DE2802654B2 - Befestigung einer Halbleiterplatte an einer Läppscheibe - Google Patents

Befestigung einer Halbleiterplatte an einer Läppscheibe

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Description

Die Erfindung betrifft eine Befestigung einer Halbleiterplatte mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Hauptanspruchs.
Aus der DE-OS 15 77 469, der DE-AS 16 52 170 sowie ?.us der Zeitschrift »technica« (1978) Nr. 24, Seiten 2281 bis 2291, ist es zum Läppen oder Polieren von Halbleiterplatten allgemein bekannt, die Halbleiterplatten mit ihren in der vorzunehmenden Bearbeilungsstufe nicht zu polierenden Oberfläche über eine Haftschicht auf einer Trägerplatte zu befestigen.
Bisher sind die bei der Bearbeitung von Materialien wie Glas und Halbleiterplatten angewendeten Polier- und Läppverfahren sowohl zeitaufwendige als auch kostspielige Maßnahmen und bei der Anwendung zur Bearbeitung von Halbleitermaterial mit einem großen Prozentsatz an Ausschuß verbunden. Eine Halbleiterplatte wird mit Ausnahme des letzten Arbeitsprozesses bei den übrigen Arbeitsprozessen eine beträchtliche Dicke belassen, um die Wahrscheinlichkeit eines zufälligen Bruchs während der Bearbeitung und insbesondere während der Sondenmessung der Platte zu vermindern. Um das Ritzen und Brechen zu erleichtern, ist es wichtig, daß vor dem Ritz- und Brechprozeß zur Auftrennung der Platte in die einzelnen Halbleiterplättchen die Plattendicke vermindert wird. Während dieses als Rückseitenläppen
ίο allgemein bekannten Prozesses wird ein beträchtlicher Teil der Platte durch einen Schleif- oder Läppprozeß von der Rückseite der Platte entfernt
Bisher werden die Platten mit der Stirnseite nach unten auf einer ebenen Läppscheibe befestigt, welche
! * normalerweise kreisförmig mit einem Durchmesser von etwa 30 cm ausgebildet ist Die Platten werden auf der Läppscheibe am Befestigungsort mittels eines handelsüblichen Wachses während eines Arbeitsprozesses befestigt, wobei die Läppscheibe auf die Schmelztempe ratur des Wachses erhitzt wird und eine Wachsschicht auf der Oberfläche ausgebildet wird, wonach die Platten auf dem erhitzten Wachs angeordnet und am Befestigungsort gehalten werden, während die Läppscheibe abgekühlt wird und das Wachs aushärtet Das überschüssige Wachs muß dann entfernt werden, so daß sich kein Wachs über die freiliegende Rückseite der Platten erhebt oder sich darüber ausbreitet. Die Rückseite der Platten wird dann unter Verwendung eines Läppbreies mit einem Schleifmittel wie AI2O3 oder Diamantenschleifpaste zur Entfernung des Halbleitermaterials abgeschliffen.
Nach Beendigung des Läppprozesses werden die Läppscheibe und die Platten zur Entfernung des Läppbreies gewaschen und die Scheibe zum Schmelzen des Wachses abermals erhitzt. Dann werden die Platten von der Läppscheibe entfernt. Aufgrund der Oberflächenspannung muß die Platte gewöhnlich durch Anwendung einer Hebelkraft angehoben oder von der Läppscheibe abgeschoben werden, was eine beträchtli ehe Beschädigung der aktiven Oberfläche der Halb leiterplatten zur Folge hat. Bei einer Verschiebung der Halbleiterplatte auf der Läppscheibe besteht die Neigung zum Verkratzen der Stirnfläche, da eine Menge des Schleifmittels in dem Wachs eingebettet bleibt. Da die Halbleiterbauelemente bereits an der Stirnfläche der Halbleiterplatten ausgebildet wurden, wird jegliches Zerkratzen die Bauelemente zerstören, so daß es nicht ungewöhnlich ist, wenn ein Ausfall von 30 bis 50% als FoI^e des Rückseitenläppens zu erwarten ist. Nach dem Entfernen der Halbleiterplatte von der mit Wachs bedeckten Scheibe müssen die Halbleiterplatten mittels eines Lösungsmittels gereinigt werden.
