DE19509338A1 - Beschleunigungssensor - Google Patents
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Beschleu
nigungssensor und insbesondere auf einen Halbleiterbe
schleunigungssensor eines MISFET-Typs (metal inslulator se
miconductor Field Effect Transistor), der bewegliche Gate
elektroden besitzt, die vorzugsweise für Steuersysteme bei
Kraftfahrzeugen wie Airbag-Steuerungssysteme, ABS-
(antilock brake systems) und Navigationssysteme und zur
Aufnahme einer Giergeschwindigkeit und zur Druckerfassung
verwendet werden können.
In letzter Zeit ist der Bedarf an kostengünstigen kompakten
Beschleunigungssensoren (hiernach als G-Sensoren bezeich
net) für Automobile gestiegen, und es sind diesbezüglich
auf einem Chip befindliche G-Sensoren als Prototypen unter
Verwendung einer mikromaschinellen Herstellung gefertigt
worden. Die auf einem Chip befindlichen G-Sensoren haben
eine Gestalt, bei welcher eine mechanische Struktur auf ei
nem Halbleitersubstrat gebildet ist, um direkt Signale un
ter Verwendung einer elektrischen Schaltung zu verarbeiten.
Ein Beispiel eines derartigen Bauelements ist in dem US-Pa
tent Nr. 5,314,572 (Japanische PCT-Patentveröffentlichungs
schrift Nr. H4-504003) offenbart worden, wobei eine beweg
liche Elektrode, die als Gewicht dient, vorgesehen ist, ei
nen differentiellen Kondensator zu bilden, wodurch ein Ser
vosystem eingerichtet wird und wobei ein Ausgangssignal
durch Erfassen der Beschleunigung erlangt wird, auf die be
wegliche Elektrode wirkt, unter Verwendung einer Träger
welle.
In der japanischen Patentveröffentlichungsschrift Nr. H5-322353
ist vorgeschlagen worden, daß ein gesteuerter Be
schleunigungssensor mit geschlossener Schleife einen Kon
densator oder einen MISFET (Metal Insulator Semiconductor
Field Effect Transistor) als Erfassungselement aufweist und
ein Teil zum Erzeugen einer elektrostatischen Kraft ent
hält, um einer Beschleunigungskraft standzuhalten, die auf
ein bewegliches Teil wirkt, um durch Aufhebung der Ver
schiebung des beweglichen Teils das bewegliche Teil in Po
sition zu halten.
Des weiteren ist in der japanischen Patentanmeldung Nr. H5-322348
ebenso ein Beschleunigungssensor mit einer Anordnung
vorgeschlagen worden, wobei ein bewegliches Teil horizontal
relativ zu dem Substrat bewegt wird, um eine Verdrehung zu
verhindern, und wobei eine Beschleunigung aus Änderungen
des Betrags des Stroms, der durch ein MISFET fließt, erfaßt
wird.
Entsprechend dem in dem oben dargestellten US-Patent offen
barten Verfahren ist der Pegel des Ausgangssignals jedoch
niedrig, und das Bauelement kann nicht kompakt gebildet
werden, da der verwendete Fühler als differentieller Kon
densator gefertigt ist, der eine bewegliche Elektrode be
sitzt, die als Gewicht dient. Obwohl das Verfahren entspre
chend der japanischen Patentanmeldung Nr. H5-322353 einen
Kondensator verwendet und ein Servosystem enthält, das zum
Zwecke der Erfassung vorgesehen ist, treten Verluste aus
einem hohen Rauschpegel auf, da hohe Frequenzsignale wie
eine Trägerwelle verwendet werden. Daraus ergibt sich die
Schwierigkeit, daß die oben beschriebenen Konfigurationen
keine hinreichende Signalstärke bei Verwendung in Systemen
für ABS und in Giergeschwindigkeitssensoren bereitstellen,
welche geeignet sein müssen, niedrige Pegel von Beschleuni
gungen zu erfassen. Ein weiteres Problem besteht darin, daß
der Schaltkreis zum Erzeugen der Trägerwelle etwa 40-50%
der gesamten integrierten Schaltung ausmacht, wodurch es
erschwert wird, einen kompakteren Sensorchip herzustellen.
Obwohl in dem Verfahren entsprechend der japanischen Pa
tentanmeldung Nr. H5-322348 die Beschleunigung aus Verände
rungen des Betrages des Stromflusses durch den MISFET er
faßt wird, ist es nicht möglich, die Beschleunigung ledig
lich in einer Dimension getrennt zu erfassen, da die Be
schleunigung auf einer zweidimensionalen Grundlage zur sel
ben Zeit in vertikaler und horizontaler Richtung bezüglich
des Substrats erfaßt wird.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen G-Sensor bereitzustel
len, bei welchem keine Trägerwelle verwendet wird, bei wel
chem ein geringeres Rauschen auftritt und der kompakt, ver
läßlich im Betrieb und geeignet zum Erfassen einer Be
schleunigung lediglich in einer Dimension ist.
In Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung ist ein
Beschleunigungssensor vorgesehen, der ein bewegliches Teil
mit beweglichen Gateelektroden besitzt, die von Trägern an
einem vorbestimmten Intervall von der Oberfläche eines
Substrats aus getragen werden und die durch die Beschleuni
gung verschoben werden können, mit Source- und Drainelek
troden, die relativ zu den beweglichen Gateelektroden der
art angeordnet sind, daß eine MIS-ähnliche Struktur zum Er
fassen einer Beschleunigung gebildet wird, die auf die be
weglichen Gateelektroden wirkt. Die beweglichen Gateelek
troden sind auf beiden Seiten des beweglichen Teils in ei
ner gegenüberliegenden Beziehung angeordnet, um wenigstens
ein Paar Transistoren eines MIS-Typs zu bilden, welche
dieselbe Charakteristik besitzen. Der Sensor ist mit einem
differentiellen Ausgangsteil zum Erlangen eines differenti
ellen Ausgangssignals aus wechselseitig entgegengesetzten
dynamischen Charakteristiken ausgestattet, die sich durch
das Paar von Transistoren des MIS-Typs als Antwort auf die
Bewegung des beweglichen Teils durch die Beschleunigung
hervorgerufen zeigen. Des weiteren ist der Sensor mit einem
Integrationsteil zum Integrieren des differentiellen Si
gnals ausgestattet. Der Sensor ist ferner mit einem Ver
schiebungssteuerungsteil zum Durchführen der Verschiebungs
steuerung auf der Grundlage des Integrationsergebnisses von
dem Integrationsteil ausgestattet, so daß die Verschiebung
des beweglichen Teils durch eine elektrostatische Kraft
aufgehoben wird, die eine hinreichende Größe besitzt, um
der Beschleunigung zu widerstehen.
Vorzugsweise besitzt das Verschiebungssteuerungsteil eine
bewegliche Elektrode an dem beweglichen Teil und eine erste
feste Elektrode und eine zweite feste Elektrode auf dem
Substrat, und das Paar der ersten festen Elektrode und der
zweiten festen Elektrode ist angeordnet, um die bewegliche
Elektrode mit im wesentlichen gleichen Lücken dazwischen zu
umgeben.
Vorzugsweise koppelt das Verschiebungssteuerungsteil ein
Ausgangssignal dem beweglichen Teil zurück. Eine vorbe
stimmte Vorspannung wird an die ersten und zweiten festen
Elektroden angelegt, und es wird das Ausgangssignal an die
bewegliche Elektrode rückgekoppelt, um eine elektrostati
sche Kraft an den beweglichen Elektroden in Richtung entge
gengesetzt zu der Beschleunigung zu erzeugen, die durch die
Verschiebung des beweglichen Teils hervorgerufen wurde, wo
durch die Verschiebung aufgehoben wird.
Vorzugsweise wird das Ausgangssignal an die erste feste
Elektrode rückgekoppelt, und es wird ein invertiertes Si
gnal, welches durch Invertieren der Polarität des Ausgangs
signals erlangt wird, an die zweite feste Elektrode rückge
koppelt. Die bewegliche Elektrode wird auf einem vorbe
stimmten elektrischen Potential gehalten, um eine elektro
statische Kraft an der beweglichen Elektrode in Richtung
entgegengesetzt zu der Beschleunigung zu erzeugen, welche
die Verschiebung des beweglichen Teils hervorgerufen hat.
Vorzugsweise sind eine Mehrzahl von parallelen Trägern ei
nes zweiseitigen Typs, die das bewegliche Teil tragen, und
das Paar von beweglichen Gateelektroden in Richtung des
Gates angeordnet, welches horizontal bezüglich der
Substratoberfläche und senkrecht zur Richtung der Träger
ausgerichtet ist. Die Richtung des Gates ist die Richtung,
in welcher die Beschleunigung erfaßt wird.
Vorzugsweise ist ein Massenteil auf einer Seite eines der
Träger vom zweiseitigen Typ in einer Richtung senkrecht zu
der Anbringungsrichtung vorgesehen, um das bewegliche Teil
zum Erfassen der Beschleunigung in eine Richtung senkrecht
zu der Substratoberfläche zu bilden. Die beweglichen Elek
troden sind auf beiden Seiten der Richtung senkrecht und
symmetrisch zu dem Träger angeordnet. Das Verschiebungs
steuerteil wird von den beweglichen Elektroden symmetrisch
um den Träger und im wesentlichen mit gleich großer Ober
fläche gebildet. Die ersten und zweiten festen Elektroden
auf der Substratoberfläche liegen gegenüber den beweglichen
Elektroden und sind symmetrisch um die Position des Trägers
gebildet und besitzen im wesentlichen eine gleich große
Oberfläche.
Vorzugsweise besitzt das differentielle Ausgangsteil einen
Differentialverstärker, der die Ausgangssignale des Paars
Transistoren vom MIS-Typ empfängt, den Unterschied zwischen
den Ausgangssignalen verstärkt und das Ergebnis der Ver
stärkung an den Eingang des Integrators ausgibt.
Das Verschiebungssteuerungsteil enthält vorzugsweise eine
Mehrzahl von Sätzen der beweglichen Elektroden und der er
sten und zweiten festen Elektroden, die an dem beweglichen
Teil vorgesehen sind.
Vorzugsweise sind der bewegliche und die ersten und zweiten
festen Elektroden an Umfangs teilen der rechteckigen Löcher
vorgesehen.
Vorzugsweise wird das differentielle Ausgangsteil durch ei
nen Komparator zum Durchführen einer Umwandlung in ein Bi
närsignal ersetzt, und der Integrator wird durch ein Si
gnalverarbeitungsteil zum Durchführen der vorbestimmten Si
gnalverarbeitung ersetzt. Das Signalverarbeitungsteil wan
delt das Binärsignal in einen pulsbreitenmodulierten Puls
zug um und steuert die Verschiebung des beweglichen Teils
unter Verwendung dieses Pulszuges.
