DE1801878A1

DE1801878A1 - Verfahren und Einrichtung zur Halterung einer Werkstueckanordnung,insbesondere von Miniaturwerkstuecken

Info

Publication number: DE1801878A1
Application number: DE19681801878
Authority: DE
Inventors: Wanesky William Robert
Original assignee: Western Electric Co Inc
Current assignee: AT&T Corp
Priority date: 1967-10-09
Filing date: 1968-10-08
Publication date: 1969-07-10
Also published as: FR1594637A; DE1801878B2; DE1801878C3; BE721992A; NL157146B; NL6814369A; GB1251501A; SE354383B; US3632074A

Description

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AUffusf Bosfiorf
Walter Jackiich

Western Bleotrto Cpapanjr
Incorporated
195« Broadway
Hew York USA

A JO 689 - es

Verfahren und Iin riohtung zur Halterung einer Werketüokanordnung, insbesondere von Miniatur-Werke tüoto η

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Halterung einer Werketüokanordnung, Insbesondere von Miniatur- i

Werkstücken, mittels einer Vorrichtung« von der die Werkstücke einzeln abgenommen werden können* Zum Gegenstand der Erfindung gehört ferner eine Einrichtung zur Durchführungvelnes solohen Verfahrens.

Anwendungsgebiet vorliegender Erfindung umfasst Insbesondere Arbeitsgänge wie das Aufnehmen

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und Festhalten sowie die Aufreohterhaltung einer vorgegebenen Lage oder Orientierung von Werkstücken geringer Abmessungen» wie diese z.B. bei der Herstellung vonzerbrechlichen Miniatur-Halbleitervorriohtungen, integrierten Schaltungen, insbesondere solohen der ■ Tra^ansohlues-Bauart, und dgl« auftreten. Bei Halbleitervorrichtungen der letztgenannten Art ist ein Halbleiterkörper mit etofflüssig angeformten, eHnen integralen Bestandteil der Halbleitervorrichtung bildenden Ansohlußleitern versehen, die meist naoh Art eines Kragbalkens Über den Halbleiterkörper vorstehen und sowohl als elektrische Kontaktelemente bzw. Anschlufileiter wie auch als mechanische Tragelemente wirken. Derartige Tragansehlüss* werden meist aus Gold, und zwar durch selektive

Elektroplattieren^ ah einer Oberfläche des Halbleiterkörpers hergestellt. Halbeleiterelemente dieser und ähnlicher Art haben äusserst geringe Abmessungen von z.B. 0,01 mm Dicke, 0,025 mm Breite und 0,075 mm Länge. In quadratischer Ausführung sind z.B. Abmessungen von 0,05 mm Dloke und 0,15 mm Breite anzutreffen. Bei der Serienherstellung wird eine Vielzahl solcher Halbleiterelemente,

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im folgenden auoh kurz "Elemente" genannt, bsw. von Elementanordnungen duroh Auf plattleren der Leiter zwischen einer entsprechenden Anzahl von aktiven oder dotierten Zonen in einer z.B. aus Silizium bestehenden Scheibe oder einem entepreohenden Blatt hergestellt. Die Halbleiter-

sehelbe wird mittels Waohe in der Velse auf einer g

Tragplatte oder dgl. befestigt, daß die Tragleiter

in das Wachs eingebettet sind. Die nicht mit Waohe bedeckten OberflKohenabeohnltte der Bdbleiteraoheibe werden mit einer lichtempfindlichen Substans maskiert. °ie zwisohen den einzelnen Elementen, 8.B. Tranei*oren, der Scheibe befindlichen Flächenabschnitte werden belichtet und zur Trennung bzw.

Bildung einer entsprechenden VhI zahl von einzelnen Elementen mit ihren TragansohlUssen auegeätzt.

Bisher wurden die Fotomaske und das Wachs Üblicherweise mit Hilfe eines geeigneten Lösungsmittels entfernt, was mit einer Aufhebung der Orientierung der Elemente auf der Tragplatte verbunden 1st. Zumindest tritt eine solche Desorientierung der Elemente beim unumgüngllohen Trasport der Tragplatte zwischen den an verschiedenen Stellen bzw.

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mit Hilfe vereohiedener Maeohinen und Vorrichtungen auemiitlhrenden Arbeitegängen innerhalb dee Heretellungeprotesaee auf· P(Ir einige der wiohtigeten Arbeitsgänge, insbesondere für Prüf- und Meäarbeiten sowie für das Zusammensetzen der Element in grusseren integrierten Sohaltungseinheiten ist Jedooh eine bestimmte Lage und Orientierung der Blemente erforderlich, 8.B. bei der Eingabe und weiteren Handhabung sum Zweck von automatisch ablaufenden PrUf- und LUt- oder Sehweitiarbeiten. Bin besonderer Nachteil der bisherigen Verfahrensweise besteht auch darin, daß die erforderliehe Neuorientierung der empfindlichen Elemente «it erhöhter Besohädlgungsgefahr und entsprechend hohem AussohuSanteil verbunden 1st. Insbesondere für Zwecke der wirtschaftlichen Ilaseenfertigung wäre es daher erwünscht, die ursprüngliche Lage und Orientierung während des Tranaportsjund der Welterverarbeitung der Blemente aufrechterhalten su können.

Aufgabe der Erfindung ist daher die Schaffung eines Verfahrens zur Halterung einer WerkstUokanordnung, insbesondere einer Anordnung

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von Mikro-WerketUoken wie HiXbleiterelenenten und dgl« $ welone· di· Aufreohterhaltung einer ia Auegangaauetand vorhftndenen L*ge und Orientierung auf einfache Well« erntfglioht. Bie erf indungen genltoee Lösung dieser Aufgabe kennseionnet eioh bei einen Verfahren der eingangs genannten Art hauptsKohlioh dadurdh, daß die WerkstUoIce gegen die Oberfläche eines Halters gepresst werden* der aus einem druckempfindlichen, insbesondere druclcverfonnbaren Material besteht und die Werkatücice duroh Saugwirkung infolge des aufgebrachten Drucke» festhält.

In einer spesiellen Ausftlhrungsform des erfindungsgenltssen Verfahrens in der Balblelterteohnik werden die auf einer als Unterlage vorgesehenen Tragplatte befindlichen, teilweise in eine Wacheschicht eingebetteten Elemente von der anhaftenden Hasse der Fotomaske gesäubert und sodann auf eine» als Zwlsehenhalteruhg dienenden Tragorgan befestigt* während das Wachs und die Unterlage bzw. Trag· platte entfernt werden, Ansohllessend werden die belichteten Abschnitte der Elemente gegen einen Halter gepresst, der seinerseits eine Saugwirkung auf die Elemente ausübt. Endlich wird das als

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Zwieohenhaiterung dienende Tragorgen entfernt, wob«i die Element· in ihrer ureprUnglionen Orientierung auf dem Halter verbleiben. Die SaUjgwirkung dee Heitere 1st auereiohend, um die Elemente sogar während dee Tranjorts tlbitr grtteaere Bntfermiü^n» a.B. nwlaetea en -verieniedenen Orten bef indliofcen Fertigun^etltten^ in ihrer vorgegebenen Lege und° Orientierung mi tmlt®m» : -/-Am Weiterverarbeitungeort kHnnen die Sleatnb« \ ■. 'datier onne Schwierigkeit entmnmm, wvä in den, IlereteXlungeprosseee eingefUliFt* werden» s«B. asur Durchführung ven 3'ohweiS- oder-enderen dungeartieiten zur iierstelJLung von elnheiten und dgl/. '

Bei einer asweoiOBSeeigin AusffShrungeform einer zur DurahfüHrung dee' 'e^findungeeemieeen ¥erfahrens geeigneten Einrichtung let ein Etu^ar Torgf«eh@n_f der »tn% aus eine«■ awsfrttmltiml, x.fi«'Silteoaters oder 8iXi@ongiuBi»^: beitetitMe Bafteeliäelit aufweist« JA· hlerait ewl®ll»Ä Huftwlptame ist für mAhe lnw@ndungezifeelt«_f ^v iJ, bei 4er von H&XfoieitewleiÄÄÄ nooh an »tuple. Bier empffehlt. eioli ein·

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Einrichtung in der title·« dafl di· Oberfläche der Haftschicht alt Kinsenicungen suf Verminderung der Haftwirkung yersehen 1st. Di· Haftwirkung IdUQn ferner durch Beeinflussung der Oberfläohenrauheit in gleichem Sinn· verändert werden, da glattere Etftoberfläohen erfahrungsgeeles gröeeere HtftkÄfte ergeben. Weitere Eine tell-■Öglichkeiten bietet eine entsprechende Beatmung der »iolce und Druokweiohheit der Haf tsohiohten, wobei die Haftwiricung wiederum mit der Sohloht· stärke und der Druokwelehhelt nuiiamt.