Abgesehen von einem beträchtlichen Ausschuß, der während des Läppprozesses zu erwarten ist, ist dieses Verfahren auch äußerst teuer und zeitaufwendig. Zunächst muß die Läppscheibe zum Schmelzen des Wachses erhitzt werden, dann zur Erzielung einer guten Haftung der Halbleiterplatten an der Scheibe vollständig abgekühlt werden und dann wieder zur Entfernung der Halbleiterplatten erhitzt werden. Natürlich ist diese Verfahrensweise recht zeitaufwendig. Der Reinigungsprozeß ist ebenfalls mit steigenden Kosten behaftet, da die Lösungsmittelkosten fortlaufend ansteigen. Eine andere Schwierigkeit, die bei der Verwendung
es einer Wachsbefestigung auftritt, besteht hinsichtlich der Kontrolle der Dicke und der Ausrichtung in einer Ebene. Die Dickenschwankungen der Wachsschicht würde nämlich zur Folge haben, daß die Halbleiterplat-
ten sowohl Dickenschwankungen als auch nicht stets ebene Oberflächen aufweisen.
Aufgabe der Erfindung ist die Angabe einer Befestigung für Halbleiterplatten, mit deren Hilfe es möglich ist, den Ausschuß und den Zeitaufwand im Vergleich zu Läppprozessen mit herkömmlicher Befestigung der Platten zu senken.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 enthaltenen Maßnahmen gelöst
Die Erfindung wird also unter Bezug auf die HaltsJeiterindustrie beschrieben, wie sie für die Bearbeitung von Halbleiterplatten, insbesondere zum Läppen herangezogen wird. Natürlich kann die Erfindung auch zum Polieren der Halbleiterplatten verwendet werden.
Bei der Verwendung der Plattenbefestigung nach der Erfindung zeigen Testscheiben oder Halbleiterplatten eine Ausbeute von nahezu 100% ohne die üblicherweise während des Läppvorgangs auftretenden dearbeitungsschäden. Die Reproduzierbarkeit der Dicke und Flächep.gleichmäßigkeit ist hervorragend. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel nach der F/findung ist kein Lösungsmittel zur Reinigung der Halbleiterplatten erforderlich, so daß die Lösungsmittelkosten entfallen, was auch die ungünstige Bewirkung betrifft, falls Lösungsmittel mit dem Halbleitermaterial in Berührung gebracht wird. Beim bevorzugten Ausfuhrungsbeispiel kann auf die Verwendung von Wachs verzichtet werden, so daß der Arbeitsgang beträchtlich gegenüber dem Verfahren herkömmlicher Art beschleunigt wird, welcher Erhitzen und Abkühlen erfordert. Als gänzlich unerwartetes Ergebnis wurde eine Verminderung der Läppzeit erzielt. Entsprechend der Oberflächeneigenschaften des verwendeten Materials ergibt sich ein geringerer Rotationswiderstand in der Läppmaschine, so daß höhere Geschwindigkeiten und damit ein schnelleres Läppen erreicht wurde. Mit der Erfindung können somit Halbleiterplatten schneller und kostensparender geläppt werden, wobei eine beträchtliche Verbessenng der Ausbeute erzielt wird.
Bei einem Ausführungsbeispiel nach der Erfindung kann eine überflüssige Photolackbedeckung auf der Oberfläche der Halbleiterplatte vorgesehen werden, bevor die Platte mittels Wachs an der Läppscheibe befestigt wird. Die Photolackbedeckung schützt die Oberfläche der Halbleiterplatte sowohl gegen das Abtragmittel als auch gegen das Lösungsmittel während des Abhebens und Reinigens.
Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel nach der Erfindung werden vorzugsweise eine Anzahl von Platten mit einem trockenen Photolackfilm beschichtet, der auf einer Trägerfolie angeordnet ist, die anschließend mittels Wachs an der Oberfläche der Läppscheibe befestigt wird. Nach Abschluß des Läppprozesses wird der Läppbrei leicht abgewaschen, der Photolack und die Läppscheibe erhitzt und die Trägei folie entfernt. Der Photolack kann von den Halbleiterplatten allein durch Abschälen entfernt werden.