Vorzugsweise umfaßt das Signalverarbeitungsteil eine Addie
rer/Subtrahiererschaltung zum Durchführen einer Addition
und Subtraktion auf der Grundlage des Binärsignals und ei
nen D/A-Wandler zum Durchführen einer D/A-Umwandlung bezüg
lich des Datenausgangs von dem Addierer/Subtrahierer-
Schaltkreis.
Bei der vorliegenden Erfindung werden die beweglichen Gates
des beweglichen Teils durch die zu erfassende Beschleuni
gung verschoben, die auf das Substrat in eine Richtung
wirkt. Als Ergebnis wird die Schaltung elektrisch ver
stimmt, und es wird eine differentielle Spannung an dem
Paar von MIS-Transistoren erzeugt, um als Erfassungssignal
ausgegeben zu werden. Dieses Ausgangssignal wird zum Ver
schiebungssteuerungsteil zurückgegeben, welches einen Teil
des beweglichen Teils bildet und die Verschiebung steuert.
Danach wird eine Kraft, welche die Beschleunigung aufhebt
und auf das Bewegungsteil wirkt, an dem Verschiebungssteue
rungsteil erzeugt, um das bewegliche Teil bezüglich einer
neutralen Position abzugleichen, wodurch das Erfassungssi
gnal auf der Steuerbasis einer geschlossenen Schleife sta
bilisiert wird. Da des weiteren die Signalerfassung auf ei
ner differentiellen Basis durchgeführt wird, liegt sogar
dann, wenn das bewegliche Teil durch die Beschleunigung in
irgendeine Richtung außer der horizontalen Richtung ver
schoben wird, insbesondere durch eine Beschleunigung in ei
ne Richtung vertikal zu dem Substrat, kein Einfluß auf das
Signal vor, da eine derartige Verschiebung Gleichtaktsi
gnalkomponenten (common mode signal components) bereitstel
len wird.
Da des weiteren die ersten und zweiten festen Elektroden
die bewegliche Elektrode vorsehen, welche als Gewicht
dient, wobei im wesentlichen gleiche elektromagnetische
Kräfte auftreten, behält die bewegliche Elektrode ihre neu
trale Position bei. Die Servosteuerung wird unter Verwen
dung der Rückkopplung durchgeführt. Die Rückkopplung wird
durch Anlegen einer vorbestimmten Vorspannung an das Paar
von festen Elektroden vorgesehen, um das elektrische Poten
tial an der beweglichen Elektrode hervorzurufen, um in
Übereinstimmung mit der Beschleunigung zu schwanken. Somit
wird die Beschleunigung aufgehoben, und die neutrale Posi
tion wird beibehalten.
Die vorliegende Erfindung wird in der nachfolgenden Be
schreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung erläutert.
Fig. 1 zeigt eine grundlegende Schaltungsdarstellung eines
Halbleiterbeschleunigungssensors (G-Sensor) in Übereinstim
mung mit einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Er
findung;
Fig. 2(a) zeigt eine repräsentative Form eines beweglichen
Teils, das als Beschleunigungserfassungsteil dient;
Fig. 2(b) zeigt eine modifizierte Form eines in Fig. 2(a)
dargestellten beweglichen Teils;
Fig. 3 zeigt eine Schaltungsgestaltung der zweiten Ausfüh
rungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 4(a) zeigt eine repräsentative Gestaltung eines be
weglichen Teils in Übereinstimmung mit einer dritten Aus
führungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 4(b) zeigt eine repräsentative Gestaltung eines be
weglichen Teils in Übereinstimmung mit der dritten Ausfüh
rungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 4(c) zeigt eine repräsentative Gestaltung eines be
weglichen Teils in Übereinstimmung mit der dritten Ausfüh
rungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 5(a) zeigt eine Gestaltung eines beweglichen Teils in
Übereinstimmung mit einer vierten Ausführungsform der vor
liegenden Erfindung;
Fig. 5(b) zeigt eine Gestaltung eines beweglichen Teils in
Übereinstimmung mit der vierten Ausführungsform der vorlie
genden Erfindung;
Fig. 6 zeigt eine repräsentative Gestaltung einer fünften
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 7 zeigt eine repräsentative Gestaltung einer sechsten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 8(a) zeigt ein Blockdiagramm, welches ein Beispiel
der Gestaltung des Signalverarbeitungsteils in Übereinstim
mung mit der sechsten Ausführungsform darstellt;
Fig. 8(b) zeigt ein Blockdiagramm, welches ein anderes
Beispiel der Gestaltung des Signalverarbeitungsteils in
Übereinstimmung mit der sechsten Ausführungsform darstellt;
Fig. 9 zeigt ein Zeitablaufsdiagramm des in Fig. 8(a) dar
gestellten Signalverarbeitungsteils;
Fig. 10 zeigt eine Schaltungsgestaltung einer siebenten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 11 zeigt ein repräsentatives Schaltungsdiagramm eines
beweglichen Teils in Übereinstimmung mit der siebenten Aus
führungsform der vorliegenden Erfindung.
Die vorliegende Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf be
stimmte Ausführungsformen beschrieben.
Eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird
unter Bezugnahme auf Fig. 1 beschrieben, welche ein Bei
spiel einer grundlegenden Schaltungsgestaltung eines Halb
leiterbeschleunigungssensors (G-Sensor) darstellt. Der Sen
sor 100 weist bewegliche Gates G1 und G2 und eine bewegli
che Elektrode MV auf, die als Gewicht dient, welche insge
samt ein bewegliches Teil (MG) 10 zum Erfassen einer Be
schleunigung darstellen, ein Paar von Transistoren 11 und
12 eines MIS-Typs als Signalverarbeitungsteil, ein Diffe
rentialverstärkerteil 13, der die Ausgangssignale von den
Drainanschlüssen der Transistoren als Unterschied zwischen
den Spannungen V₁ und V₂ an Lasten 15 empfängt, um ein dif
ferentielles Ausgangssignal ΔV zu erlangen, und ein Inte
grationsteil 14 zum Integrieren des differentiellen Aus
gangssignals, um ein Ausgangssignal V₀ auszugeben.
Fig. 2(a) zeigt ein Beispiel der Implementierung des be
weglichen Teils 10, wobei das bewegliche Teil 10 als von
einem Paar Trägerteilen 23 eines zweitseitigen Typs getra
gen dargestellt wird. Es wird festgestellt, daß Fig. 2(a)
lediglich die Teile darstellt, die auf einem (nicht darge
stellten) Substrat gebildet sind und dem beweglichen Teil
10 zugeordnet sind.
Die beweglichen Gates G1 und G2 sind elektrisch konfigu
riert, um dasselbe elektrische Potential zu besitzen und um
jeweils als Gateelektroden der MISFET′s (Transistoren vom
MIS-Typ, bewegliche Gatetransistoren) 11 und 12 zu dienen,
welche dieselbe Form besitzen.
Die MISFET′s 11 und 12 müssen nicht wie in Fig. 2(a) dar
gestellt gebildet sein, sie können jedoch wie in Fig. 2(b)
dargestellt gebildet sein. D.h. eine quadratisch geformte
Öffnung 107 ist in dem beweglichen Teil 10 gebildet, um
Seiten 108 und 109 vorzusehen, die einander in Richtung der
Beschleunigungserfassung L gegenüberliegen. Die Source- und
Drainelektroden 24 und 25 sind auf dem Substrat unter den
sich gegenüberliegenden Oberflächen 108 und 109 angeordnet.
Die beweglichen Gates werden in der Figur mit G1 und G2 be
zeichnet. Somit sind zwei Paare von Source- und Drainelek
troden 24 und 25 nahe zueinander angeordnet, so daß die Be
schleunigung in Richtung parallel zu der Oberfläche des
Substrats unterschiedlich erfaßt werden kann. Als Ergebnis
kann der Unterschied in der Charakteristik der Transistoren
reduziert werden, und eine Begrenzung des Beschleunigungs
erfassungsbetriebs kann minimiert werden.
Die beweglichen Elektroden MV, welche als Gewicht dienen,
sind ebenso gestaltet, um dasselbe elektrische Potential zu
besitzen. Diese beweglichen Gates G1 und G2 und beweglichen
Elektroden MV sind integriert hergestellt, um das bewegli
che Teil 10 zur Erfassung der Beschleunigung in die Rich
tung parallel zu dem Substrat und die Richtung zu bilden,
in welche die beweglichen Gates G1 und G2 in die Richtung L
ausgerichtet sind, die durch den Pfeil in Fig. 2(a) und 2(b)
angezeigt ist. Das bewegliche Teil 10 wird oberhalb des
Substrats unter Verwendung der Befestigungsteile 21 auf
Isolierungsteilen 22 gehalten, die auf dem Substrat an ei
nem Ende jedes Trägerteils 23 vorgesehen sind. Wie in Fig. 2(a)
und 2(b) dargestellt ist, sind die beweglichen Gates
G1 und G2 und die beweglichen Elektroden MV, die als Ge
wicht dienen, angeordnet, um dynamisch symmetrisch und
identisch in der Form bezüglich der Richtung L des bewegli
chen Teils 10 ausgebildet zu sein. Um die beweglichen Gates
G1 und G2 und die beweglichen Elektroden MV mit einem elek
trischen Potential von dem Substrat zu versehen, besitzen
die Befestigungsteile 21 und die Isolierungsteile 22 Teile,
um den Kontakt mit dem Substrat zu gestatten.
Die Source- und Drainelektroden der MISFET′s 11 und 12 sind
in den aktiven Halbleitergebieten 25 und 26 in dem Substrat
gebildet. Die Source- und Drainelektroden sind in einer An
ordnung ähnlich einer MIS-Struktur, insbesondere in einer
Selbstanpassungsanordnung gebildet, bei welcher die Kanal
gebiete davon sich teilweise bezüglich der jeweiligen be
weglichen Gates G1 und G2 an der Unterseite davon überlap
pen und sich das überlappende Gebiet verändert, wenn die
Positionen der beweglichen Gates G1 und G2 bewegt werden.
Die Sourceelektroden 24 und die Drainelektroden 25 der MIS-
FET′s 11 und 12 besitzen dieselbe Größe und sind derart ge
bildet, daß elektrischer Strom desselben Wertes fließen
wird, wenn sich die beweglichen Gates G1 und G2 um densel
ben Betrag überlappen. Als Ergebnis wird eine vorbestimmte
konstante Spannung an die Leistungszuführungen VDD der MIS-
FET′s 11 und 12 angelegt.
Um zu verhindern, daß eine elektrostatische Kraft zwischen
dem beweglichen Teil und dem Substrat hervorgerufen wird,
ist ein aktives Gebiet 20 in dem Bereich des Substrats un
terhalb des beweglichen Teils 10 durch Hinzufügen von Ver
unreinigungen bei einer hohen Konzentration vorgesehen, so
daß dasselbe elektrische Potential wie an dem beweglichen
Teil 10 hervorgerufen wird.