Eine andere Ausführung«form der erfindungege-■ässen Einrichtung lctnnseiohnet «loh dadurch, dafi stn Zertrennen einer aiii einer Halbleiterscheibe bestehenden WerkstUokanordnung ein flexibler Halter mit einer Haftsottoht sowie ein der Haftschicht gegenüberliegend angeordnetes, ebenfalls flexibles Tragorgan als widerlager für die an der Haftschicht befindliche Werkattiokanordnung yorgesehen 1st. Hlerait kann das übliche Zertrennen einer Halbleiterscheibe in eine Vielzahl einseiner Halbleiterelement© unmittelbar innerhalb der

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Halterangsvorriohtung durchgeführt werden» wobei die Elemente ihre beim Zertrennen vorhandene Lage und Orientierung beibehalten. Oegebenenfalls kann hierbei auch ein dem Halter gegenüberliegendes, dehnbares Tragorgan verwendet werden» weichte naoh dem Zertrennen der Halbleiterscheibe,Jedoch vor dem Andrücken gegen die Haftschicht dee ™ Halters in vorgegebene» Maße gedehnt wird. Auf diese Welse können die einzelnen Elemente bzw. Werkstücke auf einfache Weise in einer vorge- _ gebenen, bezüglich der ursprünglichen Anordnung symmetrisch auseinandegezogenen Lage auf die Haftschicht gebracht werden. .

Eine andere Aueführungeform der erflndungsgemäesen Einriohtung weist einen als Lochplatte ausgebildeten Halter auf, in dessen Offnungen aus einem

geeigneten Saughaftmittel bestehende Haftelemente angeordnet sind. Ein solcher Halter eignet sich insbesondere ebenfalls zur Verwendung bei der Herstellung vonjfelblelterelementen, indem z.B. eine Halbleiterscheibe, die eine Vielzahl von einzelnen Halbleiterelementen enthalt, vor dem Zertrennen mit dem Halter verbunden wird.

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Diese AusfUhrungsform eigent «loh insbesondere auch für eine Zctrennung der Halbleiterscheibe durch übliche» Ausätzen der zwischen den einseinen Elementen befindlichen Soheibenabtfsehnltte. Ferner ergibt sich durch selektive Abschirmung der in den einzelnen Offnungen befindlichen Haftelement· für als defekt festgestellte Halbleiterelemente die Möglichkeit einer einfachen Aussortierung» indem nämlich die Haftwirkung für diese Halbleiterelemente entfällt.

Zur Erzielung einer gleichaäaalgen Druckverteilung beim Anpressen der Werkatüokanordnung gegen die Haftschicht eines Halters eapfiehlt sich vielfach die Verwendung eines auf der Rückseite des Halters angeordneten Widerlagers mit konvex gewölbter Stirnjffläohe. Dies gilt Insbesondere dann« wenn für die Anpreisung ein flexibles« z.B. membran· förmig aufgespanntes Tragorgan vorgesehen 1st. Ein solches Tragorgan kann ferner zweokmässlg durchbrochen» insbesondere sieb^förmig ausgebildet werden» wodtiroh sich eine einfache Möglichkeit zur Zwisohenhalterung bzw. vorübergehenden

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Verbindung der Werkstüokanordnung mit dea Tragorgan iBit Hilfe von In flüssigem Zustand aufgetragenen, sodann auegehärteten und später durch Lösen oder Erwärmen entfernbaren Tragsubstanzen ergibt. Je naoh der Art des zum Anpressen gegin den Halter bzw. dessen Haftschicht verwendeten ^ Tragorgans kann mit Vorteil attoh eine konkav

gewölbte Wlderlagerstiraflttohe an der Rüokseite des Halters eingesetzt werden.

Weitere Merkaale und Vorteile der Erfindung
ergeben »ich aus der folgenden Beschreibung von AusftUirungsbeispielen» die in den Zeichnungen
veranschaulicht sind. Hierin zeigt

Flg. 1 als Beispiel eines Werkstücke zur Anwendung der Erfindung ein Tragansohlue-Halbleiterelement, und
swar einen Transistor, in stark
vergrößerter« perspektivischer
Darstellung,

Fig. 2 eine Werkstüokanordnung, die aus mehreren in bestimmter Weise

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orientierten und innerhalb einer Waehaaohioht auf einer Tragplatte angebrachten Halbleiter*·»enten besteht, und «war in eine« bezüglich Hg. 1 sohtiKoher vergrößerten Madatab,

Fig. 3 eine perspektiviaohe Schal ttdar-

•teilung genSaa Sohnittebene 5-3 in Pig. 2, und «war in besuglloh Fig. nooh stärker vergrusserten Hafistab,

Fig. 4 einen Quereohnitt der Werkstttokanordnuhg mit Tragplatte geafie· Fig. 2,

Fig. 5 ein als Zwlsohenhalterung für die Werkstüokanordnung vorgesehenes« aiebfurmigee Tragorgan mit Tragplatte und Befestigungsvorrichtung in Quereohnitt,

Fig. 6 ' einen vergrosserten^ussohnitt von Pig. 5 zur Veransohauliohung der Aufbringung eines löeliohen

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Klebstoffe UUTQh dae siebf&ralge Tragorgim 'sur Befeütigusg der Werkatückanordnung e& Tragorgan«

Pig» 7 "·^: da« Eintaschen d«e

" mit der Werketüolmnordhung in

' ein LtJaungeraittelbftd 3cur Wacha» ■·.■·■■■■■ entfernung* ■■·..,■■■.·...-*,■

Fig, 8 die mit Hilfe dee Trägorganee

gegen die Silloonharzechloht eines Halters angepresste Werksttlokanordnung in Querschnitt und

Fig. 9 die auf den Halter befindliohe Werkstüokanordnung nach Entfernen

"■■■;■■ . des ^ragovcnes. ·.',-··■■.'■.·■

Weiterhin veraneohauliohen die

Fig.10, 11 und 12 eine andere Ausftthrungsform des erfindungsgemassen Verfahrens unter Verwendung einer zu verfestigenden , Fltlssigkelt bei der Überführung der ,. ; Werkatüokanordnung von einer Unterlage auf einen Halter» und ,zwar

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in drei verschiedenen Arbeit »- schritten, sowie die

13>» &» 15 und 16 eine weitere Ausfuhr ungs-

form des erfindungsgeaKasen Verfahren«

nit zugehöriger Vorriohtxmg in auf-

elnanderfoXgenden Arbeitaechritten,

wobei die Werketüokanordnung von einer

Unterlage über ein als Zwlsohenhalte-

rung dienendes Tragorgan rait einer

entfernbaren Folie auf einen Balter

Ubertngen wird.