Beim bevorzugten Ausführungsbeispiel nach der Erfindung werden die Halbleiterplatten mit einem trockenen Phötöläckfilffi beschichtet, der auf einer Trägerfolie angeordnet wird, die über die Oberfläche der Läppscheibe gestülpt wird und am Rande der Läppscheibe befestigt wird. Die Trägerfolie kann mittels eines elastischen Rings oder eines ähnlichen Elements befestigt werden. Ein durch Preßsitz befestigter Reifen wurde als rnht günstig befunden, da er den Photolackfilm zur Streckung bringt, sobald er über die Platte gepreßt wird, wobei eventuell vorhandene Unebenheiten von d'esem Film entfernt werden und eine außergewöhnliche Dickenkontrolle möglich wird. Durch die Verwendung eines trockenen Photolackfilms ergibt sich somit ohne die Notwendigkeit für ein chemisches Lösungsmitte) und für Erhitzungsprozesse gemäß dem herkömmlichen Verfahren eine schnelle Montagemöglichkeit und Entfernung der Platten von der Läppscheibe. Ein Photolackfilm schützt die Oberfläche der Halbleiterplatte, so daß eine Beschädigung im wesentlichen ausgeschlossen ist, was eine höhere Ausbeute an Halbleiterplatten mit bestimmter Dicke bringt.
Abgesehen von einer Ersparnis an Zeit und Kosten erbringt die Befestigung nach der Erfindung also eine Verbesserung der Ausbeute an Halbleiterplättchen nach dem Läppprozeß.
Die Erfindung und deren Weiterbildungen werden im folgenden anhand der Zeichnung erläutert; er zeigt
Fig. 1 die Aufsicht auf eine LiHpscheibe mit einer Mehrzsh! dsrsuf angeordneter HsiDi'^Her'Mstten*
F i g. 2 eine Querschnittsansicht entlang der Linie 2-2 der F i g. 1 entsprechend einer ersten Ausführungsform nach der Erfindung;
Fi «.3 und 4 Schnittansichten zur Erläuterung von Zwiscnenarbeitsgängen bei der Befestigung von Haibleiterplatten an der Trägerfolie und
Fig. 5, 6 und 7 Schnittansichlen. die die verschiedenen Methoden und Vorrichtungen zum Befestigen der Halbleiterplatten einer Läppscheibe veranschaulichen.
Die Fig. 1 zeigt in Aufsicht eine typische kreisförmige, hier als Tragplatte verwendete Läppscheibe 10 mit einer Mehrzahl von darauf befestigten Halbleiterplatten 12. Um den Rand der Läppscheibe 10 sind gleichmäßig beabstandet 3 Stellschrauben 14 angeordnet, welche je eine am oberen Ende befestigte Diamantspitze 16 aufweisen. Zur Einstellung der gewünschten Dicke der Halbleiterplatlen 12 werden die Stellschrauben 14 in bekannter Weise eingestellt.
In der Fig. 2 wird gezeigt, wie die Halbleiterplatlen 12 an der Läppscheibe 10 gemäß eines ersten Ausführungsbeispieles der Erfindung befestigt sind. Die Stirnfläche 18 der Halbleiterplatte 12, an der die Halbleiterelemente ausgebildet sind, wird mit einem Photopolymerfilm in Form von flüssigem Photolack 20 bedeckt. Der Photopolymerfilm 20 schützt die Fläche der Halbleiterplatte während des Läppprozesses und schützt ebenfalls die Halbleiterplatte gegen das chemische Lösungsmittel, daß zur Reinigung der Halbletterplatte nach Beendigung des Läppprozesses verwendet wird. Dann werden die mit dem Photopolymerfilm bedeckten Halbleiterplatten an der Oberfläche der Läppscheibe 10 unter Anwendung des herkömmlichen Wachsbefestigungsprozesses befestigt, wozu die Läppscheibe 10 erhitzt wrd und eine geschmolzene Wachsschicht 22 über die Oberfläche sich ausbildet, wie die Fig. 2 veranschaulicht. Nachdem die Wachsschicht 22 geschmolzen ist, werden die Halbleiterplatten 12 über den Photopolymerfilm 20 in Berührung mit dem geschmolzenen Wachs gebracht, das danach abgekühlt und zum Aushärten gebracht wird, so daß die Halbleiterplatten fest >m Ort auf der Läppscheibe gehalten werden.