Die Ausgänge der zwei MISFET′s 11 und 12 sind an die Lasten
15 angeschlossen, die an die jeweiligen Leistungszufuhren
VDD als die Spannungen V₁ und V₂ angeschlossen sind, welche
dem Differentalverstärkerteil 13 zum Verstärken der Diffe
renz V₁-V₂ zwischen den zwei Ausgängen eingegeben werden.
Da die Differenz ΔV ein Kleinsignalwert darstellt, wird
normalerweise ein Verstärkungsfaktor von 1 oder darüber
verwendet. Das verstärkte Ausgangssignal ΔV wird dem Inte
grationsteil 14 eingegeben, und das Ergebnis der Integra
tion wird als Ausgangssignal V₀ ausgegeben. Das Ausgangssi
gnal V₀ wird den beweglichen Elektroden MV über die Befe
stigungsteile 21 des beweglichen Teils 10 rückgekoppelt.
Eine derartige elektrische Schaltung wird auf dem Halblei
tersubstrat gleichzeitig mit dem beweglichen Teil 10 unter
Verwendung eines bekannten üblichen Halbleiterverfahrens
gebildet.
Die in Fig. 2 dargestellte Skizze des beweglichen Teils 10
zeigt nicht die tatsächlichen Dimensionen und kann auf der
geforderten Grundlage des Pegels der zu erfassenden Be
schleunigung und des Typs und der Stärke des Materials des
beweglichen Teils entworfen werden. Beispielsweise können
nicht nur Halbleitermaterialien sondern ebenso Metalle mit
hohen Schmelzpunkten wie Wolfram für das bewegliche Teil 10
verwendet werden. Da des weiteren die Größe und die diffe
rentielle Spannung, die durch die Bewegung der beweglichen
Gates erzeugt wurde, von den Faktoren einschließlich der
Dimensionen der Sources und Drains abhängen, können derar
tige Dimensionen gewählt werden, um einen für den beabsich
tigten Zweck geeigneten Signalpegel zu erlangen.
Wenn keine Beschleunigung auf das G-Sensor-Halbleiterbau
element einwirkt, das das bewegliche Teil besitzt, welches
wie oben beschrieben hergestellt ist, wird eine Vorspannung
eines Wertes VDD/2, welcher der Hälfte der Leistungszufuhr
VDD entspricht, dem beweglichen Teil 10 als Ansteuerungs
punkt für die MISFET′s 11 und 12 zugeführt, wodurch die
Spannungen V₁ und V₂ als die Ausgangssignale der MISFET′s
gleich groß gemacht werden. Daher gleicht die Differenz ΔV
dem Wert 0, und es gibt keine Veränderung beim Ausgangssi
gnal, wenn keine externe Kraft auftritt, d. h. wenn keine
Beschleunigung vorliegt. Da das Ausgangssignal V₀ an das
bewegliche Teil 10 rückgekoppelt ist, liegt der Wert der
Vorspannung VDD/2 des beweglichen Teils 10 auf dem Null
punkt.
Unter der Annahme, daß eine Beschleunigung einer bestimmten
Größe in Richtung des Gates G1 auftritt (der Anstieg oder
die Veränderung der Beschleunigung bezüglich der Größe wird
ignoriert), nimmt das bewegliche Teil 10 eine Kraft in
Richtung des Gates G1 auf und wird auf einen Punkt zube
wegt, bei welchem es der elastischen Kraft des Trägers 23
widersteht. Daraus ergibt sich eine Bewegung des bewegli
chen Gates G1, wodurch der Strom durch den MISFET 11 erhöht
wird und wodurch die Spannung V₁ vermindert wird. Da das
Gate G2 auf der Seite des MISFET′s 12 eine umgekehrte Bewe
gung macht, wird demgegenüber die Spannung V₂ erhöht. Als
Ergebnis nimmt die differentielle Spannung ΔV einen Wert -ΔV₁
an, und der Wert der Ausgangsspannung verändert sich von
dem Wert V₀, um einen verminderten Wert V₀-V₁ entsprechend
anzunehmen. Da diese Spannung an die beweglichen Elektroden
NV rückgekoppelt wird, erzeugt die an das bewegliche Teil
10 und an die beweglichen Elektroden MV angelegte Vorspan
nung, welche sich in Richtung auf das Gate G1 durch die er
sten festen Elektroden S1 und die zweiten festen Elektroden
S2 bewegt haben, eine große elektrostatische Kraft in Rich
tung auf die zweiten Elektroden S2 in Richtung entgegenge
setzt zu der Bewegung des beweglichen Teils 10, um die be
wegliche Elektrode MV und das bewegliche Teil 10 in Rich
tung auf das Gate G2 zu bewegen, um an ihren anfänglichen
neutralen Positionen befindlich zu sein. Da diese Reihen
von Reaktionen von elektrischer Natur sind, wird ein Aus
gangssignal bereitgestellt, während die Steuerung durch Er
zeugen der elektrostatischen Kraft im wesentlichen gleich
zeitig zu der mechanischen Bewegung durchgeführt wird, d. h.
dem Auftreten der Beschleunigung folgend. Als Ergebnis
kehrt das bewegliche Teil 10 nach einer kleinen Verschie
bung zu der im wesentlichen neutralen Position zurück. Dem
entsprechend kehren die Gates G1 und G2 an ihre anfängli
chen neutralen Positionen zurück. Somit gleicht ΔV dem Wert
0, und das Erhöhen des integrierten Ausgangswerts wird be
endet, wobei der Wert V₀-V₁ unverändert zurückgelassen
wird. Wenn die auftretende Veränderung derart ist, daß die
Beschleunigung fortfährt anzusteigen, werden die Gates
stets in Positionen angeordnet sein, welche leicht von den
neutralen Positionen entfernt sind, und die Ausgangsspan
nung wird fortfahren, sich zu verändern.
Wenn die Beschleunigung beendet wird, da die elektrostati
sche Kraft weiterhin erzeugt wird, wird das bewegliche Teil
10 auf das Gate G2 hin verschoben, wodurch die Spannung V₂
verringert und die Spannung V₁ erhöht wird. Dann nimmt die
Differenz ΔV einen Wert +ΔV₁ an. Als Ergebnis beginnt die
Ausgangsspannung von dem Potential V₀-V₁ anzusteigen, die
elektrostatische Kraft wird reduziert, um zu dem bewegli
chen Teil 10 wiederum zu der neutralen Position zurückzu
kehren, und das Erhöhen der Ausgangsspannung wird nach ei
ner Erhöhung von +ΔV₁ beendet. Mit anderen Worten es wird
die Ausgangsspannung V₀ verringert, während die Beschleuni
gung auf das Gate G1 einwirkt, und sie kehrt zu dem anfäng
lichen Wert von V₀ zurück, wenn die Beschleunigung beendet
ist. Während des Auftretens einer Beschleunigung zeigt da
her das Ausgangssignal V₀ Veränderungen proportional der
Beschleunigung und kehrt zu dem Nullpunkt (VDD/2) zurück,
wenn die Beschleunigung zu 0 wird. Das Ausgangssignal wird
somit zu einem Signal, welches die Beschleunigung anzeigt.
Wenn die Beschleunigung in eine Richtung entgegengesetzt
auf das Gate G2 zu auftritt, findet die Operation umgekehrt
statt, wodurch die Ausgangsspannung V₀ erhöht wird, und,
wenn die Beschleunigung beendet wird, kehrt die Spannung
auf den anfänglichen Wert V₀ zurück.
Da das Paar von Transistoren des MIS-Typs zum Erlangen des
differentiellen Ausgangssignals im wesentlichen an dersel
ben Position auf dem Halbleitersubstrat gebildet ist, kann
angenommen werden, daß die Temperaturen jener Transistoren,
die die Ladungsträgerdichte beeinträchtigen, denselben Wert
besitzen. Somit kann der Einfluß der Temperatur auf das Si
gnal ignoriert werden. In der Umgebung von Fahrzeugen bei
spielsweise können Schwankungen der Leistungszufuhr auftre
ten, wodurch sich Schwankungen der Leistungszufuhr des Be
schleunigungssensors selbst ergeben (VDD von Fig. 1). Da
das verwendete Erfassungsverfahren auf einer differentiel
len Grundlage basiert, haben derartige Schwankungen der
Leistungszufuhr (Gleichtaktrauschkomponenten) keinen we
sentlichen Einfluß auf das Signal. Obwohl es unvermeidbar
ist, daß bei der elektrischen Schaltung am Verstärkungsteil
Fehler, Nullpunktsdriften an dem Integrationsteil und ähn
liche Schwierigkeiten auftreten, können derartige Schwie
rigkeiten unter Verwendung von gebräuchlichen Techniken be
züglich elektronischer Schaltungen wie einer Trimmkorrek
tur, dem Vorsehen einer Korrekturschaltung und periodische
Nullpunktskorrektur gelöst werden. Theoretisch sind diese
Schwierigkeiten nicht auf die vorliegende Erfindung bezogen
und werden nicht die Wirksamkeit der vorliegenden Erfindung
beeinträchtigen.
Im folgenden wird eine zweite Ausführungsform der vorlie
genden Erfindung beschrieben. Die Einrichtung zum Erzeugen
einer elektrostatischen Kraft an dem beweglichen Teil 10
zur Aufhebung der Beschleunigung des beweglichen Teils 10
ist nicht auf die in Fig. 1 dargestellte Gestaltung be
schränkt, sie kann irgendeine andere Gestaltung besitzen
und es kann Fig. 3 als Gestaltung zum Anlegen einer elek
trostatischen Kraft an das bewegliche Teil 10 verwendet
werden, um denselben Effekt zu erzielen.
Entsprechend Fig. 3 wird die Ausgangsspannung an die feste
Elektrode S1 bezüglich der beweglichen Elektrode MV rückge
koppelt, die als Gewicht des beweglichen Teils 10 dient. Eine
durch Invertieren der Ausgangsspannung erlangte Spannung
wird der festen Elektrode S2 zugeführt, und die bewegliche
Elektrode MV wird auf einem vorbestimmten elektrischen Po
tential VDD gehalten. Eine elektrostatische Kraft wird an
der beweglichen Elektrode MV erzeugt. Da bei dieser Anord
nung eine Veränderung des elektrischen Potentials der Gates
infolge einer Beschleunigung nicht möglich ist, wird stets
ein konstanter Drainstrom erlangt. Dadurch ergibt sich ein
Vorteil dahingehend, daß die Geschwindigkeit der Rückkopp
lung bezüglich der Servosteuerung und ähnliches unabhängig
von der Beschleunigung ist.