Fig. 17 seigt als weiteres AusfOhrungebeispiel der Erfindung die unmittelbare Obertragung einer Werkstttokanordnung« die aus in W/ach· eingebetteten Tragansohlue-Haibleiterelenenten besteht« auf einen Halter» während die

Fig. 18, 19, 20, 21 und 22 eine AuefÜhrungafonn

der Erfindung unter Verwendung eines Saughalteoittels und an den einzelnen Werkstüoken angreifenden Haf.telenenten In aufeinanderfolgenden Arbeite-

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schritten rait den zugehörigen Vorrlohtungsteilen wiedergeben.

Weiterhin zeigt

Fig. 25 die mit Elnsenktmgen zur Begrenzung der Haftwirkung versehene Oberfläche eines Halters mit aufgesetzte» Werkstück in stark vergrusserter, perspektivischer Darstellung» während die

Fig. 24, 25 und 26 ein Verfahrensbeispiel zum Zertrennen eines zerbrechlichen Mehrfach-Merkstüokkörpers mit Halterung der getrennten Werkstücke auf einem druckempfindlichen Saughalter in w verschiedenen Arbeitssohritten mit

zugehörigen Vorriohtungsteilen wiedergeben.

Fig. 27 und 28 zeigen eine Halterausführung mit einer

Einrichtung zur Aufhebung der Haftwirkung, wobei der entspreohende Arbeitsvorgang veranschaulicht 1st.

Flg. 29 zeigt den Gesamtquerschnitt einer

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erf indungsgemäeaen Voreichtung mit •iebföraigem Tragorgan und gewölbter Druckfläche für di· Werkstttokejwrdnung *1« Alternativ· zu der Ausführung nach FIg, 5* wKhrend

Flg. ?O ' " eio«n AuBeohiiitt von Fig. 29 in einen | Arbeitszuetand wiedergibt. Endlich leigen die

Fig. 31, >2 und 53 eine Auefühmngef ore der Erfindung Mit Vorrichtungst eilen und Verfahrene« eonritten zur gegenseitigen Abstandsvergrusserung der einseinen Werkstücke einer aufgetrennten Werkstüekanordnung unter Verwendung eines dehnbaren, als Zwieohenhalterung dienenden Tragorgans.

Fig. i zeigt ale einzelnes Werkstück ein Halbleiterelement (kurz "Element") 10 mit einem Halbleiterkörper 11, aktiver Zone 11* und Tragansohlüssen 12. Derartige Elemente werden üblicherweise In Form von

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grSsieren» z.B. aus IEQO elnz+lmn Elemente tee.* ^ _; stehenden Werfesttfokanordnyingen aus einer EaiftLeiter· solwiibe von «twa 2,5 om Burohm««e»r her®§st*llt c Nach dem S9rtr«nrj#n der Hölbl®it#racheiti# «feräen, ^ die «inselnen Klsnsente mi.t Hilfe eine* w«icten Klebstoffs, ss.B. einer Waohsaohlcht 15 (». Big. £ und 3) in ihrer ureprüngliehen Aaordsmng auf einer als Unterlage dienenden Trageeheibe 14 gehalten. Die Gesamtheit eoloher in isestiiaffiter Weise Angeordneten Eleaente |»w· Werkstücke wird it» Sinne vorliegender^ Erfindung ale "WerkstUekanordnttng^w bezeichnet. Me Tragsoheibe14 besteht s.B. aue Saj*ir , Aluminiuffloxyd oder Olas. Bs wird ein mit Hilfe yon Wärme und/oder Lueungsnitteln entfernbArer KLebjetoff verwendet, da die Elemente ▼on der Wachsschicht getrennt bzw. von anhaftendem Wachs befreit und für Zwecke des Transportes und der Weiterverarbejtfitung aufjsinen Halter tibetragen werden sollen.

Hie in Fig. 3 angedeutet, sind die TragansohlUsse 12 des Elementes vollständig bzw. bündig in die Waohssohioiit 13 eingebettet, während der Halbleiterkörper 11 außer mit der Oberfläche seiner

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aktiven Zone 11' vollständig oberhalb der Wachsschicht liegt. Diese: Anordnung ergibt sich aus dem Herstellungsvorgang, bei dem die einzelnen Halbleiterkörper unter Freilassung der Zwischen- ' räume der Halbleiterscheibe mit Fotomasken abgedeckt und die Zwischenräume anechllessend ausgeätzt werden. Auf diese Heise wird die Zerlegung der Halbleiterscheibe in einzelne Halbleiterkörper und die Formgebung der letzteren durchgeführt· In Fig. 3 ist auf dem Halbleiterkörper 1 ein entsprechender Maskenabaohnitt l6 angedeutet. Ansohliessend kann die Maskenschicht z.B. mit Hilfe eines Druckflussigkeltsstrahles 17 aus einer Düse 18 in der aus Fig. 4 ersichtlichen Weise entfernt werden. Der Druckflttssigkeitsstrahl dringt hierbei keilartig unter die Maskensohloht und schält diese fortschreitend ab. Zurttok bleibt, wie in Flg. 4 rechts angedeutet, das mit seinen Traganschlüssen in die Wachsschicht 13 eingebettete Element 10. Bei den nun folgenden Arbeitsschritten soll die Werkstückanordnung auf einen Halter übertragen und die Wachsschicht entfernt werden. Hierzu wird in der aus Fig. 5 ersichtlichen Weise die Tragplatte Il4 mit Wachssfcteht und Werkstüek-

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anordnung auf das scheibenförmige Auflager Sl der Sookelplatte 22 einer Haltevorrichtung 22 gesetzt. Letztere umfasst ferner einen Hing 24, innerhalb dessen als Sragorgan ffte» di® Zwisohenhalterung ein m&8ohenf8rmlges» aus Edelstahl oder einen anderen korrosionsfesten Material bestehendes Sieb 26 aufgespannt ist. Mittels Spannschrauben 27, die in Bohrungen 28 des Ringes 24 sitzen und in entsprechende Gewinde« bohrungen 29 der Sookelplatte 22 eingeschraubt sind, wird das Sieb zunächst in Anlage an die Oberseite der Elemente IO gebracht. Die Kasohenweite des Siebes wird so gewählt, daß auf die Fläche eines Elementes 10 jeweils, mehrere Masohenuffnungen entfallen, andererseits aber eine mehr oder weniger viskose Flüssigkeit duroh das Sieb treten kann.

Ansohliessend wird gemäas Fig. 6 eine zu verfestigende Tragsubstahz 21, z.B. ein flüssiger, härtbarer Klebstoff wie Zellulosenitrat oder Zelluloseazetat durch das Sieb 26 hindurch auf die Werkstüokanordnung gespritzt oder in

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sonstiger Weise aufgebracht. Hierdurch werden die vorstehenden Halbleiterkörper 11 der Elemente 1Ö alt dem Sieb 26 in der aus Fig. 6 ersichtlichen Weis· to die Tragsubstanz eingebettet und durch dies· in der ursprünglichen Anordnung f estjrnit deal Sieb 26 verbunden. Die das Sieb einhüllende Tragsubstanz kann z.B. mit Hilfe einer Bürste 26 oder eines Strelohmessers gleiohraässig verteilt und in die Zwischenräume der Elemente 10 eingetrieben werden.

Als nächstes soll die Wachsschicht 13 entfernt und die Txgplatte 14 aus der' Verbindung mit der Werkstüokanordnung gelöst werden. Hierfür kann das Wachs zuerst durch Wärmeeinwirkung erweicht werden, so daB sich ein großer Teil der Wachsmasse bei entfernter Sookelplatte 22 von der Werkstückanordnung abheben und abschälen lässt. Die restliche Waohsraasse wird gemäss FIg* ? durch Eintauchen des Ringes 24 mit der erhäteten Klebstoff schicht und der anhaftenden Werkstück- " anordnung In ein LÖsüngamittellMid j5? entfernt.

