DE1941305A1 - Verfahren zur Herstellung von in Kunststoff gekapselten Halbleiterbauelementen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von in Kunststoff gekapselten Halbleiterbauelementen

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DE1941305A1
DE1941305A1 DE19691941305 DE1941305A DE1941305A1 DE 1941305 A1 DE1941305 A1 DE 1941305A1 DE 19691941305 DE19691941305 DE 19691941305 DE 1941305 A DE1941305 A DE 1941305A DE 1941305 A1 DE1941305 A1 DE 1941305A1
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plastic
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frame
connecting strips
cooling
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Overman James Howard
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Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
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Description

TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
13500 North Central Expressway
Dallas, Texas, V.St.A.
Verfahren zur Herstellung von in Kunststoff gekapselten Halbleiterbauelementen.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung τοπ in Kunststoff gekapselten Halbleiterbauelementen unc insbesondere ein Verfahren zum gleichzeitigen Einkapseln einer Vielzahl von Halbleiterbauelementen durch Streifenfernen und Sauteile zur Verwendung bei dem Verfahren zur Hers"ellung von Halbleiterbauelementen durch Pressspritzen.
Früher wurden Halbleiterbauelemente, die bei verhäl/cnismässig hohen Leistungen arbeiten können, auf einem festen Metallsockel, wie einem Sockel aus Kupfer oder Stahl hergestellt und von einem Metallbecher umschlossen. Venn diese in einem Becher eingeschlossenen Bauelemente bei Nennwerten oder darunter betrieben wurden, arbeiteten sie entsprechend den angegebenen Daten. Diese von einem Becher umschlossenen Halbleiterbauelemente wiesen zusätzlich zu ihrer teuren Herstellung einen ihnen eigenen Mangel an Vielseitigkeit und eine schlechte Ausnutzung des zu Verfugung stehenden Platzes auf.
3chw/Ba
009839/1218 BADORiGiNAL
In jüngerer Z.^it sind viele -Anstrengungen u nt er η ο arse n worden, das Ee eher gehäuse für Halbleiterbauelemente durch eine Kunststoffeinkapeeluns au ersetzen, üiner der Hauptvorteile der Kunstst offeinkapselung besteht darin, dass viele Her3tellungsschritte leicht automatisiert werden können. I)a Halbleiterbauelemente klein und empfindlich sind, führt jedes Verfahren, aas die Handhabung und von Hand durchgeführte Bearbeitungsvorgänge des empfindlichen Halbleiterplqttchens nicht nur zu einer höheren Ausbeute an brauchbaren Bauelementen, sondern es reduziert auch die Kosten pro Bauelement;.
Bisher wurde das Kunststoffpressspritzen (plastic transfer molding) von Halbleiterbauelementgehäusen auf einer einteiligen Grundplatte durchgeführt.Es wurde zwar eine Anzahl von Bauelementen gleichzeitig geformt, doch 'waren für jedes Bauelement einzelne Ausnehmungen vorgesehen. Die einzelnen Ausnehmungen waren durch Angusskanäle über Stege miteinander verbund en.Da das fertige Gehäuse verhältn istnäss ig klein ist, waren diese Yerbindungsstege vergleichsweise eng, so dass sie oft verstopften und dadurch den Fluss des iiinkapselungskunststoffs behinderten. Dadurch wird die Ausbeute offensichtlicr. verringertjUnd die Kosten pro Einheit werden erhörrc. Zusätzlich zu diesem Hachteil erfordert das Herstelle.' von Halbleiterbauelementen auf einer einzelnen Grundriß ο;,-. eine übermässige Behandlung der sehr kleinen und espfindlicr-Ealbleiterplättchen. Pur die einzelnen Einheixen war sogar dann eine beträchtliche Anzahl von Herstellungs- und· Behandluagsschritten erforderlich, wenn die Einheiten gleichzeitig isüit anderen eingekapselt wurden.