Eine dritte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird
im folgenden beschrieben. Die Anordnung der beweglichen
Gates und der beweglichen Elektroden MV, welche in Fig. 2
dargestellt sind, ist nicht auf vier Paar beweglicher Gates
und sechs Paar beweglicher Elektroden MV beschränkt, sie
kann, wenn verlangt, in Relation zum Ansprechen oder bezüg
lich des Brechens des beweglichen Teils auf die Beschleuni
gung oder ähnliches gestaltet werden. Die in den Fig. 4(a)
bis 4(c) dargestellten repräsentativen Ausgestaltungen
veranschaulichen einige Variationen des beweglichen Teils.
Fig. 4(a) stellt eine Gestaltung dar, bei welcher die be
weglichen Elektroden MV als Trägerteile verwendet werden,
und die ersten und zweiten festen Elektroden S1 und S2 sind
derart gebildet, daß sie um die Träger herum angeordnet
sind. Da es vier Trägerteile gibt, sind jene Elektroden an
vier Stellen unter Berücksichtigung der dynamischen Balance
angeordnet. Fig. 4(b) zeigt eine Gestaltung zur Implemen
tierung der Gestaltung, derart, daß ein rechteckiges Loch H1
in der Mitte des beweglichen Teils gebildet ist. Die ersten
und zweiten festen Elektroden sind an Umfangs teilen des
rechteckigen Lochs gebildet. Fig. 4(c) zeigt eine Gestal
tung, bei welcher eine Mehrzahl beweglicher Gates G1 und G2
und beweglicher Elektroden MV, die als Gewicht dienen, ge
bildet sind. Diese Gestaltung verbessert die Stärke eines
Signals. In jedem der Fälle ist die Gestaltung dynamisch
symmetrisch bezüglich der Richtung der auftretenden Be
schleunigung.
Es ist nicht nötig hervorzuheben, daß andere dynamische Ge
staltungen des beweglichen Teils eine vorteilhafte Charak
teristik der Erfindung darstellen, solange wie die Erfas
sung der Beschleunigung in lediglich einer Richtung ermög
licht wird.
Eine vierte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird
im folgenden beschrieben. Fig. 5(a) zeigt eine Struktur,
bei welcher ein Massenteil 62 eines beweglichen Teils 60
von einem Trägerteil 63 mit einem einzigen Ende getragen
wird. Bei dieser Struktur rotieren die beweglichen Gates G1
und G2 um ein Trägerteil 61 mit zweifachen Ende im Anspre
chen auf eine Beschleunigung in Richtung senkrecht zu dem
Substrat. Die beweglichen Gates veranlassen dadurch, daß
die Lücke zwischen den Source- und Drainteilen des
Substrats sich verändert, wodurch sich eine Veränderung der
Ladungsträgerdichte und somit eine Veränderung im Strom er
gibt. Das bewegliche Teil 60 besitzt eine bewegliche Elek
trode MV, die auf beiden Seiten des Trägerteils 63 mit
zweifachem Ende gebildet ist, das als Rotationsachse zur
symmetrischen Anordnung um die Achse der Rotation dient.
Die erste feste Elektrode S1 und die zweite feste Elektrode
S2 sind auf der Substratseite unter den Teilen 65 und 64
angeordnet. Fig. 5(b) zeigt eine Querschnittsansicht des
beweglichen Teils 60 seitlich entlang der Linie VB-VB von
Fig. 5(a). Die bewegliche Elektrode MV empfängt eine elek
trostatische Kraft von den festen Elektroden S1 und S2, die
auf dem Substrat vorgesehen sind. Als Ergebnis tritt eine
Rotationskraft in entgegengesetzter Richtung auf, wodurch
die oben beschriebene Rotation ausbalanciert wird. Die in
Fig. 5(a) und Fig. 5(b) dargestellte Gestaltung ist nicht
auf diese Anordnung beschränkt, es können andere Gestaltun
gen wie die Formen und Dimensionen der ersten und zweiten
festen Elektroden S1 und S2 in Abhängigkeit von den verwen
deten Materialen und den Bedingungen, unter welchen das
Bauelement verwendet wird, optimiert werden. Die Dicke der
Träger wird ebenso auf der Grundlage des Pegels der zu er
fassenden Beschleunigung bestimmt.
Im folgenden wird eine fünfte Ausführungsform der vorlie
genden Erfindung beschrieben. Die erste Ausführungsform zum
Erfassen einer Beschleunigung in einer Richtung horizontal
zu dem Substrat und die dritte Ausführungsform zum Erfassen
einer Beschleunigung in einer Richtung senkrecht zu dem
Substrat können in einem einzigen Chip miteinander verbun
den werden, wodurch die Bildung eines Halbleiter-G-Sensors
ermöglicht wird, der zum Erfassen einer Beschleunigung in
drei Dimensionen unabhängig zueinander geeignet ist. Wie in
Fig. 6 dargestellt ist, sind insbesondere G-Sensoren eines
horizontalen Erfassungstyps in rechten Winkeln zueinander
entlang der orthonalen X- und Y-Achse angeordnet, und es
ist ein G-Sensor eines vertikalen Erfassungstyps entlang
der Z-Achse angeordnet. Die Beschleunigungssensoren eines
horizontalen Erfassungstyps und die Beschleunigungssensoren
eines vertikalen Erfassungstyps sind auf dem einzigen Chip
gebildet. Da ein arithmetisches Teil oder ein Signalverar
beitungsteil daher gleichzeitig an einer Randposition auf
dem Chip gebildet sein kann, ist es möglich, einen G-Sensor
eines kompakten Einchiptyps zum Erfassen einer dreidimen
sionalen Beschleunigung vorzusehen. Dieser Sensor kann die
Komponente der Beschleunigung in jeder Richtung unabhängig
zueinander erfassen, und es können unterschiedlich zu den
Komponenten der Beschleunigung Rauschsignale in jeder Rich
tung aufgehoben werden, um genauere Beschleunigungssignale
zu erlangen. Es sollte erwähnt werden, daß, obwohl nicht
dargestellt, durch Kombinieren zweier G-Sensoren eine bidi
rektionale Erfassung durchgeführt werden kann. Beispiels
weise kann eine Beschleunigung in Richtung der X-Y-Ebene
unter Verwendung von zwei Einheiten von G-Sensoren eines
horizontalen Erfassungstyps in Übereinstimmung mit der er
sten Ausführungsform erfaßt werden, während eine Erfassung
in X- und Y-Richtung (die zwei Richtungen einer Ebene ver
tikal zu dem Substrat) durch Verbinden von Sensoren eines
horizontalen Erfassungstyps und eines vertikalen Erfas
sungstyps durchgeführt werden kann.
Im folgenden wird eine sechste Ausführungsform der vorlie
genden Erfindung beschrieben. Entsprechend den ersten bis
fünften Ausführungsformen wird die Differenz zwischen den
Drainspannungen V₁ und V₂ der MISFET′s 11 und 12 von dem
Differentialverstärkerteil 13 verstärkt und von dem Inte
grationsteil 14 integriert. Bei der in Fig. 7 dargestellten
sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden
die Spannungen V₁ und V₂ von einem Komparator 71 vergli
chen, um in ein binäres Signal mit hohem oder niedrigen Pe
geln umgewandelt zu werden. Das binäre Signal wird danach
einer vorbestimmten Signalverarbeitung an einem Signalver
arbeitungsteil 72 unterworfen. Danach wird das Ausgangssi
gnal an das bewegliche Teil 10 oder an die ersten und zwei
ten festen Elektroden (S1 und S2 von Fig. 3) rückgekoppelt,
um eine Servosteuerung zu ermöglichen. Die Gestaltung ent
sprechend der sechsten Ausführungsform ist dieselbe wie
diejenige der ersten bis fünften Ausführungsformen mit der
Ausnahme, daß das Differentialverstärkerteil und das Inte
grationsteil durch den Komparator 71 bzw. das Signalverar
beitungsteil 72 ersetzt werden.
Beispiele der Gestaltung des Signalverarbeitungsteils 72
von Fig. 7 sind in Fig. 8(a) und 8(b) dargestellt. Bei
der in Fig. 8(a) dargestellten Gestaltung wird das Aus
gangssignal des Komparators 71 in einen Pulszug umgewan
delt, der von einer Modulationsschaltung pulsbreitenmodu
liert ist. Das Signal wird danach dem beweglichen Teil 10
rückgekoppelt, um die Verschiebung davon zu steuern. Hoch
frequenzkomponenten des Pulszuges werden von einem Tiefpaß
filter (LPF) entfernt, um ein Ausgangssignal V₀ in Überein
stimmung mit der Beschleunigung zu erlangen.
Die Modulationsschaltung von Fig. 8(a) weist einen Tei
lungszähler 82 auf, der eine Frequenzteilung durch Zählen
externer Taktsignale durchführt, um interne Taktsignale zu
erzeugen, einen Herauf/Herunter-Zähler 81, der in Überein
stimmung mit dem Ausgangssignal des Komparators auf jeden
internen Takt arbeitet, und einen Digitalkomparator 84, der
einen Wert, der durch Addieren des Ausgangssignals des Her
auf/Herunter-Zählers 81 erlangt wurde, mit Offsetdaten an
einem Addierer/Subtrahierer 83 mit dem Teilungszähler 82
vergleicht. Der interne Takt stellt denselben Effekt wie
ein Bestimmen der Abtastperiode bereit, die eine Periode
des pulsbreitenmodulierten (PWM) Signals von Interesse dar
stellt. Da dieses PWM-Signal das Ausgangssignal ist, wird
das PWM-Signal direkt rückgekoppelt. Ein analoges Ausgangs
signal V₀ wird von einem Tiefpaßfilter (LPF) 86 erlangt,
der Rauschen aus dem Ausgangssignal entfernt.
Der Betrieb der in Fig. 8(a) dargestellten Gestaltung wird
im folgenden kurz unter Bezugnahme auf das in Fig. 9 darge
stellte beispielhafte Zeitablaufsdiagramm beschrieben. Der
Teilungszähler 82 zählt den externen Takt, und es tritt ein
Überlauf auf, der den Zählwert zur Rückkehr auf 0 veran
laßt. Dieses Verfahren wird wiederholt, und Signale, die
derartige Überläufe anzeigen, dienen als interner Takt. In
diesem Fall wird ein 3-Bit-Zähler verwendet, um einen inter
nen Taktpuls im Ansprechen auf 8 Pulse des externen Taktes
zu bilden. Ob der Herauf/Herunter-Zähler 81 herauf- oder
herunterzählt, wird durch den Zustand des Komparatoraus
gangssignals, d. h. des Zustands hoch oder niedrig, be
stimmt, wobei der Zeitablauf an jedem internen Takt dem
Herauf/Herunter-Zähler 81 eingegeben wird. Die resultieren
den Daten des Herauf/Herunter-Zählers verändern sich dem
entsprechend.