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Ale geeignetes Lösungsmittel kommt z.B. siedendes Triohloräthylen in Betracht, welohes das Wachs von der freiliegenden Unterseite der Werkstüokanordnung entfernt« die Tragsubstanz J>1 bzw. das hierfür verwendete Zellulosenitrat nicht angreift und auch die Festigkeit der Verbindung mit den Elementen 10 nloht beeinträchtigt. Weitere anhaftende Wachsreste können z.B. ansohllessend durch Aufeprfhen von Trlchlor&thylen entfernt werden.

de WerkstUckanordnung soll nun auf einen scheibenförmigen Halter 36 der in Flg. 9 angedeuteten Art Übertragen werden. Dieser Halter 1st mit einer Haftschicht yj aus einem druck· empfindlichen, z.B. druokverformbaren Saughaltemittel versehen, wofür z.B. ein handelsübliches Silikonharz in Betracht kommt. Eingehende Untersuchungen haben gezeigt, daß Silioonharz die Fähigkeit aufweist. Körper mit glatter, nichtporöser Oberfläche nach entsprechender Anpressung durch Saugwirkung lösbar festzuhalten.

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Der beschichtete Halter 36 wird gemäae Flg. 8

mit obenliegender Haftschicht yj auf das Auflager 21 der Sockelplatte gebracht und ansohlieasendjder

Hing 24 mit Sieb 26 und anhaftender Werkstück*

anordnung aufgesetzt. Mittels der Spannschrauben

27 werden sodann die freiliegenden unteren Obere« λ

fläehenabsohnitte der Trsgan&alu^ 12 der

Elemente 10 in unmittelbarer Berührung gegen die Haftschicht 27 gepresst.

Der beschriebene Arbeitsvorgang kann auch mit der in Fig. 29 dargestellten AusfUhrungsform der erfindungsgemässen Vorrichtung durchgeführt werden. Der mit Haftschicht versehene, scheibenförmige Halter 36 wird hierbei auf einen Sockel

103 gesetzt, der im Unterteil 104 einer Kalte«· '

vorrichtung 105 senkrecht verschiebbar und mittels einer Kienraschraube 110 festsetzbar angeordnet 1st. Hierüber wird der Hing 24 mit Sieb 26, Tragsubstanz 3U und anhaftenden Elementen 10 aufgesetzt, wobei sich die Hingunterseite auf federnd gelagerte

mit
Puffer 106/zugehörigen EinstellvoBlshtungen 107

abstützt. Letztere bestehen, wie In Flg. 29 links

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angedeutet« aus je einer den zugehörigen Puffer 106 abstutzenden Druckfeder 113 mit Stellschraube 112 und Feststellmutter 109· Mit Hilfe dieser Einrichtung wird gemäss Flg. JO ein Abstand I08 des zunächst drucklos aufgeatzten Ringes 24

* vom Unterteil 104 der Halterungsvorrlohtung eingestellt. Ansohllessend wird der Sockel 10? angehoben« bis die Unterseite der Elemente 10 bzw. der TragansohlUsse 12 die Haftschicht 37 jedes Halters 36 berührt« und in dieser Stellung durch die Klemmschraube 110 festgesetzt. Der Abstand 108 wird so bemessen« daß sich nach Absenken des Ringes 24 auf das Unterteil 104 mit Hilfe der Spannschrauben 27 eine innerhalb der elastischen Grenzen liegende Spannung das

" Siebes 26 und eine entsprechende Anpressung der WerkstUekanordnung gegen den Halter 36 ergibt.

Wie in Flg. 29 und 30 angedeutet« 1st die obere Stirnfläche 111 des Sockels 103 konkvex kegelförmig ausgebildet. Diese Erhebung ist in Fig. und 30 tibertrieben dargestellt« sie beträgt in

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der Praxis etwa einige Hundertstel Millimeter bezüglich der Auaeenkante der Stirnfläche. Die Spitze der Erhebung 1st abgeflacht, um eine Gleichgewichtslage des druokfrei aufgesetzten Halters 36 zu ermöglichen.

Beim Andrücken des Halters 36 gegen die kegel-

stumpffurmige Stirnfläche des Sockels 10? unter der Wirkung des gespannten Siebes 26 verformt sich der Halter entsprechend schwach kugelförmig, wobei die Abmessungen so gewählt sind» daß keine bleibende

Verformung oder Bruch des l&lters eintritt. Durch

die entsprechende Verformung des über die Oberseite des Halters bzw. der Werkstückanordnung gespannten

Siebes ergibt sich eine gleiohmässlg verteilte Anpreseung zwischen der WerkstUokanordnung und (

der Haftshloht 37* Erfahrungsgemäas laasenfeich auf diese Weise insbesondere auch Heinere und kleinste Werkstücke sicher an der Oberfläche der

Haftschicht befestigen.

Ansohllessend wird die gesamte Kalterungsvorr:'ehfcung in ein in Flg. 29 angedeutetes Lösungsmitt^lbad 58 getaucht, wofür z.B. Azeton

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in Betracht kommt. Hierdurch wird die im Beispiels«* fall aus Zellulosenitrat bestehende Trageubstanz 31 aufgelöst und die Verbindung zwischen der WerkstUckanordnung und dem Sieb 26 aufgehoben. Nach Herausheben der Vorrichtung aus dem Lösungsmittelbad und Lösen der Spannschrauben 27 wird der Ring 24 mit dem Sieb 26 von der nun naoh wie vor in der ursprünglichen Orientierung befindlichen« auf der Haftschicht yj festgehaltenen Werkstüokanordnung abgehoben.

Der scheibenförmige Halter 36 kann z.B. aus wärmebeständigem Glas mit einem O,01J bis 0,025 mm starken überzug aus einem Siliconharz oder Silicongummi bestehen. Vor dem Aufbringen dieser Beschichtung wird der Halter mit einem geeigx&en Benet zunge- bzw. Aktivierungsmittel zur Sicherstellung ausreichender Adhäsion zwischen Haftschicht und Halter behandelt« Der überzug kann z.B. durch Oieseen auf die Oberfläche einer Glasscheibe gebracht und sodann mit einer dünnen, flexiblen Abdeckung von gewünschter Oberflächenrauheit beaufschlagt werden»

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worauf das Aushärten der Beschichtung erfolgt. Auf diese Welse erhält die Oberfläche der Haftschicht genau die vorgegebene Oberfläohenrauheit* ,Es wurde festgestellt, daß die Haftwirktinglter Haftschicht gegenüber aufgebraohten Gegenständen unmittelbar von der Oberflächenrauheit der HaftSchicht abhängt. Bei glatteren Oberfläohen ergeben sich grosser© Haftkräfte« ebenso bei dickeren und weicheren Haft schichten. Versuche haben gezeigt« daß poröse Gegenstände» z.B. solche aus Papier« an Haftsehichten der vorliegenden Art nicht festgehalten werden. Dies deutet darauf hin« daß beim Anpressen der Gegenstände zwischen d@r H&ftschlohtoberflache und der angepressten Oberfläche der Gegenstände eine Luftverdrängung stattfindet« die eine entsprechende Saugwirkung zur Folg© hat. Haftschiehten dieser Art können daher als "Saughaftmittel" bezeichnet werden.

Die erzeugte Haftwirkung ist erferungsgemäss ausreichend«um Werkstücke nach Art von Halbleiter· elementen oder dgl. g@g@n die bei üblichem Transport

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auftretenden Kräfte mit Sicherheit in ihrer ursprünglichen Lage und Orientierung zu halten. Besondea vorteilhaft ist die Verwendung von Glasscheiben als Halter mit einer Beschichtung aus durchsichtigem Siliconharze wobei sich die Möglichkeit einer unmittelbaren visuellen Uber- ^w waohung der Werkstücke bzw. Elemente 10 ergibt. Letztere können im Bedarfsfall mit Hilfe Üblioher Saug- oder Greifwerkzeuge einzeln vom Halter abgenommen und der weiteren Verarbeitung oder Prüfung zugeführt werden.

