h., da der dotierte Oxidfilm 30A aus PSG im Falle eines NMOS und aus BSG oder BPSG im Falle eines PMOS besteht, ist P in PSG oder B in BSG und BPSG zum Zeitpunkt der Wärmebehandlung für die Planierung enthalten sind, so daß das leicht dotierte Gebiet 50 ein n⁻ oder p⁻ Gebiet wird.
Danach wird die Halbleitervorrichtung nach der Erfindung vervollständigt, indem die Metalldrähte 4, die mit der T- förmigen Gateelektrode 20 bzw. den Source- und Drain-Gebieten 70 verbunden sind, gebildet werden, indem gemäß Fig. 1 der Metallkontaktierungsprozeß vorgenommen wird.
Fig. 3A bis 3E sind geschnittene Ansichten zur Darstellung der Fertigungsstufen für eine Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung.
Fig. 3A zeigt eine Formation, bei der das leicht dotierte Gebiet 50 an der Oberfläche des Siliciumsubstrates 1 durch eine Diffusion in der Feststoffphase mittels des gleichen Verfahrens, wie es in Verbindung mit Fig. 2A beschrieben wurde, gebildet wurde, indem ein dotierter Oxidfilm 100 dick auf der Oberseite der gesamten Struktur des Siliciumsubstrates 1 einschließlich der T-förmigen Gateelektrode 20 auf eine Dicke in der Größenordnung von 100-200 Å abgeschieden und eine Wärmebehandlung bei einer Temperatur von 820-900°C vorgenommen wurde.
Dabei wird die nicht dotierte Polysiliciumschicht 20B, die die obere Schicht der T-förmigen Gateelektrode 20 ist, in die dotierte Polysiliciumschicht 20BB durch die Dotierungsmittel umgewandelt, die von der dotierten Polysiliciumschicht 20A diffundiert sind, die die untere Schicht darstellt.
Der dotierte Oxidfilm 100 wird aus PSG, BSG oder BPSG gebildet, wobei es sich hier um eine Art von dielektrischen Materialien handelt, wie sie bei der Fertigung einer Halbleitervorrichtung verwendet werden. Bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach der Erfindung als NMOS- Struktur wird der dotierte Oxidfilm 100 durch Abscheidung von PSG gebildet, und wird das leicht dotierte Gebiet 50, das durch die Diffusion von in PSG enthaltenem P gebildet ist, ein n⁻ Gebiet. Bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach der Erfindung als PMOS-Struktur wird der dotierte Oxidfilm 100 durch Abscheidung von BSG oder BPSG gebildet und wird das leicht dotierte durch die Diffusion von in BSG oder BPSG enthaltenem Bor (B) gebildet Gebiet 50 das p⁻ Gebiet.
Fig. 3B zeigt eine Formation, bei der ein undotierter Oxidfilm 30B dünn auf der gesamten Struktur des Siliciumsubstrates 1 einschließlich der T-förmigen Gateelektrode 20 nach Entfernung des dotierten Oxidfilmes 100 abgeschieden wurde.
Der undotierte Oxidfilm 30B wird aus MTO (Mitteltemperaturoxid) oder ONO (Oxid-Nitrid-Oxid) auf eine Dicke von 100-200 Å gebildet. Der nicht dotierte Oxidfilm 30B muß bei einer Temperatur unter 800°C gebildet werden, um eine zusätzliche Diffusion von denjenigen Dotierungsmitteln (P oder B) zu vermeiden, die im leicht dotierten Gebiet 50 enthalten sind.
Fig. 3C zeigt eine Formation, bei der eine Polysiliciumschicht 40A dick auf der Oberseite des nicht dotierten Oxidfilmes 30B gebildet ist.
Die Polysiliciumschicht 40A wird auf eine Dicke von 1000-2000 Å gebildet und, obgleich sie in einem Zustand ausgebildet werden kann, der nicht mit Fremdatomen dotiert ist, wird n Polysilicium für eine NMOS-Struktur und p⁻ Polysilicium für eine PMOS-Struktur verwendet.
Fig. 3D zeigt eine Formation, bei der die Zusatzgates 40 am Unterschneidungsbereich der T-förmigen Gateelektrode 20 durch aufeinanderfolgendes Ätzen der Polysiliciumschicht 40A und des nicht dotierten Oxidfilmes 30B nach dem Abdeckätzverfahren gebildet sind.