In demselben in Fig. 9 dargestellten Zeitablaufsdiagramm
zeigt der Herauf/Herunter-Zähler anfänglich die Daten "4"
an, denen "5", "6", "5" und "6" in Abhängigkeit des Zustand
des Komparators folgen. Die Daten des Herauf/Herunter-Zäh
lers werden mit den Daten des Teilungszählers 82 von dem
Digitalkomparator 84 verglichen. Da sich der Ausgang des
Digitalkomparators 84 im Zustand hoch befindet, wenn der
Wert des Teilungszählers 82 den Wert 0 annimmt, und den Zu
stand niedrig annimmt, wenn die Daten einander angepaßt
sind, wird das Ausgangssignal zu einem PWM-Signal, das ei
nen Puls darstellt, dessen Zyklus mit den internen Takten
übereinstimmt und dessen Pulsbreite durch die Daten des
Herauf/Herunter-Zählers bestimmt wird, d. h. von dem Wert
des Komparatorausgangs. Es wird hier angenommen, daß die
Offsetdaten den Wert 0 besitzen und nicht beschrieben wur
den. Diese Daten werden verwendet, die Daten des Her
auf/Herunter-Zählers mit einem geeigneten Wert in dem Fall
zu korrigieren, bei welchem das Ausgangssignal erzeugt
wird, um eine nicht gewünschte Steuerung sogar dann zu be
wirken, wenn es keine Beschleunigung gibt.
Wenn das PWM-Signal, wie in Fig. 7 dargestellt, an das be
wegliche Teil 10 rückgekoppelt wird, wird eine elektrosta
tische Kraft im Ansprechen auf das PWM-Signal in Form eines
Pulses an die beweglichen Gates G1 und G2 des beweglichen
Teils angelegt.
Da jedoch die Resonanzfrequenz des beweglichen Teils 10 mit
einigen 100 Hz bis zu einigen KHz niedrig ist, kann die an
die beweglichen Gates G1 und G2 angelegte elektrostatische
Kraft als geeignet bezüglich des Testverhältnisses des Pul
ses angesehen werden, da die Frequenz des Signals hinrei
chend hoch ist. Daraus ergibt sich derselbe Effekt wie der
jenige, der von der Steuerung unter Verwendung einer nega
tiven Rückkopplung auf analoger Basis erzielt wird. Dieser
Pulsausgang wird als das Ausgangssignal V₀ durch den Tief
paßfilter (LPF) 86 ausgegeben. Da der Tiefpaßfilter (LPF)
86 das Signal derart umwandelt, daß das Analogausgangssi
gnal erlangt wird, kann das Ausgangssignal V₀ rückgekoppelt
werden.
Insbesondere wenn die Beschleunigung auf die beweglichen
Gates G1 und G2 einwirkt und der Komparator 71 den Pegel
des hohen oder des niedrigen Zustands ausgibt, zählt der
Herauf/Herunter-Zähler 81 kontinuierlich nach oben oder
nach unten, wodurch veranlaßt wird, daß die Pulsbreite des
PMW-Ausgangssignals sich erhöht bzw. verringert. Dies ist
äquivalent zu dem Betrieb des Integrators in der analogen
Schaltung. Als Ergebnis wird die elektrostatische Kraft er
höht bzw. verringert, damit das bewegliche Teil 10 zu dem
mittleren Teil zurückkehrt. Wenn das bewegliche Teil 10
sich über die Mitte hinaus bewegt, wird der Ausgang des
Komparators 71 invertiert, und der Herauf/Herunter-Zähler
81 beginnt umgekehrt zu zählen. Als Ergebnis wird das be
wegliche Teil 10 wiederum auf die Mitte zu bewegt. Schließ
lich gibt der Komparator 71 wiederholt Ausgangssignale der
hohen und niedrigen Zustände aus, und die Daten des Her
auf/Herunter-Zählers 81 konvergieren auf einen bestimmten
Wert entsprechend der Beschleunigung. Der Digitalkomparator
84 gibt ein Puls aus, der ein Tastverhältnis entsprechend
der Beschleunigung besitzt. Es kann eine Spannung propor
tional zu diesem Tastverhältnis, d. h. eine Spannung propor
tional zu der Beschleunigung durch Passieren des Pulssi
gnals durch den Tiefpaßfilter (LPF) 86 erlangt werden.
Die Verschiebung des beweglichen Teils 10 kann in Überein
stimmung mit verschiedenen Modulationsverfahren einschließ
lich der Pulsdichtenmodulation anders als der Pulsbreiten
modulation gesteuert werden. Wenn ein entsprechend Fig. 8(a)
dargestelltes Digitalsignal 85 den ersten und zweiten
festen Elektroden wie in Fig. 3 dargestellt rückgekoppelt
wird, kann ein Signal, welches durch Invertieren des Si
gnals unter Verwendung eines Invertors (NOT-Schaltkreis)
erlangt wurde, gleichzeitig verwendet werden. Das Digital
signal kann direkt der ersten festen Elektrode S1 rückge
koppelt werden, und das invertierte Signal kann der zweiten
festen Elektrode S2 rückgekoppelt werden.
In der in Fig. 8(b) dargestellten Gestaltung werden eine
Addition und Subtraktion auf den Ausgang des Komparators 71
synchron zu einem Takt entsprechend dem internen Takt von
Fig. 8(a) durchgeführt, und es werden Digitalwerte, die
durch die Addition und Subtraktion erlangt wurden, D/A-um
gewandelt, um einen Betrieb äquivalent zu demjenigen des
Integrators durchzuführen. Das Ausgangssignal des Kompara
tors 71 wird einem Herauf/Herunter-Zähler 91 eingegeben,
der in Übereinstimmung mit dem Ausgangssignal des Kompara
tors 71 synchron zu dem Taktsignal herauf- oder herunter
zählt. Offsetdaten werden den Ausgangsdaten des Her
auf/Herunter-Zählers 91 durch einen Addierer/Subtrahierer
92 hinzugefügt, bzw. davon abgezogen, und das resultierende
Ausgangssignal ist das von einem D/A-Wandler 93 D/A-umge
wandelte. Dieses konvertierte Signal wird dem beweglichen
Teil 10 rückgekoppelt, um die Verschiebung des beweglichen
Teils 10 zu steuern, und wird als das Ausgangssignal V₀
ausgegeben.
Diese Gestaltung führt einen Betrieb aus, bei welchem, wenn
die Beschleunigung auf das bewegliche Teil 10 einwirkt und
der Komparator 71 veranlaßt wird, den hohen oder niedrigen
Zustand auszugeben, der Herauf/Herunter-Zähler 91 kontinu
ierlich herauf- oder herunterzählt, um zu veranlassen, daß
die Pulsbreite des PMW-Ausgangssignals erhöht bzw. verrin
gert wird. Als Ergebnis wird die elektrostatische Kraft er
höht bzw. verringert, damit das bewegliche Teil 10 zu dem
mittleren Teil zurückkehrt. Wenn sich das bewegliche Teil
10 über die Mitte hinaus bewegt, wird der Ausgang des Kom
parators 71 invertiert, und der Herauf/Herunter-Zähler 91
beginnt damit, umgekehrt zu zählen. Danach wird das beweg
liche Teil wiederum auf die Mitte zurückgezogen. Schließ
lich gibt der Komparator 71 wiederholt die hohen und nied
rigen Zustände aus, und die Daten des Herauf/Herunter-Zäh
lers 91 konvergieren entsprechend der Beschleunigung auf
einen bestimmten Wert. Dadurch wird der D/A-Wandler 93 ver
anlaßt, eine Spannung in Übereinstimmung mit der Beschleu
nigung auszugeben. D.h. der D/A-Wandler führt dieselbe
Funktion wie der Digitalkonverter von Fig. 8(a) aus. Die
Offsetdaten werden auf dieselbe Weise wie unter Bezugnahme
auf Fig. 8 beschrieben verwendet.
Wenn in der in Fig. 8(b) dargestellten Gestaltung die
Rückkopplung zu den festen Elektroden S1 und S2 durchge
führt wird, können zwei Paare der Addierer/Subtrahierer 92
und D/A-Wandler 93 aufbereitet werden, um wechselseitig in
vertierte Signale durch Durchführen einer Addition auf die
von dem Herauf/Herunter-Zähler 91 ausgegebenen Daten unter
Verwendung eines der Paare und durch Durchführen einer Sub
traktion unter Verwendung des anderen Paars zu erlangen.
Alternativ kann das analoge Ausgangssignal unter Verwendung
des in Fig. 3 dargestellten Inversionsteils 41 rückgekop
pelt werden.
Wie oben beschrieben, gibt es verschiedene Verfahren zum
Gestalten der Schaltung des Signalsverarbeitungsteiles 72,
und es kann irgendeine Schaltungsgestaltung verwendet wer
den, solange das bewegliche Teil 10 davon gesteuert werden
kann. Während Fehlerfaktoren wie Nullpunktsdriften, die an
dem Verstärkerteil und dem Integrationsteil auftreten,
durch eine Offseteinstellung und durch Trimmen der ersten
und zweiten Ausführungsformen korrigiert werden, kann das
Signalverarbeitungsteil 72 auf digitaler Basis gestaltet
werden, um eine Einstellung eines derartigen Offsets zu ge
statten und um unter Verwendung von Digitalwerten eine Emp
findlichkeit leicht zu handhaben. Dadurch werden Arbeit und
Kosten reduziert, die mit dem komplizierten Trimmverfahren
verbunden sind. Darüber hinaus vereinfacht ein direktes
ausgeben von Digitalwerten die von einem Mikrocomputer oder
ähnlichem durchgeführte Signalverarbeitung und gestattet
die Durchführung einer verschiedenartigen Gestaltung.
Im folgenden wird eine siebente Ausführungsform der vorlie
genden Erfindung beschrieben. Fig. 10 stellt eine bestimmte
Schaltungsgestaltung dieser Ausführungsform dar. Die Schal
tung arbeitet auf denselben Prinzipien wie denjenigen be
züglich der in Fig. 3 dargestellten Schaltung. Die Aus
gangsspannung V₀ und eine Spannung, die durch Invertieren
der Ausgangsspannung erlangt wird, werden an die festen
Elektroden S1 und S2 angelegt, wobei die Spannung der be
weglichen Gates G1 und G2 fest ist, um unter Verwendung ei
ner somit erlangten elektrostatischen Kraft einen Servobe
trieb durchzuführen.
Es wird an dem Schaltkreis 102 die Spannung VDD/2, die als
Bezugsspannung dient, erzeugt. Operationsverstärker 104,
105, 109 und 110 sind zur Impedanzwandlung miteinander ver
bunden. Ein Anschluß 103 zum Einstellen einer Offsetspan
nung ist an einem Differentialverstärkerteil 13 vorgesehen.
Da die Ausgangsspannung des Differentialverstärkerteils 13
(V₁-V₂) + VOFF beträgt, kann die anfängliche Offsetspannung
(V₁-V₂) durch VOFF eingestellt werden.