Gemäss einera Merkiaal der Erfindung soll ein Verfahren zuts Einkapseln von Halbleiterbauelementen in einem Streifen forojverfahren geschaffen werden. In einer weiterbilda;:j
009839/1218
BAD ORIGINAl.
der Erfi.näung wird ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbnuelöcenten geschaffen, das ein minimales Überschwappen oder Aussickern aus der Pcrtnausnehfnung aufweist.· Gocliss einer V/e it er bildung der Erfindung wird sin Kühlblech z\xc steuern der Strömung des Plattchenbeschichtungsmaterials geschaffen, Ausserde-n v.erden lurch die ~rfindung teilweise abgescherte Verbindungsleiter zur Verwendung beir Sreifenfornen von Halbleiterbauelementen geschaffen.
Kach Ö3r Erfindung v.ir3 ein Verfahren z-ur Herstellung von Halbleiterbauelementen in einer einzigen Matrize als ünheit geschaffen. Doroh die Herstellung einer Anzahl von einzelnen Bauelementen als linheit 1:ΰηηβη kleine empfindliche !"eile se alt einander verbunden werden, das.? sie grössere robustere To:Ie bilden. Liese grösseren leile können von Autor,:-ten leichter behandelt v.erden, wodurch ve η Hand durchgeführte 2oarbeitunrsvorg:inge ausgeschlcs.aen werden können. Wp von Hand durchgeführte Vcrgänge erforderlich sind, verringern diese grö^s^rer. Zeile ausaerdsas das Risiko der Zerstörung der er.:cfinöliohen HaIb-^ laiterplütyChen. Las Konzept, eine grcssere Anzahl von einseinen Bauelementen als Einheit durch streife pressen herzustellen, führ:; zu e? η er. -;U8geze -"cr-rrresG-jU ( weniger Einschlüsse), und es se: .-Losten, da sich prc längeneinheit des verwendeten Metalls ~ehr Einheiten er je ten. Anstelle einer Anordnung 3 us kleinen, einzeln über .^ngusskanüle :-:iteln?.nf er verbundener Ausnehrungen, erfordert das Ctreiferpressen nur wenige Ausnehaungen, ".ie .einzeln χ it einer. Angusskanal verbunden sein können. Ladureh können zwischen
eifen—
senk»
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SAD
■.'■■■■ :. ■"'■'. - 4 - . ■ , :
den Ausnehmungen"und dem Kanal weitere Stege verwendet -.'". werden, wodurch eine bessere und gleichmassigere Einkapselung sichergestellt wird. Da3 Verfahren eignet sich aura Einkapseln von im wesentlichen jedem beliebigen Halbleiterbauelement einschliesslich von einzelnen Bauelementen •und integrierten Schaltkreisen.
Als weiterer wichtiger Vorteil des Streifenpressens einer grossen Anzahl von einzelnen Bauelementen als Einheit ist die Köglichkeit, Formen zu verwenden, die sin Überschwappen oder Aussickern von heissem Kunststoff aus W- der Pressraatrize im wesentlichen ausschliessen.
Gemäss einer besonderen '· usführungsf orm der Erfindung werden einseine Leistungstransistoren als Einheit hergestellt. Ein Rahmen, der aus siteinanderverbundenen iCyhlblechen besteht, ist mit eine", Rahmenaus leitern zusammengesteckt, der durch Verbindungsleisten, die die verschiedene Leiter miteinander verbinden, als Einheit geformt ist. Die Verbindungsleisten sind teilweise abgeschert, daait die 'Trennung nach dem Pressvorgang erleichtert wird. Diese teilweise abgescherten Verbindungsleisten 3ini so ausgebildet, dass sie ein Aussickern des ^ heissen Kunststoffs aus der Form ausschliessen. Kqchaem der K^hlblechrahtnen und der Leiterrahmen zusammengesteckt sind, werden an den Kühlhlechan einzelne Transistorplattchen befestigt, und die elektrischen Verbindungen mit den Leitern werden hergestellt. Dacit eine Verunreinigung der Kalbleiterübergänge verhindert wird, werden die Plättchen mit einem Dichtungsmaterial, beispielsweise einem Silikonkautschuk beschichtet. Die Anordnung wird dann in eine Fore; eingefügt, und ein hitzehärtbarer Kunststoff wird in die Formausnehmung eingespritzt.