Die Stellschrauben 14 werden entsprechend der gewünschten Piatt/nstärlre eingestellt und dann wird der Läppprozeß in bekannter Weise unter Verwendung von herkömmlichen Läppmaterialien durchgeführt. Nach Beendigung des Läppprozesses wird der über-
schlissige Läppbrei abgewaschen und die Halbleiterplatte 10 abermals zum Schmelzen der Wachsschicht erhitzt, so daß die Halbleiterplatten cntfernl werden können. Der Photopolymerfilm 20 schützt die Stirnfläche 18 der Halbleiterplatten gegen eine Beschädigung durch das Läppmittel und das Lösungsmittel, welches während des Prozesses verwendet wird. Nach Reinigung der Halbleiterplatten kann der Photopolymerfilm unter Anwendung herkömmlicher Photolackprozesse entfernt werden.
Anhand der Fig. 3 wird ein verbessertes Ausführungsbeispiel der Erfindung erläutert, wobei ein Photolack in Form eines getrockneten Photopolymerfilms auf einer Trägerfolie verwendet wird. Die Halbleiterplatten 12 werden mit der Stirnfläche nach oben auf eine Schablone 24 aus Polyester angeordnet, welche in ihre kreisförmigen Gestalt der Oberfläche der Läppscheibe 10 angepaßt ist. Die Schablone 24 enthält entfernen.
Nachdem die Schablone 24 durch die Vorrichtung zum Beschichten mit trockenem Photolack geführt worden ist, kann die Schablone leicht entfernt werden, da das Polyestermaterial besser am Photolack haftet als an der Halbleiterplatte 12. Die Halbleiterplatten 12 und die Trägerfolie 28 werden dann gemäß der F i g. 4 umgedreht und an der Läppscheibe 10 unter Anwendung des herkömmlichen Wachsbefestigungsprozesses,
ίο wie bereits beschrieben und hier anhand der Fig. 5 veranschaulicht wird, befestigt, wobei die Wachsschicht 30 zwischen der Trägerfolie 28 und der Oberfläche der l.äppscheibc 10 angeordnet wird.
Nach dem Läppen der Halbleiterplatten wird die Läppscheibe gewaschen und /um Schmelzen der Wachssicht 30 wieder erhitzt sowie die Trägerfolie von der Läppscheibe entfernt. Aufgrund der Oberflächeneigenschaften des Photolacks wird der Läppbrei leicht
VUl iUgaWCOC IVIdI KCII, UIC UIC gCCIgllCtC AMIUI UIIUIIg UCI Halbleiterplatten 12 anzeigen, so daß die Halbleiterplatten nicht mit den Stellschrauben 14 in Berührung kommen, wenn sie auf der Läppscheibenoberfläche angeordnet werden. Nachdem die Halbleiterplatten auf der Schablone 24 mit der Stirnseite nach oben angeordnet worden sind, werden sie mit einer Trägerfolie beschichtet, indem die Schablone und die Halbleiterplatten durch eine Vorrichtung zum Beschichten mit trockenem Photolack geführt werden, so daß die Stirnflächen 18 der Halbleiterplatten an dem Photopolymerfilm aus der Photolackschicht 26 haften, die von der Trägerfolie 28 aus einem Polyestermaterial getragen wird.
Die vorstehend erwähnte Beschichtung kann mittels einer handelsüblichen Vorrichtung zum Beschichten mit trockenem Photolack durchgeführt werden, wobei eine Temperatur unterhalb der empfohlenen Temperatur (oder etwa 800C) verwendet wird, so daß eine partielle Haftung an der Halbleiterplatte erreicht wird.
