DE102020126857A1 - Leistungshalbleitergehäuse und verfahren zur herstellung eines leistungshalbleitergehäuses - Google Patents

Leistungshalbleitergehäuse und verfahren zur herstellung eines leistungshalbleitergehäuses Download PDF

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Jayaganasan Narayanasamy
Syahir Abd Hamid
Meng How Chong
Chee Ming Lam
Abdul Rahman Mohamed
Michael Reyes Godoy
Thomas Stoek
Sanjay Kumar Murugan
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Infineon Technologies AG
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Abstract

Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitergehäuses, umfassend das Bereitstellen eines Leiterrahmens, der ein Die-Pad und einen Rahmen umfasst, wobei das Die-Pad mit dem Rahmen durch mindestens eine Verbindungsstrebe verbunden ist, das Anbringen eines Halbleiterchips an dem Die-Pad, das Laserschneiden durch die mindestens eine Verbindungsstrebe, wodurch eine Schnittfläche gebildet wird, und nach dem Laserschneiden, das Überformen des Die-Pads und des Halbleiterchips, wobei die Schnittfläche vollständig mit Formmasse bedeckt ist.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Diese Offenbarung bezieht sich im Allgemeinen auf Leistungshalbleitergehäuse sowie auf Verfahren zur Herstellung von Leistungshalbleitergehäusen.
  • HINTERGRUND
  • Leistungshalbleitergehäuse können so konfiguriert sein, dass sie mit einer hohen elektrischen Spannung und/oder einem hohen elektrischen Strom arbeiten. Leistungshalbleitergehäuse müssen daher strenge Anforderungen an die elektrische Isolierung zwischen ihren Komponenten oder zwischen dem Leistungshalbleitergehäuse und seiner Umgebung erfüllen. Bei unzureichender Isolierung können Fehler wie z. B. Leckströme oder elektrische Kurzschlüsse auftreten. Um eine ausreichende Isolierung zu gewährleisten, kann für ein Leistungshalbleitergehäuse eine bestimmte Mindestkriechstrecke entlang einer Außenfläche des Gehäuses vorgeschrieben sein. Die Mindestkriechstrecke muss zum Beispiel gegen eine Potenzialdifferenz von 600 V oder mehr oder sogar 1 kV oder mehr isolieren. Verbesserte Leistungshalbleitergehäuse und verbesserte Verfahren zur Herstellung von Leistungshalbleitergehäusen können verbesserte Isolationseigenschaften sowie weitere Vorteile aufweisen.
  • Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Weitere vorteilhafte Ausführungsbeispiele sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
  • KURZFASSUNG
  • Verschiedene Aspekte betreffen ein Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitergehäuses, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Bereitstellen eines Leiterrahmens, der ein Die-Pad und einen Rahmen umfasst, wobei das Die-Pad durch mindestens eine Verbindungsstrebe mit dem Rahmen verbunden ist, Anbringen eines Halbleitergehäuses an dem Die-Pad, Laserschneiden durch die mindestens eine Verbindungsstrebe, wodurch eine Schnittfläche gebildet wird, und nach dem Laserschneiden Überformen des Die-Pads und des Halbleitergehäuses, wobei die Schnittfläche vollständig mit Formmasse bedeckt wird.
  • Verschiedene Aspekte betreffen ein Leistungshalbleitergehäuse, das Folgendes umfasst: ein Die-Pad, das mindestens einen Verbindungsstrebenstumpf umfasst, wobei eine Schnittfläche am Ende des mindestens einen Verbindungsstrebenstumpfs angeordnet ist, einen Halbleiterchip, der an dem Die-Pad angebracht ist, und eine Verkapselung, die den Halbleiterchip einkapselt, wobei die Verkapselung die Schnittfläche vollständig bedeckt, und wobei die Schnittfläche eine durch Laserschneiden hergestellte Mikrostruktur umfasst.
  • Figurenliste
  • Die beigefügten Zeichnungen zeigen Beispiele und dienen zusammen mit der Beschreibung zur Erläuterung der Prinzipien der Offenbarung. Andere Beispiele und viele der beabsichtigten Vorteile der Offenbarung werden leicht zu erkennen sein, wenn sie durch Bezugnahme auf die folgende detaillierte Beschreibung besser verstanden werden. Die Elemente in den Zeichnungen sind nicht unbedingt maßstabsgetreu zueinander. Identische Bezugsziffern bezeichnen entsprechende ähnliche Teile.
    • Die 1A und 1B zeigen eine Draufsicht und eine Schnittdarstellung eines Leistungshalbleitergehäuses mit einem Verbindungsstrebenstumpf, wobei eine Verkapselung eine Schnittfläche des Verbindungsstrebenstumpfs vollständig bedeckt.
    • 2 zeigt eine Draufsicht auf ein weiteres Leistungshalbleitergehäuse, bei dem externe Zuleitungen von der Verkapselung freigelegt sind, die Schnittfläche der Verbindungsstrebenstümpfe jedoch nicht.
    • Die 3A und 3B zeigen eine Draufsicht und eine Detailansicht eines weiteren Leistungshalbleitergehäuses, wobei in der Detailansicht eine Kriechstrecke zwischen zwei externen Zuleitungen dargestellt ist.
    • [0010] Die 4A bis 4E zeigen das Leistungshalbleitergehäuse aus 2 in verschiedenen Stadien der Herstellung nach einem beispielhaften Verfahren zur Herstellung von Leistungshalbleitervorrichtungen.
    • Die 5A bis 5C zeigen beispielhafte Verbindungsstreben, die in Leistungshalbleitergehäusen verwendet werden können, gemäß einem Beispiel.
    • 6 zeigt ein beispielhaftes Die-Pad, das in Leistungshalbleitergehäusen verwendet werden kann, gemäß einem Beispiel.
    • Die 7A bis 7C zeigen ein Verfahren zur Herstellung einer Verkapselung eines Leistungshalbleitergehäuses, bei dem einziehbare Stifte verwendet werden, um ein Die-Pad während des Formens in Position zu halten.
    • 8 zeigt eine Vorrichtung zum Laserschneiden, die bei der Herstellung eines Leistungshalbleitergehäuses verwendet werden kann.