009839/1218
BAD
. - 5 - " ■■;■'■-■
Die Form ist mit Niederhaltestift^n versehen, die durch den Leiterrahmen ragen,damit -das Kühlblech fest gegen eine Formfläche geklemmt wird, se dass sichergestellt wird, dass die Kühlblechfläche des fertigen Gehäuses gratfrei ist, Nach Beendigung des Pressvorgangs drückt eine Reihe von Ausstosstiften die gesamte Anordnung aus der lorm. Zur Trennung'der Leiter werden die Verbindungsleisten nun geschnitten, und die Kühlbleche werden angesagt, damit die einzelnen Bauelemente getrennt werden.
Sin Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt. Darin zeigen:
Fig.1 bis 5 einzelne Schritte des erfindungsgelassen Herstellungsverfahrens,
Pig.6 eine perspektivische Ansicht eines nach dem in Fig.1 bis 5 dargestellten Verfahren hergestellten Transistors,
Fig.7 eine perspektivische Anordnung eines weiteren nach dem Verfahren von Fig.1 bis 5 hergestellten Transistors ,
Fig.8 einen Schnitt durch den Transistor von Fig. 7 in der Ebene 8-8, '
Fig.9 einen Schnitt durch die Boden- und Deckhälften einer Form zur Durchführung des Verfahrens und
Fig. 10 eine Draufsicht auf die untere Hälfte der in Fig.9 dargestellten Form-, ·
39/1210
BAD
305
— ο —
in jflg.1 bis 5 sind die i^rgebnisse der verschiedenen Schritte bei äer gleichzeitigen Herstellung eiκ-r Vielzahl von transistoren dargestellt. Es ist zwar hier die Herstellung von Leistungstransistoren beschrieben, die die Verwendung eines Kühlblechs erfordern, doch kann das hier beschriebene Verfahren natürlich auch zur Herstellung anderer Kalbleiterbaueleraente sit und ohne Kühlflächen.verwendet werden.
Ia Eig.1 und Ej_g.2 ist ein aus 12 einzelnen Kühlöleöh-en bestehender Kühlblechrahmen 10 dargestellt, der in einen Leiterrahmen 12 gesteckt ist, der aus 36 durch '7erbindungsleisten 14» 16 und 18 aiteinander verbundenen Leitern besteht. Die Terbindungsleisten zwischen zwei L'eitem sind so ausgelegt, dass sie sich bis zur Kante cTer ?orsausnehajung erstrecken, wie noch erläuter"o wird. Die Konstruktion verleiht der Verbindungsleiste eine Doppelfunktion; sie verbindet einerseits die Leiter miteinander tinä bildet andrerseits zwischen den Leitern eine Abdichtung der Ausnehmung. Daait die xrennang der Leiter und die Entfernung des Verbindiingsleistennaterials erleichtert wird % sind diese Verbindungsleisten teilweise abgeschert. Die abgescherten Bereiche s i ad traps zähnlich, ausgebildet. Dies ernöglicht ein Abscheren der Terbindungsleiste und ein Zurückdrücken iß Ihre flacheÄtts gangs fore, dasit sie als Form dichtung wirkt. .. ..■-..-'■
Man beachte, dass jeäeCi der 12 Ivihlbleühe 3 Leiter zugeordnet sind. i)er K-'ihlblechrahaien 10 und der Leiterrahsen 12 > sind fflit Hilfe des Mittelleitera dieser Gruppe von drei . Leitern ζ;üsaQs sengest eckt, Auf diese V/eise ist der lälttel-. leiter Jeder Gruppe aus drei Leitern in der dargestellten
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Ausfi5hrangsfor.ni- mechanisch und elektrisch alt deia Kühlblech verband sn. Lies entspri cht der üblichen Leistungstransistorherstellung, bei der der Kollektor elektrisch :ait des Züihlblech verbunden ist. .