Als Haftschicht sind nach der Erfindung verschiedene trockene Filmpolymere geeignet, wie beispielsweise ein Photopolymerfilm, der eine Filmdicke von etwa 25 bis 50μηι aufweist und auf einer aus Polyester bestehenden Trägerfolie von 25μιη Dicke mit einer darauf angeordneten Schutzschicht aus Polyäthylen in einer Dicke vor 25μπι ausgebildet ist. Die empfohlene Behandlungstemperatur für einen derartigen Trockenfilmlack beträgt 112,8°C ± 5,5°. Nach der Erfindung wird dagegen eine Erhitzung auf lediglich 79,5° C + 5,5°C vorgenommen, so daß ein partielles Haften erreicht wird. Der nur teilweise ausgehärtete Photolack weist eine große Scherfestigkeit anf, erlaubt aber bei Zugspannung ein Abschä.en. Das Material ist somit besonders zur Verwendung bei Läppmaschinen geeignet, wo eine große scher- jedoch keine Zugbeanspruchung zu erwarten ist.
Ein trockener Photopolymer auf einem Träger wird deshalb verwendet, weil er ohne Schwierigkeiten beschaffbar ist und das Photopolymermaterial an das Halbleitermaterial völlig angepaßt ist und unter Verwendung von in der Halbleiterindustrie üblichen Lösungsmitteln entfernt werden kann. Die thermoplastische Eigenschaft und die Verträglichkeit mit Halbleitermaterialien sind die bedeutsamen Eigenschaften des verwendeten Polymers. Es können auch andere Haftmittel verwende* werden, die aber zusätzliche Reinigungsgänge zur Entfernung der Haftmittel in einer Weise ähnlich der Lösungsmittelreinigung erforderlich machen, um das gegenwärtig verwendete Wachs zu
CllCri WGl/Ci gCr!"gC GvjCr r»CI"C ^CiiiCi, "
auf oder in der Oberfläche verbleiben. Die Halbleiterplatten werden einfach ohne Schwierigkeiten von der Trägerfolie einzeln durch Abschälen entfernt, oder die gesamte aus Halbleiterplatte und Trägerfolie bestehende Anordnung kann umgekehrt auf eine Vakuumhaltcrungsplatte gebracht werden, wo ein Vakuum die Platten auf dem Halterungstisch hält, während die Trägerfolie allein durch Abschälen von den Platten entfern' wird. Experimentiell wurde festgestellt, daß keine Photolackrückstände auf der Plattenoberfläche
jo verbleiben, falls geeignete Beschichtungstemperaturen angewendet werden; verbleiber aber doch einige Rückstände, so würden sie während eines anschließenden Standard-Reinigungsprozesses entfernt werden wobei die Halbleiterplatte in einer Wasserstoffsuperoxyd und Schwefelsäure enthaltenden Lösung gewaschen wird.
Beim vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel der Läppscheibe mit Haftschicht nach der Erfindung wird die Stirnfläche 18 der Halbleiterplatten vollständig gegen Bearbeitungsschäden geschützt, und es entfällt außerdem die Notwendigkeit einer Lösungsmittelreinigung der Halbleiterplatten. da das Wachs nicht in Kontakt mit irgendeinem Teil der Halbleiterplatte steht Das Schleifmittel kommt nicht in Berührung mit der
4b Wachsschicht 30, so daß die Möglichkeit der Wiederverwendung der Wachsschicht 30 ohne die Notwendigkeil einer Reinigung und eines abermaligen Wachsens der Oberfläche der Läppscheibe besteht. Beim vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel der Läppscheibe mit Haftschicht nach der Erfindung wird somit die Ausbeute durch Verminderung der Bearbeitungs .'häden beträchtlich erhöht und die Kosten in einem Ausmaß vermindert, weil ehemische Lösungsmittel nicht erforderlich sind.
Es wurde festgestellt, daß die Läppzeit beträchtlich vermindert werden kann, beispielsweise von 25 auf 14 Minuten Läppzeit. Dies ist ein Ergebnis, das durch die höhere von der Läppmaschine erzielbare Geschwindigkeit erzielt wird. Aufgrund des geringen Abstände; zwischen den Läppscheiben und der Viskosität de« Läppbreis wird eine beträchtliche Scherkraft auf die rotierenden Scheiben ausgeübt. Aufgrund der Oberflächeneigenschaften des Photolacks und des Polyesterma terials benetzt der Läppbrei das Polyestermaterial nicht so daß eine geringere Scherkraft ausgeübt wird, wa; größere Läppgeschwindigkeiten und kürzere Läppzei ten zur Folge hat Das vorstehend beschriebene Ausführungsbeispiel nach der Erfindung erfordert abei
noch die Arbeitsgänge des Erhitzens und Kühlens der Läppscheibe, so da3 das Wachs schmilzt und zur Befestigung der Trägerfolie an der Läppscheibe sich wieder verfestigt, deshalb ist der Prozeß noch relativ zeitaufwendig.