Es wird ein Anschluß 106 zur Arbeitsüberprüfung an dem Ein
gang eines Differentialverstärkers 107 vorgesehen, der an
einen Ausgangsanschluß V₀ angeschlossen ist. Im Normalbe
trieb wird der Anschluß 106 offengelassen, so daß die Aus
gangsspannung des Differentialverstärkers 107 V₀ gleicht
und es keinen Einfluß auf den Servobetrieb gibt. Wenn je
doch eine Spannung VD an den Anschluß 106 angelegt wird,
wird die Ausgangsspannung des Differentialverstärkers 107
zu 2V₀-VD. Als Ergebnis verändern sich die Spannungen der
festen Elektroden, und die bewegliche Elektrode wird durch
die elektrostatische Kraft verschoben. Wenn der Sensor und
die Schaltung richtig arbeiten, gleicht das Ausgangssignal
V₀ dem Wert VDD/2. Dadurch wird die elektrostatische Kraft
entfernt, und die bewegliche Elektrode kehrt auf ihren An
fangszustand zurück. Wenn in der Schaltung oder dem Sensor
irgendeine Abnormität auftritt, kann eine derartige Abnor
mität erfaßt werden, da das Ausgangssignal V₀ nicht dem
Wert VDD/2 gleicht.
Des weiteren ist ein Anschluß 108 zum Einstellen der Emp
findlichkeit an dem Eingang der Differentialverstärker 111
und 112 vorgesehen, die an den Ausgang des Differentialver
stärkers 107 angeschlossen sind. Da die Empfindlichkeit des
Sensors wie durch die folgende Gleichung ausgedrückt pro
portional zu der Spannung zwischen der beweglichen Elek
trode und den festen Elektroden ist, kann die Empfindlich
keit durch Verändern der Bezugsspannung VR der festen Elek
troden eingestellt werden.
ma = ε₀A/2[(Vr - Vg/d1)² - {(Vr + Vg)/d2]²]
wobei m die Masse des Massenteils, a die Beschleunigung Y₀
die elektrische Konstante von Luft, A die Oberfläche der
Elektroden, d1 den Abstand (1) zwischen der beweglichen
Elektrode und den festen Elektroden und d2 den Abstand (2)
zwischen der beweglichen Elektrode und den festen Elektro
den darstellen.
Wenn d1 = d2 = d, gilt:
ma = 2 ε₀AVr · Vg/d² und Vg = mad²/(2ε₀AVr).
Danach fügen die Differentialverstärker 111 und 112 eine
Empfindlichkeitseinstellungsspannung Vk hinzu, um die Emp
findlichkeit einzustellen. Für die Bezugsspannung Vref =
Vdd/2 in der in Fig. 11 dargestellten Schaltung sowie für
Vr und Vg der obigen ersten Gleichung gilt:
Vr = Vdd - Vref = Vdd/2 = Vref
Vg = V₀ - Vref.
Vg = V₀ - Vref.
Die Bezugsspannung Vref dient ebenso als Bezug für die Emp
findlichkeitseinstellungsspannung Vk. Daher gilt für die an
die festen Elektroden anzulegende Spannung:
(Bezugsspannung) + (Empfindlichkeitseinstellungsspannung) ±
(Ausgangsspannung)
= Vref + (Vk - Vref) + (V₀ - Vref)
= Vk + (V₀ - Vref).
Somit nehmen die Ausgänge der Differentialverstärker 111
und 112 die Werte (V₀ - Vref) + Vk bzw. (Vref - V₀) + Vk
an.
Die Schalter 114 und 115 sind zum temporären Schalten der
Spannung der festen Elektroden auf einen Wert gleich demje
nigen der beweglichen Elektrode vorgesehen, um zu verhin
dern, daß die bewegliche Elektrode von den festen Elektro
den berührt wird, wenn die Leistung anfänglich zugeführt
wird.
Die an den Empfindlichkeitseinstellungsanschluß und den
Offseteinstellungsanschluß angelegten Spannungen können
durch Trimmen eines Dünnschichtwiderstands oder auf digita
ler Basis unter Verwendung eines Speichers und eines D/A-
Wandlers vorgesehen werden. Es gibt keine Beschränkung des
Verfahrens zum Anlegen der Spannung.
Wie in Fig. 11 dargestellt, kann der Transistor G3 des MIS-
Typs mit einem beweglichen Gate, der dieselbe Gestaltung
wie der Transistor 11 oder 12 von Fig. 2 mit der Ausnahme
besitzt, daß kein Massenteil vorgesehen ist, in der Nähe
des Sensors angeordnet sein. Der Drain des Transistors kann
an den Anschluß V3 angeschlossen sein, so daß die Betriebs
punkte der Spannungen V1 und V2 ohne Rücksicht auf die Tem
peratur konstant gehalten werden. Da der Transistor G3 kein
Massenteil besitzt, wirkt sich die Beschleunigung im we
sentlichen nicht auf die Drainspannung davon aus. Darüber
hinaus sieht der Operationsverstärker 101 bezüglich der
Gatespannung einer Last 15a eine Rückkopplung derart vor,
so daß die Drainspannung V3 stets dem Wert VDD/2 gleicht.
Da dieselbe Gatespannung an die Lasten 15 angelegt wird,
verändern sich die Spannungen V1 und V2 um den Wert VDD/2,
wodurch ein Betrieb in größeren Temperaturbereichen ermög
licht wird.
In jeder der oben beschriebenen Ausführungsformen ist es
wünschenswert, eine hinreichende Bauelementetrennung bezüg
lich der aktiven Gebiete und der Signalverarbeitung und der
arithmetischen Teile auf dem Substrat unter Verwendung ei
ner normalen Halbleiterverarbeitung vorzusehen, um ein Rau
schen aus den Signalen zur genaueren Erfassung der Be
schleunigung zu eliminieren.
Das bewegliche Teil in dieser Spezifizierung stellt einen
Teil dar, der durch die Beschleunigung verschoben wird, um
die Beschleunigung zu erfassen und ein Signal zu erzeugen,
welches selbige anzeigt und aus beweglichen Gateelektroden
von MISFET′s und einer beweglichen Retensionselektrode be
steht, die das Ausgangssignal empfängt und das Erfassungs
signal auf einer Servosteuerbasis stabilisiert. Das diffe
rentielle Ausgangsteil weist ein Paar von Transistoren ei
nes MIS-Typs mit beweglichem Gate auf, eine Komponente zum
Erlangen einer differentiellen Spannung unter Verwendung
von Lasten und ein Differentialverstärkerteil, wobei das
differentielle Ausgangssignal davon durch ΔV dargestellt
wird.
Wenn beispielsweise zur Erfassung eines Unfalls ein Fahr
zeugairbag verwendet wird, der in einer Umgebung angewandt
wird, in welcher die Temperatur stark zwischen Extremen va
riiert und der häufig Schwankungen bezüglich der Leistungs
zufuhrbatterie unterworfen wird, wird das Bauelement in
Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung nicht feh
lerhaft durch die Beschleunigung aktiviert, die im Anspre
chen auf das Starten des Fahrzeugs, auf Vibrationen oder
ähnliches auftritt, und der Airbag wird geeignet durch Er
fassung lediglich der durch den Unfall in Richtung des Un
falls erzeugten Beschleunigung aktiviert.
Vorstehend wurde ein Beschleunigungssensor offenbart. In
dem Beschleunigungssensor, der bewegliche Gates und eine
bewegliche Elektrode und ein Signalverarbeitungsteil be
sitzt, erzeugen die beweglichen Gates eine differentielle
Spannung aus der Beschleunigung in einer Richtung, und es
wird das Ausgangssignal der beweglichen Elektrode rückge
koppelt. Die Balance des beweglichen Teils wird unter Ver
wendung einer elektrostatischen Kraft, welche die Beschleu
nigung aufhebt, die auf das bewegliche Teil wirkt, gehal
ten, und es wird eine Signalerfassung unter Verwendung ei
ner Steuerung mit einer geschlossenen Schleife stabili
siert. Da die Signalerfassung auf einer differentiellen Ba
sis durchgeführt wird, kann die Beschleunigung lediglich in
einer Richtung erfaßt werden. Da eine Veränderung bezüglich
des Stroms als Spannungsdifferenz erfaßt wird, wird keine
Trägerwelle benötigt. Da MISFET′s mit beweglichen Gates in
Paaren gebildet werden, gibt es keinen Einfluß von Tempera
turdriften. Die Verwendung eines differentiellen Signals
hebt auf ähnliche Weise den Einfluß von Schwankungen der
Leistungszufuhr auf. Eine Gestaltung eines Beschleunigungs
sensors wird somit vereinfacht.
Claims (19)
1. Beschleunigungssensor mit:
einem beweglichen Teil (10), das bewegliche Gateelek troden (G1, G2) enthält, die von Trägern (23) in einem vor bestimmten Abstand von der Oberfläche des Substrats getra gen werden und von einer darauf angewandten Beschleunigung verschoben werden, und
Source- und Drainelektroden (24, 25), die relativ zu den beweglichen Gateelektroden angeordnet sind, um eine MIS-ähnliche Struktur zum Erfassen einer Beschleunigung zu bilden, die auf die beweglichen Gatelektroden (G1, G2) ein wirkt,
wobei die beweglichen Gateelektroden (G1, G2) an dem beweglichen Teil (10) angeordnet sind, um wenigstens ein Paar von Transistoren (11, 12) eines MIS-Typs zu bilden, welche dieselbe Charakteristik besitzen,
wobei ein Ausgangsteil (13, 14, 71, 72) an die Transi storen des MIS-Typs zum Erzeugen eines Ausgangssingals an geschlossen sind, welches die Polarität in Abhängigkeit ei ner wechselseitig entgegengesetzten dynamischen Betriebs charakteristik des Paars der Transistoren (11, 12) des MIS- Typs im Ansprechen auf eine Bewegung des beweglichen Teils (10) verändert, die durch-die Beschleunigung hervorgerufen wurde, und
wobei ein Verschiebungssteuerungsteil (MV, S1, S2) zwischen dem Ausgangsteil (13, 14, 71, 72) und dem bewegli chen Teil (10) zum Durchführen einer Verschiebungssteuerung auf der Grundlage des Ausgangssignals derart angeschlossen ist, so daß die Verschiebung des beweglichen Teils durch eine elektrostatische Kraft aufgehoben wird, die eine hin reichende Größe besitzt, um der Beschleunigung zu widerste hen.
einem beweglichen Teil (10), das bewegliche Gateelek troden (G1, G2) enthält, die von Trägern (23) in einem vor bestimmten Abstand von der Oberfläche des Substrats getra gen werden und von einer darauf angewandten Beschleunigung verschoben werden, und
Source- und Drainelektroden (24, 25), die relativ zu den beweglichen Gateelektroden angeordnet sind, um eine MIS-ähnliche Struktur zum Erfassen einer Beschleunigung zu bilden, die auf die beweglichen Gatelektroden (G1, G2) ein wirkt,
wobei die beweglichen Gateelektroden (G1, G2) an dem beweglichen Teil (10) angeordnet sind, um wenigstens ein Paar von Transistoren (11, 12) eines MIS-Typs zu bilden, welche dieselbe Charakteristik besitzen,
wobei ein Ausgangsteil (13, 14, 71, 72) an die Transi storen des MIS-Typs zum Erzeugen eines Ausgangssingals an geschlossen sind, welches die Polarität in Abhängigkeit ei ner wechselseitig entgegengesetzten dynamischen Betriebs charakteristik des Paars der Transistoren (11, 12) des MIS- Typs im Ansprechen auf eine Bewegung des beweglichen Teils (10) verändert, die durch-die Beschleunigung hervorgerufen wurde, und
wobei ein Verschiebungssteuerungsteil (MV, S1, S2) zwischen dem Ausgangsteil (13, 14, 71, 72) und dem bewegli chen Teil (10) zum Durchführen einer Verschiebungssteuerung auf der Grundlage des Ausgangssignals derart angeschlossen ist, so daß die Verschiebung des beweglichen Teils durch eine elektrostatische Kraft aufgehoben wird, die eine hin reichende Größe besitzt, um der Beschleunigung zu widerste hen.