Vorzugsweise bestehen der Kühlblechranraea 10 und der Leiterrahmen 12 aus eines! beschichteten iCupferaaterisl. Versilbertes Kupfer hat sich als ein zur .Durchführung des hier beschriebene!: Verfahrens zufriedenstellendes iviaterial erwiesen, doch können auch andere i'-aterialier. wie vernickeltes Kupfer, gewisse Verteile besitsen. Vi'etm die LpistULgswerte so gross sind, dass die V.ärzieleitfähigkait von Kupfer nicht erforderlich ist, kann auch Aluminium (rein beschichtet oder plattiert) verwendet werden. . :
Nachdem der Kühlblechrahaen 10 mit dec:· Leiterrahmen 12 zusao:oiengesteckt v.crden ist, wird auf jedem der einzelnen Kühlblechs im Verlängerungsbereich isr Leiter ein LStsista tropfen 19 angebracht, wie in 51Ig". i dargestellt is-c. Als nächstes wird ein iialbleiterpl?..ttch-3iv 20 (taispielsvvsiss ein xransistorrlättchen) rit Hilfe von ;Ioc'.tfr3q.uenzschwiugungen vibrierend in den Lötaetalltrcpfea eingedrückt. Dieser unter Vibrieren erfolgende üiriir-'ic-cvorgang stelle sicher, dass eine £ute mechanische Verbindung mit dem Küh-ltlecji hergestellt worien ist, so dass der bestmögliche '.-^rneübergangsicceffisiect zwischen dets Plättchen upd den: Kühlblech geschaffen wire.
Äeun die Halbleiterplättehen "feucht" , d.h. sit ein wenig vorher aus -ier ilollektorfläche abgeschiedenen Lötnetalls angeliefert werden, dann kann der Verfahrensochritt, bei .den ein Lötcetalltropfen auf des Kühlblech
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angebracht wird, ausgelassen werden, äatt dessen wird der Kiih.lblech.rah.tnen 1 3 auf den Schmelzpunkt des Löt-.metalls erhitzt, und das "feuchte" Halblelterplättchen wird vibrierend auf das erwärmte Kühlblech gedrückt*.
' !lactide rc die Halblelterplättchen auf dem Kühlblech befestigt worden sind, werden nach ?ig.3 Katzenhaarirähte 22 und 24- ε it Hilfe von Ultraschall mit den aktiven Boreichen des Plättchens und mit den Leitern des Leiterrahmens 12 verbunden. Vom elektrischen Standk punkt her ist die Herstellung der Transistoren in diesem Stadium vollendet. Ler Emitter und die Basis des Halb— leiterplättchens 20 warden mit den Leitern 22 und 24 verbunden, und der Kollektor ist mit dem Kühlblech und mit einem Leiter am Leiterrahmen 12 elektrisch verbunden,
Das JSinkspseiungsverfahrsn der Tranistoren beginnt damiti dass "die Halbleiterplättchen in einem chex-ischen Bad geätzt werden, damit Fehler und Verunreinigungen des Plättchens beseitigt werden, die sich das Plättchen -.ährend. der Behandlung und durch den Zutritt der At-" njosphäre zugezogen hat. Dieses Atzen entspricht dem herkömmlichen Verfahren, und es ist nur bei I'Lsaxransistoren erforderlich. Nach dem Ätzschritt wird die gesamte Anordnung zur Entfernung des Ätzmittels gewaschen und daan getrocknet. Es sei bemerkt, rlass der Leiterrahmen 12 einen bequemen und gros;-3en Griff bildet, mit äec die Anordnung zu den verschiedenen ί abrikatior-sorten transportiert werden kann, dadurch wird die I-Iöglichkeit einer zufälligen Zerstörung eines ^albleiterplättchens durch eine Seüienungsperson beträchtlich verringert. Dies steht im Gegensatz zu den bei der Herstellung von !Transistoren auf einer einzelnen
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Grundplatte angewendeten Verfahren.
Uiißittelbar nach Beendigung des Wasch- und Trockenvcrgacgs wird jedes der Plättchen mit'äusserst reinea Silikonkautschuk: beschichtet. Uiese Beschichtung schützt die empfindlichen Übergangszonen der Halhleiterplättchen nun davor, zusätzlich einer Verunreinigung durch die Umgebungsatmosphäreausgesetzt zu. sein.