    • 9 ist ein Flussdiagramm für ein beispielhaftes Verfahren zur Herstellung von Leistungshalbleitergehäusen.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • In der folgenden detaillierten Beschreibung werden richtungsbezogene Ausdrücke wie „oben“, „unten“, „links“, „rechts“, „oben“, „unten“ usw. in Bezug auf die Ausrichtung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da die Komponenten der Offenbarung in einer Reihe von verschiedenen Ausrichtungen positioniert werden können, wird die richtungsbezogene Terminologie nur zur Veranschaulichung verwendet. Es können auch andere Beispiele verwendet und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden.
  • Darüber hinaus kann ein bestimmtes Merkmal oder ein bestimmter Aspekt eines Beispiels zwar nur in Bezug auf eine von mehreren Ausführungsformen offenbart sein, doch kann ein solches Merkmal oder ein solcher Aspekt mit einem oder mehreren anderen Merkmalen oder Aspekten der anderen Ausführungsformen kombiniert werden, wie es für eine gegebene oder bestimmte Anwendung erwünscht und vorteilhaft ist, sofern nicht ausdrücklich etwas anderes angegeben oder technisch eingeschränkt ist. Soweit in der ausführlichen Beschreibung oder in den Ansprüchen die Begriffe „einschließen“, „haben“, „mit“ oder andere Varianten davon verwendet werden, sind diese Begriffe in ähnlicher Weise wie der Begriff „umfassen“ umfassend zu verstehen. Die Begriffe „gekoppelt“ und „verbunden“ sowie deren Ableitungen können verwendet werden. Es ist davon auszugehen, dass diese Begriffe verwendet werden können, um anzuzeigen, dass zwei Elemente zusammenwirken oder miteinander interagieren, unabhängig davon, ob sie in direktem physischen oder elektrischen Kontakt stehen, oder ob sie nicht in direktem Kontakt miteinander stehen; zwischen den „gekoppelten“, „angebrachten“ oder „verbundenen“ Elementen können Zwischenelemente oder Schichten vorgesehen sein. Es ist jedoch auch möglich, dass die „verbundenen“, „angebrachten“ oder „angeschlossenen“ Elemente in direktem Kontakt zueinander stehen. Auch der Begriff „beispielhaft“ ist lediglich als Beispiel gemeint und nicht als das Beste oder Optimum.
  • Die Beispiele für ein Halbleitergehäuse können verschiedene Arten von Halbleiterchips oder in den Halbleiterchips integrierte Schaltungen verwenden, darunter AC/DC- oder DC/DC-Wandlerschaltungen, Leistungs-MOS-Transistoren, Leistungs-Schottky-Dioden, JFETs (Junction Gate Field Effect Transistors), bipolare Leistungstransistoren, integrierte Logikschaltungen, analoge integrierte Schaltungen, integrierte Leistungsschaltungen usw.
  • Die im Folgenden beschriebenen Leistungshalbleitergehäuse können einen oder mehrere Halbleiterchips enthalten. So können beispielsweise ein oder mehrere Leistungshalbleiterchips enthalten sein. Außerdem können die Gehäuse eine oder mehrere integrierte Logikschaltungen enthalten. Die integrierten Logikschaltungen können so konfiguriert sein, dass sie die integrierten Schaltungen anderer Halbleiterchips, z. B. die integrierten Schaltungen von Leistungshalbleiterchips, steuern. Die integrierten Logikschaltungen können in Logikchips implementiert sein.
  • Der/die Halbleiterchip(s) kann/können mit einem Verkapselungsmaterial bedeckt sein. Das Verkapselungsmaterial kann elektrisch isolierend sein. Das Verkapselungsmaterial kann aus jedem geeigneten Kunststoff oder Polymermaterial bestehen, wie z. B. einem duroplastischen, thermoplastischen oder duroplastischen Material oder Laminat (Prepreg), und kann z. B. Füllstoffe enthalten.
  • Die 1A und 1B zeigen ein Leistungshalbleitergehäuse 100 mit einem Die-Pad 110, einem an dem Die-Pad 110 befestigten Halbleiterchip 120 und einer Verkapselung 130, die den Halbleiterchip 120 einkapselt. 1A zeigt eine Draufsicht und 1B zeigt eine Seitenansicht entlang des Pfeils A in 1A.
  • Das Die-Pad 110 umfasst mindestens einen Verbindungsstrebenstumpf 140. In dem in 1A und 1B gezeigten Beispiel umfasst das Leistungshalbleitergehäuse 100 zwei Verbindungsstrebenstümpfe 140. Das Leistungshalbleitergehäuse 100 kann eine beliebige Anzahl von Verbindungsstrebenstümpfen 140 aufweisen, z. B. einen, zwei, drei, vier oder mehr als vier.
  • Der Verbindungsstrebenstumpf 140 umfasst eine Schnittfläche 141, die am Ende des Verbindungsstrebenstumpfes 140 angeordnet ist. Die Schnittfläche 141 kann beispielsweise so angeordnet sein, dass sie von dem Die-Pad 110 abgewandt ist. Die Schnittfläche 141 umfasst eine durch Laserschneiden hergestellte Mikrostruktur. Mit anderen Worten: Der Verbindungsstrebenstumpf 140 ist ein Reststück einer Verbindungsstrebe, die mit einem Laser durchtrennt wurde, wodurch der Verbindungsstrebenstumpf 140 mit der Schnittfläche 141 hergestellt wurde. Wie in den 1A und 1B gezeigt, bedeckt die Verkapselung 130 die Schnittfläche 141 vollständig.
  • Das Die-Pad 110 kann zum Beispiel Teil eines Leiterrahmens sein. Das Leistungshalbleitergehäuse 100 kann z.B. externe Kontakte umfassen (in 1A und 1B nicht dargestellt), die Teil desselben Leiterrahmens sein können. Das Die-Pad 110 kann jedes geeignete Metall, z. B. Al, Fe oder Cu, oder jede geeignete Metalllegierung umfassen oder daraus bestehen. Der Verbindungsstrebenstumpf 140 kann an das Die-Pad 110 angrenzen, was bedeutet, dass das Die-Pad 110 und der Verbindungsstrebenstumpf 140 aus einem einzigen Teil gefertigt sind (dies wird durch gestrichelte Linien angezeigt, die das Die-Pad 110 und den Verbindungsstrebenstumpf 140 trennen) .
  • Das Die-Pad 110 kann eine erste Hauptseite 111 und eine gegenüberliegende zweite Hauptseite 112 umfassen, wobei der Halbleiterchip 120 auf der ersten Hauptseite 111 angeordnet ist. Das Die-Pad 110 kann ferner laterale Seiten 113 aufweisen, die die erste und die zweite Hauptseite 111, 112 verbinden, und der Verbindungsstrebenstumpf 140 kann an einer lateralen Seite 113 angeordnet sein und sich von dieser aus erstrecken.