Es liegt daher im Rahmen der Erfindung, den Photolack unmittelbar auf die Läppscheibe aufzubringen vrA vollständig auszuhärten, wobei die Trägerfolie entfällt. Die Halbleiterplatten können dann an dem Photolack bei mäßiger Erwärmung angebracht werden, so daß ein ausreichend großer Schrrwiderstand erhalten wird und ein anschließendes Entfernen der Platten durch Anheben möglich ist. Zur anschließenden Reinigung der Scheibenoberfläche kann dann eine Entwicklungslösung verwendet werden. Vor dem Entfernen der Halbleiterplatten kann eine mäßige Erhitzung zur Erweichung des Photolacks vorgenommen werden.
Nach einer Weiterbildung der Erfindung, welche anhand der Fig. 6 erläutert wird, entfällt die Notwendigkeit der Verwendung von Wachs vollständig. Die Läppscheibe 10 we st in abgewandelter Form eine abgeschrägte Kante 32 und eine Rille 34 über den gesamten Rand der Läppscheibe auf. Die Schraublöcher, die die Stellschrauben 14 aufnehmen, werden ebenfalls geändert, sr· daß sie je eine runde Senklochfläche 36 um das Schraubloch und eine halbwegs in das Schraubloch eingesei zte Schulter 38 erhalten und mit je einem an der Schulter 38 endendem Innengewinde versehen sind, so dal.) das Schraubloch einen größeren Durchmesser oberha b dieser Schulter aufweist. Beiderseits jeder der Stell: chrauben sind ein Paar von sich durch die Läppscheite 10 erstreckenden Bohrungen 40 von geringem Durchmesser vorgesehen, welche innerhalb der runden Sen (lochfläche 36 enden. Der Zweck der Bohrungen 40 wird im folgenden erläutert. Die Halbleiterplatten 12 werden bei der Ausführung dieses Ausführungsbeispieles nach der Erfindung auf einer Trägerfolie befestigt, wie anhand der F i g. 3 und 4 beschrieben wurde. Dann werden drei Löcher in der Trägerfolie dort hergestellt, daß sie sich mit den drei Steilschrauben 14 decken. Die Löcher können auf verschiedene Waise hergestellt werden; es wurde jedoch festgestellt, daß die Verwendung eines heißen Drahtes besonders günstig ist, da die schmelzende Trägerfolie einen Wulst um die öffnung während ihrer Herstellung bildet. Dann wird die Trägerfolie auf der Oberfläche der Läppscheibe 10 ausgebreitet, so daß die Löcher in der Trägerfolie sich mit den darin aufgenommenen Stellschrauben decken. Dann werden so in den Raum um die Stellschrauben Kunststoffeinsätze 42 eingepreßt, die flanschartige obere Flächenteile 43 aufweisen, welche in die Trägerfolie eingreifen und diese gegen die Senklochflächen 36 festhalten. Nach dem richtigen Einfügen der Kunststoffeinsätze wird die ss Trägerfolie Ober die abgeschrägte Kante 32 und die Rille 34 hinaus nach unten gezogen, sowie ein dichtsitzender elastischer Reifen 44 verwendet, um den Rand der Trägerfolie in der Rille 34 der Läppscheibe 10 festzuhalten.