Als besonderes Merkaal· besitzen die Kühlbleche einen genuteten Aufbau. In jedes- der Kühlbleche sind zwei aus konzentrischen Kreisabschnitten bestehende Hüten 23 und 30 eingeprägt, die eine Sperre bilden, die das Pliessen des Beschiohtungsaaterials auf eine ic dsr lPorsausnehcmng liegende !'lache einschränkt. Dieses Beschichtungsaateriäl ist zwar bei» Auftragen ziemlich zähflüssig, doch wird es wesentlich dünnflüssiger, wenn es während des Härte-Vorgangs erhitzt wird.
Eine Anordnung aus 12 Transistoren ist nun für den gleichzeitigen Sinkapseluhgsvorgang in einer einzigen Formausnehinung bereit. Der K"hiblee'n.rahraen 1C und der Leiterrahmen 12 werden zusarncaen mit den beschichteten. Transistoren in ©ine Form gebracht, in die sei heisssr hitzehärtbarer Kunststoff eingesprltst wird. Es kännen zwar verschiedene Kunststoffe, verwendet werden, doch hat sich gezeigt, dass ein Silikonkungtstöff vorzuziehen ist. Nach dem Fortwörgang wird der Kunststoff gehartet, und die gesacnteAnordnung wi£ä aus der lorm genoasen. In Fig.5 ist eine eingekapselte Anordnung dargestellt, in der die Kunststoffschiene 52 die in 5*ig.4" dargestellten Transistoren enthält.
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Jeder der drei L iiter der einzelnen Transistoren viird nun vom "Leiterrahmen 12 getrennt. Dies wird mit einem Stanzwerkzeug durchgeführt, das das Verbindungsleiäienaetall abschneidet, iin weiteres H-rkaal des hia? beschriebenen Verfahrens ist die teilweise abgescherte Konstraktion der iß 51Ig, 1 dargestellten Verbinduaga— leisten. Dadurch kann die Verbindungsleiste ohne Zerstörung der Einkapselung; abgeschnitten werden. i»a das iüinkapselungscateriäl eine beträch ti iehe henge an fiberglas enthalt» bewirkt ein Schneiden dieses Materials ein vor zeitiges Stuapfweröeci der Standzwerkzeuge.
Kachdan: das Verbind uägsleisteninäterial getrenni/viorden ist und ;}eder der Leiter von allen anderen ia Leiterrahmen getrennt worden ist» wird der SühlfaleehrahHien IC zersägt, dstait die Herstellung eines, in ICunststoff gekapselten Sranaistors naca Jig.S vollendet wird, ias iiberglas is Einkapselungsfnaterial nuss zwar bei der Trennung der Ar:hlb.le->he zersägt werden, doch siisd diese Kliagen grosser, und sie schneiden leicht durch äas harte i'iberglasaiateriäl«
In Fig.7 ist sin weiterer Imistan.gstransistor äarges^ellt, der in einer S.eih@ von Terfährenssehritten hergestellt •\orden ist j die deoen in I1 ig« 1 bis ?ig. Sgleichen. 3i;a Kühlblech 4Ö ist eines von acht einzelnen Kuhlbleciiea, die in einem ETalblechrahaen Eiteiaander verbunäea waren. Lie Zahl der Trans ia tore, η» die gleichzeitig als eine iiaiät hergestellt vjardaa kann, ist nicht notweadiger-Aeise auf acht oder zwölf begrenzt» sondern sie kann hauptaäehlich. abhängig von dar aar liurchfülirüag der verschiedenen Schritte vörfügbaren Ausrüstung grosser oder kleiner sein. JSaG beachte, dass das lCihlblech 40 als konzentrische Xreisbogen,-abschnitte auasebilrlete äi'uteQ 42 und 44 als Sperren zur
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Einschränkung des Fliessens eines Beschichtungscnterials besitzt, v.ie oben bereixs ausgeführt wurde· Das"Kühlblech 40 ist auch mit Kunststoffsperren versehen, die das Haften fies Zinkapselungsaraterialsara Kuhlblech verbessern. In -?ig.8 ist ein Schnitt durch das kühlblech 40 dargestellt, in des die Kunststoffsperren 46 und 43 ic einzelnen gezeigt sind. Diese Sperren können einfach durch Schlagen auf die Kante des Kühlblechs mittels eines iOrnjv.erlezeugs hergestellt werden, daait ein kleiner Teil dss T'Ietalis in die dargestellte Fora gedrückt wird. .Ähnliche Kunststoff sperren sind auch am Kühlblech des in Fj_g. 6 dargestellten !Transistors vorgesehen.