  • Die Verkapselung 130 kann die erste Hauptseite und die lateralen Seiten 113 des Die-Pads 110 bedecken. Gemäß einem Beispiel ist die zweite Hauptseite 112 von der Verkapselung 130 freigelegt. Die freiliegende zweite Hauptseite 112 kann beispielsweise als externer Kontakt des Leistungshalbleitergehäuses 100 konfiguriert sein, oder sie kann dazu ausgebildet sein, mit einem Kühlkörper gekoppelt zu werden. Gemäß einem anderen Beispiel kann auch die zweite Hauptseite 112 von der Verkapselung 130 bedeckt sein, wie in 1B gezeigt.
  • Bei dem Halbleiterchip 120 kann es sich beispielsweise um einen Leistungshalbleiterchip handeln, der für den Betrieb mit einem hohen elektrischen Strom und/oder einer hohen Spannung konfiguriert ist. Ein Leistungsanschluss des Halbleiterchips 120, z. B. ein Source-, Drain-, Emitter- oder Kollektoranschluss, kann elektrisch mit dem Die-Pad 110 verbunden sein. Das Leistungshalbleitergehäuse 100 kann einen einzelnen Halbleiterchip 120 oder mehrere Halbleiterchips 120 umfassen. Die verschiedenen Halbleiterchips 120 können miteinander gekoppelt sein, um beispielsweise eine Halbbrückenschaltung, eine Inverterschaltung, eine Konverterschaltung usw. zu bilden.
  • Die Verkapselung 130 kann beispielsweise einen Formkörper und/oder einen Hartplastikrahmen aufweisen. Die Verkapselung kann ein Dielektrikum, z. B. ein Polymer oder eine Polymerzusammensetzung, umfassen oder daraus bestehen. Die Verkapselung 130 kann so konfiguriert sein, dass sie den Halbleiterchip 120 vor Umwelteinflüssen schützt, und sie kann auch so konfiguriert sein, dass sie verschiedene Teile des Leistungshalbleitergehäuses 100 voneinander elektrisch isoliert.
  • Gemäß einem Beispiel bedeckt die Verkapselung 130 den Halbleiterchip 120, die erste Hauptseite 111 und alle lateralen Seiten 113 des Die-Pads 110 vollständig. Das Leistungshalbleitergehäuse 100 kann jedoch externe Kontakte (in den 1A und 1B nicht dargestellt) aufweisen, die aus der Verkapselung 130 herausragen und mit dem Halbleiterchip 110 elektrisch verbunden sind.
  • Der Verbindungsstrebenstumpf 140 kann alle geeigneten Abmessungen haben. Zum Beispiel kann der Verbindungsstrebenstumpf 140 eine Breite w von weniger als oder etwa 0,5 mm, mehr als 0,5 mm, mehr als 1 mm oder mehr als 2 mm haben. Der Verbindungsstrebenstumpf 140 kann z. B. eine Länge 1 von weniger als oder etwa 0,1 mm, mehr als 0,1 mm, mehr als 0,2 mm, mehr als 0,5 mm oder mehr als 1 mm haben. Der Verbindungsstrebenstumpf 140 (und das Die-Pad 110) können beispielsweise eine Dicke t von weniger als oder etwa 0,1mm, mehr als 0,1mm, mehr als 0,2mm, mehr als 0,5mm oder mehr als 1mm aufweisen.
  • Die Schnittfläche 141 kann rechtwinklig oder im Wesentlichen rechtwinklig zu den ersten und zweiten Hauptseiten 111, 112 angeordnet sein. Die Schnittfläche 141 kann parallel zu der jeweiligen lateralen Seite 113 verlaufen. Die Mikrostruktur der Schnittfläche 141 (die, wie oben erwähnt, auf das Laserschneiden zurückzuführen ist) kann sich von der Mikrostruktur anderer Oberflächen des Leistungshalbleitergehäuses 100 unterscheiden. Die Mikrostruktur der Schnittfläche 141 kann sich insbesondere von den Mikrostrukturen der ersten und zweiten Hauptseiten 111, 112 und der lateralen Seiten 113 unterscheiden. Die Herstellung des Die-Pads 110 kann z.B. durch Stanzen oder mechanisches Schneiden des Die-Pads 110 aus einem Metallblech erfolgen. Die lateralen Seiten 113 können daher eine durch Stanzen oder mechanisches Schneiden hergestellte Mikrostruktur aufweisen, das sich für den Fachmann deutlich von einer durch Laserschneiden hergestellten Mikrostruktur unterscheidet.
  • 2 zeigt eine Draufsicht auf ein weiteres Leistungshalbleitergehäuse 200, das dem Leistungshalbleitergehäuse 100 ähnlich oder mit diesem identisch sein kann, mit Ausnahme der im Folgenden beschriebenen Unterschiede.
  • Das Leistungshalbleitergehäuse 200 umfasst alle Teile des Leistungshalbleitergehäuses 100, und es umfasst zusätzlich erste Zuleitungen 210 und zweite Zuleitungen 220. Die ersten und zweiten Zuleitungen 210, 220 können z.B. als externe Kontakte des Halbleitergehäuses 200 ausgebildet sein. Die ersten Zuleitungen 210 können z.B. mit dem Die-Pad 110 und den Verbindungsstrebenstumpf 140 zusammenhängen. Die zweiten Zuleitungen 220 können z.B. von dem Die-Pad 110 und dem Verbindungsstrebenstumpf 140 getrennt sein und können mit dem Halbleiterchip 120 durch Bonddrähte, Bänder oder Kontaktclips elektrisch verbunden sein. Die ersten und zweiten Zuleitungen 210, 220 können z.B. vom Knickflügeltyp oder einem anderen geeigneten Typ von Zuleitungen sein.
  • Wie in 2 gezeigt, können die ersten und die zweiten Zuleitung 210, 220 an lateralen Seiten 113 des Die-Pads 110 angeordnet sein, die keinen Verbindungsstrebenstumpf 140 aufweisen. Es ist jedoch auch möglich, dass zumindest einige Zuleitungen auf der gleichen lateralen Seite 113 wie ein Verbindungsstrebenstumpf 140 angeordnet sind. Ein Verbindungsstrebenstumpf 140 kann zum Beispiel zwischen zwei Zuleitungen angeordnet sein.