Es wurde festgestellt, daß die abgeschrägte Kante 32 bei die Ausführungsform der Läppscheibe nach der Erfindung von Nutzen ist, da die Trägerfolie zum Kräuseln und zur Faltung neigt, wodurch Falten gebildet werden, wenn sie über die Kante der Läppscheibe nach unten gezogen wird. Diese Falten könnten eine beträchtliche Ober die Läppfläche hinausragende Dicke aufweisen und den Läppvorgang behindern, so daß sie oft während des Läppens abgeschnitten oder stark abgetragen werden. Durch die besondere Verwendung der abgeschrägten Kante bilden sich die Falten auf der Abschrägungsfläche und behindern daher den Läppvorgang nicht. Nach Beendigung des Läppens wird der elastische Reifen 44 entfernt und es werden die Kunststoffeinsätze unter Verwendung eines gabelförmigen Werkzeugs mit einem Paar von Stiften herausgestoßen, die durch die Bohrungen 40 geführt werden. Danach werden die Halbleiterscheiben 12 von der Trägerfolie abgezogen, wobei kein Lösungsmittel erforderlich ist. Dieses Ausführungsbeispiel der Läppsclieibe nach der Erfindung vereinigt sämtliche der Vorteile der vorbeschriebenen Ausfulirungsbeispiele und erfordert darüberhinaus kein Wachs oder Lösungsmittel. Da Wachs nicht erforderlich ist, ist eine äußerst genaue Dicken und Ebenheitskontrolle gewährleistet. Der trockene Polymerfilm hat eine so gleichmäßig reproduzierende Dirke, daß eine hervorragende Bearbeitung der Halbleiterplatten mit einer Dickentoleranz von besser als 13 μηι möglich ist.
Die F i g. 7 veranschaulicht eine besonders günstige Ausbildung einer Läppscheibe 10 nach der Erfindung. Die Läppscheibe 10 ist mit einem Ringabsatz 46 über ihrer Berandung ausgestattet, welcher Ringabsatz eine Mehrzahl von Kerben 48 aufweist, deren Zweck im folgenden beschrieben wird. Über die Läppscheibe 10 wird im Preßsitz ein Kreisring 50 gebracht, der die Trägerfolie fest zwischen dem Kreisring 50 und der Läppscheibe hält. Es wurde festgestellt, daß ein aus Kunststoff hergestellter Kreisring vollständig ausreichend ist. Der Kreisring 50 kann von Hand an seinen Platz gedrückt werden und anschließend durch Einpressen eines Werkzeuges, wie eines Schraubenziehers, entfernt werden. Ein Vorteil dieser Ausführungsform, die über das in der F i g. 6 gezeigte hinausgeht, besteht darin, daß eine mechanische Vorrichtung verwendet werden kann. Dabei ist daran gedacht, den Kreisring unter Verwendung einer maschinenbetriebenen Presse aufzupressen und anschließend unter Verwendung eines maschinenbetriebenen Abziehwerkzeuges, welches in die Kerben 48 eingreifende Finger aufweist und im Eingreif mit der unteren Fläche des Kreisringes steht, von der Läppscheibe abzuziehen. Die Kunststoffeinsätze 42 werden eingesetzi und entfernt wie anhand der F i g. 6 beschrieben wurde. Es wurde festgestellt, daß die Trägerfolie so leicht gestreckt wird, daß keine Falten auf der Oberfläche der Läppscheibe entstehen, wenn ein dichtschließender Kreisring 50 verwendet wird, der im Preßsitz über die Läppscheibe 10 gebracht wird.
Durch die erfindungsgemäße Befestigung werden im wesentlichen sämtliche Bearbeitungsschäden, die bei den Befestigungen herkömmlicher Art auftreten, ausgeschlossen und im wesentlichen eine 100%ige Ausbeute Ober den Läppprozeß erhalten. Das Befestigen und Entfernen wurde beträchtlich vereinfacht, indem das zeitaufwendige Erhitzen und Abkahlen zum Fortfall gebracht wurde und keine Notwendigkeit zur Verwendung eines Lösungsmittels zum Entfernen des Wachses von den geläppten Halbleiterplatten mehr besteht Die Betriebskosten sind insofern reduziert, als nicht nur das Lösungsmittel zum Fortfall kommt, sondern auch noch die Energiekosten zum Erhitzen der Läppscheibe entfallen. Die Arbeitszeit wurde beträchtlich vermin dert da die Halbleiterplatten nahezu unverzüglich an der Läppscheibe befestigt werden können und längere Erhitzungs- und Abkühlungszeiten nicht erforderlich sind. Ein besonderer Vorteil der Befestigung nach der
Erfindung besteht in einer beträchtlichen Erhöhung der Ausbeute an Halbleiterplättchen, was wiederum die Gesamtproduktionskosten der Halbleiterbauelemente vermindert. Die Befestigung nach der Erfindung erlaubt eine bessere Kontrolle der Plattendicke und deren Ebenheit, so daß eine bessere Plättchenqualität erzielt wird.