Da die Zusatzgates 40 potentialfrei bzw. schwebend gegenüber der T-förmigen Gateelektrode 20 und dem Siliciumsubstrat 1 mit dem dünnen nicht dotierten Oxidfilm 30B zwischen der T- förmigen Gateelektrode 20 und dem Siliciumsubstrat 1 gebildet sind, schaffen sie die Funktion einer kapazitiven Kopplung.
Fig. 3E zeigt eine Formation, bei der die stark dotierten Gebiete 60 gebildet sind, indem Fremdionen mit hoher Konzentration implantiert wurden.
Die stark dotierten Gebiete 60 werden das n⁺ Gebiet oder p⁺ Gebiet durch Implantation von Ionen aus P, As (im Fall einer NMOS-Struktur) oder B (im Fall einer PMOS-Struktur) während der Fremdionenimplantation.
Danach wird die Halbleitervorrichtung nach der Erfindung vervollständigt, indem die Metalldrähte 4, die mit der T- förmigen Gateelektrode 20 bzw. den Source- und Draingebieten 70 verbunden sind, vorgesehen werden, indem man gemäß Fig. 1 den Metallkontaktierungsprozeß durchführt.
Obgleich die erste und zweite Ausführungsform den Herstellungsschritt einer NMOS- und PMOS-Struktur umfaßt, kann auch eine CMOS-Vorrichtung (komplementärsymmetrisches MOS) hergestellt werden, indem das vorerwähnte Prinzip nach der Erfindung angewandt wird.
Die Herstellung der Halbleitervorrichtung nach dem vorerwähnten verfahren hat die folgenden Wirkungen:
  • 1) Ein Transistor mit einer Kanallänge unter 0,1 µm der Giga-DRAM-Klasse kann unter Verwendung selbst der herkömmlichen lithografischen Technik mit einem I-Line- Stepper oder Excimer-Laser gebildet werden.
  • 2) Die obere Breite der Gateelektrode ist groß, was den Berührungswiderstand herabsetzt, während die untere Breite der Gateelektrode gering ist, was den Kurzkanaleffekt vergrößert, so daß die Betriebsgeschwindigkeit der Vorrichtung verbessert werden kann.
  • 3) Die Ladungsträgerkonzentration im leicht dotierten Gebiet kann durch die koppelnden Polysiliciumzusatzgates heraufgesetzt werden, wodurch der Kanalreihenwiderstand wesentlich herabgesetzt und dadurch die Stromtreiberfähigkeit verbessert wird.
  • 4) Da ein Bereich, an dem ein laterales elektrisches Feld an der Drainkante aufgrund einer Ansammlung von Ladungsträgern am leicht dotierten Gebiet durch die Verwendung der koppelnden Polysiliciumzusatzgates erzeugt wird, in einen realen Kanal verlagert ist, wird eine zwischenlageninduzierte Beeinträchtigung aufgrund heißer Ladungsträger verhindert, so daß die Zuverlässigkeit der Vorrichtung verbessert ist.
  • 5) Da der Widerstand des leicht dotierten Gebietes aufgrund der Verwendung der koppelnden Polysiliciumzusatzgates herabgesetzt ist, wird der Betrieb der Vorrichtung nicht nachteilig durch eine weitere Reduzierung der physikalischen Dotierung und Sperrschichttiefe beeinflußt, so daß der Kurzkanaleffekt, der ein wesentlicher Gesichtspunkt einer Vorrichtung der 0,1 µm-Klasse ist, wesentlich verbessert wird.
Obgleich die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsformen mit einer gewissen Spezialisierung beschrieben wurde, versteht es sich, daß der Aufbau, sowie die Kombination und Anordnung der Teile verändert werden können, ohne daß dadurch vom Wesen der Erfindung abgewichen wird.

Claims (15)

1. Halbleitervorrichtung mit einer Gateelektrode und Source- und Draingebieten einer LDD-Struktur, dadurch gekennzeichnet, daß Zusatzgates (40) vorgesehen sind, die elektrisch schwebend gegenüber einem leicht dotierten Gebiet (50) stehen, um elektrisch den Widerstand des leicht dotierten Gebietes zu steuern.
2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusatzgates (40) an Hinterschneidungsbereichen unterhalb beider Seiten einer T- förmigen Gateelektrode (20) ausgebildet sind.