Bei Verwendung von aus undurchsichtigem Silicongummi bestehenden Haftschichten entfällt zwar die Möglichkeit der visuellen Überwachung« im übrigen haben derartige Haft schichten jedoch eine entsprechende, durch Anpressung erzielbare Saugwirkung. Die Beschichtung sowohl mit Sllioonharz wie auch mit Silicongummi kann z.B. In der Weise erfolgen, daß eine geringeJMenge von ungehärtetem Harz oder Gummi auf die als Halter vorgesehene Scheibe gebracht und durch Rotation der Scheibe mit

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Drehzahlen von etwa 8000 Upm gleiohmäseig über die Soheibenflache verteilt wird. Ansohliessend wird

das Harz oder Ouonl bei stillstehender Scheibe zur

Aushärtung und Verbindung mit der Scheibenoberflache

gebracht. Für die Zweck« der Erfindung kommen ins- I

bebildere bei der Halterung von kleinen und kleinsten

Werkstücken durchweg Haf tsohiohten von geringer Dioke in Betracht.

Im folgenden wird nun die AusfUhrungsform gemüse Fig. 10 bis 12 erläutert. Soweit die Vorrichtungstelle mit der Ausführung nach den Flg. 4 bis 9 übereinstimmen, sind gleiohe Bezugszelohen eingeführt, weshalb sich diesbezüglich weitere Erläuterungen erübrigen.

In dem Arbeitszustand nach Fig. 10 befinden sich die HSlShen abschnitte 16 noch auf den Elementen 10. Die Haltevorrichtung 2j> wird mit der WerlcstUokanordnung aufeinanderfolgend in ein

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Ätzbad aus Trichloräthylen zum Entfernen der Fotomaskenabschnitte sowie in ein Azetonbad zum Entfernen der Wachsschicht 13 getaucht. Die Werkstückanordnung bleibt danach durch das Sieb 26 arretiert auf der Unterlage 14 zurück. Anschliessend wird eine zu verfestigende bzw. aushärtbare BUseigkeit 41, z.B. eine gertige Menge Waseer_; auf das Sieb 26 und hierdurch auf die Werkstuekanordnung gebracht. Das Wasser wird dann mit Hilfe einer geeigneten Kühleinrichtung unter den Gefrierpunkt gebracht und verfestigt. Bei der in Flg. 11 angedeuteten Vorrichtung wird hierfür z.B. eine flache» mit Trockeneis 43 gefüllte Kupferschale 42 verwendet. Die Haltevorrichtung 23 wird dann auseinandergenommen und der Ring mit der am Sieb 26 haftenden Werkstüokanordnung von der Unterlage 14 abgenommen. Die Entfernung der Unterlage kann ggf. mit Hilfe einfacher Or«ifwerkzeuge unterstützt bzw. durchgeführt werden. ^f

Anschliessend wird die nun freiliegende Unterseite

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der Werkstückanordnung gemäss Fig. 12 auf die Haftschicht yj eines Halters j56 gesetzt. Die Anpressung und Einstellung der Saugwirkung zwisohen Haftschicht und WerkstUokanordnung erfolgt in gleicher Weise wie bei der Ausführung nach den Flg. 4 bis 9» Anschliessend wird die als Tragsubstanz dienende Eisschicht 44, welche in der vorangehend erläuterten Weise die WerkstUckanordnung mit dem Sieb 26 verbindet, mit Hilfe einer Heizvorrichtung 46 abgetaut. Durch die Anpressung der Elemente 10 bzw. der entsprechenden Traganschlüsse gegen die Haftschicht 27 unter der Wirkung des gespannten Siebes 26 ergibt sich nun die gewünschte Saugwirkung« welche die Elemente in ihrer ursprünglichen Läge und Orientierung hält (s. Fig. 9).

Die auf den Elementen befindlichen Maskenahschmtts 16 können auch hler mit Hilfe eines Druckflüssigkeit^- b^w. Druckgasstrahles gemäss Fig. 4 entfernt werden« wobei das Eintauchen der Haltevorrichtung 2> in ein Lösungs-

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mittelbad zur Entfernung der Fotomaske entfallt. Eine Tauchbehandlung im siedenden Triohloräthylen ist zur Entfernung der Wachsschicht und zur Reldgung der Elemente 10 auereichend.

Bei der AusfUhrungsform nach den Fig. 12 bis 16 ™ 1st außer der übertragung der Werkstückanordnung von der Unterlage 14 auf den Halter 36 eine Aussonderung de-fekter Elemente 10 vor dem Aufbringen auf den Halter vorgesehen. Die Elemente 10 sind auch hler wieder mit Ihrer&ragansohlüissen in einer Wachsschicht 14 auf der Unterlage 14 eingebettet. Durch visuelle Prüfung oder elektrische Messung werden die defekten Elemente festgestellt. Zur Zwischenhaiterung wird ein Tragorgan 51 in Form b einer geeigneten Weiohstoffolie verwendet. Als Material kommt¹ hierfür z.B. ein Polyester-Kondensationsprodukt von Äthylenglycol und Terephthalsäure in Betracht. Das Tragorgan 51 wird durch Stanzen mit einer Lochanordnung 52 versehen, welche der Anordnung der als einwändfrei festgestellten Elemente 10 entspricht. An den Stellen der

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defekten Elemente werden keine Löcher eingestanzt.

Das Trägorgan 51 wird nun gemäas Fig. 15 in solcher Ausrichtung auf die Werkstückanordnung gebracht, daß die einzelnen Öffnungen der Lochen·» Ordnung 52 mit den einwandfreien Elementen 10 fluchten. Nun wird ein djrfruokempflndliohes, d.h. durch Anpressung wirksam werdendes Saughaltemittel 5?» welches die Eigenschaften eines abziehbaren Klebstoffs aufweist. Über dem Tragorgan 51 aufgesprüht und dringt durch die Öffnungen der Loohanordnung 52 zu den freiliegenden Oberfläohenabechnitten der Elemente 10 vor. Auf diese Weise bildet sich eine Haftschicht 5? für die Zwischenhalt erung der Elemente. Nach Aushärten dieser Haftschicht wird die gesamte Anordnung in siedendes Trichlorethylen getaucht, wobei sioh die Wachsschicht 1? auflöst. Die infolge fehlender Offnungen des Tragorganes 51 nicht mit der Haftschicht 5? verbundenen, defekten Elemente lösen sich hierbei aus der freiliegenden Unterseite der Werkstückanordnung und fallen in das Lösungsmittelbad,

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während die einwandfreien Elemente festgehalten werden. Die Entfernung der defekten Elemente kann ggf. duroh leichte mechanische Bearbeitung der Werkstttckunterseite, z.B. durch Bürsten, unterstützt werden, wobei die Halterung der einwandfreien Elemente nicht beeinträchtigt wird. Ansohlbssend wird die Haftschicht 53 mit dem Tragorgan 51 und der anhaftenden, restliohen WerketUokanordnung gemäss Fig. 16 gegen die Haftschicht 37 eines Halters 36 der bereits erläuterten Art angepresst, worauf die verbliebenen Elemente 10 duroh Saugwirkung feegehalten werden, Naota Abziehen der Haftschicht 53 und Abnehmen des Tragorganee 51 verbleibt die restliche Werkstttckanordnung in ihrer ursprünglichen Lage und Orientierung auf dem Halter 36 zurück.