Obwohl di<f Befestigung nach der Erfindung unter Verwendung eines Photolacks und vorzugsweise eines trockenen Photopolymerfilms auf einem Träger durchgeführt worden ist, ist natürlich die Befestigung nach der Erfindung nicht auf die Verwendung dieser speziellen Materialien beschränkt. Andere Arten von trockenen Filmpolymere oder thermoplastischer Haftmaterialien können ebenfalls verwendet werden.
Der Vorteil eines photoempfindlichen Polymers entsteht darin, daß er durch Belichtung leichter löslich wird und dann unter Verwendung eines Entwicklers eher als durcK Verwendung stärkerer Lösungsmittel leichter abgewaschen werden kann. Natürlich ist es vorteilhaft, daß die Notwendigkeit eines besonderen Reinigungsprozesses zur Entfernung von Haftmitteire sten von der Halbleiterplatte zu vermeiden. Das verwendete Material muß außerdem ne hohe Scherfestigkeit, jedoch einen niedrige »Viderstand auf Zugbeanspruchung aufweisen, so daß die Platten ohne Schaden abgezogen werden können. Wärmeempfindli ehe Haftmittel werden zum Unterschied von Haftmit teln bevorzugt, welche die Anwendung eines Lösungsmittels zum Erweichen des Haftmittels vor dem Aufbringen auf die Halbleiterplatte notwendig machen. Der Photolacktyp eines trockenen Polymerfilms wird verwendet, da dieses passende Material ohne weiteres in der elektronischen Industrie verfügbar ist und Mit herkömmlichen Halbleiterprozessen verträglich ist.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (9)

Patentansprüche:
1. Befestigung von Halbleiterplatten mit ihrer während eines Läppprozesses zu schützenden Stirnfläche an einer Läppscheibe mittels einer Haftschicht, dadurch gekennzeichnet, daß die Haftschicht aus einem trockenen Photopolymerfilm (20,26) besteht.
2. Befestigung nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß der Photopolymerfilm (26) auf einer Trägerfolie (28) aufgetragen ist und die Trägerfolie (28) an der Oberfläche der Läppscheibe (10) befestigt ist
3. Befestigung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerfolie (28) über den Rand der Läppscheibe (10) gezogen ist und am Rand der Läppscheibe befestigt ist
4. Befestigung nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch einen elastischen Reifen (44) zum Befestigen der Trägerfolie (28) am Rand der Läppscheibe (10), der in einer Rille (34) am Rand der Läppscheibe (10) angeordnet ist
5. Befestigung nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch einen an einer zylindrisch ausgebildeten Randfläche der Läppscheibe (10) angeordneten Kreisring (50) zum Anspressen der Trägerfoüe (28) an die Randfläche.
6. Befestigung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß in der Trägerfoüe (28) eine Mehrzahl von Bohrungen vorhanden sind, welche srb mit je einer Stellschraube (14) decken, die sich über die tragende Oberfläche der Läppscheibe (10) erheben ur>d zur i_,nstellung der Dicke der Halbleiterplatte (12)0ienen.
7. Befestigung nach Ansp. jch 5, gekennzeichnet durch einen Ringabsatz (46) an der Läppscheibe (10), der Kerben (48) aufweist.
8. Befestigung nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Läppscheibe (10) an ihrer der Trägerfoüe (28) zugekehrten Stirnfläche eine abgeschrägte Kante (32) aufweist.
9. Befestigung nach einem der Ansprüche 2 bis 8, dadurch gekennzeichnet. Einsätze (42), welche durch je eine öffnung in der Trägerfolie (28) in die Läppscheibe (10) gesteckt werden können und in welche je eine der Stellschrauben (14) einschraubbar ist.
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