2. Beschleunigungssensor nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Verschiebungssteuerungsteil (MV, S1, S2)
eine bewegliche Elektrode (MV) aufweist, die als Gewicht an
dem beweglichen Teil (10) dient, und eine erste feste Elek
trode (S1) und eine zweite feste Elektrode (S2) auf dem
Substrat, und
ein Paar der ersten festen Elektrode (S1) und der zweiten festen Elektrode (S2) derart angeordnet ist, daß die bewegliche Elektrode (MV) mit im wesentlichen gleichen Abständen dazwischen umgeben wird.
ein Paar der ersten festen Elektrode (S1) und der zweiten festen Elektrode (S2) derart angeordnet ist, daß die bewegliche Elektrode (MV) mit im wesentlichen gleichen Abständen dazwischen umgeben wird.
3. Beschleunigungssensor nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß dem Verschiebungssteuerungsteil (MV, S1, S2)
ein Ausgangssignal (V₀) als Rückkopplung bezüglich des be
weglichen Teils (10) zugeführt wird.
4. Beschleunigungssensor nach Anspruch 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß den ersten und zweiten festen Elektroden (S1,
S2) eine vorbestimmte Vorspannung (VDD) zugeführt wird und
das Ausgangssignal (V₀) der beweglichen Elektrode (MV)
rückgekoppelt wird, um eine elektrostatische Kraft an der
beweglichen Elektrode (MV) in Richtung entgegengesetzt zu
der Beschleunigung zu erzeugen, welche das bewegliche Teil
(10) verschiebt, wodurch die Verschiebung aufgehoben wird.
5. Beschleunigungssensor nach Anspruch 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Ausgangssignal (V₀) der festen Elektrode
rückgekoppelt wird, ein invertiertes Signal, welches durch
Invertieren der Polarität des Ausgangssignals erlangt
wurde, der zweiten festen Elektrode (S2) rückgekoppelt wird
und die bewegliche Elektrode (MV) auf einem vorbestimmten
elektrischen Potential (VDD) gehalten wird, wodurch eine
elektrostatische Kraft an der beweglichen Elektrode (MV) in
Richtung entgegengesetzt zu der Beschleunigung erzeugt
wird, welche das bewegliche Teil verschoben hat (Fig. 3).
6. Beschleunigungssensor nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Träger (23) als Mehrzahl von parallelen
Trägern eines zweiseitigen Typs gebildet sind, um das be
wegliche Teil (10) zu tragen, wobei das Paar von bewegli
chen Gateelektroden (G1, G2) in einer Gateanordnungsrich
tung angeordnet ist, welche horizontal bezüglich der
Substratoberfläche und senkrecht zu der Richtung der Träger
(23) ausgerichtet ist, und wobei die Gateanordnungsrichtung
die Richtung ist, in welcher die Beschleunigung erfaßt
wird.
7. Beschleunigungssensor nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß ein Massenteil auf einer Seite eines der Trä
ger (23) des doppelseitigen Typs in eine Richtung senkrecht
zu der Anbringungsrichtung vorgesehen ist, um das bewegli
che Teil zur Erfassung der Beschleunigung in Richtung senk
recht zu der Substratoberfläche zu bilden,
die beweglichen Gateelektroden (G1, G2) auf beiden Seiten der Richtung senkrecht zu den Trägern (23) symme trisch um den Träger herum angeordnet sind, und
das Verschiebungssteuerungsteil die bewegliche Elek trode (MV) enthält, die symmetrisch und im wesentlichen gleich in dem Oberflächenbereich um die Träger (23) herum angeordnet ist, und erste und zweite feste Elektroden (S1, S2) auf der Substratoberfläche, die der beweglichen Elek trode (MV) gegenüberstehen, und axialsymmetrisch um die Po sition des Trägers und im wesentlichen gleich bezüglich des Oberflächenbereiches gebildet sind.
die beweglichen Gateelektroden (G1, G2) auf beiden Seiten der Richtung senkrecht zu den Trägern (23) symme trisch um den Träger herum angeordnet sind, und
das Verschiebungssteuerungsteil die bewegliche Elek trode (MV) enthält, die symmetrisch und im wesentlichen gleich in dem Oberflächenbereich um die Träger (23) herum angeordnet ist, und erste und zweite feste Elektroden (S1, S2) auf der Substratoberfläche, die der beweglichen Elek trode (MV) gegenüberstehen, und axialsymmetrisch um die Po sition des Trägers und im wesentlichen gleich bezüglich des Oberflächenbereiches gebildet sind.
8. Beschleunigungssensor nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Ausgangsteil (13, 14, 71, 72) einen
Differentialverstärker (13) zum Empfang von Ausgangs signalen (V1, V2) des Paars von Transistoren (11, 12) eines MIS-Typs und zum Verstärken des Unterschieds zwischen den Ausgangssignalen und
einen Integrator (14) zum Integrieren der Ausgangssi gnale des Ergebnisses der Verstärkung aufweist.
Differentialverstärker (13) zum Empfang von Ausgangs signalen (V1, V2) des Paars von Transistoren (11, 12) eines MIS-Typs und zum Verstärken des Unterschieds zwischen den Ausgangssignalen und
einen Integrator (14) zum Integrieren der Ausgangssi gnale des Ergebnisses der Verstärkung aufweist.
9. Beschleunigungssensor nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Verschiebungssteuerungsteil eine Mehrzahl
von Sätzen einer beweglichen Elektrode (MV) und ersten und
zweiten festen Elektroden (S1, S2) aufweist, die an dem be
weglichen Teil (10) vorgesehen sind.
10. Beschleunigungssensor nach Anspruch 6, dadurch gekenn
zeichnet, daß rechteckige Löcher (H1) in dem beweglichen
Teil (10) gebildet sind und erste und zweite feste Elektro
den (S1, S2) an Randteilen der rechteckigen Löcher vorgese
hen sind.
11. Beschleunigungssensor nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Ausgangsteil
einen Komparator (71) zum Durchführen einer Umwandlung in ein binäres Signal und
ein Signalverarbeitungsteil (72) zum Durchführen einer vorbestimmten Signalverarbeitung aufweist.
einen Komparator (71) zum Durchführen einer Umwandlung in ein binäres Signal und
ein Signalverarbeitungsteil (72) zum Durchführen einer vorbestimmten Signalverarbeitung aufweist.
12. Beschleunigungssensor nach Anspruch 11, dadurch ge
kennzeichnet, daß das Signalverarbeitungsteil (72) das bi
näre Signal in einen pulsbreitenmodulierten Pulszug umwan
delt und die Verschiebung des beweglichen Teils unter Ver
wendung des Pulszugs steuert.
13. Beschleunigungssensor nach Anspruch 11, dadurch ge
kennzeichnet, daß das Signalverarbeitungsteil (72) das bi
näre Signal in einen pulsdichtemodulierten Pulszug umwan
delt und die Verschiebung des beweglichen Teils unter Ver
wendung des Pulszuges steuert.
14. Beschleunigungssensor nach Anspruch 11, dadurch ge
kennzeichnet, daß das Signalverarbeitungsteil (72)
einen Addierer/Subtrahierer-Schaltkreis (92) zum Durchführen einer Addition und Subtraktion auf der Grund lage des binären Signals und
einen D/A-Wandler (93) zum Durchführen einer D/A-Um wandlung bezüglich der Daten aufweist, welche von dem Ad dierer/Subtrahierer-Schaltkreis (92) ausgegeben werden.
einen Addierer/Subtrahierer-Schaltkreis (92) zum Durchführen einer Addition und Subtraktion auf der Grund lage des binären Signals und
einen D/A-Wandler (93) zum Durchführen einer D/A-Um wandlung bezüglich der Daten aufweist, welche von dem Ad dierer/Subtrahierer-Schaltkreis (92) ausgegeben werden.
15. Beschleunigungssensor nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß ein Anschluß (108) zur Empfindlichkeitsein
stellung und ein Differentialverstärkerschaltkreis (109)
zwischen einem Ausgangsanschluß und dem Verschiebungssteue
rungsteil (MV, S1, S2) zum Durchführen der Empfindlich
keitseinstellung durch Anlegen einer vorbestimmten Spannung
(VK) vorgesehen sind.
16. Beschleunigungssensor nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß ein Anschluß (106) zur Betriebsüberprüfung
und ein dritter Differentialverstärkerschaltkreis (107)
zwischen einem Ausgangsanschluß und dem Verschiebungssteue
rungsteil zum Überprüfen des Betriebs durch Anlegen eines
vorbestimmten Signals an den Anschluß zur Betriebsüberprü
fung vorgesehen sind.
17. Beschleunigungssensor nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß ein Anschluß (103) zur Offseteinstellung an
dem Ausgangsteil vorgesehen ist.