3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein dünner Oxidfilm (30A) aus einer der folgenden Zusammensetzungen gebildet ist: PSG, BSG, BPSG, MTO oder ONO.
4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der dotierte Oxidfilm auf eine Dicke von 100-200 Å gebildet ist.
5. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
Bildung eines Gateoxidfilmes und einer T-förmigen Gateelektrode auf einem Siliciumsubstrat;
aufeinanderfolgendes Bilden eines dünnen dotierten Oxidfilmes und einer dicken Polysiliciumschicht auf der Oberseite der gesamten Struktur des Siliciumsubstrates einschließlich der T-förmigen Gateelektrode und anschließendes Bildung von Zusatzgates an den Unterschneidungsbereichen unterhalb der beiden Seiten der T-förmigen Gateelektrode durch Ätzen der Polysiliciumschicht und des dotierten Oxidfilmes nach einem Abdeckätzverfahren;
Bildung stark dotierter Gebiete in dem Siliciumsubstrat an beiden Seiten der T-förmigen Gateelektrode durch eine Fremdionenimplantation mit hoher Konzentration; und
Vornahme einer Wärmebehandlung zur Oberflächenplanierung nach Abscheidung eines Interisolierfilmes auf der gesamten Struktur des Siliciumsubstrates einschließlich der T- förmigen Gateelektrode, und Bildung eines leicht dotierten Gebietes durch Diffusion von Dotierungsmitteln in Richtung auf das Siliciumsubstrat, die während der Wärmebehandlung im dotierten Oxidfilm enthalten sind.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die T-förmige Gateelektrode gebildet wird durch aufeinanderfolgende Abscheidung eines mit Fremdionen dotierten Siliciums und eines mit Fremdionen nicht dotierten Siliciums im nicht kristallinen Zustand, Vornahme eines Gateelektrodenmaskierungsprozesses und einer Wärmebehandlung und eines Ätzprozesses unter Verwendung einer nassen Polysiliciumätzlösung.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmebehandlung über 0,5-5 Stunden in einem Temperaturbereich von 600-750°C durchgeführt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die nasse Polysiliciumätzlösung eine Zusammensetzung von HNO₃ : CH₃COOH : HF : H₂O im Verhältnis von 21 : 3 : 0,25-1,0 : 15-16 ist.
9. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der dotierte Oxidfilm aus PSG im Falle eines NMOS und entweder aus PSG und BPSG im Falle eines PMOS gebildet wird.
10. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der dotierte Oxidfilm auf eine Dicke von 100-200 Å gebildet wird.
11. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß n⁺ Polysilicium im Falle eines NMOS und p⁺ Polysilicium im Falle eines PMOS für die Polysiliciumschicht zur Bildung des Zusatzgates verwendet wird.
12. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
Bildung eines Gateoxidfilmes und einer T-förmigen Gateelektrode auf einem Siliciumsubstrat;
dickes Abscheiden eines dotierten Oxidfilmes auf der Oberseite der gesamten Struktur aus dem Siliciumsubstrat einschließlich der T-förmigen Gateelektrode;
Bildung eines leicht dotierten Gebietes durch Diffusion von Fremdionen in Richtung auf das Siliciumsubstrat, die in dem dotierten Oxidfilm enthalten sind, durch eine Wärmebehandlung bei hoher Temperatur;
Entfernung des dotierten Oxidfilmes und anschließende aufeinanderfolgende Bildung eines nicht dotierten Oxidfilmes mit geringer Dicke und einer Polysiliciumschicht mit großer Dicke auf der gesamten Struktur des Siliciumsubstrates einschließlich der T-förmigen Gateelektrode und Bildung von Zusatzgates an den Unterschneidungsbereichen unterhalb beider Seiten der T-förmigen Gateelektrode durch Ätzen der Polysiliciumschicht und des undotierten Oxidfilmes nach einem Abdeckätzprozeß; und
Bildung von stark dotierten Gebieten im Siliciumsubstrat an beiden Seiten der T-förmigen Gateelektrode durch Implantation von Fremdionen mit hoher Konzentration.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der dotierte Oxidfilm aus PSG im Fall von NMOS und entweder aus PSG oder BPSG im Fall von PMOS gebildet wird.
14. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der nicht dotierte Oxidfilm aus entweder MTO oder ONO gebildet wird.
15. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der nicht dotierte Oxidfilm auf eine Dicke von 100-200 Å gebildet wird.
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