  • Wie in 2 gezeigt, kann das Leistungshalbleitergehäuse 200 vier Verbindungsstrebenstümpfe 140 umfassen, die z.B. paarweise auf gegenüberliegenden lateralen Seiten 113 des Die-Pads 110 angeordnet sein können. Das Leistungshalbleitergehäuse 200 kann jedoch auch eine beliebige andere Anzahl von Verbindungsstrebenstümpfen 140 aufweisen. Außerdem müssen nicht alle Verbindungsstrebenstümpfe 140 an das Die-Pad 110 angrenzen. Stattdessen können einer oder mehrere der Verbindungsstrebenstümpfe 140 an andere Leiterrahmenteile des Halbleitergehäuses 200 angrenzen, z. B. an die zweiten Zuleitungen 220.
  • Die 3A und 3B zeigen ein weiteres Leistungshalbleitergehäuse 300, das ähnlich oder identisch mit den Leistungshalbleitergehäusen 100 und 200 sein kann. 3A zeigt eine Draufsicht auf das gesamte Leistungshalbleitergehäuse 300 und 3B zeigt eine Detailansicht des Abschnitts B in 3A.
  • Das Leistungshalbleitergehäuse 300 umfasst eine Aussparung 310 in dem Gehäuse 130, zum Beispiel in einer lateralen Seite 131 des Gehäuses 130. Von der ersten Seite 111 des Die-Pads 110 aus gesehen, ist ein Umriss der Verkapselung 130 in der Aussparung 310 in Bezug auf den Rest der lateralen Seite 131 nach innen verschoben.
  • Die Aussparung 310 kann zwischen zwei zweiten Zuleitungen 220 des Halbleitergehäuses 300 angeordnet sein. Die Aussparung 310 kann so konfiguriert sein, dass sie eine Kriechstrecke 320 zwischen den beiden zweiten Zuleitungen 220 auf beiden Seiten der Aussparung 310 vergrößert. Die erforderliche Kriechstrecke 320 kann von der Spannung abhängen, mit der das Halbleitergehäuse 300 betrieben werden muss: Eine hohe Spannung kann eine längere Kriechstrecke 320 erfordern als eine vergleichsweise niedrigere Spannung. Die Kriechstrecke 320 kann zum Beispiel 0,5mm oder mehr, 1mm oder mehr, 2mm oder mehr, 4mm oder mehr, 5mm oder mehr, 6mm oder mehr, 8mm oder mehr, 9mm oder mehr, 10mm oder mehr, 20mm oder mehr, 40mm oder mehr oder 100mm oder mehr betragen. Zum Beispiel kann die Größe der Kriechstrecke 320 in Kombination mit den dielektrischen Eigenschaften der Verkapselung 130 eine Potentialdifferenz zwischen den beiden zweiten Zuleitungen 220 von 1kV oder mehr oder 1,2kV oder mehr ermöglichen, bevor ein Überschlag auftritt.
  • Der Verbindungsstrebenstumpf 140 kann so angeordnet sein, dass er der Aussparung 310 zugewandt ist. Der Verbindungsstrebenstumpf 140 wird jedoch nicht von der Verkapselung 130 in der Aussparung 310 freigelegt, sondern die Verkapselung 130 bedeckt ihn vollständig, einschließlich der Schnittfläche 141. Würde der Verbindungsstrebenstumpf 140 aus der Verkapselung herausragen, würde er die Kriechstrecke 320 und damit die Potentialdifferenz, die an die beiden zweiten Zuleitungen 220 angelegt werden kann, halbieren.
  • Gemäß einem Beispiel sind die Aussparung 310 sowie der Verbindungsstrebenstumpf 140, der der Aussparung 310 gegenüberliegt, nicht zwischen zwei zweiten Zuleitungen 220 angeordnet, sondern zwischen einer ersten Zuleitung 210 und einer zweiten Zuleitung 220 oder zwischen anderen elektrisch leitenden Teilen des Halbleitergehäuses 330, die von der Verkapselung 130 an der lateralen Seite 131 freigelegt sind.
  • Die 4A bis 4E zeigen das Leistungshalbleitergehäuse 200 in verschiedenen Stadien der Herstellung, gemäß einem beispielhaften Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitergehäuses. Gemäß einem Beispiel können die Leistungshalbleitergehäuse 100 und 300 auf ähnliche Weise hergestellt werden.
  • Wie in 4A gezeigt, wird ein Leiterrahmen 400 mit dem Die-Pad 110 und einem Rahmen 410 bereitgestellt. Der Rahmen 410 kann das Die-Pad 110 an vier Seiten umgeben und kann so konfiguriert sein, dass er während der Herstellung des Leistungshalbleitergehäuses 200 weggeschnitten wird. Das Die-Pad 110 ist mit dem Rahmen 410 durch mindestens eine Verbindungsstrebe 420 verbunden, zum Beispiel durch vier Verbindungsstreben 420, wie in 4A gezeigt.
  • Wie in 4B gezeigt, wird der Halbleiterchip 120 an dem Die-Pad 110 befestigt. Dies kann beispielsweise Löten, Sintern oder Kleben des Halbleiterchips 120 mit einem leitfähigen Klebstoff auf das Die-Pad 110 umfassen.
  • Wie in 4C gezeigt, wird der mindestens eine Verbindungsstrebe 420 mit einem Laser durchtrennt, wodurch der mindestens eine Verbindungsstrebenstumpf 140 und die jeweilige Schnittfläche 141 hergestellt werden. Gemäß einem Beispiel umfasst das Laserschneiden durch den Verbindungsstrebe 420 das Laserschneiden der Verbindungsstrebe an zwei verschiedenen Stellen, z.B. in der Nähe der beiden Enden der Verbindungsstrebe 420. Jede Verbindungsstrebe 420 kann zum Beispiel entlang der in 4B gezeigten Schnittlinien 421 geschnitten werden. Auf diese Weise wird ein Stück 422 der Verbindungsstrebe zwischen den Schnittlinien 421 vollständig abgeschnitten. Das Stück 422 der Verbindungsstrebe kann z. B. weniger als oder etwa 1mm lang, mehr als 1mm lang, mehr als 1,5mm lang, mehr als 2mm lang oder mehr als 3mm lang sein. Durch Wegschneiden entlang der Schnittlinien 421 können auch weitere Verbindungsstrebenstümpfe 423 hergestellt werden, die mit dem Rahmen 410 zusammenhängen, wobei jeder weitere Verbindungsstrebenstumpf 423 einem jeweiligen Verbindungsstrebenstumpf 140 gegenüberliegt.