18. Beschleunigungssensor nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß
ein dritter Transistor (G3, 24, 25) eines MIS-Typs, der nicht durch die Beschleunigung beeinträchtigt wird und dieselbe Struktur wie die Transistoren (11, 12) des MIS- Typs besitzt, welche die beweglichen Gateelektroden (G1, G2) zum Erfassen der Beschleunigung besitzen, in der Nähe der Transistoren (11, 12) des MIS-Typs vorgesehen ist,
Transitoren (15, 15A) des MIS-Typs, welche als Lasten dienen, an den Drain jedes der Transistoren (11, 12, G3, 24, 25) des MIS-Typs angeschlossen sind und
die Arbeitspunkte der Drainspannungen der Transistoren (11, 12) des MIS-Typs durch Steuern der Gatespannungen der Transistoren des MIS-Typs konstant gehalten werden, die als tasten (15, 15A) dienen, so daß die Drainspannung der Tran sistoren (G3, 24, 25) des MIS-Typs konstant gehalten wer den.
ein dritter Transistor (G3, 24, 25) eines MIS-Typs, der nicht durch die Beschleunigung beeinträchtigt wird und dieselbe Struktur wie die Transistoren (11, 12) des MIS- Typs besitzt, welche die beweglichen Gateelektroden (G1, G2) zum Erfassen der Beschleunigung besitzen, in der Nähe der Transistoren (11, 12) des MIS-Typs vorgesehen ist,
Transitoren (15, 15A) des MIS-Typs, welche als Lasten dienen, an den Drain jedes der Transistoren (11, 12, G3, 24, 25) des MIS-Typs angeschlossen sind und
die Arbeitspunkte der Drainspannungen der Transistoren (11, 12) des MIS-Typs durch Steuern der Gatespannungen der Transistoren des MIS-Typs konstant gehalten werden, die als tasten (15, 15A) dienen, so daß die Drainspannung der Tran sistoren (G3, 24, 25) des MIS-Typs konstant gehalten wer den.
19. Beschleunigungssensor nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß ein Schalter zwischen dem Ausgangsanschluß
und dem Verschiebungssteuerungsteil vorgesehen ist, welcher
derart geschaltet wird, daß die festen Elektroden und die
bewegliche Elektrode dasselbe elektrische Potential während
einer vorbestimmten Zeitperiode besitzen.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7169894A JPH07253442A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 加速度センサ |
JP22874094A JP3269274B2 (ja) | 1994-03-15 | 1994-08-29 | 加速度センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19509338A1 true DE19509338A1 (de) | 1995-09-21 |
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---|---|
US (1) | US5541437A (de) |
JP (1) | JP3269274B2 (de) |
DE (1) | DE19509338C2 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0785437A1 (de) * | 1996-01-25 | 1997-07-23 | Motorola, Inc. | Halbleiterbauelement mit einer bewegbaren Gate-Elektrode |
DE10019408A1 (de) * | 2000-04-19 | 2001-10-31 | Bosch Gmbh Robert | Feldeffekttransistor, insbesondere zur Verwendung als Sensorelement oder Beschleunigungssensor, und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102008003213A1 (de) | 2007-10-15 | 2009-07-09 | Nivag Handelsgesellschaft Mbh | Nothammer mit weiteren Funktionen als Hülle eines Mehrzweckwerkzeugs mit Signalisierung |
WO2012152468A1 (de) * | 2011-05-10 | 2012-11-15 | Robert Bosch Gmbh | Auswerteschaltung für feldeffekttransistor mit beweglicher gatestruktur |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3322067B2 (ja) * | 1995-04-24 | 2002-09-09 | 株式会社デンソー | 物理量検出装置 |
US5808331A (en) * | 1995-09-05 | 1998-09-15 | Motorola, Inc. | Monolithic semiconductor device having a microstructure and a transistor |
US5770883A (en) * | 1995-09-19 | 1998-06-23 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor sensor with a built-in amplification circuit |
US5737961A (en) * | 1996-03-26 | 1998-04-14 | Trw Inc. | Method and apparatus for detecting operational failure of a digital accelerometer |
JP3435979B2 (ja) * | 1996-04-26 | 2003-08-11 | 株式会社デンソー | 物理量検出装置 |
US5992233A (en) * | 1996-05-31 | 1999-11-30 | The Regents Of The University Of California | Micromachined Z-axis vibratory rate gyroscope |
US6043524A (en) * | 1997-02-03 | 2000-03-28 | Motorola, Inc. | Transducer and interface circuit |
US6048774A (en) * | 1997-06-26 | 2000-04-11 | Denso Corporation | Method of manufacturing dynamic amount semiconductor sensor |
JP3555388B2 (ja) * | 1997-06-30 | 2004-08-18 | 株式会社デンソー | 半導体ヨーレートセンサ |
US5903038A (en) * | 1997-06-30 | 1999-05-11 | Motorola, Inc. | Semiconductor sensing device and method for fabricating the same |
US5990427A (en) * | 1998-10-23 | 1999-11-23 | Trw Inc. | Movable acceleration switch responsive to acceleration parallel to plane of substrate upon which the switch is fabricated and methods |
US6388299B1 (en) | 1998-12-10 | 2002-05-14 | Honeywell Inc. | Sensor assembly and method |
US6204544B1 (en) | 1999-02-12 | 2001-03-20 | Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College | Laterally movable gate field effect transistors for microsensors and microactuators |
JP4515549B2 (ja) * | 1999-03-12 | 2010-08-04 | 誠 石田 | 半導体素子および半導体センサ |
US6291908B1 (en) | 1999-10-06 | 2001-09-18 | Trw Inc. | Micro-miniature switch apparatus |
US6744173B2 (en) * | 2000-03-24 | 2004-06-01 | Analog Devices, Inc. | Multi-layer, self-aligned vertical combdrive electrostatic actuators and fabrication methods |
US6629461B2 (en) * | 2000-03-24 | 2003-10-07 | Onix Microsystems, Inc. | Biased rotatable combdrive actuator methods |
US6593677B2 (en) | 2000-03-24 | 2003-07-15 | Onix Microsystems, Inc. | Biased rotatable combdrive devices and methods |
DE10029501C1 (de) * | 2000-06-21 | 2001-10-04 | Fraunhofer Ges Forschung | Vertikal-Transistor mit beweglichen Gate und Verfahren zu dessen Herstelllung |
US6365442B1 (en) | 2000-10-04 | 2002-04-02 | Trw Inc. | Efficient method of making micro-miniature switch device |
US6879056B2 (en) * | 2000-12-29 | 2005-04-12 | Intel Corporation | Converting sensed signals |
US7207423B2 (en) * | 2001-10-05 | 2007-04-24 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Acceleration sensor for motor vehicles |
CN1242272C (zh) * | 2002-04-12 | 2006-02-15 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 湿法腐蚀制造微机械电容式加速度传感器的方法 |
US7606552B2 (en) * | 2005-11-10 | 2009-10-20 | Research In Motion Limited | System and method for activating an electronic device |
FR2901263B1 (fr) * | 2006-05-18 | 2008-10-03 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif sensible a un mouvement comportant au moins un transistor |
US8076738B2 (en) * | 2007-09-28 | 2011-12-13 | Infineon Technologies Ag | Integrally fabricated micromachine and logic elements |
US8104346B2 (en) * | 2008-11-10 | 2012-01-31 | Westerngeco L.L.C. | MEMS-based capacitive sensor |
WO2010058351A1 (en) * | 2008-11-18 | 2010-05-27 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | Active multi gate micro-electro-mechanical device with built-in transistor |
GB201322918D0 (en) * | 2013-12-23 | 2014-02-12 | Atlantic Inertial Systems Ltd | Accelerometers |
KR101915954B1 (ko) * | 2016-06-29 | 2018-11-08 | 주식회사 신성씨앤티 | 멤스 기반의 3축 가속도 센서 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6055655A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-03-30 | Nissan Motor Co Ltd | 梁構造体を有する半導体装置 |
FR2578323B1 (fr) * | 1985-03-01 | 1987-11-20 | Metravib Sa | Capteur integre de grandeurs mecaniques a effet capacitif et procede de fabrication. |
GB8718004D0 (en) * | 1987-07-29 | 1987-12-16 | Marconi Co Ltd | Accelerometer |
JPH0672899B2 (ja) * | 1988-04-01 | 1994-09-14 | 株式会社日立製作所 | 加速度センサ |
JPH0623782B2 (ja) * | 1988-11-15 | 1994-03-30 | 株式会社日立製作所 | 静電容量式加速度センサ及び半導体圧力センサ |
US5314572A (en) * | 1990-08-17 | 1994-05-24 | Analog Devices, Inc. | Method for fabricating microstructures |
JPH0644008B2 (ja) * | 1990-08-17 | 1994-06-08 | アナログ・ディバイセス・インコーポレーテッド | モノリシック加速度計 |
US5326726A (en) * | 1990-08-17 | 1994-07-05 | Analog Devices, Inc. | Method for fabricating monolithic chip containing integrated circuitry and suspended microstructure |
US5103279A (en) * | 1990-10-18 | 1992-04-07 | Motorola, Inc. | Field effect transistor with acceleration dependent gain |
JPH04268725A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-24 | Canon Inc | 力学量検出センサおよびその製造方法 |
JPH05322348A (ja) * | 1992-05-19 | 1993-12-07 | Mitsubishi Electric Corp | 空気調和装置 |
DE4445553A1 (de) * | 1993-12-21 | 1995-06-22 | Nippon Denso Co | Halbleiterbeschleunigungssensor |
-
1994
- 1994-08-29 JP JP22874094A patent/JP3269274B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-03-14 US US08/404,295 patent/US5541437A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-15 DE DE19509338A patent/DE19509338C2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0785437A1 (de) * | 1996-01-25 | 1997-07-23 | Motorola, Inc. | Halbleiterbauelement mit einer bewegbaren Gate-Elektrode |
DE10019408A1 (de) * | 2000-04-19 | 2001-10-31 | Bosch Gmbh Robert | Feldeffekttransistor, insbesondere zur Verwendung als Sensorelement oder Beschleunigungssensor, und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE10019408C2 (de) * | 2000-04-19 | 2003-11-13 | Bosch Gmbh Robert | Feldeffekttransistor, insbesondere zur Verwendung als Sensorelement oder Beschleunigungssensor, und Verfahren zu dessen Herstellung |
US6724023B2 (en) | 2000-04-19 | 2004-04-20 | Robert Bosch Gmbh | Field effect transistor, especially for use as a sensor element or acceleration sensor |
DE102008003213A1 (de) | 2007-10-15 | 2009-07-09 | Nivag Handelsgesellschaft Mbh | Nothammer mit weiteren Funktionen als Hülle eines Mehrzweckwerkzeugs mit Signalisierung |
WO2012152468A1 (de) * | 2011-05-10 | 2012-11-15 | Robert Bosch Gmbh | Auswerteschaltung für feldeffekttransistor mit beweglicher gatestruktur |
US9470744B2 (en) | 2011-05-10 | 2016-10-18 | Robert Bosch Gmbh | Analysis circuit for field effect transistors having a displaceable gate structure |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5541437A (en) | 1996-07-30 |
JP3269274B2 (ja) | 2002-03-25 |
JPH08110354A (ja) | 1996-04-30 |
DE19509338C2 (de) | 2003-10-16 |
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Legal Events
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Ipc: G01P 15/08 |
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8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: DENSO CORP., KARIYA, AICHI, JP |
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8364 | No opposition during term of opposition | ||
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R071 | Expiry of right |