Katse»haardrähte 54 und 56 sindTait den aktiven Liesenten eines auf den Kühlblech befestigten Plättchens 50 und alt den Leitern 52 verbunden. Die gesagte Anordnung ist in einea hitzehärtbaren Kunststoff eingekapselt. Der sich so ergebende Transistor ist in Pig.7 dargestellt, wobei der Kunststoffkörper 53 aber nicht durchsichtig wie in der Darstellung, sondern undurchsichtig ist..-
Die Pressspritsvorri-chtung sar !■urcr.führun- des Verfahrens ist in I ig.9 und Fig. IC allgemein durch das Bezugs seichen angegeben. Die Presospritsvcrricr.tur-g besteht aus eicsr unteren Forthälfts 72 und einer oberen lorrjhalfte 7·^.. Die in Fig.'.O in der Draufsicht dargestallte unsere I.crxhälft3 72 enthält die unters Hv.lfts eines Angasskanals 76, der der einzigen Ausr.er.2ung 75 über einen "Cpritzsteg SC fliessenden .Kunststoff suführt. lie ar.~ere iorshiilfte 72 beslrst auch einer- Dicht st reiieu 32 uci «ieäerhaltestifte 84. line Anordnung aus 5insteilstifxen ist ssar auch, in der unteren jfornhälfte 72 enthalten, doch ist diese Anordnung nioiit dargestellt, üacit die 2eichaang nicht zu unübersichtlich wird. Diese - tixts
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haben den Zweck, die Im nie I-crc) gebrachten Taile genau -'auszurichten. Durch Uarckführungen in der unteren Form halfte 72 ragt eine äelae von Stangen 86 in die Ausnehmung 78, öaaiiir die geformtem Körper aus der Form herausgedrückt werden können, naciides sich das Einkapselungsmaterial verfestigt hat.
Zum gleichzeitigen Einkapseln einer Vielzahl von Halbleiterbaueleaenten wird die 'Eioränung nach "Eig.4 so auf die untere F'jrahälfte 72 gelegifc, dass der KMhlblechrahmen nach oben blickt, und dass äer Leiterrahmen in der Darstellung auf der rechten Seite liegt. Die--Vorderkante der Verbindungs-" leisten, 14 ,16 nnü 13 fies Leiterrahaens 12 fälltmit der
Kante der AusceaaiiEg; 73 in der unteren ü1 orte half tu 72 zusaaaen. Wie oben bereits erwähnt wurde, wird dadurch im Bereich zwischen beaaciibarten Leitern eine Abdichtung geschaffen, und die Sögllehkeit wird verringert, dass in · aas harte Piberglasaßteil des Binkapselungstnaterials geschnitten '.vird.
üie Kiederhaltestlfte S'r ragen .an der. Verbindungsleistenkrante durch den Itelterracsen unä klemmen das iLühlblsci fest gegen die obere ürorfchälfte 74, wie in Fig.9 dargestellt ist, wenn die untere ΐ ore: half te' 72 von Stössel 88 in ihre. Lage angehoben fcoräec Ist. Lie auf lsn ^ühlblechrahmen ein— v. fr ke ",-Ie η .rieierhsltestifte 84 haben zur Pclge, dass die Kühlblechflache äes fertigen Gehäuses gratfrei, ist. V/enn
der Stössel 33 die metere J?orc:hälfte 72 in ihre Arbeitsstellung brlngr, irüefct sich, dar Abdichtstreife η 82 aehrere 2n.usehdestel Milliner (sils) in den iühlblechrahnen, damit ' der Knh.1 blech.rah.seel ebenfalls gegen die obers' I orahälfte 74 geklecxt v,lri, wobei zusätzlich Lickensch-wankungen der Metallteile ausgegliciien werden und eine Dichtung geschaffen
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wird, damit während des Einkapselungsvorgangs eine Grat-Bildung verhindert wird, Der Ausdruck "G-ratbildung" wird hier allgemein zur Beschreibung eines Aussickerns von ■ Material aus der "formausnehmung verwendet. Wenn die untere ,Formhälfte 72 in ihre in I1 ig.9 dargestellte angehobene Lage gebracht ist, ist die Ausnehmung 78 mit Ausnahme des Spritzstegs 80 strömungsmitteldicht.