  • Zum Laserschneiden durch die Verbindungsstrebe 420 kann jeder geeignete Laser 430 verwendet werden. Der Laser 430 kann zum Beispiel ein Yb-Faserlaser mit einer Leistungsdichte von etwa 10kW/mm und einer Pulszeit im Bereich von Nanosekunden bis Millisekunden sein.
  • Gemäß einem Beispiel kann der hergestellte Verbindungsstrebenstumpf 140 nach dem Laserschneiden durch die Verbindungsstrebe 420 einen Grat an der Schnittfläche 141 aufweisen. Ein solcher Grat kann z.B. eine scharfe und/oder schroffe Kante aufweisen, an der die Verkapselung 130 nicht ohne weiteres haftet, was zu Delaminierungsproblemen führt. Der Grat kann daher vor dem Aufbringen der Verkapselung 130 von der Schnittfläche 141 entfernt werden. Dies kann z. B. mit Hilfe des Lasers 430 erfolgen, z. B. in einem nachfolgenden Laseranwendungsprozess nach dem Laserschneiden. In diesem nachfolgenden Laseranwendungsprozess kann der Laser 430 mit anderen Einstellungen, z. B. mit einer geringeren Leistungsdichte, eingesetzt werden. Es ist aber auch möglich, dass die Einstellungen des Lasers 430 und/oder das Material des Verbindungsstrebens 420 so gewählt werden, dass durch den Laserschneidprozess kein Grat erzeugt wird.
  • Gemäß einem Beispiel ist das Die-Pad 110 nach dem Durchtrennen der Verbindungsstrebe 420 noch über die ersten Zuleitungen 210 mechanisch mit dem Rahmen 410 verbunden. Die ersten Zuleitungen 210 können daher so stabil ausgelegt sein, dass sie das Die-Pad 110 in diesem Stadium der Herstellung mechanisch abstützen.
  • Gemäß einem Beispiel wird das Laserschneiden durchgeführt, nachdem der Halbleiterchip 120 auf dem Die-Pad 110 befestigt wurde. Das Laserschneiden kann insbesondere nach dem Verbinden eines elektrischen Verbinders mit dem Halbleiterchip 120 erfolgen. Ein solcher elektrischer Verbinder kann z.B. verwendet werden, um einen Anschluss des Halbleiterchips 120 mit einem externen Kontakt des Leistungshalbleitergehäuses 200 zu verbinden (in den Figuren nicht dargestellt). Der elektrische Verbinder kann z.B. einen Bonddraht, ein Band oder einen Kontaktclip aufweisen.
  • Wie in 4D gezeigt, wird nach dem Laserschneiden der Verbindungsstreben 420 die Verkapselung 130 hergestellt. Dazu können das Die-Pad 110 und der Halbleiterchip 120 mit Hilfe einer Formkavität 440 eines Formwerkzeugs umspritzt werden. Das Die-Pad 110, der Halbleiterchip 120 und der/die Verbindungsstrebenstumpf/-stümpfe 140 sind vollständig innerhalb der Formkavität 440 angeordnet, so dass die Schnittfläche 141 vollständig mit Formmasse bedeckt werden kann. Die ersten und zweiten Zuleitungen 210, 220 können dagegen aus der Formkavität 440 herausragen.
  • Wie in 4E gezeigt, kann das Leistungshalbleitergehäuse 200 nach der Herstellung der Verkapselung 130 durch Durchtrennen der Zuleitungen 210, 220 vom Rahmen 410 getrennt werden. Da die Verbindungsstreben 420 bereits vor der Herstellung der Verkapselung 130 durchgeschnitten wurden, müssen in diesem Stadium keine Verbindungsstreben durchgeschnitten werden, um das Leistungshalbleitergehäuse 200 von dem Rahmen 410 zu trennen.
  • Die 5A bis 5C zeigen beispielhafte Verbindungsstreben 500, 500' und 500'', wobei jede der Verbindungsstreben 500, 500' und 500'' anstelle der Verbindungsstrebe 420 verwendet werden kann.
  • Die Verbindungsstreben 500, 500' und 500'' weisen jeweils mindestens eine Kerbe 510 auf, wobei eine Dicke der Verbindungsstreben 500, 500' und 500" ' innerhalb der Kerbe reduziert ist. Das Schneiden durch die Verbindungsstreben 500, 500' und 500" ' innerhalb einer Kerbe 510 kann schneller sein und weniger Rückstände erzeugen als das Schneiden an einer Stelle mit einer höheren Dicke. Innerhalb der Kerbe 510 kann die Dicke der Verbindungsstreben 500, 500' und 500'' zum Beispiel um 20 % oder mehr, 40 % oder mehr, 60 % oder mehr oder 80 % oder mehr reduziert sein. Die Kerbe 510 kann beispielsweise eine Breite d von weniger als oder etwa 0,2mm, mehr als 0,2mm, mehr als 0,4mm, mehr als 0,8mm oder mehr als 1mm aufweisen.
  • Gemäß einem Beispiel kann die Kerbe 510 durch ein Stanz- oder Ätzverfahren hergestellt werden. Die Kerbe 510 kann beispielsweise vor dem Anordnen des Halbleiterchips 120 auf dem Die-Pad 110 hergestellt werden, z.B. während der Herstellung des Leiterrahmens 400.
  • Die Kerbe 510 kann jede geeignete Form haben, z. B. eine V-Form, wie in 5A und 5B gezeigt, oder sie kann einen flachen Boden haben, wie in 5C gezeigt. Darüber hinaus können, wie in 5B gezeigt, die Kerben 510 als „Doppelkerben“ auf gegenüberliegenden Seiten des Verbindungsstrebens angeordnet sein, die einander gegenüberliegen, so dass sich eine einzelne Schnittlinie 421 durch eine Doppelkerbe erstreckt.