Bei der abgewandelten Ausführung nach Fig. 17 ist eine dünne Schicht 62 eines geeigneten Saughaltemittels wie Silldohharz und eine flüssige wachsschicht 63 vorgesehen. Eine die Halbleiterelemente 10 enthaltende Sllizlumaoheibe 64 wird

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mit den naoh unten vorstehenden Tragansehlttssen · 12 in diese Waohsaohicht eingedruckt. IHLe Sillzlurasoheibe wird dann an der Oberseite In der bereite erläuterten Weise alt einer Fotomaske 66 versehen, welche die einzelnen Elemente 10 "

abdeckt. Die zwischen den Elementen befindlichen» freiliegenden Abschnitte der Siliziumsohelbe werden dann in Üblicher Weise ausgeätzt und der die Haftschicht 62 mit der so erzeugten Werkstückanordnung tragende Halter 6l gemäss Fig. 5 auf die Sookelplatte 21 einer Haltevorrichtung 22 mit Sieb 26 gesetzt. Die Wachsschicht wird sodann durch Eintauchen In siedendes Triohloräthylen

entfernt. Nach Abheben des Binges 24 mit dem Sieb j

26 bleibt die WerkstUokanr'dnung wieder in ungestörter Lage und Orientierung auf der Haftschicht 62 des Halters 61 zurück.

Bei der Ausführung nach den Flg. 18 bis 22 werden die einzelnen Elemente 10 mit HAfe von pfropfenartigen, kegelstumpfförmigen Haft*

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elementen aus Silloonharz oder Silicongummi fest« gehalten. Zunächst wird eine mit kugelstumpfförmigen Offnungen 71 gemäss Fig. 18 versehene Lochplatte 70 an ihxr Oberseite duroh Aufsprühen mit einer Wachssfaicht 72 versehen« die z.B. aus fc Qlyoolphthalat besteht. Hierbei füllen sieh auoh die Offnungen 71 mit Wachs. Anschliessend wird eine die Halbleiterelemente enthaltende Siliziumscheibe 7? mit den nach unten vorstehenden TraganschlUssen 12 in die Waohssiiiaht eingepresst, wobei diese Traganschlüsse in die Wachsschicht eingebettet werden. Dieses Einpressen erfolgt in genau zentrierter Anordnung derart» daß die Öffnungen 71 der Lochplatte 70 mit der Mitte der Halbleiterkörper der einzelnen Elemente fluchten. Nun wird gemäss Flg. durch Aufsprühen eines Lösungsmittels 7^ gegen die Unterseite der Lochplatte 70 aus den Offnungen 71 entfernt. Hierbei wird auch ein der Querschnitts» fläche der öffnungen 17 entsprechender Teil der Wachsschicht 72 beseitigt« innerhalb dessen nun di@ IFnt@rs@ite der Halbleiterkörper d@r Elemente freili@gt.

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Ansohliessend wird genäse Fig. 20 ein Saughaftralttel, s.B. wiederum Silioonharz oder Silicongummi, in die Offnungen 71 und In Berührung alt den freigelegten Absohnitten der ^albleiterelemente gebracht. Hierzu wird die Lochplatte 70 In umgekehrter Anordnung durch Aufsprühen mit einer Schicht 76 aus ungehärtetem Silioonharz oder Silicongummi versehen. Hierbei fließt eine Teilmenge 76* in die Offnungen Jl₉ welch letztere jedooh hierdXuroh Infolge der hohen Viskosität des im Ausgangszustand befindlichen Saughaftmittels und wegen des geringen Offnungsquerechnitts nicht vdLständlg ausgefüllt werden. Die gesamte Anordnung wird nun in eine Unterdruckkammer 77 gebracht. Durch den einwirkenden Unterdruck wird die in den Offnungen befindliche Luft unter Bildung von Blasen 76*' abgesaugt. Nach dem Zerplatzen dieser Blasen herrscht in den Offnungen der gleiche Unterdrück, wobei eine weitere, Jedooh noch nicht vollständige Füllung derjQffnungen eintritt, über den in der Praxis sehr kleinen öffnungen sohllesst sich die Schicht 76 wieder.

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so dafi in den Offnungen entsprechende Hohlräume verbleiben. Bei ansohllessender Entnahme der Anordnung aus der Unterdruckkammer bewirkt nun der Kussere Überdruck das Zusammenfallen der Höhlungen unter vollständiger Ausfüllung der öffnungen. Naoh dem Aushärten des Saughaftmittels befinden sich somit in den Offnungen 71 zapfenartige Haftelemente 79, deren naoh unten gerlohtete Spitzen 78 gemäss Fig. 21 in unmittelbarer Berührung mit den Oberfläohenabsohnitten 73 der Halbleiterelemente stehen und diese durch Saugwirkung festhalten.

Ansohliessend wird die freie, in Fig. 21 untenliegend dargestellte Oberfläche der Halbleiter* sohelbe 73 mit einelf Fotomaske versehen und In üblicher Welse unter* Bildung der einzelnen Elemente 10 ausgeätzt. Naoh Entfernen der Wachesohicht 72 in einem Lftsungemlttelbad oder dgl. ergibt sich unmittelbar die fertige« duroh die Haftelemente 79 mit der Loohplatte 70 verbundene WerkstUokanordnung in ureprtlngloher Lage und Orientierung. Für die weitere Handhabung

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entspricht also die Lochplatte 70 mit den Haft* elementen 79 dem mit einer Haftschicht versehenen Halter der vorangehend erläuterten AusfÜhrungsforman. Gegebenenfalls kann die im Endzustand gemäse Fig« 22 an der Unterseite der Lochplatte 70 befindliche, ausgehärtete Schicht 80 des Saug* haftmittel3 durch Abschälen oder in sonst geeigneter Welse entfernt werden.

Es wurde festgestellt« daß die Haftwirkung des Saughaftmittels durch Einformen einer großen Anzahl von kleinen, flachen Einsenkungen in der Faftoberfläche vermindert werden kann. In Fig. 1st eine Haftschicht 23 mit einer schachbrettartigen Anordnung derartiger Einsenkungen 82 ange» deutet, welch letztere durch zueinander rechtwinklig verlaufende Rippen 83 und 84 getrennt sind. Die Einsenkungen weisen geneigte Seitenflächen auf und haben z.B. eine Tiefe von 0,025 mm bei Seitenlängen von 0,125 mm. Halbleiterelemente üblicher Abmessungen überdecken somit jeweils eine Kehrzahl

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soloher Einsenkungen. Bel entsprechenden Untersuchungen ergab sich, dafl nach Anpressen der Elemente zunächst ein Anfangswert der Haltekraft auftritt, weloher eine leichte Abtrennung einzelner Elemente von der Haftschicht 81 nicht zulässt. Nach einer Wartezelt von wenigen Hinuten fällt die Haltekraft jedooh ab, so daß die Elemente mit üblichen Saug- oder Greifwerkzeugen ohne Schwierigkeit abgenommen werden können. Dieser Abfall der Haltekraft rührt mutmaßlich von einem teilweisen Lufteintritt in die Einsenkungen 82 her.

Für die in den flg. 24 bis 26 veranschaulichte AusfUhrungsform gilt folgendess

Im Ausgangszustand sei eine Halbleiterscheibe 91 vorhanden, die in üblicher Weise durch matrixfb*rmige Kerben 92 und 92 gemäss einer Vielzahl von Halbleiterelementen 94 angerissen ist (s. Flg. 24). Die angerissene Halbleiterscheibe wird nun gemäss Flg. 23 zwischen einen flexiblen, aus einem Saughaftmittel bestehenden Halter 96 und ein

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ebenfalls flexibles« Jedoch nicht haftfähiges Tragorgan 97* z.B. eine Kunststoffolie» eingesetzt· Die gesamte Anordnung wird nun längs der Kerben 92 und 93 einer Biegebeanspruohung ausgesetzt» wobei die Halbleiterscheibe lunge dieser Kerben bricht und in eine Vielzahl einzelner Elemente 9* aufgetrennt wird, die unter Aufreohterhaltung ihrer Lage und Orientierung unmittelbar am Halter 96 haften. Nach Entfernen des niohthaftenden Tragorganes 97 ergibt sich unmittelbar die zur Weiterverarbeitung fertige Werkstttokanordnung gemüse Flg. 26.