Vom Angusskanal 76 aus wird durch den Spritzsteg 80 ein fliessfähiger, hitzehärtbarer Kunststoff (beispielsweise ein Silikonkunststoff) unter beträchtlichem Druck eingespritzt. Der Kunststoff füllt die Ausnehmung 73 aus, wodurch jedes der Halbleiterplättchen vollständig eingekapselt wird.Da die Ausnehmung relativ weit ist, fliesst der Kunststoff mit nur geringer Möglichkeit zur Bildung von Einschlüssen leicht in alle Bereiche, während der Kunststoff in die Ausnehmung 78 eingespritzt wird, werden sowohl die obere lOrmhälfte 74 als auch die untere Formhälfte 72 auf einer !Temperatur von 150 bis 1750C gehalten. Nachdem die Ausnehmung vollständig gefüllt worden ist, bleiben nie Formen mehrere Minuten lang in ihrer Stellung, damit der Kunststoff zu härten urn. abzubinden beginnen kann.
Nach diesem vorläufigen Härten wird die untere Fornhälfte 72 mit Hilfe des Stössels 38 abgesenkt, ^a nur wenig Kunststoff die obere Formhälfte 74 berührt, besteht nur eine geringe Wahrscheinlichkeit, dass die Baugruppe an der oberen Formhälfta haftet. Sin beträchtlicher Kunststoffanteil· steht jedoch mit der unteren Formaälfte 72 in Berührung, so dass ein gewisses Anhaften auftreten kann. 'Wenn die untere lormhälfte ?2 abgesenkt wird,
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stossen die Stangen 36 schliesslich gegen den Kunststoff körper und üben eine nach oben gerichtete Kraft aus, jjiese Kraft reicht aus, rl ie Baugruppe aus der Vüsnehrr/ang 73 auszustossen. jer Kunststoff wird nun zusätzlich gehärtet, inden die Baugruppe in eitlem auf einer zwischen 150 und 1750C liegenden Temperatur gehaltenen Ofen· gebracht wird.
Die einseinen Transistoren können nun getrennt -werden. Als erstes werden die Yerbindungsleisten abgeschnitten, danit die einzelnen Leiter getrennt werden. tvie oben bereits erwähnt wurde, liegt durch die teilv.'eise Lcscherung jeder Verbindungsleiste eine beträchtliche 'Toleranz vor, dasit verhindert wird, dass die Schneidwerkzeuge den Kunststoff zerstören. Hachde^ die Yerbindungsleisten abgeschnitten worden sind, v.ird der Zühlblechrahcen zur -Trennung der einzelnen iransisxoren zersägt.