  • Für den Fall, dass die Leistungshalbleitergehäuse 100, 200 oder 300 unter Verwendung der Verbindungsstreben 500, 500' oder 500'' hergestellt wurden, kann der Verbindungsstrebenstumpf 140 eine gestufte Endfläche aufweisen. Im Falle der Verbindungsstreben 500 und 500' kann ein erster Teil der Endfläche eine schräge Oberfläche und ein zweiter Teil die Schnittfläche 141 aufweisen, die senkrecht zur ersten und zweiten Hauptseite 111, 112 des Die-Pads 110 angeordnet ist. Im Falle des Verbindungsstrebens 500'' kann der erste Teil der Endfläche eine vertiefte Oberfläche aufweisen, die senkrecht zu den ersten und zweiten Hauptseiten 111, 112 angeordnet ist, und der zweite Teil kann die Schnittfläche 141 aufweisen. In beiden Fällen kann die Oberfläche des ersten Teils eine Mikrostruktur aufweisen, die durch mechanisches Prägen oder chemisches Ätzen hergestellt wurde, während die Schnittfläche 141 eine Mikrostruktur aufweist, die, wie bereits erwähnt, durch Laserschneiden hergestellt wurde.
  • 6 zeigt ein beispielhaftes Die-Pad 600, das anstelle des Die-Pads 110 in den Leistungshalbleitergehäusen 100, 200 und 300 verwendet werden kann. Das Die-Pad 600 kann ähnlich oder identisch mit dem Die-Pad 110 sein, mit der Ausnahme, dass es zusätzlich mindestens ein Formverriegelungsmerkmal 610 aufweist.
  • Das Formverriegelungsmerkmal 610 ist so konfiguriert, dass es die Adhäsion der Verkapselung 130 an dem Die-Pad 600 verbessert. Das Formverriegelungsmerkmal 610 kann beispielsweise eine Vertiefung oder ein Durchgangsloch in dem Die-Pad 600 umfassen, wobei sich eine Vertiefung nur teilweise durch das Die-Pad 600 erstreckt und wobei sich ein Durchgangsloch vollständig durch das Die-Pad 600 erstreckt. Das Formverriegelungsmerkmal 610 kann jede geeignete Form und jede geeignete Abmessung haben, z. B. eine runde Form oder eine rechteckige Form und einen Durchmesser von 2mm oder weniger oder 1mm oder weniger.
  • Das Formverriegelungsmerkmal 610 kann an jeder geeigneten Stelle des Die-Pads 600 angeordnet sein, die in direkten Kontakt mit der Verkapselung 130 kommt. Das Formverriegelungsmerkmal 610 kann zum Beispiel in der Nähe einer Kante des Die-Pads 600 oder am Verbindungsstrebenstumpf 140 angeordnet sein.
  • Das Formverriegelungsmerkmal 610 kann z.B. durch Laserschneiden des Die-Pads hergestellt werden. Das Formverriegelungsmerkmal 610 kann z.B. mit demselben Laser 430 hergestellt werden, der auch zum Durchschneiden der Verbindungsstreben 420 verwendet wird. Das Formverriegelungsmerkmal 610 kann z.B. in demselben Verfahren hergestellt werden, in dem die Verbindungsstreben 420 durchgeschnitten werden. Das Formverriegelungsmerkmal 610 kann eine Schnittfläche aufweisen, die eine durch Laserschneiden hergestellte Mikrostruktur umfasst (ähnlich der Mikrostruktur der Schnittfläche 141 des Verbindungsstrebenstumpfes 140).
  • Die 7A bis 7C zeigen ein beispielhaftes Formgebungsverfahren, das z.B. zur Herstellung der in 4D gezeigten Verkapselung 130 verwendet werden kann. Der Einfachheit halber ist der Rahmen 410 in 7A nicht dargestellt.
  • Wie in den 7A und 7B gezeigt, wird in diesem beispielhaften Formgebungsverfahren ein Formgebungswerkzeug 700 mit einziehbaren Stiften 710 verwendet. 7A zeigt eine Draufsicht und 7B eine Schnittdarstellung aus der Richtung des Pfeils A in 7A. Die einziehbaren Stifte 710 können so konfiguriert sein, dass sie das Die-Pad 110 während des Formprozesses in Position halten. Dies kann notwendig sein, weil das Die-Pad 110 nicht von den Verbindungsstreben 420 gehalten wird, da die Verbindungsstreben 420 in diesem Stadium bereits abgeschnitten wurden.
  • Die einziehbaren Stifte 710 können z.B. auf das Die-Pad 110 abgesenkt werden, nachdem das Die-Pad 110 in das Formwerkzeug 700 eingelegt worden ist. Die einziehbaren Stifte 710 können wieder herausgezogen werden, nachdem das Formwerkzeug 700 mit Formmasse gefüllt worden ist. Gemäß einem Beispiel werden die einziehbaren Stifte 710 erst dann herausgezogen, wenn die Formmasse ausreichend ausgehärtet ist.
  • Gemäß einem Beispiel werden Löcher, die in der Verkapselung 130 an der Stelle der einziehbaren Stifte 710 zurückbleiben, nachträglich aufgefüllt, z.B. durch Einspritzen von Formmasse. Nach einem anderen Beispiel beeinträchtigen diese Löcher die Funktionalität des Leistungshalbleitergehäuses 100, 200 oder 300 nicht und müssen daher nicht aufgefüllt werden.
  • 7C zeigt mögliche Kontaktpunkte 720 der einziehbaren Stife 710 auf dem Die-Pad 110. Die Kontaktstellen 720 können beispielsweise auf oder in der Nähe der Verbindungsstrebenstümpfe 140 oder an jeder anderen geeigneten Stelle auf dem Die-Pad 110 angeordnet sein. Die Kontaktpunkte 720 können insbesondere so gewählt werden, dass die einziehbaren Stifte 710 das Die-Pad 110, nicht aber den Halbleiterchip 120 berühren.
  • 8 zeigt eine Laserschneidvorrichtung 800, die gemäß einem Beispiel zum Durchtrennen der Verbindungsstreben 420 verwendet werden kann. Die Laserschneidvorrichtung 800 kann auch zur Herstellung des Formverriegelungsmerkmals 610 verwendet werden.