Allgemein ergibt sich unter Verwendung der erflndungsgemässen Saughalter die Möglichkeit, «ine WerkstUokanordnung unter Aufreohterhaltung (

ihrer Lage und Orientierung In einfaoher Welse von einem Halter geringerer Haftwirkung auf einen solchen stärkerer Haftwirkung zu Übertragen, und zwar durch einfaches Oegeieinanderpressen eines solchen Kalterpaares. Die stärkere Haftwirkung des aufnehmenden Kalt era kann z.B. durch eine

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glattere Haftoberfläche oder eine grosser« Dicke der Haftschicht erzielt werden. Beim Trennen der beiden Halter übernimmt der letztere die Werkstücke bzw. Haltleiterelemente unter genauer Aufrechterhaltung ihrer Lage und Orientierung.

Eine weitere einfache Möglichkeit zur Verminderung der Haftwirkung besteht dar in, die mit Werkstücken beschickte Haftschichtoberfläche mit einem Lösungemittel zu besi^ühen, welohes das Saughaftmittel zum Quellen bringt. Im Falle von Sllloonharz oder Silicongummi kommt hierfür z.B. wiederum Trichloräthylen in Betracht. Die vorliegenden Verhältnisse sind In Flg. 27 und 28 veranschaulicht. Das im Ausgangszustand auf der ebenen Oberfläche einer Haftschicht 99 festgehaltene Element 98, (Fig. 27) wird durch das Quellen der Haftschicht im Bereich der Kanten 101 des unterhalb des Elementes 98 befindlichen Oberflächenfabsohnlttee angehoben« während dieser Oberflächenabschnitt selbst durch das Element 98 gegen die Einwirkung des Lösungsmittels abgedeckt 1st. Auf diese Welse bildet sich unterhalb eines jeden Elementes ein Hohlraum. Nach dem Verdunsten des

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Lösungsmittels nimmt die Haftschicht wieder ihre ursprüngliche Form an, wobei die Haftwirkung bat Haltekraft jedooh wesentlich herabgesetzt ist und ein leichtes Abnehmen der einzelnen Elemente ermöglicht. Dies ist darauf zurückzuführen, daß die Haftwirkung an den wieder abgesenkten Elementen durch die nun geringere Anpressung, nämlich durch das geringe Eigengewicht der Elemente, bestimmt 1st. Durch erneutes Anpressen der Elemente lässt sich wieder die ursprüngliche, starke Haftwirkung einstellen.

Durch Anwendung des letztgenannten Prinzips lässt sich auf einfache Weise eine Werketüokanordnung zwischen Haltern übereinstimmender Haftwirkung übertragen. Hierzu wird der zur Abgabe der Werkstüokanordnung vorgesehene Halter in der erwähnten Weise mit Lösungsmittel behandelt und in seiner Haft« wirkung herabgesetzt, während ein unbehandelter, sonst jedoch gleichartiger Halter unverminderter Haftwirkung angepresst wird und beim Trennen die Werks türanordnung übernimmt.

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Die Erfindung kann ferner auch zur Dehnung von WerkstUokanordnungen und ansohllessenden Ober- tragung derselben mit Hilfe der gleiohen Vorrichtung angewendet werden. Eine derartige Trennung der einzelnen Werkstücke einer Werkstückanordnung 1st z.B. häufig in der Halbleiterteohnik erforderlieh. Gemäas Fig« Jl bis 23 wird hierzu ein dehnbares, nach dem Zertrennen einer Halbleiterscheibe in einzelne Elemente 10 gerecktes Tragorgan 102 verwendet (Übergang von dem Zustand gemäss Fig. 21 zu demjenigen nach Fig. 22). Gegen die gedehnte WerkstUckanordnung wird gemäss Fig. 23 «in Halter 36 mit Haftschicht 37 gepresst. Nach Entfernen des nlchthaftenden Tragorgans 102 bleibt die gedehnte WerkstUckanordnung auf dem Halter zurüok.

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Claims

Ansprüche

1. Verfahren zur Halterung einer Werkstückanordnung, Insbesondere von Miniatur-Werkstücken, mittels einer Vorrichtung, von der die Werkstücke einzeln abgenommen werden können, dadurch gekennzeichnet, daß die Werkstücke gegen die Oberfläche eines Halters gepresst werden, der aus einem druckempfindlichen, insbesondre druokverfarmbaren Material besteht und die Werkstücke durch Saugwirkung infolge des aufgebrachten Druckes festhält.

2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die Verwendung eines aus einem Silioonharz oder einem Silicongummi bestehenden Halters.

?. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, da8 die auf einem Tragorgan befindliche WerkstUokanordnung durch Anpressen gegen die Oberfläche des Halters auf diesen überführt wird.

4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die WerkstUokanordnung auf einem Tragorgan mittels einer unter teilweiser Einbettung der WerkstUckanordnung

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zu verfestigenden Tragsubstanz gehalten wird« und daß der Halter in Berührung gegen die freie Oberfläche der Werkstttokanordnung gepresst und die verfestigte Tragsubetanz von dem * . Tragorgan unter Zurttoklaaeung der WerkstUckanordnung entfernt wird«

* 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dafi als Tragsubstanz Zellulosenitrat oder Zelluloseazetat verwendet wird.

6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Tragsubstanz Wasser verwendet wird.

7· Verfahren nach Anspruch 4 oder % gekennzeichnet durch folgende Merkmale:

a) im Ausgangszustand befindet sich die WerkstÜok- w anordnung teilweise eingebettet in einem Weioh-

stof f auf einer mit diesem Weiohstoff be· schichteten Unterlage;

b) auf die freie Oberfläche der werketttokanoxtfnung wird ein' eiebfOrmiges Tragorgan gebracht;

o) auf das stabförmige Tragorgan wird eine zu verfertigende Trageubstanz gebracht;

d) die Tragsubetanz wird unter teilweiser Einbettung der WerketUckanordnung verfestigt;

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e) der Welohstoff wird entfernt und ein Halter auf die nun freie Oberfläo^· der WerketUokanordnung gebraoht;

f) die verfestigte Trageubstans wird entfernt.

8.Verfahren naoh Anspruch 7» gekennseiohnet duroh die Anwendung auf eine aus ätzfähigem Material bestehende und in Ausgangssustand teilweise mit einen Ktsbestltndigen überzug versehene Werketüokanordnung, gelcennseiohnet fernt duroh einen Verfahrenssohrltt xur Katfernung des gtzbeständigen übersuges vor dem Aufbringen des siebförraigen Tragorgane auf die WerkatUokanortJnung.

9« Verfahren naoh Anspruch 7» gekennseiohnet duroh die Anwendung auf eine aus ätzfähigem Material bestehende und Im Ausgangszustand teilweise mit einen KtzbestMndigea Überzug versehene Werkßtückanordnung, gekennzeichnet ferner duroh einen Verfahrenssohrltt zur Entfernung des ätzbeständigen Überzuges naoh dem Entfernen des Weichet of fea.