i.Jat enta nsrrüche
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Claims (12)

  1. I* Ώ ί 5 Tt t £ - S p Γ S S
    # / ¥ C J- ü- Cl t A-i. ü il *tj LAJ- j it» — O ·* t» I1 M l^i», u4_.'.'~i, W ti; uj* !ΊιΈΓί- " " Ci- ^CT ILu Ix ΐίΓι"ιί ü ni* JL*C· Jt- (If CTJi- ^^
    ^J *C\ wC'Ci j \^ *l£ ^j ^X V/ ΐΖί L^ ^ 4^ C? ^L 4a«v »a ._ fi i: ^ J| ^^ ^i^ \^j. ^. ί- j. ί^/j . f n μ t^J* f^' *'r^l f M ί^ ^- J1 n ■*· - TTj i^d il ^, fc ^ ^ ^ ^\^ -λ
    dass jeweils ein Halblelxerosaeiexeisi (2G) asf einex von 'Hehreren 2u eins"ni Rsitiaeri (HO} "ι33ϊ.έοϊ.ε2.:ϊΞ.&ι? 'ver/öiiiiiieii Kühlblec-hen angebracht wird, dass eile EelGleltercau— elemente (20) mit sti elneai Rsfe-sen (12)_ -si^einaücar verbundenen Lei lern. Ter'Siua.iea Υ;»εΐ·»ϊ5η» dass ie. Sühlblechrahnieri v.10) in äsir Bi.sifs.sSinTcir'ri (Tci ίϊεεΰΓ,βΐΓχδ:'..™^ ivii'd, unu dass alle Hallbleicerisaiiiele^eEt-e (20) auf äe^z Kühlblechrahnien (1G) gleicfeseitig im KuLiristisxoff gekacse werden. '
  2. 2. Verfahren nach Ansprücii Ii, daäuarci .^ekeriiiazeicbaet, dass die auf den Kühlbleoheci asiEebrsicsTce (20) <jere:ni£;-c.werden.. *
  3. 3. Verfahren nach Ans^rmch 2, d£.cisirciz -rskesLnzeishae», die gereir.iirten Halcleixercaüiels^ieinire (2C-) sar Ver— binde ran*: einer weiteren TeriLisirel^I-rüC-; csschicli^ei werden.
  4. 4. Verfahrei. nach ei nee cer ¥-crIiargetes:ieii _lnspriic:ie, dadurch gekennzeichnet» cass äer Hei/serrairze;! (IS.) niiö de:ü KühleIechracier, (1Cj ssisa^cies^esiiec^ri "ίΐζ-i.·
  5. 5. Verfahren nach einez: der "cirs:ergeS:e'siie.i Ansprüche dadurch reVrennzieichne'i:. ds.ss bei. des ZlenzLircr^aii.^ durch-Eindrücken sines jrCü-ra'bci.citS'SirsliarLs vS2^
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  6. 6. Verfahren.nach einem .der vorhergehenden Ansprüche, ■ dadurch gekennzeichnet, dass bei dem KIenrnv-organg zur; Fe et ic lernen, des Kühlblechrahmens (10) an einer Fortnf lache Niederhaltest ifte (84) durch den' Leiter-' . rahmen-■ (12) gesteckt werden.
  7. 7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die eingekapselten Halbleiterbauelemente (20) aus der Form (78) ausgestqssen werden.
  8. 3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass.die einzelnen Kühlbleche und die einzelnen Leiter getrennt werden.
  9. 9. leiterrahmen zur Verwendung bei dem Verfahren nach ' einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet,' dass eine Anordnung aus Leitern durch Verbindungsleisten, die zur Kante der Form (78) hinragen, zu einer einsigen Einheit; verbunaen ist und dass die Verbindungsleisten (14, 1o, 1S). teilweise abgeschert; sind.
  10. '.C. Leiterrahmen nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der abgescherte Bereich der Verbindungsleisten , (14, 16, IS) eine Zuführung bildet, die von der Kante des Einkapselungsmaterials aus in der Breite zunimmt.
  11. 11. KuhIbIecnrahmeη zur Verwendung bei dem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis -3, dadurch gekennzeichnet, dass eine Vielzahl von Zühlhleehen zu einer kontinuierlichen Anordnung aneinandergefügt ist, und dass jedes Kühlblech mit einer Einrichtung (25, 30) versehen ist, die das Iliessen des über einem. Halbleiterbauelement (2C) angebrachten Beschichtungsmateriäjö (29) steuert.
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  12. 12. Kührblechrahmen nach Anspruch 11, dadurch gakenn— · zeichnet, dass die Einrichtung aus einer Vielzahl von kreisbogenfb^mig.en, konzentrischen, eingeprägten-' · Nuten (28, 30) Desteht, die Sperren zur Sinschränku.ng des Eliessens des Beschichtungsmaterials (29) auf eine* gegebenen Bereich bilden.
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