CN102034785B - 一种改进型三极管引线框架 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种改进型三极管引线框架，包括若干个框架单元，相邻的所述的框架单元之间通过中筋和底筋相连，每个所述的框架单元包括芯片区、位于所述的芯片区的上方的散热区，所述的芯片区与所述的散热区之间设置有一圆形通孔，所述的芯片区的下方的中部向下延伸形成中间管脚，所述的中间管脚的左右两侧各设置有侧管脚，所述的中筋延伸至所述的中间管脚与两个侧管脚之间，所述的底筋延伸至所述的中间管脚与两个所述的侧管脚之间，所述的芯片区设置有方形的芯片定位区，在所述的圆形通孔与所述的芯片定位区之间设置有第一
V
形槽和第二
V
形槽，用以阻挡酸液腐蚀芯片，本发明的结构简单、无需外加任何的部件，适合在该行业领域内推广使用。
Description
技术领域
本发明涉及一种引线框架，特别是一种在芯片定位区的上方设置有两条V形槽的三极管引线框架。
背景技术
塑封后的三极管会产生飞边和胶衣，现在大多采用酸液浸泡冲刷来去除飞边及胶衣的生产工艺，而现有的三极管引线框架的结构，在酸液浸泡冲刷过程中会有少量的酸液浸入塑封体的内部而腐蚀芯片，造成被腐蚀的芯片在较短的时间内就失效报废。
发明内容
本发明的是提供一种在芯片定位区的上方设置有两条V形槽的三极管引线框架，能够有效地防止酸液腐蚀芯片。
为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
一种改进型三极管引线框架，包括若干个框架单元，相邻的所述的框架单元之间通过中筋和底筋相连，每个所述的框架单元包括芯片区、位于所述的芯片区的上方的散热区，所述的芯片区与所述的散热区之间设置有一圆形通孔，所述的芯片区的下方的中部向下延伸形成中间管脚，所述的中间管脚的左右两侧各设置有侧管脚，所述的中筋延伸至所述的中间管脚与两个侧管脚之间，所述的底筋延伸至所述的中间管脚与两个所述的侧管脚之间，所述的芯片区设置有方形的芯片定位区，所述的芯片定位区的四周设置有第一V形槽，所述的圆形通孔与所述的芯片定位区之间设置有第二V形槽，所述的第二V形槽的两端延伸至所述的芯片区的左右两边缘、且两端低于其他部位。
优选地，所述的第二V形槽包括第一段、第二段和第三段，所述的第一段为与所述的圆形通孔同圆心的左右分布的一弧形段，所述的第二段为从所述的弧形段的左端起向左下方延伸至所述的芯片区的左边缘的直线段，所述的第三段为从所述的弧形段的右端起向右下方延伸至所述的芯片区的右边缘的直线段，进一步地，所述的第二段的延长线与所述的第三段的延长线均经过所述的圆形通孔的圆心、且二者之间的成角为90度。
本发明的有益效果是：在芯片定位区的四周加设第一V形槽、在芯片定位区与圆形通孔之间加设第二V形槽，在对塑封好的三极管进行酸液浸泡冲刷时，如有少量的酸液浸入塑封体内，也会被阻挡在第二V形槽的“V”字的底部，而如果因塑封体与引线框架结合不牢的原因造成少数的酸液透过第二V形槽，第一V形槽会将其有效地与芯片之间进行阻隔，从而彻底解决芯片浸入酸液失效报废的问题，且结构简单、无需外加任何部件，适合在该行业内推广使用。
附图说明
附图1为本发明的改进型三极管引线框架的结构示意图；
附图2为附图1中的A处的放大示意图；
附图3为附图1中的B-B向剖视示意图；
附图4为附图1中的C-C向剖视示意图。
附图中：1、中筋；2、底筋；3、芯片区；4、散热区；5、圆形通孔；6、中间管脚；7、侧管脚；8、芯片定位区；9、第一V形槽；10、第二V形槽。
具体实施方式
下面结合附图所示的实施例对本发明的技术方案作以下详细描述：
如附图1、附图2及附图3所示，本发明中的改进型三极管引线框架包括若干个框架单元，相邻的框架单元之间通过中筋1和底筋2相连，每个框架单元包括芯片区3、位于芯片区3的上方的散热区4，芯片区3与散热区4的左右边缘分别向芯片定位的一面垂直延伸出一个凸棱，芯片区3与散热区4之间设置有一圆形通孔5，芯片区3的下方的中部向下延伸形成中间管脚6，中间管脚6的左右两侧各设置有侧管脚7，中间管脚6、两个侧管脚7的与底筋2相连接的一端呈尖角状，每个侧管脚7的上端设置有引线区，中筋1延伸至中间管脚6与两个侧管脚7之间，底筋2延伸至中间管脚6与两个侧管脚7之间，芯片区3设置有方形的芯片定位区8，芯片定位区8的四周设置有第一V形槽9，圆形通孔5与芯片定位区8之间设置有第二V形槽10，第二V形槽10的两端延伸至芯片区3的左右两边缘、且两端低于其他部位。
具体地，第二V形槽10包括第一段、第二段和第三段，第一段为与圆形通孔5同圆心的左右分布的一弧形段，第二段为从弧形段的左端起向左下方延伸至芯片区3的左边缘的直线段，第三段为从弧形段的右端起向右下方延伸至芯片区3的右边缘的直线段，进一步地，第二段的延长线与第三段的延长线均经过圆形通孔5的圆心、且二者之间的成角为90度。
另外，第二V形槽10也可以是一条左右分布的位于圆形通孔5与方形的芯片定位区8之间的左右对称的弧形。
上述的结构在芯片定位区8的外围加设第一V形槽9和第二V形槽10，在对塑封好的三极管进行酸液浸泡冲刷时，如有少量的酸液浸入塑封体内，也会被阻挡在第二V形槽10的“V”字的底部，而如果因塑封体与引线框架结合不牢的原因造成少数的酸液透过第二V形槽10，第一V形槽9会将酸液有效地与芯片之间进行阻隔，能够彻底解决芯片浸入酸液失效报废的问题，且结构简单、无需外加任何部件，适合在该行业内推广使用。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种改进型三极管引线框架，包括若干个框架单元，相邻的所述的框架单元之间通过中筋和底筋相连，每个所述的框架单元包括芯片区、位于所述的芯片区的上方的散热区，所述的芯片区与所述的散热区之间设置有一圆形通孔，所述的芯片区的下方的中部向下延伸形成中间管脚，所述的中间管脚的左右两侧各设置有侧管脚，所述的中筋延伸至所述的中间管脚与两个侧管脚之间，所述的底筋延伸至所述的中间管脚与两个所述的侧管脚之间，其特征在于：所述的芯片区设置有方形的芯片定位区，所述的芯片定位区的四周设置有第一V形槽，所述的圆形通孔与所述的芯片定位区之间设置有第二V形槽，所述的第二V形槽的两端延伸至所述的芯片区的左右两边缘、且两端低于其他部位，所述的第二V形槽包括第一段、第二段和第三段，所述的第一段为与所述的圆形通孔同圆心的左右分布的一弧形段，所述的第二段为从所述的弧形段的左端起向左下方延伸至所述的芯片区的左边缘的直线段，所述的第三段为从所述的弧形段的右端起向右下方延伸至所述的芯片区的右边缘的直线段。2.根据权利要求1所述的一种改进型三极管引线框架，其特征在于：所述的第二段的延长线与所述的第三段的延长线均经过所述的圆形通孔的圆心、且二者之间的成角为90度。
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