10. Verfahren naoh Anspruch j}, gekennzeichnet durch folgende Merkmale:

a) Im Auegangszustaäd befindet sich die werketUokanordnung teilweise eingebettet in eineraus einem Weiohatoff bestehende Schicht auf einem

Tragorganj

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b) auf die Werkatüokanordnung wird tin· folienförmige Mask« gebracht, welche Offnung*n zur TYettha)tun$b*ntirmt*r WerketUoke und feet· Abschnitte zur Abdeokung mndirer WerketUoke dor WerkstUokanordnung aufweiat;

ο) ein Saughaltemittei wird in flüaeiger Fern auf die Maeke gebracht und durchdringt deren Offnungen;

d) das Halterungsmaterial wird verfeetigt, so dafl die mit den Halterungenaterial in Verbindung stehenden Teile durch Unterdruck festgehalten werden« woduroh der Weiohatoff und das mit diesem verbunden· Tragorgan und die abgedeckten Werkstücke aus der Werkatüokanordnung entfernt werden;

·) ein Halter wird in Berührung gegen die restlichen Werkstücke der Anordnung gepresst und die Maske mit der Sthioht des Saughaltemittels entfernt.

11. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch folgende Merkmale:

a) der verwendete Balter weist eine aus einem Saughaltemittel bestehende Schicht und eine darüber angeordnete Weiohstoffsohicht für die

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anfängliche Zusaonenhaltung der einzelnen Werkstücke der WerketUokanordnung auf;

b) die WerketUokanordnung wird in die Welohetoffeohioht des Haltdra eingedrüoktj

o) die WerkstUckanordnung wird in einzelne Werkstücke aufgetrenntj

d) ein siebfuralges Tragorgan wird auf die WerketUokanordnung gebracht und die Weiohstoffsohioht entfernt, so daß die Wertettoke durch das slebfurmige Tragorgan in das SaughalteiBittel eingedrückt werden;

e) ansohliessend wird das siebförmige Tragorgan entfernt»

12. Verfahren nach Anspruch l oder 2, gekennzeichnet duroh folgende Merkmale:

a) Verwendung eines als Loohplatte ausgebildeten Halters, der mit einer Beschichtung aus einem Weiohstoff für das anfängliche Zusammenhalten der Werkstücke und für deren Befestigung am Halter versehen ist;

b) die WerketUokanordnung wird in der Weise auf den Weiohstoff des Halters gebracht» daß jedes Werkstück mit einer Öffnung des Halters fluchtet;

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ο) duroh Aufbringen »Ines Sprühmittele auf die andere Seite des Halters wird der Welohstoff aus dem Bereloh der öffnungen des Halters entfernt» während die mit den Öffnungen fluohtenden Abschnitte der Werketüoke freigelegt werden;

d) durch die Offnungen des Halters wird ein; flüssiges Saughaltemittel eingebracht;

e) die WerketUokanordnung wird in die einzelnen Werkstücke aufgetrennts

f) der Welohstoff wird entfernt« so da8 die Werkstücke durch das' unter Druck In die Öffnung des Trägere eingeführte Saughaltemittel.^v festgehalten werden.

1?· Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dae die Aufbringung des flüssigen SaughaltemitteIs In einem Ünterdruokraura durchgeführt wird»

14. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennselohnet duroh folgende Merkmale»

a) im Ausgangszustand .< sind die Werkstücke Innerhalb der WerketUokanordnung durch einen zerbreohliohen Stoff miteinander verbunden;

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b) Verwendung eines flexiblen Kältere;

o) über die auf dem Halter angebrachte Werkettiokanordnung wird ein flexibles Deokblatt aufgebracht; '

d) die aus Kalter, Werkstttekanordnung und Deokblatt bestehende Anordnung wird gebogen, so daß die einzelnen Werkstücke unter Avfreohterhaltung ihrer Lage auf dem Halter voneinander getrennt werden.

15. Verfahren naoh einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Haftwirkung des auf der Oberfläche des Halters befindlichen Saughaltemittels durch Anbringung von je für sich bezUglioh eines einzelnen Werkstücks kleineren Oberflächen-Vertiefungen eingestellt wird.

16. Verfahren naoh einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die WertetUckanordnung vonjeinem ersten Halter auf einen mit einem Saughaltemittel versehenen zweiten Halter überführt wird, dessen Oberfläche eine bezUglioh des ersteinältere grösaere Haftwirkung aufweist*

17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die grössere Haftwirkung des zweiten Halters

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durch eine bezüglich des ersten Halters grBssere Sohlohtdloke des Saughaitemittie erzielt wird.

18. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gtkennieiohnet, daS die grössere Haftwirkung des zweiten Halters durch eine bezüglich des ersten Halters glattere Schiohtoberflache des Saughaltemitfcla erzielt wird.

19· Verfahren nach einem der Ansprüche l bis 16, dadurch gekennzeichnet, daB die von dem Halter ausgeübte Haftwirkung durch Aufbringen von Trichlorethylen auf die TrHgeroberfläche vermindert wird.

20. Verfahren naoh Anspruch J>, 4 oder 5* dadurch gekennzeichnet, daß der Kalter und das Tragorgan mit der Wertetüokanordnung unter Einstellung einer glelohmSsslgen Druckverteilung über die Werkstttokanordnung gegen eine konkave oder konvexe Oberfläche zusammengepresst und verformt werden.

21. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß an dem Tragorgan eine elastische Membran vorgesehen 1st, die zur gegenseitigen Trennung der Werkstücke vor dem Zusammenpressen von Halter und Werkstückanordnung gereckt wird.

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-Ci-.

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22. Einrichtung sur Durchführung eines Verehrern nach einen der vorangehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch einen Kalter (?6) mit einer aus einem druck* verformbaren Saughaftnittel bestellenden Haftschicht (37).

25. Einrichtung nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, das die Haftschicht (57) aus einem Siliconharz oder einem Silicongummi besteht.

24· Einrichtung nach Anspruoh 22 oder 23» dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche der Haftschicht (81) mit Binsenkungen (82) sur Verminderung der Haftwirkung rersehen ist.

Werkstttolcanordnung ein flexibler Halter (?6) mit einer Haftschicht'sowie ein der Haftschicht gegenüberliegend angeordnetes· ebenfalls flexibles Tragorgan (102) als Widerlager für die an der Haftschicht befindliche Werkstücken Ordnung vorgesehen 1st.

. Einrichtung nach einem der Ansprttohe 22 bis 24, dadurch gekennzeichnet, daß sum Zertrennen einer aus einer Halbleiterscheibe bestehenden ,

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- Io -

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26. Einrichtung zur Durchführung eines Verfahrens naoh Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen ₇ Lochplatte (70) ausgebildeten Halter, in öffnungen (71) aus einen Saughafteitfcl bestehende Haftelemente angeordnet sind. . _:

^ 27. Einriohtung nmoh «in·« d#r Anepruoh· 22 bi· 26« dmduroh g«kenns*iohn#t, difi *ua ΑηρΓ···«η •iner W«rWbUok»nordnung g«g«n di· Hafteohloht •in·· Halters «In flexibles, insbesondere eeebrmnföraig «ufgespAnntee Tragorgeii (26) vorgesehen lit.

28. Hinrichtung n*oh Anspruoh 27, gelcennxeiohnet duroh eine durohbroohene, insbesondere siebföroige Ausbildung des flexiblen Tragorgitnee (26).

29. Einrichtung nach Anspruch 27 oder 28, dadurch gekennzeichnet, daa zutt Anpressen der Werkstüokanordnung gegen dl« Haftsohicht (37) eines Halters (36) ein Sockel (103) Wit gewölbter StirnflÄohe (ill) als Widerlager Vorgesehen ist.

30· Einrichtung nach Anepruoh 29, dadurch gekennzeichnet, dae die an der RÜokseite des Halters ( 36)

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angtoiMnet· Stirnfläohe (111) d«s Soolnl« (103) konvex» inebeeonder· kegtletuajfförelg au»g*bild«t 1st.

Jl · Einrichtung naoh Anspruch 29, dadurch g*k«nnzeiohn«t_# dafi die andir Rttoicstit· d«e Halt«re (56) angeordnet· StirnflKohe (111) des Sockels (103) konkav ausgebildet ist»

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Stf-

L θ e r s e i t e