  • Die Laserschneidvorrichtung 800 umfasst einen Träger 810, der zum Tragen eines Leiterrahmens wie des Leiterrahmens 400 konfiguriert ist. Die Laserschneidvorrichtung 800 umfasst ferner einen Abfallsammler 820 zum Sammeln von Abfallmaterial, das von dem Leiterrahmen 400 durch den Laser 430 abgeschnitten wird, z. B. das Stück 422 der Verbindungsstrebe. Gaseinlässe 830, Gaskanäle 840 und ein Gasauslass 850 sind so konfiguriert, dass sie einen Gasstrom in Richtung des Abfallsammlers 820 leiten. Der Gasstrom kann dazu beitragen, das Abfallmaterial in den Abfallsammler 820 zu transportieren. Der Gasstrom kann z. B. N, Luft oder ein anderes geeignetes Gas umfassen oder daraus bestehen. Gemäß einem Beispiel ist der Gasauslass 850 mit einer Pumpe gekoppelt, um einen Unterdruck zu erzeugen, wodurch der Gasstrom angesaugt wird.
  • Die Laserschneidvorrichtung 800 kann nicht nur zum Sammeln makroskopischer Abfälle wie des Stücks 522 der Verbindungsstrebe im Abfallsammler 820 konfiguriert sein. Sie kann auch so konfiguriert sein, dass sie mikroskopische Rückstände des Laserschneidvorgangs von dem Leiterrahmen 400 und dem Halbleiterchip 120 entfernt und sie mit Hilfe des Gasstroms in dem Abfallsammler 820 sammelt. Dies kann dazu beitragen, die Oberflächen aller Komponenten des Leistungshalbleitergehäuses 100, 200 und 300 sauber zu halten und dadurch eine einwandfreie Funktion des hergestellten Leistungshalbleitergehäuses zu gewährleisten.
  • 9 ist ein Flussdiagramm eines beispielhaften Verfahrens 900 zur Herstellung eines Leistungshalbleitergehäuses. Das Verfahren 900 kann zum Beispiel zur Herstellung der Leistungshalbleitergehäuse 100, 200 und 300 verwendet werden.
  • Das Verfahren 900 umfasst bei 901 einen Vorgang des Bereitstellens eines Leiterrahmens, der ein Die-Pad und einen Rahmen umfasst, wobei das Die-Pad mit dem Rahmen durch mindestens eine Verbindungsstrebe verbunden ist, bei 902 einen Vorgang des Anbringens eines Halbleiterchips an dem Die-Pad, bei 903 einen Vorgang des Laserschneidens durch die mindestens eine Verbindungsstrebe, wodurch eine Schnittfläche gebildet wird, und bei 904 einen Vorgang des Formens über das Die-Pad und den Halbleiterchip nach dem Laserschneiden, wobei die Schnittfläche vollständig mit Formmasse bedeckt wird.
  • BEISPIELE
  • Im Folgenden werden das Leistungshalbleitergehäuse und das Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitergehäuses anhand konkreter Beispiele näher erläutert.
  • Beispiel 1 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitergehäuses, wobei das Verfahren umfasst: Bereitstellen eines Leiterrahmens, der ein Die-Pad und einen Rahmen umfasst, wobei das Die-Pad mit dem Rahmen durch mindestens eine Verbindungsstrebe verbunden ist, Anbringen eines Halbleitergehäuses an dem Die-Pad, Laserschneiden durch die mindestens eine Verbindungsstrebe, wodurch eine Schnittfläche gebildet wird, und nach dem Laserschneiden, Formen über dem Die-Pad und dem Halbleitergehäuse, wobei die Schnittfläche vollständig mit Formmasse bedeckt ist.
  • Beispiel 2 ist das Verfahren von Beispiel 1, ferner umfassend: Laserschneiden eines Formverriegelungsmerkmals in das Die-Pad, wobei das Formverriegelungsmerkmal ein Durchgangsloch oder einen Hohlraum umfasst, und Füllen des Formverriegelungsmerkmals mit der Formmasse.
  • Beispiel 3 ist das Verfahren von Beispiel 1 oder 2, wobei das Laserschneiden das Laserschneiden durch den mindestens einen Verbindungsstrebe an zwei verschiedenen Stellen umfasst, so dass ein Stück der Verbindungsstrebe vollständig weggeschnitten wird.
  • Beispiel 4 ist das Verfahren aus Beispiel 3, das ferner umfasst: die Verwendung eines Luftstroms, eines Gasstroms oder eines Unterdrucks, um das Stück der Verbindungsstrebe aus dem Leiterrahmen zu entfernen.
  • Beispiel 5 ist das Verfahren eines der vorangegangenen Beispiele, das ferner umfasst: nach dem Laserschneiden, Entfernen eines Grats von der Schnittfläche mit dem Laser.
  • Beispiel 6 ist das Verfahren eines der vorangehenden Beispiele, wobei die mindestens eine Verbindungsstrebe mindestens eine Kerbe aufweist und wobei das Laserschneiden in der mindestens einen Kerbe durchgeführt wird.
  • Beispiel 7 ist das Verfahren eines der vorangehenden Beispiele, wobei der Leiterrahmen ferner Zuleitungen umfasst, die mit dem Die-Pad zusammenhängen, und wobei während des Formens das Die-Pad durch die Zuleitungen mit dem Rahmen verbunden ist.
  • Beispiel 8 ist das Verfahren von Beispiel 7, das ferner folgendes umfasst: nach dem Gießen, Vereinzeln des Leistungshalbleitergehäuses vom Rahmen durch Durchschneiden der Zuleitungen.
  • Beispiel 9 ist das Verfahren eines der vorhergehenden Beispiele, wobei das Formen unter Verwendung eines Formwerkzeugs mit zurückziehbaren Stiften durchgeführt wird, wobei die zurückziehbaren Stifte so konfiguriert sind, dass sie das Die-Pad an seinem Platz fixieren, und wobei die zurückziehbaren Stifte während des Formens zurückgezogen werden.
  • Beispiel 10 ist das Verfahren eines der vorangehenden Beispiele, ferner umfassend: vor dem Laserschneiden, Koppeln eines elektrischen Verbinders mit dem Halbleiterchip, wobei der elektrische Verbinder einen Bonddraht, ein Band oder einen Kontaktclip umfasst.
  • Beispiel 11 ist ein Leistungshalbleitergehäuse, umfassend: ein Die-Pad, das mindestens einen Verbindungsstrebenstumpf umfasst, wobei eine Schnittfläche am Ende des mindestens einen Verbindungsstrebenstumpfs angeordnet ist, einen Halbleiterchip, der an dem Die-Pad befestigt ist, und eine Verkapselung, die den Halbleiterchip einkapselt, wobei die Verkapselung die Schnittfläche vollständig bedeckt, und wobei die Schnittfläche eine durch Laserschneiden hergestellte Mikrostruktur umfasst.
  • Beispiel 12 ist das Leistungshalbleitergehäuse von Beispiel 11, wobei der mindestens eine Verbindungsstrebenstumpf einer ersten lateralen Seite der Verkapselung zugewandt ist, und wobei kein Metallteil an der ersten lateralen Seite von der Verkapselung freiliegt.
  • Beispiel 13 ist das Leistungshalbleitergehäuse aus Beispiel 11 oder 12, das ferner umfasst: mindestens ein Durchgangsloch, das sich durch das Die-Pad erstreckt, wobei das Durchgangsloch mit dem Material der Verkapselung gefüllt ist und wobei das Durchgangsloch eine weitere Schnittfläche umfasst, die eine durch Laserschneiden hergestellte Mikrostruktur aufweist.
  • Beispiel 14 ist das Leistungshalbleitergehäuse nach einem der Beispiele 11 bis 13, wobei der mindestens eine Verbindungsstrebenstumpf eine Kerbe aufweist und wobei die Schnittfläche in der Kerbe angeordnet ist.
  • Beispiel 15 ist das Leistungshalbleitergehäuse nach einem der Beispiele 11 bis 14, bei dem die Schnittfläche frei von jeglichem Grat ist.
  • Beispiel 16 ist eine Vorrichtung mit Mitteln zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Beispiele 1 bis 10.
  • Obwohl die Offenbarung in Bezug auf eine oder mehrere Ausführungsformen illustriert und beschrieben wurde, können an den illustrierten Beispielen Änderungen und/oder Modifikationen vorgenommen werden, ohne vom Geist und Umfang der beigefügten Ansprüche abzuweichen. Insbesondere im Hinblick auf die verschiedenen Funktionen, die von den oben beschriebenen Bauteilen oder Strukturen (Anordnungen, Vorrichtungen, Schaltungen, Systemen usw.) ausgeführt werden, sollen die Begriffe (einschließlich des Verweises auf ein „Mittel“), die zur Beschreibung solcher Bauteile verwendet werden, sofern nicht anders angegeben, jedem Bauteil oder jeder Struktur entsprechen, das/die die angegebene Funktion des beschriebenen Bauteils ausführt (z. B. das funktionell äquivalent ist), auch wenn es strukturell nicht äquivalent zu der offengelegten Struktur ist, die die Funktion in den hier dargestellten beispielhaften Implementierungen der Offenbarung ausführt.

Claims (15)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitergehäuses, wobei das Verfahren umfasst: Bereitstellen eines Leiterrahmens mit einem Die-Pad und einem Rahmen, wobei das Die-Pad durch mindestens eine Verbindungsstrebe mit dem Rahmen verbunden ist, Anbringen eines Halbleiterchips auf dem Die-Pad, Laserschneiden durch die mindestens eine Verbindungsstrebe, wodurch eine Schnittfläche gebildet wird, und nach dem Laserschneiden, Formen über das Die-Pad und den Halbleiterchip, wobei die Schnittfläche vollständig mit Formmasse bedeckt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, ferner umfassend: Laserschneiden eines Formverriegelungsmerkmals in das Die-Pad, wobei das Formverriegelungsmerkmal ein Durchgangsloch oder einen Hohlraum umfasst, und Füllen des Formverriegelungsmerkmals mit der Formmasse.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Laserschneiden ein Laserschneiden durch die mindestens eine Verbindungsstrebe an zwei verschiedenen Stellen umfasst, so dass ein Stück der Verbindungsstrebe vollständig weggeschnitten wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, ferner umfassend: Verwenden eines Luftstroms, eines Gasstroms oder eines Unterdrucks, um das Stück der Verbindungsstrebe vom Leiterrahmen zu entfernen.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend: nach dem Laserschneiden, Entfernen eines Grats von der Schnittfläche mit dem Laser.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die mindestens eine Verbindungsstrebe mindestens eine Kerbe aufweist und wobei das Laserschneiden in der mindestens einen Kerbe durchgeführt wird.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Leiterrahmen ferner mit dem Die-Pad zusammenhängende Zuleitungen aufweist und wobei während des Formens das Die-Pad über die Zuleitungen mit dem Rahmen verbunden ist.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, ferner umfassend: nach dem Gießen, Vereinzeln des Halbleitergehäuses vom Rahmen durch Durchschneiden der Zuleitungen.
  9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Formen unter Verwendung eines Formwerkzeugs mit einziehbaren Stiften durchgeführt wird, wobei die einziehbaren Stifte so konfiguriert sind, dass sie das Die-Pad an seinem Platz fixieren, und wobei die einziehbaren Stifte während des Formens eingezogen werden.
  10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend: vor dem Laserschneiden, Koppeln eines elektrischen Verbinders mit dem Halbleiterchip, wobei der elektrische Verbinder einen Bonddraht, ein Band oder einen Kontaktclip umfasst.
  11. Leistungshalbleitergehäuse, umfassend: ein Die-Pad mit mindestens einem Verbindungsstrebenstumpf, wobei eine Schnittfläche am Ende des mindestens einen Verbindungsstrebenstumpfs angeordnet ist, einen Halbleiterchip, der an dem Die-Pad befestigt ist, und eine Verkapselung, die den Halbleiterchip einkapselt, wobei die Verkapselung die Schnittfläche vollständig bedeckt, und wobei die Schnittfläche eine durch Laserschneiden hergestellte Mikrostruktur aufweist.
  12. Leistungshalbleitergehäuse nach Anspruch 11, wobei der mindestens eine Verbindungsstrebenstumpf einer ersten lateralen Seite der Verkapselung zugewandt ist, und wobei kein Metallteil an der ersten lateralen Seite von der Verkapselung freigelegt ist.
  13. Leistungshalbleitergehäuse nach Anspruch 11 oder 12, ferner umfassend: mindestens ein sich durch das Die-Pad erstreckendes Durchgangsloch, wobei das Durchgangsloch mit dem Material der Verkapselung gefüllt ist, und wobei das Durchgangsloch eine weitere Schnittfläche mit einer durch Laserschneiden hergestellten Mikrostruktur aufweist.
  14. Leistungshalbleitergehäuse nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei der mindestens eine Verbindungsstrebenstumpf eine Kerbe aufweist, und wobei die Schnittfläche in der Kerbe angeordnet ist.
  15. Leistungshalbleitergehäuse nach einem der Ansprüche 11 bis 14, wobei die Schnittfläche frei von jeglichem Grat ist.
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